JP2000286531A

JP2000286531A - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2000286531A
Application number: JP9111999A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Morioka; 一信盛岡; Satoru Ogawa; 悟小川; Koji Takagi; 光司高木; Isao Hirata; 勳夫平田; Daisuke Kanetani; 大介金谷; Kiyoaki Ihara; 清暁井原
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁基板１の表面にメッキ触媒２を付与した
後、無電解メッキを行って絶縁基板１の表面に第一金属
皮膜３を形成し、次いで、その第一金属皮膜３の表面の
うち、回路の形成を予定する部分を除く部分にレジスト
被膜４を形成した後、メッキを行って、第一金属皮膜３
が露出する部分の表面に第二金属皮膜５を形成し、次い
で、レジスト被膜４を除去した後、第二金属皮膜５の表
面の一部及び第一金属皮膜３をエッチング除去して製造
するセミアディティブ法で製造するプリント配線板の製
造方法であって、回路形状が優れたプリント配線板が得
られる、プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】第二金属皮膜５の表面の一部及び第一金
属皮膜３をエッチング除去するエッチング液が、化学反
応律速型のエッチング液である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器等
に使用されるプリント配線板の製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】表面に回路を形成したプリント配線板
が、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用い
られている。そして、近年の電子機器の小型化、高機能
化の要求に伴い、プリント配線板には、回路の高密度化
や薄型化が望まれている。

【０００３】この高密度なプリント配線板を製造する方
法として、セミアディティブ法と呼ばれる方法が検討さ
れており、例えば以下のような工程でプリント配線板が
製造されている。

【０００４】図１（ａ）に示すような、絶縁基板１を用
いる。そして、図１（ｂ）に示すように、絶縁基板１の
表面にパラジウム化合物等のメッキ触媒２を付与した
後、そのメッキ触媒２を核として無電解メッキを行い、
図１（ｃ）に示すように、絶縁基板１の表面全体に、厚
みの薄い第一金属皮膜３を形成する。

【０００５】次いで、図１（ｄ）に示すように、第一金
属皮膜３の表面のうち、回路の形成を予定する部分を除
く部分にレジスト被膜４を形成した後、電気メッキを行
って、第一金属皮膜３が露出する部分の表面に、図１
（ｅ）に示すように、第二金属皮膜５を形成する。

【０００６】次いで、図１（ｆ）に示すように、レジス
ト被膜４を除去した後、図１（ｇ）に示すように、第一
金属皮膜３をエッチング除去する。なおこの際に、第二
金属皮膜５の表面も、第一金属皮膜３の厚み程度エッチ
ングされて、厚みが薄くなる。次いで、必要に応じて、
第二金属皮膜５の表面にニッケルメッキや金メッキを行
って、プリント配線板は製造されている。このようにセ
ミアディティブ法は、厚みの薄い金属皮膜（第一金属皮
膜３）をエッチングして製造するため、厚みの厚い金属
箔をエッチングして回路を形成するサブトラクティブ法
と呼ばれる方法と比較して、微細な回路を精度良く形成
することが可能となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このセミアディティブ
法で製造する場合、第一金属皮膜３をエッチング除去し
ても、図１（ｇ）に示すように、絶縁基板１の表面にメ
ッキ触媒２が残留しやすく、得られるプリント配線板の
絶縁性が低下しやすいという問題があった。そのため、
エッチング能力の高いエッチング液を用いて第一金属皮
膜３をエッチング除去することにより、絶縁基板１の表
面のメッキ触媒２をも同時に除去することが行われてい
る。

【０００８】しかし、このエッチング能力の高いエッチ
ング液を用いて第一金属皮膜３をエッチング除去した場
合、絶縁基板１の面内位置による第二金属皮膜５のエッ
チング量のバラツキが生じ、図３（ｂ）に示すように、
回路のトップ部分の幅が狭くなり、回路形状が悪くなる
という問題があった。そのため、回路形状が優れたプリ
ント配線板が得られる、プリント配線板の製造方法が望
まれている。

