JP2002124767A

JP2002124767A - 回路基板の製造方法

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Publication number: JP2002124767A
Application number: JP2000317421A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Fujii; 弘文藤井; Satoshi Tanigawa; 聡谷川
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-10-18
Filing date: 2000-10-18
Publication date: 2002-04-26
Anticipated expiration: 2020-10-18
Also published as: JP4448610B2

Abstract

(57)【要約】【課題】金属支持板上に形成される導通路に、欠陥が
生ずることなく金属支持板を除去することができ、良好
な接続信頼性を確保することのできる、回路基板の製造
方法を提供すること。【解決手段】金属支持板１上に樹脂薄膜２を形成する
工程、樹脂薄膜２上に貫通孔３が形成される絶縁層４を
形成する工程、貫通孔３内に導通路５を形成すると同時
に、絶縁層４上に所定の回路パターンで導体層７を形成
する工程、金属支持板１をエッチングにより除去する工
程、および樹脂薄膜２をエッチングにより除去する工程
を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器および電
子部品などに用いられる回路基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】回路基板の製造方法としては、例え
ば、金属支持板を用いて、その金属支持板上に、所定形
状の絶縁層を形成し、その絶縁層に、金属支持板の表面
を露出させる貫通孔を形成した後、次いで、その貫通孔
内に、めっきにより金属を析出させて、導通路を形成す
るとともに、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を
形成し、その後、金属支持板をエッチングにより除去す
る方法が知られている。

【０００３】このような方法によると、金属支持板上に
各層を形成するので、製造工程中における各層の寸法変
化を防止することができるとともに、製造工程中におけ
るハンドリングが良いため、非常に薄い回路基板を製造
することができる。

【０００４】より具体的には、回路付サスペンション基
板において、例えば、金属支持板としてステンレス基板
を用いて、そのステンレス基板上に、絶縁層および所定
の回路パターンの導体層を形成した後、最終的に、ステ
ンレス基板を部分的にエッチングすることにより、所定
形状に加工することが行なわれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法で
は、金属支持板をエッチングによって除去する工程にお
いて、その金属支持板に接している導通路までもがエッ
チングされてしまい、欠陥を生じて、電極部における良
好な接続信頼性を得ることができないという不具合があ
る。

【０００６】本発明は、このような不具合を解決するた
めになされたものであって、その目的とするところは、
金属支持板上に形成される導通路に、欠陥が生ずること
なく金属支持板を除去することができ、良好な接続信頼
性を確保することのできる、回路基板の製造方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の回路基板の製造方法は、金属支持板上に樹
脂薄膜を形成する工程、前記樹脂薄膜上に、厚さ方向に
貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程、前記貫通孔
にめっきにより導通路を形成する工程、前記金属支持板
をエッチングにより除去する工程、および前記樹脂薄膜
をエッチングにより除去する工程を含んでいることを特
徴としている。

【０００８】また、この方法においては、前記樹脂薄膜
の厚みが、１μｍ以下であることが好ましく、前記樹脂
薄膜が、ポリイミド樹脂またはポリイミド樹脂前駆体か
らなることが好ましい。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１〜図６は、本発明の回路基板
の製造方法の一実施形態を示す工程図である。以下、こ
れら図１〜図６を参照して、本発明の回路基板の製造方
法を説明する。本発明の回路基板の製造方法では、ま
ず、図１（ａ）に示すように、金属支持板１上に樹脂薄
膜２を形成する。

【００１０】金属支持板１は、製造工程中における剛性
を確保すべく、金属フィルムを用いることが好ましく、
スティフネス（腰の強さ）、線膨張係数の低さ、エッチ
ングの容易性などの点から、ステンレス、銅、銅合金、
ニッケル、４２アロイなどが好ましく用いられる。ま
た、金属支持板１の厚みは、特に制限されないが、１０
〜１００μｍであることが好ましい。薄すぎると、ステ
ィフネス（腰の強さ）が不十分となり、また、厚すぎる
と、エッチングに時間がかかり、製造効率の低下を招く
場合がある。

【００１１】樹脂薄膜２は、後述する金属支持板１のエ
ッチング液に対する耐性があれば特に限定されないが、
例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミック酸樹脂などのポ
リイミド樹脂前駆体、エポキシ樹脂、全芳香族ポリエス
テル、アラミド樹脂、ポリカルボジイミドなどの樹脂が
用いられる。また、樹脂薄膜２の厚みは、１μｍ以下、
さらには、０．０１〜０．５μｍであることが好まし
い。樹脂薄膜２の厚みが、１μｍを超えると、エッチン
グに時間がかかり、製造効率の低下を招く場合がある。
また、厚みには、特に下限値はないが、０．０１μｍよ
り薄いと、金属支持板１上に均一に塗工することが困難
となる場合がある。

