JP2001015560A - フィルムキャリアの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアの製造方法Info
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- JP2001015560A JP2001015560A JP11185872A JP18587299A JP2001015560A JP 2001015560 A JP2001015560 A JP 2001015560A JP 11185872 A JP11185872 A JP 11185872A JP 18587299 A JP18587299 A JP 18587299A JP 2001015560 A JP2001015560 A JP 2001015560A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】両面に金属層を有する絶縁性フィルムを用い、
一方の面のビアホール部の金属層を除去し、同じ面から
レーザー加工によって絶縁性フィルムに孔加工を行い、
孔内にめっきすることによってビアホールを形成するフ
ィルムキャリアの製造方法において、基材フィルムに炭
酸ガス（ＣＯ2）レーザーを照射して開孔加工した際の
孔最底部に残存する薄膜を完全に除去し、加工時間の短
い孔内導通を確実に可能とする両面金属箔フィルムキャ
リアの製造方法を提供することである。 【解決手段】前記レーザー加工を、炭酸ガスレーザーを
用いた後に、エキシマレーザーを用いて行うことを特徴
とする。
一方の面のビアホール部の金属層を除去し、同じ面から
レーザー加工によって絶縁性フィルムに孔加工を行い、
孔内にめっきすることによってビアホールを形成するフ
ィルムキャリアの製造方法において、基材フィルムに炭
酸ガス（ＣＯ2）レーザーを照射して開孔加工した際の
孔最底部に残存する薄膜を完全に除去し、加工時間の短
い孔内導通を確実に可能とする両面金属箔フィルムキャ
リアの製造方法を提供することである。 【解決手段】前記レーザー加工を、炭酸ガスレーザーを
用いた後に、エキシマレーザーを用いて行うことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を搭載で
きる両面金属配線を有するフィルムキャリアの製造方法
に関し、とくにそのビアを形成する開孔方法に関する。
きる両面金属配線を有するフィルムキャリアの製造方法
に関し、とくにそのビアを形成する開孔方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、テレビ、携帯電話、
ゲーム機、ラジオ、音響機器、ＶＴＲ等の民生用電子機
器や、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機器、電気計測
器、通信機等の産業用電子機器に広く使用されている。
近年、これら機器はよりコンパクトな形態へと要望が高
まっている。この要求を充たすため、電子機器の小型
化、高密度化、高性能化に対応するように設計され、こ
れに基づいて、配線の細線化、ビアホールの小径化、ラ
ンド、パッド等の小径化、基材のフレキシブル化、多層
化、及びファイン化が急速に進んでいる。
ゲーム機、ラジオ、音響機器、ＶＴＲ等の民生用電子機
器や、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機器、電気計測
器、通信機等の産業用電子機器に広く使用されている。
近年、これら機器はよりコンパクトな形態へと要望が高
まっている。この要求を充たすため、電子機器の小型
化、高密度化、高性能化に対応するように設計され、こ
れに基づいて、配線の細線化、ビアホールの小径化、ラ
ンド、パッド等の小径化、基材のフレキシブル化、多層
化、及びファイン化が急速に進んでいる。
【０００３】また、使用される基材は、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、アクリル樹脂が従来から使用されてい
たが、最近では、柔軟性が良いポリイミドフィルムやポ
リエステルフィルム等が使用され、高性能化を狙ってフ
ッ素系樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、
及びポリエーテルイミド等を用いた開発も進んでいる。
フェノール樹脂、アクリル樹脂が従来から使用されてい
たが、最近では、柔軟性が良いポリイミドフィルムやポ
リエステルフィルム等が使用され、高性能化を狙ってフ
ッ素系樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、
及びポリエーテルイミド等を用いた開発も進んでいる。
【０００４】上述したプリント配線板は、一般的には、
絶縁性ベースフィルム上に配線パターン化された金属箔
が存在し、必要に応じてラミネート或いは印刷によって
絶縁層が設けられる構造となっている。最近の軽薄短小
化、及び、ファイン化のため、多層化で対応するように
なった。この技術に伴い、めっきや半田を必要とする箇