【０００９】本発明は、上記問題点を改善するために成
されたもので、その目的とするところは、セミアディテ
ィブ法で製造するプリント配線板の製造方法であって、
回路形状が優れたプリント配線板が得られる、プリント
配線板の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプリント配
線板の製造方法は、絶縁基板の表面にメッキ触媒を付与
した後、無電解メッキを行って絶縁基板の表面に第一金
属皮膜を形成し、次いで、その第一金属皮膜の表面のう
ち、回路の形成を予定する部分を除く部分にレジスト被
膜を形成した後、メッキを行って、第一金属皮膜が露出
する部分の表面に第二金属皮膜を形成し、次いで、レジ
スト被膜を除去した後、第一金属皮膜をエッチング除去
して製造するプリント配線板の製造方法において、第一
金属皮膜をエッチング除去するエッチング液が、化学反
応律速型のエッチング液であることを特徴とする。

【００１１】なお、本発明に係る化学反応律速型のエッ
チング液とは、エッチング液のスプレー圧の強弱等に関
わらず、エッチング液に接した部分の金属皮膜を均一に
溶解するエッチング液を表す。

【００１２】上記化学反応律速型のエッチング液は、硫
酸を２〜６ｗ／ｖ％含有し、過酸化水素を２〜４ｗ／ｖ
％含有し、銅イオンを３０〜６０ｇ／Ｌ含有する水溶
液、又は、塩化第二銅を０．２５〜３ｍｏｌ／Ｌ含有
し、塩酸を１〜４ｍｏｌ／Ｌ含有する水溶液であると好
ましい。また、上記第一金属皮膜をエッチング除去する
際に第二金属皮膜の表面がエッチング除去される量は、
２〜５μｍであると好ましい。

【００１３】また、メッキ触媒を付与する絶縁基板が、
その表面に半硬化状態の樹脂層を備える絶縁基板である
と共に、第一金属皮膜をエッチング除去する工程の後
に、絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層を除去して絶
縁基板の表面に残留するメッキ触媒を除去する工程をも
有すると好ましい。また、上記絶縁基板の表面の半硬化
状態の樹脂層を除去して絶縁基板の表面に残留するメッ
キ触媒を除去する方法は、過マンガン酸カリウム溶液又
はクロム酸カリウム溶液を、絶縁基板に接触させる方法
であると好ましい。

【００１４】また、絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂
層を除去して絶縁基板の表面に残留するメッキ触媒を除
去する工程の後に、絶縁基板の表面に残留するメッキ触
媒を不活性化した後、第二金属皮膜の表面に第三金属皮
膜を形成する工程をも有すると好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明に係るプリント配線板の製
造方法を図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本
発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施の形態を
説明する断面図である。また、図３は、回路の形状を説
明する図であり、（ａ）は本発明に係るプリント配線板
の製造方法で得られる回路を示す断面図、（ｂ）は従来
の製造方法で得られる回路を示す断面図である。

【００１６】本発明に係るプリント配線板の製造方法の
一実施の形態は、図１（ａ）に示すような、絶縁基板１
を用いる。そして、図１（ｂ）に示すように、絶縁基板
１の表面にメッキ触媒２を付与する。

【００１７】メッキ触媒２は、銅やニッケル等の無電解
メッキの触媒として働くものであれば、特に限定するも
のではなく、そのメッキ触媒２の周囲に金属を析出する
ことによりメッキ触媒２間を接続して絶縁部に金属皮膜
を形成するものや、絶縁部に沈着することにより絶縁部
に導電性を与え、その導電性を用いて絶縁部に金属皮膜
を形成する、一般にダイレクトプレーティング（直接メ
ッキ）と呼ばれる方法に用いられる導電性を有するもの
が挙げられ、例えばパラジウムを含有するものや、パラ
ジウム及びスズを含有するものや、カーボン、グラファ
イト等の炭素を含有するものや、銅の錯体を含有するも
のや、導電性ポリマーを含有するもの等が挙げられる。
なお、パラジウム−スズコロイドが、一般に広く用いら
れており、入手面・価格面で好ましい。

