JP4227967B2 - 基板及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板及び電子部品の製造方法に関する。

従来、絶縁材料からなる基材と、その上面及び下面に形成された導体層と、を備える基板（単層板）に基材を貫通する導体部を形成し、導体部を形成した単層板を重ね合わせて単層板間を接続（層間接続）した電子部品が知られている。このような電子部品に用いられる単層板の導体部は、例えば、以下のような方法によって形成されている。図７及び図８は、単層板の導体部の形成工程を説明するための図である。

まず、上面に導体膜２が形成され、下面に下部導体層３が形成されている、所定の厚みを有する絶縁材料からなる基材１を準備する。この基材１に導体膜２を覆うように、レジストとなるドライフィルム６を貼り付け、露光と現像を行うことで、図７（ａ）に示すように、後述する導体部の径に相当する穴７を形成する。次に、穴７の底面に露出する導体膜２に対してエッチングを行い、穴７から露出する導体膜２を除去することにより、図７（ｂ）に示すように、基材１を露出させる。穴７の底部に基材１を露出させた後、図７（ｃ）に示すように、ドライフィルム６を剥離するとともに、レーザ照射によって穴７の径に相当する開口部８を形成する。開口部８を形成した後、図７（ｄ）に示すように、基材１における上層側および開口部８に対し、一様に化学めっきとなる無電解めっきを施し、無電解めっき層９を形成する。

無電解めっき層９を形成した後、無電解めっき層９を給電膜（電極）として電解めっきを施し、図８（ａ）に示すように、開口部８の内部および導体膜２の上側に金属１０を析出させる。そして、図８（ｂ）に示すように、電解めっきによって開口部８の内部を金属１０で充填させた後、図８（ｃ）に示すように、サブトラクティブ法によって、導体膜２と下部導体層３とにパターンニングを行い、上部配線パターン４と下部配線パターン５とを形成するとともに、開口部８内に導体部１１を形成する。

また、単層板の導体部の形成方法としては、例えば、スルーホール内底部の無電解めっき層を用い基材と導体部との密着性の向上を図る方法や（例えば、特許文献１参照）、無電解めっき層に代えて他の処理を適用する方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。

しかし、無電解めっき層９を形成した後に、電解めっきを施し開口部８を金属１０で埋めようとすると、基材１の片側表面全体にめっき層が厚く形成されてしまい、この結果、図８（ｃ）に示すように、エッチングにて配線パターンを形成する際に、配線パターンの断面が台形になってしまい、寸法精度の低下や、幅の狭い配線パターンが形成できなくなるという問題がある。

また、無電解めっき層９を形成し、これを電極として電気めっきを施すと、この無電解めっき層９における表面と穴の内側とでは、表面の方が新鮮なめっき液が多くあたる。このため、表面での電気めっき層の成長が促進され、この結果、開口部８に金属１０が充填される前に、開口部８が電気めっき層によって塞がれ、導体部１１の内部に空隙（いわゆるボイド）が生じてしまうおそれがある。

また、無電解めっきを使用せず、他の前処理を施す場合でも同様の問題が生じるおそれがある。

ところで、電気めっきの前処理である無電解めっきまたはこれに準じる他の前処理（以下、無電解めっき等という）を使用する場合には、導体以外の部分（絶縁体部分）にもめっきを付着させるため、金属触媒が用いられる。しかし、この金属触媒が配線層の表面に残留すると、絶縁抵抗値が低下したり、配線パターンの短絡等の障害を引き起こす可能性がある。特に、近年の電子部品では狭ピッチ化が進んでおり、このような障害のおそれが一層高まっている。

かかる問題を解決すべく、本出願人は、導体部の形成領域に下部導体層を底部とする開口部を導体膜側より形成し、下部導体層を電極として開口部の底部より金属めっきを成長させ、金属めっきが導体膜に達し開口部内に導体部を形成した後に、導体膜と導体部とを電極として、これら導体膜と導体部の上面に金属めっきを成長させ、上部導体層を形成するだけの厚みを形成する方法を提案した（特許文献３参照）。

