JP4150930B2

JP4150930B2 - 半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法

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Publication number: JP4150930B2
Application number: JP2004307094A
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Inventors: 宣明宮本; 聡珍田
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Filing date: 2004-10-21
Publication date: 2008-09-17
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Description

本発明は、半導体装置に用いるテープキャリアに係り、特に両面に配線層を施した半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法に関するものである。

一般的な半導体装置用両面配線テープキャリアの製造手順について、図４、図５で説明する。

両面配線テープキャリア用の材料としては、ポリイミドフィルムに代表される絶縁性フィルム１の両面に銅箔２を貼り合わせた材料３（図４（ａ））を用いるのが一般的である。両面配線テープキャリアでは、両面の銅箔層２を電気的に導通させる必要があるが、その導通にはブラインドビアホール（ＢＶＨ）と呼ばれる開口穴５を介して導通化させることが一般的である。ブラインドビアホール５の径は一般的なものでφ３０〜８０μｍ程度である。

両面に銅箔を貼り合わせた材料は、パーフォレーション穴形成のためのプレス後、フォトエッチング法によりブラインドビアホール（ＢＶＨ）を形成する部位の銅箔がエッチングされる（図４（ｂ））。ポリイミドが露出した部位４にレーザーを照射するか、湿式処理によりエッチングするなどしてポリイミドフィルムを開口させる（図４（ｃ））。レーザー加工の場合、ポリイミドの開口部にはスミアと呼ばれるレーザーの焼き焦げ残さが残るため、デスミア処理によりスミアの除去を行なう。こうしてブラインドビアホール５が形成される。

次に、ブラインドビアホール５の壁面を導通化させ、両層の銅箔を電気的に導通化させる必要があるため、スズ−パラジウム金属薄膜などの導電性薄膜層６の形成処理を行なう（図４（ｄ））。次にこの導電性薄膜層６上に電気めっき法により銅めっき（ビアフィリング銅めっき層７）を厚付けする（図４（ｅ））。

前述の工程を経て両層の銅箔が電気的に導通化された材料は、フォトエッチング法により配線パターン（回路）８が両銅箔層に形成される（図５（ｆ））。最後に、片面に感光性ソルダーレジスト等の絶縁層９を形成したのち（図５（ｇ））、他方の片面に金／ニッケルめっきやスズめっき等の表面処理層１０を施して完成となる（図５（ｈ））。

なお、最近の高密度実装化の流れにより、テープキャリアにおいても前記配線パターン（回路）８における銅めっき方法として、ブラインドビアホールを充填するビアフィリング銅めっき法が多く利用されるようになってきた。

ビアフィリング銅めっきのメカニズム概略を図６に示す。ビアフィリング銅めっき法は、銅めっき液中に含有する添加剤の作用により発現するめっき形成法である。具体的には、レベラー１１と称する析出抑制剤が表層部付近１２に多く吸着し、その作用により表層のめっき析出を抑制する。また、ブライトナー１３と称する析出促進剤はブラインドビアホール底部付近１４に多く吸着し、その作用によりブラインドビアホール底部からのめっき析出を促進させる。これらの相互作用によりめっき充填が進行する。したがって、ビアフィリング銅めっきにおいては、レベラーとブライトナーの２種の添加剤の相互作用が非常に重要となる。

一方で、これらの添加剤は分解が激しいため液状態が変動しやすい。これによりめっき液の状態によって充填性が変動しやすいめっき法であるといえる。

好適なビアフィリング銅めっきの充填性は、少なくとも絶縁性フィルムの厚さ以上にめっき充填されることが重要である。

なお、ブラインドビアホールを第一のめっきにより導電化した後に、第二のめっきで埋めるビアフィリングの技術自体に関しては、従来より種々の提案がなされている（例えば、特許文献１、２参照）
特開２００４−１２８１７７号公報特開２００１−２９１９５４号公報

しかしながら、前述のように、ビアフィリング銅めっき法においては銅めっき液の状態（組成、例えばレベラー、ブライトナー、ポリマーの３種の添加剤の濃度）により充填性が変動する。このため添加剤濃度の分析を頻繁に行ない、銅めっき液組成を一定に保つことが必要であり、そのような対応が広く採られている。

また、めっき液の劣化度もフィリング性の変動因子である。銅めっき液中の添加剤はめっき電解とともに分解し、その一部は老廃物としてめっき液中に蓄積していくと考えられている。この老廃物はフィリング性に悪影響を及ぼすことが多く、一般に電解量を増加するほど充填性は悪くなる方向にある。