【００１８】本発明に用いる絶縁基板１としては、絶縁
性の板であれば特に限定するものではなく、例えば、エ
ポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、
不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹
脂系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂に無機
充填材等を配合したものの板や、ガラス等の無機質繊維
やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のク
ロス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着
した板や、セラミックの板等が挙げられる。なお、この
絶縁基板１の内部には、導体回路や、スルホール等を有
していても良い。

【００１９】次いで、メッキ触媒２を核として無電解メ
ッキを行い、図１（ｃ）に示すように、絶縁基板１の表
面全体に、厚みの薄い第一金属皮膜３を形成する。この
第一金属皮膜３としては、後の工程で容易にエッチング
されるものが好ましく、銅やニッケルの皮膜が挙げられ
るが、銅の皮膜の場合、導電性が優れるため、第二金属
皮膜５を形成する際に供給する電流の通電性が優れ好ま
しい。

【００２０】なお、第一金属皮膜３の厚みとしては、
０．２５〜２μｍが好ましい。２μｍを越える場合、後
工程で第二金属皮膜５の表面をエッチング除去する際の
エッチング量が増えるため、回路の形状が悪くなる場合
がある。また、０．２５μｍ未満の場合、後工程で第二
金属皮膜５を形成する際に供給する電気の流れが悪くな
るため、絶縁基板１の面内位置による、第二金属皮膜５
の厚みバラツキが生じやすくなる。

【００２１】次いで、図１（ｄ）に示すように、第一金
属皮膜３の表面のうち、回路の形成を予定する部分を除
く部分にレジスト被膜４を形成した後、第一金属皮膜３
に通電して電気メッキを行って、第一金属皮膜３が露出
する部分の表面に、図１（ｅ）に示すように、第二金属
皮膜５を形成する。なお、このとき形成する第二金属皮
膜５の厚みは、レジスト被膜４の厚みより厚くても良
く、薄くても良い。また、電気メッキに代えて、無電解
メッキにより第二金属皮膜５を形成するようにしても良
い。

【００２２】本発明に用いるレジスト被膜４としては、
第二金属皮膜５を形成するメッキ液に耐え、このメッキ
を行ったときに、その表面に第二金属皮膜５が形成され
にくいものであれば特に限定するものではなく、例え
ば、液状の樹脂をスクリーン印刷法で回路の形成を予定
する部分を除く部分に塗布した後、固化して形成したも
のや、液状又はシート状の感光性樹脂を第一金属皮膜３
の表面全体に形成した後、回路形状に露光し、次いで、
回路の形成を予定する部分の感光性樹脂を除去して形成
したもの等が挙げられる。また、第一金属皮膜３として
は、導電性の面より、銅の皮膜が好ましい。

【００２３】次いで、図１（ｆ）に示すように、レジス
ト被膜４を除去した後、図１（ｇ）に示すように、第一
金属皮膜３をエッチング除去する。なおこの際に、第二
金属皮膜５の表面も、第一金属皮膜３の厚み程度エッチ
ングされて、厚みが薄くなる。

【００２４】なお、この第一金属皮膜３及び第二金属皮
膜５の表面をエッチング除去するエッチング液は、化学
反応律速型のエッチング液であることが重要である。こ
の化学反応律速型のエッチング液とは、エッチング液の
スプレー圧の強弱等に関わらず、エッチング液に接した
部分の金属皮膜（第一金属皮膜３及び第二金属皮膜５）
を均一に溶解するエッチング液を表す。この化学反応律
速型のエッチング液を用いた場合、第一金属皮膜３が除
去される程度エッチングしても、第二金属皮膜５の表面
がほぼ均一にエッチングされるため、図３（ａ）に示す
ように、回路形状はほぼ矩形を保つことができ、形状が
優れた回路を得ることが可能になる。

【００２５】それに対し、従来用いられているエッチン
グ液を用いた場合、エッチング液のスプレーが強く当た
る部分やエッチング液が流れやすい部分は多くエッチン
グされ、エッチング液のスプレーが弱い部分やエッチン
グ液が流れにくい部分はエッチングされにくいため、図
３（ｂ）に示すように、コーナー部分が多くエッチング
されてトップ部分（頂面部分）の幅がボトム部分（底面
部分）と比べて狭い回路となり、回路形状が劣下してし
まう。

