TW573451B - Metal foil with resin and metal-clad laminate, and printed wiring board using the same and method for production thereof - Google Patents

Description

573451 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關貼附樹脂之金屬箔' 黏貼金屬之層合板， 使用彼之印刷電路板及其製造方法，特別是有關將在絕緣 樹脂組成物上固接有金屬箔而成的黏貼金屬之層合板之該 金屬作爲饋電層而進行圖型電鍍即可形成導體電路的印刷 電板上好用的技術。 【先前技術】 近年來’對電子設備之小型化·輕量化·高速化之需 求升高，而印刷電路板之高密度亦在進展，以致藉由半加 (semi-additive)法的印刷電路板之製造方法頗受囑目。 此半加法，如日本專利公開第1 K 1 8 6 7〗6號所示，係在欲 形成電路的樹脂表面藉由雷射等形成將成爲晶隙性介層洞 (intersititial via hole )(以下簡稱 IVH )的空穴（hο 1 e )後，依化學粗糙化或電漿處理等在樹脂上形成數μπι之 肇 凹凸，賦與P d (鉛）觸媒並進行1 # m程度之化學性電鍍 (Chemical plating)以形成圖型電鍍光阻，在藉由圖型 電鍍進行電路形成後去除光阻及電路以外之部份所存在的 饋電層的技巧手法，而比較旁側蝕刻（side etching )大 ， 的消去處理（Subtractive process)法者，更能形成微細

I 的佈線者。 / 再者，亦有在貼附樹脂之金屬箔上，依半加法形成電 路的方法。近年來，爲使金屬箔之厚度變薄起見，如日本 -6- (2) · (2) ·573451 專利公開第1 3 -1 4 Ο Ο 9 0號或日本專利公開第1 3 - 8 9 8 9 2號所 示。在採用在支持金屬上所形成的以下厚度之金屬 箔之能剝離的形態之金屬箔。如照此手法，則不需要在絕 緣樹脂組成物層之表面實施化學性電鍍，即可製作可靠性 更高的印刷電路板。 如此，如在貼附樹脂之金屬箔上藉由半加法進行電路 形成時，金屬箔愈薄對微細佈線形成上較有利，惟實際上 ，如日本專利第2 92796 8號所示，金屬箔上設置有爲獲得 鲁 金屬箔與樹脂固化物間之剝離強度用之數μηι之粗糙化層 ，而該粗糙化層卻妨礙金屬箔之薄箔化。又，在半加法中 ，需要在電鍍後鈾刻去除電路以外部份所存在的饋電層， 惟因粗糙化層中所存在的凹凸，容易產生會成爲短路不良 之原因的未蝕刻部份。再者，由於粗糙化層之凹凸會增大 導體電路之電阻之故，結果會增大傳輸袞耗。此種電阻之 增大，係信號愈成高頻時將愈顯著的現象是周知的事實。 又，如金屬箔具有粗糙化層，則在形成導體電路時需要多 餘的蝕刻，而導體頂幅會較底幅爲細小之故，不能獲得完 好且微細的電路之形成。 爲解決上述之課題起見，日本專利公開第8-3 099 1 8號 中揭示有未施予粗糙化處理的銅箔，及將成絕緣層的過氧 ， 化物固化性樹脂組成物介由矽烷偶合劑或硫醇偶合劑而成 / % 的黏接底基所層合的黏貼銅之層合板。由此，可不致於降 / 低銅箔與絕緣層間之剝離強度而解決因前述之金屬箔之粗 糙化所引起的種種問題。 (3) (3)573451 然而，在上述之方法中，作爲絕緣層而需要使用過氧 化物固化性樹脂，此時，使用在構成中含有此種樹脂之黏 貼金屬之層合板所製造的印刷電路板之可靠性可能會降低 。又，由於過氧化物固化性樹脂本身爲危險性較高的物質 之故，其操作處理方面以及保存方面非常困難，再者，由 於與一般所使用的絕緣樹脂比較時較爲高價之故，並不實 用。 【發明內容】 發明揭示 本發明，係以提供一種能達成絕緣樹脂組成物層與金 屬箔間之界面之密接性和平坦性，且經濟性或操作處理性 等之印刷電路板製造時有關的實用性要件亦能符合的黏貼 金屬之層合板或貼附樹脂之金屬箔爲目的，再者，以提供 一種使用該黏貼金屬之層合板或貼附樹脂之金屬箔，可靠 性及電路形成性優異，導體衰耗非常少的印刷電路板以及 其製造方法爲目的。 亦即，本發明有關下列（1 )至（4 0 )之記載。 (1 ) 一種貼附樹脂之金屬箔，係具有絕緣樹脂組成 物層，及固附在絕緣樹脂組成物層之單面或雙面而成的金 · 屬箔的貼附樹脂之金屬箔，而其特徵爲：金屬箔之至少絕 / t 緣樹脂組成物層側係經表面處理者，且金屬箔之雙面係實 ·“ 質上未經粗糙化處理者。 (2 )如上述（I )所記載之貼附樹脂之金屬箔，其中 -8- (4) (4)573451 金屬箔之表面粗糙度（Rz)在雙面均爲2.0以下。 (3 )如上述（1 )或（2 )所記載之貼附樹脂之金屬 箔，其中金屬箔之厚度爲3// m以下。 (4 )如上述（〇至（3 )中之任一項所記載之貼附 樹脂之金屬箔，其中絕緣樹脂組成物層與金屬箔間之界面 粗糙度（Rz)爲2.0# m以下。 (5 )如上述（1 )至（4 )中之任一項所記載之貼附 樹脂之金屬箔，其中表面處理係防銹處理、鉻酸鹽處理、 · 矽烷偶合處理中之任一種或組合此等處理者。 (6 )如上述（5 )所記載之貼附樹脂之金屬箔，其中 防銹處理係使用鎳、鍚、鋅、鉻、鉬、鈷中之任一種，或 此等之合金所實施者。 (7 )如上述（5 )或（6 )所記載之貼附樹脂之金屬 箔，其中，絕緣樹脂組成物含有氰酸酯樹脂，且防銹處理 係使用以鎳爲主成份的金屬所實施者。 (8 )如上述（5 )至（7 )中之任一項所記載之貼附隹 樹脂之金屬箔，其中在防銹處理上，實施有鉻酸鹽處理。 (9 )如上述（5 )至（8 )中之任一項所記載之貼附 樹脂之金屬箔，其中矽烷偶合處理係經實施在金屬箔之最 外層。 _ (1 〇 )如上述（5 )至（9 )中之任一項所記載之貼附 — 樹脂之金屬箔’其中矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑係因 ^ 加熱而會與絕緣樹脂組成物進行化學反應者。 (11 )如上述（5)至（10 )中之任一項所記載之貼 -9- (5) (5)573451 附樹脂之金屬箔，其中絕緣樹脂組成物含有環氧樹脂，且 矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑係含有胺基官能性矽烷者 (1 2 )如上述（1 )至（1 1 )中之任一項所記載之貼 附樹脂之金屬箔，其中絕緣樹脂組成物含有熱固化性樹脂 (1 3 )如上述（〇至（12 )中之任一項所記載之貼 附樹脂之金屬箔，其中絕緣樹脂組成物係在常溫下含有液 鲁 狀之環氧樹脂者。 (1 4 )如上述（1 )至（1 3 )中之任一項所記載之貼 附樹脂之金屬箔，其中絕緣樹脂組成物含有潛在性固化劑 〇 (1 5 )如上述（1 )至（1 4 )中之任一項所記載之貼 附樹脂之金屬箔，其中固化後之絕緣·樹脂組成物在1 GHz 下的介電常數爲3.0以下，或介電損失角正接爲0.01以下 • (1 6 ) —種黏貼金屬之層合板，係具有絕緣樹脂組成 物層，及固附在絕緣樹脂組成物層之單面或雙面而成的金 屬箔的黏貼金屬之層合板，而其特徵爲：金屬箔之至少絕 緣樹脂組成物層側係經表面處理者，且金屬箔之雙面係實 ： 質上未經粗糙化處理者。 b (1 7 )如上述（1 6 )所記載之黏貼金屬之層合板，其 / 中金屬箔之表面粗糙度（RO在雙面均爲2.0// m以下。 (1 8 )如上述（10或（1 7 )所記載之黏貼金屬之 -10- (6) (6)573451 層合板，其中金屬箔之厚度爲3// m以下。 (1 9 )如上述（1 6 )至（1 8 )所記載之黏貼金屬之層 合板，其中絕緣樹脂組成物層與金屬箔間之界面粗糙度（ .

