JP2001230280A - フィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents

フィルムキャリア及びその製造方法

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JP2001230280A JP2000038295A JP2000038295A JP2001230280A JP 2001230280 A JP2001230280 A JP 2001230280A JP 2000038295 A JP2000038295 A JP 2000038295A JP 2000038295 A JP2000038295 A JP 2000038295A JP 2001230280 A JP2001230280 A JP 2001230280A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 両面配線層とその導通孔との間の導通に関す
る信頼性を向上させる。 【解決手段】 両端の長手方向に沿ってスプロケットホ
ール13が形成され、且つ巻取り自在な絶縁性のフィル
ム11と、フィルムの片面に形成された接着剤層12
と、フィルムの両面に選択的に形成され、互いに導通孔
を介して電気的に接続された12μm厚と18±3μm
厚の配線パターン15と、接着剤層とは反対側の面に形
成され、導通孔又は配線パターンに電気的に接続された
パッド電極16とを備えたフィルムキャリア及びその製
造方法を開示する。ここで、フィルム11のめっき処理
側の面上には薄膜導体層のみを形成し、この薄膜導体層
の上からめっき処理を行うので、めっき処理の際に、導
通孔の開口部と導通孔の内部との各導体層の厚さが略均
一となり、めっき電流が集中せず、めっきの成長速度が
均一化され、開口部の変形やボイド等が無くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子(チッ
プ)を搭載可能な両面配線層を有するフィルムキャリア
に関し、特に、両面配線層とその導通用孔との間の導通
状態に関する信頼性を向上し得るフィルムキャリア及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、プリント配線板は、テレビ、携
帯電話、ゲーム機、ラジオ、音響機器、VTR等の民生
用電子機器や、電子計算機、OA機器、電子応用機器、
電気計測器、通信機等の産業用電子機器に広く使用され
ている。
【0003】また、これら電子機器は、より一層の高性
能化と、より一層のコンパクト化とを達成するように要
求が高まっている。これら要求を満たすため、プリント
配線板は、電子機器の小型化、高密度化及び高性能化に
対応させて設計され、これに伴い、配線の細線化、ビア
ホールの小径化、ランド、パッドの小径化、基材のフレ
キシブル化、多層化及びファイン化が急速に進んでい
る。
【0004】また、プリント配線板の基材としては、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂が従来から
使用されていたが、最近では、機械的強度及び耐熱性に
優れたポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等が
使用されており、更に高性能化の観点からフッ素系樹脂
及びポリフェニルエーテル樹脂の開発が進んでいる。な
お、プリント配線板のうち、フィルムを基材に用いたも
のをフィルムキャリアという。
【0005】ここで、一般的なフィルムキャリアの製造
方法について述べる。すなわち、フィルムキャリアの製
造方法としては、両面に金属箔を有するフィルムが用い
られ、このフィルムに対してレーザドリルやポリイミド
エッチング等により導通孔が形成される。続いて、導通
孔内に両面の導体層を電気的に接続するように金属めっ
きが施され、その後、金属箔に配線パターン及び電極パ
ッド等がパターニングされる。このパターニングの完了
により、半導体チップを搭載可能なフィルムキャリアが
完成する。
【0006】なお、フィルムキャリアの完成後、半導体
チップが搭載されて樹脂封止されることにより、外部要
素のマザーボード等に実装可能な半導体装置が製造され
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようなフィルムキャリアの製造方法では、金属めっきを
施して導通孔内に金属導体を形成する際に、導通孔の開
口部に金属箔が隣接しているため、導通孔の開口部に電
流が集中し、導通孔の内部よりも開口部で高速に金属め
っきが成長する。
【0008】このようなめっきの成長速度の違いは、導
通孔部に変形やボイドを生じさせ、フィルムキャリアの
電気的特性に悪影響を与えてしまう。例えば、変形に伴
う静電容量の発生やボイド等による抵抗値の増大によ
