JP2004082444A - 金属層付き樹脂体および配線体 - Google Patents
金属層付き樹脂体および配線体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004082444A JP2004082444A JP2002244813A JP2002244813A JP2004082444A JP 2004082444 A JP2004082444 A JP 2004082444A JP 2002244813 A JP2002244813 A JP 2002244813A JP 2002244813 A JP2002244813 A JP 2002244813A JP 2004082444 A JP2004082444 A JP 2004082444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- resin body
- base metal
- layer
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【課題】金属層を高い密着強度で備えた金属層付き樹脂体と、導体パターンを十分な密着強度で備えた信頼性の高い配線体を提供する。
【解決手段】電気絶縁性の樹脂体上に真空成膜法により形成した金属層を備えた金属層付き樹脂体とし、樹脂体を、金属層の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるものとし、かつ、金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるものとし、これにより、金属層が平坦な樹脂体に対して高い密着強度をもつようにする。
【選択図】 図１
【解決手段】電気絶縁性の樹脂体上に真空成膜法により形成した金属層を備えた金属層付き樹脂体とし、樹脂体を、金属層の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるものとし、かつ、金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるものとし、これにより、金属層が平坦な樹脂体に対して高い密着強度をもつようにする。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属層付き樹脂体と配線体に係り、特に金属層を良好な密着強度で備えた金属層付き樹脂体と、電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体、および、電気絶縁膜を介して多層に設けられた導体パターンが微細なビアホールにおいて導通された配線体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、配線形成方法としてはサブトラクティブ法とセミアディティブ法の二つが主流である。サブトラクティブ法は、銅張り積層板やＲＣＣ等を用い、これらの銅箔をエッチングすることにより配線を形成する方法である。しかし、このサブトラクティブ法では、エッチング時にサイドエッチングが入るため、微小配線形成には限界がある。一方、セミアディティブ法は、絶縁層上に下地金属層を形成した後、この下地金属層を電極としてパターンめっきを行うことにより導電層を形成し、その後、余分な下地金属層をフラッシュエッチングにより除去することにより配線を形成する方法であり、微細配線の形成に適している。現在、セミアディティブ法では、絶縁層と下地金属層との高い密着強度を得るために、過マンガン酸により絶縁層の表面を粗化し、その後、無電解めっきにより下地金属層を形成することが主流である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体素子は、ますます高集積化、高性能化の一途をたどってきており、これに対応するために、多層配線基板もビアホールの微小化、配線の微細化が要求されている。しかし、上述のように、粗面化された絶縁層上に下地金属層を設けて配線を形成するセミアディティブ法では、微細化された配線の幅に対して絶縁層の表面粗さが無視できないものとなっている。また、配線の微細化が進むほど、フラッシュエッチングによる余分な下地金属層の除去工程において、無電解めっきによる下地金属層の形成に使用した触媒が配線間に残存し易いという問題もある。
【０００４】
そこで、更なる微細配線形成のためには、平坦な絶縁層上に下地金属層を設ける技術が要求されている。その一つとして、絶縁層上にスパッタリング法により金属薄膜を形成して下地金属層とし、この下地金属層を電極として電解めっきにより配線を形成するセミアディティブ法が提案されている。
しかし、このようなセミアディティブ法で作製された配線体は、無電解めっき用の触媒の残留という問題は解消されているが、絶縁層と下地金属層との密着性が不十分であり信頼性の低いものであった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、金属層を高い密着強度で備えた金属層付き樹脂体と、導体パターンを十分な密着強度で備えた信頼性の高い配線体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の金属層付き樹脂体は、電気絶縁性の樹脂体と、該樹脂体上に真空成膜法により形成した金属層とを備え、前記金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００６】
本発明の配線体は、電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体において、前記導体パターンは、樹脂体上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記下地金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００７】
本発明の配線体は、ビアホールを有する電気絶縁膜を介して導体パターンを備え、前記ビアホールにて導体パターンの所望の層間導通がなされた配線体において、前記導体パターンは、電気絶縁膜上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記電気絶縁膜の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気絶縁膜は前記下地金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気絶縁膜は前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００８】
このような本発明では、金属層の成膜温度における樹脂体、あるいは、下地金属層の成膜温度における樹脂体や電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるので、真空成膜法により成膜された金属層や下地金属層は、界面の表面粗さＲａが２μｍ以下である平坦な樹脂体や電気絶縁膜に対して高い密着強度をもつものとなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
金属層付き樹脂体
図１は、本発明の金属層付き樹脂体の一例を示す断面構成図である。図１において、本発明の金属層付き樹脂体１は、電気絶縁性の樹脂体２と、この樹脂体２上に真空成膜法により形成した金属層４とを備えている。
金属層付き樹脂体１を構成する樹脂体２は、金属層４の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような樹脂体２を使用することにより、金属層４との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な樹脂体２上においても、金属層４の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。金属層４の成膜温度における樹脂体２のユニバーサル硬さ値が上記の範囲から外れると、樹脂体２に対する金属層４の密着強度が不十分なものとなり好ましくない。尚、本発明では、ユニバーサル硬さ値の測定は、フィッシャースコープＨ１００Ｖ（（株）フィッシャー・インストルメンツ製）を用い、押し込み深さ５μｍで行うものとする。以下の本発明の説明においても同様である。
【００１０】
上記のような樹脂体２としては、エポキシ樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、メタリルマレイミド樹脂、フルオレン系樹脂、アクリル樹脂、ブロックカルボン酸樹脂、ポリイミド、アラミド樹脂、ベンゾシクロブテン、液晶ポリマー、ポリオレフィン、フッ素樹脂、ポリオキサゾール、ポリイミダゾール、ポリエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリフェニレンオキシド、芳香族ポリエステル、ポリスルフィド、ポリカーボネート等の樹脂を挙げることができ、金属層４の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、樹脂体２の厚みは、適宜設定することができ、例えば、５μｍ〜１ｍｍの範囲で設定することができる。
【００１１】