Rz)爲 2.0/zm以下。 (2〇)如上述（16)至（19)中之任一項所記載之黏 貼金屬之層合板，其中表面處理係防銹處理、鉻酸鹽處理 、矽烷偶合處理中之任一種或組合此等處理者。 (2 1 )如上述（20 )所記載之黏貼金屬之層合板，其 鲁 中防銹處理係使用鎳、鍚、鋅、鉻、鉬、鈷中之任一種， 或此等之合金所實施者。 (22)如上述（20)或（21)所記載之黏貼金屬之層 合板，其中絕緣樹脂組成物含有氰酸酯樹脂，且防銹處理 係使用以鎳爲主成份的金屬所實施者。 (23 )如上述（2〇 )至（22 )中之任一項所記載之貼 附金屬之層合板，其中在防銹處理上，實施有鉻酸鹽處理 (24 )如上述（20 )至（23 )之任一項所記載之貼附 金屬之層合板，其中矽烷偶合處理係經實施在金屬箔之最 外層者。 (25 )如上述（2〇 )至（24 )之任一項所記載之貼附 · 金屬之層合板，其中矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑係因 ~ % 加熱而會與絕緣樹脂組成物進行化學反應者。 ^ (26 )如上述（2〇 )至（25 )中之任一項所記載之黏 貼金屬之層合板，其中絕緣樹脂組成物含有環氧樹脂，且 -11 - (7) (7)573451 矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑含有胺基官能性矽烷者。 (27)如上述（]6)至（26)中之任一項所記載之黏 貼金屬之層合板，其中絕緣樹脂組成物含有熱固化性樹脂 ， 〇 (2 8 )如上述（1 6 )至（2 7 )中之任一項所記載之黏 貼金屬之層合板，其中絕緣樹脂組成物在常溫下含有液狀 之環氧樹脂。 (29)如上述（I6)至（28)中之任一項所記載之黏 · 貼金屬之層合板，其中絕緣樹脂組成物含有潛在性固化劑 〇 (3 0 )如上述（1 6 )至（29 )中之任一項所記載之黏 貼金屬之層合板，其中固化後之絕緣樹脂組成物在]GHz 下的介電常數爲3.0以下，或介電損失角正接爲0.01以下 〇 (3 1 ) —種印刷電路板，其特徵爲：使用上述（1 ) 至（1 5 )中之任一項所記載之貼附樹脂之金屬箔及/或上 述（1 6 )至（3 0 )中之任一項所記載之黏貼金屬之層合板 所製造者。 (3 2 )如上述（3 1 )所記載之印刷電路板，其中導體 電路之表面粗糙度（Rz)爲2.0//m以下。 · (3 3 )如上述（3 1 )或（32 )所記載之印刷電路板， ’ 其中絕緣樹脂組成物層與1mm寬幅之導體電路間之剝離強 ，· 度爲0.6kN/m以上。 (3 4 )如上述（3 1 )至（3 3 )中之任一項所記載之印 -12- (8) (8)573451 刷電路板，其中在150t下加熱24 0小時後之絕緣樹脂組成 物層與1mm寬幅之導體電路間之剝離強度爲〇.4kN/ m以上 〇 (3 5 ) —種印刷電路板之製造方法，係具有藉由將上 述（1 )至（1 5 )中之任一項所記載之貼附樹脂之金屬箔 及/或上述（1 6 )至（3 0 )中之任一項所記載之黏貼金屬 之層合板之金屬箔作爲蝕電層的圖型電鍍以製作導體電路 的過程。 (3 6 )如上述（3 5 )所記載之印刷電路板之製造方法 ，其中在金屬箔上形成化學性電鍍層。 (3 7 )如上述（3 5 )或（3 6 )所記載之印刷電路板之 製造方法，其中形成導體電路後，當去除作爲饋電層的金 屬細時，使用將成爲化學反應律速（rate-dermining)的 蝕刻液。 (3 8 )上述（3 7 )所記載之印刷電路板之製造方法， 其中蝕刻液係作爲主成份而含有不含鹵元素的酸及過基化 氫。 (3 9 )上述（3 8 )所記載之印刷電路板之製造方法， 其中不含鹵元素的酸係硫酸。 (4〇 )上述（39)所記載之印刷電路板之製造方法， 其中硫酸之濃度爲5至3 OOg/公升、過基化氫之濃度爲5至 2〇〇g/公升。 本申請案，係根據同申請人原先所提出的日本專利申 請案，亦即，特願2002-5 8 1 62號（申請日20 02年3月5臼） -13- (9) (9)573451 、特願2002-91885號（申請日2002年3月28日）、以及特 願2002-136052號（申請日2002年5月10日）並隨拌優先權 主張者，將此等說明書內容，爲參考起見，摻合在本申請 案內。 【實施方式】 茲就本發明之黏貼金屬之層合板以及貼附樹脂之金屬 箔加以詳細說明如下。 Φ 本發明之黏貼金屬之層合板，例如，第1 ( a )圖所示 5係在半固化片（prepreg ) 1之兩側層合一體化有其兩面 實質上未經粗糙化處理的金屬箔2而成的黏貼金屬之層合 板。 半固化片係對基材使絕緣樹脂組成物之淸漆含浸或塗 工而成4 ’作爲基材’可使用周知之採用爲各種電氣絕緣 材料用層合板。基材之材質之例而言，可舉：E玻璃、D 坡璃、S玻璃或Q玻璃等之無機物纖維、聚醯亞胺、聚酯 · 或四氟乙烯等之有機纖維、以及其等混合物等。此等基材 ’具有例如織布、不織布 '粗紗（r 〇 p i n g )、切碎單紗消 光織物（chopped strand mat、凸紋花消光織物（ surfacing mat)等之形狀，惟材質及形狀係可依作爲目的 · 之成形物之用途或性能選擇，按需要可從單獨或2種以上 〃 麝 材質及形狀使用。基材厚度並無特別限定，惟通常使用 ·一 〇.〇3至0.5 mm程度者，經以矽烷偶合劑等表面處理者，或 施以機械式開fe處理者則從耐熱性、耐濕性或加工性方面 -14 - (10) (10)573451 來看，較好用。又，半固化片，係通常按其樹脂含有率在 乾燥後能成爲2 0至9 0重量。/〇之方式對基材含浸樹脂或予以 塗工，並在100至200 °C之溫度下加熱乾燥1至30分鐘，作 · 成半固化狀態（B階段狀態）即可製得。再者，將此半固 化片通常疊合1至20片，再在其兩面配置金屬箔之構成下 加熱加壓以層合，即可製得如本申請案般的黏貼金屬之層 合板。複數片之半固化片（prep r eg )層之厚度係因用途 而異，惟通常〇」至5mm厚度者較佳。層合方法可採用通 鲁 常之層合板之手法，例如使用多段加壓機、多段真空加壓 機、連續成形、高壓鍋成形機等，通常按溫度1 0 0至2 5 0 °C 、壓力0.2至lOMPa、加熱時間0.1至5小時之條件進行層合 ，使用真空層壓裝置可按層壓條件50至150°C、0.1至5MPa 、真空壓1.0至760mmHg之條件進行層壓。 用爲本發明之絕緣樹脂組成物的絕緣樹脂，可使用作 爲印刷電路板之絕緣材料所使用的周知慣例之一般性絕緣 樹脂，而通常將耐熱性、耐藥品性良好的熱固化性樹脂作 ® 爲基底使用。熱固化性樹脂而言，可例示：苯酚樹脂、環 氧樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、異氰酸酯樹脂、 苯并環丁烯樹脂、乙烯樹脂等，惟並不限定在此等。熱固 化性樹脂可以1種單獨使用，亦可混合2種以上使用。 _· 上述熱固化性樹脂之中，尤以環氧樹脂因耐熱性、耐 . 藥品性、電氣特性優異，較廉價之故，作爲絕緣樹脂廣泛 ^ 採用而特別要重。環氧樹脂而言’可例不：雙酌A型環氧 樹脂 '雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等之雙酚型環 -15 - (11) (11)573451 氧樹脂；苯酚淸漆型環氧樹脂、雙酚A淸漆型環氧樹脂等 之淸漆型環氧樹脂；脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹 脂；聯酚之二縮水甘油醚化物、萘二醇之二縮水甘油醚化 物、苯酚類之二縮水甘油醚化物、醇類之二縮水甘油醚化 物、以及此等之烷基取代基；鹵化物；加氫物等。環基樹 脂可以1種單獨使用，亦可混合2種以上使用。又，與此環 氧樹脂一起使用的固化劑，祗要是能使環氧樹脂固化者並 不限定而可使用，例如可使用：多官能酚類、多官能醇類 、胺類、咪唑化合物、酸酐、有機磷化合物及此等之鹵化 物。此等環氧樹脂固化劑，可以1種單獨使用，亦可混合2 種使用。 上述氰酸酯樹脂，係因加熱而會生成以三哄環爲反覆 單位的固化物的樹脂，由於其固化物之介電特性優異之故 ，多用爲特別需要高頻特性的情形。氰酸酯樹脂而言，可 例舉：2，2-雙（心氰醯苯基）丙烷、雙（心氰醯苯基） 乙烷、2，2-雙（3，5-二甲基-4-氰醯苯基）甲烷、2，2-雙（4 -氰醯苯基）-1，1，1，3，3，3 -六氟(丙燒、a ’ 雙（4-氰醯苯基間二異丙基苯、苯酚淸漆及烷基酚 淸漆之氰酸酯酯化物等。其中，2，2-雙（4-氰醯苯基） 丙烷，因固化物之介電特性及固化性之平衡特別良好，並 成本上廉價之故較理想。在此所用的氰酸酯樹脂，可以1 種單獨使用，亦可混合2種以上使用。又，一部份經低聚 化爲三聚物或五聚物亦不妨。 再者，亦可對上述氰酸酯樹脂摻入固化觸媒或固化促 -16 - (12) (12)573451 進劑。固化觸媒而言，可使用··錳 '鐵、鈷、鎳、銅、鋅 等之金屬類，具體可作成：2-乙基己酸鹽、環烷酸鹽、辛 酸鹽等之有機金屬鹽以及乙醯丙酮錯合體等之有機金屬錯 。 合體使用。此等可以單獨使用，亦可混合2種以上使用。 ， 固化促進劑而言，較佳爲使用苯酚類，可使用：壬基苯酚 、對茴香基酚等之單官能酚、或雙酚A、雙酚F、雙酚S等 之二官基酚或苯酚淸漆、甲酚淸漆等之多官能酚。此等可 以單獨使用，亦可混合2種以上使用。 鲁 用爲本發明之絕緣樹脂組成物中，爲考慮介電特性、 耐衝擊性、薄膜加工性等，可滲合有熱塑性樹脂。熱塑性 樹脂而言，可例示：氟樹脂、聚伸苯基醚、改性聚伸苯基 醚、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、聚酮醚、聚芳酯 、聚醯胺、聚醯胺亞胺、聚丁二烯等，惟並不限定在此等 。熱塑性樹脂可以1種單獨使用，此可混合2種使用。 上述熱塑性樹脂之中，如調配聚伸基醚及改性聚伸苯 基基，則由於會改善固化物之介電特性之故較好用。