TWI485061B - Composite copper foil and its manufacturing method - Google Patents

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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

複合銅箔及其製造方法
本發明係關於一種適於藉由蝕刻而形成電路之複合銅箔及其製造方法。
印刷電路用銅箔廣泛使用於電子．電氣設備，但該印刷電路用銅箔通常經由接著劑、或者不使用接著劑於高溫高壓下接著於合成樹脂板或膜等基材，以製造覆銅積層板，其後為形成所要的電路，係藉由抗蝕劑塗佈及曝光步驟來印刷電路，再經過去除不需要銅箔之部分的蝕刻處理，又，進而焊接各種元件而形成電子裝置用印刷電路。
近年來，印刷配線板之配線密度變高，且電子零件之連接端子之間隔變小。從而必然要求使覆銅積層板之銅箔之厚度變薄。又，積層板之多層構造化亦隨時代之潮流，而對銅箔要求如厚銅箔/阻障層/薄銅箔之複合銅箔。當然，成為製作具有此種構造之覆銅積層板時之起始材料的銅箔必須具備重要之功能。
具有厚銅箔/鎳層/薄銅箔之3層構造之銅箔，使用厚質之壓延銅箔或電解銅箔作為基底(載持體)之材料，並於其上形成薄鎳被膜，進而於該鎳被膜上形成薄銅層。作為具有此種構成之複合銅箔，已知有具有載持體之銅箔(參照專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3、專利文獻5)。
具有載持體之銅箔由於為薄銅層經蝕刻而形成電路之 基本材料，故為壓延銅箔或電解銅箔之基底之銅層最後會藉由蝕刻而被去除，鎳層亦會被去除。而且，於薄銅層側形成電路。該情形時之成為壓延銅箔或電解銅箔之基底銅層係發揮有助於電路構成用薄銅箔之處理的作用，且鎳層係發揮中間層之作用，故於電路形成時會被去除。
因此，對於具有該等目的之厚銅箔/鎳層/薄銅箔之3層構造的複合銅箔，鎳層與薄銅箔間之密合性只要是於處理中不會剝離即可的程度就好，並不十分重要。
另一方面，亦具有著重於銅層與鎳層之密合性之文獻。於專利文獻6，為此提出有將與鎳層接觸之銅層之表面粗糙度作為特定條件而使耐剝離性提高。
於鎳層上略微形成有氧化膜，故於在該鎳層上鍍敷有銅之情形時，就鎳層與形成於其上之銅層的密合性而言，即便使表面變粗糙，因該氧化膜而亦不會大幅提高剝離容易度。
進而，提出有於鎳層上，較薄地形成例如銅層作為密合性提高層，並將該銅層與厚質之銅箔壓接(參照專利文獻4)。
除此之外，提出有中間夾持有鎳之銅壓延而成的被覆材料(clad material)(參照專利文獻7、專利文獻8)。然而，於組合不同種步驟之鍍敷步驟與壓延步驟時，會使製造成本變大，又，此種機械性之方法，會有難以獲得均勻厚度且儘可能薄之銅之積層構造的問題。
又，為了藉由壓延而與壓延輥相接之銅箔表面變平 滑，於需要與樹脂之密合時，需要實施粗化處理。
總而言之，認為目前並未解決如下等課題：如今，印刷配線板之配線密度變高，被要求將電子零件之連接端子之間隔縮小，進而以低成本製作該等。
專利文獻1：日本特開昭58-108785號公報
專利文獻2：日本專利第3680321號公報
專利文獻3：日本專利第3543348號公報
專利文獻4：日本特開2005-72425號公報÷
專利文獻5：日本專利第4191977號公報
專利文獻6：日本特開平8-181432號公報
專利文獻7：國際公開WO00-05934號公報
專利文獻8：日本專利第4195162號公報
本發明之課題在於獲得一種於製造由銅/鎳/銅構成之複合銅箔時，提高鎳與銅、或銅與銅之層間的接合強度，進而銅層之板厚精度優異且適於藉由蝕刻形成電路之複合銅箔及其製造方法。
本發明人等獲得如下知識見解：藉由對鍍銅與鍍鎳之步驟進行設計來改善先前複合銅箔之缺點即鎳與銅之接合強度不足，藉此可解決先前問題。進而，獲得可形成板厚精度優異之銅層之知識見解。
本發明係基於該知識見解而提供一種：
(1)複合銅箔，係由厚度為10~150μm之壓延銅箔 或電解銅箔、及形成於其兩面或單面之厚度0.5~3μm之鎳層、厚度5.1μm以上之銅層構成，上述銅層之板厚精度未達±5%，且剝離強度為0.5 kg/cm以上。
又，本發明提供一種：
(2)如上述(1)之複合銅箔，其中，上述銅層由薄銅層(C)與厚銅層(D)之兩層構成。
又，本發明提供一種：
(3)如上述(2)之複合銅箔，係由銅/鎳/薄銅/厚銅構成，其中薄銅層(C)之厚度為0.1~5μm，進而厚銅層(D)之厚度為5μm以上。
又，本發明提供一種：
(4)如上述(2)或(3)之複合銅箔，係於上述薄銅層(C)及/或厚銅層(D)上具備Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
又，本發明提供一種：
(5)複合銅箔之製造方法，係於厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔(A)之兩面或單面，藉由電鍍形成厚度0.5~3μm之鎳層(B)，於鍍敷該鎳層(B)之後，立即藉由電鍍連續地形成薄銅層(C)，進而於非連續步驟中，藉由電鍍於該薄銅層(C)上形成厚銅層(D)。
又，本發明提供一種：