【００１２】このような樹脂薄膜２の形成は、例えば、
金属支持板１上に、樹脂溶液を塗工して乾燥させるか、
あるいは、ドライフィルムの積層により形成すればよ
い。好ましくは、図２に示すように、金属支持板１上
に、ポリイミド樹脂前駆体を塗工して、ポリイミド樹脂
前駆体層２ｐを形成した後、これをイミド化させること
によって、ポリイミド樹脂からなる樹脂薄膜２を形成す
る。樹脂薄膜２を、ポリイミド樹脂前駆体層を用いて、
ポリイミド樹脂によって形成すれば、簡易かつ確実に、
樹脂薄膜２を形成することができ、また、後述する絶縁
層４をポリイミド樹脂によって形成する場合には、その
絶縁層４と同一組成のベース樹脂（ポリアミック酸樹
脂）を用いることができる。

【００１３】ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、
酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ら
れるポリアミック酸樹脂が用いられる。

【００１４】酸二無水物としては、例えば、３，３’，
４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物（６ＦＤＡ）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）が好ましく用
いられ、また、ジアミンとして、例えば、ｐ−フェニレ
ンジアミン（ＰＰＤ）、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、ビスアミノプロピルテトラメチルジ
シロキサン（ＡＰＤＳ）、４，４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル（ＤＤＥ）が好ましく用いられる。ポリアミ
ック酸樹脂は、これら酸二無水物とジアミンとを、実質
的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例
えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極
性溶媒中で、常温常圧の下、所定の時間反応させること
よって、ポリアミック酸樹脂の溶液として得ることがで
きる。さらに、このようなポリアミック酸樹脂には、必
要に応じて、エポキシ樹脂、ビスアリルナジックイミ
ド、マレイミドなどを配合してもよい。

【００１５】そして、金属支持板１上に、ポリイミド樹
脂前駆体層２ｐを形成するには、例えば、図２（ａ）に
示すように、金属支持板１上に、ポリイミド樹脂前駆体
を一定の厚さで公知の方法により塗工して、ポリイミド
樹脂前駆体層２ｐを形成した後、図２（ｂ）に示すよう
に、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐをイミド化して、ポリ
イミド樹脂薄膜からなる樹脂薄膜２を形成すればよい。
イミド化は、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐを、例えば、
最終的に３００℃以上に加熱することによって硬化させ
ればよい。

【００１６】次いで、本発明の回路基板の製造方法で
は、図１（ｂ）に示すように、樹脂薄膜２上に、厚さ方
向に貫通孔３が形成される絶縁層４を形成する。

【００１７】絶縁層４としては、上記と同様の樹脂が用
いられ、その厚みは、特に制限されないが、例えば、５
〜５０μｍであることが好ましい。

【００１８】絶縁層４は、例えば、樹脂薄膜２上に、樹
脂溶液を塗工して乾燥させるか、あるいは、ドライフィ
ルムの積層により形成すればよく、また、貫通孔３を形
成するには、例えば、ドリル加工、レーザ加工、あるい
は、エッチングなどの公知の開口方法により、樹脂薄膜
２の表面が露出するように、絶縁層４の厚さ方向を貫通
する貫通孔３を形成すればよい。

【００１９】好ましくは、感光性樹脂、とりわけ、感光
性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、図３（ａ）に示すよ
うに、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層
４ｐを形成した後、これを、図３（ｂ）および（ｃ）に
示すように、露光および現像することにより、所定の位
置に貫通孔３を形成し、次いで、図３（ｄ）に示すよう
に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐをイミド化し
て、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層４を形成すること
が好ましい。

【００２０】すなわち、この方法では、図３（ａ）に示
すように、まず、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹
脂前駆体層４ｐを形成する。感光性ポリイミド樹脂前駆
体は、上記したポリアミック酸樹脂に、感光剤が配合さ
れてなるものであって、感光剤としては、例えば、１，
４−ジヒドロピリジン誘導体が好ましく用いられ、とり
わけ、１−エチル−３，５−ジメトキシカルボニル−４
−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン
が好ましく用いられる。また、このような感光剤は、酸
二無水物とジアミンとの合計、すなわち、ポリアミック
酸１モルに対して、通常、０．１〜１．０モルの範囲で
配合される。

【００２１】そして、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体層４ｐを形成するには、例えば、樹脂薄膜
２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さで公
知の方法により塗工した後、乾燥させるようにするか、
あるいは、予め、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の
厚さでドライフィルムとして形成しておき、このドライ
フィルムを樹脂薄膜２上に積層すればよい。

