JP2004186223A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

多層配線基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】コア基板を有さず、ビルドアップ層及び支持枠体を有する多層配線基板の製造方法において、製造プロセス中のハンドリング性を維持し、かつ得られる多層配線基板の強度を十分に維持できるとともに、多層配線基板と電子部品を接続するための接続用金属層を容易に形成することができる方法を提供する。
【解決手段】金属基板1上に、絶縁層2と配線層3とを有するビルドアップ層BUを、該絶縁層2から形成する。そして、ビルドアップ層BUの主表面が露出するように、金属基板1を完全に除去したあと、ビルドアップ層BUの、金属基板1が除去された側の主表面に、電子部品を接続するための半田バンプ10を形成する。その後に、ビルドアップ層BUの半田バンプ10が形成されている側の主表面に、ビルドアップ層BUを補強するための支持枠体11を取りつける。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線基板には、例えば、ビルドアップ配線基板がある。このビルドアップ配線基板は、コア基板の表面(両面あるいは片面)に、樹脂のみで構成される絶縁層と、配線パターンを形成する配線層とを積層して、ビルドアップ層を形成することにより作製することができる。
【0003】
しかしながら、通常のビルドアップ配線基板は、ビルドアップ層をコア基板上に形成し、このコア基板が形成されている状態で製品として使用されるため、配線基板全体としての厚みが大きくなってしまうという問題がある。配線基板としての厚みが大きいと、結果的に配線密度が減少してしまう。電子部品の小型化が著しい昨今においては、より配線密度の高い配線基板が求められるが、このような要望に十分に対応するのは、徐々に困難な状況になってきている。また、配線基板に搭載される電子部品と動作電源との接続は、このコア基板を介して行なわれるため、コア基板の厚さ分だけ、両者を接続する配線の長さが長くなり、電気的特性の劣化を招く。このような問題のため、コア基板を有さない配線基板が提案されつつある。しかし、コア基板を有さない配線基板においては、配線基板の強度が劣ってしまったり、製造プロセス中のハンドリング性を十分に維持することができなかったりする。
【0004】
一方で、特開2002−26171号公報(特許文献1)には、金属板上にビルドアップ層を形成し、この金属板を部分的にエッチングしてビルドアップ層を露出させることにより、残った金属板にてなる金属枠を、ビルドアップ層の強度を補強するための支持枠として活用する技術が開示されている。図3は、該公報に開示されている方法を簡単に説明するための概略図である。まず、図3Aに示すように、金属板31上に絶縁層及び配線層を有するビルドアップ層BUを形成する。次に、図3Bに示すように、金属板31を部分的に除去することにより、ビルドアップ層BUの表面を露出させるとともに、該ビルドアップ層BUを反転させて、金属板31の残留する部分を、ビルドアップ層BUを補強するための支持枠32とする。これにより、コア基板を有さなくても強度が十分で、かつ、ビルドアップ層BUを形成する製造プロセス中には、ハンドリング性も十分に維持することができる多層配線基板を製造することが可能となる。
【0005】
【特許文献1】特開2002−26171号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報の方法により得られる配線基板においては、金属板31をエッチングして露出するビルドアップ層の最表面33上に、電子部品を搭載することになるが、このビルドアップ層BUの表面33側に形成される金属パッド層34上に、電子部品を搭載するための半田バンプを形成しようとした場合、図3Bに示すように支持枠32が形成される状態で半田バンプを形成する必要があるので、この支持枠32が邪魔となり、半田バンプを形成しにくいという問題がある。また、金属板31を部分的に除去した後に露出するビルドアップ層BUの主表面に、電子部品を搭載するための半田バンプを形成する場合だけではなく、該接続用金属層を形成する前に、露出する金属パッド層34の表面に対して、例えばNiメッキやAuメッキ等の表面処理を行う場合にも、上記のような問題がある。
【0007】