(6)複合銅箔之製造方法，係於厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔(A)之兩面或單面，藉由電鍍形成厚度0.5~3μm之鎳層(B)，於鍍敷該鎳層(B)之後，立 即藉由電鍍連續地形成厚度0.1~5μm之薄銅層(C)，進而於非連續步驟中，藉由電鍍於該薄銅層(C)上形成5μm以上之厚銅層(D)。
又，本發明提供一種：
(7)如上述(5)或(6)之複合銅箔之製造方法，其中，於上述薄銅層(C)及/或厚銅層(D)上形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
又，本發明提供一種：
(8)如上述(5)至(7)中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，於上述薄銅層(C)上預先形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層後，形成厚銅層(D)。
又，本發明提供一種：
(9)如上述(5)至(7)中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，於上述厚銅層(D)層上形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
又，本發明提供一種：
(10)如上述(5)至(9)中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，使用滾筒型電極以電鍍形成上述薄厚銅層(D)。
再者，本發明之特徵在於，在薄銅層上形成略厚於薄銅層的銅層，但為了區別該兩層，將薄銅層表示為「薄銅層(C)」，將略厚於薄銅層(C)之銅層表示為「厚銅層(D)」。
本發明具有如下等明顯之效果：可獲得一種於製造由銅/鎳/銅構成之複合銅箔時，可提高鎳與銅之接合強度且適 於藉由蝕刻形成電路之複合銅箔及其製造方法。
於製造本發明之由銅/鎳/銅構成之複合銅箔時，可使用如圖1所示之曲折式鍍敷裝置。成為起始材料之銅箔，使用厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔(A)。對該箔(A)之兩面或單面實施電鍍鎳。
於圖1中，自圖1之左側起進入鍍敷層，向右移動形成特定厚度之鍍鎳層，即形成厚度0.5~3μm之鎳層(B)。其原因在於，於該情形時，若未達鎳層之下限值即0.5μm，則易於產生針孔(pinhole)，又，若超過上限值即3μm，則最終對鎳層進行剝離或溶解時之負擔會變大，而使生產效率變差。
如圖1所示，於鍍敷該鎳層(B)之後，立即藉由電鍍連續地形成厚度0.1~5μm之薄銅層(C)。首先形成該薄銅層為其特徵，且該薄銅層具有重要之功能。
因為該薄銅層(C)擔負了抑制之前鎳層(B)之氧化、使密合性良好之重大功能。該銅層本身係耐氧化性豐富。用以產生該效果之所需最低限之厚度0.1μm。若薄銅層(C)之厚度超過5μm，則表面凹凸會變大，膜厚之均勻性下降，故最佳係設為上述數值之膜厚。
於上述薄銅層(C)上，可進一步形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。其通常被稱為鉻層或者鉻酸鹽層。
於圖1，亦圖示有形成該防銹層之步驟，但該步驟並非 必需。然而，就抑制鍍銅層之稍微之氧化、或預防腐蝕性物質之附著之意圖而言有效。因此，該防銹步驟為較佳之形態。
若Cr含量未達10μg/dm2 ，則防銹層之控制會變困難，因此設為該以上。又，若Cr含量超過50μg/dm2 ，則效果飽和，且由於步驟增加產生之負擔變大，因此較理想的是將上限值設為如上所述。
經過該等步驟之銅箔幾乎不會發生表面之氧化。此後，形成厚銅層(D)。即，於非連續步驟中，藉由電鍍於上述(A)、(B)、(C)上形成5μm以上之厚銅層(D)。即，薄銅層(C)與厚銅層(D)均為銅層，但成為各自獨立之鍍銅層。
將其示於圖2。該圖2所示之步驟係使用滾筒型電極，使銅箔環繞該電極之周圍，進行電鍍者，因此與上述曲折式鍍銅方法相比，厚度之精度極高。具體而言，於圖2實施1次鍍敷，但並不限制於該步驟，可設為1次或2次以上。
厚銅層(D)係藉由蝕刻形成電路之銅部分，故重要的是其厚度之控制，具體而言，較理想為使板厚精度未達±5%。(再者，本說明書中之「板厚精度」無特別記載時，意味著「±」。)因此，對於薄銅層(C)，需要形成5μm以上。上限並不受到限定，但就為形成電路之層而言，較理想的是20μm以下。
再者，於本發明，重要的是厚銅層(D)之厚度精度， 但鎳層(B)與薄銅層(C)較薄，故對不均之影響度較小，且壓延銅箔或電解銅箔(A)係對銅箔進行壓延或電解而製品化者，其板厚精度未達5%，故將壓延銅箔或電解銅箔(A)、鎳層(B)、薄銅層(C)、厚銅層(D)之合計之板厚作為複合銅箔之板厚，若能確保複合銅箔之板厚精度未達5%，則厚銅層(D)之板厚精度評估為未達±5%。
以上，如上述，於鎳層(B)上、薄銅層(C)上，與薄銅層(C)不同地使用板厚精度較高之電解電鍍方法來形成厚度經過控制的厚銅層(D)，進而，成為於鎳層(B)、薄銅層(C)、厚銅層(D)間完全未發現剝離之複合銅箔。此係本案發明之一大特徵。