聚伸 ® 苯基醚及改性聚伸苯基醚而言，可例舉：聚（2，6-二甲 基-1，4-伸苯基）醚、聚（2，6-二甲基-1，4-伸苯基）醚 與聚苯乙烯之芳醯基化聚合物、聚（2，6-二甲基4_ 伸苯基）醚與苯乙烯-丁二烯共聚物之芳醯基化聚合物、 t 聚（2，6-二甲基-1，4_伸苯基）醚與苯乙烯·馬來酸野共 < 聚物之芳醯基化聚合物、聚（2，4-二甲基-]，伸苯基 " )醚與聚醯胺之芳醯基化聚合物、聚（2，6-二甲基 伸苯基）醚與苯乙烯·丁二烯-丙烯腈共聚合物之芳醯g -17- (13) (13)573451 化聚合物。又，爲對聚伸苯基醚賦與反應性、聚合性起見 ，可在聚合物鏈末端導入胺基、環氧基、苯乙烯基、丙烯 酸基等之官能基，或在聚合物鏈側鏈導入胺基、環氧基、 < 羧基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基等之官能基。 又，在上述熱塑性樹脂中，由於聚醯胺亞胺樹脂，係 除優於耐熱性、耐濕性之外，尙對金屬的黏接性良好之故 ，很有用。聚醯胺亞胺之原料中，酸成份而言，可例示： 偏苯三甲酸酐、一氯化偏苯三甲酸酐，而胺成份而言，可 隹 例示：間苯二胺、對苯二胺、4，4 ’ -二胺基二苯基醚、4 ，二胺基二苯基甲烷、雙[4-(胺基苯氧）苯基]硕、2 ’ 2’-雙[4- ( C胺基苯氧）苯基]丙烷等，惟並不限定於此 等。爲改善乾燥性，亦可作成矽氧烷改性，此時，爲胺基 成份使用矽氧烷二胺。如考慮薄膜加工性時，較佳爲使用 分子量爲5萬以上者。 用爲本發明之絕緣樹脂組成物中，可混合有無機塡充 劑。無機塡充劑而言，可例舉：氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧鲁 化鎂、黏土、滑石、三氧化銻、五氧化銻、氧化鋅、熔融 氧化矽、玻璃粉、石英粉、微細中孔玻璃狀（shirasu_ balloons )等。此等無機塡充劑可以單獨使用，亦可混合2 種以上使用。 用爲本發明之絕緣樹脂組成物中，可含有有機溶媒。 " 轉 有機溶媒而言，可例舉：如苯、甲苯、二甲苯、三甲苯般 二 的芳香族烴系溶媒；如丙酮、甲基乙基丙酮、甲基異丁基 丙酮般的酮系溶媒；如四氫呋喃般的醚系溶媒；如異丙醇 -18- (14) (14)573451 、丁醇般的醇系溶媒；如2-甲氧基乙醇、2-丁氧基乙醇般 的醚醇系溶媒；如N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲醛、 N，N-二甲基乙醯胺般的醯胺系溶媒等，此等可以單獨使 · 用，亦可倂用2種以上使用。製作半固化片時等所用的絕 緣樹脂組成物之淸漆中之溶媒量較佳爲作成40至80重量。/〇 之範圍。又，絕緣樹脂組成物淸漆在2 5 °C下的黏度較佳爲 作成20至100CP之範圍。 用爲本發明之絕緣樹脂組成物中，可混合有難燃劑。 · 難燃劑而言，例如可使用：十溴二苯基醚、四溴雙酚A、 四溴酞酸酐、三溴酚等之溴化物、磷酸三苯酯、磷酸三甲 苯酚酯、磷酸三茬酯、磷酸甲苯酚二苯酯等之磷化合物、 氫氧化鎂、氫氧化鋁等之金屬氫氧化物、紅磷及其改性物 、二氧化銻、五氧化銻等之銻化合物、三聚氰胺、三聚氰 酸、三聚氰醯三聚氰胺等之三啡化合物等周知慣用之難燃 劑。 用爲本發明之絕緣樹脂組成物中，需要時再可添加： 鲁 硬化劑、硬化促進劑、熱塑性粒子、著色劑、紫外線不穿 透劑、氧化防止劑、還原劑等之各種添加劑或塡充劑。 又，如作爲本發明之絕緣樹脂組成物而使用固化後之 ]GHz下的比介電係數在3.0以下或介電正接在〇.〇1以下者 . ，則能減低佈線中的介電體損失而能形成傳輸衰耗更小的 / 電路。如此的介電特性優異的樹脂而言，可例示：聚伸苯 〃 基醚樹脂或氰酸酯樹脂。如將聚伸苯基醚用爲佈線板材料 時，爲改善耐熱性或耐藥品性起見需要賦與熱固化性，惟 -19- (15) (15)573451 作爲一例，有：聚伸苯基醚中摻合環氧樹脂、氰酸酯樹脂 、三畊-雙馬來醯亞胺樹脂等之熱固化性樹脂的方法，聚 伸基醚之分子鏈中導入雙鍵或環氧基等之聚合性官能基的 _ 方法。 用爲本發明之金屬箔，不會在表面實質上實施瘤狀之 電著物（俗稱燒結鍍金：請參照日本專利公開第9-2 1 6 1 8 號）之形成，或採用氧化處理、還原處理、蝕刻等的粗糙 化處理在此「實質上」之意，係指在來，經粗糙化爲不能 馨 獲得足夠的剝離強度之程度的金屬箔，仍能使用之意，較 佳爲使用完全未施予粗糙化處理的金屬箔。因而，用爲本 發明之金屬箔之表面粗糙度較佳爲在JIS B0601所示的]0 點平均粗糙度（Rz)兩面均在2.0/zm以下，更佳爲1.5/zm 以下，特佳爲1 .〇 # m以下。 又，用爲本發明之金屬箔而言，例如，可使用銅箔、 鎳箔、鋁箔等，惟通使用銅箔。用爲本發明之銅箔之製造 方法而言，並不特別限定，例如，製造具有載體（carrier # )的可剝離型（pee】ab】e )之銅箔時，在厚度1〇至50 // m 之載體箔上形成將成爲剝離層的金屬氧化物或有機物層， 而如係硫酸銅浴時可按硫酸5〇至100g /公升，銅30至100g /公升，液溫20°C至80°C，電流密度0.5至]00A/ dm2之條 · 件，如係焦磷酸銅浴時則可按焦磷酸鉀1 〇 〇至7 0 0 g /公升 4» ，銅10至50g /公升，液溫30°C至60°c，pH8至12，電流 ^ 密度1至10A/ dm2之條件製造，亦有考慮銅箔之物性或平 滑性而摻入各種添加劑的情形。在此，可剝離型之金屬箔 -20- (16) (16)573451 ’係指具有載體的金屬箔，而能剝離載體的金屬箔之意。 又，用爲本發明之金屬箔之厚度而言，並不特別限定 ’惟較佳爲3 // m以下者。如使用具有載體的可剝離型之 ， 金屬箔時，較佳爲在剝離載體後金屬箔能成爲3 // m以下 者。如使用如此的金屬箔爲饋電層時，則可製得如後述之 佈線形成性良好者。 又，用爲本發明之金屬箔之至少絕緣樹脂組成物層側 ，爲使金屬箔與過絕緣樹脂組成物層間之密接性達到實用 0 水準或以上起見，將實施表面處理。對金屬箔上之表面處 理而言，可例舉：防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合劑處 理中之任一種，或者此等之組合，較佳爲配合將用爲絕緣 樹脂組成層的樹脂系適當檢討實施何種表面處理。 上述防銹處理，係例如，將鎳、鍚、鋅、鉻、鉬、鈷 等之任一種或此等之合金，藉由賤鍍或電鍍、無電解鍍金 在金屬箔上形成薄膜而可實施。從成本上來看，較佳爲電 鍍。爲使金屬離子容易析出起見，亦可按需要量添加檸檬 0 酸鹽、酒石酸鹽、胺基磺酸等之錯合劑。電鍍液係通常在 酸性領域內使用，在室溫至80°C之溫度下進行。電鍍通常 爲電流密度0.1至l〇A/ dm2，通電時間1至60秒鐘，較佳爲 從1至3 0秒鐘之範圍適當選擇。防銹處理金屬之量，係因 金屬之種類而異，惟合計在10至2000 pg/dm2較合適。如 m 防銹處理過厚，則會引起蝕刻阻礙及電氣特性之低落，而 ^ 如過薄時，則可能成爲樹脂間之剝離強度下降之要因。 又，如在絕緣樹脂組成物中含有氰酸酯樹脂時，防銹 -21 - (17) (17)573451 處理較佳爲由含有鎳的金屬進行。如採用此種組合時，則 在耐熱劣化試驗或耐濕劣化試驗中的剝離強度之降低較少 故好用。 - 作爲上述鉻酸鹽處理，較佳爲使用含有六價鉻離子的 _ 水溶液。鉻酸鹽處理可爲單純的浸漬處理，惟較佳爲依陰 極處理進行。較佳爲按重鉻酸鈉0.1至5〇g /公升，pH]至 13，浴溫0至60°C，電流密度0.1至5A / dm2，電解時間0.1 至1 00秒鐘之條件進行。亦可不使用重鉻酸鈉而使鉻酸或 · 重鉻酸鉀以進行。又，上述鉻酸鹽處理較佳爲施加在上述 防銹處理上，由此可更提升絕緣樹脂組成物層與金屬箔間 之密接性。 用爲上述矽烷偶合處理之矽烷偶合劑而言，例如可使 用·· 3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3，4-環氧環 己基）乙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷、3 -胺基丙 基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基）3-胺基丙基三甲氧基 矽烷、N-2-(胺基乙基）胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等 · 之胺基官能性矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三 甲氧基矽烷、乙烯基參（2-甲氧乙氧基）矽烷等之烯烴官 能性矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷等之丙烯酸官能 性矽烷、3 -甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷等之甲基丙烯 / 广.· 酸官能性矽烷、3-酼基丙基三甲氧基矽烷等之酼基官能性 ， 矽烷等。此等可以單獨使用，亦可混合複數種使用。此等 ^ 偶合劑，係使在水等之溶媒中以0.1至15g/公升之濃度溶 解，在室溫至5〇°C之溫度下塗佈在金屬箔或使其電極沈積 -22- (18) (18)573451 (electrode position )以進行吸附。此等矽烷偶合劑，由 於其金屬箔表面之防銹金屬之羥基進行縮合結合而形成薄 膜。矽烷偶合處理後即藉由加熱、紫外線照射等而形成安 定性結合。如係藉由加熱，則在1 0 0至2 0 0 °C之溫度下乾燥 2至60秒鐘。如係藉由紫外線照射，則在200至4〇〇ηΐΏ、 200至2500mJ / cm2之範圍進行。又，矽烷偶合處理，較 佳爲對金屬箔之最外層進行。 又，用爲矽烷偶合處理的矽烷偶合劑而言，較佳爲在 · 60至200°C，更佳爲因80至150°C之加熱而能與上述絕緣樹 脂組成物進行化學反應者。由此，絕緣樹脂組成物中之官 能基與矽烷偶合劑之官能基進行化學反應，而能製得更優 異的密接性。例如，對含有環氧基的絕緣樹脂組成物，較 佳爲使用含有胺基官能基矽烷的矽烷偶合劑。此乃因熱而 環氧基與胺基容易形成堅固的化學結合，而此種結合係對 熱或水份極爲安定者之故。能形成如此的化學結合的組合 而言，可例舉：環氧基-胺基、環氧基-環氧基、環氧基-# 酼基、環氧基·羥基 '環氧基-羧基、環氧基-氰醯基、胺 基-氰醯基等。 