この方法によれば、無電解めっき等の工程を削除することができるので、製造工程の簡略化を達成することができる。また、導体膜をいわゆるストッパとして用いており、複数の開口部の間に容積のばらつきがあったとしても導体部が導体膜に導通した時点から電極面積が増大し、これに伴い電流密度が大幅に低下する。このため、めっきの析出速度が低下し、開口部の容積にばらつきがあっても、めっき高さに対する影響を抑えることができる。
特開平５−３３５７１３号公報 特開２００３−１１０２１１号公報 特開２００５−１９９１８号公報

ところで、基板サイズが大きくなると、このサイズ変更に伴って基板に形成された開口部（ビアホール）の数が多くなる。開口部の数が多くなると、開口部のばらつきも大きくなり、下部導体層と導体膜とのめっき接続において、どこかの開口部で先に導体部と導体膜とが接触すると、導体部と導体膜とが接触していない開口部ではめっき析出が不十分になり、開口部を充分にめっきで充填できなくなってしまう。これは、先に導体部と導体膜とが接触した箇所及びその付近に電流密度が集中し、その周辺の開口部への電流供給が低下してしまうためである。このため、各開口部に供給される電流分布が不均一となり、めっきの析出レートが異なってしまう。この結果、析出が不十分であったり、空隙のある析出がされたり、めっき析出高さが異なったりしてしまう。このような場合、めっき時間を長くしたり、電流供給量を増加させたり、或いは、めっきの液組成の変更など種々の方策があるが、全ての開口部に同じようにめっきを充填することは困難である。

かかる場合に、特許文献３のように、導体膜をいわゆるストッパとして用いることも考えられるが、導体膜と接触していない導体部の成長が抑制されてしまうため、導体部と導体膜とが接続されていない開口部が多い場合には効率的な方法とはいえなかった。また、開口部の形状が揃っていない場合、あるいは、開口部の形状が異なっている場合など、下部導体層と導体膜とが接続されない箇所が生じるおそれがある。このため、電気的信頼性が高く、より効率的な電子部品の製造方法が求められている。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、無電解めっき等の工程を行うことなく、電気的信頼性が高く、効率的な基板及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる基板の製造方法は、
開口を有する第１の導電部材と第２の導電部材とに挟まれた第１の絶縁部材に、前記第１の導電部材の開口から前記第２の導電部材側に前記第１の絶縁部材を貫通するとともに、前記第１の導電部材の開口よりも小さく、かつ、該第１の導電部材の開口から所定の距離を有するように開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部に充填される導電体が前記第１の導電部材に接触しないように、少なくとも前記開口部周囲の前記第１の導電部材を完全に覆うように導体マスク用の第２の絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
前記第２の絶縁部材が形成された後、前記第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部の前記第２の導電部材側から電気めっきにより金属めっきを成長させ、前記開口部に金属めっきを充填する金属めっき充填工程と、
前記第２の絶縁部材を除去する絶縁部材除去工程と、
前記第２の絶縁部材が除去された第１の導電部材または第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部に充填された金属めっきと前記第１の導電部材とをめっき接続するめっき接続工程と、
を備えることを特徴とする。

この構成によれば、無電解めっき工程を行っていないので、製造工程を簡略化することができる。また、無電解めっき工程で用いられる金属触媒等の残留を防止でき、電子部品の電気的信頼性を向上させることができる。

また、少なくとも開口部周囲の第１の導電部材に第２の絶縁部材が形成されているので、金属めっき充填工程で成長した金属めっきが第１の導電部材に接触せず、各開口部に安定した電流供給が行われる。このため、各開口部におけるめっき析出が充分に行われ、開口部を金属めっきで充填することができる。さらに、第２の絶縁部材を除去した後に、第１或いは第２の導電部材より給電を行い、開口部に充填された金属めっきと第1の導電部材とをめっき接続するので、確実に第１の導電部材と第２の導電部材とを接続することができる。このため、例えば、開口部の形状が揃っていなくても、或いは、開口の形状が異なっていても、開口部にめっき析出することができる。

