JP2009246233A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板1上に絶縁樹脂膜4を形成する。支持基板1としては、ガラス繊維強化樹脂基材2に銅等からなる回路3が形成されたものを用いる。また、絶縁樹脂膜4の材料としては、例えば熱硬化性エポキシ樹脂を用いる。次に、絶縁樹脂膜4の表面に密着材5を形成し、密着材5上に、ドライフィルムを用いて、絶縁樹脂膜4及び密着材5を保護する保護樹脂膜6を形成する。次に、炭酸ガスレーザを用いて、保護樹脂膜6、密着材5及び絶縁樹脂膜4にビアホール7を形成する。このとき、必然的にビアホール7の底にスミア8が生じる。次に、CF4ガス等を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア8を除去する。次に、保護樹脂膜6を除去し、ビアホール7内及び密着材6上に配線を形成する。
【選択図】図1E
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1A乃至図1Mは、第1の実施形態に係る多層回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図2A乃至図2Fは、第2の実施形態に係る多層回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
実験例1では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、180℃、1時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム(日立化成社製のRY3325、厚さ:25μm)をラミネートし、200mJ/cm2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。なお、実験例1では、密着材は形成しなかった。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を70μmに設定して、保護樹脂膜及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとCF4ガスとの混合比(流量比)が95:5のガスを用いたプラズマ処理(ドライエッチング)により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液(アトテック社製のRS−2000)を用いて保護樹脂膜(ドライフィルム)を剥離した。
実験例2では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、更に、クロメート処理された圧延銅箔(日鉱金属社製のBHY、厚さ:18μm)を熱硬化性エポキシ樹脂上にラミネートした。そして、180℃、1時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。その後、銅箔のみを硫酸及び過酸化水素を含むエッチング液(三菱ガス化学社製のSE−07)を用いて除去することにより、クロメート処理により形成された皮膜を密着材として絶縁樹脂膜上に残存させた。次いで、絶縁樹脂膜上にドライフィルム(日立化成社製のRY3325、厚さ:25μm)をラミネートし、200mJ/cm2のエネルギでの光照射を行うことにより、保護樹脂膜を形成した。その後、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を70μmに設定して、保護樹脂膜、密着材及び絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとCF4ガスとの混合比(流量比)が95:5のガスを用いたプラズマ処理(ドライエッチング)により、ビアホールの底に存在するスミアを除去した。次いで、アミン系のドライフィルム剥離液(アトテック社製のRS−2000)を用いて保護樹脂膜(ドライフィルム)を剥離した。
実験例3では、密着材の形成に用いる圧延銅箔の処理として、先ず、表面粗さRzが0.7μmでクロメート処理済みの圧延銅箔(日鉱金属社製のBHY、厚さ:18μm)を1wt%のγ−アミノプロピルトリエトキシシラン(信越化学工業製のKBE−903)水溶液に浸漬した。その後、100℃で30分間のベークを行うことにより、水溶液を乾燥させた。このようにして、圧延銅箔の表面に対するカップリング剤処理を行った。
実験例4では、密着材の形成に用いる圧延銅箔の処理として、先ず、表面粗さRzが0.7μmでクロメート処理済みの圧延銅箔(日鉱金属社製のBHY、厚さ:18μm)を1wt%の2,4,6−トリメルカプト−1,3,5−トリアジン1ナトリウム塩(三協化成社製のサンチオールN−1)水溶液に浸漬した。その後、100℃で30分間のベークを行うことにより、水溶液を乾燥させた。このようにして、圧延銅箔の表面に対するトリアジンチオール処理を行った。
実験例5は、本願発明の範囲から外れる方法についてのものである。実験例5では、先ず、支持基板上に熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、180℃、1時間で加熱することにより、熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させて絶縁樹脂膜を形成した。次いで、密着材及び保護樹脂膜の両方を形成することなく、炭酸ガスレーザを用いて、焦点深度を支持基板の回路の表面に合わせ、また、直径を70μmに設定して、絶縁樹脂膜にビアホールを形成した。続いて、酸素ガスとCF4ガスとの混合比(流量比)が95:5のガスを用いたプラズマ処理(ドライエッチング)を行った。
2:ガラス繊維強化樹脂基材
3:回路
4:絶縁樹脂膜
5:密着材
6:保護樹脂膜
7:ビアホール
8:スミア
11:シード膜
12:銅膜
13:配線
14:ソルダレジスト膜
15:開口部
21:レジストパターン
22:開口部
Claims (6)
- 導電膜上に絶縁樹脂膜を形成する工程と、
前記絶縁樹脂膜を保護する保護膜を形成する工程と、
レーザを用いて、前記保護膜及び前記絶縁樹脂膜に前記導電膜の少なくとも一部を露出するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを形成する際に生じた残渣を除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
前記ビアホールを介して前記導電膜に接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記配線を形成する前に前記絶縁樹脂膜上に密着材を設けておくことを特徴とする多層回路基板の製造方法。 - 前記絶縁樹脂膜を形成する工程と前記保護膜を形成する工程との間に、前記絶縁樹脂膜上に密着材を設ける工程を有し、
前記配線を形成する工程において、前記配線を前記密着材上まで延在させることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板の製造方法。 - 前記保護膜を除去する工程と前記配線を形成する工程との間に、前記絶縁樹脂膜上に密着材を設ける工程を有し、
前記配線を形成する工程において、前記配線を前記密着材上まで延在させることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板の製造方法。 - 前記保護膜として、アクリル樹脂を含有するドライフィルムを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層回路基板の製造方法。
- 前記残渣の除去を、ドライエッチング法により行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層回路基板の製造方法。
- 導電膜上に絶縁樹脂膜を形成する工程と、
前記絶縁樹脂膜を保護する保護膜を形成する工程と、
レーザを用いて、前記保護膜及び前記絶縁樹脂膜に前記導電膜の少なくとも一部を露出するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを形成する際に生じた残渣を除去する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
前記ビアホールを介して前記導電膜に接続される配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
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