所や部品を装着する箇所にスルーホール、スリット或い
は部品孔が設けられる。
絶縁性ベースフィルム上に配線パターン化された金属箔
が存在し、必要に応じてラミネート或いは印刷によって
絶縁層が設けられる構造となっている。最近の軽薄短小
化、及び、ファイン化のため、多層化で対応するように
なった。この技術に伴い、めっきや半田を必要とする箇
所や部品を装着する箇所にスルーホール、スリット或い
は部品孔が設けられる。
【０００５】スルーホール、スリットや部品孔等は、絶
縁性基材に化学的手法か機械的手法にて開孔する。絶縁
フィルムの開孔はドリルを用いるか、或いは、パンチン
グを用いられる。
縁性基材に化学的手法か機械的手法にて開孔する。絶縁
フィルムの開孔はドリルを用いるか、或いは、パンチン
グを用いられる。
【０００６】しかしながら、最近の電子機器の小型化、
高密度実装化、高性能化の要請に対し、導体パターンの
細線化、スルーホール、スリット、部品孔等の孔の小径
化、ランド、パッド等の小径化及び配線板のフレキシブ
ル化及び多層化に加え、同様な目的でスルーホールを設
ける代わりにブラインドビアホールを設けるケースもあ
る。
高密度実装化、高性能化の要請に対し、導体パターンの
細線化、スルーホール、スリット、部品孔等の孔の小径
化、ランド、パッド等の小径化及び配線板のフレキシブ
ル化及び多層化に加え、同様な目的でスルーホールを設
ける代わりにブラインドビアホールを設けるケースもあ
る。
【０００７】小径ブラインドビアホール形成は、従来の
加工法のドリルやパンチング加工方法では不可能であ
る。炭酸ガス（ＣＯ2）レーザでの加工もスルーホー
ル、スリット、部品孔等の孔加工には適するが、小径ブ
ラインドビアホールの加工には適さない。特に両面金属
箔フィルムに小径ブラインドビアホール形成の場合は、
孔加工にＣＯ2レーザーのみを使用すると薄膜が孔最下
底部に残存する欠点があり、また、エキシマレーザーの
みを使用した場合は残膜なく孔加工できるが、加工時間
が非常に長く、量産性が向上しない欠点があった。
加工法のドリルやパンチング加工方法では不可能であ
る。炭酸ガス（ＣＯ2）レーザでの加工もスルーホー
ル、スリット、部品孔等の孔加工には適するが、小径ブ
ラインドビアホールの加工には適さない。特に両面金属
箔フィルムに小径ブラインドビアホール形成の場合は、
孔加工にＣＯ2レーザーのみを使用すると薄膜が孔最下
底部に残存する欠点があり、また、エキシマレーザーの
みを使用した場合は残膜なく孔加工できるが、加工時間
が非常に長く、量産性が向上しない欠点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、両面金属箔フィルムの所望する位置に、ブ
ラインドビアホール形成する加工において、基材フィル
ムに炭酸ガス（ＣＯ2）レーザーを照射して開孔加工し
た際の孔最底部に残存する薄膜を完全に除去し、加工時
間の短い孔内導通を確実に可能とする両面金属箔フィル
ムキャリアの製造方法を提供することである。
する課題は、両面金属箔フィルムの所望する位置に、ブ
ラインドビアホール形成する加工において、基材フィル
ムに炭酸ガス（ＣＯ2）レーザーを照射して開孔加工し
た際の孔最底部に残存する薄膜を完全に除去し、加工時
間の短い孔内導通を確実に可能とする両面金属箔フィル
ムキャリアの製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するものであり請求項１の発明は、両面に金属層を有
する絶縁性フィルムを用い、一方の面のビアホール部の
金属層を除去し、同じ面からレーザー加工によって絶縁
性フィルムに孔加工を行い、孔内にめっきすることによ
ってビアホールを形成するフィルムキャリアの製造方法
において、前記レーザー加工を、炭酸ガスレーザーを用
いた後に、エキシマレーザーを用いて行うことを特徴と
するフィルムキャリアの製造方法としたものである。
決するものであり請求項１の発明は、両面に金属層を有
する絶縁性フィルムを用い、一方の面のビアホール部の
金属層を除去し、同じ面からレーザー加工によって絶縁
性フィルムに孔加工を行い、孔内にめっきすることによ
ってビアホールを形成するフィルムキャリアの製造方法
において、前記レーザー加工を、炭酸ガスレーザーを用
いた後に、エキシマレーザーを用いて行うことを特徴と
するフィルムキャリアの製造方法としたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明による穿孔処理を施
したフィルムキャリアの製造方法の実施の形態につい
て、図面を参照して、詳しく説明する。
したフィルムキャリアの製造方法の実施の形態につい
て、図面を参照して、詳しく説明する。
【００１１】図１は本発明にかかるフィルムキャリアの
実施例を断面で表した説明図で、（ａ）は基材フィルム
の両面に金属層を設けた断面説明図、（ｂ）は基材フィ
ルムの両面に接着剤層を介し金属層を設けた断面説明
図、（ｃ）は本発明により製造したフィルムキャリアの
実施例を断面で表した説明図である。図１（ｃ）にはビ