り、Hレベルのデジタル信号がLレベルに検出されると
いうように、導通状態に関する信頼性を低下させてしま
う可能性がある。
【0009】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、両面配線層とその導通孔との間の導通に関する信頼
性を向上し得るフィルムキャリア及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に対応する発明
は、少なくとも以下の工程[a]〜[h]を含んでいる
フィルムキャリアの製造方法である。
【0011】[a]長尺状の絶縁フィルムの一方の面に
第一導体層を形成すると共に、前記絶縁フィルムの両端
に長手方向に沿って複数のスプロケットホールを形成す
る工程。
【0012】[b]前記第一導体層とは反対側の絶縁フ
ィルムにレーザ光を照射し、当該絶縁フィルムから第一
導体層に達する導通用孔を形成する工程。
【0013】[c]前記各スプロケットホール及びその
周辺部を覆うようにスプロケットホール保護層を形成す
る工程。
【0014】[d]前記スプロケットホール保護層及び
前記導通用孔の形成後、前記絶縁フィルム側にスパッタ
リング処理を施し、前記絶縁フィルム上に薄膜導体層を
形成する工程。
【0015】[e]前記第一導体層を覆うように導体保
護層を形成する工程。
【0016】[f]前記導体保護層の形成後、前記薄膜
導体層上及び前記導通用孔にめっき処理を施して第二導
体層を形成する工程。
【0017】[g]前記第二導体層の形成後、前記スプ
ロケットホール保護層及び前記第一導体層上の導体保護
層を剥離する工程。
【0018】[h]前記スプロケットホール保護層及び
前記導体保護層の剥離後、前記第一導体層及び第二導体
層をパターニング処理して配線パターンを形成する工
程。
【0019】また、請求項2に対応する発明は、請求項
1に対応するフィルムキャリアの製造方法により製造さ
れたフィルムキャリアであって、前記第二導体層の厚さ
が18±3μmであるフィルムキャリアである。
【0020】(作用)従って、請求項1,2に対応する
発明は以上のような手段を講じたことにより、フィルム
のめっき処理側の面上には薄膜導体層のみを形成し、こ
の薄膜導体層の上からめっき処理を行うようにしたの
で、めっき処理の際に、導通孔の開口部と導通孔の内部
との各導体層の厚さが略均一であることにより、めっき
電流の集中が無くなり、めっきの成長速度が均一化され
る。
【0021】このため、従来技術におけるめっきの成長
速度の不均一に起因した開口部の変形やボイド等が無く
なり、両面配線層とその導通孔との間の導通に関する信
頼性を向上させることができる。
【0022】また、請求項2は、特に、第二導体層の厚
さを18±3μmと規定したので、上述した作用を容易
且つ確実に奏することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。
【0024】図1は本発明の一実施形態に係るフィルム
キャリアの構成を示す模式図であり、図2は図1の2−
2線矢視断面図である。このフィルムキャリア10は、
巻取り自在な絶縁性のフィルム11の片面に接着剤層1
2を有し、フィルム11両端の長手方向に沿ってスプロ
ケットホール13が形成され、両端のスプロケットホー
ル13間には、フィルム11の両面に互いに導通孔14
を介して電気的に接続された配線パターン15を有し、
且つ接着剤層12側の面には、導通孔14又は配線パタ
ーン15に接続されたパッド電極16及び配線パターン
を備えた構成となっている。
【0025】ここで、両面の配線パターン15のうち、
パッド電極16とは反対側の面の配線パターン15の厚
さは、導通孔14の開口部の変形やボイドの発生を容易
且つ確実に回避する観点から、18±3μmとすること
が好ましい。また、半田ボールをのせ、リフローさせる
際の強度を得る観点からも、18±3μmとすることが
好ましい。次に、以上のようなフィルムキャリアの製造
方法について図3及び図4を用いて説明する。図3
(a)に示すように、ポリイミドフィルムからなる絶縁
性のフィルム11の片面に接着テープからなる接着剤層
12が貼着され、接着剤層12付のフィルム11を所定
幅に断裁した接着剤層付フィルム20が作製される。
【0026】次に、図3(b)に示すように、接着剤層
付フィルム20の両端の長手方向に沿ってスプロケット
ホール13が打ち抜き加工により形成される。また、図
3(c)に示すように、スプロケットホール13及びそ
の周辺部(以下、スプロケットホール領域13aとい
う)を除く接着剤層付フィルム20の接着剤層12面に
銅箔からなる第一導体層17が貼着される。この際、銅
箔として12±3μmの厚さのものを用いることで、配
線のファイン化に対応できる。
【0027】次に、図3(d)に示すように、フィルム
11側よりレーザ光Lが照射され、フィルム11と接着
