CN108461431A - 电子元件容器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。据此，导电层对第一及第二防静电层进行电连接，所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，从而可以防止位于收容槽内的电子元件因静电而被破坏，毛刺和细微粒子由耐溶剂性树脂形成，从而即使没有溶解于有机溶剂，在导电层形成时因埋没至内部而不被露出，所以，减少去除时间，从而提高生产性。

Description

电子元件容器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子元件容器及其制造方法，尤其，涉及一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器包括用于对半导体器件等的电子元件进行包装的托盘(tray)或载带(Carrier Tape)等。
背景技术
为了将电子元件包装成M×N(M及N为自然数)个，目前使用托盘或载带等，电子元件是将半导体器件等每个单独的电子元件或每个相互不同的单独的电子元件组装为模块而制成的。为了防止电子元件等因静电而被破坏，所述包装容器在构成主体的由非传导性的合成树脂形成的基底层的上部及下部表面分别形成有第一及第二防静电层,电子元件是将包装好的半导体器件等每个单独的电子元件或每个相互不同的单独的电子元件组装为模块而制成的,第一及第二防静电层包含导电性材料从而具有防静电特性。因为所述第一及第二防静电层，所以即使在包括托盘或者载带等在内的容器中发生静电，也不会向收容于收容槽内的电子元件传递，而是向外部放电，从而防止所述电子元件被破坏。
所述托盘或载带通过如下方式形成：在由非传导性的合成树脂的板材形成的基底层的上部及下部表面分别形成有具有传导性的第一及第二防静电层后，对板进行加热后，到达托盘模具，上下模具相接触的同时用空气加压成型，从而形成收容电子元件的收容槽，所述收容槽截断为具有M×N(M及N为自然数)个的单位。
在所述成型后，在截断为单位托盘或载带时，基底层、第一及第二防静电层没有被全部去除，而是在截断面生成残留有任意一个层的一部分或多个层的一部分的细微的毛刺(burr)，不仅如此，截断面不平滑反而变得粗糙，从而产生微弱地粘附的细微粒子。所述毛刺(burr)和细微粒子在使用时附着于收容在收容槽的电子元件，从而使得所述电子元件短路进而被破坏。
因此，包括单位托盘或者载带在内的电子元件容器要去除形成于截断面的毛刺(burr)和细微粒子。
根据现有技术的去除毛刺(burr)和细微粒子的装置公开在韩国公开专利第2002-0075684号(发明名称：用于电子芯片元件的载带的毛刺去除装置)。
根据现有技术的用于电子芯片元件的载带的毛刺去除装置包括：主体；引导装置，其设置于所述主体上，托住(holding)从穿孔(punching)装置被引导的用于电子元件容器的载带，同时引导至重绕(rewinding)装置；燃烧(burning)装置，其燃烧产生于载带的芯片插入孔的毛刺，载带通过所述引导装置得到引导。
所述用于电子芯片元件的载带在基底层的上部表面及下部表面至少包括第一及第二防静电层，基底层由合成树脂形成从而具有能够保持形状的强度。
在去除所述毛刺时，也一起去除微弱地粘附于截断面的细微粒子，用于去除所述毛刺和细微粒子的燃烧装置包括至少一个以上的加热器(heater)，所述加热器的发热温度为100～1000℃。
此外，在所述加热器的相对侧还包括支撑装置，支撑装置对用于电子元件容器的载带的加热(heating)面相反侧进行支撑，以便防止载带因从加热器产生的热风而被挤出。
然而，根据现有技术的装置具有如下问题：在燃烧去除形成于电子元件容器的毛刺(burr)和微弱地粘附于截断面的细微粒子时，在100℃左右的低温去除的情况下，增加去除时间，从而降低生产性，此外，在利用1000℃左右的高温去除的情况下，电子元件容器因热而发生变形。并且，去除了毛刺和细微粒子的电子元件容器具有如下问题：因为形成于基底层的上部表面及下部表面的第一及第二防静电层被电分离，所以很难去除在层叠的状态下产生的静电。
发明内容
据此，本发明的目的在于提供一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器即使在低温下也可以去除毛刺和细微粒子，防止由热导致的变形，同时可以使得去除时间缩短，从而使得生产性提高。
本发明的其他目的在于提供一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器即使在以第一及第二防静电层电连接的形式被层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，第一及第二防静电层形成于基底层的上部表面及下部表面。
根据用于实现所述目的的本发明的电子元件容器包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵(matrix)形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。
所述基底层由溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。
所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。
所述第一及第二防静电层和所述导电层由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。
所述传导性物质包括碳纳米管或传导性碳。
所述第一及第二防静电层和导电层由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Di Oxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)的传导性高分子中任意一种形成。