金属層付き樹脂体１を構成する金属層４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により形成することができる。この金属層４は、クロム、ニッケル、銅−ニッケル、クロム−ニッケル、コバルト−ニッケル等のニッケル系化合物、チタン、ＴｉＮ、ＴｉＷ等のチタン系化合物、銅、アルミニウム、銀、金等の材質とすることができる。好ましくは、図示例のように、金属層４をクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層４ａと銅層４ｂとの２層構造とすることができる。金属層４の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように、金属層４を２層構造とする場合、銅層４ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００１２】
本発明では、金属層付き樹脂体１を構成する樹脂体２が、金属層４の形成後に熱処理を施されたものであってもよい。この熱処理の条件は、樹脂体２に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。
このような熱処理によって、樹脂体２に対する金属層４の密着強度がより高いものとなる。
【００１３】
また、本発明では、金属層４を形成する前に樹脂体２にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。
このような前処理によって、樹脂体２に対する金属層４の密着強度がより高いものとなる。
【００１４】
配線体
図２は、本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。図２において、本発明の配線体１１は、電気絶縁性の樹脂体１２と、この樹脂体１２上に形成された導体パターン１３とを備えており、導体パターン１３は、下地金属層１４と導電層１５との積層構造となっている。
配線体１１を構成する樹脂体１２は、下地金属層１４の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような樹脂体１２を使用することにより、下地金属層１４との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な樹脂体１２上においても、下地金属層１４の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。
【００１５】
このような樹脂体１２としては、上述の金属層付き樹脂体１で挙げた樹脂材料を使用することができ、下地金属層１４の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、樹脂体１２の厚みは、例えば、５μｍ〜０．１ｍｍの範囲で適宜設定することができる。
本発明の配線体１１では、下地金属層１４との界面の樹脂体１２の表面粗さＲａを２μｍ以下、好ましくは０．０１〜１μｍの範囲とすることができる。樹脂体１２の表面をこのように平坦なものとすることにより、後述するレジスト形成等における精度低下が抑制され、導体パターン１３の微細化が可能となる。
【００１６】
配線体１１の導体パターン１３を構成する下地金属層１４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により成膜し、後述するフラッシュエッチングにより余分な下地金属層を除去して形成したものである。この下地金属層１４を構成する材料は、上述の金属層付き樹脂体１の金属層４を構成する材料と同様のものとすることができ、図示例のように、下地金属層１４をクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層１４ａと銅層１４ｂとの２層構造とすることが好ましい。下地金属層１４の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように、下地金属層１４を２層構造とする場合、銅層１４ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００１７】
配線体１１の導体パターン１３を構成する導電層１５は、下地金属層１４を給電層として電解めっき法によりパターンめっきされたものであり、銅、ニッケル、金、銀等の１種、あるいは、２種以上の組み合わせからなるものである。この導電層１５の厚みは、例えば、３〜５０μｍの範囲で適宜設定することができる。
尚、配線体１１を構成する樹脂体１２は、真空成膜法により下地金属層１４を成膜した後に熱処理を施したものであってもよい。この熱処理は、樹脂体１２に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。このような熱処理によって、樹脂体１２に対する下地金属層１４の密着強度がより高いものとなる。
【００１８】
また、下地金属層１４を形成する前に樹脂体１２にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。このような前処理によって、樹脂体１２に対する下地金属層１４の密着強度がより高いものとなる。
【００１９】
図３は、本発明の金属層付き樹脂体１を用いて上記の配線体１１を製造する一例を示す図である。図３において、金属層付き樹脂体１の金属層４上に所望のレジストパターン１６を形成する（図３（Ａ））。次に、金属層４を給電層とし、レジストパターン１６をマスクとして電解めっきによりパターンめっきを行って導電層１５を金属層４上に形成し、その後、レジストパターン１６を除去する（図３（Ｂ））。次いで、余分な金属層４をフラッシュエッチングにより除去することにより、樹脂体１２上に真空成膜法により形成された下地金属層１４と、この下地金属層１４上に電解めっき法により積層された導電層１５からなる積層構造の導体パターン１３が形成され、配線体１１が得られる（図３（Ｃ））。
【００２０】
配線体
図４は、本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。図４において、本発明の配線体２１は、サブトラクティブ法等で作製した低密度配線３２を有するコア基板３１と、このコア基板３１の配線３２上に電気絶縁膜２２を介して設けられた導体パターン２３と、この導体パターン２３上に電気絶縁膜２６を介して設けられた導体パターン２７と、を備えている。上記の導体パターン２３，２７は、下地金属層２４，２８と導電層２５，２９との積層構造となっている。そして、電気絶縁膜２２に形成されたビアホール２２ａにて導体パターン２３と配線３２との層間の導通がなされ、電気絶縁膜２６に形成されたビアホール２６ａにて導体パターン２３と導体パターン２７との層間の導通がなされている。
尚、図示例では、コア基板３１の他方に電気絶縁膜、導体パターンが形成されていないが、コア基板３１の両面に電気絶縁膜、導体パターンが形成されたものであってもよい。但し、電気絶縁膜を介して形成する導体パターンの層数は任意に設定することができる。
【００２１】
また、図示例では低密度配線３２を有するコア基板３１を使用しているが、ガラス基板、シリコン基板、金属基板、セラミックス基板等、および、これらの基板上に所望の導体パターンを備えたものを上記のコア基板３１の代わりに使用することができる。
配線体２１を構成する電気絶縁膜２２，２６は、下地金属層２４，２８の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような電気絶縁膜２２，２６を使用することにより、下地金属層２４，２８との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な電気絶縁膜２２，２６上においても、下地金属層２４，２８の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。
【００２２】
このような電気絶縁膜２２，２６としては、上述の金属層付き樹脂体１において挙げた樹脂体２形成用の樹脂を使用することができ、下地金属層２４，２８の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、電気絶縁膜２２，２６の厚みは、例えば、５〜１００μｍの範囲で適宜設定することができる。
上述のような配線体２１では、下地金属層２４，２８との界面の電気絶縁膜２２，２６の表面粗さＲａを２μｍ以下、好ましくは０．０１〜１μｍの範囲とすることができる。電気絶縁膜２２，２６の表面をこのように平坦なものとすることにより、後述するレジスト形成等における精度低下が防止され、導体パターン２３，２７の微細化が可能となる。
【００２３】
配線体２１の導体パターン２３，２７を構成する下地金属層２４，２８は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により成膜し、後述するフラッシュエッチングにより余分な下地金属層を除去して形成したものである。この下地金属層２４，２８を構成する材料は、上述の金属層付き樹脂体１の金属層４を構成する材料と同様のものとすることができる。そして、図示例のように、下地金属層２４，２８はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層２４ａ，２８ａと、銅層２４ｂ、２８ｂとの２層構造とすることが好ましい。下地金属層２４，２８の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように下地金属層２４，２８を２層構造とする場合、銅層２４ｂ、２８ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００２４】
配線体２１の導体パターン２３，２７を構成する導電層２５，２９は、それぞれ下地金属層２４，２８を給電層として電解めっき法によりパターンめっきされたものであり、銅、ニッケル、金、銀等の１種、あるいは、２種以上の組み合わせからなるものである。この導電層２５，２９の厚みは、例えば、３〜５０μｍの範囲で適宜設定することができる。
