JP4051273B2 - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、製品部とこの周囲を取り囲む枠部とからなる配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、主面側と裏面側にそれぞれ導体層が形成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、製品部とこの周囲を取り囲む枠部とから構成された配線基板が知られている。
例えば、図７に主面９０２側から見た平面図、図８に裏面９０３側から見た平面図を示す配線基板９０１が挙げられる。この配線基板９０１は、コア基板の両面に複数の導体層と絶縁層が交互に積層された多層配線基板であり、略矩形の略板形状をなす。配線基板９０１の平面視略中央には、個々の製品９０５Ｓが複数（７×６＝４２個）繋がった製品部９０５が形成され、この周囲には、後に廃棄される枠部９０７が形成されている。
【０００３】
配線基板９０１の主面９０２側には、図７に概略を示すように、主面導体層９１１が形成されている。この主面導体層９１１は、製品部９０５に形成された主面製品導体部９１３と、枠部９０７に形成された主面枠導体部９１５とからなる。主面製品導体部９１３は、図９に製品部９０５を構成する個々の製品９０５Ｓの主面９０２側から見た平面図を示すように、複数の配線９１３Ｈやパッド９１３Ｐを有するが、その導体面積は比較的小さい。一方、主面枠導体部９１５は、図７に示すように、枠部９０７の略全面に略ベタ状に形成されている。
【０００４】
他方、配線基板９０１の裏面９０３側には、図８に概略を示すように、裏面導体層９３１が形成されている。この裏面導体層９３１は、製品部９０５に形成された裏面製品導体部９３３と、枠部９０７に形成された裏面枠導体部９３５とからなる。裏面製品導体部９３３は、図１０に個々の製品９０５Ｓの裏面９０３側から見た平面図を示すように、略格子状に並んだ多数のパッド９３３Ｐを有するが、その導体面積は、主面製品導体部９１３に比して著しく広い。一方、裏面枠導体部９３５は、図８に示すように、主面枠導体部９１５と同様、枠部９０７の略全面に略ベタ状に形成されている。
なお、このような技術に関連する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３１７２５０９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、主面側導体層９１１と裏面側導体層９３１は電解メッキを利用して一緒に形成されるが、主面製品導体部９１３の導体面積が、裏面製品導体部９３３の導体面積よりも小さいために、主面製品導体部９１３の導体層が薄く形成され、裏面製品導体部９３３の導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。これは、メッキ面積が狭いと、電流の流れが悪いためメッキが形成されにくく、メッキ面積が広いと、電流の流れが良いためメッキが形成されやすいことに起因すると考えられる。
【０００７】
また、主面製品導体部９１３のうち主面枠導体部９１５に近い部分（外側部分）は、導体層が薄く形成され、主面製品導体部９１３の中央部分は、導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。これは、主面枠導体部９１５のメッキ面積率は主面製品導体部９１３のメッキ面積率よりも大きいため、主面枠導体部９１５の導体層が主面製品導体部９１３の導体層よりも厚く形成されやすいが、そのとき、主面枠導体部９１５の形成にメッキが多く必要とされるため、主面製品導体部９１３のうち主面枠導体部９１５に近い部分では、メッキが形成されにくくなることに起因すると考えられる。同様な理由から、裏面製品導体部９３３のうち裏面枠導体部９３５に近い部分（外側部分）は、導体層が薄く形成され、主面製品導体部９３３の中央部分は、導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。
このように主面製品導体部９１３と裏面製品導体部９３３で導体層の厚みが異なったり、各導体部内で導体層の厚みに均一性がないと、配線基板９０１の信頼性に劣ることとなる。
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、製品部と枠部とからなる配線基板について、主面導体層と裏面導体層の厚みの均一性を向上させることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、を備え、上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板であって、上記主面枠導体部は、上記主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部と、この主面第１枠導体部よりも外側に位置する主面第２枠導体部とを有し、上記裏面枠導体部は、上記裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部を有し、上記枠部のうちの上記主面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記主面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、上記枠部のうちの上記裏面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、上記枠部のうちの上記主面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第２枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率よりも大きくされることにより、上記主面導体層の導体面積に対する上記裏面導体層の導体面積の割合が、上記主面製品導体部の導体面積に対する上記裏面製品導体部の導体面積の割合よりも小さくされている配線基板である。
【００１０】
本発明は、製品部に形成された主面製品導体部と枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、製品部に形成された裏面製品導体部と枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層とを有し、主面製品導体部の導体面積が、裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板に適用される。このような配線基板は、上述したように、主面導体層及び裏面導体層の厚みが不均一になりやすいからである。
【００１１】
本発明の配線基板は、主面枠導体部が、主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部と、この主面第１枠導体部よりも外側に位置する主面第２枠導体部とを有し、一方、裏面枠導体部は、裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部を有する。そして、枠部のうちの主面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第１枠導体部の導体面積率とも言う。）が、製品部の面積に占める主面製品導体部の導体面積の面積率（以下、主面製品導体部の導体面積率とも言う。）と同一とされている。また、枠部のうちの裏面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部の導体面積の面積率（以下、裏面第１枠導体部の導体面積率とも言う。）が、製品部の面積に占める裏面製品導体部の導体面積の面積率（以下、裏面製品導体部の導体面積率とも言う。）と同一とされている。
【００１２】
このように、主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部の導体面積率が、主面製品導体部の導体面積率と同一であれば、主面製品導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部のうち、主面枠導体部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部の導体面積率が、裏面製品導体部の導体面積率と同一であれば、裏面製品導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部のうち、裏面枠導体部に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００１３】
さらに、本発明の配線基板では、枠部のうちの主面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第２枠導体部の導体面積率とも言う。）が、上記の裏面製品導体部の導体面積率よりも大きくされることにより、主面導体層の導体面積に対する裏面導体層の導体面積の割合が、主面製品導体部の導体面積に対する裏面製品導体部の導体面積の割合よりも小さくされている。
【００１４】
このようにすれば、主面導体層の導体面積と裏面導体層の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面導導体層と裏面導体層（主面製品導体部と裏面製品導体部）の厚みの均一性を向上させることができる。
【００１５】
さらに、上記の配線基板であって、前記主面製品導体部の導体面積に対する前記裏面製品導体部の導体面積の割合が、３以上である配線基板において、前記主面導体層の導体面積に対する前記裏面導体層の導体面積の割合が、２以下とされている配線基板とするのが好ましい。
【００１６】
主面製品導体部の導体面積に対する裏面製品導体部の導体面積の割合が、３以上である配線基板では、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、特に、導体層の厚みに不均一が生じやすい。
そこで、上述した発明を適用するのが好ましいが、その際、本発明では、主面導体層の導体面積に対する裏面導体層の導体面積の割合を、２以下と小さくしている。このため、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００１７】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記主面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす主面第３枠導体部を有し、前記裏面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす裏面第２枠導体部を有し、上記枠部のうちの上記主面第３枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第３枠導体部の導体面積の面積率、及び、上記枠部のうちの上記裏面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第２枠導体部の導体面積の面積率は、いずれも１００％とされている配線基板とすると良い。
【００１８】
本発明では、主面枠導体部は、主面第１，第２枠導体部の他、配線基板の周縁をなす主面第３枠導体部を有し、また、裏面枠導体部は、裏面第１枠導体部の他、配線基板の周縁をなす裏面第２枠導体部を有する。そして、枠部のうちの主面第３枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第３枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第３枠導体部の導体面積率とも言う。）、及び、枠部のうちの裏面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部の導体面積の面積率（以下、裏面第２枠導体部の導体面積率とも言う。）は、いずれも１００％とされている。
このように、配線基板の周縁部をなす導体層をベタ状とすれば、主面導体層及び裏面導体層を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させて、電流を流すことができるので、主面側及び裏面側に電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面導体層及び裏面導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００１９】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記主面第１枠導体部及び前記裏面第１枠導体部は、いずれも多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層からなる配線基板とすると良い。
【００２０】
上述した発明においては、主面第１枠導体部の導体面積率は、主面製品導体部の導体面積率と同一であればよく、また、裏面第１枠導体部の導体面積率は、裏面製品導体部の導体面積率と同一であればよいので、主面第１枠導体部及び裏面第１枠導体部をどのような形状（パターン）としてもよい。例えば、主面第１枠導体部等の形状を、主面製品導体部等の配線等のパターンと同一のパターンとすることができる。
しかし、主面製品導体部や裏面製品導体部のパターンは、場所により粗密の差がある場合もあるため、主面第１枠導体部や裏面第１枠導体部のパターンをこのような偏った形状とすると、主面製品導体部及び裏面製品導体部の導体層の厚みに不均一が生じる可能性もある。
これに対し、本発明では、主面第１枠導体部及び前記裏面第１枠導体部を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、導体層に場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部及び裏面製品導体部の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００２１】