アホールを介して導通が設けられる両面金属箔フィルム
キャリアの断面図を示している。この両面金属箔フィル
ムキャリアは、基材となるフィルム１(例えば、ポリイ
ミドフィルム代表される耐熱性フィルム)の両面に金属
箔２（例えば、銅、アルミニウムなど）を図１（ａ）の
ように蒸着方法や印刷方法などで設けたもの、あるいは
図（ｂ）のように接着剤３で貼合わせたものに、両面の
金属箔について片面に信号用配線リードパターン２１
を、残りの片面には電源・グランド用配線パターン２２
を形成したものである。
実施例を断面で表した説明図で、（ａ）は基材フィルム
の両面に金属層を設けた断面説明図、（ｂ）は基材フィ
ルムの両面に接着剤層を介し金属層を設けた断面説明
図、（ｃ）は本発明により製造したフィルムキャリアの
実施例を断面で表した説明図である。図１（ｃ）にはビ
アホールを介して導通が設けられる両面金属箔フィルム
キャリアの断面図を示している。この両面金属箔フィル
ムキャリアは、基材となるフィルム１(例えば、ポリイ
ミドフィルム代表される耐熱性フィルム)の両面に金属
箔２（例えば、銅、アルミニウムなど）を図１（ａ）の
ように蒸着方法や印刷方法などで設けたもの、あるいは
図（ｂ）のように接着剤３で貼合わせたものに、両面の
金属箔について片面に信号用配線リードパターン２１
を、残りの片面には電源・グランド用配線パターン２２
を形成したものである。
【００１２】上記フィルムに設けられるビアホール４は
電源・グランド用配線パターン側から開孔されるが、穿
孔は信号用配線リードの金属箔までとし、スルーホール
の形状は取らない。信号用配線リードパターンと電源・
グランド用配線パターンをブラインドビアホールの内壁
を金属めっき５して接続される形状を取る。
電源・グランド用配線パターン側から開孔されるが、穿
孔は信号用配線リードの金属箔までとし、スルーホール
の形状は取らない。信号用配線リードパターンと電源・
グランド用配線パターンをブラインドビアホールの内壁
を金属めっき５して接続される形状を取る。
【００１３】このブラインドビアホールの穿孔の方法と
して、ＣＯ2レーザー光を照射すると短時間に孔を形成
できるが、１５０μｍ径以下の小径になると、直接の顕
微鏡観察では確認できない数μｍ程度の基材薄膜が残存
する。レーザーの出力や照射パルス回数を調整しても残
膜の厚さは減少せず、ウェットデスミヤの処理を行って
も、除去が困難である。
して、ＣＯ2レーザー光を照射すると短時間に孔を形成
できるが、１５０μｍ径以下の小径になると、直接の顕
微鏡観察では確認できない数μｍ程度の基材薄膜が残存
する。レーザーの出力や照射パルス回数を調整しても残
膜の厚さは減少せず、ウェットデスミヤの処理を行って
も、除去が困難である。
【００１４】この残膜が存在すると、金属めっきによる
信号用配線リードパターンと電源・グランド用配線パタ
ーンを接続ができず、導通の目的が達成できない。図２
に不良となったフィルムキャリアの断面図を示してい
る。
信号用配線リードパターンと電源・グランド用配線パタ
ーンを接続ができず、導通の目的が達成できない。図２
に不良となったフィルムキャリアの断面図を示してい
る。
【００１５】両面金属箔フィルムキャリアは基材である
フィルム１と金属箔２からなり、必要に応じて接着剤が
介在する。残存する薄膜の成分はテープの構成によって
異なるが、このような残膜にスパッタ蒸着やダイレクト
プレーティングなどの前処理を施してめっき工程を行う
と、所望する膜厚でめっきが可能であり、見かけ上は導
通が完成したようになる。しかし、実際に電気的に検査
すると、絶縁状態にある。
フィルム１と金属箔２からなり、必要に応じて接着剤が
介在する。残存する薄膜の成分はテープの構成によって
異なるが、このような残膜にスパッタ蒸着やダイレクト
プレーティングなどの前処理を施してめっき工程を行う
と、所望する膜厚でめっきが可能であり、見かけ上は導
通が完成したようになる。しかし、実際に電気的に検査
すると、絶縁状態にある。
【００１６】本発明のフィルムキャリアの製造方法の実
施の形態例として、所望する位置に１５０μｍ径以下の
小径のブラインドビアホールを作製するため、ＣＯ2レ
ーザー光を十分に照射した後、このＣＯ2レーザー光で
孔加工した孔に、エキシマレーザー光を追加照射するこ
とにより基材の残膜を取り除く。
施の形態例として、所望する位置に１５０μｍ径以下の
小径のブラインドビアホールを作製するため、ＣＯ2レ
ーザー光を十分に照射した後、このＣＯ2レーザー光で
孔加工した孔に、エキシマレーザー光を追加照射するこ
とにより基材の残膜を取り除く。
【００１７】ＣＯ2レーザー光とエキシマレーザー光を
照射して孔加工した孔に、スパッタ蒸着、無電解めっ
き、或いは、ダイレクトプレーティングを施し、電解金
属めっきを行って所望の金属めっき厚とする。
照射して孔加工した孔に、スパッタ蒸着、無電解めっ
き、或いは、ダイレクトプレーティングを施し、電解金
属めっきを行って所望の金属めっき厚とする。
【００１８】上記レーザー穿孔工程を行うことで、導通
が良好なブラインドビアホールを形成した両面金属箔フ