於上述(D)層上，亦可進一步形成防銹層。其為任意且雖為較佳之條件，但並非必需。再者，防銹層之形成條件與上述相同。於該情形時，會有對圖案蝕刻液產生蝕刻速度之差異的可能性，但可藉由適當選擇該量而進一步抑制厚銅層(D)之表面之氧化，因此可實現保持電路寬度之圖案之形成。
下述表示代表性且較佳之鍍敷條件之例。
(鍍銅(曲折式))
銅：10~50 g/l
硫酸：50~100 g/l
溫度：40~60℃
電流密度：1~5 A/dm2
(鍍銅(滾筒式))
Cu：90 g/L
H2 SO4 ：80 g/L
Cl：60 ppm
液溫：55~57℃
添加劑：二硫雙(3-磺丙基)二鈉(bis(3-sulfopropyl)disulfide disodium)(RASCHlG公司製造CPS)50 ppm
添加劑：二苄胺(dibenzylamine)改質物50 ppm
(鍍鎳)
硫酸鎳：250~300 g/L
氯化鎳：35~45 g/L
乙酸鎳：10~20 g/L
檸檬酸三鈉：15~30 g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二基硫酸鈉：30~100 ppm
pH：4~6
浴溫：50~70℃
(鉻酸鹽處理之條件)
浸漬鉻酸鹽處理
K2 Cr2 O7 (Na2 Cr2 O7 或者CrO3 )：0.1~5 g/升
pH：2~13
溫度：常溫~60℃
時間：5~30秒
(鹼蝕刻之條件)
NH4 OH：6莫耳/升
NH4 Cl：5莫耳/升
CuCl2 ：2莫耳/升
液溫：50℃
(鎳及鉻之附著量分析方法)
利用濃度30%之硝酸，至少使樣品溶解至鎳層溶解，適當稀釋燒杯中之溶解液，以原子吸光分析進行鎳及鉻之定量分析。
於使用上述複合銅箔製作覆銅積層板，並形成使用有該覆銅積層板之電路時，於厚銅層(D)上形成電路形成用抗蝕圖案，進而使用蝕刻液，將附有上述抗蝕圖案之部分外之上述厚銅層(D)及薄銅層(C)積層部不需要部分加以去除至鎳層(B)表面為止。或者，於樹脂側形成通孔而形成多層電路。
另一方面，於壓延銅箔或電解銅箔(A)側，在(A)上形成凸塊形成用抗蝕圖案，並藉由蝕刻將抗蝕圖案部以外(A)之不要的部分去除直至鎳層(B)表面。此後，視需要去除(B)之不要的部分。自該抗蝕圖案之形成起至不要的銅箔去除係通常進行之方法，因此無需多作說明，故省略。
再者，本發明之特徵在於，於壓延銅箔或電解銅箔(A)、鎳層(B)、薄銅層(C)、厚銅層(D)間，完全未發現剝離，故可同時實現(A)為凸塊形成層，(D)+(C)為電路形成層之活用，但亦可用作如下之先前之用途：於(D)表面上形成樹脂層後去除(A)、視狀況去除(B)、 且亦包含(C)而於(D)形成電路。
又，不進行用以提高如專利文獻7、8之密合性之壓接加工，故(D)表面，可直接活用(D)形成時之電鍍粒，可不實施粗化處理，且與樹脂之密合性優異。再者，亦可實施粗化處理。
於使用銅箔之情形時，亦可相同地應用於電解銅箔之粗化面(M面)或光澤面(S面)，但蝕刻之面係通常使用光澤面側或者與光澤面同等級以上平滑之銅箔之M面。於使用壓延銅箔之情形時，亦可使用高純度壓延銅箔或已提高強度之壓延合金銅箔。本案發明包含所有該等銅箔。
又，於實施本案發明時，只要不與本案發明發生矛盾，則可利用所有上述敍述之公知技術。
實施例
接著，對本發明之實施例及比較例進行說明。再者，本實施例係用以使理解變得容易，並不限制於上述例。即，本發明於本說明書中記載之技術思想之範圍內，包含所有除上述所示之實施例外之態樣或者變形。
(實施例1)
作為基底箔，使用70μm厚之電解銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該電解銅箔施以0.7μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成0.2μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成10 μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅構成之複合 銅箔。
由薄銅/厚銅構成之銅層之厚度之測定係如下所述般進行。將由薄銅/厚銅構成之銅層之反面(基底箔側)向FR-4樹脂加壓並進行遮蔽。以鹼蝕刻使該樣品溶解直至由薄銅/厚銅構成之銅層溶解，並根據溶解前後之重量變化，對每單位面積之銅之重量厚度進行測定。進而，若除以銅之比重8.93 g/(m2 ．μm)，則可算出厚度(μm)。
為了精度良好地求出厚度，較理想的是對20 cm2 以上之面積進行測定。測定係求出10處之板厚，而算出平均值，且不均係設為(最大值-平均值)/平均值×100、或(平均值-最小值)/平均值×100中較大者。評估係將未達5%設為「○」，將5%以上且未達10%設為「△」，將10%以上設為「×」。
關於密合性，於極薄銅箔側以150℃以上對基材進行積層，對剝離強度進行測定。於可產生剝離且在剝離強度未達0.5 kg/cm而剝離時設為「×」。於不會剝離或者剝離強度為0.5 kg/cm以上之情形時設為「○」。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(實施例2)