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ビアフィリング銅めっき液の状態（組成、劣化度）変動にともなう、ブラインドビアホール（ＢＶＨ）の銅めっき充填性の変動をいち早く検知し、製品品質（銅めっき充填性）の安定化を図るとともに、銅めっき液の早急な補正を行なうことが可能な半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。

請求項１の発明に係る半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法は、両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムの片面より銅箔層及び絶縁性フィルム部を貫いて他面側の銅箔層に達するブラインドビアホールを作製し、このブラインドビアホールに導通化処理層を形成した後、その導通化処理層上に銅めっき層を形成してブラインドビアホールを充填し、これにより両面の銅箔層を電気的に導通化した構造を得る半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記ブラインドビアホールとして、製品パターンにおける両銅箔層を電気的に導通させるための第１のブラインドビアホールと、前記第１のブラインドビアホールの直径よりも大きい直径を有し、直径が８０μｍ〜１５０μｍの範囲内とする第２のブラインドビアホールを設け、この第２のブラインドビアホールにおいて、テープキャリアが連続的に製造される際の第１のブラインドビアホールでの前記銅めっき層による充填率の変動を非破壊で測定する方法を用いて把握し、めっき液を補正することを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記非破壊で測定する方法として、総厚さ（片面の銅箔＋絶縁性フィルムの厚さ）をダイヤルゲージを用いてめっき前後の材料の厚さの差から算出、ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さを焦点顕微鏡を用いて穴の窪みの深さを測り、前記総厚さと前記ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さとを比較する方法を用いることを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記非破壊で測定する方法として、レーザー変位計や渦電流膜厚計等、非破壊で測定する方法を用いて、インラインで連続的にモニターする方法を用いることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記ブラインドビアホール部の銅めっき層の形成方法として、銅めっきを絶縁性フィルム層の厚さ分以上に充填させた、いわゆるビアフィリング銅めっき法を用いることを特徴とする。

請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記導通化処理層を、スズ−パラジウムまたはその化合物、ニッケルまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性皮膜により形成することを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記テープキャリアの両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターンに形成し、該配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっきなどの表面処理皮膜を施し、この配線パターン上に、熱硬化性または感光性のソルダーレジストまたはカバーレイ等の絶縁層を形成することを特徴とする。

請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、前記ブラインドビアホールの作製方法が、前記絶縁性フィルムの片面においてフォトエッチング法により所望の形に銅箔を溶解除去し、銅箔を溶解除去した部分に露出した絶縁性フィルム部をＣＯ2等のガスレーザー照射法または湿式エッチング法等により除去してブラインドビアホールを作製する方法によるか、又は、ＹＡＧ等の固体レーザー照射法により銅箔と絶縁性フィルム部を一括で開口させる方法によることを特徴とする。

＜発明の要点＞
本発明は、上記課題を解決するための手段として、より充填性が変動しやすい径の大きいブラインドビアホールを、製品パターンの一部にダミーとして設け、これをモニタリングすることで、テープキャリアが連続的に製造される際の充填率の変動を間接的に早期に把握できるようにする方法を提案する。具体的なダミーのブラインドビアホールの径は、直径φ８０μｍ〜１５０μｍが良い。

本発明者等は、ブラインドビアホールの径と充填性の関係を調査した。ここでは、めっき液状態が異なるめっき液として、液の劣化度（具体的には、積算電流値［単位Ａｈ／Ｌ］）がゼロ、小、中のめっき液Ａ〜Ｃを用意し、これらのめっき液（Ａ〜Ｃ）における、ブラインドビアホールの径の大きさと、充填率の関係を調べた。結果を、表１に示す。

ここでは劣化指標を［Ａｈ／Ｌ］としているが、例えば
・めっき時の電流１００［Ａ］・・・（１）
・搬送速度２０［ｍ／ｈ］・・・（２）
・搬送長１０００［ｍ］・・・（３）
・めっき液量１０００［Ｌ］・・・（４）
とすれば、
上記（２）（３）より、めっき時間は５０［ｈ］・・・（５）
∴（１）（５）（４）より、５［Ａｈ／Ｌ］。

すなわちこの条件時には、１０００［ｍ］流動で５［Ａｈ／Ｌ］相当の液劣化度ということになる。

なお、「充填率」の定義としては、図３に示すように、ブラインドビアホール内の銅めっき厚さ１５Ａを、総厚（片側の銅箔厚さ＋絶縁性フィルム層の厚さ）１５Ｂで除し、百分率表示した数値で表すことが一般的であり、本明細書でもこれを用いている。

