JP2016063120A - 多層プリント配線板の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
形状の安定したビアホールの形成が簡便に行え、電気特性に優れたビアを持つ多層プリント配線板の形成方法を提供する。
【解決手段】
ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の形成方法。
【選択図】 図2
形状の安定したビアホールの形成が簡便に行え、電気特性に優れたビアを持つ多層プリント配線板の形成方法を提供する。
【解決手段】
ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の形成方法。
【選択図】 図2
Description
本発明は、ビルドアップ基板などの多層プリント配線基板の形成方法に関する。
近年の半導体素子は、更なる高集積化、高密度化の傾向にあり、それに伴い、半導体素子に設けられる入出力用のピンについては、更なる多ピン化、ファインピッチ化の傾向にある。例えば、半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板については、このようなピンの多ピン化およびファインピッチ化に対応すべく、かつ、半導体素子の電気的特性の向上を図るべく、配線の更なる高密度化、微細化および多層化が強く求められている。
半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板の積層構造は、主として、パターン化された複数の配線層と、各配線層を電気的に隔絶するための複数の絶縁層と、所定の配線層を電気的に接続するための絶縁層を貫通する複数のビアとによって構成されている。
これらのビアは、近年における半導体パッケージの高性能化に応じるため、安定した穴形状となるよう形成することが求められる。このようなことから、紫外線レーザ(例えば、UV-YAGレーザ)、炭酸ガスレーザなどを照射してビアホールを形成する方法(特開平11−342485号公報)、または紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物からなる絶縁層を形成するなどレーザ加工しやすい材料を設ける方法(特開2002−111229号公報)が良好なビア形成方法として提案されている。
しかしながら、特許文献1において高スループットにビアを形成しようとすると、加工時のレーザショット数を減らすか、ビームを駆動させるミラーを高速で動かす必要がある。ショット数を減らすにはビームの出力を上げる必要があり、ビアの形成性が悪化する問題がある。またミラーを高速で動かすと加工位置精度が悪化する問題がある。特許文献2において開示されている技術は、レーザで加工しやすい材料を積層する必要があるため、工程が煩雑になる問題があった。
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、形状が安定しているビアホールが簡便に作製可能であり、優れた電気特性を持つ多層プリント配線板の形成方法を提供することを目的とする。
本発明の多層プリント配線板の形成方法は、ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴としている。
このような構成にすると、レーザビームが照射する場所のみ絶縁層の下にある配線層が粗化されないため、配線層表面の粗さによるレーザビームの反射でビアホールの形状が悪化することを防げる。また、配線層表面の粗さによりビアホールの形状が乱れやすい高出力のレーザビームもビア形成に用いることができるため、高スループット化にビア形成の安定化につながり、伝送特性に優れたパターンの形成が可能となる。
本発明に用いる導体層はプリント配線板基材上の絶縁樹脂にセミアディティブ法により形成されることが好ましい。
本発明に用いるビアランド保護パターンとしては、炭酸ナトリウム水溶液等で容易に溶解され、プリント配線板の回路形成に用いられる感光性樹脂が好ましい。そのほかに、ポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)、ポリエステルフィルムなどが材料として挙げられる。好ましくは、ビアランド保護パターンはアルカリ溶解性のポリマーおよび光重合性モノマーで構成され、弱アルカリ水溶液で容易に溶解・除去されるものである。
一般的に、配線基板における配線層を形成する際、無電解めっき層上にドライフィルムレジストのパターンが形成される。そのため、本発明のビアランド保護パターンをドライフィルムレジストにすれば、配線層形成時においてドライフィルムレジスト層を形成する際に使用される装置や薬液などを本発明のビアランド保護パターンの形成に適用することができる。
