JP2003234573A - 多層配線基板の製造方法およびこれにより製造される多層配線基板 - Google Patents

多層配線基板の製造方法およびこれにより製造される多層配線基板

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁層と配線パターンとの間において高い密
着性が達成される多層配線基板の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 多層配線基板の製造方法において、絶縁
層２０，３０および配線パターン４０による積層構造を
有する多層配線基板Ｘ１を製造するための方法であっ
て、カップリング剤で表面が処理されている支持体を、
カップリング剤を介して絶縁層２０に貼り合わせる工程
と、カップリング剤を絶縁層２０上に残しつつ支持体を
除去することによって、カップリング剤を絶縁層２０に
転写する工程と、を少なくとも含むこととした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器の
回路系に使用される多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器に対する小型化、高性能
化および低価格化等の要求に伴い、電子機器に組み込ま
れる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。その
ような高密度実装化に対応すべく、電子部品を実装する
ための基板などについては、配線が多層化されたビルド
アップ多層配線構造が採用される場合がある。ビルドア
ップ多層配線構造においては、複数のビルドアップ絶縁
層間に配線パターンが埋め込まれており、各配線パター
ン間は、絶縁層に開けられたビアホールに設けられるビ
アによって、電気的に接続されている。
【０００３】ビルドアップ多層配線構造の形成において
は、まず、既に配線パターンが形成されている支持基板
やビルドアップ絶縁層に対して、その配線パターンの上
方からビルドアップ絶縁層を積層形成する。次いで、当
該絶縁層に対してビアホールを形成する。ビアホールの
形成手法としては、絶縁層材料として感光性樹脂を用い
てフォトリソグラフィ技術により絶縁層に穴を形成する
方法や、レーザーを照射することによって絶縁層に穴を
形成する方法などが採用される。
【０００４】絶縁層にビアホールを形成した後、無電解
めっきや電気めっきによって、絶縁層上に導体材料を成
膜する。このとき、導体材料によりビアホールにはビア
が形成される。次いで、成膜された導体材料をエッチン
グすることによって配線パターンを形成する。このよう
にして絶縁層上において配線パターンを形成した後、絶
縁層の積層形成から配線パターン形成までの一連の工程
を所定回数繰り返すことによって、回路の多層化を図る
ことができ、その結果、回路の集積度を高めることがで
きる。
【０００５】このようなビルドアップ多層配線構造をと
る従来の多層配線基板では、絶縁層と配線パターンとの
密着性を確保すべく、絶縁層の表面に粗面化処理を施し
たうえで、当該絶縁層上に配線パターンが積層形成され
ている。より具体的には、膨潤液、粗化液、中和液に順
次浸漬することによって、露出する絶縁層表面に例えば
Ｒmax５μｍ程度の凹凸を形成し、この上に、例えば無
電解銅めっきおよび電気銅めっきを順次施すことによっ
て銅配線パターンが形成されている。このような絶縁層
表面の粗面化により、絶縁層と銅配線パターンとの間に
おいて、物理的なアンカー効果に基く密着性が得られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の手法によっては、絶縁層と配線パターンとの
間に充分な密着性を達成できない場合があった。例えば
ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準じた９０度剥離試験において
示される剥離強度については、１ｋｇｆ／ｃｍ未満であ
る場合が多い。絶縁層に対する配線パターンの密着性が
充分でないと、微細配線構造を適切に形成できない等の
不具合が生じ易い。
【０００７】また、表面粗さ（Ｒmax）５μｍ程度にま
で絶縁層表面を粗面化すると、絶縁層との接触面積がよ
り小さい配線においては、絶縁層に対する密着性が低下
する傾向にあり、配線の微細化が阻害され得る。そのた
め、ビルドアップ配線構造における絶縁層に対する配線
パターンの密着性については、配線の微細化を阻害しな
い程度にまで絶縁層の粗面化を抑えつつ、上述の９０度
剥離試験において１ｋｇｆ／ｃｍ以上の剥離強度を達成
することが求められている。
【０００８】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、絶縁層と配線パターンとの間にお
いて高い密着性を達成することのできる多層配線基板の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、絶縁層および配線パターンによる積層構造を有す
る多層配線基板を製造するための方法が提供される。こ
の製造方法は、カップリング剤で表面が処理されている
支持体を、カップリング剤を介して絶縁層に貼り合わせ
る工程と、カップリング剤を絶縁層上に残しつつ支持体
を除去することによって、カップリング剤を絶縁層に転
写する工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
【００１０】このような構成によると、多層配線基板に
おいて、絶縁層と、これに積層される配線パターンとの
密着性を高めることができる。本発明の第１の側面に係
る方法により製造される多層配線基板では、有機材料で
ある樹脂材料からなる絶縁層と、無機材料である金属材
料からなる配線パターンとの間には、カップリング剤が
介在している。カップリング剤としては、例えば、シラ
ン系カップリング剤やチタネート系カップリング剤を用
いることができる。このようなカップリング剤は、シラ
ン系カップリング剤を例として図１１に示すように、有
機材料Ａと結合可能な官能基（−Ｙ：ビニル基、アミノ
基、エポキシ基、イミダゾール基など）、および、無機
材料Ｂと結合可能な官能基（−ＯＲ：水酸基、メトキシ
基、エトキシ基など）を有する。本発明の第１の側面の
方法により得られる多層配線基板では、−Ｙは、樹脂材
料よりなる絶縁層の樹脂構造に組み込まれており、且
つ、−ＯＲは、金属材料よりなる配線パターンの表面と
化学結合しているものと考えられる。カップリング剤の
このような働きにより、絶縁層に対する配線パターンの
密着性は高くなっているものと考えられる。
【００１１】本発明の第１の側面によると、カップリン
グ剤は、例えばフィルム状の支持体表面に一旦付着され
ており、絶縁層に対する当該支持体の貼り合わせ工程を
経て、絶縁層表面に転写される。これに対し、絶縁層表
面にカップリング剤を付着させるためには、当該絶縁層
をカップリング剤溶液に浸漬するなどして絶縁層表面に
対して直接的にカップリング剤を作用させる手法も考え
得る。しかしながら、本発明者らの鋭意研究の結果、カ
ップリング剤溶液への材料の浸漬や、カップリング剤溶
液の材料への噴霧などによるカップリング剤処理によっ
ては、有機材料である樹脂材料よりなる絶縁層に対する
よりも、無機材料である金属材料よりなる支持体に対す
る方が、カップリング剤は高い表面被覆率で付着すると
いう知見が得られた。すなわち、カップリング剤を直接
作用させる場合、単位面積あたりに付着するカップリン
グ剤の量は、絶縁層よりも支持体の方が多いのである。
その理由は、カップリング剤の有する−ＯＲ（水酸基、
メトキシ基、エトキシ基など）が、支持体を構成する金
属などの無機材料との間において、容易にアルコキシド
様の結合（−Ｏ−Ｍ−，Ｍ：金属など）を形成するため
であると考えられる。カップリング剤が−ＯＲを介して
支持体に付着すると、支持体表面を被覆する当該カップ
リング剤は、有機材料と結合可能な官能基（−Ｙ）を外
部に露出しつつ支持体表面に整列することとなる。
【００１２】本発明の第１の側面では、カップリング剤
は、このように官能基（−Ｙ）を露出させつつ高い表面
被覆率で支持体に付着しており、支持体は、当該カップ
リング剤を介して絶縁層表面に貼り合わされる。そし
て、例えば真空プレス装置や真空ラミネート装置により
当該支持体を絶縁層に対して加熱・加圧することによっ
て、カップリング剤の官能基（−Ｙ）が絶縁層の樹脂構
造に取り込まれるなどして、カップリング剤は官能基
（−Ｙ）を介して絶縁層に固定される。その後、支持体
のみを例えばエッチングなどにより除去してカップリン
グ剤を絶縁層に転写すると、高い表面被覆率でカップリ
ング剤が絶縁層に付着している状態が得られる。このよ
うに高い表面被覆率で付着しているカップリング剤を介
して絶縁層上に配線パターンが形成されると、絶縁層と
配線パターンとの間においてより多くのカップリング剤
が介在することとなり、その結果、絶縁層とこれに積層
される配線パターンとの間において、より高い密着性を
達成することが可能となる。このようにして、本発明の
第１の側面によると、絶縁層表面をカップリング剤で直
接的に処理する場合よりも、絶縁層に対するカップリン
グ剤の付着状態を良好なものとすることができるのであ
る。
【００１３】更に、本発明の第１の側面によると、絶縁
層に対して粗面化処理を施す場合であっても、配線の微
細化を阻害しない程度にまで粗面化の程度を抑えつつ、
絶縁層と配線パターンとの間において充分な密着性を得