【００２６】なお、化学反応律速型のエッチング液とし
ては、硫酸を２〜６ｗ／ｖ％含有し、過酸化水素を２〜
４ｗ／ｖ％含有し、銅イオンを３０〜６０ｇ／Ｌ含有す
る硫酸−過酸化水素系の水溶液や、塩化第二銅を０．２
５〜３ｍｏｌ／Ｌ含有し、塩酸を１〜４ｍｏｌ／Ｌ含有
する比較的濃度の低い塩化第二銅系の水溶液が挙げられ
る。これらの組成から外れた場合、回路形状が劣下しや
すいが、本発明の目的を損なわない程度であれば、これ
らの組成から多少外れてもかまわない。

【００２７】この化学反応律速型のエッチング液でエッ
チングする量は、第一金属皮膜３が除去され、且つ第二
金属皮膜５が残留する厚みであれば特に限定するもので
はないが、第二金属皮膜５の表面が２〜５μｍエッチン
グ除去される程度エッチングすると、特に形状が優れた
回路を得ることができ好ましい。２μｍ未満の場合、第
一金属皮膜３にエッチング除去されない部分が生じて、
回路間の絶縁劣化が生じる場合があり、５μｍを越える
場合、回路形状が劣下したり、回路の導電性が低下する
場合がある。

【００２８】次いで、図２（ａ）に示すように、絶縁基
板１の表面に残留するメッキ触媒２を除去する。このよ
うに絶縁基板１の表面に残留するメッキ触媒２を除去す
ると、回路間の絶縁性が向上するため、特に信頼性が優
れたプリント配線板となり好ましい。

【００２９】この絶縁基板１の表面に残留するメッキ触
媒２を除去する方法としては、メッキ触媒２を溶解可能
な溶液に浸漬して除去する方法や、絶縁基板１の表面部
分を除去して絶縁基板１の表面に残留するメッキ触媒２
を同時に除去する方法等が挙げられる。なお、メッキ触
媒２を溶解可能な溶液に浸漬して除去する方法の場合、
その除去の際に、第二金属皮膜５の表面がエッチングさ
れて、回路形状が劣下する場合があるため、絶縁基板１
の表面部分を除去する方法により絶縁基板１の表面に残
留するメッキ触媒２を除去すると好ましい。

【００３０】この絶縁基板１の表面部分を除去して絶縁
基板１の表面に残留するメッキ触媒２を同時に除去する
方法としては、例えば、スプレーしたり浸漬して、過マ
ンガン酸カリウム溶液又はクロム酸カリウム溶液を、絶
縁基板１に接触させる方法が挙げられる。この過マンガ
ン酸カリウム溶液やクロム酸カリウム溶液は、プリント
配線板の加工工程に有するスルホール穴あけ後のスミア
除去工程で一般的に広く使用されているため、廃液処理
等の新たな設備が不要となり好ましい。

【００３１】なお、この絶縁基板１の表面部分を除去す
る方法を実施する場合には、メッキ触媒２を付与する絶
縁基板１の表面に、半硬化状態（メッキの工程には耐え
る程度には硬化しているが、加熱すると更に硬化が進行
する状態）の熱硬化性樹脂の樹脂層や、熱可塑性樹脂の
樹脂層を形成しておき、この比較的除去が容易な半硬化
状態又は熱可塑性樹脂の樹脂層を除去するようにする
と、メッキ触媒２の除去が容易にでき好ましいと共に、
第二金属皮膜５の表面がエッチングされにくい樹脂層除
去液を選定しやすいため、特に回路形状が優れたプリン
ト配線板が得られ好ましい。なお、絶縁基板１の表面
に、半硬化状態の樹脂層を形成した場合には、メッキ触
媒２を除去した後、加熱して半硬化状態の樹脂層の硬化
を進行させると、得られるプリント配線板の信頼性が高
まり好ましい。