配線層表面を粗くする導体処理工程に硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性溶液によるウエット処理液を用いることが好ましい。ウエット処理にすれば、一般的な導体処理工程で使用される装置や薬液などを本発明に適用することができる。
ビアランド保護パターンは、円形状であることが好ましい。円形状であれば、同じく円形状となるビアランドを効率よく保護できる。
ビアランド保護パターンの大きさについて、好ましくは、直径50〜100μmである。ビアランド保護パターンの径が50μm未満では絶縁層積層前の配線層の粗化工程でビアランドを保護する領域が小さくなり、レーザビームの反射を抑えることが難しくなる。径が100μmを超えるとレーザビームが照射されない箇所の配線層と絶縁層の密着性が悪くなる。
ビアランド保護パターンの厚さについて、好ましくは、5〜40μmである。ビアランド保護パターンの厚さが5μm未満、もしくは40μmを超えるとパターン形成が困難となる。
本発明の用いる絶縁層としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂などが挙げられる。
絶縁層の厚さについて、好ましくは、5〜40μmである。絶縁層の厚さが5μm未満では配線間の絶縁を確保することが困難となる可能性がある。また、絶縁層の厚さが40μmを超えると、レーザ照射により絶縁層に作製されるビアホールの形成が困難となる。
本発明に用いるレーザによる加工は、絶縁層を容易に除去可能なプリント配線の工程で
使用されるレーザ加工機によって照射されることが好ましい。配線形成に用いるレーザとしては、エネルギーの大きい炭酸ガスレーザ、熱影響の少ないUV−YAGレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からUV−YAGレーザを用いることが、特に好ましい。
使用されるレーザ加工機によって照射されることが好ましい。配線形成に用いるレーザとしては、エネルギーの大きい炭酸ガスレーザ、熱影響の少ないUV−YAGレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からUV−YAGレーザを用いることが、特に好ましい。
本発明におけるレーザのビーム径は、10〜100μmであることが好ましい。レーザのビーム径が10μm未満では、一般的なプリント配線板形成用のレーザ加工機で照射することが困難となる可能性がある。また、ビーム径が100μmを超えると、一般的なプリント配線板に作製されるビアホールを形成することが困難となる。
本発明によると、レーザ加工機のビーム形状を変えることなく、またレーザ加工に適した材料を積層することなく容易に適切な形状のビアホールが作製可能となる。
また、ビームの反射による形状悪化を防ぐことができるため、レーザの出力を高く設定し、高スループットでビアを形成できる。
さらに、ビア底の表面が平滑であるため、レーザ加工後のビア底にある樹脂残渣をデスミア処理で除去しやすく、伝送特性に優れた配線パターンを形成することが可能となる。これによりプリント配線板の電気伝導性向上を図ることができる。
また、ビームの反射による形状悪化を防ぐことができるため、レーザの出力を高く設定し、高スループットでビアを形成できる。
さらに、ビア底の表面が平滑であるため、レーザ加工後のビア底にある樹脂残渣をデスミア処理で除去しやすく、伝送特性に優れた配線パターンを形成することが可能となる。これによりプリント配線板の電気伝導性向上を図ることができる。
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
まず、図1(a)(b)に示すように、プリント配線板基材1と、プリント配線板の電気接続のためパターン化されたビアランドパターン2、配線パターン3を形成する。なお、図中において、ビアランドパターン2、配線パターン3の形成された様子は発明の特徴ではないので示していない。また、本実施形態では、配線基板の片側のみにビアを形成する方法について説明する。
次に図1(c)に示すように、ビアランドパターン2を覆うようにビアランド保護パターン4を形成する。