尚、配線体２１を構成する電気絶縁膜２２，２６は、真空成膜法により下地金属層２４，２８を成膜した後に熱処理を施したものであってもよい。この熱処理は、電気絶縁膜２２，２６に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。このような熱処理によって、電気絶縁膜２２，２６に対する下地金属層２４，２８の密着強度がより高いものとなる。
【００２５】
また、上記の配線体２１では、下地金属層２４，２８を形成する前に電気絶縁膜２２，２６にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。このような前処理によって、電気絶縁膜２２，２６に対する下地金属層２４，２８の密着強度がより高いものとなる。
【００２６】
図５は、上記の配線体２１を製造する一例を示す図である。図５において、まず、コア基板３１の配線３２上に、電気絶縁膜用の感光性絶縁材料層を形成し、これを所望のフォトマスクを介して露光、現像し、ポストベークを施すことにより、ビアホール２２ａを備えた電気絶縁膜２２を形成する（図５（Ａ））。形成されたビアホール２２ａ内には、コア基板３１の配線３２が露出している。尚、電気絶縁膜２２を熱硬化型樹脂により形成し、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等を用いてビアホール２２ａを形成してもよい。
次に、電気絶縁膜２２上に真空成膜法により下地金属層２４を形成する（図５（Ｂ））。図示例では、下地金属層２４は、クロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層２４ａと銅層２４ｂとの２層構造とされている。真空成膜法による下地金属層２４を形成する前に電気絶縁膜２２にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施してもよい。
【００２７】
次に、下地金属層２４上に所望のレジストパターン３６を形成する（図５（Ｃ））。次いで、下地金属層２４を給電層とし、レジストパターン３６をマスクとして電解めっきによりパターンめっきを行って導電層２５を下地金属層２４上に形成する（図５（Ｄ）。その後、レジストパターン３６を除去し、余分な下地金属層２４をフラッシュエッチングにより除去することにより、電気絶縁膜２２上に真空成膜法により形成された下地金属層２４と、この下地金属層２４上に電解めっき法により積層された導電層２５からなる積層構造の導体パターン２３を形成する（図５（Ｅ））。
その後、上述の操作と同様の操作を行うことにより、導体パターン２３上に電気絶縁膜２６を介して導体パターン２７が形成され、図４に示されるような配線体２１が得られる。
【００２８】
【実施例】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
サブトラクティブ法で作製した低密度配線を有する両面配線基板をコア基板として準備した。次に、このコア基板上にエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）を真空ラミネータでラミネートし、下記の表１および表２に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１〜９）を形成した。この電気絶縁膜のうち、試料１〜５については７０℃におけるユニバーサル硬さ値を、試料６〜９については１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を、それぞれフィッシャースコープＨ１００Ｖ（（株）フィッシャー・インストルメンツ製）を用い、押し込み深さ５μｍで測定し、結果を下記の表１、表２に示した。
【００２９】
また、上記の電気絶縁膜のうち、試料６〜９について、更に下記の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料６′〜９′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．７μｍであり、処理後は約０．８μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
（プラズマ処理の条件）
・ＲＦパワー ： ２ｋＷ
・酸素ガス導入量 ： １５００ｓｃｃｍ
・処理時間 ： ３分間
【００３０】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、上記の試料１〜５については成膜温度を７０℃に設定し、上記の試料６〜９、試料６′〜９′については成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、下記の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。尚、上記の試料６〜９、試料６′〜９′については、電解めっきによる導電層形成後に下記の表２、表３に示される条件で熱処理を施した。
（電解銅めっきの条件）
【００３１】
上述のように形成した下地金属層と導電層を、テンシロン測定装置（Ａ＆Ｄ社製）を用いて電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離（剥離速度５０ｍｍ／分）してピール強度を測定し、結果を下記の表１、表２および表３に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
【表３】
【００３５】
表１〜表３に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（７０℃、１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料２〜４、試料７〜９、試料７′〜９′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。表１と表２の比較から、成膜温度を高くすることにより、また、加熱処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。さらに、表２と表３の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が更に向上することが確認された。
【００３６】
［実施例２］
実施例１のエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）の代わりに、フルオレン系樹脂ラミネート材（新日鉄化学（株）製ＰＤＦ１００）を使用した他は、実施例１と同様に真空ラミネータでラミネートし、下記の表４に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１０〜１２）を形成した。
この電気絶縁膜について、１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を実施例１と同様にして測定し、結果を下記の表４に示した。
また、上記の電気絶縁膜に実施例１と同様の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料１０′〜１２′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．５μｍであり、処理後は約０．５μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
【００３７】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、下記の表４、表５に示される条件で熱処理を施した。
【００３８】
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定し、結果を下記の表４、表５に示した。
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】
表４、表５に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料１１、試料１１′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。また、表４と表５の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。
【００４２】
［実施例３］
実施例１のエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）の代わりに、メタリルマレイミド樹脂ラミネート材（東亜合成（株）ＭＭＲ）を使用した他は、実施例１と同様に真空ラミネータでラミネートし、下記の表６に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１３〜１５）を形成した。この電気絶縁膜について、１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を実施例１と同様にして測定し、結果を下記の表６に示した。
また、上記の電気絶縁膜に実施例１と同様の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料１３′〜１５′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．６μｍであり、処理後は約０．７μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