また、他の解決手段は、主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、を備え、上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板の製造方法であって、基板本体の上記主面側に、上記主面導体層に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層を形成すると共に、上記基板本体の上記裏面側に、上記裏面導体層に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層を形成するメッキレジスト層形成工程であって、上記主面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する主面製品レジスト部と上記枠部に形成する主面枠レジスト部とからなり、上記裏面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する裏面製品レジスト部と上記枠部に形成する裏面枠レジスト部とからなり、上記主面枠レジスト部は、上記主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部と、この主面第１枠レジスト部よりも外側に位置する主面第２枠レジスト部とを有し、上記裏面枠レジスト部は、上記裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部を有し、上記枠部のうちの上記主面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の主面側の露出部の露出割合と同一とされ、上記枠部のうちの上記裏面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合と同一とされ、上記枠部のうちの上記主面第２枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合よりも大きくされることにより、上記基板本体の主面側の露出面積に対する上記基板本体の裏面側の露出面積の割合が、上記基板本体の製品部における主面側の露出面積に対する上記基板本体の製品部における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされているメッキレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層形成工程後の上記基板本体に電解メッキを施し、上記基板本体の主面側の露出部に上記主面導体層に対応した電解メッキ層を形成すると共に、上記基板本体の裏面側の露出部に上記裏面導体層に対応した電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２２】
本発明は、製品部に形成された主面製品導体部と枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、製品部に形成された裏面製品導体部と枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層とを有し、主面製品導体部の導体面積が、裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板の製造に適用される。このような配線基板は、上述したように、主面導体層及び裏面導体層の厚みが不均一になりやすいからである。
【００２３】
本発明の製造方法は、メッキレジスト層形成工程と電解メッキ工程を備える。このうちメッキレジスト層形成工程では、基板本体の主面側に、主面導体層に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層を形成すると共に、基板本体の裏面側に、裏面導体層に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層を形成する。
具体的には、主面メッキレジスト層は、製品部に形成する主面製品レジスト部と枠部に形成する主面枠レジスト部とからなり、裏面メッキレジスト層は、製品部に形成する裏面製品レジスト部と枠部に形成する裏面枠レジスト部とからなる。このうち主面枠レジスト部は、主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部と、これよりも外側に位置する主面第２枠レジスト部とを有し、裏面枠レジスト部は、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部を有する。そして、枠部のうちの主面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、主面第１枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、製品部の面積に占める基板本体の主面側の露出部の露出割合（以下、主面製品レジスト部における露出割合とも言う。）と同一とされている。また、枠部のうちの裏面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、裏面第１枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、製品部の面積に占める基板本体の裏面側の露出部の露出割合（以下、裏面製品レジスト部における露出割合とも言う。）と同一とされている。
【００２４】
このように、主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部における露出割合が、主面製品レジスト部における露出割合と同一であれば、電解メッキ工程において、主面製品レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部のうち、主面枠レジスト部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部における露出割合が、裏面製品レジスト部における露出割合と同一であれば、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部のうち、裏面枠レジスト部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部の製品部分の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００２５】
さらに、本製造方法のメッキレジスト層形成工程では、枠部のうちの主面第２枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、主面第２枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、上記の製品レジスト部における露出割合よりも大きくされることにより、基板本体の主面側の露出面積に対する基板本体の裏面側の露出面積の割合が、基板本体の製品部における主面側の露出面積に対する基板本体の製品部における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされている。
【００２６】
このようにすれば、主面メッキレジスト層における基板本体の露出面積と裏面メッキレジスト層における基板本体の露出面積との差が、従来よりも小さくなる。このため、電解メッキ工程において、主面側と裏面側との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面導導体層と裏面導体層の厚みの均一性を向上させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１０１について、図１に主面１０２側から見た平面図を、図２に裏面１０３側から見た平面図を、図３に周縁付近の部分縦断面図を示す。なお、図１は主面側ソルダーレジスト層１１５がない状態を、図２は裏面側ソルダーレジスト層１１８がない状態を示している。
この配線基板１０１は、図１及び図２に示すように、平面視略矩形の略板形状をなす。配線基板１０１の平面視略中央には、個々の製品１０５Ｓが複数（７×６＝４２個）繋がった製品部１０５が形成され、この周囲には、後に廃棄される枠部１０７が形成されている。
【００２８】
配線基板１０１の内部についてみると、図３に示すように、この配線基板１０１は、その中心にガラス−エポキシ樹脂からなるコア基板１１１を備える。なお、図３中の破線は、製品部１０５と枠部１０７の境界を示す。コア基板１１１の主面１０２側には、エポキシ樹脂等からなる主面側第１絶縁層１１３、主面側第２絶縁層１１４、及び、主面側ソルダーレジスト層１１５が積層されている。一方、裏面１０３側にも、エポキシ樹脂等からなる主面側第１絶縁層１１６、裏面側第２絶縁層１１７、及び、裏面側ソルダーレジスト層１１８が積層されている。
【００２９】
また、配線基板１０１のうち、コア基板１１１の主面１０２側の表面には、Ｃｕからなる主面側第１導体層１２１が形成され、主面側第１絶縁層１１３の表面には、Ｃｕからなる主面側第２導体層１２３が形成され、さらに、主面側第２絶縁層１１４の表面には、Ｃｕからなる主面側第３導体層１２５が形成されている。同様に、コア基板１１１の裏面１０３側の表面には、Ｃｕからなる裏面側第１導体層１４１が形成され、裏面側第１絶縁層１１６の表面には、Ｃｕからなる裏面側第２導体層１４３が形成され、裏面側第２絶縁層１１７の表面には、Ｃｕからなる裏面側第３導体層１４５が形成されている。
【００３０】
さらに、配線基板１０１のうち、コア基板１１１には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる略筒状のスルーホール導体１６１が形成されている。また、層間接続のため、主面側第１絶縁層１１３には、これを貫通するＣｕからなる主面側第１ビア導体１６３が形成され、主面側第２絶縁層１１４には、これを貫通するＣｕからなる主面側第２ビア導体１６５が形成されている。同様に、裏面側第１絶縁層１１６には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる裏面側第１ビア導体１６７が形成され、裏面側第２絶縁層１１７には、これを貫通するＣｕからなる裏面側第２ビア導体１６９が形成されている。
【００３１】
上記のうち、主面側第３導体層１２５について詳述すると、この主面側第３導体層１２５は、製品部１０５に形成された主面製品導体部１２７と、枠部１０７に形成された主面枠導体部１２９とからなる。主面製品導体部１２７は、図４に製品部１０５を構成する個々の製品１０５Ｓの主面１０２側から見た平面図を示すように、複数の配線１２７Ｈやパッド１２７Ｐを有するが、その導体面積は比較的狭い。具体的には、製品部１０５全体の面積に占める主面製品導体部１２７の導体面積の面積率は、約５％である。なお、図４は主面側ソルダーレジスト層１１５がない状態を示している。
【００３２】
一方、主面枠導体部１２９は、図１に示すように、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０と、この主面第１枠導体部１３０よりも外側に位置しこれを取り囲む主面第２枠導体部１３１とを有し、さらに、この主面第２枠導体部１３１を取り囲み配線基板１０１の周縁をなす主面第３枠導体部１３２を有する。
これらの導体部のうち主面第１枠導体部１３０は、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状の導体層からなる。主面第１枠導体部１３０が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部１３０の導体面積の面積率は、約５％である。従って、上述の主面製品導体部１２７の導体面積率と同一にされている。
【００３３】
また、主面第２枠導体部１３１も、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状導体層からなる。主面第２枠導体部１３１が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部１３１の導体面積の面積率は、約９０％である。従って、後述する裏面製品導体部１４７の導体面積率（約８０％）よりも大きくされている。
また、主面第３枠導体部１３２は、ベタ状に形成されている。即ち、主面第３枠導体部１３２が形成された領域全体の面積に占める主面第３枠導体部１３２の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める主面側第３導体層１２５全体の導体面積の面積率は、約３０％である。
【００３４】
次に、裏面側第３導体層１４５について詳述すると、この裏面側第３導体層１４５は、製品部１０５に形成された裏面製品導体部１４７と、枠部１０７に形成された裏面枠導体部１４９とからなる。裏面製品導体部１４７は、図５に製品部１０５を構成する個々の製品１０５Ｓの裏面１０３側から見た平面図を示すように、略格子状に並んだ多数のパッド１４７Ｐを有するが、その導体面積は、主面製品導体部１２７の導体面積と比べてかなり広い。具体的には、製品部１０５の面積に占める裏面製品導体部１４７の導体面積の面積率は、約８０％である。なお、図５は裏面側ソルダーレジスト層１１８がない状態を示している。
【００３５】
一方、裏面枠導体部１４９は、図２に示すように、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０を有し、さらに、この裏面第１枠導体部１５０を取り囲み配線基板１０１の周縁をなす裏面第２枠導体部１５１を有する。
このうち裏面第１枠導体部１５０は、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状導体層からなる。裏面第１枠導体部１５０が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部１５０の導体面積の面積率は、約８０％である。従って、上述の裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一にされている。
【００３６】
また、裏面第２枠導体部１５１は、ベタ状に形成されている。即ち、裏面第２枠導体部１５１が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部１５１の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める裏面側第３導体層１４５全体の導体面積の面積率は、約８５％である。
【００３７】