本発明の第２の観点にかかる電子部品の製造方法は、第１の観点にかかる方法により製造された基板を積層することを特徴とする。

本発明の第３の観点にかかる電子部品の製造方法は、
開口を有する第１の導電部材と第２の導電部材とに挟まれた第１の絶縁部材に、前記第１の導電部材の開口から前記第２の導電部材側に前記第１の絶縁部材を貫通するとともに、前記第１の導電部材の開口よりも小さく、かつ、該第１の導電部材の開口から所定の距離を有するように開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部に充填される導電体が前記第１の導電部材に接触しないように、少なくとも前記開口部周囲の前記第１の導電部材を完全に覆うように導体マスク用の第２の絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
前記第２の絶縁部材が形成された後、前記第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部の前記第２の導電部材側から電気めっきにより金属めっきを成長させ、前記開口部に金属めっきを充填する金属めっき充填工程と、
前記第２の絶縁部材を除去する絶縁部材除去工程と、
前記第２の絶縁部材が除去された第１の導電部材または第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部に充填された金属めっきと前記第１の導電部材とをめっき接続するめっき接続工程と、
を備えることを特徴とする。

この発明によれば、多数個の開口部（開口部については大きさが異なってもよいし、形状が異なっていてもよい）を備える基板、電子部品等においても開口部の導体形成を確実に行うことができ、高い接続信頼性を得ることができる。このため、信号伝送やグランドの電磁遮蔽等の配線間を接続形成したり、電源系の配線間を接続形成する開口部として、応用することができ、さらに、放熱用のフィンとしての応用展開を行うことができる。

本発明によれば、無電解めっき等の工程を行うことなく、電気的信頼性が高く、効率的な基板及び電子部品の製造方法を提供できる。

以下、本発明の基板及び電子部品の製造方法について、図面を参照して説明する。図１は、本実施の形態の基板の製造方法によって製造された基板（単層板）の構成を示す断面図である。

図１に示すように、基板としての単層板２０は、第１の絶縁部材としての基材２２と、第１の導電部材としての上部導体２４と、第２の導電部材としての下部導体２６と、導電体（穴埋め金属めっき）としての導体部３０と、導電体（金属めっき）としての導体部３６と、を備えている。

基材２２は、所定の厚みを有する絶縁部材から構成されている。基材２２には、基材２２を貫通するように、下部導体２６を底面とする開口部２８が形成されている。開口部２８は、基材２２の下面側（下部導体２６側）から上面側（上部導体２４側）に向かって拡径するように形成されている。このように拡径にすることにより、開口部２８にめっきが入りやすくなり、形成される導体部３０内部にボイドが生じにくくなる。また、上部導体２４と導体部３０とが密着しやすくなり、接合強度が向上する。このため、外力によって導体部３０が開口部２８から剥離するという不具合を防止することができる。このような開口部２８は、基材２２に多数形成されている場合により効果が大きい。本発明は、基材２２に複数形成された開口部２８のばらつきが大きくなったときにも、各開口部２８に導体部３０を確実に形成可能な方法だからである。

上部導体２４は、導電体から構成されている。上部導体２４は、基材２２上に形成され、基材２２の開口部２８に対応する位置に開口が形成されている。本実施の形態では、開口部２８が、上部導体２４の開口よりも小さく、上部導体２４の開口との間に所定の距離を有するように形成されている。例えば、上部導体２４の開口が径２６０μｍの円形状の場合、開口部２８は、上部導体２４の開口より露出された基材２２の上面から基材２２を貫通して下部導体２６を露出するとともに、上部導体２４の開口との間に所定の距離を有するように径１６０μｍの円形状に形成されている。

下部導体２６は、導電体から構成されている。下部導体２６は、基材２２の下面に形成されている。

導体部３０は、金属めっきから構成され、開口部２８の内部に形成されている。導体部３６は、金属めっきから構成され、導体部３０及び上部導体２４上に形成されている。導体部３０及び導体部３６は、溶液維持費、溶液材料費の高い無電解めっき等の前処理を行わず、電気めっきのみによって形成されている。このため、後述するように、導体部３０及び導体部３６を形成する際に、無電解めっき等の前処理工程が不要になる。この結果、製造工程の短縮化が達成でき、安価に製造できる。さらに、無電解めっき等の前処理工程が不要なので、例えば、無電解めっき処理の反応速度の向上に使用される金属触媒が配線パターン側に残留するのを防止でき、電子部品の信頼性を向上させることが可能になる。また、上部導体２４と導体部３０とを電気めっき時の給電用の電極とすることができるので、電気めっきの時間管理等によって、配線パターンに必要な膜厚（上部導体２４と導体部３６との厚み）を確保することができる。