【００２２】次いで、この方法では、図３（ｂ）に示す
ように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを、フォト
マスク６を介して露光させ、次いで、図３（ｃ）に示す
ように、必要により露光部分を所定の温度に加熱した
後、現像することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体
層４ｐに、厚さ方向を貫通する貫通孔３を形成する。

【００２３】露光のための照射光は、その露光波長が、
３５０〜４５０ｎｍ、さらには、４００〜４５０ｎｍで
あることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜３
０００ｍＪ／ｃｍ^２、さらには、２００〜１０００ｍＪ
／ｃｍ^２であることが好ましい。

【００２４】また、照射された感光性ポリイミド樹脂前
駆体層４ｐの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０
℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可
溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０
℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不
溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ
現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー
法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方
法においては、ネガ型で貫通孔３を形成することが好ま
しく、図３においては、ネガ型でパターンニングする態
様として示されている。なお、貫通孔３は、次に形成す
る導体層７の回路パターンを積層方向に導通させる導通
路５を形成するためのビアホールであって、そのような
導通路５を形成する所定の位置に複数形成される。

【００２５】その後、図３（ｄ）に示すように、感光性
ポリイミド樹脂前駆体層４ｐをイミド化して、ポリイミ
ド樹脂層からなる絶縁層４を形成する。イミド化は、感
光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを、例えば、最終的に
３００℃以上に加熱することによって硬化させればよ
い。これによって、樹脂薄膜２上に、厚さ方向に貫通孔
３が形成される絶縁層４が形成される。

【００２６】次いで、本発明の回路基板の製造方法で
は、貫通孔３にめっきにより導通路５を形成する。より
具体的には、この方法では、図１（ｃ）に示すように、
めっきにより、貫通孔３内に導通路５を形成するととも
に、絶縁層４上に所定の回路パターンで導体層７を形成
する。

【００２７】めっきには、特に制限されず、例えば、
銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの
金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、
貫通孔３内に導通路５を形成するとともに、絶縁層４上
に所定の回路パターンで導体層７を形成する方法も、特
に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、導電
ペーストを充填して焼成する方法、金属薄膜の下地層を
形成した後めっきする方法、蒸着により厚膜を形成する
方法などが用いられる。これらのうち、金属薄膜の下地
層を形成した後めっきする方法が好ましく用いられる。

【００２８】導電ペーストを充填して焼成する方法で
は、例えば、上記した金属の微粒子をバインダーに配合
した導電ペーストを、スクリーン印刷法などによって、
所定の回路パターンで絶縁層４上に塗工するとともに、
貫通孔３内に充填し、これを焼成すればよい。

【００２９】また、金属薄膜の下地層を形成した後めっ
きする方法では、例えば、図４（ａ）に示すように、ま
ず、貫通孔３を含む絶縁層４の表面の全面に、スパッタ
蒸着法および真空蒸着法、あるいは、無電解めっきなど
により、クロムや銅などの金属薄膜の下地層８を形成
し、次いで、図４（ｂ）に示すように、貫通孔３が形成
されていない下地層８上に、ドライフィルムレジストな
どを用いてめっきレジスト９を所定の回路パターンと逆
パターンで形成し、その後、図４（ｃ）に示すように、
めっきにより、貫通孔３内に金属を析出させて導通路５
を形成するとともに、めっきレジスト９が形成されてい
ない下地層８上に、所定の回路パターンとして導体層７
を形成すればよい。めっきは、電解めっき、無電解めっ
きのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ
る。そして、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト
９およびめっきレジスト９が形成されていた下地層８
を、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知の
エッチング法により除去すればよい。なお、図１、図５
〜図８では、下地層８が省略されているが、この方法に
よって下地層８が形成される場合には、後述する樹脂薄
膜２のエッチングにより、下地層８が露出するようにな
る。

【００３０】蒸着により厚膜を形成する方法では、例え
ば、上記したスパッタ蒸着法や真空蒸着法などによっ
て、そのまま厚みを厚くしていくことにより、貫通孔３
内に導通路５を形成するとともに、所定の回路パターン
として導体層７を形成すればよい。

【００３１】そして、本発明の回路基板の製造方法で
は、基本的には、次いで、金属支持板１をエッチングに
より除去した後、樹脂薄膜２をエッチングにより除去す
ればよいが、例えば、回路基板を、導体層が１つのみの
単層回路基板として製造する場合には、より具体的に
は、図５（ａ）に示すように、導体層７上に、オープニ
ング１０が形成されるカバー絶縁層１１を形成して、図
５（ｂ）に示すように、そのオープニング１０内に、電
極層１２を形成した後、図５（ｃ）に示すように、金属
支持板１をエッチングにより除去し、その後、図５
（ｄ）に示すように、樹脂薄膜２をエッチングにより除
去すればよい。