従って、この配線基板１０１では、主面第２枠導体部１３１の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率よりも大きくされることにより、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合が、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合よりも小さくされている。
【００３８】
このような配線基板１０１は、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０の導体面積率が、主面製品導体部１２７の導体面積率と同一（約５％）であるので、主面製品導体部１２７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部１３０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部１２７のうち、主面枠導体部１２９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一（約８０％）であるので、裏面製品導体部１４７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部１５０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部１４７のうち、裏面枠導体部１４９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００３９】
また、主面第２枠導体部１３１の導体面積率を裏面製品導体部１４７の導体面積率よりも大きくして、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合を、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合よりも小さくしてるので、主面側第３導体層１２５の導体面積と裏面側第３導体層１４５の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層（主面導体層）１２５及び裏面側第３導体層（裏面導体層）１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００４０】
また、本実施形態では、配線基板１０１の周縁部をなす主面第３枠導体部１３２の導体面積率と裏面第２枠導体部１５１の導体面積率を、いずれも１００％としている。このため、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させ、電流を流すことができるので、電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、主面第１枠導体部１３０及び裏面第１枠導体部１５０を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、これらの導体部には、場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部１２７及び裏面製品導体部１４７の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００４２】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法について説明する。
まず、コア基板１１１の両面に銅箔を張り付けた両面銅張コア基板を用意する。そして、ドリルやレーザ等によって、スルーホール導体１６１を形成するためのスルーホールを所定の位置に形成する。
次に、コア基板１１１にＣｕ無電解メッキを施し、銅箔上及びスルーホールの内周面に無電解メッキ層を形成する。さらに、Ｃｕ電解メッキを施して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成する。これにより、銅箔上にベタ状のメッキ層が形成され、スルーホールの内周面に略筒状のスルーホール導体１６１が形成される。
【００４３】
その後、スルーホール導体１６１内に樹脂ペーストを印刷充填し、加熱して半硬化させる。そして、コア基板１１１から膨出した余分な樹脂を研磨除去し、さらに、加熱硬化させて、樹脂充填体を形成する。さらに、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解メッキを行い、スルーホール導体１６１上に蓋メッキ層を形成する。
その後、コア基板１１１の両面に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層及び銅箔をエッチング除去する。これにより、コア基板１１１上に主面側第１導体層１２１と裏面側第１導体層１４１が形成される。
【００４４】
次に、コア基板１１１上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側第１絶縁層を形成し、主面側第１ビア導体１６３を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する主面側第１絶縁層１１３を形成する。またこれと共に、裏面側第１ビア導体１６７を形成するためのビアホールを有する裏面側第１絶縁層１１６も形成する。
【００４５】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面側第１絶縁層１１３上及びそのビアホール内並びに裏面側第１絶縁層１１６上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。その後、両面の無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層をそれぞれ形成する。そして、Ｃｕ電解メッキを施して、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する。その後、メッキレジスト層を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面側第１ビア導体１６３及び裏面側第１ビア導体１６７が形成されると共に、所定パターンの主面側第２導体層１２３及び裏面側第２導体層１４３が形成される。
【００４６】
次に、主面側第１絶縁層１１３上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側第２絶縁層を形成し、主面側第２ビア導体１６５を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する主面側第２絶縁層１１４を形成する。またこれと共に、裏面側第２ビア導体１６９を形成するためのビアホールを有する裏面側第２絶縁層１１７も形成する。
【００４７】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面側第２絶縁層１１４上及びそのビアホール内並びに裏面側第２絶縁層１１７上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。
そして、メッキレジスト層形成工程において、図６に示すように、この基板本体１８１の主面側に、主面側第３導体層１２５に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層１８２を形成すると共に、裏面側に、裏面側第３導体層１４５に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層１９２を形成する。
【００４８】
具体的には、主面メッキレジスト層１８２は、製品部１０５に形成する主面製品レジスト部１８３と、枠部１０７に形成する主面枠レジスト部１８４とからなり、裏面メッキレジスト層１９２も、製品部１０５に形成する裏面製品レジスト部１９３と、枠部１０７に形成する裏面枠レジスト部１９４とからなる。このうち、主面枠レジスト部１８４は、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５と、この主面第１枠レジスト部１８５よりも外側に位置しこれを取り囲む主面第２枠レジスト部１８６からなる。また、裏面枠レジスト部１９４は、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５からなる。
【００４９】
そして、主面第１枠レジスト部１８５が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１８１の主面側の露出部の露出割合と同一とされる。また、裏面第１枠レジスト部１９５が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１１１の裏面側の露出部の露出割合と同一とされる。
さらに、主面第２枠レジスト部１８６が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１１の裏面側の露出部の露出割合よりも大きくされることにより、基板本体１１１の主面側の露出面積に対する基板本体１１１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１１１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１１１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされる。
【００５０】
次に、電解メッキ工程において、上記基板本体１８１にＣｕ電解メッキを施し、基板本体１８１の主面側の露出部に主面側第３導体層１２５に対応した電解メッキ層を形成すると共に、基板本体１８１の裏面側の露出部に裏面側第３導体層１４５に対応した電解メッキ層を形成する。
その後、主面メッキレジスト層１８２及び裏面メッキレジスト層１９２を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面側第２ビア導体１６５及び裏面側第２ビア導体１６９が形成されると共に、所定パターンの主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５が形成される。
【００５１】
次に、主面側第２絶縁層１１４上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側ソルダーレジスト層を形成し、所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定パターンの主面側ソルダーレジスト層１１５を形成する。またこれと共に、所定パターンの裏面側ソルダーレジスト層１１８を形成する。
以上のようにして、配線基板１０１が完成する。
【００５２】
このような製造方法によれば、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５における露出割合が、主面製品レジスト部１８３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程で、主面製品レジスト部１８３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部１８５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部１８３のうち、主面枠レジスト部１８４に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部１９３を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５における露出割合が、裏面製品レジスト部１９３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部１９３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部１９５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部１９３のうち、裏面枠レジスト部１９５に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００５３】
また、主面第２枠レジスト部１８６における露出割合を裏面製品レジスト部１９３における露出割合よりも大きくして、基板本体１８１の主面側の露出面積に対する基板本体１８１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１８１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１８１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくしている。このため、主面メッキレジスト層１８２における露出面積と裏面メッキレジスト層１９２における露出面積との差が、従来よりも小さくなる。従って、電解メッキ工程において、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００５４】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態の配線基板は、上記実施形態１の配線基板１０１と同様な構成をなす。
【００５５】
本実施形態では、まず、主面側第３導体層１２５について説明すると、製品部１０５全体の面積に占める主面製品導体部１２７の導体面積の面積率は、約３．３％である。
主面第１枠導体部１３０は、多数の矩形状の孔（１９６７μｍ×１９６７μｍ）が形成されたメッシュ状の導体層からなる。主面第１枠導体部１３０が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部１３０の導体面積の面積率は、約３．３％である。従って、本実施形態でも、上述の主面製品導体部１２７の導体面積率と同一にされている。
【００５６】
また、主面第２枠導体部１３１も、多数の矩形状の孔（９００μｍ×９００μｍ）が形成されたメッシュ状導体層からなる。主面第２枠導体部１３１が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部１３１の導体面積の面積率は、約８０％である。従って、後述する裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくされている。