このように構成された単層板２０を、例えば、電気めっきにより形成された導体部３０または導体部３６の表面の凹凸を研磨し、さらにパターニング処理を施して電極パターンを形成した後、単層板２０を含む基板等を積層することにより多層基板（電子部品）が形成される。図２及び図３に電子部品の一例を示す。

図２（ａ）では、下層に上部導体２４及び下部導体２６が形成された単層板２０の上に、下部導体が形成されていない２枚の単層板を配置し、例えば、熱圧着により積層することにより、図２（ｂ）に示すような電子部品を形成している。図２（ｃ）では、上部導体２４及び下部導体２６が形成された単層板２０の上に下部導体が形成されていない単層板を配置するとともに、単層板２０下に上部導体が形成されていない単層板を配置し、例えば、熱圧着により積層することにより図２（ｂ）に示すような電子部品を形成している。

図３（ａ）では、上部導体２４及び下部導体２６が形成された２枚の単層板２０の間にプリプレグ（接着シート）４１を配置し、単層板同士を接着（積層）することにより電子部品を形成している。なお、基板間の配線は、貫通孔（スルーホール）などを用いてもよい。図３（ｂ）では、上部導体２４及び下部導体２６が形成された単層板２０の上下にＲＣＣ４２を貼り付けることにより電子部品を形成している。すなわち、単層板２０を心材（コア材）に適用し、この心材（コア材）の両面に配線層を積層させたものである。

次に、基板及び電子部品の製造方法について説明する。図４は、単層板の製造工程を説明するための図である。

まず、上面の全面に上部導体２４が形成され、下面の全面に下部導体２６が形成されている、所定の厚みを有する絶縁材料からなる基材２２を準備する。次に、例えば、上部導体２４上の所定の領域にレジスト（ドライフィルム）を配置し、エッチング処理（フォトエッチング）を行うことにより、上部導体２４に、例えば、径が２００μｍの円形の開口２４ａを所定数形成する。続いて、上部導体２４の開口２４ａにより露出された基材２２の所定の領域をブラスト処理、レーザ加工またはプラズマ処理により下部導体２６が露出するまで絶縁材料を除去し、開口部２８を所定数形成する。なお、レーザ加工を適用する場合では、絶縁材料からなる絶縁部材（基材２２）への加工には、炭酸ガスレーザが用いられ、導体への加工には、ＹＡＧ レーザ（Yttrium Aluminum Garnet laser）が用いられることが多いが、導体も絶縁部材の加工も炭酸ガスレーザーを用いる場合もある。このため、これらのレーザを使用する場合には、開口２４ａを形成する際に、上部導体２４へのエッチング処理は行われない。また、異なるレーザを使用する場合には、加工効率向上の見地から（例えば画像認識処理装置のような）同一の位置決め機構に搭載し、導体と絶縁部材との連続加工を行うようにしてもよい。

ここで、開口部２８は、基材２２の下面側から上面側に向かって拡径するように形成することが好ましい。このように拡径することにより、後述する開口部２８にめっきを充填する際に、開口部２８にめっきが入りやすくなり、形成される導体部３０内部にボイドが生じにくくなる。また、上部導体２４と導体部３０とが密着しやすくなり、接合強度が向上する。

また、開口部２８は、上部導体２４の開口２４ａよりも小さく、上部導体２４の開口２４ａとの間に、後述するマスクが配置できるように、所定の距離を有するように形成する。例えば、開口部２８は、上部導体２４の開口２４ａから５０μｍの距離を有するように、径１６０μｍの円形状に形成する。この開口部２８を形成した状態を図４（ａ）に示す。

次に、上部導体２４上に、開口部２８に充填される金属めっきが上部導体２４に接触しないように、少なくとも開口部２８周囲の上部導体２４に、絶縁材料、例えば、感光性樹脂等により構成されたマスク３２を配置する。本実施の形態では、図４（ｂ）に示すように、上部導体２４を完全に覆うようにマスク３２を形成する。

このマスク３２には、上部導体２４上にマスク３２が配置された状態で、開口部２８及び上部導体２４の開口２４ａに対応する位置に穴３２ａが形成されている。本実施の形態では、穴３２ａは、開口部２８の径より大きく、上部導体２４の開口２４ａの径より小さくなるように形成されている。このため、穴３２ａは、その内側面が開口部２８と上部導体２４の開口２４ａとの間に位置する。この結果、マスク３２は、上部導体２４上に配置された状態で、上部導体２４を完全に覆うとともに開口部２８を露出する。