ィルムキャリアを得ることができる。また、エキシマレ
ーザー光のみ使用する場合に比べ加工時間を短くでき
る。
が良好なブラインドビアホールを形成した両面金属箔フ
ィルムキャリアを得ることができる。また、エキシマレ
ーザー光のみ使用する場合に比べ加工時間を短くでき
る。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に説明する。 ＜実施例１＞厚さ１８μｍの銅箔の１面に厚さ５０μｍ
のポリイミドテープが印刷され、そのポリイミド面に１
２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上に厚さ１８μ
ｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層のない銅箔側
にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１１０μｍのビ
アホールを所望する位置を露光、現像を行ってパターニ
ングし、他方の銅箔がエッチングされないよう保護する
ために裏止め処理を施した後に、エッチングとレジスト
剥離を行った。
のポリイミドテープが印刷され、そのポリイミド面に１
２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上に厚さ１８μ
ｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層のない銅箔側
にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１１０μｍのビ
アホールを所望する位置を露光、現像を行ってパターニ
ングし、他方の銅箔がエッチングされないよう保護する
ために裏止め処理を施した後に、エッチングとレジスト
剥離を行った。
【００２０】所望する位置に所望するビア径１００μｍ
を形成するようにビームを調整したＣＯ2レーザーを
３．０ｍｊのエネルギーで４回照射した。更に、ビア径
１００μｍになるようにビームを調整したエキシマレー
ザーを１回照射した。
を形成するようにビームを調整したＣＯ2レーザーを
３．０ｍｊのエネルギーで４回照射した。更に、ビア径
１００μｍになるようにビームを調整したエキシマレー
ザーを１回照射した。
【００２１】レーザー加工を終了したポリイミドテープ
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
【００２２】めっきを施した形成したビアの断層面を顕
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
【００２３】＜実施例２＞厚さ１８μｍの銅箔の１面に
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径６
０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行っ
てパターニングし、他方の銅箔がエッチングされないよ
う保護するために裏止め処理を施した後に、エッチング
とレジスト剥離を行った。
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径６
０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行っ
てパターニングし、他方の銅箔がエッチングされないよ
う保護するために裏止め処理を施した後に、エッチング
とレジスト剥離を行った。
【００２４】所望する位置に所望するビア径５０μｍを
形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクにし
て、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで４回照
射した。更に、ビア径５０μｍになるようにビームを調
整したエキシマレーザーを１回照射した。
形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクにし
て、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで４回照
射した。更に、ビア径５０μｍになるようにビームを調
整したエキシマレーザーを１回照射した。
【００２５】レーザー加工を終了したポリイミドテープ
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚５μｍの
銅めっきを施した。
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚５μｍの
銅めっきを施した。
【００２６】めっきを施した形成したビアの断層面を顕
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
【００２７】＜実施例３＞厚さ１８μｍの銅箔の１面に
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
【００２８】所望する位置に所望するビア径１５０μｍ