所述第一及第二防静电层形成为0.05～0.3mm的厚度。
根据用于实现所述目的的本发明的电子元件容器的制造方法包括如下工艺：将第一及第二防静电层形成于由板材形成的基底层的上部及下部表面；用空气将所述基底层和第一及第二防静电层加压成型，将多个收容槽形成为矩阵形状；将形成有所述多个收容槽的材料状态分别截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器；将与第一及第二防静电层电连接的导电层形成于所述单位电子元件容器的截断面。
使用溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述基底层。
使得所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。
使用包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述第一及第二防静电层和导电层。
在所述基底层上部及下部表面涂布聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Di Oxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)的传导性高分子中任意一种，从而形成所述第一及第二防静电层。
在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，利用由手动或自动方式来执行的浸渍法、辊涂(roller coating)法或喷涂(spray)法形成所述导电层。
在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，通过自动或者手动方式用布、海绵(sponge)或刷子(brush)来涂布，从而形成所述导电层。
使得所述导电层在25～90℃的温度下形成为0.05～0.3mm的厚度。
使用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Di OxyThiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)的传导性高分子中任意一种形成所述导电层。
使用甲苯(Toluene)、MEK(丁酮，Methyl Ethyl Ketone)、丙酮(acetone)、乙酸乙酯(Ethyl Acetate)、TCE(三氯乙烯，Tri chloro Ethylene)、DMSO(二甲基亚砜，Di MethylSulfoxide)、DCM(二氯甲烷，Di Chloro Methane)、HFP(六氟丙烯，Hexa Fluoro-2-Propanol)或醇(Alcohol)类中任意一种作为所述有机溶剂。
在所述导电层形成时，在截断为具有所述M×N(M及N为自然数)个的收容槽的单位电子元件容器时，将形成于截断面的毛刺和细微粒子溶解去除或以防止向外部露出的形式埋没。
据此，本发明具有如下优点：导电层对第一及第二防静电层进行电连接，所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，从而可以防止位于收容槽内的电子元件因静电而被破坏。此外，还具有如下优点：在形成导电层时，由溶剂性树脂形成的毛刺(burr)和细微粒子因有机溶剂而在低温下也被溶解去除，所以可以防止电子元件容器因热而形态发生变形，不仅如此，毛刺和细微粒子由耐溶剂性树脂形成，从而即使没有溶解于有机溶剂，在导电层形成时因埋没于内部而没有被露出，所以，减少去除时间，从而提高生产性。
附图说明
图1是根据本发明的电子元件容器的平面图。
图2是将图1沿着A-A线截断的剖面图。
图3及图4是用显微镜拍摄电子元件容器的截断面的照片。
图5a至图5d是根据本发明的电子元件容器的制造工艺图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明进行详细地说明。
图1是根据本发明的电子元件容器的平面图，图2是将图1沿着A-A线截断的剖面图。
根据本发明的电子元件容器包括基底层11、第一及第二防静电层13、15、收容槽19及导电层17。
基底层11由具有0.5～3mm厚度的合成树脂形成，以便具有使得电子元件容器能够保持形状的强度。所述基底层11由聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯，Polyethylene Terephthalate)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的不溶解于有机溶剂的耐溶剂性树脂中任意一种形成，或者，由聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene,ABS)等的溶解于有机溶剂的溶剂性树脂中任意一种形成。
第一及第二防静电层13、15分别挤压于基底层11的上部表面及下部表面，形成为0.05～0.3mm的厚度。为了使得所述第一及第二防静电层13、15和基底层11的接触力良好，所述第一及第二防静电层13、15由与基底层11相同的物质，即聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的耐溶剂性树脂中任意一种形成，或者以如下形式形成：在聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene,ABS)等的溶剂性树脂中任意一种的合成树脂包括碳纳米管或传导性碳等的传导性物质，或者金、银、铜或铝等的导电性金属，从而表面电阻成为10-6～10-9Ωm。
此外，在基底层11的上部及下部表面使用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Di Oxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly StyleneSulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)等的传导性高分子中任意一种来涂布，从而也可以形成第一及第二防静电层13、15。