剤層12に導通孔14が形成される。続いて、過マンガ
ン酸カリウム溶液により、導通孔14及びフィルム11
面上のスミアが除去され、導通孔14内の第一導体層1
7面を含めて清浄化される。
【0028】なお、レーザ光線の種類としては、炭酸ガ
スレーザ、エキシマレーザ、UV−YAGレーザ等が使
用可能となっている。また、導通孔の位置決めには、レ
ーザ光の位置を制御する方式又はマスク(ガラス版)を
使用する方式などが使用可能となっている。
【0029】次に、図3(e)に示すように、両面のス
プロケットホール領域13aにマスキングテープがラミ
ネートされてスプロケットホール保護層18が形成され
る。スプロケットホール保護層18の形成方法として
は、保護テープの貼着に限らず、例えば耐薬品性のレジ
ストをスクリーン印刷してもよい。なお、スプロケット
ホール保護層18は、図3(d)に述べた導通孔14の
形成よりも前に形成してもよい。
【0030】次に、めっき前処理として、図4(a)に
示すように、フィルム11側の面よりスパッタ蒸着が施
され、導通孔14及びフィルム11上に薄膜導体層15
aが形成される。このめっき前処理は、選択性がなく、
スプロケットホール保護層18上及びフィルム11上の
全面に施される。
【0031】次に、スプロケットホール保護層18が剥
離処理され、しかる後、図4(b)に示すように、第一
導体層17側の全面、並びに薄膜導体層15a側のスプ
ロケットホール領域13aを覆うように、前述した保護
層18と同様の手法により、保護層21が形成される。
【0032】続いて、図4(c)に示すように、薄膜導
体層15a及びビア底の第一導体層17をカソード電極
とし、電解銅めっきを施して導通孔14及び薄膜導体層
15a上に銅めっき層である第二導体層15bが形成さ
れる。この第二導体層15bは導通孔14にて第一導体
層17に電気的に接続される。導通孔14内と薄膜導体
層15a上に同時に銅めっき層が形成されるため、均一
な銅めっき層が形成される。
【0033】さらに、薄膜導体層15a表面にレジスト
液が塗布され、露光、現像されることにより、図4
(d)に示すように、薄膜導体層15a上に選択的にレ
ジスト22が形成される。レジスト22の選択形成とし
ては、レジスト液の塗布に限らず、例えばドライフィル
ムが貼着され、露光、現像により配線パターン以外の部
分のドライフィルムを除去してもよい。
【0034】次に、図4(e)に示すように、レジスト
22が形成されず、露出した薄膜導体層15aは、エッ
チングにより除去される。エッチング完了後、レジスト
22が除去され、図4(f)に示すように、第二導体層
15b側の配線パターン15が形成される。
【0035】以下、この配線パターン15上にレジスト
のラミネートにより保護層が形成され、また、第一導体
層17上及びスプロケット領域13a上の保護層21が
剥離されて、第一導体層17がパターニングされること
により、図1及び図2に示したように、パッド電極16
及び両面の配線パターン15(片面は図示せず)が形成
され、フィルムキャリアの製造が完了する。
【0036】なお、このフィルムキャリアは、後段の製
造工程において、パッド電極16とは反対側の面におい
て配線パターンと電気的に接続されるように半導体チッ
プが搭載されて樹脂封止され、しかる後、打抜き加工さ
れることにより、外部要素のマザーボード等に実装可能
な半導体装置となる。
【0037】上述したように本実施形態によれば、フィ
ルム11のめっき処理側の面上には薄膜導体層15aの
みを形成し、この薄膜導体層15aの上からめっき処理
を行うようにしたので、めっき処理の際に、導通孔14
の開口部と導通孔14の内部との各導体層の厚さが略均
一であることにより、めっき電流の集中が無くなり、め
っきの成長速度が均一化される。
【0038】このため、従来技術におけるめっきの成長
速度の不均一に起因した開口部の変形やボイド等が無く
なり、両面配線層とその導通孔との間の導通に関する信
頼性を向上させることができる。
【0039】また、導通孔14に変形が無く、パッド電
極とパターンの接続が優れ、且つ、電気特性の優れたフ
ィルムキャリアを得ることができる。
【0040】なお、上記実施形態では、図3(a)〜
(c)により、フィルム11に接着剤層12を貼着し、
スプロケットホールを形成し、その後、第一導体層17
を貼着するという順番で製造工程を説明したが、これに
限らず、以下の(a−1)(a−2)に述べる製造工程
としても、本発明を同様に実施して同様の効果を得るこ
とができる。
【0041】(a−1)すなわち、スプロケットホール
13をフィルム11に形成し、次に、フィルム11の一
方の面に接着剤層12を形成し、しかる後、この接着剤
層12に銅箔等の金属箔を貼着して第一導体層17を形
成する順序の製造工程としてもよい。
【0042】なお、金属箔を全面に貼着してからスプロ