表１の結果から分かるように、銅めっき液の状態により充填性が異なる。すなわち、同じ直径のブラインドビアホールであっても、銅めっき液の劣化度がＡ、Ｂ、Ｃの順に進むにつれ、充填率（％）が悪くなる。例えば、ブラインドビアホール径が６０μｍの場合、銅めっき液の劣化がＡ、Ｂ、Ｃと進むにつれ、充填率が９０％、８８％、８５％と順に低下する。

また、ブラインドビアホール（ＢＶＨ）の径がφ３０〜１５０μｍの領域では、ＢＶＨの径が大きくなるほど、充填率はめっき液の状態に左右されるといえる。特に径が直径φ８０μｍ〜１５０μｍの範囲では大きな差が現れた。

詳述するに、例えば、ブラインドビアホール径が６０μｍの場合、銅めっき液の劣化がＡ、Ｂ、Ｃと進むにつれ、充填率が９０％、８８％、８５％と順に低下し、めっき液ＡＢ間で２％、めっき液ＢＣ間で３％悪くなる。これに対し、ブラインドビアホール径がより大きな８０μｍとなった場合、銅めっき液の劣化がＡ、Ｂ、Ｃと進むにつれ、充填率が８８％、８５％、８０％と順に低下し、めっき液ＡＢ間で３％、めっき液ＢＣ間で５％と、より大きな差を持って悪くなる。以下同様にして、ブラインドビアホールの径が大きくなるほど、めっき液ＡＢ間、めっき液ＢＣ間での充填率の差が大きくなり、φ１２０μｍでそれらの差が最大となり、φ１５０μｍでは充填率の差がやや減少するものの、φ８０μｍまでの径よりは大きな差が現れた。

なお、直径がφ１８０μｍのブラインドビアホールにおいては充填性が悪く、めっき液の状態によらず、いずれの場合もビアフィリングの傾向が認められなかった。このことからφ１８０μｍ以上の大径のブラインドビアホールではビアフィリング銅めっきは困難であると推定する。

本現像を利用し、製品の一部としてのブラインドビアホールの直径が一般的なφ３０〜８０μｍ未満程度の範囲内である場合、それとは別にφ８０μｍ〜１５０μｍ程度の大きな直径のブラインドビアホールをダミーパターンとして設けておくことで、このダミーのブラインドビアホールに充填性が大きな差となって現れることが予想され、本来のブラインドビアホールにおける銅めっき液状態の微妙な変動をいち早く検知できるものと予想される。

上記したように、本発明で提案した両面配線テープキャリアにおける大径のダミーのブラインドビアホールにて銅めっきの充填率を連続的にモニターしていくことで、本来のブラインドビアホールに作用しているめっき液の状態変動を早期に把握することができる。理想としては、製品の一部としてのブラインドビアホールの径は製品種毎に変わることは有り得るが、ダミーのブラインドビアホールに関しては全品種共通とし、例えば上記表１における最も劣化度差（めっき液Ａ〜Ｃ間の充填率差）の大きいφ１２０μｍ径で固定としておけば、めっき液の絶対的な変動具合を客観的に掴むことができると考える。

本発明による両面配線テープキャリアの製造方法によれば、下記のような優れた効果が得られる。

（１）本発明においては、製品パターンにおける両銅箔層を電気的に導通させるための第１のブラインドビアホールの他に、これよりも大きい直径を有する第２のブラインドビアホールを設けている。この第２のブラインドビアホールにおいては、第１のブラインドビアホールにおけるよりも早期に充填率の変動が現れ、銅めっき液の状態変動を早期に検知できることから、めっき液の補正対応を、従来より早期に行うことができる。

（２）銅めっき液状態を簡便に評価できることにより、銅めっき液の品質（充填性）の安定化を図れる。

（３）長期にわたりモニタリングしていくことにより、データが蓄積され、適正な液補正方法や頻度にフィードバックすることが可能となる。

（４）銅めっき液の組成管理が容易になり、分析頻度を削減することができる。

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。

まず両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムをベース材料とし、前記ベース材料の片面においてフォトエッチング法により所望の形に銅箔を溶解除去し、銅箔を溶解除去した部分に露出した絶縁フィルム部をＣＯ₂等のガスレーザー照射法または湿式エッチング法等により除去してブラインドビアホールを作製する。

