JP4150930B2 - 半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、上記課題を解決するための手段として、より充填性が変動しやすい径の大きいブラインドビアホールを、製品パターンの一部にダミーとして設け、これをモニタリングすることで、テープキャリアが連続的に製造される際の充填率の変動を間接的に早期に把握できるようにする方法を提案する。具体的なダミーのブラインドビアホールの径は、直径φ80μm〜150μmが良い。
・めっき時の電流100[A]・・・(1)
・搬送速度20[m/h] ・・・(2)
・搬送長1000[m] ・・・(3)
・めっき液量1000[L] ・・・(4)
とすれば、
上記(2)(3)より、めっき時間は50[h] ・・・(5)
∴(1)(5)(4)より、5[Ah/L]。
22 銅箔
23 材料(両面配線テープ材用ベース基材)
24 ポリイミドフィルム露出部
25A 製品用の本来のブラインドビアホール(第1のブラインドビアホール)
25B ダミーのブラインドビアホール(第2のブラインドビアホール)
26 導電性薄膜層
27 ビアフィリング銅めっき層
28 配線パターン
29 絶縁層
30 表面処理層
Claims (7)
- 両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムの片面より銅箔層及び絶縁性フィルム部を貫いて他面側の銅箔層に達するブラインドビアホールを作製し、このブラインドビアホールに導通化処理層を形成した後、その導通化処理層上に銅めっき層を形成してブラインドビアホールを充填し、これにより両面の銅箔層を電気的に導通化した構造を得る半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホールとして、製品パターンにおける両銅箔層を電気的に導通させるための第1のブラインドビアホールと、前記第1のブラインドビアホールの直径よりも大きい直径を有し、直径が80μm〜150μmの範囲内とする第2のブラインドビアホールを設け、この第2のブラインドビアホールにおいて、テープキャリアが連続的に製造される際の第1のブラインドビアホールでの前記銅めっき層による充填率の変動を非破壊で測定する方法を用いて把握し、めっき液を補正することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記非破壊で測定する方法として、総厚さ(片面の銅箔+絶縁性フィルムの厚さ)をダイヤルゲージを用いてめっき前後の材料の厚さの差から算出、ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さを焦点顕微鏡を用いて穴の窪みの深さを測り、前記総厚さと前記ブラインドビアホール底部の銅めっき厚さとを比較する方法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記非破壊で測定する方法として、レーザー変位計や渦電流膜厚計等、非破壊で測定する方法を用いて、インラインで連続的にモニターする方法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホール部の銅めっき層の形成方法として、銅めっきを絶縁性フィルム層の厚さ分以上に充填させた、いわゆるビアフィリング銅めっき法を用いることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記導通化処理層を、スズ−パラジウムまたはその化合物、ニッケルまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた1つの導電性皮膜により形成することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記テープキャリアの両面の銅層をフォトエッチング法により配線パターンに形成し、該配線パターンにニッケル、金、銀、スズめっきなどの表面処理皮膜を施し、この配線パターン上に、熱硬化性または感光性のソルダーレジストまたはカバーレイ等の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
前記ブラインドビアホールの作製方法が、前記絶縁性フィルムの片面においてフォトエッチング法により所望の形に銅箔を溶解除去し、銅箔を溶解除去した部分に露出した絶縁性フィルム部をCO2等のガスレーザー照射法または湿式エッチング法等により除去してブラインドビアホールを作製する方法によるか、又は、YAG等の固体レーザー照射法により銅箔と絶縁性フィルム部を一括で開口させる方法によることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
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