本発明の課題は、コア基板を有さず、ビルドアップ層と支持枠を有する多層配線基板の製造方法において、支持枠が形成されている側のビルドアップ層の主表面に対して、半田バンプ等の接続用金属層を形成するなどの表面処理が行いやすい方法を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記課題を解決するために本発明の多層配線基板の製造方法は、コア基板を有さず、絶縁層及び配線層を含むビルドアップ層と、該ビルドアップ層の主表面上に形成された支持枠体とを有する多層配線基板の製造方法であって、金属基板上に、前記ビルドアップ層を形成して、該ビルドアップ層の主表面が露出するように、前記金属基板を完全に除去したのち、前記ビルドアップ層の前記金属基板が除去された側の主表面に、前記支持枠体を取り付けることを特徴とする。
【0009】
上記のような本発明の方法によれば、金属基板を完全に除去し、その後に支持枠体を改めて取りつけるようにして、金属基板を支持枠体として活用しない方法を採用している。そのため、金属基板がビルドアップ層の主表面に残留することがないので、金属基板が除去された後の主表面に対する表面処理が行いやすくなる。また、金属基板を敢えて残留させる必要もないので、金属基板を部分的に除去するための、特別な処置を行う必要がない。具体的には、金属基板を部分的に残留させるためのマスク等を使用したりする必要がないという効果もある。
【0010】
さらに、本発明を採用する場合、金属基板を除去したのち、ビルドアップ層の金属基板が除去された側の主表面に、支持枠体を取りつける前に、電子部品を接続するための接続用金属層を形成するのがよい。すなわち、ビルドアップ層の金属基板が除去された側の主表面を、電子部品を搭載する側の主表面として設定することにする。このような方法によれば、多層配線基板を補強する支持枠体を配置せざるを得ないような、コア基板を有さない多層配線基板を製造するに当り、ビルドアップ層の表面に半田バンプ等の接続用金属層を形成しやすくなる。つまり、製造プロセス中において、ビルドアップ層のハンドリング性を向上させるための金属基板を、支持枠体に活用するのではなく、金属基板を完全に除去し、新たに支持枠体をビルドアップ層の表面に部分的に形成する前に、接続用金属層を形成するようにした。これによれば、電子部品を搭載するための接続用金属層を形成するにあたり、残留する金属基板(支持枠体)が邪魔とならないので、接続用金属層の形成を容易に行うことができる。また、接続用金属層の形成に邪魔となる金属基板がないので、接続用金属層を所望の位置に精度よく形成することもできる。
【0011】
さらに、本発明の製造方法を採用する場合、金属基板を除去する工程は、エッチング処理により行なわれるものであって、ビルドアップ層を金属基板上に形成する際に、金属基板の直上に該金属基板をエッチングする際のエッチストップ層を形成するのがよい。これによれば、支持枠体をエッチングにより除去する際に、エッチストップ層により、ビルドアップ層としての配線層が、一緒にエッチングされるのを防止することができる。なお、エッチストップ層としては、支持枠体をエッチングするためのエッチング液に耐性があるものを使用することは当然である。さらに、支持枠体がエッチングされるときに、配線層も伴に除去されるのを防止するためには、ビルドアップ層とは別にエッチストップ層を形成しておいてもよいが、以下のような方法を採用してもよい。すなわち、ビルドアップ層は、該ビルドアップ層のうち絶縁層が、支持板の直上となるように形成され、該絶縁層がエッチストップ層を兼ねるようにする。ビルドアップ層として必須である絶縁層を、まず金属基板上に形成して、エッチストップ層として活用することで、エッチストップ層をビルドアップ層と別に形成しなくてもよいので、形成すべき層の数を最低限に抑えることができ、製造能率の向上及びコストの削減が期待できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の多層配線基板の製造方法を一例を挙げて説明したものである。図1に示す方法においては、まず、工程Aに示すように、金属基板1(厚さ約150μm)の直上に、ビルドアップ層のうちの絶縁層2(厚さ約30μm)を、絶縁膜をラミネートして形成する。金属基板1の材質としては、例えばCu、Cu合金、SUS(JIS規格)、Fe−Ni合金、Al、Al合金、インバー、インバー合金等を用いることができる。絶縁層2の材質としては、公知の感光性樹脂あるいは熱硬化性樹脂、例えばポリイミドやエポキシ樹脂等を採用することができる。なお、金属基板の厚さは、約100μm〜500μmとすることができる。