次いで、前記ブラインドビアホールを介して両面の銅箔層を電気的に導通させるための導通化処理層を形成し、前記導通化処理層上に無電解めっき法または電気めっき法またはその両方によって銅めっき層を形成することにより、絶縁性フィルムの両面に銅層を有し、且つ前記ブラインドビアホールを介して両面が電気的に導通化した状態のテープキャリアを作製する。

次いで、前記テープキャリアの両面の銅層がフォトエッチング法により配線パターン（回路）に形成され、前記配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっきなどの表面処理皮膜を施して、所望の半導体装置用両面配線テープキャリアとする。

上記において、本発明の特徴に従い、ブラインドビアホールの種類としては、前記ブラインドビアホールの開口直径が、個々の製品パターンにおける両銅箔層の導通化の役割を担うべく３０〜８０μｍ未満の範囲内において１つの値に設定された標準的な径の第１のブラインドビアホールと、前記設定された標準的な径よりも大きい直径の第２ブラインドビアホール（ダミーのブラインドビアホール）の二種類とする。

ダミーのブラインドビアホールを設ける位置は、製品有効エリアの中（ユーザが使用する製品パターン内）でも、エリア外であっても構わない。差し支えなければ有効エリア内に配置しても良いし、有効エリア内にあると困る場合またはあくまで充填性のモニター用と割り切るのであれば、有効エリアの外（勿論ＴＡＢテープ内のどこか）に配置しても良い。

上記の半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、前記ブラインドビアホールの作製方法は、ＹＡＧ等の固体レーザー照射法により銅箔と絶縁フィルム部を一括で開口させる方法であってもよい。

ダミーパターンとしてのブラインドビアホールの径は、既に表１において検討したように、８０μｍ〜１５０μｍの範囲内とする。

上記ブラインドビアホール部における銅めっき処理方法は、銅めっきを絶縁フィルム層の厚さ分以上に充填させた、いわゆるビアフィリング銅めっき法とする。

また上記導通化の処理は、スズ−パラジウムまたはその化合物、ニッケルまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性皮膜を形成することで行う。そして、上記フォトエッチング法による配線パターン（回路）の形成よりも後に、熱硬化性または感光性のソルダーレジストまたはカバーレイ等の絶縁層を形成する。

ビアフィリングのめっき装置の構造は通常の銅めっき装置と同じでよい。めっき液の組成（特に添加剤）が違うのみである。したがって、処理プロセスとしては、従来と同様、脱脂→酸洗い→銅めっき、となる。めっき装置が同じでも添加剤組成が違うだけで、ビアホールが埋まってしまう添加剤を選ぶことが重要である。このビアフィリング用添加剤としては、レベラー（ＪＧＢ）、ブライトナー（ＳＰＳ）、ポリマー（ＰＥＧ）を使用する。言い換えればこれら３種の添加剤を使用することでビアフィリング銅めっきができる。

充填状態の確認（モニタリング）は、ＴＡＢテープの場合、インラインでもオフラインでもどちらでも良いが、連続的に常時監視するのであれば、インラインを採用する。

定期的に（例えば製品毎にロット先頭のみで確認する）と言う形であれば、採取サンプルにおけるブラインドビアホールの充填率をオフラインで確認すれば良い。方法は図３で説明した通り、ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さ１５Ａと総厚さ（片側の銅層＋絶縁性フィルム厚さ）１５Ｂの測長を行うことによる。

簡便な方法としては、オフラインで検査する。このときの具体例として、総厚さ（片側の銅層＋絶縁性フィルム厚さ）１５Ｂは、ダイヤルゲージ（マイクロメータ）を使用して、めっき前後の材料の厚さの差から算出する。一方、ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さ１５Ａは、焦点顕微鏡を使用して穴の窪みの深さを測り、総厚さ１５Ｂの値と比較することで算出する。

インラインの場合でも、レーザー変位計や渦電流膜厚計等、非破壊で測定する方法を用いて、連続的にモニターすることができる。

本発明の両面配線テープキャリアの製造方法の一例を図１、図２に示す。

２５μｍ厚のポリイミド樹脂製の絶縁性フィルム２１の両面に１２μｍ厚の銅箔層２２を有して成る２層メタルテープをベース材料（両面配線テープ材用ベース基材）２３として用いた（図１（ａ））。次いで金型プレスにより製品搬送用のパーフォレーション穴を形成した。次に、フォトエッチング法によりブラインドビアホール（ＢＶＨ）を形成する部位の銅箔をエッチングした（図１（ｂ））。ポリイミドが露出した部位２４にＣＯ₂レーザーを照射する等して、ポリイミドフィルム２１を開口させた（図１（ｃ））。レーザー加工の場合、ポリイミドの開口部にはスミアと呼ばれるレーザーの焼き焦げ残さが残るため、デスミア処理によりスミアの除去を行なう。こうして二種類のブラインドビアホール２５Ａ、２５Ｂが形成される。