また、主面第３枠導体部１３２は、上記実施形態１と同様に、ベタ状に形成されている。即ち、主面第３枠導体部１３２が形成された領域全体の面積に占める主面第３枠導体部１３２の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める主面側第３導体層１２５全体の導体面積の面積率は、約３８％である。
【００５７】
次に、裏面側第３導体層１４５について説明すると、製品部１０５の面積に占める裏面製品導体部１４７の導体面積の面積率は、約５０％である。従って、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合は、約１５倍である。
裏面第１枠導体部１５０は、多数の矩形状の孔（１５００μｍ×１５００μｍ）が形成されたメッシュ状導体層からなる。裏面第１枠導体部１５０が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部１５０の導体面積の面積率は、約５０％である。従って、本実施形態でも、上述の裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一にされている。
【００５８】
また、裏面第２枠導体部１５１は、上記実施形態１と同様に、ベタ状に形成されている。即ち、裏面第２枠導体部１５１が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部１５１の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める裏面側第３導体層１４５全体の導体面積の面積率は、約３８％である。従って、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合は、約１倍である。
【００５９】
よって、本実施形態の配線基板も、主面第２枠導体部１３１の導体面積率（約８０％）が、裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくされることにより、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合（約１倍）が、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）よりも小さくされている。
【００６０】
このような配線基板も、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０の導体面積率が、主面製品導体部１２７の導体面積率と同一（約３．３％）であるので、主面製品導体部１２７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部１３０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部１２７のうち、主面枠導体部１２９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一（約５０％）であるので、裏面製品導体部１４７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部１５０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部１４７のうち、裏面枠導体部１４９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００６１】
また、主面第２枠導体部１３１の導体面積率（約８０％）を裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくして、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合（約１倍）を、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）よりも小さくしてるので、主面側第３導体層１２５の導体面積と裏面側第３導体層１４５の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層（主面導体層）１２５及び裏面側第３導体層（裏面導体層）１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００６２】
また、配線基板の周縁部をなす主面第３枠導体部１３２の導体面積率と裏面第２枠導体部１５１の導体面積率を、いずれも１００％としている。このため、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させ、電流を流すことができるので、電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６３】
また、主面第１枠導体部１３０及び裏面第１枠導体部１５０を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、これらの導体部には、場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部１２７及び裏面製品導体部１４７の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６４】
さらに、本実施形態においては、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）が、３以上であるため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、特に、導体層の厚みに不均一が生じやすい。しかし、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１２５の導体面積の割合（約１倍）を、２以下と小さくしている。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６５】
なお、本実施形態の配線基板は、上記実施形態１の配線基板１０１と同様にして製造することができる。
従って、このような製造方法によれば、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５における露出割合が、主面製品レジスト部１８３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程で、主面製品レジスト部１８３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部１８５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部１８３のうち、主面枠レジスト部１８４に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部１９３を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５における露出割合が、裏面製品レジスト部１９３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部１９３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部１９５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部１９３のうち、裏面枠レジスト部１９５に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００６６】
また、主面第２枠レジスト部１８６における露出割合を裏面製品レジスト部１９３における露出割合よりも大きくして、基板本体１８１の主面側の露出面積に対する基板本体１８１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１８１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１８１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくしている。このため、主面メッキレジスト層１８２における露出面積と裏面メッキレジスト層１９２における露出面積との差が、従来よりも小さくなる。従って、電解メッキ工程において、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００６７】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態１では、主面第１枠導体層１３０及び裏面第１枠導体層１５０を、円形状の孔を形成してメッシュ状とし、上記実施形態２では、主面第１枠導体層１３０及び裏面第１枠導体層１５０を、矩形状の孔を形成してメッシュ状としているが、この孔の形状は、円形や矩形である必要はない。例えば、楕円形状、多角形状等とすることもできる。このようにしても、全体として導体層がメッシュ状に形成されていれば、上述の効果を得ることができる。
【００６８】
また、上記実施形態１，２では、主面第２枠導体部１３１は、主面第１枠導体部１３０を取り囲む口字形状とされているが、主面第１枠導体部１３０の外側に位置するものであれば、どのような形状（パターン）とすることもできる。
また、上記実施形態１，２では、コア基板１１１の両面に３層の導体層と３層の絶縁層を交互に形成した多層配線基板を示したが、さらに多層の配線基板とすることもできる。
【００６９】
また、上記実施形態１，２では、配線基板１０１の最も主面１０２側に位置する主面側第３導体層１２５と、最も裏面１０３側に位置する裏面側第３導体層１４５について、本発明を適用したが、内部の導体層についても適用することができる。例えば、主面側第２導体層１２３と主面側第２導体層１４３において、その主面製品導体部の導体面積がその裏面製品導体部の導体面積よりも小さい場合には、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係る配線基板の主面側から見た平面図である。
【図２】 実施形態に係る配線基板の裏面側から見た平面図である。
【図３】 実施形態に係る配線基板のうち周縁付近を示す部分縦断面図である。
【図４】 実施形態に係る配線基板のうち、個々の製品についての主面側から見た平面図である。
【図５】 実施形態に係る配線基板のうち、個々の製品についての裏面側から見た平面図である。
【図６】 実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主面側第２絶縁層及び裏面側第２絶縁層を有する基板本体に、主面メッキレジスト層及び裏面メッキレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【図７】 従来技術に係る配線基板の主面側から見た平面図である。
【図８】 従来技術に係る配線基板の裏面側から見た平面図である。
【図９】 従来技術に係る配線基板のうち、個々の製品についての主面側から見た平面図である。
【図１０】 従来技術に係る配線基板のうち、個々の製品についての裏面側から見た平面図である。
【符号の説明】
１０１ 配線基板
１０２ 主面
１０３ 裏面
１０５ 製品部
１０７ 枠部
１２１ 主面側第１導体層
１２３ 主面側第２導体層
１２５ 主面側第３導体層
１２７ 主面製品導体部
１２９ 主面枠導体部
１３０ 主面第１枠導体部
１３１ 主面第２枠導体部
１３２ 主面第３枠導体部
１４１ 裏面側第１導体層
１４３ 裏面側第２導体層
１４５ 裏面側第３導体層
１４７ 裏面製品導体部
１４９ 裏面枠導体部
１５０ 裏面第１枠導体部
１５１ 裏面第２枠導体部
【発明の属する技術分野】
本発明は、製品部とこの周囲を取り囲む枠部とからなる配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、主面側と裏面側にそれぞれ導体層が形成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、製品部とこの周囲を取り囲む枠部とから構成された配線基板が知られている。
例えば、図７に主面９０２側から見た平面図、図８に裏面９０３側から見た平面図を示す配線基板９０１が挙げられる。この配線基板９０１は、コア基板の両面に複数の導体層と絶縁層が交互に積層された多層配線基板であり、略矩形の略板形状をなす。配線基板９０１の平面視略中央には、個々の製品９０５Ｓが複数（７×６＝４２個）繋がった製品部９０５が形成され、この周囲には、後に廃棄される枠部９０７が形成されている。
【０００３】
配線基板９０１の主面９０２側には、図７に概略を示すように、主面導体層９１１が形成されている。この主面導体層９１１は、製品部９０５に形成された主面製品導体部９１３と、枠部９０７に形成された主面枠導体部９１５とからなる。主面製品導体部９１３は、図９に製品部９０５を構成する個々の製品９０５Ｓの主面９０２側から見た平面図を示すように、複数の配線９１３Ｈやパッド９１３Ｐを有するが、その導体面積は比較的小さい。一方、主面枠導体部９１５は、図７に示すように、枠部９０７の略全面に略ベタ状に形成されている。
【０００４】
他方、配線基板９０１の裏面９０３側には、図８に概略を示すように、裏面導体層９３１が形成されている。この裏面導体層９３１は、製品部９０５に形成された裏面製品導体部９３３と、枠部９０７に形成された裏面枠導体部９３５とからなる。裏面製品導体部９３３は、図１０に個々の製品９０５Ｓの裏面９０３側から見た平面図を示すように、略格子状に並んだ多数のパッド９３３Ｐを有するが、その導体面積は、主面製品導体部９１３に比して著しく広い。一方、裏面枠導体部９３５は、図８に示すように、主面枠導体部９１５と同様、枠部９０７の略全面に略ベタ状に形成されている。
なお、このような技術に関連する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３１７２５０９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、主面側導体層９１１と裏面側導体層９３１は電解メッキを利用して一緒に形成されるが、主面製品導体部９１３の導体面積が、裏面製品導体部９３３の導体面積よりも小さいために、主面製品導体部９１３の導体層が薄く形成され、裏面製品導体部９３３の導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。これは、メッキ面積が狭いと、電流の流れが悪いためメッキが形成されにくく、メッキ面積が広いと、電流の流れが良いためメッキが形成されやすいことに起因すると考えられる。