若所述第一及第二防静电层13、15由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成，则因所包括的传导性物质或导电性金属而形成为不透明，此外，若用传导性高分子涂布形成，则形成为透明。据此，可以根据需要选择性地形成第一及第二防静电层13、15。换句话说，若基底层11由聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)等的透明的合成树脂形成，则为了获得透明的电子元件容器，第一及第二防静电层13、15可以由传导性高分子形成。
基底层11和第一及第二防静电层13、15以矩阵形状排列成型，从而形成收容槽19。在图1中示出了收容槽19形成2×2个，但是可以形成M×N(M及N为自然数)个。
导电层17在基底层11的侧面以与第一及第二防静电层13、15电连接的形式，在25～90℃的低温下形成为0.05～0.3mm的厚度。因此，导电层17覆盖基底层11的被露出的侧面，同时对第一及第二防静电层13、15之间进行电连接。
所述导电层17由聚氨酯(polyurethane)树脂、聚酯(polyester)树脂、丙烯酸(acrylic)系树脂、乙烯基(vinyl)系树脂及丁缩醛(Butyral)树脂等的合成树脂中任意一种形成，所述树脂含有碳纳米管或传导性碳等的传导性物质中任意一种，或者，金、银、铜或铝等的导电性金属中任意一种。换句话说，在包括所述导电性物质的所述合成树脂与甲苯(Toluene)、MEK(丁酮，Methyl Ethyl Ketone)、丙酮(acetone)、乙酸乙酯(EthylAcetate)、TCE(三氯乙烯，Tri chloro Ethylene)、DMSO(二甲基亚砜，Di MethylSulfoxide)、DCM(二氯甲烷，Di Chloro Methane)、HFP(六氟丙烯，Hexa Fluoro-2-Propanol)及醇(Alcohol)类等的有机溶剂中任意一种相混合的状态下，导电层17可以利用由自动或者手动方式来执行的浸渍法、辊涂(roller coating)法或喷涂(spray)法形成于电子元件容器的侧面。此外，在所述传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，也可以通过自动或者手动的方式用布、海绵(sponge)或刷子(brush)来涂布，从而形成导电层17。
此外，导电层17可以是由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Di Oxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)等的传导性高分子中任意一种与甲苯(Toluene)、MEK(丁酮，Methyl Ethyl Ketone)、丙酮(acetone)、乙酸乙酯(Ethyl Acetate)、TCE(三氯乙烯，Tri chloro Ethylene)、DMSO(二甲基亚砜，Di Methyl Sulfoxide)、DCM(二氯甲烷，DiChloro Methane)、HFP(六氟丙烯，Hexa Fluoro-2-Propanol)及醇(Alcohol)类等的有机溶剂中任意一种相混合而形成的。
所述导电层17对第一及第二防静电层13、15进行电连接，所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下也可以容易地去除产生的静电，从而可以防止位于收容槽19内的电子元件因静电而被破坏。此外，导电层17由包括导电性物质的有机溶剂形成，所以溶解去除或埋没覆盖也可能形成于侧面的毛刺(burr)21，从而防止露出。
换句话说，若基底层11和第一及第二防静电层13、15由聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(AcrylonitrileButadiene Styrene,ABS)等的溶剂性树脂中任意一种形成，则在导电层17形成时，毛刺(burr)21被包括导电性物质的有机溶剂溶解去除。此外，若基底层11和第一及第二防静电层13、15由聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的耐溶剂性树脂中任意一种形成，在导电层17形成时，毛刺(burr)21和细微粒子不会被包括导电性物质的有机溶剂溶解，但是因埋没于内部而没有被露出。
此外，在导电层17形成时，毛刺(burr)21和细微粒子因有机溶剂而在低温下也被溶解去除，所以防止电子元件容器因热而形态发生变形。此外，基底层11和第一及第二防静电层13、15由耐溶剂性树脂形成，从而在导电层17形成时，即使毛刺(burr)21和细微粒子没有被溶解去除，也因埋没于所述导电层17内部而没有被露出，所以减少去除时间，从而提高生产性。
图3及图4作为用显微镜拍摄电子元件容器的截断面的照片，图3是拍摄以具有M×N(M及N为自然数)个收容槽19的形式截断电子元件容器的截断面的显微镜照片，图4是在去除被截断的电子元件容器的毛刺(burr)21和细微粒子后拍摄截断面的显微镜照片。如图3所示，在截断电子元件容器时，如圆圈内一样，在截断面不仅生成有毛刺(burr)，而且截断面不光滑反而变得粗糙，从而产生细微粒子。然而，如图4所示，如本发明一样，通过对截断面进行处理来去除毛刺(burr)和细微粒子，并且使得截断面变得光滑。
以托盘的形式说明了所述根据本发明的电子元件容器，但是也可以形成为卷(Roll)状的载带。
图5a至图5d是根据本发明的电子元件容器的制造工艺图。