ここで形成される二種類のブラインドビアホールの径は、製品用の本来のブラインドビアホール（第１のブラインドビアホール）２５Ａでは直径φ５０μｍとした。またダミーのブラインドビアホール（第２のブラインドビアホール）２５Ｂでは、その直径をφ１２０μｍとし、製品１ピースあたり１個の割合で配置する構造とした。

その後の工程は、ブラインドビアホールが二種類（２５Ａ、２５Ｂ）となっている点を除き、基本的に従来例の場合（図４〜図５）のステップ（ｄ）〜（ｈ）と同じである。

ＤＰＳ処理によりスズ−パラジウム金属薄膜などの導電性薄膜層２６を形成した後（図１（ｄ））、電気銅めっき法により、前記ブラインドビアホール２５Ａ、２５Ｂ内の銅めっき充填と、表層への銅めっき処理を同時に行ない、銅めっき層２７を形成した（図１（ｅ））。この銅めっき層２７は、ブラインドビアホール２５Ａ、２５Ｂの部分においては、ビアフィリング銅めっき層となる。

ここで使用した銅めっき液は、建浴時の濃度として硫酸銅濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度５０ｍｇ／Ｌとした。またビアフィリング用の添加剤として、レベラー成分にはＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ）を、ブライトナー成分にはＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド）を、ポリマー成分にはＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を使用し、いずれの濃度も１００ｐｐｍとした。めっき条件は電流密度は１Ａ／ｄｍ²、めっき時間は４５分とし、表層のめっき厚は約１０μｍを目標値とした。

次いで、フォトファブリケーション工法により配線パターン（回路）２８を形成し（図２（ｆ））、ソルダーレジスト印刷工程で絶縁層２９を形成した後（図２（ｇ））、電気ニッケルめっき（１μｍ）、電気金めっき（１μｍ）の順で表面処理層３０を施すことにより両面配線テープキャリアが完成した（図２（ｈ））。

評価結果を以下に示す。本実施例と従来例の２種の方法により、銅めっき工程を連続的に製品流動し、モニタリングした結果の比較表を表２に示す。

表２において、製品ロット（積算流動長）がＡ（０ｍ）、Ｂ（２００ｍ）・・・Ｅ（１６００ｍ）というのは、テープキャリアの積算流動長が０ｍ、２００ｍ、・・・１６００ｍと進んだ時点（各ロットＡ〜Ｅ）のめっき液状態を意味する。ただしＡ（０ｍ）はめっき液が建浴直後の新液の状態を意味する。

表２において、「本発明例」の欄は、二種類のブラインドビアホール（ＢＶＨ）として、直径φ１２０μｍのダミーのＢＶＨと、製品パターンの直径φ５０μｍの本来のＢＶＨとを有するテープキャリアを、連続してビアフィリング銅めっきした場合を示す。つまり、ダミーのＢＶＨに基づいてめっき液の補正（添加剤の補充等）を行いつつ、積算流動長がＡ（０ｍ）、Ｂ（２００ｍ）・・・Ｅ（１６００ｍ）と変化して行ったときのめっき液状態において、ビアフィリング銅めっきを行ったときの銅めっき充填率を、ロットＡ〜Ｅのそれぞれについて示している。また「従来例」の欄は、製品パターンの直径φ５０μｍの本来のＢＶＨのみを有する従来のテープキャリア、つまりダミーのＢＶＨに基づく早期のめっき液補正が行われない場合について、積算流動長がＡ（０ｍ）、Ｂ（２００ｍ）・・・Ｅ（１６００ｍ）と変化したときのめっき液状態において、ビアフィリング銅めっきを行ったときの銅めっき充填率をロットＡ〜Ｅのそれぞれについて示したものである。

この例では、製品の本来のブラインドビアホールの充填率が８０％以上であることを目標値とした。

ダミーのブラインドビアホールが無い「従来例」においては、製品の積算流動長２００〜８００ｍ（ロットＢ、Ｃ、Ｄ）の段階の場合、まだ銅めっき充填率が目標値の８０％を上回っており、その結果、充填率の変化が計測されず、めっき液の補正もなされない。銅めっき充填率が目標値の８０％まで下がるのは、１６００ｍまで製品を流した段階（ロットＥ）であり、この時点にならなければ充填率の変化が現れず検知もされない。従って、添加剤の補充等のめっき液補正もなされない。結果として、初期に９０％であった充填率が８０％にまで低下した。