【００３２】この絶縁基板１の表面に、半硬化状態又は
熱可塑性樹脂の樹脂層を形成する方法としては、樹脂フ
ィルムを加圧積層する方法や、液状樹脂を印刷法、カー
テンコーター法等で塗布する方法が挙げられる。なお、
液状の熱硬化性樹脂を塗布する方法の場合、塗布後の加
熱処理の温度や時間を容易に設定できるため、任意の半
硬化状態の樹脂層を絶縁基板１の表面に形成することが
でき、絶縁層及びメッキ触媒２を除去する条件設定のた
めの検討が容易になり好ましい。特にエポキシ樹脂を用
いると、このような塗布後の加熱処理の温度や時間を容
易に設定できる点で優れると共に、価格面で優れ好まし
い。

【００３３】次いで、必要に応じて、図２（ｂ）に示す
ように、無電解ニッケルメッキや無電解金メッキを行っ
て、第二金属皮膜５の表面に第三金属皮膜８を形成して
プリント配線板を製造する。

【００３４】なお、上記のような工程を経て、絶縁基板
１の表面に残留するメッキ触媒２を除去しても、絶縁基
板１の表面にメッキ触媒２が多少残留する場合があるた
め、第三金属皮膜８を形成する場合には、絶縁基板１の
表面に残留するメッキ触媒２を不活性化した後、第三金
属皮膜８を形成すると、回路間の絶縁部分に生じる無電
解ニッケルメッキや無電解金メッキの析出を防止するこ
とができるため、得られるプリント配線板の信頼性が高
まり好ましい。

【００３５】このメッキ触媒２を不活性化する方法とし
ては、例えば、硫化物水溶液に浸漬してメッキ触媒２を
処理することにより、メッキ触媒２を硫化物に変化させ
てメッキの触媒としての作用を停止させる方法が挙げら
れる。

【００３６】

【実施例】（実施例１）エポキシ樹脂両面銅張り積層板
の表面の銅箔を全面エッチングした板の表面に、エポキ
シ樹脂をカーテンコーター法で塗布した後、１５０℃で
１時間加熱して、表面に樹脂層を有する絶縁基板を得
た。なお、この加熱後、樹脂層をサンプリングしてＤＳ
Ｃ法によりガラス転移温度を測定したところ、１４５℃
であった。また、この１５０℃で１時間加熱した絶縁基
板を、更に１７０℃で２時間加熱した後、同様にしてガ
ラス転移温度を測定したところ、１８５℃であり、１５
０℃で１時間加熱したときの絶縁基板の表面の樹脂層
は、半硬化状態であることが確認された。

【００３７】次いで、上記１５０℃で１時間加熱して形
成した、表面に半硬化状態の樹脂層を有する絶縁基板
を、過マンガン酸カリウム溶液に浸漬して、樹脂層の表
面を粗面化して、無電解メッキの密着性を向上させる処
理を行った。次いで、その樹脂層の表面に、パラジウム
−スズコロイド型のメッキ触媒を付与した後、無電解銅
メッキを行い、絶縁基板の表面に、厚み０．５μｍの銅
製第一金属皮膜を形成した。

【００３８】次いで、第一金属皮膜の表面に感光性樹脂
シートを熱圧着した後、回路形状に露光した。なお回路
形状としては、５０μｍの絶縁間隔を設けて形成した回
路幅５０μｍの櫛型電極の形状に露光した。次いで、回
路の形成を予定する部分の感光性樹脂を除去して、第一
金属皮膜の表面のうち、回路の形成を予定する部分を除
く部分にレジスト被膜を形成した後、電気銅メッキを行
って、第一金属皮膜が露出する部分の表面に、厚み２５
μｍの銅製第二金属皮膜を形成し、次いで、レジスト被
膜を剥離して除去した。

【００３９】次いで、硫酸及び過酸化水素を含有するエ
ッチング液（三菱瓦斯化学株式会社製、品番ＳＥ−０
７）を水と混合して、硫酸を４ｗ／ｖ％含有し、過酸化
水素を２．５ｗ／ｖ％含有し、銅イオンを５０ｇ／Ｌ含
有するように調整した化学反応律速型のエッチング液を
作成した後、絶縁基板の表面にスプレーすることによ
り、第一金属皮膜及び第二金属皮膜をエッチングした。
なお、第二金属皮膜の表面のエッチング量が３μｍにな
るように調整してエッチングを行った。