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで４回
照射した。更に、ビア径１５０μｍになるようにビーム
を調整したエキシマレーザーを１回照射した。
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで４回
照射した。更に、ビア径１５０μｍになるようにビーム
を調整したエキシマレーザーを１回照射した。
【００２９】レーザー加工を終了したポリイミドテープ
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
【００３０】めっきを施した形成したビアの断層面を顕
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分とは確実に接触していた。また、ビアの１個を切り取
り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での抵抗値は
存在せず、良好な導通が形成できていた。
【００３１】＜比較例１＞厚さ１８μｍの銅箔の１面に
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
【００３２】所望する位置に所望するビア径１５０μｍ
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで６回
照射した。
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで６回
照射した。
【００３３】レーザー加工を終了したポリイミドテープ
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
【００３４】めっきを施した形成したビアの断層面を顕
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分の間には絶縁層が形成されていた。また、ビアの１個
を切り取り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での
抵抗値は存在し、めっきした部分とビア底部が非接触で
あることを示した。
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分の間には絶縁層が形成されていた。また、ビアの１個
を切り取り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での
抵抗値は存在し、めっきした部分とビア底部が非接触で
あることを示した。
【００３５】また、ビアを含む周辺部の銅箔を取り除い
て、ビアの底部を顕微鏡で観察すると、約２μｍの膜が
観察された。
て、ビアの底部を顕微鏡で観察すると、約２μｍの膜が
観察された。
【００３６】＜比較例２＞厚さ１８μｍの銅箔の１面に
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
厚さ５０μｍのポリイミドテープが印刷され、そのポリ
イミド面に１２μｍ厚の接着剤層を形成し、更にその上
に厚さ１８μｍの銅箔をロールラミネートし、接着剤層
のない銅箔側にポジ型フォトレジストを塗布し、直径１
６０μｍのビアホールを所望する位置を露光、現像を行
ってパターニングし、他方の銅箔がエッチングされない
よう保護するために裏止め処理を施した後に、エッチン
グとレジスト剥離を行った。
【００３７】所望する位置に所望するビア径１５０μｍ
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで１２
回照射した。
を形成するように設計、エッチングした銅箔をマスクに
して、ＣＯ2レーザーを３．０ｍｊのエネルギーで１２
回照射した。
【００３８】レーザー加工を終了したポリイミドテープ
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
を過マンガン酸カリウムでデスミア処理し、スパッタ処
理後、電解銅めっきを行ってビア内にめっき厚１０μｍ
の銅めっきを施した。
【００３９】めっきを施した形成したビアの断層面を顕
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分の間には絶縁層が形成されていた。また、ビアの１個
を切り取り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での
抵抗値は存在し、めっきした部分とビア底部が非接触で
あることを示した。
微鏡で観察したところ、ビア底部の銅箔とめっきした部
分の間には絶縁層が形成されていた。また、ビアの１個
を切り取り、両面での抵抗値を測定したが、両面間での
抵抗値は存在し、めっきした部分とビア底部が非接触で
あることを示した。
【００４０】また、ビアを含む周辺部の銅箔を取り除い
て、ビアの底部を顕微鏡で観察すると、約２μｍの膜が
観察された。
て、ビアの底部を顕微鏡で観察すると、約２μｍの膜が