ることができる。その結果、多層配線基板において、微
細配線構造を適切に形成することが可能となる。
【００１４】なお、例えば特開平５−３３５３１４号公
報には、回路基板に形成されるバンプと基板本体との接
合状態を向上すべく、回路基板表面に成膜される絶縁層
とバンプとの間にカップリング剤を介在させる技術が開
示されている。ただし、当該カップリング剤は、バンプ
形成前の回路基板をカップリング剤溶液に浸漬すること
によって絶縁層表面に付着されており、支持体を用いて
絶縁層表面にカップリング剤を転写する本発明とは異な
る。また、密着性の向上が図られるのは、回路基板の最
外絶縁層とこれに接触するバンプとの間であって、多層
配線基板における絶縁層とこれに積層形成される配線パ
ターンではない。一方、例えば特開平２００１−３２３
３８１号公報には、絶縁層と無電解めっき層との密着性
を向上すべく、これらの間にカップリング剤を介在させ
る技術が開示されている。ただし、当該カップリング剤
は、無電解めっき層形成前に当該絶縁層をカップリング
剤溶液に浸漬することによって絶縁層表面に付着されて
おり、支持体を用いて絶縁層表面にカップリング剤を転
写する本発明とは異なる。
【００１５】本発明の第２の側面によると、絶縁層およ
び配線パターンによる積層構造を有する多層配線基板を
製造するための他の方法が提供される。この製造方法
は、金属含有密着層を有して当該金属含有密着層の露出
面がカップリング剤で処理されている支持体を、カップ
リング剤および金属含有密着層を介して絶縁層に貼り合
わせる工程と、カップリング剤および金属含有密着層を
絶縁層上に残しつつ支持体を除去することによって、カ
ップリング剤および金属含有密着層を絶縁層に転写する
工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
【００１６】このような構成によると、絶縁層に対する
配線パターンの密着性を更に高めることができる。本発
明の第２の側面における金属含有密着層は、金属材料よ
りなる配線パターンに対する密着性が高い金属化合物で
あって、且つ、カップリング剤の−ＯＲ基との間におい
て、支持体よりも強い結合を形成することが可能な金属
化合物よりなる。本発明の第２の側面に係る方法により
製造される多層配線基板では、このような金属含有密着
層が、カップリング剤とともに、絶縁層と配線パターン
との間に介在しており、カップリング剤の官能基（−
Ｙ）は絶縁層の樹脂構造に組み込まれ、官能基（−Ｏ
Ｒ）は金属含有密着層または金属含有密着層を超えて配
線パターンと化学結合しているものと考えられる。そし
て、金属含有密着層は、更に、配線パターンと化学結合
しているものと考えられる。このようなカップリング剤
および金属含有密着層の重畳的な働きにより、絶縁層に
対する配線パターンの密着性は更に向上するのである。
【００１７】第２の側面においては、カップリング剤
は、支持体に設けられた金属含有密着層表面に一旦付着
されるが、金属含有密着層も支持体と同様に金属を含む
無機材料よりなる。そのため、有機材料である樹脂材料
よりなる絶縁層に対するよりも、無機材料である金属含
有密着層に対する方が、カップリング剤は高い表面被覆
率で付着し得る。したがって、本発明の第２の側面によ
っても、カップリング剤を支持体から絶縁層に転写する
ことによって、カップリング剤の表面被覆率について第
１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
また、本発明の第２の側面においては、金属含有密着層
はカップリング剤とともに絶縁層に転写されるところ、
当該転写のために行われる支持体の貼り合わせ工程は、
例えば真空プレスや真空ラミネートにより、絶縁層に対
して加圧した条件下で行うことができる。そのため、め
っき技術などにより金属含有密着層を絶縁層に対して直
接に成膜する場合よりも、金属含有密着層を絶縁層に対
してより強固な接合状態で成膜することができる。加え
て、本発明の第２の側面によると、第１の側面と同様
に、絶縁層に対して粗面化処理を施す場合であっても、
配線の微細化を阻害しない程度にまで粗面化の程度を抑
えつつ、充分な密着性を得ることができる。その結果、
多層配線基板において、良好な微細配線構造を形成する
ことが可能となる。
【００１８】本発明の第３の側面によると多層配線基板
の他の製造方法が提供される。この方法は、支持体の表
面をカップリング剤で処理する工程と、第１の配線パタ
ーンが形成されている面に対して絶縁層を形成する工程
と、支持体を、カップリング剤を介して絶縁層に貼り合
わせる工程と、カップリング剤を絶縁層上に残しつつ支
持体を除去することによって、カップリング剤を絶縁層
に転写する工程と、カップリング剤が転写された絶縁層
上に第２の配線パターンを形成する工程と、を含むこと
を特徴とする。第１の配線パターンが形成されている面
とは、支持基板を用いる場合には当該支持基板表面また
は絶縁層表面であり、全層がビルドアップ絶縁層からな
る多層配線基板の場合にはビルドアップ絶縁層表面であ
る。また、本発明において、カップリング剤処理工程と
絶縁層形成工程とは、経時的には独立した工程であり、
優先的な順列を有さない。本発明の第３の側面に係る方
法によって得られる多層配線基板においても、絶縁層と
配線パターンとの間にカップリング剤が介在し、このカ
ップリング剤は、支持体から絶縁層へ転写されることに
よって設けられる。したがって、第３の側面において
も、絶縁層に対する配線パターン（第２の配線パター
ン）の密着性について、第１の側面に関して上述したの
と同様の効果が奏される。
【００１９】本発明の第４の側面によると多層配線基板
を製造するための他の方法が提供される。この方法は、
支持体の表面をカップリング剤で処理する工程と、第１
の配線パターンが形成されている面に対して絶縁層を形
成する工程と、支持体を、カップリング剤を介して絶縁
層に貼り合わせる工程と、カップリング剤を絶縁層上に
残しつつ支持体を除去することによって、カップリング
剤を絶縁層に転写する工程と、カップリング剤が転写さ
れた絶縁層に対してビアホールを形成する工程と、カッ
プリング剤が転写された絶縁層上に第２の配線パターン
を形成するとともにビアホールにビアを形成する工程
と、を含むことを特徴とする。本発明の第４の側面に係
る方法によって得られる多層配線基板においても、絶縁
層と配線パターンとの間にカップリング剤が介在し、こ
のカップリング剤は、支持体から絶縁層へ転写されるこ
とによって設けられる。したがって、第４の側面におい
ても、絶縁層に対する配線パターン（第２の配線パター
ン）の密着性について、第１の側面に関して上述したの
と同様の効果が奏される。
【００２０】本発明の第３の側面における第２の配線パ
ターンを形成する工程、または、第４の側面における第
２の配線パターンとともにビアを形成する工程では、好
ましくは、絶縁層上に無電解めっき膜を形成し、当該無
電解めっき膜上にレジストパターンを形成し、当該レジ
ストパターンの非マスク領域に電気めっき膜を形成し、
レジストパターンを除去し、電気めっき膜に覆われてい
ない無電解めっき膜を除去する。本発明では、このよう
なめっき技術により、絶縁層との密着性の高い配線パタ
ーン（第２の配線パターン）を形成することができる。
【００２１】本発明の第５の側面によると多層配線基板
を製造するための他の方法が提供される。この方法は、
支持体上に金属含有密着層を形成する工程と、金属含有
密着層の表面をカップリング剤で処理する工程と、第１
の配線パターンが形成されている面に対して絶縁層を形
成する工程と、支持体を、カップリング剤および金属含
有密着層を介して絶縁層に貼り合わせる工程と、カップ
リング剤および金属含有密着層を絶縁層上に残しつつ支
持体を除去することによって、カップリング剤および金
属含有密着層を絶縁層に転写する工程と、金属含有密着
層上に第２の配線パターンを形成する工程と、を含むこ
とを特徴とする。本発明の第５の側面に係る方法によっ
て得られる多層配線基板においても、絶縁層と配線パタ
ーンとの間にカップリング剤および金属含有密着層が介
在し、これらカップリング剤および金属含有密着層は、
支持体から絶縁層へ転写されることによって設けられ
る。したがって、第５の側面においても、絶縁層に対す
る配線パターン（第２の配線パターン）の密着性につい
て、第２の側面に関して上述したのと同様の効果が奏さ
れる。
【００２２】本発明の第６の側面によると多層配線基板
を製造するための他の方法が提供される。この方法は、
支持体上に金属含有密着層を形成する工程と、金属含有
密着層の表面をカップリング剤で処理する工程と、第１
の配線パターンが形成されている面に対して絶縁層を形
成する工程と、支持体を、カップリング剤および金属含
有密着層を介して絶縁層に貼り合わせる工程と、カップ
リング剤および金属含有密着層を絶縁層上に残しつつ支
持体を除去することによって、カップリング剤および金
属含有密着層を絶縁層に転写する工程と、カップリング
剤および金属含有密着層が転写された絶縁層に対してビ
アホールを形成する工程と、金属含有密着層上に第２の
配線パターンを形成するとともにビアホールにビアを形
成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】本発明の第６の側面に係る方法によって得
られる多層配線基板においても、絶縁層と配線パターン
との間にカップリング剤および金属含有密着層が介在
し、これらカップリング剤および金属含有密着層は、支