これに対し、「本発明例」においては、テープ長さ２００ｍの製品流動時点（ロットＢ）で、つまり直径φ５０μｍの径の製品ＢＶＨでは充填率に変動がほとんど認められない段階でありながら、直径φ１２０μｍの径のダミーのＢＶＨでは充填率の低下が顕著に認められ、これに基づいて添加剤の補充等のめっき液補正を行なう対応が早期に図れた。その後も同様のタイミングにて、めっき液補正の対応を行なっている。結果として、製品流動長１６００ｍ（ロットＥ）まで、本来のブラインドビアホールの充填率を安定に維持することが可能であった。

両者を比較するに、「本発明例」の製品の本来のブラインドビアホール（φ５０μｍビア）では８８〜９０％という安定した（狭い範囲での）フィリング率が得られているが、「従来例」の製品のブラインドビアホール（φ５０μｍビア）ではめっき液管理がうまくいかなかったために、銅めっき充填率が８０〜９０％の範囲で変動している。

本発明の両面配線テープキャリアの製造手順（前半）を示す説明図である。本発明の両面配線テープキャリアの製造手順（後半）を示す説明図である。ビアフィリング銅めっきにおける充填率の算出方法の説明に供する図である。従来の両面配線テープキャリアの製造手順（前半）を示す説明図である。従来の両面配線テープキャリアの製造手順（後半）を示す説明図である。ビアフィリング銅めっきの析出メカニズムの説明図である。

符号の説明

２１絶縁性フィルム
２２銅箔
２３材料（両面配線テープ材用ベース基材）
２４ポリイミドフィルム露出部
２５Ａ製品用の本来のブラインドビアホール（第１のブラインドビアホール）
２５Ｂダミーのブラインドビアホール（第２のブラインドビアホール）
２６導電性薄膜層
２７ビアフィリング銅めっき層
２８配線パターン
２９絶縁層
３０表面処理層

Claims

両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムの片面より銅箔層及び絶縁性フィルム部を貫いて他面側の銅箔層に達するブラインドビアホールを作製し、このブラインドビアホールに導通化処理層を形成した後、その導通化処理層上に銅めっき層を形成してブラインドビアホールを充填し、これにより両面の銅箔層を電気的に導通化した構造を得る半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホールとして、製品パターンにおける両銅箔層を電気的に導通させるための第１のブラインドビアホールと、前記第１のブラインドビアホールの直径よりも大きい直径を有し、直径が８０μｍ〜１５０μｍの範囲内とする第２のブラインドビアホールを設け、この第２のブラインドビアホールにおいて、テープキャリアが連続的に製造される際の第１のブラインドビアホールでの前記銅めっき層による充填率の変動を非破壊で測定する方法を用いて把握し、めっき液を補正することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記非破壊で測定する方法として、総厚さ（片面の銅箔＋絶縁性フィルムの厚さ）をダイヤルゲージを用いてめっき前後の材料の厚さの差から算出、ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さを焦点顕微鏡を用いて穴の窪みの深さを測り、前記総厚さと前記ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さとを比較する方法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記非破壊で測定する方法として、レーザー変位計や渦電流膜厚計等、非破壊で測定する方法を用いて、インラインで連続的にモニターする方法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホール部の銅めっき層の形成方法として、銅めっきを絶縁性フィルム層の厚さ分以上に充填させた、いわゆるビアフィリング銅めっき法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記導通化処理層を、スズ−パラジウムまたはその化合物、ニッケルまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性皮膜により形成することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記テープキャリアの両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターンに形成し、該配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっきなどの表面処理皮膜を施し、この配線パターン上に、熱硬化性または感光性のソルダーレジストまたはカバーレイ等の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホールの作製方法が、前記絶縁性フィルムの片面においてフォトエッチング法により所望の形に銅箔を溶解除去し、銅箔を溶解除去した部分に露出した絶縁性フィルム部をＣＯ₂等のガスレーザー照射法または湿式エッチング法等により除去してブラインドビアホールを作製する方法によるか、又は、ＹＡＧ等の固体レーザー照射法により銅箔と絶縁性フィルム部を一括で開口させる方法によることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。