ケットホール領域13aの金属箔を除去する工程と、あ
るいは、スプロケットホール領域13aを除いた内部領
域の幅の金属箔を接着剤層12に貼着する工程と、のい
ずれの工程としてもよい。
【0043】(a−2)また、銅箔等の金属箔にポリイ
ミド樹脂の絶縁樹脂を塗布し、硬化させて(フィルム1
1に相当する)絶縁樹脂層を形成し、この絶縁樹脂層の
両端側に沿ってスプロケットホール13を形成し、その
後、スプロケットホール領域13aの金属箔を除去する
工程としてもよい。なお、スプロケットホール13の形
成前に、スプロケットホール領域13aの金属箔を除去
してもよい。
【0044】また、図3(e)により、両面のスプロケ
ットホール領域13aにスプロケットホール保護層18
を形成する場合について説明したが、これに限らず、フ
ィルム11側の面のみにスプロケットホール保護層18
を形成する工程としても、本発明を同様に実施して同様
の効果を得ることができる。また、スプロケットホール
保護層18を形成する工程は、レーザ光の照射工程の前
に行なってもよい。
【0045】図4(b)により、スパッタ蒸着の後に第
一導体層17側の全面に保護層21を形成する工程を説
明したが、これに限らず、第一導体層17側の全面に保
護層21を形成する工程は、レーザ光の照射工程の前、
スプロケットホール領域にスプロケットホール保護層1
8を形成する工程の前、あるいは、スパッタ蒸着工程の
前、のいずれのタイミングで行ってもよい。
【0046】但し、前述したように、スパッタ蒸着工程
の次に行い、薄膜導体層15aを形成した面のスプロケ
ットホール保護層18を剥離して、改めてスプロケット
ホール領域13aに保護層21を形成することが望まし
い。理由は、スパッタ蒸着後にスプロケットホール保護
層18を剥離しない場合、薄膜導体層15aを形成した
面ではスプロケットホール保護層18上にも薄膜導体層
15aが形成されており、後のめっき工程でさらに厚く
第二導体層15bが形成されるためである。すなわち、
スプロケットホール保護層18上に第二導体層15bが
あると、スプロケットホール保護層18を剥離した場合
には境界部分にばりが生じ、ばりが製造工程中に脱落し
て配線パターンに付着してショートの原因になる等の悪
影響がでるためである。
【0047】また、薄膜導体層15aの形成後、第一導
体層17側の面にスプロケットホール保護層18が形成
されていた場合、一度剥離して全面に保護層21を形成
することが望ましい。段差や境目が生じることがなくな
り、めっき液の侵入を阻止できるためである。
【0048】第二導体層15bは、所望の膜厚を安価で
短時間で形成する観点から、前述したように、電解めっ
きを用いて形成することが望ましい。
【0049】また、第二導体層15b側の配線パターン
15の形成並びにその上の保護層の形成工程は、第一導
体層17のパターニングの後に行ってもよい。
【0050】その他、本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施できる。
【0051】
【実施例】次に、本発明の一実施例と、従来の手法によ
り作成された比較例とを比較して説明する。本発明の一
実施例は、前述した製造方法により製造されたフィルム
キャリアである。但し、製造寸法等は以下の通りとし
た。 フィルム11…50μm厚。 接着剤層12…12μm厚。 接着剤層付きフィルム22…48mm幅。 第一導体層17…12μm厚。 導通孔14…150μm径(ガラス版を介してエキシマ
レーザ光を照射)。 レジスト22…15μm厚。 第二導体層15b…18±3μm厚。
【0052】(比較例)次に、従来の製造方法によるフ
ィルムキャリアを比較例として述べる。図5(a)に示
すように、50μm厚のポリイミドフィルムからなる絶
縁性のフィルム11の両面に12μm厚の接着剤層12
が形成され、しかる後、全体が48mm幅に断裁加工さ
れて接着剤層付フィルム30が作製される。
【0053】次に、前述同様にスプロケットホール13
が打抜き形成され、図5(b)に示すように、スプロケ
ットホール領域13aを除く接着剤層付フィルム30の
両接着剤層12面に12μm厚の銅箔からなる導体層3
1が形成される。
【0054】次に、片面の導体層31上に感光層が形成
され、パターニング処理されて、図5(c)に示すよう
に、導体層31の所定位置に150μm径の開口部31
aが形成される。
【0055】次に、図5(d)に示すように、開口部3
1aが形成された導体層31をマスクにしてエキシマレ
ーザのレーザ光Lが照射され、接着剤層12及びフィル
ム11に開口部31aと同径の導通孔14が形成され
る。また前述同様に、導通孔14のスミアが除去され
る。
【0056】次に、図5(e)に示すように、スプロケ
ットホール領域13aにマスキングテープがラミネート
されてスプロケット保護層18が形成される。