持体から絶縁層へ転写されることによって設けられる。
したがって、第６の側面においても、絶縁層に対する配
線パターン（第２の配線パターン）の密着性について、
第２の側面に関して上述したのと同様の効果が奏され
る。加えて、第６の側面によると、ビアホールには金属
含有密着層が形成されないので、金属含有密着層に導電
性の低い材料を使用する場合であっても、ビアを介する
配線パターン間の電気的接合を適切に達成することがで
きる。
【００２４】本発明の第５の側面における第２の配線パ
ターンを形成する工程、または、第６の側面における第
２の配線パターンとともにビアを形成する工程では、好
ましくは、金属含有密着層上に無電解めっき膜を形成
し、当該無電解めっき膜上にレジストパターンを形成
し、当該レジストパターンの非マスク領域に電気めっき
膜を形成し、レジストパターンを除去し、電気めっき膜
に覆われていない無電解めっき膜および金属含有密着層
を除去する。
【００２５】本発明の第２、第５および第６の側面にお
いて、好ましくは、金属含有密着層は、クロム、銅、ニ
ッケル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択され
る金属を含む金属化合物よりなる。より好ましくは、金
属化合物は、クロム、銅、ニッケル、コバルト、および
亜鉛からなる群より選択される金属の酸化物または水酸
化物である。これらの金属化合物は、配線パターンを構
成する導体材料の、絶縁層を構成する樹脂材料に対する
密着性を向上させ得る。好ましくは、金属含有密着層
は、絶縁層に対して１０％以上の被覆率で設けられる。
また、金属含有密着層は、０．０１〜１．０μｍの厚み
を有するのが好ましい。これにより、配線構造ないし多
層配線基板の薄肉形成が確保される。
【００２６】本発明の第１から第６の側面において、好
ましくは、支持体を貼り合わせる工程においては、支持
体を絶縁層に対して加圧する。また、支持体を貼り合わ
せる工程は、加熱下で行うのが好ましい。これらのよう
な構成により、絶縁層に対して支持体を貼り合わせる工
程を、より良好に行うことができる。
【００２７】好ましくは、支持体は、銅、アルミニウ
ム、銅合金、およびアルミニウム合金からなる群より選
択される金属材料よりなる。また、好ましくは、支持体
の表面粗さは５μｍ以下であり、より好ましくは３μｍ
以下である。ここで、表面粗さとは、いわゆる最大高さ
粗さ（Ｒmax）をいい、材料表面の断面形状に現れる粗
さ曲線の基準長さにおける山高さの最大値（基準値から
の絶対値）と谷深さの最大値（基準値からの絶対値）の
和をいうものとする。
【００２８】従来の多層配線基板においては、絶縁層と
これに積層される配線パターンとの密着性向上の観点よ
り、配線パターンが接する絶縁層の表面粗さは、比較的
高く、積極的に粗面化処理を施すことによって５μｍ程
度とされていた。このような高い表面粗さ即ち表面凹凸
形状に基づく物理的なアンカー効果によって、絶縁層に
対する配線パターンの密着性が確保されていた。これに
対し、本発明では、表面粗さが５μｍ以下であってアン
カー効果を殆ど期待できない場合であっても、支持体か
らの転写によって絶縁層上に設けられるカップリング剤
または金属含有密着層が介在することによって、絶縁層
に対する配線パターンの密着性が向上している。
【００２９】本発明の第１から第６の側面において、好
ましくは、絶縁層は、熱硬化性樹脂を含み、支持体を貼
り合わせる工程の前において非完全硬化状態にあり、支
持体を貼り合わせる工程において硬化させられる。この
ような構成により、絶縁層に対してカップリング剤や金
属含有密着層を付着させる操作とともに、絶縁層を硬化
させることができ、多層配線基板の製造の効率化が図ら
れる。
【００３０】本発明の第７の側面によると、絶縁層を介
して多層化された配線パターンを有する多層配線基板が
提供される。この多層配線基板は、少なくとも１つの絶
縁層と当該絶縁層上に形成されている配線パターンとの
間にカップリング剤が介在することを特徴とする。この
ような構成の多層配線基板は、本発明の第１および第３
の側面に係る方法により製造することができる。したが
って、第７の側面によると、絶縁層に対する配線パター
ンの密着性について、第１および第３の側面に関して上
述したのと同様の利益を得ることができる。
【００３１】好ましくは、更に、少なくとも１つの絶縁
層上に形成されている配線パターンとカップリング剤と
の間に金属含有密着層を有する。このような構成の多層
配線基板は、本発明の第２および第５の側面に係る方法
により製造することができる。したがって、絶縁層に対
する配線パターンの密着性について、第２および第５の
側面に関して上述したのと同様の利益を得ることができ
る。
【００３２】本発明において用いられる絶縁層は、例え
ば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、
ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフ
ィン樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテ
ルイミド樹脂、およびポリエーテルエーテルケトン樹脂
などが挙げられる。
【００３３】カップリング剤としては、例えばシラン系
カップリング剤やチタン系カップリング剤を用いること
ができる。シラン系カップリング剤としては、例えば、
アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカッ
プリング剤、或は、イミダゾール基、ジアルキルアミノ
基、ピリジル基などを含むシラン系カップリング剤を用
いることができる。より具体的には、例えば、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，
４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ク
ロロプロピルトリメトキシシラン、およびγ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３４】一方、チタネート系カップリング剤として
は、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタ
ネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオク
チルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス
（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ
（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネ
ート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チ
タネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネー
ト、およびイソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミ
ノエチル）チタネートなどが挙げられる。
【００３５】本発明において、好ましくは、支持基板と
して、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコ
ン基板、および金属基板からなる群より選択される基板
が用いられる。このような支持基板の両面または片面上
において、所定数の絶縁層および配線パターンが積層形
成される。
【００３６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る多層配線基板Ｘ１の部分断面図である。図２は、
多層配線基板Ｘ１の要部拡大断面図である。多層配線基
板Ｘ１は、コア基板１０と、この上に積層された絶縁樹
脂層２０，３０と、絶縁樹脂層２０と絶縁樹脂層３０と
の間に埋設された配線パターン４０とを備える。配線パ
ターン４０と絶縁樹脂層２０との間には、図２において
×印で表すように、カップリング剤５０が介在してい
る。
【００３７】コア基板１０は、ガラスクロスに樹脂を含
浸させて、当該樹脂をＢステージの状態としたプリプレ
グを複数積層したものである。コア基板１０の表面に
は、銅により内層配線パターン１１が形成されている。
【００３８】絶縁樹脂層２０，３０の構成材料として
は、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミ
ド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹
脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマー、
ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン
樹脂などを挙げることができる。図１に示す多層配線基
板Ｘ１において、絶縁樹脂層２０には、ビアホール２０
ａが形成されている。
【００３９】配線パターン４０は、絶縁樹脂層２０上に
おいてパターン形成されたものであり、無電解銅めっき
層４１と電気銅めっき層４２とからなる。配線パターン
４０と内層配線パターン１１とは、ビアホール２０ａに
形成されたビア４０ａを介して導通している。
【００４０】カップリング剤５０は、絶縁樹脂層２０と
配線パターン４０との間に介在することによって、絶縁