ビアランド保護パターン4は、フィルム状の感光材料をラミネートし、露光・現像することにより形成してもよいし、液状の感光材料をスピンコート法などで塗布した後、露光・現像により形成してもよい。ビアランド保護パターン4の材料は、プリント配線板の回路形成で用いられるものが望ましく、例えば、酸発生剤とノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂とメラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂との組合せを含む化学増幅型のネガ型レジスト組成物などがある。一般的に、配線基板における配線層を形成する際、無電解めっき層上にドライフィルムレジストのパターンが形成されるため、ビアランド保護パターン4をドライフィルムレジストにすれば、配線層形成時においてドライフィルムレジスト層を形成する際に使用される装置や薬液などを本発明のビアランド保護パターン4の形成に適用することができる。
ビアランド保護パターン4は円形であることが好ましく、大きさは、直径50〜100μmであることが好ましい。ビアランド保護パターン4の径が50μm未満では、絶縁層積層前の配線層の粗化工程でビアランドを保護する領域が小さくなり、レーザビームの反射を抑えることが難しくなる。ビアランド保護パターン4の径が100μmを超えると、レーザビームが照射されない箇所の配線層と絶縁層の密着性が悪くなる。ビアランド保護パターン4の厚さは、5〜40μmであることが好ましい。ビアランド保護パターン4の厚さが5μm未満、もしくは40μmを超えるとパターン形成が困難となるためである。
次に図1(d)に示すように、絶縁樹脂との密着を得るため、導体処理液5に基板を浸し、配線パターン3表面を粗化する。このときビアランドパターン2はビアランド保護パターン4により粗化されずに図2(e)のようにビアランド保護パターン4以外の配線パターン表面が粗化され、導体粗化面6が形成される。導体処理液は、硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性水溶液を用いることが好ましい。硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性水溶液にすれば、一般的な導体処理工程で使用される装置や薬液などを本発明に適用することができる。
次に図2(f)に示すように、ビアランド保護パターン4を除去する。ビアランド保護パターン4は剥離液7に基板を浸すことで除去される。剥離液7は、1%の炭酸ソーダ水溶液などの弱アルカリ水溶液、有機アミンを主成分とする有機アルカリ溶液を用いることが好ましい。ビアランド保護パターン4が除去されると図2(g)のように平滑な表面を保ったビアランドパターン2が現れる。
次に図2(h)に示すように、ビアランドパターン2、配線パターン3を覆うように絶縁層8を形成する。絶縁層8は、フィルム状の絶縁材料を貼り付けることにより形成してもよいし、液状の絶縁材料をスピンコート法などで塗布した後、加熱硬化させることにより形成してもよい。絶縁層8を構成する絶縁材料としては、エポキシ樹脂などが挙げられる。絶縁層8の厚さは、5〜40μmが好ましい。絶縁層の厚さが5μm未満では配線間の絶縁を確保することが困難となる可能性がある。また、絶縁層の厚さが40μmを超えると、レーザ照射により絶縁層に作製されるビアホールの形成が困難となるためである。
次に、図3(i)(j)に示すように、平滑な表面をもつビアランドパターン2上の絶縁層8にレーザビーム9を照射することにより、絶縁層8に開口部10を形成する。レーザビーム9の径としては、10〜100μmであることが好ましい。レーザのビーム径が10μm未満では、一般的なプリント配線板形成用のレーザ加工機で照射することが困難となる可能性がある。また、ビーム径が100μmを超えると、一般的な半導体パッケージ基板のビア径を超えてしまう可能性がある。レーザビーム9としては、炭酸ガスレーザやUV−YAGレーザ、エキシマレーザなどが挙げられるが、中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からUV−YAGレーザが望ましい。このように平滑なビアランドパターン上の絶縁樹脂をレーザビームで除去加工するため、レーザビームの反射によるビアホール形状の悪化を防ぐことができ、形状の安定したビアホールを形成できる。
次に、本発明の実施例について説明する。
厚さ0.8mmであってサイズ340×510mmのFR−4材の両面に厚さ18μmの銅箔が貼着されている両面銅張積層板(商品名:MCL−E−67、日立化成株式会社製)の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム(膜厚:40μm、商品名:ABF−GX13、味の素ファインテクノ株式会社製)を積層した後、大気圧下にて180℃で30分加熱し、絶縁層を硬化させた。