【００３２】図５（ａ）において、導体層７上にオープ
ニング１０が形成されるカバー絶縁層１１を形成するに
は、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によ
って、導体層７の表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体
層を形成し、次いで、露光および現像することにより、
オープニング１０を形成した後、これを、例えば、最終
的に３００℃以上に加熱硬化すればよい。

【００３３】また、図５（ｂ）において、オープニング
１０内に電極層１２を形成するには、例えば、銅めっき
や金めっきなどによって、オープニング１０内にバンプ
などの電極層１２を形成すればよい。電極層１２は、例
えば、外部回路基板の端子やシリコンウエハに設けられ
た端子などと接続するために用いられる。

【００３４】また、図５（ｃ）において、金属支持板１
をエッチングにより除去するには、特に制限されない
が、例えば、化学エッチングなどによって除去すればよ
い。化学エッチングでは、例えば、塩化第二鉄／塩酸水
溶液などの、金属をエッチングし、かつ、樹脂をエッチ
ングしないエッチング液を用いて、エッチングすればよ
い。なお、金属支持板１は、完全に除去してもよいが、
部分的に残して、回路パターンやサスペンション基板と
して用いてもよい。回路パターンとして用いる場合に
は、さらに、その回路パターンを被覆するためのカバー
絶縁層を形成することが好ましい。また、このエッチン
グにおいては、電極層１２がエッチングされないよう
に、電極層１２を、適宜保護材によって保護しておけば
よく、例えば、電極層１２を、外部回路基板の端子やシ
リコンウエハに設けられた端子などと予め接続しておい
て、それらを保護材としてもよい。

【００３５】次いで、図５（ｄ）において、樹脂薄膜２
をエッチングにより除去するには、特に制限されない
が、例えば、化学エッチングや、プラズマエッチングな
どの物理エッチングなどによって除去すればよい。化学
エッチングでは、例えば、過マンガン酸ナトリウム水溶
液、強アルカリ水溶液などの、樹脂をエッチングし、か
つ、金属をエッチングしないエッチング液を用いて、エ
ッチングすればよい。また、プラズマエッチングでは、
例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向電極間
に、回路基板を配置して、高周波プラズマを発生させ
て、エッチングする厚さに相当する所定の時間処理すれ
ばよい。所定のガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ_２、Ｏ_２、ＣＦ_４、ＮＦ_３およびこ
れらの混合ガスが用いられ、そのガス圧（真空度）が、
例えば、０．５〜２００Ｐａ、さらには、１０〜１００
Ｐａであることが好ましい。また、高周波プラズマを発
生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ
〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ
であり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃ
ｍ^２、さらには、１〜５Ｗ／ｃｍ^２であることが好まし
い。

【００３６】このようなエッチング方法を用いること
で、金属からなる導通路５（下地層８が形成されている
場合には、その下地層８）をエッチングすることなく、
樹脂からなる樹脂薄膜２のみをエッチングすることがで
きる。そのため、導通路５（下地層８が形成されている
場合には、その下地層８）の表面は、エッチングによっ
て侵食されることなく良好に露出される。なお、露出し
た導通路５（下地層８が形成されている場合には、その
下地層８）の表面は、そのまま電極部として用いてもよ
く、また、その表面上に電極層を形成してもよい。

【００３７】なお、上記した図５に示す方法では、導体
層７上にカバー絶縁層１１を形成し、オープニング１０
内に電極層１２を形成した後に、金属支持板１および樹
脂薄膜２をエッチングにより除去したが、金属支持板１
および樹脂薄膜２のエッチングによる除去は、いずれの
工程の途中で行なってもよく、また、金属支持板１およ
び樹脂薄膜２のエッチングを連続して行なう必要もな
く、別の工程を挟んで段階的に行なってもよい。

【００３８】ただし、図５に示す方法のように、最後の
工程で、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングに
よって除去すれば、製造工程中における各層の寸法変化
を防止することができるとともに、製造工程中における
ハンドリングを向上させることができ、非常に薄い回路
基板を製造することができる。

【００３９】また、回路基板を、複数の導体層を備える
多層回路基板として製造する場合には、より具体的に
は、図６（ａ）に示すように、導体層７上に、厚さ方向
に積層側貫通孔１３が形成される積層側絶縁層１４を形
成して、図６（ｂ）に示すように、積層側貫通孔１３内
に積層側導通路１６を形成すると同時に、積層側絶縁層
１４上に所定の回路パターンで積層側導体層１５を形成
した後、図６（ｃ）に示すように、積層側導体層１５上
に、オープニング１７が形成されるカバー絶縁層１８を
形成して、図７（ｄ）に示すように、そのオープニング
１７内に、電極層１９を形成し、その後、図７（ｅ）に
示すように、金属支持板１をエッチングにより除去し、
次いで、図７（ｆ）に示すように、樹脂薄膜２をエッチ
ングにより除去すればよい。