【００４３】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、下記の表６、表７に示される条件で熱処理を施した。
【００４４】
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定し、結果を下記の表６、表７に示した。
【００４５】
【表６】
【００４６】
【表７】
【００４７】
表６、表７に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料１４、試料１４′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。また、表６と表７の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。
【００４８】
［比較例］
実施例１と同様に、このコア基板上にエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）を真空ラミネータでラミネートし、１６０℃で加熱硬化させて電気絶縁膜（比較試料）を形成した。
次に、この電気絶縁膜に過マンガン酸を用いて表面粗化処理を施した。この表面粗化処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．７μｍであったが、処理後は約４μｍとなり、平坦性の悪いものであった。
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
【００４９】
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、１６０℃において１時間の熱処理を施した。
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定した結果、５００ｇ／ｃｍであった。
この結果と、上述の実施例１〜３の結果から、本発明の配線体が備える下地金属層は、従来の表面粗化を施した電気絶縁膜上に形成した下地金属層と同程度の密着強度を有することが確認された。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば真空成膜法により成膜された金属層の成膜温度における樹脂体のユニバーサル硬さ値、あるいは、下地金属層の成膜温度における樹脂体や電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるので、成膜された金属層や下地金属層は、界面の表面粗さＲａが２μｍ以下である平坦な樹脂体や電気絶縁膜に対して高い密着強度をもつものとなり、さらに、樹脂体や電気絶縁膜と下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるため、導体パターンの微細化が可能であるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の金属層付き樹脂体の一例を示す断面構成図である。
【図２】本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。
【図３】図１に示される金属層付き樹脂体を用いて図２に示される配線体を製造する一例を示す図である。
【図４】本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。
【図５】図４に示される本発明の配線体の製造方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…金属層付き樹脂体
２…樹脂体
４，４ａ，４ｂ…金属層
１１…配線体
１２…樹脂体
１３…導体パターン
１４，１４ａ，１４ｂ…下地金属層
１５…導電層
２１…配線体
２２，２６…電気絶縁膜
２２ａ，２６ａ…ビアホール
２３，２７…導体パターン
２４，２４ａ，２４ｂ，２８，２８ａ，２８ｂ…下地金属層
２５，２９…導電層
３１…コア基板
３２…配線
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属層付き樹脂体と配線体に係り、特に金属層を良好な密着強度で備えた金属層付き樹脂体と、電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体、および、電気絶縁膜を介して多層に設けられた導体パターンが微細なビアホールにおいて導通された配線体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、配線形成方法としてはサブトラクティブ法とセミアディティブ法の二つが主流である。サブトラクティブ法は、銅張り積層板やＲＣＣ等を用い、これらの銅箔をエッチングすることにより配線を形成する方法である。しかし、このサブトラクティブ法では、エッチング時にサイドエッチングが入るため、微小配線形成には限界がある。一方、セミアディティブ法は、絶縁層上に下地金属層を形成した後、この下地金属層を電極としてパターンめっきを行うことにより導電層を形成し、その後、余分な下地金属層をフラッシュエッチングにより除去することにより配線を形成する方法であり、微細配線の形成に適している。現在、セミアディティブ法では、絶縁層と下地金属層との高い密着強度を得るために、過マンガン酸により絶縁層の表面を粗化し、その後、無電解めっきにより下地金属層を形成することが主流である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体素子は、ますます高集積化、高性能化の一途をたどってきており、これに対応するために、多層配線基板もビアホールの微小化、配線の微細化が要求されている。しかし、上述のように、粗面化された絶縁層上に下地金属層を設けて配線を形成するセミアディティブ法では、微細化された配線の幅に対して絶縁層の表面粗さが無視できないものとなっている。また、配線の微細化が進むほど、フラッシュエッチングによる余分な下地金属層の除去工程において、無電解めっきによる下地金属層の形成に使用した触媒が配線間に残存し易いという問題もある。
【０００４】
そこで、更なる微細配線形成のためには、平坦な絶縁層上に下地金属層を設ける技術が要求されている。その一つとして、絶縁層上にスパッタリング法により金属薄膜を形成して下地金属層とし、この下地金属層を電極として電解めっきにより配線を形成するセミアディティブ法が提案されている。
しかし、このようなセミアディティブ法で作製された配線体は、無電解めっき用の触媒の残留という問題は解消されているが、絶縁層と下地金属層との密着性が不十分であり信頼性の低いものであった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、金属層を高い密着強度で備えた金属層付き樹脂体と、導体パターンを十分な密着強度で備えた信頼性の高い配線体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の金属層付き樹脂体は、電気絶縁性の樹脂体と、該樹脂体上に真空成膜法により形成した金属層とを備え、前記金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００６】
本発明の配線体は、電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体において、前記導体パターンは、樹脂体上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記下地金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記樹脂体は前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００７】
本発明の配線体は、ビアホールを有する電気絶縁膜を介して導体パターンを備え、前記ビアホールにて導体パターンの所望の層間導通がなされた配線体において、前記導体パターンは、電気絶縁膜上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記電気絶縁膜の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気絶縁膜は前記下地金属層の形成後に熱処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電気絶縁膜は前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したような構成とした。
本発明の他の態様として、前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であるような構成とした。
【０００８】
このような本発明では、金属層の成膜温度における樹脂体、あるいは、下地金属層の成膜温度における樹脂体や電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるので、真空成膜法により成膜された金属層や下地金属層は、界面の表面粗さＲａが２μｍ以下である平坦な樹脂体や電気絶縁膜に対して高い密着強度をもつものとなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
金属層付き樹脂体
図１は、本発明の金属層付き樹脂体の一例を示す断面構成図である。図１において、本発明の金属層付き樹脂体１は、電気絶縁性の樹脂体２と、この樹脂体２上に真空成膜法により形成した金属層４とを備えている。