作為基底箔，使用12μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以0.6μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成0.1μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成5 μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(實施例3)
作為基底箔，使用18μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以1μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成2μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成10 μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(實施例4)
作為基底箔，使用35μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以3μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地 形成4μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，使用上述浸漬條件進行鉻酸鹽處理後，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成20μm之電鍍銅層。再者，鍍銅層(C)與電鍍層(D)之間Cr量為15μg/dm2 。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/防銹層/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(實施例5)
作為基底箔，使用18μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以1μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成2μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，於使用上述浸漬條件而進行鉻酸鹽處理後，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成10μm之電鍍銅層。再者，鍍銅層(C)與電鍍層(D)之間Cr量為45μg/dm2 。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/防銹層/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(實施例6)
作為基底箔，使用18μm厚之電解銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以1μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地 形成2μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，於使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成10 μm之電鍍銅層(D)後，使用上述浸漬條件進行鉻酸鹽處理。再者，電鍍層(D)上之Cr量為30μg/dm2 。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅/防銹層構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好。將該結果相同地示於表1。
(比較例1)
作為基底箔，使用70μm厚之電解銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該電解銅箔施以1μm之鍍鎳(B)。使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，於該(B)上形成10μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，但剝離強度未達0.5 kg/cm使密合性不足。將該結果相同地示於表1。
(比較例2)
作為基底箔，使用70μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以3μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成0.01μm之中間電鍍銅層(C)。
進而，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，於該層(C)上形成10μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，板厚精度未達5%為良好，又，剝離強度未達0.5 kg/cm使密合性不足。可認為其原因在於，中間電鍍銅層(C)之厚度不充分。將該結果相同地示於表1。