樹脂層２０に対する配線パターン４０の密着性向上に寄
与している。カップリング剤５０としては、シラン系カ
ップリング剤やチタン系カップリング剤が用いられる。
【００４１】図３〜図５は、図１に示す多層配線基板Ｘ
１を製造するための工程を表す。多層配線基板Ｘ１の製
造においては、まず、図３（ａ）に示すように、支持フ
ィルム７０の表面をカップリング剤５０で処理する。具
体的には、表面粗さが５μｍ以下の支持フィルム７０を
用意し、この表面にカップリング剤５０の溶液を塗布し
たり、或はこれをカップリング剤５０の溶液に浸漬し、
その後に加熱乾燥する。このようにして、支持フィルム
７０の所定表面にカップリング剤５０を付着させる。支
持フィルム７０としては、銅箔およびアルミニウム箔な
どの金属フィルムを用いるのが好ましい。このような金
属フィルムに対しては、カップリング剤５０は、無機材
料と結合可能な官能基（−ＯＲ：水酸基、メトキシ基、
エトキシ基など）を介して配向性よく且つ効率よく付着
することができる。
【００４２】次に、図３の（ｂ）および（ｃ）に示すよ
うに、予め内層配線パターン１１をパターン形成したコ
ア基板１０の上に、多層配線基板Ｘ１の絶縁樹脂層２０
となる未硬化の絶縁樹脂膜２０’を積層し、更に、カッ
プリング剤５０で処理した支持フィルム７０を、カップ
リング剤５０が絶縁樹脂膜２０’に接するように重ね、
これらを貼り合わせる。内層配線パターン１１には、絶
縁樹脂層２０とのアンカー効果を得るための粗化処理が
予め施されている。このとき、絶縁樹脂膜２０’を構成
する樹脂材料の性質によっては、加熱下で貼り合わせ工
程を行ってもよいし、絶縁樹脂膜２０’に対して支持フ
ィルム７０を加圧してもよい。また、加熱下で貼り合わ
せ工程を行う場合には、当該加熱によって、絶縁樹脂膜
２０’を固化ないし硬化させて、絶縁樹脂層２０を併せ
て形成してもよい。支持フィルム７０を加熱する必要の
ない場合には、絶縁樹脂膜２０’を固化ないし硬化させ
るための加熱工程を別途行い、絶縁樹脂層２０を形成す
る。
【００４３】次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁樹脂
層２０上にカップリング剤５０を残しつつ、支持フィル
ム７０のみをエッチング処理などによって除去する。こ
れによって、カップリング剤５０が絶縁樹脂層２０の表
面に均一に転写される。支持フィルム７０として銅箔や
アルミニウム箔などの金属フィルムを用いる場合には、
これらに対応する所定のエッチング液によって、良好に
エッチング処理を行うことができる。エッチング液とし
ては、銅箔に対しては、例えば過酸化水素−硫酸混合水
溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。また、
アルミニウム箔に対しては、例えば塩酸を用いることが
できる。
【００４４】次に、図４（ａ）に示すように、カップリ
ング剤５０が既に転写されている絶縁樹脂層２０の所定
箇所において、ビアホール２０ａを形成する。ビアホー
ル２０ａの形成手段としては、炭酸ガスレーザ、エキシ
マレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどを採用することがで
きる。これらのレーザによりビアホール２０ａを形成す
ると、ビアホール２０ａの内壁には微細な凹凸形状が形
成され、ビアホール２０ａの内壁とこれに接触形成され
るビア４０ａとの間において充分なアンカー効果が得ら
れる。
【００４５】次に、図４（ｂ）に示すように、カップリ
ング剤５０の上方から絶縁樹脂層２０に対して無電解銅
めっき処理を施して、厚さ０．０５〜０．５μｍの無電
解銅めっき層４１を形成する。無電解銅めっき法として
は、例えば、絶縁樹脂層２０の露出面に対する、コンデ
ィショニング、触媒前処理、触媒処理、反応促進処理、
無電解銅めっき析出処理などの一連の処理工程を含む公
知の手法を採用することができる。無電解銅めっき層４
１は、絶縁樹脂層２０上の全面を被覆し、後の工程の電
気めっき処理における通電層として機能することとな
る。ただし、図４（ｂ）以降の工程図において、簡潔化
の観点よりカップリング剤５０は省略する。
【００４６】次に、図４（ｃ）に示すように、無電解銅
めっき層４１上にレジストパターン８０を形成する。具
体的には、無電解銅めっき層４１上にフォトレジストを
積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および
現象処理により当該フォトレジストをパターニングする
ことによって、レジストパターン８０を形成する。
【００４７】次に、図４（ｄ）に示すように、無電解銅
めっき層４１を通電層として、電気銅めっき処理を施
す。これにより、レジストパターン８０の非マスク領域
に、厚さ１０〜３０μｍの電気銅めっき層４２を堆積成
長させる。電気銅めっき法としては、酸性硫酸銅めっき
液を用いた公知の手法を採用することができる。例え
ば、酸性硫酸銅めっき液としては、例えば、硫酸銅五水
和物を５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０〜３００ｇ／
Ｌ、塩素イオンを３０〜１００ｍｇ／Ｌ、光沢剤や平滑
剤などの添加剤を０．１〜２％の濃度で含むものを用い
ることができる。また、電解時における電流密度は０．
５〜５Ａ／ｄｍ2の範囲が好ましい。
【００４８】次に、図５（ａ）に示すように、レジスト
パターン８０を剥離する。剥離液としては、水酸化ナト
リウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることができ
る。次に、図５（ｂ）に示すように、電気銅めっき層４
２に覆われていない無電解銅めっき層４１を除去する。
具体的には、無電解銅めっき層４１は、例えば、過酸化
水素と硫酸の混合水溶液、または、塩化第二銅水溶液な
どを用いてエッチング除去する。この結果、無電解銅め
っき層４１および電気銅めっき層４２からなる配線パタ
ーン４０が、カップリング剤５０（図５において図示
略）を介して、絶縁樹脂層２０上にパターン形成される
こととなる。この状態において、配線パターン４０の電
気銅めっき層４２の表面には、次に積層形成される絶縁
樹脂層３０との間においてアンカー効果を得るため、粗
面化処理が施される。
【００４９】次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁樹脂
層２０に対して、配線パターン４０の上方から絶縁樹脂
層３０を積層形成する。これによって、図１に示した多
層配線基板Ｘ１が形成される。
【００５０】図５（ｄ）は、上述の、絶縁樹脂層２０に
対するカップリング剤５０の転写から配線パターン４０
の形成を経て絶縁樹脂層３０の積層形成までの一連の工
程を、絶縁樹脂層３０上において再び繰り返した後の多
層配線基板Ｘ１’を表す。このように、当該一連の工程
を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を達成す
ることができる。
【００５１】図６は、本発明の第２の実施形態に係る多
層配線基板Ｘ２の部分断面図である。図７は、多層配線
基板Ｘ２要部拡大断面図である。多層配線基板Ｘ２は、
コア基板１０と、この上に積層された絶縁樹脂層２０，
３０と、絶縁樹脂層２０と絶縁樹脂層３０との間に埋設
された配線パターン４０とを備える。配線パターン４０
と絶縁樹脂層２０との間には、図７において×印で表す
カップリング剤５０、および、金属含有密着層６０が介
在している。多層配線基板Ｘ２は、配線パターン４０と
絶縁樹脂層２０との間にカップリング剤５０に加えて金
属含有密着層が介在している点において、第１の実施形
態の多層配線基板Ｘ１と異なる。
【００５２】金属含有密着層６０は、０．０１〜１．０
μｍの厚みで、カップリング剤５０で表面処理されてい
る絶縁樹脂層２０と配線パターン４０との間に介在する
ことによって、絶縁樹脂層２０に対する配線パターン４
０の密着性向上に寄与している。金属含有密着層６０を
構成するための材料としては、例えば、クロム、チタ
ン、ニッケル、コバルト、および亜鉛、或はこれらの酸
化物または水酸化物を用いることができる。また、絶縁
樹脂層２０のビアホール２０ａには、金属含有密着層６
０は形成されていない。
【００５３】図８〜図１０は、図６に示す多層配線基板
Ｘ２を製造するための工程を表す。多層配線基板Ｘ２の
製造においては、まず、図８（ａ）に示すように、支持
フィルム７０の表面に金属含有密着層６０を成膜したう
えで、金属含有密着層６０の表面をカップリング剤５０
により処理する。具体的には、表面粗さが５μｍ以下の
支持フィルム７０を用意し、その表面に、めっき処理な
どのウエットプロセスまたはスパッタ法や真空蒸着法な
どのドライプロセスによって、クロム、チタン、ニッケ
ル、コバルト、および亜鉛などを構成材料に含んで、金
属含有密着層６０を、０．０１〜１．０μｍの厚みで形
成する。特に、クロム酸または重クロム酸塩を含んだ水
溶液を用いたクロメート処理により形成するのが好まし
い。そして、金属含有密着層６０の表面にカップリング
剤５０の溶液を塗布したり、或はこれをカップリング剤
５０の溶液に浸漬し、その後に加熱乾燥する。このよう
にして、支持フィルム７０の金属含有密着層６０の所定
表面にカップリング剤５０を付着させる。支持フィルム
７０としては、第１の実施形態に関して上述したよう
に、金属フィルムを用いるのが好ましい。
【００５４】次に、図８の（ｂ）および（ｃ）に示すよ
うに、予め内層配線パターン１１をパターン形成したコ