参照图5a，在由板材形成的基底层11的上部及下部表面形成有第一及第二防静电层13、15。使用聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的耐溶剂性树脂中任意一种形成所述基底层11，或者，能够使用聚苯乙烯(poly styrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile ButadieneStyrene,ABS)等的溶剂性树脂中任意一种以具有0.5～3mm的厚度的形式形成所述基底层11。
并且，可以将与基底层11相同的物质，即聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的耐溶剂性树脂中任意一种，或者聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(AcrylonitrileButadiene Styrene,ABS)等的溶剂性树脂中任意一种在基底层11的上部及下部表面挤压为板状态，从而形成第一及第二防静电层13、15。
此时，使得用于形成第一及第二防静电层13、15的合成树脂包括碳纳米管或传导性碳等的传导性物质，或者金、银、铜或铝等的导电性金属，从而挤压形成为0.05～0.3mm的厚度。由此，第一及第二防静电层13、15表面电阻成为10-6～10-9Ωm。
此外，也可以涂布聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene DiOxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)等的传导性高分子中任意一种，从而形成第一及第二防静电层13、15。
参照图5b，在上下模具之间用空气将基底层11和第一及第二防静电层13、15加压成型，并将收容槽19形成为矩阵形状。
形成所述M×N(M及N为自然数)个收容槽19是指形成托盘，收容槽19在一个行上有1～5个并连续形成为多个列，从而也可以形成为能够以卷(Roll)状缠绕的载带。
参照图5c，将形成有多个收容槽19的材料状态截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽19的单位电子元件容器。在所述单位电子元件容器的截断面不仅生成多个毛刺(burr)21，而且截断面不光滑反而变得粗糙，从而产生微弱粘附的细微粒子。基底层11或第一及第二防静电层13、15未被彻底去除而有残留，从而可形成所述毛刺(burr)21。
参照图5d，在单位电子元件容器的截断面的表面以与第一及第二防静电层13、15电连接的形式，在25～90℃的低温下将导电层17形成为0.05～0.3mm的厚度。将聚氨酯(polyurethane)树脂、聚酯(polyester)树脂、丙烯酸(acrylic)系树脂、乙烯基(vinyl)系树脂及丁缩醛(Butyral)树脂等的合成树脂中任意一种与有机溶剂相混合，并且利用由自动或者手动方式来执行的浸渍法、辊涂法或喷涂法来将所述导电层17形成于电子元件容器的侧面，所述树脂含有碳纳米管或传导性碳等的传导性物质中任意一种，或者，金、银、铜或铝等的导电性金属中任意一种。此外，在将所述传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，也可以通过自动或者手动的方式用布、海绵(sponge)或刷子(brush)来涂布，从而形成导电层17。
可以将甲苯(Toluene)、MEK(丁酮，Methyl Ethyl Ketone)、丙酮(acetone)、乙酸乙酯(Ethyl Acetate)、TCE(三氯乙烯，Tri chloro Ethylene)、DMSO(二甲基亚砜，DiMethyl Sulfoxide)、DCM(二氯甲烷，Di Chloro Methane)、HFP(六氟丙烯，Hexa Fluoro-2-Propanol)或醇(Alcohol)类等中任意一种用作所述有机溶剂。
此外，也可以将聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene DiOxy Thiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，Poly Stylene Sulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(Poly Aniline)等的传导性高分子中任意一种与所述有机溶剂相混合，从而形成导电层17。
使得所述导电层17以与第一及第二防静电层13、15进行电连接的形式形成于基底层11的侧面。因此，导电层17覆盖基底层11的被露出的侧面，同时对第一及第二防静电层13、15之间进行电连接。
此外，在将包括所述导电性物质的合成树脂混合于有机溶剂的状态下，形成导电层17，所以使得形成于基底层11的侧面的毛刺(burr)21和细微粒子被溶解去除或埋没，从而防止向外部露出。
换句话说，若使用聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene,ABS)等的溶剂性树脂中任意一种形成基底层11和第一及第二防静电层13、15，则在导电层17形成时，毛刺(burr)21和细微粒子被有机溶剂溶解去除。此外，若使用聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)及聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)等的耐溶剂性树脂中任意一种形成基底层11和第一及第二防静电层13、15，则在导电层17形成时，毛刺(burr)21和细微粒子没有被有机溶剂溶解，但却被埋没于内部，从而防止向外部露出。
所述导电层17对第一及第二防静电层13、15进行电连接，所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，从而可以防止位于收容槽19内的电子元件因静电而被破坏。