【００４０】次いで、過マンガン酸カリウム溶液に絶縁
基板を浸漬して、絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層
を除去すると共に、絶縁基板の表面に残留するメッキ触
媒を除去した後、１７０℃で２時間加熱して、半硬化状
態の樹脂層を完全硬化させた。

【００４１】次いで、奥野製薬株式会社製、ＩＣＰプリ
ディップ溶液に１０分浸漬して絶縁基板の表面に残留す
るメッキ触媒を不活性化した後、無電解ニッケルメッキ
を行って、第二金属皮膜の表面に厚み５μｍのニッケル
製第三金属皮膜を形成した後、無電解金メッキを行っ
て、ニッケル製第三金属皮膜の表面に厚み０．１μｍの
金製第三金属皮膜を形成してプリント配線板を得た。

【００４２】（実施例２）エポキシ樹脂両面銅張り積層
板の表面の銅箔を全面エッチングした板の表面に、エポ
キシ樹脂をカーテンコーター法で塗布した後、１７０℃
で２時間加熱して形成した、表面に樹脂層を有する絶縁
基板を用いたこと、及び、過マンガン酸カリウム溶液に
絶縁基板を浸漬した後の加熱を行わないこと以外は、実
施例１と同様にしてプリント配線板を得た。なお、１７
０℃で２時間加熱した後の樹脂層のガラス転移温度を、
実施例１と同様にして測定したところ１８５℃であり、
この絶縁基板の表面の樹脂層は、完全硬化状態であるこ
とが確認された

【００４３】（実施例３）化学反応律速型のエッチング
液として、塩化第二銅を１ｍｏｌ／Ｌ含有し、塩酸を２
ｍｏｌ／Ｌ含有する水溶液を用いたこと以外は、実施例
１と同様にしてプリント配線板を得た。

【００４４】（実施例４）第一金属皮膜をエッチング除
去する際に、第二金属皮膜の表面のエッチング量が６μ
ｍになるように調整してエッチングを行ったこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を得た。

【００４５】（実施例５）ＩＣＰプリディップ溶液に浸
漬せずに、無電解ニッケルメッキを行ったこと以外は、
実施例１と同様にしてプリント配線板を得た。

【００４６】（比較例１）エッチング液として、塩化第
二銅を５ｍｏｌ／Ｌ含有し、塩酸を６ｍｏｌ／Ｌ含有す
る、化学反応律速型でない水溶液を用いたこと以外は、
実施例１と同様にしてプリント配線板を得た。

【００４７】（比較例２）エッチング液として、塩化第
二銅を５ｍｏｌ／Ｌ含有し、塩酸を６ｍｏｌ／Ｌ含有す
る、化学反応律速型でない水溶液を用いたこと、及び、
エッチングを行った後に、過マンガン酸カリウム溶液に
絶縁基板を浸漬して絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂
層を除去する工程を行わないこと以外は、実施例１と同
様にしてプリント配線板を得た。

【００４８】（評価、結果）各実施例及び各比較例で得
られたプリント配線板の、回路形状及び絶縁性を評価し
た。回路形状は、形成した櫛型電極の形状の回路のう
ち、回路幅５０μｍに露光した部分の回路幅を顕微鏡で
観察して、トップの部分とボトムの部分の幅を求め、そ
の差を回路形状の代用値とした。

【００４９】絶縁性は、形成した櫛型電極の形状の回路
のうち、５０μｍの絶縁間隔を有して導通しない回路間
の、絶縁抵抗を求めた。

【００５０】その結果は、表１に示すように、各実施例
で得られたプリント配線板は各比較例で得られたプリン
ト配線板と比べて、回路のトップの部分とボトムの部分
の幅の差が小さく、回路形状が優れていることが確認さ
れた。なお、第一金属皮膜をエッチング除去する際に、
第二金属皮膜の表面がエッチング除去される量が、２〜
５μｍの範囲内である実施例１〜３及び５は、実施例４
と比べて、特に回路形状が優れていることが確認され
た。