ア基板１０と、未硬化状態の絶縁樹脂膜２０’と、金属
含有密着層６０が形成されてカップリング剤５０で処理
された支持フィルム７０とを、貼り合わせる。ただし、
図８（ｃ）以降の工程図において、簡潔化の観点よりカ
ップリング剤５０は省略する。次に、図８（ｄ）に示す
ように、絶縁樹脂層２０上にカップリング剤５０および
金属含有密着層６０を残しつつ、支持フィルム７０のみ
をエッチング処理などによって除去する。これによっ
て、カップリング剤５０および金属含有密着層６０が絶
縁樹脂層２０の表面に転写される。
【００５５】次に、図９（ａ）に示すように、カップリ
ング剤５０および金属含有密着層６０が既に転写されて
いる絶縁樹脂層２０の所定箇所において、ビアホール２
０ａを形成する。ビアホール２０ａの形成手段として
は、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレ
ーザなどを採用することができる。次に、図９（ｂ）に
示すように、第１の実施形態に関して上述したのと同様
に、カップリング剤５０および金属含有密着層６０の上
方からの無電解銅めっき処理を施して、厚さ０．０５〜
０．５μｍの無電解銅めっき層４１を形成する。金属含
有密着層６０が絶縁樹脂層２０上の全面を被覆していな
い場合であっても、この無電解銅めっき処理によって形
成される無電解銅めっき層４１が絶縁樹脂層２０上の全
面を被覆し、後の工程の電気めっき処理における通電層
として機能することとなる。ただし、金属含有密着層６
０が導電材料により全面にわたって積層形成されている
場合には、当該金属含有密着層６０が通電層として機能
し得る。次に、図９（ｃ）に示すように、無電解銅めっ
き層４１上にレジストパターン８０を形成する。具体的
には、無電解銅めっき層４１上にフォトレジストを積層
し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象
処理により、当該フォトレジストをパターニングする。
次に、図９（ｄ）に示すように、第１の実施形態に関し
て上述したのと同様に、無電解銅めっき層４１を通電層
として電気銅めっき処理を施す。これにより、レジスト
パターン８０の非マスク領域に、厚さ１０〜３０μｍの
電気銅めっき層４２を堆積成長させる。
【００５６】次に、図１０（ａ）に示すように、レジス
トパターン８０を剥離する。剥離液としては、水酸化ナ
トリウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることがで
きる。次に、図１０（ｂ）に示すように、電気銅めっき
層４２に覆われていない無電解銅めっき層４１およびそ
の下方の金属含有密着層６０を除去する。具体的には、
無電解銅めっき層４１は、例えば、過酸化水素と硫酸の
混合水溶液や塩化第二銅水溶液などを用いてエッチング
除去し、続いて、金属含有密着層６０は、例えば硝酸第
二セリウムアンモニウム水溶液などを用いてエッチング
除去する。これによって、無電解銅めっき層４１および
電気銅めっき層４２からなる配線パターン４０が、カッ
プリング剤５０および金属含有密着層６０を介して、絶
縁樹脂層２０上にパターン形成される。この状態におい
て、配線パターン４０の電気銅めっき層４２の表面に
は、次に積層形成される絶縁樹脂層３０との間において
アンカー効果を得るため、粗面化処理が施される。次
に、図１０（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層２０に対し
て、配線パターン４０の上方から絶縁樹脂層３０を積層
形成する。これによって、図６に示した多層配線基板Ｘ
２が形成される。図１０（ｄ）は、上述の、絶縁樹脂層
２０に対するカップリング剤５０の転写から配線パター
ン４０を経て絶縁樹脂層３０の積層形成までの一連の工
程を、絶縁樹脂層３０上において再び繰り返した後の多
層配線基板Ｘ２’を表す。このように、当該一連の工程
を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を達成す
ることができる。図８〜図１０に示した多層配線基板Ｘ
２のの製造における他の構成および条件については、図
３〜図５を参照して第１の実施形態に関して上述したの
と同様である。
【００５７】上述の本発明の第１および第２の実施形態
では、多層配線構造はコア基板１０の片面側にのみ形成
されるが、本発明では、このような構成に限らず、多層
配線構造はコア基板１０の両面に形成することもでき
る。
【００５８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、比較例とと
もに説明する。
【００５９】
【実施例１】＜サンプル基板の作製＞支持フィルムとし
ての銅箔（厚さ：１８μｍ、表面粗さ：Ｒmax１μｍ）
を、カップリング剤としての０．４％γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン水溶液に浸漬した後、これ
を１１０℃で６０分間乾燥することによって、当該銅箔
の表面に対してカップリング剤処理を施した。次に、コ
ア基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×
１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）の銅表面に、絶縁樹脂層
としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μ
ｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ね
た。次に、当該銅張ＢＴレジン基板上に、カップリング
剤表面処理を施した上述の銅箔を、カップリング剤処理
面とポリイミドとが接するように重ね、これらを、真空
プレス装置によりプレス温度２１０℃およびプレス圧力
３ＭＰａの条件にて６０分間プレスした。次に、支持フ
ィルムとしての銅箔を過酸化水素−硫酸の混合水溶液で
エッチング除去し、絶縁樹脂層表面にカップリング剤を
転写した。
【００６０】次に、カップリング剤が転写された絶縁樹
脂膜上の全面に無電解銅めっき膜（膜厚：０．３μｍ）
を形成した。無電解銅めっき膜の形成には、以下の各処
理液にめっき対象物を順次浸漬するキューポジットプロ
セス（シプレイ（株）製）を採用した。具体的には、絶
縁樹脂層表面のコンディショニングとしてコンディショ
ナ３３２０水溶液により４０℃で５分間、触媒前処理と
してキャタプリップ４０４水溶液により室温で９０秒
間、触媒処理としてキャタプリップ４０４およびキャタ
ポジット４４の混合水溶液により４５℃で３分間、反応
促進処理としてアクセラレータ１９水溶液により室温で
６分間、無電解銅めっき析出処理としてカッパーミック
ス３２８水溶液により室温で２０分間処理した。
【００６１】次に、このようにして形成された無電解銅
めっき膜を通電層として、当該無電解銅めっき膜上に電
気銅めっき膜（膜厚３０μｍ）を成膜した。電気銅めっ
き液は、硫酸銅五水和物を７５ｇ／Ｌ、硫酸を１９０ｇ
／Ｌ、塩素イオンを６０ｍｇ／Ｌの濃度で含む水溶液
に、めっき液全体に対して０．４％の濃度となるように
添加剤（商品名：ＡＣ−９０、上村工業（株）製）を加
えたものを用いた。また、電解は、電流密度１．５Ａ／
ｄｍ2で行った。その結果、絶縁樹脂層としてのポリイ
ミド上に配線パターンとしての銅めっき膜が形成され
た。次に、１７０℃で１時間のアニール処理を施した
後、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込んだ。このようにし
て本実施例のサンプル基板を作製した。
【００６２】＜剥離強度の測定＞上述のようにして得ら
れたサンプル基板における銅めっき膜について、剥離強
度を測定した。具体的には、サンプル基板における１ｃ
ｍ幅の銅めっき膜を、その幅方向に垂直であって基板に
垂直な方向へ剥がし、剥がし速度が一定であるときに銅
めっき膜に作用する力を測定した。その結果、本実施例
における銅めっき膜は、ポリイミド樹脂に対して１．１
５ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、銅めっき膜
が剥離された後の絶縁樹脂層の表面粗さについて調べた
ところ、表面粗さはＲmax１μｍであった。
【００６３】
【実施例２】支持フィルムとして、表面粗さがＲmax１
μｍの銅箔に代えて表面粗さがＲmax５μｍの銅箔を用
いた以外は、実施例１と同様の方法によりサンプル基板
を作製した。そして、このサンプル基板における銅めっ
き膜について、実施例１と同様にして、剥離強度を測定
した。その結果、本実施例における銅めっき膜は、１．
２５ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、剥離後の
絶縁樹脂層の表面粗さはＲmax５μｍであった。
【００６４】
【実施例３】＜サンプル基板の作製＞支持フィルムとし
てのアルミニウム箔（厚さ：２５μｍ、表面粗さ：Ｒ
max２μｍ）を、カップリング剤としての０．４％γ−
メタクリロキシプロピルメトキシシラン水溶液に浸漬し
た後、これを１００℃で２０分間乾燥することによっ
て、当該アルミニウム箔の表面に対してカップリング剤
処理を施した。次に、コア基板としての銅張ＢＴレジン
基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）
の銅表面に、絶縁樹脂層としての半硬化状態（Ｂステー