又，用爲本發明之絕緣樹脂組成物之絕緣樹脂而言， 較佳爲使用常溫下爲液狀之環氧樹脂，此時，由於溶融時 . 之黏度會大幅度下降之故，在黏接界面的濕潤性將獲改善 < 而容易進行環氧樹脂與矽烷偶合劑間之化學反應，其結果 ^ ’可得堅強的剝離強度。具體而言，較佳爲環氧當量2 0 0 程度之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂 '苯酚淸漆 -23- (19) (19)573451 型環氧樹脂。 又，如絕緣樹脂組成物含有硬化劑時，硬化劑而言， 更佳爲使用加熱固化型潛在性固化劑。亦即，如絕緣樹脂 -組成物中之官能基與矽烷偶合劑之官能基進行化學反應時 、 ，較佳爲按絕緣樹脂組成物中之官能基與矽烷偶合劑之官 能基之反應溫度能較開始絕緣樹脂組成物之固化反應的溫 度爲低之方式選擇固化劑。由此，可依優先性、選擇性方 式進行絕緣樹脂組成物中之官能量與矽烷偶合劑之官能基 # 間之反應，而金屬箔與絕緣樹脂組成物間之密接性將會更 強。對含有環氧樹脂的絕緣樹脂組成物的熱固化型潛在性 固化劑而言，可舉：雙氰胺、二醯肼化合物、咪唑化合物 、胺-環氧加成物等之固體分散-加熱熔解型固化劑或脲化 合物、錄鹽類、三氯化硼·胺鹽類、嵌段殘酸化合物等之 反應性基嵌段型固化物。 將含有如上之絕緣樹脂組成物的半固化片、與其表面 未經實質上之粗糙化處理且施加有上述表面處理的金屬箔 β ，依前述方法進行層合一體合，即可製得如第1 ( a )圖所 示的本發明之黏貼金屬之層合板。 又，本發明之貼附樹脂之金屬箔，係可將如上述的絕 緣樹脂組成物之淸漆塗佈在如上述的金屬箔上並加熱、乾 . 燥而製得。塗佈方法而言，例如可使用，輥刮塗佈機、輥 瓠 式塗佈機、逗號塗佈機等進行，而加熱、乾燥條件較佳爲 ^ 在]0 0至2 0 0 C之溫度下進行1至3 0分鐘，而加熱、乾燥後 之絕緣樹脂組成物中的殘留溶劑量較佳爲〇 . 2至1 0 %程度。 -24^ (20) (20)573451 又，製作貼附樹脂之金屬箔時之絕緣樹脂組成物淸漆中之 溶媒量較佳爲作成30至70重量％，而在25 t下的淸漆之黏 度較佳爲作成100至5 00 CP之範圍。又，亦可將薄膜狀之 -絕緣樹脂組成物層壓在金屬箔上以作成本發明之貼附樹脂 、 之金屬箔，其時，按50至150°C，0.1至5MPa之條件，將樹 脂薄膜層壓在金屬箔上較爲適當。 又，本發明之黏貼金屬之層合板，或貼附樹脂之金屬 箔之絕緣樹脂組成物層與金屬箔之界面粗糙度（Rz )較佳 β 爲在2 · 〇以下，更佳爲1 . 5 // m以下。另外，本發明中，絕 緣樹脂組成物層與金屬箔間之界面粗糙度，係指將黏貼金 屬之層合板5、貼附樹脂之金屬箔或印刷電路板之導體金 屬施加蝕刻，根據JIS-B-060 1，測定所呈現的樹脂面之粗 糙度的數値之意。 其次，將使用如上述方式所製得的本發明之黏貼金屬 之積合板以製造印刷電路板的方法之一例，加以說明。 首先，在第1 ( a )圖之黏貼金屬之層合板上形成層間 ® 連接用之貫穿通孔（through-hole) 3，並在金屬箔2上及 通孔3內部賦與觸媒核。（如第1圖（b )) <^如通孔徑在 1 0 0 // m以上，則適合使用鑽孔機的加工，而如通孔徑在 100 // m以下，則適合使用（：02或C0、愛克斯瑪（excimer .· )等之氣體雷射或YAG (釔鋁石榴石）等之固體雷射。又 . ，爲賦與觸媒核時，則使用貴金屬離子或鈀膠體。 # 接著，如第1 ( c )圖所示，在經賦與觸媒核之金屬箔 2上及通孔3內部，形成薄舖之化學性電鍍層4。爲此化學 -25- (21)573451 性電鍍，可使用CUST2 Ο 00 ((日立化成工業 商品名）或CUST201((日立化成工業（股） )等市售之化學性鍍銅。此等化學性鍍銅，係 甲醛水、錯合劑' 氫氧化鈉爲主成份者◊鍍金 是能進行接下來的電鍍之厚度即可，0.1至1/i 〇 其次，如第1 ( d )圖所示，在經化學性電 成 光阻5。鍍金光阻之厚度，係作成與爾後 厚度同程度，或稍厚的膜厚較合適。可用爲鑛 脂，有：如PMER P-LA900PM (東京應化（股 名）般的液狀光阻，或HW-425 (日立化成工 ，商品名）、RY-3 025 (日立化成工業（股） )等之乾薄膜。將成爲介層洞上及導體電路的 形成鍍金光阻。 接著，如第1 ( e )圖所示，由電鍍形成電 爲電鍍可使用通常在印刷電路板所使用的硫酸 金之厚度，係可作爲電路導體使用即可，較佳 之範圍，更佳爲5至50/zm之範圍。 其次，使用鹼性剝離液、硫酸或市售之光 進行光阻之剝離，以進行圖型部以外之銅的蝕 1 ( f)圖）。用爲本發明之蝕刻液而言，並不 惟使用在來之擴散律速型之蝕刻液時，由於佈 份之液之交換總是不佳之故，有電路形成性惡 因此，較佳爲使用銅與蝕刻液之反應非按擴建 (股）製， 製，商品名 以硫酸銅、 . 之厚度祗要 m程度即足 鍍之上，形 電鍍的導體 Φ 金光阻的樹 )製，商品 業（股）製 製，商品名 處所，則不 i路圖型6。 銅電鑛。鑛^^ 爲在]至I 00 阻剝離液以 刻去除（第 / 特別限定， ’ 零 線之微細部 V 化的傾向。 律速而按反 -26- (22) (22)573451 應律速進行的型式之蝕刻液。如銅與鈾刻液之反應係按反 應律速者，則即使再加強擴散，其蝕刻速度仍然不會變。 亦即，不會產生液交換佳的處所與不佳的處所的蝕刻速度 -差。如此的反應律速蝕刻液而言，可例舉：以過氧化氫及 _ 不含有鹵元素的酸爲主成份者。由於作爲氧化劑而使用過 氧化氫之故，如管理其濃度即能達成嚴緊的蝕刻速度控制 。在此，如蝕刻液中混有鹵元素，則溶解反應容易成爲擴 散律速。不含有鹵元素的酸而言，可使用硝酸、硫酸、有 · 機酸等，惟因廉價之故硫酸較佳。再者，如以硫酸和過氧 化氫爲主成份時，從蝕刻速度，液之安定性方面來看，較 佳爲將濃度分別作成5至3〇Og/公升及5至200g/公升。 接著，將上述第1 (f)圖者作爲內層電路基板，在其 兩側，將單面黏貼金屬之層合板或貼附樹脂之金屬箔進行 層壓（如第1(g)圖）。在此所用的單面黏貼金屬之層合 板或貼附樹脂之金屬箔，較佳爲與前述的本發明之黏貼金 屬之層合板或貼附樹脂之金屬箔同樣者。又，在此，絕緣 鲁 層7之厚度較佳爲]〇至100//m，更佳爲20至60//Π1。再者 ，金屬箔8之厚度，較佳爲〇.3至3//m。 接著，如第](h )圖所示，從金屬箔8之上面往絕緣 層7形成IVH (介層洞）9後，去除其內部之樹脂殘渣。形 _· 成IVH的方法而言，較佳爲使用雷射·。在此可用的雷射而 胃 言，有：C〇2 ' CO或愛克斯瑪等之氣體雷射或Yag等之固 。 體雷射。由於C〇2雷射較能容得獲得大輸出者之故，適合 作爲0 50// m以上之IVH之加工。如加工0 50 # m以下之微 -27- (23) (23)573451 細的IVH時，更短波長且聚光性較佳的YAG雷射較合適。 又，用爲樹脂殘渣之去除的氧化劑而言，可例舉：過錳酸 鹽' 鉻酸鹽、鉻酸等之氧化劑。 . 接著，在金屬箔8上及IVH9內部賦與觸媒核，以在金 _ 屬箔8上及IVH9內部形成薄舖之化學性電解層10。爲賦與 觸媒核時，可使用貴金屬離子或鈀膠體。爲化學性電鍍， 可使用CUS2 000 (日立化成工業（股）製，商品名）或 CUST201 (日立化成工業（股）製，商品名）等市售之化 0 學性鍍銅。此等化學性鍍銅係以硫酸銅、甲醛水、錯合劑 、氫氧化鈉爲主成份。鍍層之厚度祗要是能進行接下來的 電鍍之厚度即可，而0. 1至1 // m程度即是。 其次，如第1 ( j )圖所示，在經形成化學性電鍍層10 之上形成電鍍光阻I ]。電鍍光阻之厚度，較佳爲作成與爾 後電鍍的導體之厚度同程度或稍厚的膜厚。可使用爲電鍍 光阻的樹脂有：如PMER P-LA900PM (東京應化（股）製 ，商品名）般的液狀光阻，或如HW-42 5 (日立化成工業 春 (股）製，商品名）、RY-3 025 (日立化成工業（股）製 ，商品名）等之乾薄膜。分層洞上及將成爲導體電路的處 所則不形成電鍍光阻。 接著，如第l(k)圖所示，依電鍍形成導體電路圖型 · 1 2。電鍍時，可使用通常在印刷電路板所使用的硫酸銅電 # 鍍。電鍍之厚度係祗要能作爲電路導體使用即可，而較佳 μ 爲在1至l〇〇#m之範圍，更佳爲在5至50//m之範圍。 其次，使用鹼性蝕刻液、硫酸或市售之光阻剝離液以 -28- (24) (24)573451 進行光阻之剝離，再將導體電路圖型部以外之銅，較佳爲 使用屬於反應律速之前述蝕刻液去除以進行電路之形成（ 第 1 ( 1 )圖）。 _ 再者，亦可在第1(1)圖之基板之導體電路上進行鍍 金。鍍金之方法而言，可爲在來周知之方法而並不特別·限 定，惟例如有··使用如S A · 1 0 0 (日立化成工業（股）製， 商品名）般的活性化處理液進行導體界面之活性化處理， 將如NIPS-100 (日立化成工業（股）製，商品名）般的化 春 學性鍍鎳進行1至10 /z m程度，將如HGS-100 (日立化成工 業（股）製，商品名）般的取代鍍金進行〇.〇1至0.1 // m程 度後再進行如HGS-2000 (日立化成工業（股）製，商品 名）般的化學性鍍金0.1至1 // m程度等之方法。 如上所述，使用本發明之黏貼金屬之層合板，需要時 倂用貼附樹脂之金屬箔，即能提供一種可靠性及電路形成 性優異，且導體損耗非常少的印刷電路板以及其製造方法 。當然，僅使用貼附樹脂之金屬箔，亦能製造本發明之印 # 刷電路板。又，絕緣樹脂組成物層與將成爲導體電路間的 金屬箔間之密接性亦達到實用上滿意的數値之故，在印刷 電路板之製造過程中因電線剝離所引起的不良品亦少。在 本發明之印刷電路板中，絕緣樹脂組成物層與1 mm寬幅之 . 導體電路間之剝離強度較佳爲在0.6kN/ m以上。再者， ’ τ 在l5〇°C下加熱240小時後之絕緣樹脂組成物層與1mm寬幅 ” 之導體電路間之剝離強度較佳爲0.4kN/ m以上，更佳爲 〇.6kN/ m以上。 -29- (25) (25)573451 茲依實施例將本發明加以更詳細說明如T ’ ；唯#胃明 並不限定在實施例。 (金屬箔1之製作） . 對寬幅5I0mm、厚度35 # m之電解銅箔（載體銅范） 之光澤面依下述條件連續進行鉻電鍍以形成dm2之 厚度之鍍鉻層（剝離層）。形鍍鉻後之表面粗糙化度 Rz = 0 · 5 // m。在此，表面粗縫度係根據S B。6 0 1所測疋鲁 者。 鍍鉻條件 •液組成：三氧化鉻2 5 0g/公升、硫酸2.5g/公升 •浴溫：2 5 °C •陽極：鉛 •電流密度·· 2 0 A / d m 2 接著，按下述所示的條件進行電氣鍍銅。電氣鍍銅終 了後之金屬箔表面粗糙度Rz = 0.6// m。 硫酼銅電鍍條件 . •液組成：硫酸組5水合物100g/公升、硫酸150g/公升 · 、氯化物離子30ppm "