次に、絶縁層上に形成する無電解めっき層との密着を向上させるため、絶縁層に粗化処理を施した。絶縁層粗化処理は、デスミア処理システム(商品名:サーキュポジット200MLB、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製)を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットMLBコンディショナー211およびサーキュポジットZの混合水溶液(水:70vol%、コンディショナー211:20vol%、サーキュポジットZ:10vol%)により70℃で3分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットMLBプロモータ213AおよびサーキュポジットMLBプロモータ213Bの混合水溶液(水:75vol%、プロモータ213A:10vol%、プロモータ213B:15vol%)により70℃で7分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットMLBニュートラライザ216−4(水:80vol%、ニュートラライザ216−4:20vol%)により40℃で5分間浸漬処理した。以上のようにして、絶縁層を粗化した。
次に、絶縁層上に無電解銅めっきを施すことにより、厚さ0.5μmの無電解銅めっき層を形成した。無電解銅めっき層の形成には、以下の各処理液にめっき対象物を順次浸漬するサーキュポジットプロセス(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製)を採用した。具体的には、まず絶縁層表面の予洗処理としてサーキュポジットコンディショナ3320水溶液(水:90vol%、コンディショナー3320:10vol%)により50℃で5分間浸漬処理した。次に、プレディップ処理としてキャタプレップ404プレディップを270g/dm3の濃度で含む水溶液により室温で90秒間浸漬処理した。次に、触媒化処理としてキャタプレップ404プレディップおよびキャタポジット44キャタリストコンセントレートの混合水溶液(水:85vol%、キャタプレップ404:270g/dm3、キャタポジット44:3vol%)により55℃で3分間浸漬処理した。活性化処理としてキューポジットアクセラレータ19水溶液(水:83vol%、アクセラレータ19:17vol%)により室温で6分間浸漬処理した。次に、無電解めっき処理としてキューポジット328Aカッパーミックスコンセントレートおよびキューポジット328LAカッパーミックスコンセントレートの混合水溶液(水:75vol%、キューポジット328A:12.5vol%、キューポジット328L:12.5vol%)により室温で25分間浸漬処理した。以上のようにして、無電解銅めっき層を形成した。
次に無電解めっき層上にDFR(ドライフィルムレジスト)をラミネートし、露光・現像によりDFRパターンを形成した。DFRは感光層の厚さ25μmのDFR(RY−3525、日立化成社製)を105℃でラミネートした。露光は微細配線露光用のステッパーを用い、露光量を110mJとした。現像は薬液に弱アルカリ水溶液の炭酸ナトリウム水溶液(1wt%)を用い、1min浸漬処理してDFRパターンを形成した。
次にDFRパターンを形成した基板を電解銅めっき液に浸漬し、DFRパターン間部分に銅めっき層を形成した。電解銅めっき液には硫酸と硫酸銅からなる硫酸銅めっき液(硫酸銅5水和物140g/l)を用いた。
次に、基板をDFR剥離液につけてDFRパターンを剥離した。DFR剥離液には水酸化ナトリウム水溶液(5vol%)を用い、1min浸漬処理してDFRパターンを剥離した。その後、硫酸-過酸化水素水からなる銅箔エッチング液に1min浸漬処理し、不要な銅をエッチングした。そのようにしてビアランドパターンを含む銅配線パターンを形成した。形成したビアランドは直径98.8μm、厚さ14.5μmとなった。ビアランドの形状寸法は基板の面内5点の平均とした。
次に、ビアランドパターン上にビアランド保護パターンを形成した。ビアランド保護パターン形成はDFRパターン形成と同様の方法で行った。
次に、絶縁層との密着を得るため銅パターンを荒らす導体処理を施した。導体処理は、CZ処理(商品名:CZ−8100、メック株式会社製)で行った。具体的には、まず前処理としてCA−5330Aに基板を浸漬処理し、CZの粗化能力を阻害する物質を非常に軽微なエッチングによって効率よく除去し、次に有機酸系マイクロエッチング剤CZ−8100を用いて銅パターン表面を粗化処理した。