【００４０】図６（ａ）において、導体層７上に、厚さ
方向に積層側貫通孔１３が形成される積層側絶縁層１４
を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同
様の方法によって、導体層７の表面に、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光および現像する
ことにより、積層側貫通孔１３を形成した後、これを、
例えば、最終的に３００℃以上に加熱硬化すればよい。

【００４１】また、図６（ｂ）において、積層側貫通孔
１３内に積層側導通路１６を形成すると同時に、積層側
絶縁層１４上に所定の回路パターンで積層側導体層１５
を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同
様の方法によって、まず、積層側貫通孔１３を含む積層
側絶縁層１４の表面の全面に金属薄膜の下地層を形成
し、次いで、めっきレジストを所定の回路パターンと逆
パターンで形成した後、めっきにより、積層側貫通孔１
３内に金属を析出させて積層側導通路１６を形成すると
ともに、下地層上に、所定の回路パターンとして積層側
導体層１５を形成し、その後、めっきレジストおよびめ
っきレジストが形成されていた下地層をエッチングによ
り除去すればよい。

【００４２】次いで、図６（ｃ）において、積層側導体
層１５上にオープニング１７が形成されるカバー絶縁層
１８を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記
と同様の方法によって、積層側導体層１５の表面に、感
光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光お
よび現像することにより、オープニング１７を形成した
後、これを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱硬化
すればよい。

【００４３】また、図７（ｄ）において、オープニング
１７内に電極層１９を形成するには、例えば、銅めっき
や金めっきなどによって、オープニング１７内にバンプ
などの電極層１９を形成すればよい。電極層１９は、上
記と同様に、例えば、外部回路基板の端子やシリコンウ
エハに設けられた端子などと接続するために用いられ
る。

【００４４】そして、図７（ｅ）において、金属支持板
１をエッチングにより除去するには、特に制限はない
が、例えば、上記と同様の方法によって、塩化第二鉄／
塩酸水溶液などのエッチング液を用いて、化学エッチン
グなどによって除去すればよい。なお、金属支持板１
は、完全に除去してもよいが、部分的に残して、回路パ
ターンやサスペンション基板として用いてもよい。回路
パターンとして用いる場合には、さらに、その回路パタ
ーンを被覆するためのカバー絶縁層を形成することが好
ましい。また、このエッチングにおいては、電極層１９
がエッチングされないように、電極層１９を、適宜保護
材によって保護しておけばよく、例えば、上記と同様
に、電極層１９を、外部回路基板の端子やシリコンウエ
ハに設けられた端子などと予め接続しておいて、それら
を保護材としてもよい。

【００４５】次いで、図７（ｆ）において、樹脂薄膜２
をエッチングにより除去するには、特に制限はないが、
例えば、上記と同様の方法によって、過マンガン酸ナト
リウム水溶液、強アルカリ水溶液などのエッチング液を
用いる化学エッチングや、プラズマエッチングなどの物
理エッチングなどによって除去すればよい。このような
エッチング方法を用いることで、金属からなる導通路５
（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）
をエッチングすることなく、樹脂からなる樹脂薄膜２の
みをエッチングすることができる。そのため、導通路５
（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）
の表面は、エッチングによって侵食されることなく良好
に露出される。なお、露出した導通路５（下地層８が形
成されている場合には、その下地層８）の表面は、その
まま電極部として用いてもよく、また、その表面上にさ
らに電極層を形成してもよい。

【００４６】なお、上記した図６に示す方法では、積層
側導体層１５上にカバー絶縁層１８を形成し、オープニ
ング１７内に電極層１９を形成した後に、金属支持板１
および樹脂薄膜２をエッチングにより除去したが、金属
支持板１および樹脂薄膜２のエッチングによる除去は、
いずれの工程の途中で行なってもよく、また、金属支持
板１および樹脂薄膜２のエッチングを連続して行なう必
要もなく、別の工程を挟んで段階的に行なってもよい。

【００４７】ただし、図６に示す方法のように、最後の
工程で、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングに
よって除去すれば、製造工程中における各層の寸法変化
を防止することができるとともに、製造工程中における
ハンドリングを向上させることができ、非常に薄い回路
基板を製造することができる。

【００４８】また、以上の説明では、多層回路基板を、
２層回路基板を例にとって説明したが、その層数は特に
限定されず、上記と同様の方法によって、積層絶縁層お
よび積層側導体層の形成を順次繰り返して、２層以上の
多層回路基板を製造するようにしてもよい。