観察された。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、ＣＯ2レーザーとエキシマレ
ーザーを併用して加工することで、両面に金属箔が存在
するテープ基材にレーザーを照射して、ブラインドビア
ホールを加工する際、ビア底部に基材の薄膜の残存しな
いビアが形成でき、加工時間の短いテープの両面間で確
実な導通が取れるテープを提供するフィルムキャリアの
製造方法とすることができる。
ーザーを併用して加工することで、両面に金属箔が存在
するテープ基材にレーザーを照射して、ブラインドビア
ホールを加工する際、ビア底部に基材の薄膜の残存しな
いビアが形成でき、加工時間の短いテープの両面間で確
実な導通が取れるテープを提供するフィルムキャリアの
製造方法とすることができる。
【図１】本発明にかかるフィルムキャリアの実施例を断
面で表した説明図で、（ａ）は基材フィルムの両面に金
属層を設けた断面説明図、（ｂ）は基材フィルムの両面
に接着剤層を介し金属層を設けた断面説明図、（ｃ）は
本発明により製造したフィルムキャリアの実施例を断面
で表した説明図である。
面で表した説明図で、（ａ）は基材フィルムの両面に金
属層を設けた断面説明図、（ｂ）は基材フィルムの両面
に接着剤層を介し金属層を設けた断面説明図、（ｃ）は
本発明により製造したフィルムキャリアの実施例を断面
で表した説明図である。
【図２】不良品のフィルムキャリアを断面で表した説明
図である。
図である。
１・・・基材フィルム ２・・・金属箔 ３・・・接着剤 ４・・・ビアホール ５・・・金属メッキ ２１・・・信号用配線リードパターン ２２・・・電源・グランド用配線パターン
Claims (1)
- 【請求項１】両面に金属層を有する絶縁性フィルムを用
い、一方の面のビアホール部の金属層を除去し、同じ面
からレーザー加工によって絶縁性フィルムに孔加工を行
い、孔内にめっきすることによってビアホールを形成す
るフィルムキャリアの製造方法において、前記レーザー
加工を、炭酸ガスレーザーを用いた後に、エキシマレー
ザーを用いて行うことを特徴とするフィルムキャリアの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11185872A JP2001015560A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | フィルムキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11185872A JP2001015560A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | フィルムキャリアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015560A true JP2001015560A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16178364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11185872A Pending JP2001015560A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | フィルムキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322596A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア用電気めっき装置 |
| US7135354B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-11-14 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, semiconductor wafer, circuit board and electronic instrument |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP11185872A patent/JP2001015560A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322596A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア用電気めっき装置 |
| US7135354B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-11-14 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, semiconductor wafer, circuit board and electronic instrument |
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