ジ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、
商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。次に、当該銅
張ＢＴレジン基板上に、カップリング剤表面処理を施し
た上述のアルミニウム箔を、カップリング剤処理面とエ
ポキシ樹脂とが接するように重ね、これらを、真空ラミ
ネート装置により温度１５０℃および圧力１ＭＰａの条
件にて３分間ラミネートした。その後、銅張ＢＴレジン
基板およびアルミニウム箔よりなる積層体を真空ラミネ
ート装置から取り出し、大気圧下にて１７０℃で１時間
加熱し、絶縁樹脂層を硬化させた。次に、支持フィルム
としてのアルミニウム箔を塩酸でエッチング除去し、絶
縁樹脂層表面にカップリング剤を転写した。次に、カッ
プリング剤が転写された絶縁樹脂層上の全面に、実施例
１と同様にして無電解銅めっき膜（膜厚：０．３μｍ）
を形成した。次に、この無電解銅めっき膜を通電層とし
て、当該無電解銅めっき膜上に、実施例１と同様にして
電気銅めっき膜（膜厚３０μｍ）を成膜した。その結
果、絶縁樹脂層としてのエポキシ樹脂上に配線パターン
としての銅めっき膜が形成された。次に、１７０℃で１
時間のアニール処理を施した後、銅めっき膜を１ｃｍ幅
に切り込んだ。このようにして本実施例のサンプル基板
を作製した。
【００６５】＜剥離強度の測定＞上述のようにして得ら
れサンプル基板における銅めっき膜について、実施例１
と同様にして、剥離強度を測定した。その結果、本実施
例における銅めっき膜は、エポキシ樹脂に対して１．０
ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、銅めっき膜が
剥離された後の絶縁樹脂層の表面粗さについて調べたと
ころ、表面粗さはＲmax２μｍであった。
【００６６】
【実施例４】支持フィルムとしての銅箔（厚さ：１８μ
ｍ、表面粗さ：Ｒmax１μｍ）を、カップリング剤とし
ての、０．３％γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランおよび０．３％γ−メタクリロキシプロピルメト
キシシランを含む水溶液に浸漬した後、これを１２０℃
で２０分間乾燥することによって、当該銅箔の表面に対
してカップリング剤処理を施した。次に、予め配線パタ
ーンを形成しておいたコア基板としての銅張ＢＴレジン
基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）
の銅表面に、絶縁樹脂層としての未硬化のポリイミドフ
ィルム（膜厚：２５μｍ、商品名：アピカル、鐘淵化学
工業製）を重ねた。次に、当該銅張ＢＴレジン基板上
に、カップリング剤表面処理を施した上述の銅箔を、カ
ップリング剤処理面とポリイミドとが接するように重
ね、これらを、真空ラミネート装置により温度１８０℃
および圧力０．８ＭＰａの条件にて１０分間ラミネート
した。その後、銅張ＢＴレジン基板および銅箔よりなる
積層体を真空ラミネート装置から取り出し、大気圧下に
て２１０℃で３０分間加熱し、絶縁樹脂層を硬化させ
た。次に、支持フィルムとしての銅箔を塩化第二銅水溶
液でエッチング除去し、絶縁樹脂層表面にカップリング
剤を転写した。次に、配線パターン間の導通をとるべ
く、絶縁樹脂層に対して炭酸ガスレーザでφ８０μｍの
ビアホールを形成した。次に、カップリング剤が転写さ
れた絶縁樹脂層上に、実施例１と同様にして、無電解銅
めっきを施して通電層を成膜した。次に、通電層上にフ
ォトレジスト（商品名：ＮＩＴ−２５０、日合モートン
製）を成膜し、これをパターニングすることによってレ
ジストパターンを形成した。このレジストパターンの非
マスク領域に対して、実施例１と同様にして、厚さ３０
μｍの電気銅めっき層を堆積成長させた。その後、レジ
ストパターンを剥離した。次に、電気銅めっき層に被覆
されていない通電層を過酸化水素−硫酸の混合水溶液で
エッチング除去して、絶縁樹脂層上に配線パターンを形
成した。その結果、絶縁樹脂層に対する密着性が高く、
配線幅３０μｍで配線間３０μｍの微細配線構造が形成
された。
【００６７】
【実施例５】＜サンプル基板の作製＞支持フィルムとし
ての銅箔（厚さ：１８μｍ、表面粗さ：Ｒmax１μｍ）
の表面に、銅−ニッケル合金の粗化めっきを行った後、
クロメート処理を施すことによって、金属含有密着層と
してのクロム密着層を形成した。次に、当該銅箔のクロ
メート処理表面に、カップリング剤としての０．５％γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液を塗
布した後、これを１００℃で２０分間乾燥することによ
って、当該銅箔の金属含有密着層表面に対してカップリ
ング剤処理を施した。次に、コア基板としての銅張ＢＴ
レジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化
学製）の銅表面に、絶縁樹脂層としての熱可塑性ポリイ
ミドフィルム（膜厚：２５μｍ、商品名：エスパネック
ス、新日鉄化学製）を重ねた。次に、当該銅張ＢＴレジ
ン基板上に、カップリング剤表面処理を施した上述の銅
箔を、カップリング剤処理面とポリイミドとが接するよ
うに重ね、これらを、真空プレス装置によりプレス温度
２１０℃およびプレス圧力３ＭＰａの条件にて６０分間
プレスした。次に、支持フィルムとしての銅箔を過酸化
水素−硫酸の混合水溶液でエッチング除去し、絶縁樹脂
層表面にカップリング剤および金属含有密着層を転写し
た。次に、カップリング剤および金属含有密着層が転写
された絶縁樹脂層上の全面に、実施例１と同様にして無
電解銅めっき膜（膜厚：０．３μｍ）を形成した。次
に、この無電解銅めっき膜を通電層として、実施例１と
同様にして、当該無電解銅めっき膜上に電気銅めっき膜
（膜厚３０μｍ）を成膜した。その結果、絶縁樹脂層と
してのポリイミド上に配線パターンとしての銅めっき膜
が形成された。次に、１７０℃で１時間のアニール処理
を施した後、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込んだ。この
ようにして本実施例のサンプル基板を作製した。
【００６８】＜剥離強度の測定＞上述のようにして得ら
れサンプル基板における銅めっき膜について、実施例１
と同様にして、剥離強度を測定した。その結果、本実施
例における銅めっき膜は、熱硬化性エポキシ樹脂に対し
て１．２ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、銅め
っき膜が剥離された後の絶縁樹脂層の表面粗さについて
調べたところ、表面粗さはＲmax１μｍであった。
【００６９】
【実施例６】支持フィルムとして、表面粗さが１μｍの
銅箔に代えて表面粗さがＲmax３μｍの銅箔を用いた以
外は、実施例５と同様の方法によりサンプル基板を作製
した。そして、このサンプル基板における銅めっき膜に
ついて、実施例１と同様にして、剥離強度を測定した。
その結果、本実施例における銅めっき膜は、１．２５ｋ
ｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、剥離後の絶縁樹
脂層の表面粗さはＲma x３μｍであった。
【００７０】
【実施例７】＜サンプル基板の作製＞支持フィルムとし
ての銅箔（厚さ：３５μｍ、表面粗さ：Ｒmax２μｍ）
の表面に、銅−ニッケル合金の粗化めっきを行った後、
クロメート処理を施すことによって、金属含有密着層と
してのクロム密着層を形成した。次に、当該銅箔のクロ
メート処理表面に、カップリング剤としての０．５％γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン水溶液を塗布
した後、これを１２０℃で１５分間乾燥することによっ
て、当該銅箔の金属含有密着層表面に対してカップリン
グ剤処理を施した。次に、コア基板としての銅張ＢＴレ
ジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学
製）の銅表面に、絶縁樹脂層としての半硬化状態（Ｂス
テージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μ
ｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ねた。次に、当
該銅張ＢＴレジン基板上に、カップリング剤表面処理を
施した上述の銅箔を、カップリング剤処理面とエポキシ
樹脂とが接するように重ね、これらを、真空ラミネート
装置により温度１５０℃および圧力１ＭＰａの条件にて
３分間ラミネートした。その後、銅張ＢＴレジン基板お
よび銅箔よりなる積層体を真空ラミネート装置から取り
出し、大気圧下にて１７０℃で１時間加熱し、絶縁樹脂
層を硬化させた。次に、支持フィルムとしての銅箔を塩
化第二鉄水溶液でエッチング除去し、絶縁樹脂層表面に
カップリング剤および金属含有密着層を転写した。次
に、カップリング剤および金属含有密着層が転写された
絶縁樹脂層上の全面に、実施例１と同様にして無電解銅
めっき膜（膜厚：０．３μｍ）を形成した。次に、この
無電解銅めっき膜を通電層として、当該無電解銅めっき
膜上に、実施例１と同様にして電気銅めっき膜（膜厚３
０μｍ）を成膜した。その結果、絶縁樹脂層としてのエ
ポキシ樹脂上に配線パターンとしての銅めっき膜が形成
された。次に、１７０℃で１時間のアニール処理を施し