金属層付き樹脂体１を構成する樹脂体２は、金属層４の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような樹脂体２を使用することにより、金属層４との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な樹脂体２上においても、金属層４の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。金属層４の成膜温度における樹脂体２のユニバーサル硬さ値が上記の範囲から外れると、樹脂体２に対する金属層４の密着強度が不十分なものとなり好ましくない。尚、本発明では、ユニバーサル硬さ値の測定は、フィッシャースコープＨ１００Ｖ（（株）フィッシャー・インストルメンツ製）を用い、押し込み深さ５μｍで行うものとする。以下の本発明の説明においても同様である。
【００１０】
上記のような樹脂体２としては、エポキシ樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、メタリルマレイミド樹脂、フルオレン系樹脂、アクリル樹脂、ブロックカルボン酸樹脂、ポリイミド、アラミド樹脂、ベンゾシクロブテン、液晶ポリマー、ポリオレフィン、フッ素樹脂、ポリオキサゾール、ポリイミダゾール、ポリエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリフェニレンオキシド、芳香族ポリエステル、ポリスルフィド、ポリカーボネート等の樹脂を挙げることができ、金属層４の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、樹脂体２の厚みは、適宜設定することができ、例えば、５μｍ〜１ｍｍの範囲で設定することができる。
【００１１】
金属層付き樹脂体１を構成する金属層４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により形成することができる。この金属層４は、クロム、ニッケル、銅−ニッケル、クロム−ニッケル、コバルト−ニッケル等のニッケル系化合物、チタン、ＴｉＮ、ＴｉＷ等のチタン系化合物、銅、アルミニウム、銀、金等の材質とすることができる。好ましくは、図示例のように、金属層４をクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層４ａと銅層４ｂとの２層構造とすることができる。金属層４の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように、金属層４を２層構造とする場合、銅層４ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００１２】
本発明では、金属層付き樹脂体１を構成する樹脂体２が、金属層４の形成後に熱処理を施されたものであってもよい。この熱処理の条件は、樹脂体２に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。
このような熱処理によって、樹脂体２に対する金属層４の密着強度がより高いものとなる。
【００１３】
また、本発明では、金属層４を形成する前に樹脂体２にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。
このような前処理によって、樹脂体２に対する金属層４の密着強度がより高いものとなる。
【００１４】
配線体
図２は、本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。図２において、本発明の配線体１１は、電気絶縁性の樹脂体１２と、この樹脂体１２上に形成された導体パターン１３とを備えており、導体パターン１３は、下地金属層１４と導電層１５との積層構造となっている。
配線体１１を構成する樹脂体１２は、下地金属層１４の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような樹脂体１２を使用することにより、下地金属層１４との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な樹脂体１２上においても、下地金属層１４の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。
【００１５】
このような樹脂体１２としては、上述の金属層付き樹脂体１で挙げた樹脂材料を使用することができ、下地金属層１４の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、樹脂体１２の厚みは、例えば、５μｍ〜０．１ｍｍの範囲で適宜設定することができる。
本発明の配線体１１では、下地金属層１４との界面の樹脂体１２の表面粗さＲａを２μｍ以下、好ましくは０．０１〜１μｍの範囲とすることができる。樹脂体１２の表面をこのように平坦なものとすることにより、後述するレジスト形成等における精度低下が抑制され、導体パターン１３の微細化が可能となる。
【００１６】
配線体１１の導体パターン１３を構成する下地金属層１４は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により成膜し、後述するフラッシュエッチングにより余分な下地金属層を除去して形成したものである。この下地金属層１４を構成する材料は、上述の金属層付き樹脂体１の金属層４を構成する材料と同様のものとすることができ、図示例のように、下地金属層１４をクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層１４ａと銅層１４ｂとの２層構造とすることが好ましい。下地金属層１４の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように、下地金属層１４を２層構造とする場合、銅層１４ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００１７】
配線体１１の導体パターン１３を構成する導電層１５は、下地金属層１４を給電層として電解めっき法によりパターンめっきされたものであり、銅、ニッケル、金、銀等の１種、あるいは、２種以上の組み合わせからなるものである。この導電層１５の厚みは、例えば、３〜５０μｍの範囲で適宜設定することができる。
尚、配線体１１を構成する樹脂体１２は、真空成膜法により下地金属層１４を成膜した後に熱処理を施したものであってもよい。この熱処理は、樹脂体１２に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。このような熱処理によって、樹脂体１２に対する下地金属層１４の密着強度がより高いものとなる。
【００１８】
また、下地金属層１４を形成する前に樹脂体１２にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。このような前処理によって、樹脂体１２に対する下地金属層１４の密着強度がより高いものとなる。
【００１９】
図３は、本発明の金属層付き樹脂体１を用いて上記の配線体１１を製造する一例を示す図である。図３において、金属層付き樹脂体１の金属層４上に所望のレジストパターン１６を形成する（図３（Ａ））。次に、金属層４を給電層とし、レジストパターン１６をマスクとして電解めっきによりパターンめっきを行って導電層１５を金属層４上に形成し、その後、レジストパターン１６を除去する（図３（Ｂ））。次いで、余分な金属層４をフラッシュエッチングにより除去することにより、樹脂体１２上に真空成膜法により形成された下地金属層１４と、この下地金属層１４上に電解めっき法により積層された導電層１５からなる積層構造の導体パターン１３が形成され、配線体１１が得られる（図３（Ｃ））。
【００２０】
配線体
図４は、本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。図４において、本発明の配線体２１は、サブトラクティブ法等で作製した低密度配線３２を有するコア基板３１と、このコア基板３１の配線３２上に電気絶縁膜２２を介して設けられた導体パターン２３と、この導体パターン２３上に電気絶縁膜２６を介して設けられた導体パターン２７と、を備えている。上記の導体パターン２３，２７は、下地金属層２４，２８と導電層２５，２９との積層構造となっている。そして、電気絶縁膜２２に形成されたビアホール２２ａにて導体パターン２３と配線３２との層間の導通がなされ、電気絶縁膜２６に形成されたビアホール２６ａにて導体パターン２３と導体パターン２７との層間の導通がなされている。
尚、図示例では、コア基板３１の他方に電気絶縁膜、導体パターンが形成されていないが、コア基板３１の両面に電気絶縁膜、導体パターンが形成されたものであってもよい。但し、電気絶縁膜を介して形成する導体パターンの層数は任意に設定することができる。
【００２１】
また、図示例では低密度配線３２を有するコア基板３１を使用しているが、ガラス基板、シリコン基板、金属基板、セラミックス基板等、および、これらの基板上に所望の導体パターンを備えたものを上記のコア基板３１の代わりに使用することができる。
配線体２１を構成する電気絶縁膜２２，２６は、下地金属層２４，２８の成膜温度におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲、好ましくは１１５〜１９０Ｎ／ｍｍ２の範囲内となるものである。このような電気絶縁膜２２，２６を使用することにより、下地金属層２４，２８との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるような平坦な電気絶縁膜２２，２６上においても、下地金属層２４，２８の密着強度が十分に高いもの、例えば、９０°剥離試験におけるピール強度が２００ｇ／ｃｍ以上、より好ましくは４００ｇ／ｃｍ以上、更に好ましくは７００ｇ／ｃｍ以上となる。