【００４９】このようにして単層回路基板や多層回路基
板などの回路基板を製造すれば、金属支持板１をエッチ
ングにより除去する工程において、導通路５（下地層８
が形成されている場合には、その下地層８）と金属支持
板１との間には、樹脂薄膜２が介在しているので、金属
支持板１をエッチングによって除去しても、導通路５
（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）
は、樹脂薄膜２により覆われているので、この金属支持
板１のエッチングによって除去されることが防止され、
また、樹脂薄膜２をエッチングによって除去する工程に
おいても、導通路５（下地層８が形成されている場合に
は、その下地層８）は、金属により形成されているの
で、この樹脂薄膜２のエッチングによっても除去され
ず、そのため、これらのエッチングによって、導通路５
（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）
における欠陥が生じることを有効に防止することができ
る。したがって、この方法によって得られる回路基板で
は、電極部における良好な接続信頼性を確保することが
できる。

【００５０】そして、このようにして製造される回路基
板は、特に限定されず、各種の電子機器および電子部品
の回路基板として用いることができ、例えば、ハードデ
ィスクドライブ用の回路付サスペンション基板などとし
ても、好適に用いることができる。

【００５１】

【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。

【００５２】実施例１３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物１００ｇ、ｐ−フェニレンジアミン３１．２ｇおよ
び４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１０．１ｇ
を、Ｎ−メチルピロリドン８００ｇ中で反応させて、ポ
リアミック酸樹脂溶液（Ａ）を得た。

【００５３】ポリアミック酸樹脂溶液（Ａ）に、さら
に、Ｎ−メチルピロリドン４７２ｇを加えて希釈し、樹
脂薄膜形成用のポリアミック酸樹脂溶液（Ｉ）を得た。

【００５４】次に、別途同様に調製したポリアミック酸
樹脂溶液（Ａ）に、１−エチル−３，５−ジメトキシカ
ルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒ
ドロピリジン２１．２ｇを均一に溶解させて、絶縁層形
成用の感光性ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を得た。

【００５５】ポリアミック酸樹脂溶液（Ｉ）を、ステン
レス箔（厚み２５μｍ、ＳＵＳ３０４）上に、スピンコ
ータを用いて塗工し、１００℃で１０分間乾燥して、ポ
リアミック酸樹脂層を形成した（図２（ａ）参照）。次
いで、真空中４００℃で２時間熱処理することにより、
ステンレス箔上に、厚み０．５μｍのポリイミド薄膜を
形成した（図２（ｂ）、図１（ａ）参照）。

【００５６】さらに、このポリイミド薄膜上に、感光性
ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用
いて塗工し、１００℃で１５分間乾燥することによっ
て、感光性ポリアミック酸樹脂層を形成した（図３
（ａ）参照）。次いで、感光性ポリアミック酸樹脂層
を、所定のパターンのフォトマスクを介して露光させ
（図３（ｂ）参照）、１７０℃で３分間加熱した後、水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像する
ことにより、所定の位置に貫通孔が形成された感光性ポ
リアミック酸樹脂層を形成した（図３（ｃ）参照）。さ
らに、この感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で
２時間熱処理することにより、ポリイミド薄膜上に、貫
通孔が形成された厚み１０μｍのポリイミド絶縁層を形
成した（図３（ｄ）、図１（ｂ）参照）。

【００５７】次いで、貫通孔を含むポリイミド絶縁層の
表面の全面に、スパッタリング法によって、約５００Å
のクロム薄膜と、約１５００Åの銅薄膜とを順次積層し
て、下地層を形成した後（図４（ａ）参照）、下地層上
に、ドライフィルムレジストを用いて、めっきレジスト
を所定の回路パターンと逆パターンで形成し（図４
（ｂ）参照）、次いで、銅めっきによって、貫通孔内に
銅を析出させて導通路を形成するとともに、所定の回路
パターンとして１０μｍの導体層を形成した（図４
（ｃ）参照）。その後、めっきレジストおよびめっきレ
ジストが形成されていた下地層を、化学エッチングによ
り除去した（図４（ｄ）、図１（ｃ）参照）。

【００５８】次いで、この導体層上に、感光性ポリアミ
ック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用いて塗工
し、１００℃で１５分間乾燥することによって、感光性
ポリアミック酸樹脂層を形成し、所定のパターンのフォ
トマスクを介して露光させ、１７０℃で３分間加熱した
後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現
像することにより、所定の位置に積層側貫通孔が形成さ
れた感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、さらに、こ
の感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で２時間熱
処理することにより、導体層上に、積層側貫通孔が形成
された厚み１０μｍの積層側ポリイミド絶縁層を形成し
た（図６（ａ）参照）。