た後、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込んだ。このように
して本実施例のサンプル基板を作製した。
【００７１】＜剥離強度の測定＞上述のようにして得ら
れサンプル基板における銅めっき膜について、実施例１
と同様にして、剥離強度を測定した。その結果、本実施
例における銅めっき膜は、熱硬化性エポキシ樹脂に対し
て１．１ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。また、銅め
っき膜が剥離された後の絶縁樹脂層の表面粗さについて
調べたところ、表面粗さはＲmax２μｍであった。
【００７２】
【実施例８】支持フィルムとしての銅箔（厚さ：１８μ
ｍ、表面粗さ：Ｒmax１μｍ）の表面に、銅−ニッケル
合金の粗化めっきを行った後、クロメート処理を施すこ
とによって、金属含有密着層としてのクロム密着層を形
成した。次に、当該銅箔のクロメート処理表面に、カッ
プリング剤としての０．５％メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン水溶液を塗布した後、これを１００℃
で２０分間乾燥することによって、当該銅箔の表面に対
してカップリング剤処理を施した。このように金属含有
密着層を形成してカップリング剤処理を施した銅箔を用
いて、これ以降の工程は実施例４と同様にして、絶縁樹
脂層上に配線パターンを形成した。その結果、絶縁樹脂
層に対する密着性が高く、配線幅３０μｍで配線間３０
μｍの微細配線構造が形成された。
【００７３】
【比較例１】真空プレスの工程において、銅張ＢＴレジ
ン基板に対して支持フィルムを積層せずに熱可塑性ポリ
イミドフィルムのみを積層して真空プレス硬化させ、且
つ、その後にカップリング剤を介さずにポリイミド上に
直接に無電解銅めっきおよび電気銅めっきを施した以外
は、実施例１と同様にしてサンプル基板の作製を試み
た。すると、電気銅めっき処理の最中にポリイミド表面
から銅めっき膜が剥がれた部分が生じた。剥離の生じて
いない部分を用いて実施例１と同様にして剥離強度を測
定したところ、０．１ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、有意な
剥離強度は得られなかった。また、絶縁樹脂層の表面粗
さはＲmax１μｍであった。
【００７４】
【表１】
【００７５】表１によると、本発明によって製造される
多層配線基板においては、絶縁樹脂層とこれに積層され
る配線パターンとの間にカップリング剤が介在すること
により、または、カップリング剤および金属含有密着層
が介在することにより、これらが介在しな場合と比較し
て、絶縁樹脂層に対する配線パターンの密着性が向上す
ることが理解できよう。併せて、その密着性は、絶縁樹
脂層の表面を粗面化処理せずとも、充分な程度に向上す
ることも理解できよう。
【００７６】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００７７】（付記１）絶縁層および配線層による積層
構造を有する多層配線基板を製造するための方法であっ
て、カップリング剤で表面が処理されている支持体を、
前記カップリング剤を介して絶縁層に貼り合わせる工程
と、前記カップリング剤を前記絶縁層上に残しつつ前記
支持体を除去することによって、前記カップリング剤を
前記絶縁層に転写する工程と、前記カップリング剤が転
写された前記絶縁層上に配線パターンを形成する工程
と、を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造方
法。 （付記２）絶縁層および配線層による積層構造を有する
多層配線基板を製造するための方法であって、金属含有
密着層を有して当該金属含有密着層の露出面がカップリ
ング剤で処理されている支持体を、前記カップリング剤
および前記金属含有密着層を介して絶縁層に貼り合わせ
る工程と、前記カップリング剤および前記金属含有密着
層を前記絶縁層上に残しつつ前記支持体を除去すること
によって、前記カップリング剤および前記金属含有密着
層を前記絶縁層に転写する工程と、前記カップリング剤
および前記金属含有密着層が転写された前記絶縁層上に
配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とす
る、多層配線基板の製造方法。 （付記３）支持体の表面をカップリング剤で処理する工
程と、第１の配線パターンが形成されている面に対して
絶縁層を形成する工程と、前記支持体を、前記カップリ
ング剤を介して前記絶縁層に貼り合わせる工程と、前記
カップリング剤を前記絶縁層上に残しつつ前記支持体を
除去することによって、前記カップリング剤を前記絶縁
層に転写する工程と、前記カップリング剤が転写された
前記絶縁層上に第２の配線パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造方法。 （付記４）支持体の表面をカップリング剤で処理する工
程と、第１の配線パターンが形成されている面に対して
絶縁層を形成する工程と、前記支持体を、前記カップリ
ング剤を介して前記絶縁層に貼り合わせる工程と、前記
カップリング剤を前記絶縁層上に残しつつ前記支持体を
除去することによって、前記カップリング剤を前記絶縁
層に転写する工程と、前記カップリング剤が転写された
前記絶縁層に対してビアホールを形成する工程と、前記
カップリング剤が転写された前記絶縁層上に第２の配線
パターンを形成するとともに前記ビアホールにビアを形
成する工程と、を含むことを特徴とする、多層配線基板
の製造方法。 （付記５）前記第２の配線パターンを形成する工程また
は前記第２の配線パターンとともに前記ビアを形成する
工程においては、前記絶縁層上に無電解めっき膜を形成
し、当該無電解めっき膜上にレジストパターンを形成
し、当該レジストパターンの非マスク領域に電気めっき
膜を形成し、前記レジストパターンを除去し、前記電気
めっき膜に覆われていない無電解めっき膜を除去する、
付記３または４に記載の多層配線基板の製造方法。 （付記６）支持体上に金属含有密着層を形成する工程
と、前記金属含有密着層の表面をカップリング剤で処理
する工程と、第１の配線パターンが形成されている面に
対して絶縁層を形成する工程と、前記支持体を、前記カ
ップリング剤および前記金属含有密着層を介して前記絶
縁層に貼り合わせる工程と、前記カップリング剤および
前記金属含有密着層を前記絶縁層上に残しつつ前記支持
体を除去することによって、前記カップリング剤および
前記金属含有密着層を前記絶縁層に転写する工程と、前
記金属含有密着層上に第２の配線パターンを形成する工
程と、を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造方
法。 （付記７）支持体上に金属含有密着層を形成する工程
と、前記金属含有密着層の表面をカップリング剤で処理
する工程と、第１の配線パターンが形成されている面に
対して絶縁層を形成する工程と、前記支持体を、前記カ
ップリング剤および前記金属含有密着層を介して前記絶
縁層に貼り合わせる工程と、前記カップリング剤および
前記金属含有密着層を前記絶縁層上に残しつつ前記支持
体を除去することによって、前記カップリング剤および
前記金属含有密着層を前記絶縁層に転写する工程と、前
記カップリング剤および前記金属含有密着層が転写され
た前記絶縁層に対してビアホールを形成する工程と、前
記金属含有密着層上に第２の配線パターンを形成すると
ともに前記ビアホールにビアを形成する工程と、を含む
ことを特徴とする、多層配線基板の製造方法。 （付記８）前記第２の配線パターンを形成する工程また
は前記第２の配線パターンとともに前記ビアを形成する
工程においては、前記金属含有密着層上に無電解めっき
膜を形成し、当該無電解めっき膜上にレジストパターン
を形成し、当該レジストパターンの非マスク領域に電気
めっき膜を形成し、前記レジストパターンを除去し、前
記電気めっき膜に覆われていない無電解めっき膜および
金属含有密着層を除去する、付記６または７に記載の多
層配線基板の製造方法。 （付記９）前記金属含有密着層は、クロム、銅、ニッケ
ル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択される金
属を含む金属化合物よりなる、付記２および６から８の
いずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。 （付記１０）前記金属化合物は、クロム、銅、ニッケ
ル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択される金
属の酸化物または水酸化物である、付記９に記載の多層
配線基板の製造方法。 （付記１１）前記金属含有密着層は、前記絶縁層に対し
て１０％以上の被覆率で設けられる、付記２および６か
ら１０のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方
法。 （付記１２）前記金属含有密着層は、０．０１〜１．０
μｍの厚みを有する、付記２および６から１１のいずれ
か１つに記載の多層配線基板の製造方法。 （付記１３）前記支持体を貼り合わせる工程において
は、前記支持体を前記絶縁層に対して加圧する、付記１
から１２のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方
法。 （付記１４）前記支持体を貼り合わせる工程は、加熱下
で行う、付記１から１３のいずれか１つに記載の多層配