次に、基板をDFR剥離液に浸し、ビアランド保護パターンを剥離した。DFR剥離液は前述のものを使用した。
次に、ビアランドパターン、銅配線パターンを覆うように絶縁層を形成した。絶縁層形成は前述の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム(膜厚:40μm、商品名:ABF−GX13、味の素ファインテクノ株式会社製)を使用し、真空プレスした後、大気圧下にて180℃で30分加熱し、絶縁層を硬化させた。
次に、レーザ加工装置を用いて、ビアランド位置にUV−YAGレーザ(平均出力2.0W)を照射し、ビアホール(直径:60μm)を形成した。
以上のようにして形成されたビアホールにおいて形状が乱れていないこと、レーザビームの反射によるビアホール側面が抉れていないことを確認した。
<比較例>
次に、従来の多層プリント配線板の形成方法について説明する。
次に、従来の多層プリント配線板の形成方法について説明する。
厚さ0.8mmであってサイズ340×510mmのFR−4材の両面に厚さ18μmの銅箔が貼着されている両面銅張積層板(商品名:MCL−E−67、日立化成株式会社製)の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム(膜厚:40μm、商品名:ABF−GX13、味の素ファインテクノ株式会社製)を積層した後、大気圧下にて180℃で30分加熱し、絶縁層を硬化させた。
次に、絶縁層上に形成する無電解めっき層との密着を向上させるため、絶縁層に粗化処理を施した。絶縁層粗化処理は、デスミア処理システム(商品名:サーキュポジット200MLB、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製)を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットMLBコンディショナー211およびサーキュポジットZの混合水溶液(水:70vol%、コンディショナー211:20vol%、サーキュポジットZ:10vol%)により70℃で3分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットMLBプロモータ213AおよびサーキュポジットMLBプロモータ213Bの混合水溶液(水:75vol%、プロモータ213A:10vol%、プロモータ213B:15vol%)により70℃で7分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットMLBニュートラライザ216−4(水:80vol%、ニュートラライザ216−4:20vol%)により40℃で5分間浸漬処理した。以上のようにして、絶縁層を粗化した。
次に、絶縁層上に無電解銅めっきを施すことにより、厚さ0.5μmの無電解銅めっき層を形成した。無電解銅めっき層の形成には、以下の各処理液にめっき対象物を順次浸漬するサーキュポジットプロセス(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製)を採用した。具体的には、まず絶縁層表面の予洗処理としてサーキュポジットコンディショナ3320水溶液(水:90vol%、コンディショナー3320:10vol%)により50℃で5分間浸漬処理した。次に、プレディップ処理としてキャタプレップ404プレディップを270g/dm3の濃度で含む水溶液により室温で90秒間浸漬処理した。次に、触媒化処理としてキャタプレップ404プレディップおよびキャタポジット44キャタリストコンセントレートの混合水溶液(水:85vol%、キャタプレップ404:270g/dm3、キャタポジット44:3vol%)により55℃で3分間浸漬処理した。活性化処理としてキューポジットアクセラレータ19水溶液(水:83vol%、アクセラレータ19:17vol%)により室温で6分間浸漬処理した。次に、無電解めっき処理としてキューポジット328Aカッパーミックスコンセントレートおよびキューポジット328LAカッパーミックスコンセントレートの混合水溶液(水:75vol%、キューポジット328A:12.5vol%、キューポジット328L:12.5vol%)により室温で25分間浸漬処理した。以上のようにして、無電解銅めっき層を形成した。
次に無電解めっき層上にDFR(ドライフィルムレジスト)をラミネートし、露光・現像によりDFRパターンを形成した。DFRは感光層の厚さ25μmのDFR(RY−3525、日立化成社製)を105℃でラミネートした。露光は微細配線露光用のステッパーを用い、露光量を110mJとした。現像は薬液に弱アルカリ水溶液の炭酸ナトリウム水溶液(1wt%)を用い、1min浸漬処理してDFRパターンを形成した。