【００５９】そして、積層側貫通孔を含む積層側ポリイ
ミド絶縁層の表面の全面に、スパッタリング法によっ
て、約５００Åのクロム薄膜と、約１５００Åの銅薄膜
とを順次積層して、下地層を形成した後、下地層上に、
ドライフィルムレジストを用いて、めっきレジストを所
定の回路パターンと逆パターンで形成し、次いで、銅め
っきによって、積層側貫通孔内に銅を析出させて積層側
導通路を形成するとともに、所定の回路パターンとして
１０μｍの積層側導体層を形成した。その後、めっきレ
ジストおよびめっきレジストが形成されていた下地層
を、化学エッチングにより除去した（図６（ｂ）参
照）。

【００６０】次いで、この積層側導体層上に、感光性ポ
リアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用い
て塗工し、１００℃で１５分間乾燥することによって、
感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、所定のパターン
のフォトマスクを介して露光させ、１７０℃で３分間加
熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用
いて現像することにより、所定の位置にオープニングが
形成された感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、さら
に、この感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で２
時間熱処理することにより、積層側導体層上に、オープ
ニングが形成された厚み１０μｍのカバーポリイミド絶
縁層を形成した（図６（ｃ）参照）。

【００６１】そして、オープニング内に、銅めっきによ
り高さ２０μｍのバンプを形成した後（図７（ｄ）参
照）、塩化第二鉄／塩酸水溶液を用いて、ステンレス箔
をエッチングした（図７（ｅ）参照）。なお、このエッ
チングにおいては、バンプを保護材によって保護してエ
ッチングされないようにした。

【００６２】次いで、過マンガン酸ナトリウム水溶液を
用いて、ステンレス箔のエッチングにより露出したポリ
イミド薄膜を、クロム薄膜が露出するまでエッチングす
ることにより（図７（ｆ）参照）、２層回路基板を得
た。

【００６３】露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察
した。その結果、クロム薄膜の表面は、全くエッチング
されておらず、その次に形成されている銅薄膜の表面
は、全く観察されなかった。

【００６４】実施例２導体層を形成した後、積層側ポリイミド絶縁層および積
層側導体層を形成することなく、その導体層上にカバー
ポリイミド絶縁層を形成した後、ステンレス箔をエッチ
ングし、次いで、ポリイミド薄膜をエッチングした以外
は、実施例１と適宜同様の操作により、図８に示す単層
回路基板を得た。

【００６５】なお、図８（ａ）に示すように、この単層
回路基板の製造においては、ステンレス箔２１およびポ
リイミド薄膜２２上には、所定のパターンとして、絶縁
層２３、導体層２４およびカバー絶縁層２５を形成し、
図８（ｂ）に示すように、ステンレス箔２１をエッチン
グする工程においては、ステンレス箔２１を、導通路２
６が露出された電極部２７とその周辺のみ、部分的にエ
ッチングした。また、ポリイミド薄膜２２をエッチング
する工程においては、ＣＦ_４／Ｏ_２（１：２）の混合ガ
スを用いて、所定の条件下において、プラズマエッチン
グした。

【００６６】得られた回路基板について、露出した電極
部２７のクロム薄膜（図示せず。）の表面を顕微鏡で観
察したところ、クロム薄膜の表面は、全くエッチングさ
れておらず、その次に形成されている銅薄膜の表面は、
全く観察されなかった。

【００６７】比較例１ポリイミド薄膜を形成しない以外は、実施例１と同様の
操作により、２層回路基板を製造した。この２層回路基
板について、露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察
したところ、クロム薄膜の表面がエッチングされ、導通
路の銅表面の侵食が確認された。

【００６８】比較例２ポリイミド薄膜を形成しない以外は、実施例２と同様の
操作により、単層回路基板を製造した。この単層回路基
板について、露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察
したところ、クロム薄膜の表面がエッチングされ、導通
路の銅表面の侵食が確認された。

【００６９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の回路基板の
製造方法によれば、金属支持板をエッチングにより除去
する工程において、導通路と金属支持板との間には、樹
脂薄膜が介在しているので、金属支持板をエッチングに
よって除去しても、導通路は、樹脂薄膜により覆われて
いるので、この金属支持板のエッチングによって除去さ
れることが防止され、また、樹脂薄膜をエッチングによ
って除去する工程においても、導通路は、めっきにより
形成されているので、この樹脂薄膜のエッチングによっ
ても除去されず、そのため、これらのエッチングによっ
て、導通路における欠陥が生じることが有効に防止さ
れ、電極部における良好な接続信頼性を確保することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態の各
工程を示す要部断面図であって、（ａ）は、金属支持板
上に樹脂薄膜を形成する工程、（ｂ）は、樹脂薄膜上に
貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、
貫通孔内に導通路を形成すると同時に、絶縁層上に所定
の回路パターンで導体層を形成する工程を示す。