•浴溫：2 5 °C •陽極·銘 -30- (26) (26)573451 •電流密度：1 〇A/ dm2 接著，如下述所示方式依電鍍進行鋅防銹處理。 •液組成：鋅20g/公升、硫酸70g/公升 •浴溫：4 0 °C •陽極：銘 •電流密度：1 5 A/ dm2 •電解時間：10秒鐘 其次，接著做下述所示的鉻酸鹽處理。 •液組成：鉻酸5.0g/公升 • pH ： 11.5 •浴溫：5 5 °C •陽極： •浸漬時間：5秒鐘 接著，進行下述所示的矽烷偶合處理 •液組成：3-胺基丙基三甲氧矽烷50g/公升 •浴溫：25°C •浸漬時間：〇秒鐘 (27) (27)573451 矽烷偶合處理後，在1 20 °C下乾燥金屬箔後使偶合劑 吸附在金屬箔表面。此時之金屬箔表面粗糙度Rz = 0.6 // m (金屬箔2之製作） 不做金屬箔1之鋅防銹處理而藉由下述所示的電氣鍍 鎳進行防銹處理以外，其餘則按與金屬箔1同樣方式製作 金屬箔。其時之金屬箔表面粗糙度爲Rz = 0.6//m。 電氣鍍鎳 •液組成：鋅20g/公升、硫酸70g/公升 •浴溫：40°C •陽極：鉛 •電流密度：15A/ dm2 •電解時間：]〇秒鐘 (金屬箔3之製作） 爲金屬箔1之矽烷偶合劑使用V -環氧丙氧基丙基三甲 氧矽烷以外，其餘則按與金屬箔1同樣方式製作金屬箔。 其時之金屬箔表面粗糙度爲Rz = 0.6 # . (金屬箔4之製作） i 爲金屬箱2之砂院偶合劑使用V -環氧丙氧基丙基三甲 氧砂焼以外，其餘則按與金屬范2同樣方式製作金屬箱。 -32- (28) (28)573451 其時之金屬箔表面粗糙度爲Rz = 〇.6//m。 (金屬箔5之製作） _ 除未實施金屬箔1之鉻酸鹽處理以外，其餘則按與金 _ 屬箔1同樣方式製作金屬箔。其時之金屬箔表面粗糙度爲 R2 = 0 · 6 // m 0 (金屬箔6之製作） φ 除未實施金屬箔1之偶合劑處理以外，其餘則按與金 屬箔1同樣方式製作金屬箔。其時之金屬箔表面粗糙度爲 R z = 0.6 // m 〇 (金屬箔7之製作） 除未實施金屬箔1之鋅防銹處理以外，其餘則按與金 屬箔1同樣方式製作金屬箔。其時之金屬箔表面粗糙度爲 R2 = 0.6 // m 〇 (金屬箔8之製作） 除在光澤鍍銅後依下述所示的變黃電鍍條件進行厚度 2.0 // m之電氣鍍銅以外，其餘則按與實施1同樣方式製作 金屬箔。其時之金屬箔表面粗糙度爲RZ = 2.7 // m。 變黃電鍍條件 •液組成：硫酸銅5水和物50g/公升、硫酸1〇〇 g/公升、 -33- (29) (29)573451

氯化物離30ppm •浴溫：2 5 °C •陽極：鉛 ， •電流密度：dm2 _ (絕緣樹脂組成物1之製作） 將常溫下爲液狀的雙酚A型環氧樹脂（埃比科特 8 2 8EL，油化謝爾（股）製，商品名）30重量％、甲酌淸鲁 漆型環氧樹脂（埃比科隆N- 673，大日本油墨（股）製’ 商品名）30重量％，以及溴化雙酚A型環氧樹脂（YDB-5 0 0，東都化成（股）製，商品名）3 〇重量％在攪持下在 8 0 °C下加熱溶解在甲基乙基甲酮，對此添加本身爲潛在性 環氧固化劑的2，心二胺基-6- ( 2-甲基-卜咪唑基乙基）-] ，3，5-三哄·異三聚氰酸加成物40重量％、以及微粉碎氧 化矽2重量％、三氧化銻4重量％以製作環氧系絕緣樹脂組 成物淸漆。 鲁 (絕緣樹脂組成物2之製作） 將聚伸苯基醚樹脂（PKN47 5 2，日本吉伊塑膠（股） 製，商品名）20重量％、2，2 -雙（4 -氰醯苯基）丙烷（ Arocy B-10，旭奇色（股）製，商品名）40重量。含碟 之苯酚化合物（HCA-HQ，三光化學（股）製，商品名）8 重量。/。、環烷酸錳（Μη含量=6重量％，日本化學產業（股 )製）0.1重量％，' 2，2-雙（4-縮水甘油苯基）丙烷（ -34- (30) (30)573451 DER33 1L，陶宇化學品日本（股）製，商品名）32重量0/〇 在8 0%下加熱溶解在甲苯中以製作聚伸苯基醚-氰酸醋系絕 緣樹脂組成物淸漆。 (絕緣樹脂組成物3之製作） 將矽氧烷改性聚醯胺亞胺樹脂（KS-6600，日立化& 工業（股）製，商品名）80重量％、甲酚淸漆型環氧樹脂 (YDCN- 7 03，東都化成（股）製，商品名）20重量％在 φ 8〇°C下溶解在NMP ( 甲基吡咯烷酮）中以製作矽氧院改 性聚醯胺亞胺系絕緣樹脂組成物淸漆。 (實施例1 ) 使絕緣樹脂組成物1之淸漆含浸在〇 . 2 m m厚之玻璃布 (布單位重量2 1 0 g / m2 )中，在1 2 0 °C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。與此半固化片4片之上下層合金屬箔1，按170 °C，2M5MPa之條件壓機成形1小時並剝離載體銅箔以製造 肇 如第2 ( a)圖所示般的由絕緣層13及銅箔Μ而成的黏貼金 屬之層合板。 如第2(b)圖所示方式，從金屬箔上使用二氧化碳衝 擊雷射鑽孔機L- 5 00 (住友重機械工業（股）製，商品名 ， )，穿開直徑8 0 // m之貫穿通孔I 5，以液溫7 0 °C下浸漬在 > 4 過錳酸鉀65g/公升與氫氧化鈉4〇g/公升之混合水溶液中 β 2 0分鐘，以進行污屑（smear)之去除。 然後，在25°C下浸漬在本身爲鈀溶液之HS-202B (日 -35- (31) (31)573451 立化成工業（股）製，商品名）中〗5分鐘，賦與觸媒後， 使用CUST-201 (日立化成工業（股）製，商品名），依 液溫2 5 °C，3 0分鐘之條件進行化學性鍍銅，如第2 ( c )圖 · 所不’形成厚度0 · 3 // m之化學性鍍銅層1 6。 如第2 ( d )圖所示，將本身爲乾薄膜光阻的RY —3025 (曰立化成工業（股）製，商品名）層壓在化學性鍍銅層 1 6之表面，並介由經遮罩將進行電鍍鍍銅的處所的光罩而 曝光紫外線，顯像後形成電鍍光阻1 7。 馨 如第2 ( e )圖所示，使用硫酸銅浴，依液溫25 °C，電 流密度1.0A/ dm2之條件進行電鍍鍍銅約20 # m之程度，並 按能成爲最小電路導體寬幅/電路導體間隔（L/ S ) =25 之方式形成圖型電鍍銅18。 其次，如第2 ( f )圖所示，使用本身爲光阻剝離液的 Η丁〇（尼吉哥·莫頓（股）製，商品名）去除乾薄膜之後 ，使用H2S〇4 20g/公升、Η:〇2 10g/公升之組成之蝕刻液 以蝕刻去除圖型部以外之銅°蝕刻時，將基板切斷爲單面 ® ldm2之小片後置入]公升燒杯中’使用磁力攪拌機在4〇°C 下蝕刻5分鐘。 最後，依表1所示的條件’在導體電路上形成鍍鎳層 19及鑛金層20(如第2(g)圖）°電路形成後之最小電路 ，· 導體寬幅/電路導體間隔（L/ S ) =20/ 20 // m (底部寬 · 幅）。 -36- (32) 表1鍍金條件 _化處理 SΑ·100 R T 5分鐘 k學性鍍鎳 NIPS-100 8 5〇C 20分鐘 (厚度3 # m ) -_水洗 純水 RT ]分鐘 取代鍍金 HGS-100 8 5〇C 10分鐘 (厚度 0.02 μ m) 取代鍍金 HGS-2000 6 5 °C 4 0分鐘 (厚度 0.5// m) 573451 (實施例2 ) 使絕緣樹脂組成物1之淸漆含浸在〇.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g/ m2 )，在120°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔2, 依17〇°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例i 同樣方式製作基板。 (實施例3 ) 使絕緣樹脂組成物2之淸漆含浸在0.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g/ m2 )，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔2, 依170 °C、2.4 5MPa之條件加壓成型1小時以製造如第2 ( a (33) (33)573451 )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例！同 樣方式製作基板。 (實施例4 ) 使絕緣樹脂組成物2之淸漆含浸在0.2 m m厚之玻璃布 (單位面積重量210g / m2)，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔4， 依170°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 0 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例】 同樣方式製作基板。 (實施例5 ) 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在0.2 m m厚之玻璃布 (單位面積重量210g/ m2)，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔I， 依1 70°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 鲁 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例1 同樣方式製作基板。 (實施例6 ) 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在〇.