【００２２】
このような電気絶縁膜２２，２６としては、上述の金属層付き樹脂体１において挙げた樹脂体２形成用の樹脂を使用することができ、下地金属層２４，２８の成膜時の温度と、その温度における樹脂材料のユニバーサル硬さ値との関係を考慮して適宜選択することができる。また、電気絶縁膜２２，２６の厚みは、例えば、５〜１００μｍの範囲で適宜設定することができる。
上述のような配線体２１では、下地金属層２４，２８との界面の電気絶縁膜２２，２６の表面粗さＲａを２μｍ以下、好ましくは０．０１〜１μｍの範囲とすることができる。電気絶縁膜２２，２６の表面をこのように平坦なものとすることにより、後述するレジスト形成等における精度低下が防止され、導体パターン２３，２７の微細化が可能となる。
【００２３】
配線体２１の導体パターン２３，２７を構成する下地金属層２４，２８は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法により成膜し、後述するフラッシュエッチングにより余分な下地金属層を除去して形成したものである。この下地金属層２４，２８を構成する材料は、上述の金属層付き樹脂体１の金属層４を構成する材料と同様のものとすることができる。そして、図示例のように、下地金属層２４，２８はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層２４ａ，２８ａと、銅層２４ｂ、２８ｂとの２層構造とすることが好ましい。下地金属層２４，２８の厚みは、例えば、０．１〜２μｍの範囲で適宜設定することができる。また、上記のように下地金属層２４，２８を２層構造とする場合、銅層２４ｂ、２８ｂの厚みが５０％以上を占めるように設定することが好ましい。
【００２４】
配線体２１の導体パターン２３，２７を構成する導電層２５，２９は、それぞれ下地金属層２４，２８を給電層として電解めっき法によりパターンめっきされたものであり、銅、ニッケル、金、銀等の１種、あるいは、２種以上の組み合わせからなるものである。この導電層２５，２９の厚みは、例えば、３〜５０μｍの範囲で適宜設定することができる。
尚、配線体２１を構成する電気絶縁膜２２，２６は、真空成膜法により下地金属層２４，２８を成膜した後に熱処理を施したものであってもよい。この熱処理は、電気絶縁膜２２，２６に使用する樹脂材料の硬化温度、熱分解温度、ガラス転移点等を考慮して設定することができ、例えば、１００〜２５０℃、１０〜２００分間程度とすることができる。このような熱処理によって、電気絶縁膜２２，２６に対する下地金属層２４，２８の密着強度がより高いものとなる。
【００２５】
また、上記の配線体２１では、下地金属層２４，２８を形成する前に電気絶縁膜２２，２６にプラズマ処理あるいはドライエッチング処理を施してもよい。プラズマ処理としては、酸素、アルゴン、窒素等のガスを用いたスパッタエッチング処理、高密度プラズマ処理、マイクロ波プラズマ処理等が可能であり、また、ドライエッチング処理としては、ハロゲン化合物ガス（ＣＦ４、Ｃｌ２、ＣＨＦ３等）を含むガスを用いたイオンエッチング、イオンビームエッチング等の反応性イオンエッチング処理が可能である。このような前処理によって、電気絶縁膜２２，２６に対する下地金属層２４，２８の密着強度がより高いものとなる。
【００２６】
図５は、上記の配線体２１を製造する一例を示す図である。図５において、まず、コア基板３１の配線３２上に、電気絶縁膜用の感光性絶縁材料層を形成し、これを所望のフォトマスクを介して露光、現像し、ポストベークを施すことにより、ビアホール２２ａを備えた電気絶縁膜２２を形成する（図５（Ａ））。形成されたビアホール２２ａ内には、コア基板３１の配線３２が露出している。尚、電気絶縁膜２２を熱硬化型樹脂により形成し、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等を用いてビアホール２２ａを形成してもよい。
次に、電気絶縁膜２２上に真空成膜法により下地金属層２４を形成する（図５（Ｂ））。図示例では、下地金属層２４は、クロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種からなる層２４ａと銅層２４ｂとの２層構造とされている。真空成膜法による下地金属層２４を形成する前に電気絶縁膜２２にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施してもよい。
【００２７】
次に、下地金属層２４上に所望のレジストパターン３６を形成する（図５（Ｃ））。次いで、下地金属層２４を給電層とし、レジストパターン３６をマスクとして電解めっきによりパターンめっきを行って導電層２５を下地金属層２４上に形成する（図５（Ｄ）。その後、レジストパターン３６を除去し、余分な下地金属層２４をフラッシュエッチングにより除去することにより、電気絶縁膜２２上に真空成膜法により形成された下地金属層２４と、この下地金属層２４上に電解めっき法により積層された導電層２５からなる積層構造の導体パターン２３を形成する（図５（Ｅ））。
その後、上述の操作と同様の操作を行うことにより、導体パターン２３上に電気絶縁膜２６を介して導体パターン２７が形成され、図４に示されるような配線体２１が得られる。
【００２８】
【実施例】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
サブトラクティブ法で作製した低密度配線を有する両面配線基板をコア基板として準備した。次に、このコア基板上にエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）を真空ラミネータでラミネートし、下記の表１および表２に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１〜９）を形成した。この電気絶縁膜のうち、試料１〜５については７０℃におけるユニバーサル硬さ値を、試料６〜９については１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を、それぞれフィッシャースコープＨ１００Ｖ（（株）フィッシャー・インストルメンツ製）を用い、押し込み深さ５μｍで測定し、結果を下記の表１、表２に示した。
【００２９】
また、上記の電気絶縁膜のうち、試料６〜９について、更に下記の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料６′〜９′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．７μｍであり、処理後は約０．８μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
（プラズマ処理の条件）
・ＲＦパワー ： ２ｋＷ
・酸素ガス導入量 ： １５００ｓｃｃｍ
・処理時間 ： ３分間
【００３０】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、上記の試料１〜５については成膜温度を７０℃に設定し、上記の試料６〜９、試料６′〜９′については成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、下記の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。尚、上記の試料６〜９、試料６′〜９′については、電解めっきによる導電層形成後に下記の表２、表３に示される条件で熱処理を施した。
（電解銅めっきの条件）
上述のように形成した下地金属層と導電層を、テンシロン測定装置（Ａ＆Ｄ社製）を用いて電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離（剥離速度５０ｍｍ／分）してピール強度を測定し、結果を下記の表１、表２および表３に示した。
【００３２】
【表１】
【表２】
【表３】
表１〜表３に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（７０℃、１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料２〜４、試料７〜９、試料７′〜９′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。表１と表２の比較から、成膜温度を高くすることにより、また、加熱処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。さらに、表２と表３の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が更に向上することが確認された。
【００３６】
［実施例２］
実施例１のエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）の代わりに、フルオレン系樹脂ラミネート材（新日鉄化学（株）製ＰＤＦ１００）を使用した他は、実施例１と同様に真空ラミネータでラミネートし、下記の表４に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１０〜１２）を形成した。
この電気絶縁膜について、１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を実施例１と同様にして測定し、結果を下記の表４に示した。
また、上記の電気絶縁膜に実施例１と同様の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料１０′〜１２′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．５μｍであり、処理後は約０．５μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