【図２】図１（ａ）に示す、金属支持板上に樹脂薄膜を
形成する工程の詳細を示す要部断面図であって、（ａ）
は、金属支持板上にポリイミド樹脂前駆体層を形成する
工程、（ｂ）は、ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化し
て、ポリイミド樹脂薄膜からなる樹脂薄膜を形成する工
程を示す。

【図３】図１（ｂ）に示す、樹脂薄膜上に貫通孔が形成
される絶縁層を形成する工程の詳細を示す要部断面図で
あって、（ａ）は、樹脂薄膜上に感光性ポリイミド樹脂
前駆体層を形成する工程、（ｂ）は、感光性ポリイミド
樹脂前駆体層をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｃ）は、現像により感光性ポリイミド樹脂前駆体層に
貫通孔を形成する工程、（ｄ）は、感光性ポリイミド樹
脂前駆体層をイミド化して、ポリイミド樹脂層からなる
絶縁層を形成する工程を示す。

【図４】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成す
ると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を
形成する工程の詳細を示す要部断面図であって、（ａ）
は、貫通孔を含む絶縁層の表面の全面に金属薄膜の下地
層を形成する工程、（ｂ）は、貫通孔が形成されていな
い下地層上にめっきレジストを所定の回路パターンと逆
パターンで形成する工程、（ｃ）は、めっきにより、貫
通孔内に金属を析出させて導通路を形成するとともに、
下地層上に所定の回路パターンとして導体層を形成する
工程、（ｄ）は、めっきレジストおよびめっきレジスト
が形成されていた下地層を、エッチングにより除去する
工程を示す。

【図５】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成す
ると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を
形成する工程に続いて、単層回路基板を製造する工程を
示す要部断面図であって、（ａ）は、導体層上にオープ
ニングが形成されるカバー絶縁層を形成する工程、
（ｂ）は、オープニング内に電極層を形成する工程、
（ｃ）は、金属支持板をエッチングにより除去する工
程、（ｄ）は、樹脂薄膜をエッチングにより除去する工
程を示す。

【図６】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成す
ると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を
形成する工程に続いて、多層回路基板を製造する工程を
示す要部断面図であって、（ａ）は、導体層上に積層側
貫通孔が形成される積層側絶縁層を形成する工程、
（ｂ）は、積層側貫通孔内に積層側導通路を形成すると
同時に、積層側絶縁層上に所定の回路パターンで積層側
導体層を形成する工程、（ｃ）は、積層側導体層上にオ
ープニングが形成されるカバー絶縁層を形成する工程を
示す。

【図７】図６（ｃ）に続いて、多層回路基板を製造する
工程を示す要部断面図であって、（ｄ）は、オープニン
グ内に電極層を形成する工程、（ｅ）は、金属支持板を
エッチングにより除去する工程、（ｆ）は、樹脂薄膜を
エッチングにより除去する工程を示す。

【図８】実施例２において製造される単層回路基板の要
部断面図であって、（ａ）は、ステンレス箔およびポリ
イミド薄膜上に、所定のパターンとして、絶縁層、導体
層およびカバー絶縁層が形成されている状態、（ｂ）
は、ステンレス箔およびポリイミド薄膜が、導通路が露
出された電極部とその周辺のみ、部分的にエッチングさ
れている状態を示す。

【符号の説明】

１金属支持板２樹脂薄膜３貫通孔４絶縁層５導通路

フロントページの続きＦターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB03 BB11 CC31 CC51 CD23 CD25 CD32 GG16 5E346 AA12 AA15 AA32 AA41 AA43 AA60 CC02 CC08 CC32 CC37 CC38 CC40 CC54 CC58 DD15 DD22 DD24 DD33 EE31 EE33 FF04 FF07 FF09 FF10 FF14 FF17 FF19 FF35 GG17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属支持板上に樹脂薄膜を形成する工
程、前記樹脂薄膜上に、厚さ方向に貫通孔が形成される絶縁
層を形成する工程、前記貫通孔にめっきにより導通路を形成する工程、前記金属支持板をエッチングにより除去する工程、およ
び前記樹脂薄膜をエッチングにより除去する工程を含ん
でいることを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項２】前記樹脂薄膜の厚みが、１μｍ以下であ
ることを特徴とする、請求項１に記載の回路基板の製造
方法。
【請求項３】前記樹脂薄膜が、ポリイミド樹脂または
ポリイミド樹脂前駆体からなることを特徴とする、請求
項１または２に記載の回路基板の製造方法。