【0013】
上記のように、金属基板1上に絶縁層2を形成したのち、図1の工程Bのように、該絶縁層2上にビルドアップ層のうちの配線層としての金属パッド層3(厚さ約15μm)を形成する。この金属パッド層3は、公知の方法により、所望の配線パターンに形成されている。例えば、金属パッド層3となる金属膜を絶縁層2上に一様に形成し、その後、配線パターンに対応するように、金属膜の不要な領域を、エッチング等により除去するようにしてもよいし、絶縁層2上に、配線パターンに対応する開口部を有するメッキレジスト層を形成したのち、該メッキレジスト層の開口部のみに金属膜を形成して、金属パッド層3としてもよい。なお、金属パッド層3の材質としては、安価であり、電気抵抗の低いCuを採用することができる。
【0014】
次に、工程Cに示すように、金属パッド層3上にビルドアップ層のうちの絶縁層としての層間絶縁層4を形成する。層間絶縁層4の形成方法は、層間絶縁層4の材質に適した方法を採用することができる。例えば、フィルム状の樹脂をラミネートすることにより形成することができる。そして、形成された層間絶縁層4にビア孔5を形成する。ビア孔5は、例えばレーザにより形成することができる。レーザとしては、例えばエキシマレーザ、炭酸ガスレーザあるいはYAGレーザ等を使用することができる。ビア孔5をレーザにより形成する方法を採用した場合、層間絶縁層4の材質として、例えば、ポリイミドあるいはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。熱硬化性樹脂にてなる樹脂層をキュア処理により硬化させて層間絶縁層4とした後、レーザを照射することによりビア孔5を形成する。また、層間絶縁層4の材質として感光性樹脂を採用し、レーザを用いずにフォトバイア法によりビア孔5を形成することも可能である。
【0015】
そして、工程Dに示すように、形成されたビア孔5に配線層としてのビア導体6を形成する。ビア導体6は、例えば電解メッキ、無電解メッキにより形成することができる。そして、ビア導体6と連通する形にて、層間絶縁層4上に新たな配線層を形成する。このような層間絶縁層4と配線層とを交互に積層させることによりビルドアップ層BUを形成することができる。また、ビルドアップ層BUの最上層には、絶縁層としてのソルダレジスト層9を形成し、該ソルダレジスト層9の所定の位置には、該ソルダレジスト層9の直下に所望のパターンで形成されている配線層としての金属パッド層7が露出する形態で開口部8を形成する。なお、金属基板1の直上に形成される絶縁層2は、本発明の製造方法により得られる多層配線基板のソルダレジスト層9とは反対側のソルダレジスト層2を構成することになる。
【0016】
次に、工程Eに示すように、金属基板1上に形成されたビルドアップ層BUを残して、金属基板1を完全に除去する。金属基板1を除去する方法としては、エッチング処理を採用することができる。また、金属基板1をある程度の厚さまで研削加工により除去したのち、金属基板1の残留する部分をエッチング処理により除去する方法を採用してもよい。しかしながら、研削加工のような機械的な方法により金属基板1を除去しようとすると、ビルドアップ層BUに望まざる外力が加わって、ビルドアップ層BUに、クラック等の不良箇所が形成される惧れもある。したがって、金属基板1は、機械的な研削加工を行なわずにエッチング処理のみにより除去する方が、品質のよい多層配線基板を得られるという点で望ましいといえる。金属基板1の除去方法としてエッチング処理を採用する場合、金属基板1の直上に形成する絶縁層2(ソルダレジスト層2)が、このエッチング処理に際してのエッチストップ層として機能する。そのため、金属基板1のエッチング処理に伴って、同じ金属製の金属パッド層3が除去されるのを防止することができる。さらに、エッチストップ層として、ビルドアップ層と別途設ける必要がないので、製造工程を簡略化することができる。
【0017】
ビルドアップ層BUを残して金属基板1を除去したのち、工程Fに示すように、ビルドアップ層BUを反転させ、絶縁層2に金属パッド層3が露出する形にて開口部を形成する。この開口部はすでに硬化している絶縁層2に対して形成されるので、レーザにより形成するのが望ましい。そして、工程Gに示すように、形成された開口部に、金属パッド層3と連通する形態で、接続用金属層としての半田バンプ10を形成する。次に、ビルドアップ層BUを形成した後、工程Hに示すように、該ビルドアップ層BUの半田バンプ10が形成されている側の表面上に支持枠体11を取りつける。このように本発明においては、ビルドアップ層BUが形成された金属基板1を完全に除去した後、かつ、ビルドアップ層BUの強度を補強するための支持枠体11を、ビルドアップ層BUに取りつける前に、半田バンプ10(接続用金属層)を形成するようにしているので、半田バンプ10を形成する工程をより一層容易に行うことができる。