【０００７】
また、主面製品導体部９１３のうち主面枠導体部９１５に近い部分（外側部分）は、導体層が薄く形成され、主面製品導体部９１３の中央部分は、導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。これは、主面枠導体部９１５のメッキ面積率は主面製品導体部９１３のメッキ面積率よりも大きいため、主面枠導体部９１５の導体層が主面製品導体部９１３の導体層よりも厚く形成されやすいが、そのとき、主面枠導体部９１５の形成にメッキが多く必要とされるため、主面製品導体部９１３のうち主面枠導体部９１５に近い部分では、メッキが形成されにくくなることに起因すると考えられる。同様な理由から、裏面製品導体部９３３のうち裏面枠導体部９３５に近い部分（外側部分）は、導体層が薄く形成され、主面製品導体部９３３の中央部分は、導体層がそれよりも厚く形成される傾向にある。
このように主面製品導体部９１３と裏面製品導体部９３３で導体層の厚みが異なったり、各導体部内で導体層の厚みに均一性がないと、配線基板９０１の信頼性に劣ることとなる。
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、製品部と枠部とからなる配線基板について、主面導体層と裏面導体層の厚みの均一性を向上させることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、を備え、上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板であって、上記主面枠導体部は、上記主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部と、この主面第１枠導体部よりも外側に位置する主面第２枠導体部とを有し、上記裏面枠導体部は、上記裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部を有し、上記枠部のうちの上記主面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記主面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、上記枠部のうちの上記裏面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、上記枠部のうちの上記主面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第２枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率よりも大きくされることにより、上記主面導体層の導体面積に対する上記裏面導体層の導体面積の割合が、上記主面製品導体部の導体面積に対する上記裏面製品導体部の導体面積の割合よりも小さくされている配線基板である。
【００１０】
本発明は、製品部に形成された主面製品導体部と枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、製品部に形成された裏面製品導体部と枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層とを有し、主面製品導体部の導体面積が、裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板に適用される。このような配線基板は、上述したように、主面導体層及び裏面導体層の厚みが不均一になりやすいからである。
【００１１】
本発明の配線基板は、主面枠導体部が、主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部と、この主面第１枠導体部よりも外側に位置する主面第２枠導体部とを有し、一方、裏面枠導体部は、裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部を有する。そして、枠部のうちの主面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第１枠導体部の導体面積率とも言う。）が、製品部の面積に占める主面製品導体部の導体面積の面積率（以下、主面製品導体部の導体面積率とも言う。）と同一とされている。また、枠部のうちの裏面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部の導体面積の面積率（以下、裏面第１枠導体部の導体面積率とも言う。）が、製品部の面積に占める裏面製品導体部の導体面積の面積率（以下、裏面製品導体部の導体面積率とも言う。）と同一とされている。
【００１２】
このように、主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部の導体面積率が、主面製品導体部の導体面積率と同一であれば、主面製品導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部のうち、主面枠導体部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部の導体面積率が、裏面製品導体部の導体面積率と同一であれば、裏面製品導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部のうち、裏面枠導体部に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００１３】
さらに、本発明の配線基板では、枠部のうちの主面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第２枠導体部の導体面積率とも言う。）が、上記の裏面製品導体部の導体面積率よりも大きくされることにより、主面導体層の導体面積に対する裏面導体層の導体面積の割合が、主面製品導体部の導体面積に対する裏面製品導体部の導体面積の割合よりも小さくされている。
【００１４】
このようにすれば、主面導体層の導体面積と裏面導体層の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面導導体層と裏面導体層（主面製品導体部と裏面製品導体部）の厚みの均一性を向上させることができる。
【００１５】
さらに、上記の配線基板であって、前記主面製品導体部の導体面積に対する前記裏面製品導体部の導体面積の割合が、３以上である配線基板において、前記主面導体層の導体面積に対する前記裏面導体層の導体面積の割合が、２以下とされている配線基板とするのが好ましい。
【００１６】
主面製品導体部の導体面積に対する裏面製品導体部の導体面積の割合が、３以上である配線基板では、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、特に、導体層の厚みに不均一が生じやすい。
そこで、上述した発明を適用するのが好ましいが、その際、本発明では、主面導体層の導体面積に対する裏面導体層の導体面積の割合を、２以下と小さくしている。このため、主面導体層と裏面導体層との間で（主面製品導体部と裏面製品導体部との間で）、導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００１７】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記主面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす主面第３枠導体部を有し、前記裏面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす裏面第２枠導体部を有し、上記枠部のうちの上記主面第３枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第３枠導体部の導体面積の面積率、及び、上記枠部のうちの上記裏面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第２枠導体部の導体面積の面積率は、いずれも１００％とされている配線基板とすると良い。
【００１８】
本発明では、主面枠導体部は、主面第１，第２枠導体部の他、配線基板の周縁をなす主面第３枠導体部を有し、また、裏面枠導体部は、裏面第１枠導体部の他、配線基板の周縁をなす裏面第２枠導体部を有する。そして、枠部のうちの主面第３枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第３枠導体部の導体面積の面積率（以下、主面第３枠導体部の導体面積率とも言う。）、及び、枠部のうちの裏面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部の導体面積の面積率（以下、裏面第２枠導体部の導体面積率とも言う。）は、いずれも１００％とされている。
このように、配線基板の周縁部をなす導体層をベタ状とすれば、主面導体層及び裏面導体層を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させて、電流を流すことができるので、主面側及び裏面側に電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面導体層及び裏面導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００１９】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記主面第１枠導体部及び前記裏面第１枠導体部は、いずれも多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層からなる配線基板とすると良い。
【００２０】
上述した発明においては、主面第１枠導体部の導体面積率は、主面製品導体部の導体面積率と同一であればよく、また、裏面第１枠導体部の導体面積率は、裏面製品導体部の導体面積率と同一であればよいので、主面第１枠導体部及び裏面第１枠導体部をどのような形状（パターン）としてもよい。例えば、主面第１枠導体部等の形状を、主面製品導体部等の配線等のパターンと同一のパターンとすることができる。
しかし、主面製品導体部や裏面製品導体部のパターンは、場所により粗密の差がある場合もあるため、主面第１枠導体部や裏面第１枠導体部のパターンをこのような偏った形状とすると、主面製品導体部及び裏面製品導体部の導体層の厚みに不均一が生じる可能性もある。
これに対し、本発明では、主面第１枠導体部及び前記裏面第１枠導体部を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、導体層に場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部及び裏面製品導体部の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００２１】
また、他の解決手段は、主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、を備え、上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板の製造方法であって、基板本体の上記主面側に、上記主面導体層に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層を形成すると共に、上記基板本体の上記裏面側に、上記裏面導体層に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層を形成するメッキレジスト層形成工程であって、上記主面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する主面製品レジスト部と上記枠部に形成する主面枠レジスト部とからなり、上記裏面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する裏面製品レジスト部と上記枠部に形成する裏面枠レジスト部とからなり、上記主面枠レジスト部は、上記主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部と、この主面第１枠レジスト部よりも外側に位置する主面第２枠レジスト部とを有し、上記裏面枠レジスト部は、上記裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部を有し、上記枠部のうちの上記主面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の主面側の露出部の露出割合と同一とされ、上記枠部のうちの上記裏面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合と同一とされ、上記枠部のうちの上記主面第２枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合よりも大きくされることにより、上記基板本体の主面側の露出面積に対する上記基板本体の裏面側の露出面積の割合が、上記基板本体の製品部における主面側の露出面積に対する上記基板本体の製品部における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされているメッキレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層形成工程後の上記基板本体に電解メッキを施し、上記基板本体の主面側の露出部に上記主面導体層に対応した電解メッキ層を形成すると共に、上記基板本体の裏面側の露出部に上記裏面導体層に対応した電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２２】
本発明は、製品部に形成された主面製品導体部と枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、製品部に形成された裏面製品導体部と枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層とを有し、主面製品導体部の導体面積が、裏面製品導体部の導体面積よりも小さい配線基板の製造に適用される。このような配線基板は、上述したように、主面導体層及び裏面導体層の厚みが不均一になりやすいからである。