(比較例3)
作為基底箔，使用12μm厚之電解銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該電解銅箔施以1μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成20μm之電鍍銅層(C)。形成10μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，於步驟中，完全未發現鎳層與銅層之間之剝離，但板厚精度為10%以上。可認為其原因在於，於板厚精度差之圖1的鍍敷裝置，未產生厚鍍敷。將該結果相同地示於表1。
(比較例4)
作為基底箔，使用12μm厚之壓延銅箔(A)。使用圖1所示之鍍敷裝置，並使用上述鍍敷條件，對該壓延銅箔施以0.7μm之鍍鎳(B)。其次，於該鍍鎳層(B)上，連續地形成6μm之中間電鍍銅層(C)。進而，使用圖2所示之裝置(滾筒型電極)，形成10μm之電鍍銅層。藉此，製造由銅/鎳/薄銅/厚銅構成之複合銅箔。其他試驗條件係與實施例1相同。
以上之結果，剝離強度為0.5 kg/cm以上使密合性良好，但板厚精度為5%以上且未達10%。可認為其原因在於， 使板厚精度差之薄銅層變厚，而板厚精度變差。將該結果相同地示於表1。
[產生上之可利用性]
本發明具有如下等明顯之效果：可獲得一種於製造由銅/鎳/銅構成之複合銅箔時，可提高鎳與銅之接合強度，且適於藉由蝕刻形成電路之複合銅箔及其製造方法。
圖1係表示於製造由銅/鎳/銅構成之複合銅箔時使用之曲折式鍍敷裝置的例子。
圖2係表示使用有於形成略厚於薄銅層(C)之銅層(D)時使用之滾筒型電極裝置之例。

Claims (13)

  1. 一種複合銅箔，係由厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔、及形成於其兩面或單面之厚度0.5~3μm之鎳層、厚度5.1μm以上之銅層構成者，該銅層之板厚精度未達±5%，且剝離強度為0.5kg/cm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之複合銅箔，其中，該銅層由薄銅層(C)與厚銅層(D)之兩層構成。
  3. 如申請專利範圍第2項之複合銅箔，其由銅/鎳/薄銅/厚銅構成，且薄銅層(C)之厚度為0.1~5μm，進而厚銅層(D)之厚度為5μm以上。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之複合銅箔，其中，於該薄銅層(C)及/或厚銅層(D)上具備Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
  5. 一種複合銅箔之製造方法，係於厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔(A)之兩面或單面，藉由電鍍形成厚度0.5~3μm之鎳層(B)，於鍍敷該(B)層之後，立即藉由電鍍連續地形成薄銅層(C)，進而於非連續步驟中，藉由電鍍於該(C)層上形成厚銅層(D)。
  6. 一種複合銅箔之製造方法，係於厚度為10~150μm之壓延銅箔或電解銅箔(A)之兩面或單面，藉由電鍍形成厚度0.5~3μm之鎳層(B)，於鍍敷該(B)層之後，立即藉由電鍍連續地形成厚度0.1~5μm之薄銅層(C)，進而於非連續步驟中，藉由電鍍於該薄銅層(C)上形成5μm以上之厚銅層(D)。
  7. 如申請專利範圍第5項之複合銅箔之製造方法，其中，於該薄銅層(C)及/或厚銅層(D)上形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
  8. 如申請專利範圍第6項之複合銅箔之製造方法，其中，於該薄銅層(C)及/或厚銅層(D)上形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
  9. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，於該薄銅層(C)上預先形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層後，形成厚銅層(D)。
  10. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，於該厚銅層(D)上形成Cr含量為10~50μg/dm2 之防銹層。
  11. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之複合銅箔之製造方法，其中，使用滾筒型電極以電鍍形成該薄銅層(C)。
  12. 如申請專利範圍第9項之複合銅箔之製造方法，其中，使用滾筒型電極以電鍍形成該薄銅層(C)。
  13. 如申請專利範圍第10項之複合銅箔之製造方法，其中，使用滾筒型電極以電鍍形成該薄銅層(C)。
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