【００５１】また、メッキ触媒を付与する絶縁基板が、
その表面に半硬化状態の樹脂層を備える絶縁基板である
と共に、第一金属皮膜をエッチング除去する工程の後
に、絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層を除去して絶
縁基板の表面に残留するメッキ触媒を除去する工程をも
有する実施例１，３，４は、実施例２と比べて、絶縁性
に優れていることが確認された。

【００５２】また、絶縁基板の表面に残留するメッキ触
媒を不活性化した実施例１〜４は、実施例５と比べて、
絶縁性に優れていることが確認された。なお、実施例５
で得られたプリント配線板の回路間を顕微鏡で観察した
ところ、回路間に無電解金メッキが析出していたが、実
施例１〜４で得られたプリント配線板には観察されなか
った。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明に係るプリント配線板の製造方法
は、第一金属皮膜をエッチング除去するエッチング液
が、化学反応律速型のエッチング液であるため、回路形
状が優れたプリント配線板を得ることが可能になる。

【００５５】本発明の請求項５及び請求項７に係るプリ
ント配線板の製造方法は、上記の効果に加え、絶縁性に
優れたプリント配線板を得ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実
施の形態を説明する断面図である。

【図２】本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実
施の形態を説明する断面図である。

【図３】回路の形状を説明する図であり、（ａ）は本発
明に係るプリント配線板の製造方法で得られる回路を示
す断面図、（ｂ）は従来の製造方法で得られる回路を示
す断面図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２メッキ触媒３第一金属皮膜４レジスト被膜５第二金属皮膜８第三金属皮膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高木光司大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者平田勳夫大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者金谷大介大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者井原清暁大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 4K057 WA10 WB03 WB04 WE03 WE25 WE30 WN01 5E339 BD03 BD08 BE13 BE17 5E343 AA17 BB23 BB24 BB44 BB67 CC47 CC48 CC71 DD33 DD43 DD76 EE37 ER26 ER32 GG08 GG14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板の表面にメッキ触媒を付与した
後、無電解メッキを行って絶縁基板の表面に第一金属皮
膜を形成し、次いで、その第一金属皮膜の表面のうち、
回路の形成を予定する部分を除く部分にレジスト被膜を
形成した後、メッキを行って、第一金属皮膜が露出する
部分の表面に第二金属皮膜を形成し、次いで、レジスト
被膜を除去した後、第一金属皮膜をエッチング除去して
製造するプリント配線板の製造方法において、第一金属
皮膜をエッチング除去するエッチング液が、化学反応律
速型のエッチング液であることを特徴とするプリント配
線板の製造方法。
【請求項２】化学反応律速型のエッチング液が、硫酸
を２〜６ｗ／ｖ％含有し、過酸化水素を２〜４ｗ／ｖ％
含有し、銅イオンを３０〜６０ｇ／Ｌ含有する水溶液で
あることを特徴とする請求項１記載のプリント配線板の
製造方法。
【請求項３】化学反応律速型のエッチング液が、塩化
第二銅を０．２５〜３ｍｏｌ／Ｌ含有し、塩酸を１〜４
ｍｏｌ／Ｌ含有する水溶液であることを特徴とする請求
項１記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】第一金属皮膜をエッチング除去する際に
第二金属皮膜の表面がエッチング除去される量が、２〜
５μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３の
いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】メッキ触媒を付与する絶縁基板が、その
表面に半硬化状態の樹脂層を備える絶縁基板であると共
に、第一金属皮膜をエッチング除去する工程の後に、絶
縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層を除去して絶縁基板
の表面に残留するメッキ触媒を除去する工程をも有する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記
載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層を
除去して絶縁基板の表面に残留するメッキ触媒を除去す
る方法が、過マンガン酸カリウム溶液又はクロム酸カリ
ウム溶液を、絶縁基板に接触させる方法であることを特
徴とする請求項５記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】絶縁基板の表面の半硬化状態の樹脂層を
除去して絶縁基板の表面に残留するメッキ触媒を除去す
る工程の後に、絶縁基板の表面に残留するメッキ触媒を
不活性化した後、第二金属皮膜の表面に第三金属皮膜を
形成する工程をも有することを特徴とする請求項５又は
請求項６記載のプリント配線板の製造方法。