次にDFRパターンを形成した基板を電解銅めっき液に浸漬し、DFRパターン間部分に銅めっき層を形成した。電解銅めっき液には硫酸と硫酸銅からなる硫酸銅めっき液(硫酸銅5水和物140g/l)を用いた。
次に、基板をDFR剥離液につけてDFRパターンを剥離した。DFR剥離液には水酸化ナトリウム水溶液(5vol%)を用い、1min浸漬処理してDFRパターンを剥離した。その後、硫酸-過酸化水素水からなる銅箔エッチング液に1min浸漬処理し、不要な銅をエッチングした。そのようにしてビアランドパターンを含む銅配線パターンを形成した。
次に、絶縁層との密着を得るためビアランドパターン、銅配線パターンを荒らす導体処理を施した。導体処理は、CZ処理(商品名:CZ−8100、メック株式会社製)で行った。具体的には、まず前処理としてCA−5330Aに基板を浸漬処理し、CZの粗化能力を阻害する物質を非常に軽微なエッチングによって効率よく除去し、次に有機酸系マイクロエッチング剤CZ−8100を用いて銅パターン表面を粗化処理した。
次に、ビアランドパターン、銅配線パターンを覆うように絶縁層を形成した。絶縁層は熱硬化性エポキシ樹脂フィルム(膜厚:40μm、商品名:ABF−GX13、味の素ファインテクノ株式会社製)を使用し、真空プレスした後、大気圧下にて180℃で30分加熱し、絶縁層を硬化させた。
次に、レーザ加工装置を用いて、ビアランド位置にUV−YAGレーザ(平均出力2.0W)を照射し、ビアホール(直径:60μm)を形成した。
以上のようにして形成されたビアホールを観察した結果、側面が凹む穴がいくつか確認された。ビアランド保護パターンが形成されないとビアホールの形状が乱れる可能性があることがわかった。
本発明によると、形状の安定したビア形成が簡便に行える。またビームの反射によるビア形状の悪化を抑えられるため、レーザの出力を上げることができ、配線形成の高スループット化を図ることができる。さらにビア底を平滑にできるため、樹脂残渣の除去性も向上し、伝送特性に有利な配線パターンを形成できる。これにより多層プリント配線板の高性能化、電気特性の向上を図ることができる。
1 プリント配線板基材
2 ビアランドパターン
3 配線パターン
4 ビアランド保護パターン
5 導体処理液
6 導体粗化面
7 剥離液
8 絶縁層
9 レーザビーム
10 ビアホール
2 ビアランドパターン
3 配線パターン
4 ビアランド保護パターン
5 導体処理液
6 導体粗化面
7 剥離液
8 絶縁層
9 レーザビーム
10 ビアホール
Claims (5)
- ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の形成方法。
- 前記ビアランド保護パターンは、容易に溶解するプリント配線板の回路形成に用いられる感光性樹脂であることを特徴とする、請求項1に記載の多層プリント配線板の形成方法。
- 前記ビアランド保護パターンは、円形状であることを特徴とする、請求項1または2に記載の多層プリント配線板の形成方法。
- 前記ビアランド保護パターンの大きさは、直径50〜100μmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の多層プリント配線板の形成方法。
- 前記ビアランド保護パターンの厚さは、5〜40μmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の多層プリント配線板の形成方法。
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---|---|---|---|---|
JP2020096005A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 凸版印刷株式会社 | 半導体パッケージ基板 |
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2014
- 2014-09-19 JP JP2014191043A patent/JP2016063120A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020096005A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 凸版印刷株式会社 | 半導体パッケージ基板 |
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