并且，在导电层17形成时，毛刺(burr)21和细微粒子因有机溶剂而在低温下也被溶解去除，所以防止电子元件容器因热而形态发生变形。此外，基底层11和第一及第二防静电层13、15由耐溶剂性树脂形成，从而在导电层17形成时，即使毛刺(burr)21和细微粒子没有被溶解，但因埋没于所述导电层17内部而没有被露出，所以减少去除时间，从而提高生产性。
以上说明的本发明并非由所述实施例及附图被限定，在不脱离本发明的技术思想的范围内，能够进行多种置换、变形及变更，这对本发明所属技术领域具有一般知识的技术人员来说是显而易见的。
标号说明
11:基底层 13:第一防静电层
15:第二防静电层 17:导电层
19:收容槽 21:毛刺(burr)

Claims (18)

1.一种电子元件容器，其包括：
基底层；
第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；
收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；
导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。
2.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，
所述基底层由溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。
3.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，
所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。
4.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，
所述第一及第二防静电层和所述导电层由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。
5.根据权利要求4所述的电子元件容器，其特征在于，
所述传导性物质包括碳纳米管或传导性碳。
6.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，
所述第一及第二防静电层和导电层由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种形成。
7.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，
所述第一及第二防静电层形成为0.05～0.3mm的厚度。
8.一种电子元件容器的制造方法，其包括如下工艺：
将第一及第二防静电层形成于由板材形成的基底层的上部及下部表面；
用空气将所述基底层和第一及第二防静电层加压成型，将多个收容槽形成为矩阵形状；
将形成有所述多个收容槽的材料状态分别截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器；
将与第一及第二防静电层电连接的导电层形成于所述单位电子元件容器的截断面。
9.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使用溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述基底层。
10.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使得所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。
11.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使用包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述第一及第二防静电层和导电层。
12.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
在所述基底层上部及下部表面涂布聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种，从而形成所述第一及第二防静电层。
13.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，利用由自动或手动方式来执行的浸渍法、辊涂法或喷涂法形成所述导电层。
14.根据权利要求9所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，通过自动或者手动方式用布、海绵或刷子来涂布，从而形成所述导电层。
15.根据权利要求13或14所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使得所述导电层在25～90℃的温度下形成为0.05～0.3mm的厚度。
16.根据权利要求13或14所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种形成所述导电层。
17.根据权利要求13或14所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
使用甲苯、MEK(丁酮)、丙酮、乙酸乙酯、TCE、DMSO、DCM、HFP或醇类中任意一种作为所述有机溶剂。
18.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，
在所述导电层形成时，在截断为具有所述M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器时，将形成于截断面的毛刺和细微粒子溶解去除或以防止向外部露出的形式埋没。
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