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g/m2)，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔2， 依170°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 -38- (34) (34)573451 (a)圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例j 同樣方式製作基板。 (實施例7 ) 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在0.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g/m2)，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔3， 依170°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 # (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例i 同樣方式製作基板。 (實施例8 ) 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在0 · 2 m m厚之玻璃布 (單位面積重量210g / m2 )，在160t下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬范4， 依170°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 修 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例] 同樣方式製作基板。 (實施例9 ) . 使絕緣樹脂組成物1之淸漆含浸在〇 . 2 m m厚之玻璃布 ¥ (單位面積重量210g/ m2 )，在l2〇°C下乾燥5分鐘以製得 ” 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔3， 依l7〇°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 -39- (35) (35)573451 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例1 同樣方式製作基板。 (實施例1 0 ) ^ 使絕緣樹脂組成物1之淸漆含浸在0.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g / rn2)，在1201下乾無5分纟里以製 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔4， 依170°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 春 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例1 同樣方式製作基板。 (實施例1 1 ) 使絕緣樹脂組成物2之淸漆含浸在〇.2mm厚之玻璃布 (單位面積重量210g/ m2 )，在16CTC下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔1， 依]70°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 · (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例1 同樣方式製作基板。 (實施例12 ) , 使絕緣樹脂組成物2之淸漆含浸在0.2mπι厚之玻璃布 (單位面積重量2〗0g / m2 )，在160°C下乾燥5分鐘以製得 ^ 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔3， 依170°C、2.4 5 MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 -40- (36) (36)573451 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例！ 同樣方式製作基板。 (實施例1 3 ) ^ 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在〇 . 2 m m厚之玻璃布 (單位面積重量210g / m2)，在160°C下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔5， 依l7〇°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 · (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例] 同樣方式製作基板。 (實施例1 4 ) 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在0.2 mm厚之玻璃布 (單位面積重量2] 0g/ m2 )，在160t下乾燥5分鐘以製得 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔6， 依l7〇°C、2.45MPa之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 ^ (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例】 同樣方式製作基板。 (實施例15 ) . 使絕緣樹脂組成物3之淸漆含浸在0.2 m m厚之玻璃布 ¥ (單位面積重量21〇g/ m2 )，在160t下乾燥5分鐘以製得 ” 半固化片。除對此半固化片4片按上下方式層合金屬箔7， 依1 7 0 °C、2 · 4 5 MP a之條件進行加壓成型1小時以製造如第2 -41 - (37) (37)573451 (a )圖所示的黏貼銅之層合板以外，其餘則按與實施例i 同樣方式製作基板。 (比較例1 ) 除使用金屬箔8以外，其餘則按與實施例1同樣方式製 作基板。 (實施例1 6 ) · 在金屬箔1表面，使用輥式塗佈機按乾燥後之厚度能 成爲5 Ο μπι之方式塗佈樹脂組成物1，製得如第3 ( a )圖所 示的附有載體之貼附樹脂之金屬箔。 另一方面，如第3 (b)圖所示，爲絕緣基材使用在雙 面黏貼有厚度]8// m的金屬箱之本身爲厚度〇.2rnm之玻璃 布基材環氧黏貼銅之層合板之MCL-E-679 (日立化成工業 (股）製，商品名），將其不需要處所之金屬箔予以蝕刻 去除，並形成通孔26以形成內層導體電路24而製作內層電 鲁 路板2 5。 使用ME C etch BOND CA-8 100 (默克（股）製，商品 名），依液溫3 5 °C，噴霧壓0. 1 5 Μ P之條件，將其內層電路 板25之內層導體電路24之處理進行噴霧（sprag )處理， · 使銅表面粗面化以做出粗糙度3 // m程度之凹凸，使用 . ME C etch BOND CA- 8 3 00 (默克（股）製，商品名），依 液溫25 °C，浸漬時間20秒鐘之條件浸漬，對銅表面實施防 銹處理。 -42- (38) (38)573451 如第3 ( c )圖所示，將按第3 ( a )圖所製作的附有載 體之貼附樹脂之金屬箔，依17〇°C，30kgf/cm2之條件加 熱加壓層壓後，剝離作爲載體之銅箔。 _ 如第3(d)圖所示，從銅箔上使用二氧化碳衝擊穿孔 機L- 5 00 (住友重機械工業（股）製，商品名），穿開直 徑80// m之非貫穿孔27，浸漬在過錳酸鉀65g /公升及氫 氧化鈉40g/公升之混合水溶液中，在液溫7(TC下浸漬20 分鐘，並進行污屑之去除。 · 然後，在本身爲鈀溶液的HS-20 2B (日立化成工業（ 股）製，商品名）中.，在25 °C下浸漬15分鐘，經賦與觸媒 之，使用CUST-201 (日立化成工業（股）製，商品名） ，依液溫2 5 °C，3 0分鐘之條件進行化學性鍍銅，如第3 ( e )圖所示形成厚度0.3 μ m之化學性鍍銅層2 8。 如桌3 (f)圖所不，將本身爲乾薄膜光阻的RY-3025 (曰立化成工業（股）製，商品名）層壓在化學性電鍍層 2 8表面’並介由經遮罩將進行電鍍鍍銅的處所而曝光紫外 Φ 線，顯像後形成電鍍光阻2 9。 如第3 ( g )圖所示，使用硫酸銅浴，依液溫2 5。(：，電 流密度1.0A/ dm2之條件進行電鍍鍍銅約20# m程度，按能 成爲最小電路導體寬幅/電路導體間隔（L/S) =25/15 .· //πι之方式形成圖型電鍍30。 « 其次’如第3 ( h )圖所示，使用光阻剝離液的HTO ( 尼吉哥·莫頓（股）製，商品名）以去除乾薄膜之後，使 用>^04 2〇g/公升、h202 l〇g/公升之組成之蝕刻液以 -43- (39) (39)573451 蝕刻去除圖型部以外之銅。蝕刻時，將基板切斷爲單面 1 dm2之小片後，置入1公升燒杯，使用磁力攪拌機在40°c 下實施蝕刻5分鐘。最後，依上述表1所示的條件對導體電 -路實施鍍金31(如第3(i)圖）。最小電路導體寬幅/電 _ 路導體間隔（L/S) =20/ 20 //ηι。 (實施例1 7 ) 除對金屬箔2表面塗佈樹脂組成物1以製作附有載體之 · 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 (實施例1 8 ) 除對金屬箔2表面塗佈樹脂組成物2以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例丨6同樣方式製 作基板。 (實施例1 9 ) 除對金屬箔4表面塗佈樹脂組成物2以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例；[6同樣方式製 作基板。 * (實施例20 ) 除對金屬范1表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬范以外，其餘則按與實施例】6同樣方式製 -44- (40) (40)573451 作基板。 (實施例2 1 ) . 除對金屬箔2表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 _ 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 (實施例22) # 除對金屬箔3表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 (實施例2 3 ) 除對金屬箔4表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 鲁 (實施例24 ) 除對金屬箔3表面塗佈樹脂組成物I以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例〗6同樣方式製 作基板。 (實施例2 5 ) 除對金屬箔4表面塗佈樹脂組成物]以製作附有載體之 -45- (41) (41)573451 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例；[6同樣方式製 作基板。 (實施例2 6 ) 除對金屬箔1表面塗佈樹脂組成物2以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 (實施例2 7 ) 除對金屬箔3表面塗佈樹脂組成物2以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例]6同樣方式製 作基扳。 (實施例2 8 ) 除對金屬箔5表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 β 作基扳。 (實施例2 9 ) 除對金屬箔6表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貼附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 (實施例3 0 ) -46- (42) (42)573451 除對金屬箔7表面塗佈樹脂組成物3以製作附有載體之 貝占附樹脂之金屬箔以外，其餘則按與實施例1 6同樣方式製 作基板。 ^ 測定條件 (1 )導體表面粗糙度 根據JIS-B-060 1，測定實施例及比較例所得的基板之 導體表面粗糙度。 φ (2 )剝離強度（peel強度） 除將實施例及比較例所得的基板之導體電路之剝離強 度作成寬幅1mm外，其餘則準照JIS-C-64 8 1的條件進行測 定。測定係對：基板製作後，1 5 0 °C加熱試驗後，P C T ( 壓力鍋試驗）後各實施3次。如將剝離寬幅作細，則容易 發生吸濕劣化，而有剝離強度較依1 0mm寬幅所測定者爲 低的傾向。 Φ • I 5 0 °C加熱試驗用試樣 將實施例及比較例所得基板在1 5〇°C下氣相放置240小 時。 •壓力鍋試驗（PCT試驗） 將實施例及比較例所得基板在1 2 1 °C下、2氣壓、濕度 1 0 0 %之條件下放置7 2小時。 -47- (43) (43)573451 (3)介電常數、介電損失角正接 製作絕緣樹脂組成物1至3之固化物，並評估介電特性 ^ 。試樣係使用將實施例1 6、1 8、20所得的貼附樹脂之金屬 _ 箔之樹脂側疊合並加壓固化，然後將金屬箔予以蝕刻者。 加壓條件係作成：升溫速度5 t /分鐘、固化溫度1 8 、 固化時間90分鐘、壓力2. OMPa ^使用秀列特派克（股）製 阻抗材料分析器HP429 1 B測定所得的樹脂固化物之1GHz下 €> 的介電常數及介電損失角正接。 (4 )導體頂部寬幅、間隔寬幅 使用光學顯微鏡從上部攝影實施例及比較例所得的基 板之電路形成後之電路導體寬幅/電路導體間隔（L/ S ) ，以經過影像處理之資料爲基礎任意測定2 0點，算出其平 均値。 (結果） 表2中表示實施例1至]5以及比較例1所得的基板之導 體表面粗糙度、介電常數、介電損失角正接、剝離強度、 導體頂部寬幅以及間隔寬幅之結果。又，表3中表示同樣 在實施例16至3〇所得的基板之導體表面粗糙度、介電常數 、介電損失角正接、剝離強度、導體頂部寬幅以及間隔寬 幅之結果。 -48- 573451 Μ ]Μ Έ SE « 3 民誇完誇另另另完完民异民努 導體頂 部寬幅 (μιη) 導體表 面粗糙 Κζ(μηι) 卜卜 卜卜 卜卜 卜卜 卜卜 Γ^Γ^Γ^ 卜卜 c5oooooooc5c5cz3c5c3oc5csj 銅范表 面粗縫 Rz(pm) v〇v〇v〇v〇unv〇OV〇»y~jv〇onunu〇w〇vqr- c5ooocz5ooc5oc5oci5ooc5<n 1 m fiS 錄 PCT後 1.10 1.12 1.38 1.38 1.18 1.03 1.08 1.05 0.23 0.31 0(剝離) 0(剝離) 0.30 0.20 0.21 1.18 加熱後 1.10 1.13 1.48 1.45 1,5 1.02 1.15 1.08 0.23 0.25 0.99 0.95 0.28 0.25 0.23 1.15 1 1.02 1.01 1.50 1.48 1.13 1.05 1.13 1.05 0.70 0.78 1.40 1.35 0.65 0.61 0.28 1.01 1 GHz介電 損失角正接 (半固化片） 0.028 0.028 0.007 0.007 0.011 0.011 0.011 0.011 0.028 0.028 0.007 0.007 0.011 0.011 0.011 0.028 1GHz 介 電常數 (半固化片） ----- r—< --i r—I r—( Γ"^ r~4 c^cncNo^cncococncnc^ScNc^cncncncn 樹脂 i cs 〇3 m cn m co r—< 1~icNOJcnmm — 蓉擊鬆蓉擊參芻鬆鬆鬆鬆擊髮鬆髮擊 链链链铝链链链链裢链链链链链链链 键键键键键键键键键键键键键键键键 ΰΐπ X)m i)m λ)ΐπ m ΰιπ i)m ΰΐπ ΰΐπ ΰΐπ am ΰπι ΰπι ΰπι ΰπι X)m txrj rn-τ ητ-> t ιτι trrn GX> tpg tCQ IXQ PX3 ΣΡ3 LU-> tXQ 偶合劑 胺系 胺系 胺系 |環氧系 胺系 胺系 環氧系 環氧系1 環氣系 環氧系 胺系 環氧系 胺系 Μ j\ \\ 胺系 胺系 鉻酸鹽 處理 神！擗擗擗擗诹擗擗擗神：擗擗壊擗擗擗 mil ^ η 歡壊驩雛湓驩溫驩漶騮溫谥湓谥展t 試樣 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 比較例1 - 49- (45)573451 醛ϋ百 gff « 3 R异异 1¾ Μ IS W § 异异异异异异异异异异异异异异异 導體表 面粗糙 ΙΙζ(μΓη) 卜 c卜卜 Cr^· oooc5oooooc5ooooo 銅箱表 面粗糙 Rz([im) unv〇v〇v〇i〇v〇i〇v〇unv〇v〇i〇ununvo oc3oc5ooc5c5c)〇c3ooocz5 墨 PCT後 1.28 1.25 1.48 1.38 1.21 1.08 1.13 1.09 0.25 0.30 0(剝離) 0(剝離) 0.32 0.21 0.22 加熱後 1.32 1.33 1.61 1.52 1.22 1.10 1.22 1.10 0.23 0.28 1.02 0.98 0.30 0.22 0.22 初期 1.22 1.25 1.61 1.58 1.23 1.12 1.22 1.16 0.80 0.81 1.42 1.32 0.71 0.60 0.30 1GHz介電 損失角正接 (半固化片） 0.028 0.028 0.007 0.007 0.011 0.011 0.011 0.011 0.028 0.028 0.007 0.007 0.011 0.011 0.011 1GHz 介 電常數 (半固化片） 卜卜卜 卜 ,~~ί »—1 1~~1 ^―"1 Γ'- 卜 卜 卜 ~^ 1—: c^cncNcNcncncocncncocNjc^cocnc^ X)m GX! ^-h ~icNCNmmmcO'—i^-HCNicNimmm 藝蓉擊鬆蓉鬆芻芻鬆芻鬆擊芻蓉暴 链链链链链链链链链链链链链链链 璁键键键键鹚鹚鹚璁键鹚鹚键鹚瑭 幻冚 ΰπι ΰΐπ ΰΐπ i)tn Dm i)m i)m X)m ΰιπ ΰΐπ ΰπι am ΰπι nrnt rrri rmt mn mn rrrn ΠΧ? ΠΧ； ΠΧ3 PX； Σ3Χ> trg ΪΧΣ2 tpQ tCCj 偶合劑 1i1« i漂《 ϋ «适歲i壊德 鉻酸鹽 處理 诹擗神：擗擗擗摊擗擗挪：擗擗壊擗擗 化tT> mil 璐璣雛雛塭驩墟壊塭騮歡谥漶漶壤 試樣 實施例16 實施例17 實施例18 實施例19 實施例20 實施例21 實施例22 實施例23 實施例24 實施例25 實施例26 實施例27 實施例28 實施例29 實施例30