【００２３】
本発明の製造方法は、メッキレジスト層形成工程と電解メッキ工程を備える。このうちメッキレジスト層形成工程では、基板本体の主面側に、主面導体層に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層を形成すると共に、基板本体の裏面側に、裏面導体層に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層を形成する。
具体的には、主面メッキレジスト層は、製品部に形成する主面製品レジスト部と枠部に形成する主面枠レジスト部とからなり、裏面メッキレジスト層は、製品部に形成する裏面製品レジスト部と枠部に形成する裏面枠レジスト部とからなる。このうち主面枠レジスト部は、主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部と、これよりも外側に位置する主面第２枠レジスト部とを有し、裏面枠レジスト部は、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部を有する。そして、枠部のうちの主面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、主面第１枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、製品部の面積に占める基板本体の主面側の露出部の露出割合（以下、主面製品レジスト部における露出割合とも言う。）と同一とされている。また、枠部のうちの裏面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、裏面第１枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、製品部の面積に占める基板本体の裏面側の露出部の露出割合（以下、裏面製品レジスト部における露出割合とも言う。）と同一とされている。
【００２４】
このように、主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部における露出割合が、主面製品レジスト部における露出割合と同一であれば、電解メッキ工程において、主面製品レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部のうち、主面枠レジスト部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部における露出割合が、裏面製品レジスト部における露出割合と同一であれば、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部のうち、裏面枠レジスト部に近い部分（外側部分）とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部の製品部分の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００２５】
さらに、本製造方法のメッキレジスト層形成工程では、枠部のうちの主面第２枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める基板本体の露出部の露出割合（以下、主面第２枠レジスト部における露出割合とも言う。）が、上記の製品レジスト部における露出割合よりも大きくされることにより、基板本体の主面側の露出面積に対する基板本体の裏面側の露出面積の割合が、基板本体の製品部における主面側の露出面積に対する基板本体の製品部における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされている。
【００２６】
このようにすれば、主面メッキレジスト層における基板本体の露出面積と裏面メッキレジスト層における基板本体の露出面積との差が、従来よりも小さくなる。このため、電解メッキ工程において、主面側と裏面側との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面導導体層と裏面導体層の厚みの均一性を向上させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１０１について、図１に主面１０２側から見た平面図を、図２に裏面１０３側から見た平面図を、図３に周縁付近の部分縦断面図を示す。なお、図１は主面側ソルダーレジスト層１１５がない状態を、図２は裏面側ソルダーレジスト層１１８がない状態を示している。
この配線基板１０１は、図１及び図２に示すように、平面視略矩形の略板形状をなす。配線基板１０１の平面視略中央には、個々の製品１０５Ｓが複数（７×６＝４２個）繋がった製品部１０５が形成され、この周囲には、後に廃棄される枠部１０７が形成されている。
【００２８】
配線基板１０１の内部についてみると、図３に示すように、この配線基板１０１は、その中心にガラス−エポキシ樹脂からなるコア基板１１１を備える。なお、図３中の破線は、製品部１０５と枠部１０７の境界を示す。コア基板１１１の主面１０２側には、エポキシ樹脂等からなる主面側第１絶縁層１１３、主面側第２絶縁層１１４、及び、主面側ソルダーレジスト層１１５が積層されている。一方、裏面１０３側にも、エポキシ樹脂等からなる主面側第１絶縁層１１６、裏面側第２絶縁層１１７、及び、裏面側ソルダーレジスト層１１８が積層されている。
【００２９】
また、配線基板１０１のうち、コア基板１１１の主面１０２側の表面には、Ｃｕからなる主面側第１導体層１２１が形成され、主面側第１絶縁層１１３の表面には、Ｃｕからなる主面側第２導体層１２３が形成され、さらに、主面側第２絶縁層１１４の表面には、Ｃｕからなる主面側第３導体層１２５が形成されている。同様に、コア基板１１１の裏面１０３側の表面には、Ｃｕからなる裏面側第１導体層１４１が形成され、裏面側第１絶縁層１１６の表面には、Ｃｕからなる裏面側第２導体層１４３が形成され、裏面側第２絶縁層１１７の表面には、Ｃｕからなる裏面側第３導体層１４５が形成されている。
【００３０】
さらに、配線基板１０１のうち、コア基板１１１には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる略筒状のスルーホール導体１６１が形成されている。また、層間接続のため、主面側第１絶縁層１１３には、これを貫通するＣｕからなる主面側第１ビア導体１６３が形成され、主面側第２絶縁層１１４には、これを貫通するＣｕからなる主面側第２ビア導体１６５が形成されている。同様に、裏面側第１絶縁層１１６には、層間接続のため、これを貫通するＣｕからなる裏面側第１ビア導体１６７が形成され、裏面側第２絶縁層１１７には、これを貫通するＣｕからなる裏面側第２ビア導体１６９が形成されている。
【００３１】
上記のうち、主面側第３導体層１２５について詳述すると、この主面側第３導体層１２５は、製品部１０５に形成された主面製品導体部１２７と、枠部１０７に形成された主面枠導体部１２９とからなる。主面製品導体部１２７は、図４に製品部１０５を構成する個々の製品１０５Ｓの主面１０２側から見た平面図を示すように、複数の配線１２７Ｈやパッド１２７Ｐを有するが、その導体面積は比較的狭い。具体的には、製品部１０５全体の面積に占める主面製品導体部１２７の導体面積の面積率は、約５％である。なお、図４は主面側ソルダーレジスト層１１５がない状態を示している。
【００３２】
一方、主面枠導体部１２９は、図１に示すように、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０と、この主面第１枠導体部１３０よりも外側に位置しこれを取り囲む主面第２枠導体部１３１とを有し、さらに、この主面第２枠導体部１３１を取り囲み配線基板１０１の周縁をなす主面第３枠導体部１３２を有する。
これらの導体部のうち主面第１枠導体部１３０は、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状の導体層からなる。主面第１枠導体部１３０が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部１３０の導体面積の面積率は、約５％である。従って、上述の主面製品導体部１２７の導体面積率と同一にされている。
【００３３】
また、主面第２枠導体部１３１も、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状導体層からなる。主面第２枠導体部１３１が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部１３１の導体面積の面積率は、約９０％である。従って、後述する裏面製品導体部１４７の導体面積率（約８０％）よりも大きくされている。
また、主面第３枠導体部１３２は、ベタ状に形成されている。即ち、主面第３枠導体部１３２が形成された領域全体の面積に占める主面第３枠導体部１３２の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める主面側第３導体層１２５全体の導体面積の面積率は、約３０％である。
【００３４】
次に、裏面側第３導体層１４５について詳述すると、この裏面側第３導体層１４５は、製品部１０５に形成された裏面製品導体部１４７と、枠部１０７に形成された裏面枠導体部１４９とからなる。裏面製品導体部１４７は、図５に製品部１０５を構成する個々の製品１０５Ｓの裏面１０３側から見た平面図を示すように、略格子状に並んだ多数のパッド１４７Ｐを有するが、その導体面積は、主面製品導体部１２７の導体面積と比べてかなり広い。具体的には、製品部１０５の面積に占める裏面製品導体部１４７の導体面積の面積率は、約８０％である。なお、図５は裏面側ソルダーレジスト層１１８がない状態を示している。
【００３５】
一方、裏面枠導体部１４９は、図２に示すように、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０を有し、さらに、この裏面第１枠導体部１５０を取り囲み配線基板１０１の周縁をなす裏面第２枠導体部１５１を有する。
このうち裏面第１枠導体部１５０は、図示しない多数の円形状の孔が形成されたメッシュ状導体層からなる。裏面第１枠導体部１５０が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部１５０の導体面積の面積率は、約８０％である。従って、上述の裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一にされている。
【００３６】
また、裏面第２枠導体部１５１は、ベタ状に形成されている。即ち、裏面第２枠導体部１５１が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部１５１の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める裏面側第３導体層１４５全体の導体面積の面積率は、約８５％である。
【００３７】
従って、この配線基板１０１では、主面第２枠導体部１３１の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率よりも大きくされることにより、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合が、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合よりも小さくされている。
【００３８】
このような配線基板１０１は、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０の導体面積率が、主面製品導体部１２７の導体面積率と同一（約５％）であるので、主面製品導体部１２７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部１３０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部１２７のうち、主面枠導体部１２９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一（約８０％）であるので、裏面製品導体部１４７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部１５０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部１４７のうち、裏面枠導体部１４９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００３９】
また、主面第２枠導体部１３１の導体面積率を裏面製品導体部１４７の導体面積率よりも大きくして、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合を、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合よりも小さくしてるので、主面側第３導体層１２５の導体面積と裏面側第３導体層１４５の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層（主面導体層）１２５及び裏面側第３導体層（裏面導体層）１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００４０】
また、本実施形態では、配線基板１０１の周縁部をなす主面第３枠導体部１３２の導体面積率と裏面第２枠導体部１５１の導体面積率を、いずれも１００％としている。このため、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させ、電流を流すことができるので、電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、主面第１枠導体部１３０及び裏面第１枠導体部１５０を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、これらの導体部には、場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部１２７及び裏面製品導体部１４７の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００４２】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法について説明する。
