JP4056492B2 - 回路基板の製造法 - Google Patents
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Description
上記導通用孔の底部に位置する上記第一の導電性金属層を陰極とする電解メッキ手法にて、上記導通用孔に対して、開口を有する上記第二の導電性金属層と電気的に接続されない範囲で、導電性金属をメッキ充填する工程、上記レジスト皮膜を剥離除去した後、導通用孔開口側の面に対して導電性物質層を付与する工程、上記導電性物質層上に電解メッキにより導電性金属層を形成する工程、第二の導電性金属層と導電性物質層とメッキ形成された導電性金属層からなる開口側導電性金属層、および第一の導電性金属層に対するフォトフォブリケーション手法により回路配線パターンを形成する工程、を有する回路基板の製造法が提供される。
先ず、図1(1)に示すようにポリイミドフィルム等の絶縁ベース材1の一方の面には、有底ビアホール形成後のエッチングに対し貫通しない為の厚み8μm厚さの銅箔を第一の導電性金属層2として用い、絶縁ベース材1の他方の面には、第一の導電性金属層2よりも層厚が薄い厚さ4μmの銅箔を第二の導電性金属層3として用いた両面型金属張積層板を用意する。
次に、図2(1)に示すように上記導通用孔5の底部に位置する上記第一の導電性金属層2を陰極6とする電解メッキ手法にて、上記導通用孔5に対して、上記第二の導電性金属層3と電気的に接続されない範囲で、硫酸銅メッキにより導電性金属7をメッキ充填する。ここで、図中8はメッキの為の陽極を示す。
次に、メッキレジスト皮膜として厚さ20(μm)のネガ型感光性ドライフィルムをラミネートし、全面露光して、UV−YAGレーザーにより、開口径50(μm)の有底ビアホールを形成した。
2:第一の通電性金属層
3:第二の通電性金属層
4:レジスト皮膜
5:導通用孔
6:メッキ用陰極
7:導電性金属
8:メッキ用陽極
9: 導電性物質
10:導電性金属層
11:回路配線パターン
12:レジスト皮膜(メッキによる回路配線パターン形成用)
13:回路配線パターン(めっきにより形成されたもの)
14:回路配線パターン
31:絶縁ベース材
32:導電性金属層
33:導電性金属層
34:導通用孔
35:導電性物質
36:導電性金属
37:メッキ析出不良箇所
38:導通用孔配置が疎な領域
39:導通用孔配置が密な領域
40:導電性金属
Claims (5)
- 有底ビアホールによる導通構造を有する回路基板の製造方法において、
絶縁ベース材の一方の面には、有底ビアホール形成後のエッチングに対し貫通しない厚みをもった第一の導電性金属層を有するとともに、絶縁ベース材の他方の面には、第一の導電性金属層よりも層厚が薄い第二の導電性金属層を有する両面型金属張積層板を用意し、
第二の導電性金属層に対しレジスト皮膜を形成する工程、
上記レジスト皮膜、導電性金属層、絶縁ベース材に対して、第二の導電性金属層の側から第一の導電性金属層の絶縁ベース材側に接する側の面が露出する様に導通用孔を形成する工程、
上記導通用孔が開口する側から、開口を有する第二の導電性金属層に対してエッチング処理を行い、該導電性金属層に形成された上記開口を拡大する工程、
上記導通用孔の底部に位置する上記第一の導電性金属層を陰極とする電解メッキ手法にて、上記導通用孔に対して、開口を有する上記第二の導電性金属層と電気的に接続されない範囲で、導電性金属をメッキ充填する工程、
上記レジスト皮膜を剥離除去した後、導通用孔開口側の面に対して導電性物質を付与する工程、
上記導電性物質付与後に第二の導電性金属層面側に対し電解メッキにより導電性金属層を形成する工程、
第二の導電性金属層と導電性物質層とメッキ形成された導電性金属層からなる開口側導電性金属層、および第一の導電性金属層に対するフォトフォブリケーション手法により回路配線パターンを形成する工程、
を有する回路基板の製造法。 - 有底ビアホールによる導通構造を有する回路基板の製造方法において、
絶縁ベース材の一方の面には、有底ビアホール形成後のエッチングに対し貫通しない厚みをもった第一の導電性金属層を有するとともに、絶縁ベース材の他方の面には、第一の導電性金属層よりも層厚が薄い第二の導電性金属層を有する両面型金属張積層板を用意し、
第二の導電性金属層に対しレジスト皮膜を形成する工程、
上記レジスト皮膜、導電性金属層、絶縁ベース材に対して、第二の導電性金属層の側から第一の導電性金属層の絶縁ベース材側に接する側の面が露出する様に導通用孔を形成する工程、
上記導通用孔が開口する側から、開口を有する第二の導電性金属層に対してエッチング処理を行い、該導電性金属層に形成された上記開口を拡大する工程、
上記導通用孔の底部に位置する上記第一の導電性金属層を陰極とする電解メッキ手法にて、上記導通用孔に対して、開口を有する上記第二の導電性金属層と電気的に接続されない範囲で、導電性金属をメッキ充填する工程、
上記レジスト皮膜を剥離除去した後、導通用孔開口側の面に対して導電性物質を付与する工程、
上記導電性物質付与後に第二の導電性金属層面側に対し回路配線パターン形成部を除いてレジスト皮膜を形成する工程、
電解メッキにより回路配線パターンを形成した後、上記レジスト皮膜を剥離除去する工程、
レジスト皮膜を剥離した事によって露出された第二の導電性金属層を除去して回路配線パターンを電気的に分離することにより回路配線パターンを形成する工程、
を有する回路基板の製造法。 - 上記請求項1、2に記載の、導通用孔が開口する側から、開口を有する第二の導電性金属層に対してエッチング処理を行い、該導電性金属層に形成された上記開口を拡大する工程における、開口の拡大寸法は、その全周にわたり、1μm以上15μm以下、望ましくは2μmである事を特徴とする請求項1乃至2に記載の回路基板の製造法。
- 上記請求項1、2に記載のレジスト皮膜を剥離除去した後、導通用孔開口側の面に対して導電性物質を付与する工程において形成される導電性物質層は、導電性物質の蒸着またはスパッターによる薄膜層であるか、ダイレクトプレーティングなどの導電化処理層、あるいは、無電解メッキ層の何れかである事を特徴とする請求項1乃至2に記載の回路基板の製造法。
- 上記請求項1に記載の導電性物質付与後に電解メッキにより導電性金属層を形成する工程にて形成される導電性金属層の厚さ、および上記請求項2に記載の電解メッキにより形成される回路配線パタ−ンの厚さは、1μm以上20μm以下であり望ましくは4μm以上12μm以下である事を特徴とする請求項1乃至2に記載の回路基板の製造法。
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