CN111041540A - 一种半导体硅片耐磨处理工艺 - Google Patents

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    • C25D7/12—Semiconductors

Abstract

本发明公开了一种半导体硅片耐磨处理工艺，包括以下步骤：S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理；S2、脱脂清洗；S3、上挂，将零件支撑到挂具上；S4、遮蔽；S5、阳极腐蚀；S6、镀铬；S7、脱脂清洗；S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。采用本发明的工艺在零件表面镀铬，增加零件表面的光洁度、防腐蚀性能和耐磨性，工艺简单，操作方便，效果佳。

Description

一种半导体硅片耐磨处理工艺
技术领域
本发明属于材料处理技术领域，具体涉及一种半导体硅片耐磨处理工艺。
背景技术
半导体硅片研磨机零件多数由不锈钢加工而成，而这种零件的表面硬度达到700HV以上才可以在该设备上承受受磨损的工作环境。
因此，亟需一种半导体硅片耐磨处理工艺。
发明内容
是解决现有技术存在的缺陷，本发明提供一种半导体硅片耐磨处理工艺。
是了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
本发明提供一种半导体硅片耐磨处理工艺，包括以下步骤：
S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理，去除瑕疵，使得零件表面的粗糙度在Ra1.6以下；
S2、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；
S3、上挂，将零件支撑到挂具上；
S4、遮蔽，在无尘室中对不需要镀层的零件表面进行遮蔽；
S5、阳极腐蚀，铬酐浓度是120～350g/l，硫酸是10g/1，温度是40-55℃，电流是25-35A/dm2；
S6、镀铬，在镀铬液不改变的情况下，在1h内将槽液温度从65-75℃降至40-55℃，时间是80～100min，电流从25-35A/dm2升高至40-60A/dm2，采用逐渐增大电流大小阶梯式的给电方式，待镀层厚度达到所需要求时，出槽；
S7、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；
S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。
作是本发明的一种优选技术方案，步骤S1中分次对零件表面进行抛光处理，按照#240、#320、#400砂纸的次序对零件表面进行抛光处理。
作是本发明的一种优选技术方案，在步骤S2和步骤S7中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h。
作是本发明的一种优选技术方案，步骤S6中镀铬液的成分包括：浓度是230-260gr/l的铬酸、浓度是2.3-2.6gr/1的H2SO4、浓度在4gr/l以下的Fe&Cu。。
本发明的有益效果是：采用本发明的工艺在零件表面镀铬，增加零件表面的光洁度、防腐蚀性能和耐磨性，工艺简单，操作方便，效果佳。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
为了达到本发明的目的，在本发明的其中一种实施方式中提供一种半导体硅片耐磨处理工艺，包括以下步骤：
S1、抛光处理，按照#240、#320、#400砂纸的次序对零件表面进行抛光处理，去除瑕疵，使得零件表面的粗糙度在Ral.6以下；
S2、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；其中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h；
S3、上挂，将零件支撑到挂具上；
S4、遮蔽，在无尘室中对不需要镀层的零件表面进行遮蔽；
S5、阳极腐蚀，铬酐浓度是120～350g/l，硫酸是10g/l，温度是40-55℃，电流是25-35A/dm2；
S6、镀铬，镀铬液的成分包括：浓度是230-260gr/l的铬酸、浓度是2.3-2.6gr/1的H2SO4、浓度在4gr/l以下的Fe&Cu；在镀铬液不改变的情况下，在1h内将槽液温度从65-75℃降至40-55℃，时间是80～100min，电流从25-35A/dm2升高至40-60A/dm2，采用逐渐增大电流大小阶梯式的给电方式，待镀层厚度达到所需要求时，出槽；
S7、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；其中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h；
S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。
最后应说明的是：以上所述仅是本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理，去除瑕疵，使得零件表面的粗糙度在Ra1.6以下；
S2、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；
S3、上挂，将零件支撑到挂具上；
S4、遮蔽，在无尘室中对不需要镀层的零件表面进行遮蔽；
S5、阳极腐蚀，铬酐浓度是120～350g/l，硫酸是10g/l，温度是40-55℃，电流是25-35A/dm2；
S6、镀铬，在镀铬液不改变的情况下，在1h内将槽液温度从65-75℃降至40-55℃，时间是80～100min，电流从25-35A/dm2升高至40-60A/dm2，采用逐渐增大电流大小阶梯式的给电方式，待镀层厚度达到所需要求时，出槽；
S7、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；
S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，步骤S1中分次对零件表面进行抛光处理，按照#240、#320、#400砂纸的次序对零件表面进行抛光处理。
3.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，在步骤S2和步骤S7中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h。
4.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，步骤S6中镀铬液的成分包括：浓度是230-260gr/1的铬酸、浓度是2.3-2.6gr/l的H2SO4、浓度在4gr/l以下的Fe&Cu。
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