また、下部導体２６の下面にも絶縁材料、例えば、感光性樹脂等により構成されたマスク３４を形成する。これにより、図４（ｂ）に示す状態となる。

次に、下部導体２６を電気めっき電極（給電用の電極）として電気めっきを行う。めっきによって析出される金属は、開口部２８の最下位置すなわち下部導体２６の露出領域から成長する。そして、下部導体２６を起点とした金属めっきの成長が続くと、開口部２８の内側は金属めっきによって充填され、図４（ｃ）に示すように、導体部３０が形成される。この導体部３０の高さは、めっき条件や液組成により制御される。

ここで、上部導体２４はマスク３２で完全に覆われているため、仮に、析出されためっきが基板上層に達しても、析出されためっきと上部導体２４とは接触しない。このため、めっきの電流密度が急激に変わること無く、開口部２８に対して、めっきによる充填を安定して行うことができる。さらに、下部導体２６の下面にマスク３４が形成されているので、基板上下の応力バランスが保たれ、基板の破損、変形を抑制することができる。また、下部導体２６の露出を給電部とめっき面のみにすることができ、下部導体２６が受けるダメージを低下させることができる。さらに、開口部２８内への安定しためっき析出を行うことができる。これは、めっき液が、裏面（下部導体２６）に付着すると、開口部２８の電流密度の低下が起こり、開口部２８内への安定しためっき析出ができなくなるおそれがあるためである。

全ての開口部２８がめっきで充填され、開口部２８に導体部３０が形成されると、マスク３２を上部導体２４から剥離する。また、マスク３４を下部導体２６から剥離する。これにより、図４（ｄ）に示す状態となる。

次に、上部導体２４を電気めっき電極（給電用の電極）として電気めっきを行う。めっきによって析出される金属（導体部３６）は、図４（ｅ）に示すように、開口部２８上面の充填されためっき導体（導体部３０）と上部導体２４とを導体接続する。この結果、層間接続を行うことができる。なお、下部導体２６を給電用の電極として使用して電気めっきを行ってもよい。この場合にも上部導体２４を電気めっき電極とした場合と同様に、導体部３０と上部導体２４とを導体接続させることができる。

このように、めっき（導体部３０）と開口部２８上面側のめっき（導体部３６）とについて、それぞれ独立しためっきの析出（形成）が行えるようにしているので、めっきの充填部のボイドを無くし、析出高さを安定化させ、導体層間を良好な充填により導体接続を行うことができる。

続いて、例えば、単層板２０の上部突出しためっき（導体部３０、導体部３６）の凹凸を研磨した後、図４（ｆ）に示すように、下部導体２６等に所定のパターニング処理を施して電極パターンを形成する。そして、例えば、図２（ａ）に示すように、電極パターンが形成された単層板２０に下部導体が形成されていない２枚の単層板を配置し、絶縁層に熱可塑性樹脂を用いて熱圧着することにより、図２（ｂ）に示すような電子部品を製造することができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、上部導体２４がマスク３２に完全に覆われているため、析出されためっきが基板上層に達しても、析出されためっきと上部導体２４とは接触しない。このため、めっきの電流密度を急激に変えることが無く、開口部２８に対して、めっきによる充填を安定して行うことができる。従って、効率的に開口部２８の充填を行うことができる。

また、本実施の形態によれば、導体部３０と導体部３６とについて、それぞれ独立しためっきの析出（形成）が行えるようにしているので、めっきの充填部のボイドを無くし、析出高さを安定化させ、導体層間を良好な充填により導体接続を行うことができる。このため、電子部品の電気的信頼性を向上させることができる。

さらに、本実施の形態によれば、無電解めっき等の工程を削除することができるので、製造工程の簡略化を達成することができる。また、無電解めっき処理の反応速度の向上に使用される金属触媒が配線パターン側に残留するのを防止でき、電子部品の電気的信頼性を向上させることができる。

なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。

上記実施の形態では、上部導体２４を完全に覆うようにマスク３２を形成した場合を例に本発明を説明したが、マスク３２は、開口部２８に充填される導電体が上部導体２４に接触しないように、少なくとも開口部２８周囲の上部導体２４上に形成されていればよく、例えば、上部導体２４上の全面を覆っていなくてもよい。また、導体部３０が上部導体２４に接触しないように、開口部２８の周縁と上部導体２４の開口２４ａとがある程度離れていることが好ましい。

上記実施の形態では、マスク３２の穴３２ａが開口部２８の径より大きく、上部導体２４の開口２４ａの径より小さくなるように形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、図５（ａ）に示すように、マスク３２の穴３２ａが開口部２８の径と同じであってもよく、図５（ｂ）に示すように、開口部２８の径より小さくてもよい。また、上部導体２４の開口２４ａの径は開口部２８の径より大きいことが好ましいが、開口部２８の径と同じであってもよい。

上記実施の形態では、開口部２８が下部導体２６側から上部導体２４に向かって拡径となるように形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、図６（ａ）に示すように、開口部２８が上部導体２４側から下部導体２６に向かって拡径となるように形成されていてもよい。また、図６（ｂ）に示すように、開口部２８の径が変化しない場合であってもよい。

上記実施の形態では、基材２２の上に上部導体２４を形成し、基材２２の下に下部導体２６を配置した場合を例に本発明を説明したが、これらが逆であってもよい。

本実施の形態の単層板の構成を示す図である。 図１の単層板を積層した電子部品の構成を示す図である。 図１の単層板を備える他の電子部品の構成を示す図である。 図１の単層板の製造工程を説明するための図である。 単層板の他の例を示す図である。 単層板の開口部の他の例を示す図である。 従来の単層板の製造工程を説明するための図である。 従来の単層板の製造工程を説明するための図である。

符号の説明

２０ 単層板
２２ 基材（第1の絶縁部材）
２４ 上部導体（第１の導電部材）
２４ａ 開口
２６ 下部導体（第２の導電部材）
２８ 開口部
３０ 導体部（穴埋め金属めっき）
３２ マスク（第２の絶縁部材）
３２ａ 穴
３６ 導体部（金属めっき）

Claims (3)

1. 開口を有する第１の導電部材と第２の導電部材とに挟まれた第１の絶縁部材に、前記第１の導電部材の開口から前記第２の導電部材側に前記第１の絶縁部材を貫通するとともに、前記第１の導電部材の開口よりも小さく、かつ、該第１の導電部材の開口から所定の距離を有するように開口部を形成する開口部形成工程と、
   前記開口部に充填される導電体が前記第１の導電部材に接触しないように、少なくとも前記開口部周囲の前記第１の導電部材を完全に覆うように導体マスク用の第２の絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
   前記第２の絶縁部材が形成された後、前記第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部の前記第２の導電部材側から電気めっきにより金属めっきを成長させ、前記開口部に金属めっきを充填する金属めっき充填工程と、
   前記第２の絶縁部材を除去する絶縁部材除去工程と、
   前記第２の絶縁部材が除去された第１の導電部材または第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部に充填された金属めっきと前記第１の導電部材とをめっき接続するめっき接続工程と、
   を備えることを特徴とする基板の製造方法。
2. 請求項１に記載の方法により製造された基板を積層する、ことを特徴とする電子部品の製造方法。
3. 開口を有する第１の導電部材と第２の導電部材とに挟まれた第１の絶縁部材に、前記第１の導電部材の開口から前記第２の導電部材側に前記第１の絶縁部材を貫通するとともに、前記第１の導電部材の開口よりも小さく、かつ、該第１の導電部材の開口から所定の距離を有するように開口部を形成する開口部形成工程と、
   前記開口部に充填される導電体が前記第１の導電部材に接触しないように、少なくとも前記開口部周囲の前記第１の導電部材を完全に覆うように導体マスク用の第２の絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
   前記第２の絶縁部材が形成された後、前記第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部の前記第２の導電部材側から電気めっきにより金属めっきを成長させ、前記開口部に金属めっきを充填する金属めっき充填工程と、
   前記第２の絶縁部材を除去する絶縁部材除去工程と、
   前記第２の絶縁部材が除去された第１の導電部材または第２の導電部材を電気めっき時の給電用の電極として、前記開口部に充填された金属めっきと前記第１の導電部材とをめっき接続するめっき接続工程と、
   を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。

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