-50- (46) (46)573451 從表2及表3可知，實施例1至3 0所得的基板之導體頂 部寬幅以及間隔寬幅略爲同一，而形成有良好的電路的事 實。第4、5及6圖係分別使用實施例之樹脂組成物1 ' 2以 -及3，與實施例1同樣方式所製作的基板之電路之SEM (掃 . 瞄式電子顯微鏡）照片，而可知L / S = 20 / 2 0 # m、25/ 25//m、30/30//m之任一種之電路形成均爲良好的事實 。又，特別是在實施例1至14、16至2 9所製作的基板之初 期剝離強度及平坦性均爲優異，再者，實施例〗至8、1 1、 鲁 I2、Ιό至23、26、2?中之加熱後之剝離強度亦優異，實施 例】至8、1 6至2 3之吸濕後之剝離強度亦優異。又，實施例 3、4、11、12、18、19、2 6及27之介電常數及介電損失角 正接低而適合作爲電氣信號需要低衰耗的用途，特別是， 實施例3 ' 4、18以及19在介電常數、介電損失角正接以及 剝離強度方面極爲優異。 另一方面，比較例1中，由於金屬箔上有粗化層之故 需要過多的蝕刻以致導體頂部寬幅變細，又，導體表面粗鲁 糙之故電氣特性方面不佳。 以上可知，本發明能提供同時達成絕緣樹脂組成物層 與金屬箔間之界面之密接性及平坦性，且亦能符合經濟性 或操作處理性等之印刷電路板製造時有關的實用性要件的 · _ 黏貼金屬之層合板，或貼附樹脂之金屬箔，再者，本發明 · 能提供使用該黏貼金屬之層合板或貼附樹脂之金屬范之信 ^ 賴性以及電路形成性優異’導體衰耗極少的印刷電路板以 及其製造方法。 -51 - (47) (47)573451 同業從業人員必定能明瞭前面所述內容係本發明之最 佳實施形態的事實，並能瞭解祗要是符合本發明之主旨及 範圍即使加以多項變更或修正仍能容易實施之事實。 【圖式簡單說明】 第1圖：表示使用本發明之黏貼金屬之層合板以製造 印刷電路板的方法之一例的剖面圖。 第2圖：表示實施例1至1 5，以及比較例1之評估所用 Φ 的基板之製造方法的剖面圖。 第3圖：表示實施例1 6至3 0之評估所用的基板之製造 方法的剖面圖。 第4圖··使用實施例之樹脂組成物1所製作的基板電路 之照片。 第5圖：使用實施例之樹脂組成物2所製作的基板電路 之照片。 第6圖：使用實施例之樹脂組成物3所製作的基板電路 # 之照片。 主要元件對照表 1半固化片 2金屬箔 3通孔 4 化學性電鍍層 5電鍍光阻 -52- (48) (48)573451 6電路圖型 7絕緣層 8金屬箔 9介層洞 1 〇化學性電鍍層 11電鍍光阻 12導體電路圖型 1 3絕緣層 14銅箔 1 5貫穿通孔 ]6化學性鍍銅層 I 7電鍍光阻 1 8 圖型電鍍銅 1 9鍍鎳層 2 0鍍金層 24內層導體電路 2 5內層電路板 2 6 通扎 2 7非貫穿孔 28化學性鍍銅層 2 9電鍍光阻 3 0 圖型電鍍 3 1鍍金 -53-

Claims (1)

1. 573451 ⑴ 拾、申請專利範圍 第92104702號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年11月19日修正 1 . 一種貼附樹脂之金屬箔，係具有絕緣樹脂組成物層 ，及固附在前述絕緣樹脂組成物層之單面或雙面而成的金 屬箔的貼附樹脂之金屬箔，而其特徵爲：前述金屬箔之至 少絕緣樹脂組成物層側係經表面處理者，且前述金屬箔之 雙面係實質上未經粗糙化處理者。 2.如申請專利範圍第1項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述金屬箔之表面粗糙度（Rz)在雙面均爲2.0以下 〇 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所述之貼附樹脂之金 屬箔，其中前述金屬箔之厚度爲3 mm以下。 4 .如申請專利範圍第1項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述絕緣樹脂組成物與前述金屬箔間之界面粗糙度（ Rz)爲 2.0//m以下。 5 .如申請專利範圍第1項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述表面處理係防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處 理中之任一種或組合此等處理者。 6 .如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述防銹處理係使用鎳、鍚、鋅、鉻、鉬、鈷中之任 一種，或此等之合金所實施者。 7 .如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， (2) (2)573451 其中前述絕緣樹脂組成物含有氰酸酯樹脂，且前述防銹處 理係使用以鎳爲主成份的金屬所實施者。 8 .如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中在前述防銹處理上，實施有前述鉻酸鹽處理。 9 .如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述矽烷偶合處理係經實施在前述金屬箔之最外層。 1 0.如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑係因加熱而會與 前述絕緣樹脂組成物進行化學反應者。 1 1 ·如申請專利範圍第5項所述之貼附樹脂之金屬箔， 其中前述絕緣樹脂組成物含有環氧樹脂，且前述前述矽烷 偶合處理所用的矽烷偶合劑係含有胺基官能性矽烷者。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之貼附樹脂之金屬箔，. @中前述絕緣樹脂組成物含有熱固化性樹脂。 1 3 .如申請專利範圍第丨項所述之貼附樹脂之金屬箔， #中前述絕緣樹脂組成物係在常溫下含有液狀之環氧樹脂 (3) 573451 金屬箔的黏貼金屬之層合板，而其特徵爲：前 至少絕緣樹脂組成物層側係經表面處理者，且 之雙面係實質上未經粗糙化處理者。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之黏貼金 ，其中前述金屬箔之表面粗糙度（Rz)在雙面 以下。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項或第1 7項所述 之層合板，其中前述金屬箔之厚度爲3// m以下 1 9 .如申請專利範圍第1 6項所述之黏貼金 ，其中前述絕緣樹脂組成物層與前述金屬箔間 度（R z )爲2.0 // m以下。 2 0 .如申請專利範圍第1 6項所述之黏貼金 ，其中前述表面處理係防銹處理、鉻酸鹽處理 處理中之任一種或組合此等處理者。 2 1 .如申請專利範圍第20項所述之黏貼金 ，其中前述防銹處理係使用鎳、鍚、鋅、鉻、 任一種，或此等之合金所實施者。 2 2.如申請專利範圍第20項所述之黏貼金 ，其中前述絕緣樹脂組成物含有氰酸酯樹脂， 處理係使用以鎳爲主成份的金屬所實施者。 2 3 .如申請專利範圍第20項所述之黏貼金 ，其中在前述防銹處理上，實施有鉻酸鹽處理 2 4.如申請專利範圍第20項所述之黏貼金 ，其中前述矽烷偶合處理係經實施在前述金屬 述金屬泊之 前述金屬箔 屬之層合板 均爲2.0 // m 之黏貼金屬 〇 屬之層合板 之界面粗糙 屬之層合板 、石夕院偶合 屬之層合板 鉬、鈷中之 屬之層合板 且前述防銹 屬之層合板 〇 屬之層合板 箔之最外層 -3- (4) (4)573451 者。 2 5.如申請專利範圍第20項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中前述矽烷偶合處理所用的矽烷偶合劑係因加熱而會 與前述絕緣樹脂組成物進行化學反應者。 26·如申請專利範圍第2〇項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中前述絕緣樹脂組成物含有環氧樹脂，且前述矽烷偶 合處理所用的矽烷偶合劑係含有胺基官能性矽烷者。 27.如申請專利範圍第16項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中前述絕緣樹脂組成物含有熱固化性樹脂。 2 8.如申請專利範·圍第16項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中前述絕緣樹脂組成物在常溫下含有液狀之環氧樹脂 〇 29.如申請專利範圍第16項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中前述絕緣樹脂組成物含有潛在性固化劑。 3 0.如申請專利範圍第16項所述之黏貼金屬之層合板 ，其中固化後之前述絕緣樹脂組成物在1 GHz下的介電常 數爲3.0以下，或介電損失角正接爲0.01以下。 3 1 種印刷電路板，其特徵爲：使用申請專利範圍 第1項至第1 5項中之任一項所述之貼附樹脂之金屬箔及/ 或申請專利範圍第1 6項至第3 0項中之任一項所述之黏貼金 屬之層合板所製造者。 3 2.如申請專利範圍第3 1項所述之印刷電路板，其中 導體電路之表面粗糙度（Rz)爲2.0// m以下。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項或第3 2項所述之印刷電路 -4- (5) (5)573451 板，其中前述絕緣樹脂組成物層與1 mm寬幅之導體電路間 之剝離強度爲0.6kN/m以上。 3 4 .如申請專利範圍第3 1項或第3 2項所述之印刷電路 板’其中在150°C下加熱240小時後之前述絕緣樹脂組成物 層與1mm寬幅之導體電路間之剝離強度爲〇.4 kN/ m以上。 3 5 . —種印刷電路板之製造方法，係具有藉由將申請 專利範圍第1項至第1 5項中之任一項所述之貼附樹脂之金 屬箔及/或申請專利範圍第1 6項至第3 0項中之任一項所述 之黏貼金屬之層合板之金屬箔作爲饋電層的圖型電鍍以製 作導體電路的過程。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項所述之印刷電路板之製造 方法，其中在前述金屬箔上形成化學性電鍍層。 3 7 .如申請專利範圍第3 5項或第3 6項所述之印刷電路 板之製造方法，其中形成導體電路後，當去除作爲饋電層 的前述金屬箔時，使用將成爲化學反應律速的鈾刻液。 3 8 .如申請專利範圍第3 7項所述之印刷電路板之製造 方法，其中前述蝕刻液係作爲主成份而含有不含鹵元素的 酸及過基化氫。 3 9 .如申請專利範圍第3 8項所述之印刷電路板之製造 方法，其中不含鹵元素的酸係硫酸。 4〇.如申請專利範圍第39項所述之印刷電路板之製造 方法，其中前述硫酸之濃度爲5至300g /公升、前述過氧 化氫之濃度爲5至2〇〇g/公升。