【0057】次に、図5(f)に示すように、スパッタ
蒸着により導通孔14内を含む全面に薄膜導体層15a
が形成される。
【0058】次に、図6(a)に示すように、スプロケ
ット保護層18が除去された後、薄膜導体層15a及び
導体層31をカソード電極とし、電解銅めっきを施して
導体層31上及び導通孔14内に銅からなる金属導体3
2が形成される。
【0059】但し、電気銅めっきの際に、導通孔14の
開口部の導体層31により、開口部に電流が集中するた
め、開口部のめっき成長速度が導通孔14内のめっき成
長速度より速くなる。このため、開口部の金属導体32
は、導通孔14内の金属導体32よりも厚く、且つボイ
ド(気孔)33を含むものとなっている。
【0060】次に、図6(b)に示すように、フィルム
11の両面の導体層31,32をパターニング処理し、
パッド電極16及び配線パターン15を形成して、従来
のフィルムキャリアの作製を完了した。
【0061】従来方法を用いた比較例では、めっき成長
速度に違いが生じたことにより、導通孔14が変形し、
且つボイド33が生じ、導通に関する信頼性を低下させ
る可能性が生じていた。
【0062】一方、本発明方法の一実施例では、めっき
成長速度を略均一にでき、導通孔14に変形やボイドが
無く、両面配線層とその導通孔との間の導通に関する信
頼性を向上させることができた。
【0063】詳しくは、本発明の一実施例では、導通孔
14の開口部に銅めっき時に導体がないため、導通孔1
4の形状がレーザの加工形状に追随し、また、導通孔と
パッド電極のめっき層が同一であることで、導通孔形
状、接続と電気特性の優れたパッド電極16と配線パタ
ーン15を得ることができた。
【0064】また、特に、第二導体層の厚さを18±3
μmと規定したとき、上述した作用効果を容易且つ確実
に奏することができた。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、両
面配線層とその導通孔との間の導通に関する信頼性を向
上し得るフィルムキャリア及びその製造方法を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るフィルムキャリアの
構成を示す模式図
【図2】同実施形態における2−2線矢視断面図
【図3】同実施形態におけるフィルムキャリアの製造方
法を説明するための工程断面図
【図4】同実施形態におけるフィルムキャリアの製造方
法を説明するための工程断面図
【図5】従来の製造方法を用いた比較例の工程断面図
【図6】従来の製造方法を用いた比較例の工程断面図
【符号の説明】
10…フィルムキャリア 11…フィルム 12…接着剤層 13…スプロケットホール 13a…スプロケットホール領域 14…導通孔 15…配線パターン 15a…薄膜導体層 15b…第二導体層 16…パッド電極 17…第一導体層 18…スプロケットホール保護層 20…接着剤層付フィルム 21…保護層 22…レジスト L…レーザ光

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも以下の工程[a]〜[h]を
    含んでいることを特徴とするフィルムキャリアの製造方
    法。 [a]長尺状の絶縁フィルムの一方の面に第一導体層を
    形成すると共に、前記絶縁フィルムの両端に長手方向に
    沿って複数のスプロケットホールを形成する工程。 [b]前記第一導体層とは反対側の絶縁フィルムにレー
    ザ光を照射し、当該絶縁フィルムから第一導体層に達す
    る導通用孔を形成する工程。 [c]前記各スプロケットホール及びその周辺部を覆う
    ようにスプロケットホール保護層を形成する工程。 [d]前記スプロケットホール保護層及び前記導通用孔
    の形成後、前記絶縁フィルム側にスパッタリング処理を
    施し、前記絶縁フィルム上に薄膜導体層を形成する工
    程。 [e]前記第一導体層を覆うように導体保護層を形成す
    る工程。 [f]前記導体保護層の形成後、前記薄膜導体層上及び
    前記導通用孔にめっき処理を施して第二導体層を形成す
    る工程。 [g]前記第二導体層の形成後、前記スプロケットホー
    ル保護層及び前記第一導体層上の導体保護層を剥離する
    工程。 [h]前記スプロケットホール保護層及び前記導体保護
    層の剥離後、前記第一導体層及び第二導体層をパターニ
    ング処理して配線パターンを形成する工程。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のフィルムキャリアの製
    造方法により製造されたフィルムキャリアであって、 前記第二導体層の厚さが18±3μmであることを特徴
    とするフィルムキャリア。
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