まず、コア基板１１１の両面に銅箔を張り付けた両面銅張コア基板を用意する。そして、ドリルやレーザ等によって、スルーホール導体１６１を形成するためのスルーホールを所定の位置に形成する。
次に、コア基板１１１にＣｕ無電解メッキを施し、銅箔上及びスルーホールの内周面に無電解メッキ層を形成する。さらに、Ｃｕ電解メッキを施して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成する。これにより、銅箔上にベタ状のメッキ層が形成され、スルーホールの内周面に略筒状のスルーホール導体１６１が形成される。
【００４３】
その後、スルーホール導体１６１内に樹脂ペーストを印刷充填し、加熱して半硬化させる。そして、コア基板１１１から膨出した余分な樹脂を研磨除去し、さらに、加熱硬化させて、樹脂充填体を形成する。さらに、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解メッキを行い、スルーホール導体１６１上に蓋メッキ層を形成する。
その後、コア基板１１１の両面に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層及び銅箔をエッチング除去する。これにより、コア基板１１１上に主面側第１導体層１２１と裏面側第１導体層１４１が形成される。
【００４４】
次に、コア基板１１１上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側第１絶縁層を形成し、主面側第１ビア導体１６３を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する主面側第１絶縁層１１３を形成する。またこれと共に、裏面側第１ビア導体１６７を形成するためのビアホールを有する裏面側第１絶縁層１１６も形成する。
【００４５】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面側第１絶縁層１１３上及びそのビアホール内並びに裏面側第１絶縁層１１６上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。その後、両面の無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層をそれぞれ形成する。そして、Ｃｕ電解メッキを施して、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する。その後、メッキレジスト層を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面側第１ビア導体１６３及び裏面側第１ビア導体１６７が形成されると共に、所定パターンの主面側第２導体層１２３及び裏面側第２導体層１４３が形成される。
【００４６】
次に、主面側第１絶縁層１１３上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側第２絶縁層を形成し、主面側第２ビア導体１６５を形成するためのビアホールに対応した所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、ビアホールを有する主面側第２絶縁層１１４を形成する。またこれと共に、裏面側第２ビア導体１６９を形成するためのビアホールを有する裏面側第２絶縁層１１７も形成する。
【００４７】
次に、Ｃｕ無電解メッキを施して、主面側第２絶縁層１１４上及びそのビアホール内並びに裏面側第２絶縁層１１７上及びそのビアホール内に無電解メッキ層を形成する。
そして、メッキレジスト層形成工程において、図６に示すように、この基板本体１８１の主面側に、主面側第３導体層１２５に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層１８２を形成すると共に、裏面側に、裏面側第３導体層１４５に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層１９２を形成する。
【００４８】
具体的には、主面メッキレジスト層１８２は、製品部１０５に形成する主面製品レジスト部１８３と、枠部１０７に形成する主面枠レジスト部１８４とからなり、裏面メッキレジスト層１９２も、製品部１０５に形成する裏面製品レジスト部１９３と、枠部１０７に形成する裏面枠レジスト部１９４とからなる。このうち、主面枠レジスト部１８４は、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５と、この主面第１枠レジスト部１８５よりも外側に位置しこれを取り囲む主面第２枠レジスト部１８６からなる。また、裏面枠レジスト部１９４は、裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５からなる。
【００４９】
そして、主面第１枠レジスト部１８５が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１８１の主面側の露出部の露出割合と同一とされる。また、裏面第１枠レジスト部１９５が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１１１の裏面側の露出部の露出割合と同一とされる。
さらに、主面第２枠レジスト部１８６が形成された領域全体の面積に占める基板本体１８１の露出部の露出割合が、製品部１０５の面積に占める基板本体１１の裏面側の露出部の露出割合よりも大きくされることにより、基板本体１１１の主面側の露出面積に対する基板本体１１１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１１１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１１１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされる。
【００５０】
次に、電解メッキ工程において、上記基板本体１８１にＣｕ電解メッキを施し、基板本体１８１の主面側の露出部に主面側第３導体層１２５に対応した電解メッキ層を形成すると共に、基板本体１８１の裏面側の露出部に裏面側第３導体層１４５に対応した電解メッキ層を形成する。
その後、主面メッキレジスト層１８２及び裏面メッキレジスト層１９２を除去し、さらに、これにより露出した無電解メッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、主面側第２ビア導体１６５及び裏面側第２ビア導体１６９が形成されると共に、所定パターンの主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５が形成される。
【００５１】
次に、主面側第２絶縁層１１４上に、エポキシ樹脂等からなる半硬化の主面側ソルダーレジスト層を形成し、所定パターンを有するマスクを用いて露光しさらに現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定パターンの主面側ソルダーレジスト層１１５を形成する。またこれと共に、所定パターンの裏面側ソルダーレジスト層１１８を形成する。
以上のようにして、配線基板１０１が完成する。
【００５２】
このような製造方法によれば、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５における露出割合が、主面製品レジスト部１８３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程で、主面製品レジスト部１８３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部１８５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部１８３のうち、主面枠レジスト部１８４に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部１９３を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５における露出割合が、裏面製品レジスト部１９３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部１９３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部１９５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部１９３のうち、裏面枠レジスト部１９５に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００５３】
また、主面第２枠レジスト部１８６における露出割合を裏面製品レジスト部１９３における露出割合よりも大きくして、基板本体１８１の主面側の露出面積に対する基板本体１８１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１８１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１８１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくしている。このため、主面メッキレジスト層１８２における露出面積と裏面メッキレジスト層１９２における露出面積との差が、従来よりも小さくなる。従って、電解メッキ工程において、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００５４】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態の配線基板は、上記実施形態１の配線基板１０１と同様な構成をなす。
【００５５】
本実施形態では、まず、主面側第３導体層１２５について説明すると、製品部１０５全体の面積に占める主面製品導体部１２７の導体面積の面積率は、約３．３％である。
主面第１枠導体部１３０は、多数の矩形状の孔（１９６７μｍ×１９６７μｍ）が形成されたメッシュ状の導体層からなる。主面第１枠導体部１３０が形成された領域全体の面積に占める主面第１枠導体部１３０の導体面積の面積率は、約３．３％である。従って、本実施形態でも、上述の主面製品導体部１２７の導体面積率と同一にされている。
【００５６】
また、主面第２枠導体部１３１も、多数の矩形状の孔（９００μｍ×９００μｍ）が形成されたメッシュ状導体層からなる。主面第２枠導体部１３１が形成された領域全体の面積に占める主面第２枠導体部１３１の導体面積の面積率は、約８０％である。従って、後述する裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくされている。
また、主面第３枠導体部１３２は、上記実施形態１と同様に、ベタ状に形成されている。即ち、主面第３枠導体部１３２が形成された領域全体の面積に占める主面第３枠導体部１３２の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める主面側第３導体層１２５全体の導体面積の面積率は、約３８％である。
【００５７】
次に、裏面側第３導体層１４５について説明すると、製品部１０５の面積に占める裏面製品導体部１４７の導体面積の面積率は、約５０％である。従って、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合は、約１５倍である。
裏面第１枠導体部１５０は、多数の矩形状の孔（１５００μｍ×１５００μｍ）が形成されたメッシュ状導体層からなる。裏面第１枠導体部１５０が形成された領域全体の面積に占める裏面第１枠導体部１５０の導体面積の面積率は、約５０％である。従って、本実施形態でも、上述の裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一にされている。
【００５８】
また、裏面第２枠導体部１５１は、上記実施形態１と同様に、ベタ状に形成されている。即ち、裏面第２枠導体部１５１が形成された領域全体の面積に占める裏面第２枠導体部１５１の導体面積の面積率は、１００％である。
なお、配線基板１０１の面積に占める裏面側第３導体層１４５全体の導体面積の面積率は、約３８％である。従って、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合は、約１倍である。
【００５９】
よって、本実施形態の配線基板も、主面第２枠導体部１３１の導体面積率（約８０％）が、裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくされることにより、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合（約１倍）が、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）よりも小さくされている。
【００６０】
このような配線基板も、主面製品導体部１２７を取り囲む主面第１枠導体部１３０の導体面積率が、主面製品導体部１２７の導体面積率と同一（約３．３％）であるので、主面製品導体部１２７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠導体部１３０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品導体部１２７のうち、主面枠導体部１２９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品導体部１４７を取り囲む裏面第１枠導体部１５０の導体面積率が、裏面製品導体部１４７の導体面積率と同一（約５０％）であるので、裏面製品導体部１４７の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠導体部１５０の形成に必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品導体部１４７のうち、裏面枠導体部１４９に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００６１】