【００３７】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、下記の表４、表５に示される条件で熱処理を施した。
【００３８】
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定し、結果を下記の表４、表５に示した。
【００３９】
【表４】
【表５】
表４、表５に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料１１、試料１１′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。また、表４と表５の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。
【００４２】
［実施例３］
実施例１のエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）の代わりに、メタリルマレイミド樹脂ラミネート材（東亜合成（株）ＭＭＲ）を使用した他は、実施例１と同様に真空ラミネータでラミネートし、下記の表６に示される所定の温度で加熱硬化させて電気絶縁膜（試料１３〜１５）を形成した。この電気絶縁膜について、１１０℃におけるユニバーサル硬さ値を実施例１と同様にして測定し、結果を下記の表６に示した。
また、上記の電気絶縁膜に実施例１と同様の条件でプラズマ処理（酸素プラズマ）を施し、この電気絶縁膜を試料１３′〜１５′とした。このプラズマ処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．６μｍであり、処理後は約０．７μｍであり、いずれも平坦性の高いものであった。
【００４３】
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、下記の表６、表７に示される条件で熱処理を施した。
【００４４】
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定し、結果を下記の表６、表７に示した。
【００４５】
【表６】
【表７】
表６、表７に示されるように、下地金属層（チタンと銅の積層）の成膜温度（１１０℃）におけるユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある電気絶縁膜（試料１４、試料１４′）では、下地金属層の密着強度が十分に高いことが確認された。また、表６と表７の比較から、下地金属層の形成前にプラズマ処理を施すことにより、下地金属層の密着強度が大幅に向上することが確認された。
【００４８】
［比較例］
実施例１と同様に、このコア基板上にエポキシ樹脂ラミネート材（味の素（株）製ＡＢＦ−ＳＨ）を真空ラミネータでラミネートし、１６０℃で加熱硬化させて電気絶縁膜（比較試料）を形成した。
次に、この電気絶縁膜に過マンガン酸を用いて表面粗化処理を施した。この表面粗化処理前後の電気絶縁膜の表面粗さＲａを（株）アルバック製 Ｄｅｋｔａｋ ３ＳＴを用いて測定した結果、処理前は約０．７μｍであったが、処理後は約４μｍとなり、平坦性の悪いものであった。
次に、スパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ社製ＭＬＨ−１３６８ＲＤ）を用い、成膜温度を１１０℃に設定して、電気絶縁膜上に厚み５０ｎｍのチタン薄膜と厚み２００ｎｍの銅薄膜を形成して下地金属層とした。
【００４９】
次いで、上記の下地金属層を給電層として、実施例１と同様の条件で電解めっきにより厚み３５μｍの銅薄膜を形成して導電層とした。その後、１６０℃において１時間の熱処理を施した。
上述のように形成した下地金属層と導電層を、実施例１と同様に、電気絶縁膜に対して９０°方向に剥離してピール強度を測定した結果、５００ｇ／ｃｍであった。
この結果と、上述の実施例１〜３の結果から、本発明の配線体が備える下地金属層は、従来の表面粗化を施した電気絶縁膜上に形成した下地金属層と同程度の密着強度を有することが確認された。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば真空成膜法により成膜された金属層の成膜温度における樹脂体のユニバーサル硬さ値、あるいは、下地金属層の成膜温度における樹脂体や電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるので、成膜された金属層や下地金属層は、界面の表面粗さＲａが２μｍ以下である平坦な樹脂体や電気絶縁膜に対して高い密着強度をもつものとなり、さらに、樹脂体や電気絶縁膜と下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であるため、導体パターンの微細化が可能であるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の金属層付き樹脂体の一例を示す断面構成図である。
【図２】本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。
【図３】図１に示される金属層付き樹脂体を用いて図２に示される配線体を製造する一例を示す図である。
【図４】本発明の配線体の一例を示す断面構成図である。
【図５】図４に示される本発明の配線体の製造方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…金属層付き樹脂体
２…樹脂体
４，４ａ，４ｂ…金属層
１１…配線体
１２…樹脂体
１３…導体パターン
１４，１４ａ，１４ｂ…下地金属層
１５…導電層
２１…配線体
２２，２６…電気絶縁膜
２２ａ，２６ａ…ビアホール
２３，２７…導体パターン
２４，２４ａ，２４ｂ，２８，２８ａ，２８ｂ…下地金属層
２５，２９…導電層
３１…コア基板
３２…配線
Claims (12)
- 電気絶縁性の樹脂体と、該樹脂体上に真空成膜法により形成した金属層とを備え、前記金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であることを特徴とする金属層付き樹脂体。
- 前記樹脂体は、前記金属層の形成後に熱処理を施したことを特徴とする請求項１に記載の金属層付き樹脂体。
- 前記樹脂体は、前記金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属層付き樹脂体。
- 前記金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の金属層付き樹脂体。
- 電気絶縁性の樹脂体上に所望の導体パターンを備えた配線体において、
前記導体パターンは、樹脂体上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記樹脂体のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記樹脂体の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であることを特徴とする配線体。 - 前記樹脂体は、前記下地金属層の形成後に熱処理を施したことを特徴とする請求項５に記載の配線体。
- 前記樹脂体は、前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の配線体。
- 前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の配線体。
- ビアホールを有する電気絶縁膜を介して導体パターンを備え、前記ビアホールにて導体パターンの所望の層間導通がなされた配線体において、
前記導体パターンは、電気絶縁膜上に真空成膜法により形成した下地金属層と、該下地金属層上に電解めっき法により積層された導電層とからなり、前記下地金属層の成膜温度における前記電気絶縁膜のユニバーサル硬さ値が１１０〜２００Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあり、前記電気絶縁膜の前記下地金属層との界面の表面粗さＲａが２μｍ以下であることを特徴とする配線体。 - 前記電気絶縁膜は、前記下地金属層の形成後に熱処理を施したことを特徴とする請求項９に記載の配線体。
- 前記電気絶縁膜は、前記下地金属層の形成前にプラズマ処理あるいは反応性イオンエッチング処理を施したことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の配線体。