線基板の製造方法。 （付記１５）前記支持体は、銅、アルミニウム、銅合
金、およびアルミニウム合金からなる群より選択される
金属材料よりなる、付記１から１４のいずれか１つに記
載の多層配線基板の製造方法。 （付記１６）前記支持体の表面粗さ（最大高さ粗さ：Ｒ
max）は５μｍ以下である、付記１から１５のいずれか
１つに記載の多層配線基板の製造方法。 （付記１７）前記絶縁層は、熱硬化性樹脂を含み、前記
支持体を貼り合わせる工程の前において非完全硬化状態
にあり、前記支持体を貼り合わせる工程において硬化さ
せられる、付記１から１６のいずれか１つに記載の多層
配線基板の製造方法。 （付記１８）前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネー
ト樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン
オキサイド樹脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、液
晶ポリマー、ポリエーテルイミド樹脂、およびポリエー
テルエーテルケトン樹脂からなる群より選択される樹脂
を含む、付記１から１７のいずれか１つに記載の多層配
線基板の製造方法。 （付記１９）支持基板として、樹脂基板、セラミック基
板、ガラス基板、シリコン基板、および金属基板からな
る群より選択される基板が用いられる、付記１から１８
に記載の多層配線基板。 （付記２０）絶縁層を介して多層化された配線パターン
を有する多層配線基板であって、少なくとも１つの絶縁
層と当該絶縁層上に形成されている配線パターンとの間
にカップリング剤が介在することを特徴とする、多層配
線基板。 （付記２１）前記少なくとも１つの絶縁層上に形成され
ている前記配線パターンと前記カップリング剤との間に
金属含有密着層を有する、付記２０に記載の多層配線基
板。
【００７８】
【発明の効果】本発明によると、絶縁層の表面粗さに依
拠したアンカー効果に頼らずとも、絶縁層と配線パター
ンとの間において高い密着性が達成された多層配線基板
を得ることが可能となる。また、多層配線基板において
配線の微細化を良好に図ることができ、高密度配線を有
する多層配線基板を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。
【図２】図１の多層配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】図１の多層配線基板の製造方法における一部の
工程を表す。
【図４】図３に続く工程を表す。
【図５】図４に続く工程を表す。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。
【図７】図６の多層配線基板の要部拡大断面図である。
【図８】図６の多層配線基板の製造方法における一部の
工程を表す。
【図９】図８に続く工程を表す。
【図１０】図９に続く工程を表す。
【図１１】有機材料と無機材料との間に介在するカップ
リング剤の模式図である。
【符号の説明】
Ｘ１，Ｘ２ 多層配線基板 １０ コア基板 ２０，３０ 絶縁樹脂層 ２０ａ ビアホール ４０ 配線パターン ４０ａ ビア ５０ カップリング剤 ６０ 金属含有密着層 ７０ 支持フィルム ８０ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 知行 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA12 AA38 AA39 BB16 BB22 BB24 BB38 BB44 BB45 BB71 CC22 CC61 DD33 DD43 DD76 EE25 EE37 EE56 GG01 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA32 AA35 BB01 CC02 CC08 CC31 CC32 CC37 CC51 CC55 DD02 DD33 EE33 EE38 FF15 GG01 GG02 GG17 GG22 GG23 HH11

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁層および配線パターンによる積層構
    造を有する多層配線基板を製造するための方法であっ
    て、 カップリング剤で表面が処理されている支持体を、前記
    カップリング剤を介して絶縁層に貼り合わせる工程と、 前記カップリング剤を前記絶縁層上に残しつつ前記支持
    体を除去することによって、前記カップリング剤を前記
    絶縁層に転写する工程と、を少なくとも含むことを特徴
    とする、多層配線基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 絶縁層および配線パターンによる積層構
    造を有する多層配線基板を製造するための方法であっ
    て、 金属含有密着層を有して当該金属含有密着層の露出面が
    カップリング剤で処理されている支持体を、前記カップ
    リング剤および前記金属含有密着層を介して絶縁層に貼
    り合わせる工程と、 前記カップリング剤および前記金属含有密着層を前記絶
    縁層上に残しつつ前記支持体を除去することによって、
    前記カップリング剤および前記金属含有密着層を前記絶
    縁層に転写する工程と、を少なくとも含むことを特徴と
    する、多層配線基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 支持体の表面をカップリング剤で処理す
    る工程と、 第１の配線パターンが形成されている面に対して絶縁層
    を形成する工程と、 前記支持体を、前記カップリング剤を介して前記絶縁層
    に貼り合わせる工程と、 前記カップリング剤を前記絶縁層上に残しつつ前記支持
    体を除去することによって、前記カップリング剤を前記
    絶縁層に転写する工程と、 前記カップリング剤が転写された前記絶縁層上に第２の
    配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とす
    る、多層配線基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 支持体上に金属含有密着層を形成する工
    程と、 前記金属含有密着層の表面をカップリング剤で処理する
    工程と、 第１の配線パターンが形成されている面に対して絶縁層
    を形成する工程と、 前記支持体を、前記カップリング剤および前記金属含有
    密着層を介して前記絶縁層に貼り合わせる工程と、 前記カップリング剤および前記金属含有密着層を前記絶
    縁層上に残しつつ前記支持体を除去することによって、
    前記カップリング剤および前記金属含有密着層を前記絶
    縁層に転写する工程と、 前記金属含有密着層上に第２の配線パターンを形成する
    工程と、を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造
    方法。
  5. 【請求項５】 前記第２の配線パターンを形成する工程
    においては、前記絶縁層上または前記金属含有密着層上
    に無電解めっき膜を形成し、当該無電解めっき膜上にレ
    ジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マ
    スク領域に電気めっき膜を形成し、前記レジストパター
    ンを除去し、前記電気めっき膜に覆われていない無電解
    めっき膜、または、無電解めっき膜および金属含有密着
    層を除去する、請求項３または４に記載の多層配線基板
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記金属含有密着層は、クロム、銅、ニ
    ッケル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択され
    る金属を含む金属化合物よりなる、請求項２，４および
    ５のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記支持体の表面粗さ（最大高さ粗さ：
    Ｒmax）は５μｍ以下である、請求項１から６のいずれ
    か１つに記載の多層配線基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記絶縁層は、熱硬化性樹脂を含み、前
    記支持体を貼り合わせる工程の前において非完全硬化状
    態にあり、前記支持体を貼り合わせる工程において硬化
    させられる、請求項１から７のいずれか１つに記載の多
    層配線基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 絶縁層を介して多層化された配線パター
    ンを有する多層配線基板であって、 少なくとも１つの絶縁層と当該絶縁層上に形成されてい
    る配線パターンとの間にカップリング剤が介在すること
    を特徴とする、多層配線基板。
  10. 【請求項１０】 前記少なくとも１つの絶縁層上に形成
    されている前記配線パターンと前記カップリング剤との
    間に金属含有密着層を有する、請求項９に記載の多層配
    線基板。
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