また、主面第２枠導体部１３１の導体面積率（約８０％）を裏面製品導体部１４７の導体面積率（約５０％）よりも大きくして、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１４５の導体面積の割合（約１倍）を、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）よりも小さくしてるので、主面側第３導体層１２５の導体面積と裏面側第３導体層１４５の導体面積との差が、従来の配線基板よりも小さくなる。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来にみられた導体層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層（主面導体層）１２５及び裏面側第３導体層（裏面導体層）１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００６２】
また、配線基板の周縁部をなす主面第３枠導体部１３２の導体面積率と裏面第２枠導体部１５１の導体面積率を、いずれも１００％としている。このため、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５を形成する際、電解メッキを施しやすくなる。即ち、電解メッキを施すための電極を、周縁部をなすベタ状導体層に確実に接触させ、電流を流すことができるので、電解メッキを確実に形成することができる。従って、主面側第３導体層１２５及び裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６３】
また、主面第１枠導体部１３０及び裏面第１枠導体部１５０を、多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層としているので、これらの導体部には、場所による粗密の差がない。このため、主面製品導体部１２７及び裏面製品導体部１４７の導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６４】
さらに、本実施形態においては、主面製品導体部１２７の導体面積に対する裏面製品導体部１４７の導体面積の割合（約１５倍）が、３以上であるため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、特に、導体層の厚みに不均一が生じやすい。しかし、主面側第３導体層１２５の導体面積に対する裏面側第３導体層１２５の導体面積の割合（約１倍）を、２以下と小さくしている。このため、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、導体層の厚みの均一性をより向上させることができる。
【００６５】
なお、本実施形態の配線基板は、上記実施形態１の配線基板１０１と同様にして製造することができる。
従って、このような製造方法によれば、主面製品レジスト部１８３を取り囲む主面第１枠レジスト部１８５における露出割合が、主面製品レジスト部１８３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程で、主面製品レジスト部１８３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、主面第１枠レジスト部１８５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、主面製品レジスト部１８３のうち、主面枠レジスト部１８４に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、主面製品導体部１２７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
同様に、裏面製品レジスト部１９３を取り囲む裏面第１枠レジスト部１９５における露出割合が、裏面製品レジスト部１９３における露出割合と同一であるので、電解メッキ工程において、裏面製品レジスト部１９３において必要とされる単位面積あたりのメッキ量と、裏面第１枠レジスト部１９５において必要とされる単位面積あたりのメッキ量とがほぼ同じになる。このため、裏面製品レジスト部１９３のうち、裏面枠レジスト部１９５に近い部分とそこから離れた中央部分との間で、電解メッキ層の厚みに不均一が生じにくくなり、裏面製品導体部１４７の全体にわたり厚みの均一性を向上させることができる。
【００６６】
また、主面第２枠レジスト部１８６における露出割合を裏面製品レジスト部１９３における露出割合よりも大きくして、基板本体１８１の主面側の露出面積に対する基板本体１８１の裏面側の露出面積の割合が、基板本体１８１の製品部１０５における主面側の露出面積に対する基板本体１８１の製品部１０５における裏面側の露出面積の割合よりも小さくしている。このため、主面メッキレジスト層１８２における露出面積と裏面メッキレジスト層１９２における露出面積との差が、従来よりも小さくなる。従って、電解メッキ工程において、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５との間で、従来のようなメッキ層の厚みの不均一は生じにくくなり、主面側第３導体層１２５と裏面側第３導体層１４５の厚みの均一性を向上させることができる。
【００６７】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態１では、主面第１枠導体層１３０及び裏面第１枠導体層１５０を、円形状の孔を形成してメッシュ状とし、上記実施形態２では、主面第１枠導体層１３０及び裏面第１枠導体層１５０を、矩形状の孔を形成してメッシュ状としているが、この孔の形状は、円形や矩形である必要はない。例えば、楕円形状、多角形状等とすることもできる。このようにしても、全体として導体層がメッシュ状に形成されていれば、上述の効果を得ることができる。
【００６８】
また、上記実施形態１，２では、主面第２枠導体部１３１は、主面第１枠導体部１３０を取り囲む口字形状とされているが、主面第１枠導体部１３０の外側に位置するものであれば、どのような形状（パターン）とすることもできる。
また、上記実施形態１，２では、コア基板１１１の両面に３層の導体層と３層の絶縁層を交互に形成した多層配線基板を示したが、さらに多層の配線基板とすることもできる。
【００６９】
また、上記実施形態１，２では、配線基板１０１の最も主面１０２側に位置する主面側第３導体層１２５と、最も裏面１０３側に位置する裏面側第３導体層１４５について、本発明を適用したが、内部の導体層についても適用することができる。例えば、主面側第２導体層１２３と主面側第２導体層１４３において、その主面製品導体部の導体面積がその裏面製品導体部の導体面積よりも小さい場合には、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係る配線基板の主面側から見た平面図である。
【図２】 実施形態に係る配線基板の裏面側から見た平面図である。
【図３】 実施形態に係る配線基板のうち周縁付近を示す部分縦断面図である。
【図４】 実施形態に係る配線基板のうち、個々の製品についての主面側から見た平面図である。
【図５】 実施形態に係る配線基板のうち、個々の製品についての裏面側から見た平面図である。
【図６】 実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主面側第２絶縁層及び裏面側第２絶縁層を有する基板本体に、主面メッキレジスト層及び裏面メッキレジスト層を形成した様子を示す説明図である。
【図７】 従来技術に係る配線基板の主面側から見た平面図である。
【図８】 従来技術に係る配線基板の裏面側から見た平面図である。
【図９】 従来技術に係る配線基板のうち、個々の製品についての主面側から見た平面図である。
【図１０】 従来技術に係る配線基板のうち、個々の製品についての裏面側から見た平面図である。
【符号の説明】
１０１ 配線基板
１０２ 主面
１０３ 裏面
１０５ 製品部
１０７ 枠部
１２１ 主面側第１導体層
１２３ 主面側第２導体層
１２５ 主面側第３導体層
１２７ 主面製品導体部
１２９ 主面枠導体部
１３０ 主面第１枠導体部
１３１ 主面第２枠導体部
１３２ 主面第３枠導体部
１４１ 裏面側第１導体層
１４３ 裏面側第２導体層
１４５ 裏面側第３導体層
１４７ 裏面製品導体部
１４９ 裏面枠導体部
１５０ 裏面第１枠導体部
１５１ 裏面第２枠導体部
Claims (5)
- 主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、
上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、
上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、
を備え、
上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい
配線基板であって、
上記主面枠導体部は、上記主面製品導体部を取り囲む主面第１枠導体部と、この主面第１枠導体部よりも外側に位置する主面第２枠導体部とを有し、
上記裏面枠導体部は、上記裏面製品導体部を取り囲む裏面第１枠導体部を有し、
上記枠部のうちの上記主面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記主面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、
上記枠部のうちの上記裏面第１枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第１枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率と同一とされ、
上記枠部のうちの上記主面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第２枠導体部の導体面積の面積率が、上記製品部の面積に占める上記裏面製品導体部の導体面積の面積率よりも大きくされることにより、上記主面導体層の導体面積に対する上記裏面導体層の導体面積の割合が、上記主面製品導体部の導体面積に対する上記裏面製品導体部の導体面積の割合よりも小さくされている
配線基板。 - 請求項１に記載の配線基板であって、
前記主面製品導体部の導体面積に対する前記裏面製品導体部の導体面積の割合が、３以上である配線基板において、
前記主面導体層の導体面積に対する前記裏面導体層の導体面積の割合が、２以下とされている
配線基板。 - 請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記主面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす主面第３枠導体部を有し、
前記裏面枠導体部は、上記配線基板の周縁をなす裏面第２枠導体部を有し、
上記枠部のうちの上記主面第３枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記主面第３枠導体部の導体面積の面積率、及び、上記枠部のうちの上記裏面第２枠導体部が形成された領域全体の面積に占める上記裏面第２枠導体部の導体面積の面積率は、いずれも１００％とされている
配線基板。 - 請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記主面第１枠導体部及び前記裏面第１枠導体部は、いずれも多数の孔が形成されたメッシュ状の導体層からなる
配線基板。 - 主面と裏面を有し、製品部とこの製品部の周囲を取り囲む枠部とからなり、
上記主面側に形成された主面導体層であって、上記製品部に形成された主面製品導体部と上記枠部に形成された主面枠導体部とからなる主面導体層と、
上記裏面側に形成された裏面導体層であって、上記製品部に形成された裏面製品導体部と上記枠部に形成された裏面枠導体部とからなる裏面導体層と、
を備え、
上記主面製品導体部の導体面積が、上記裏面製品導体部の導体面積よりも小さい
配線基板の製造方法であって、
基板本体の上記主面側に、上記主面導体層に対応した所定パターンの主面メッキレジスト層を形成すると共に、上記基板本体の上記裏面側に、上記裏面導体層に対応した所定パターンの裏面メッキレジスト層を形成するメッキレジスト層形成工程であって、
上記主面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する主面製品レジスト部と上記枠部に形成する主面枠レジスト部とからなり、
上記裏面メッキレジスト層は、上記製品部に形成する裏面製品レジスト部と上記枠部に形成する裏面枠レジスト部とからなり、
上記主面枠レジスト部は、上記主面製品レジスト部を取り囲む主面第１枠レジスト部と、この主面第１枠レジスト部よりも外側に位置する主面第２枠レジスト部とを有し、
上記裏面枠レジスト部は、上記裏面製品レジスト部を取り囲む裏面第１枠レジスト部を有し、
上記枠部のうちの上記主面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の主面側の露出部の露出割合と同一とされ、
上記枠部のうちの上記裏面第１枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合と同一とされ、
上記枠部のうちの上記主面第２枠レジスト部が形成された領域全体の面積に占める上記基板本体の露出部の露出割合が、上記製品部の面積に占める上記基板本体の裏面側の露出部の露出割合よりも大きくされることにより、上記基板本体の主面側の露出面積に対する上記基板本体の裏面側の露出面積の割合が、上記基板本体の製品部における主面側の露出面積に対する上記基板本体の製品部における裏面側の露出面積の割合よりも小さくされている
メッキレジスト層形成工程と、
上記メッキレジスト層形成工程後の上記基板本体に電解メッキを施し、上記基板本体の主面側の露出部に上記主面導体層に対応した電解メッキ層を形成すると共に、上記基板本体の裏面側の露出部に上記裏面導体層に対応した電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、
を備える配線基板の製造方法。
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