- 前記下地金属層はクロム、ニッケル、ニッケル系化合物、チタン、チタン系化合物の少なくとも１種を含有する層と銅を含有する層との２層構造であることを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載の配線体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002244813A JP2004082444A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 金属層付き樹脂体および配線体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002244813A JP2004082444A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 金属層付き樹脂体および配線体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004082444A true JP2004082444A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32053184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002244813A Pending JP2004082444A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 金属層付き樹脂体および配線体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004082444A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008031555A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-02-14 | Kakihara Kogyo Kk | スパッタリングによる樹脂導電化を利用した装飾めっき品の製造方法及び樹脂成形品を固定する吊り掛け治具 |
| JP2008263026A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | Ｃｏｆ配線基板およびその製造方法 |
| JP2009032957A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | プリント基板およびその製造方法 |
| JP2009246233A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
| US7794820B2 (en) | 2006-06-20 | 2010-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and fabricating method of the same |
| WO2011080827A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 富士通株式会社 | 配線構造及びその形成方法 |
| US8092696B2 (en) | 2004-07-01 | 2012-01-10 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing printed circuit board |
| JP2020017675A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-08-26 JP JP2002244813A patent/JP2004082444A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8092696B2 (en) | 2004-07-01 | 2012-01-10 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing printed circuit board |
| KR101156915B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2012-06-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 배선 회로 기판 및 배선 회로 기판의 제조 방법 |
| US7794820B2 (en) | 2006-06-20 | 2010-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and fabricating method of the same |
| US8065798B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-11-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing printed circuit board |
| JP2008031555A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-02-14 | Kakihara Kogyo Kk | スパッタリングによる樹脂導電化を利用した装飾めっき品の製造方法及び樹脂成形品を固定する吊り掛け治具 |
| JP2008263026A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | Ｃｏｆ配線基板およびその製造方法 |
| JP2009032957A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | プリント基板およびその製造方法 |
| JP2009246233A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
| WO2011080827A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 富士通株式会社 | 配線構造及びその形成方法 |
| JP5387695B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-01-15 | 富士通株式会社 | 配線構造の形成方法 |
| US9263326B2 (en) | 2009-12-28 | 2016-02-16 | Fujitsu Limited | Interconnection structure and method of forming the same |
| JP2020017675A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JP7263710B2 (ja) | 2018-07-26 | 2023-04-25 | 株式会社レゾナック | 配線基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6203988B1 (ja) | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 | |
| US20070101571A1 (en) | Printed wiring board, its manufacturing method and circuit device | |
| JPH0923065A (ja) | 薄膜多層配線基板及びその製法 | |
| TW200838390A (en) | Two-layer flexible substrate, method for manufacturing the two-layer flexible substrate, and flexible printed wiring board manufactured thereof | |
| JP2003234573A (ja) | 多層配線基板の製造方法およびこれにより製造される多層配線基板 | |
| JP4388611B2 (ja) | 銅被膜からなる配線を有するプリント配線板およびその製造方法、並びに銅被膜からなる回路を有する回路板 | |
| JP4924843B2 (ja) | ２層フレキシブル基板及びその製造方法、並びに、該２層フレキシブル基板を用いたプリント配線基板及びその製造方法 | |
| JP2004082444A (ja) | 金属層付き樹脂体および配線体 | |
| JP2006019522A (ja) | 配線回路基板および配線回路基板の製造方法 | |
| JP2007073643A (ja) | 配線回路基板 | |
| KR20120053195A (ko) | 내열접착력을 개선한 연성회로기판용 동박 적층 구조체 및 그의 제조방법 | |
| JP3556178B2 (ja) | フレキシブル銅張板及びその製造方法 | |
| JP4160811B2 (ja) | フレキシブル銅張回路基板 | |
| JP5223325B2 (ja) | 金属被覆ポリエチレンナフタレート基板とその製造方法 | |
| JP2002124767A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2004047836A (ja) | プリント配線板とその製造方法 | |
| JP4752357B2 (ja) | 積層板の製造方法およびプリント配線基板の製造方法 | |
| JP2003218516A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2003096593A (ja) | 粗化処理方法及び電解銅メッキ装置 | |
| JP5116231B2 (ja) | プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板 | |
| JP2007043201A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH0745948A (ja) | 多層配線板及びその製造方法 | |
| JPH03259594A (ja) | 回路基板用素材板 | |
| JP2002314247A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP2000129137A (ja) | 高密着性樹脂組成物及びそれを用いた電子機器部品 |