【0018】
本実施の形態においては、上記のように製造された多層配線基板は、半田バンプ10及び支持枠体11が形成されている側の表面に電子部品が搭載されることになる。そして、半田バンプ10が形成されている側と反対の主表面に露出する金属パッド層7と連通する形態で、図示しない半田ボールが形成され、この半田ボールを介して多層配線基板がマザーボード等に搭載されることになる。
【0019】
ビルドアップ層の主表面上に形成される半田バンプ10の材質としては、通常のものを使用することができる。例えば、Sn−Ag系、Pb−Sn系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Cu系、Sn−Zn系など低融点合金からなるものを使用することができる。
【0020】
さらに、本発明の多層配線基板の製造方法は、図2に示すような方法により行うことも可能である。図2に示す方法においては、先ず、工程A’において、金属基板22上にメッキレジスト12を形成する。このメッキレジスト12は、金属基板22上に、フィルム状の感光性樹脂をラミネートし、選択的に感光及び現像することにより形成することができる。金属基板22の材質としては、図1にて説明した実施の形態と同様のものを採用することができる。次に、工程B’に示すように、メッキレジスト12に覆われていない金属基板22の表面上に、エッチストップ層としての金属層14を形成する。このエッチストップ層としての金属層14の材質としては、後述する工程において、金属基板22をエッチングにより除去する際に、該金属基板22とともにエッチングされないものを選択する。例えば、金属基板22がSUSにて構成されている場合には、金属層14の材質としてAuを採用することができるし、一方金属基板22がCuにて構成されている場合には、金属層14の材質としてNiを採用することができる。なお、この金属層14は一層のみではなく複数層にて構成されるようにすることも可能である。また、この金属層14の厚みは約5μm〜20μm程度に設定することができる。
次に、このような金属層14上に、配線層としての金属パッド層13を形成する。この金属パッド層13の形成は、例えば電解メッキにより形成することができる。金属パッド層13の材質としては、例えばCuを採用することができる。なお、金属層14は、金属基板22をエッチングにより除去する際に、金属パッド層13が除去されないようにするためのものであるので、金属基板22をエッチングする際に、金属パッド層13が除去されないように、金属基板22及び金属パッド層13の材質を選択すれば、敢えて金属層14を形成する必要はない。また、本実施の形態の場合、金属層14は、エッチストップ層として機能するとともに、後述する金属パッド層13とともに、電子部品を搭載するための金属パッド層としても機能するものである。
【0021】
次に、工程C’に示すように、メッキレジスト12を除去する。そして、これ以降は、工程D’に示すように、図1と同様の方法でビルドアップ層BUを形成していく。具体的には、金属基板22上に形成された金属層14及び金属パッド層13上に層間絶縁層16を形成して、該層間絶縁層16の金属パッド層13と対応する位置にビア孔を形成したのち、該ビア孔に配線層としてのビア導体15を形成する工程を順次おこなっていく。層間絶縁層16の形成方法は、図1にて説明した実施の形態と同様の方法を採用することができる。また、ビア孔の形成もレーザにより行うようにしてもよいし、フォトバイア法により形成するようにしてもよい。さらに、図1にて説明した方法と同様に、ビルドアップ層BUの最上層は、ソルダレジスト層17とする。そして、該ソルダレジスト層17の直下には、金属パッド層19を形成し、ソルダレジスト層17には、金属パッド層19が露出する形態にて開口部18を形成しておく。本実施の形態の場合、金属基板22とは反対側に形成される金属パッド層19は、本発明の方法により得られる多層配線基板を、マザーボードに搭載するための金属パッド層とされ、前述した金属パッド層13が、電子部品を搭載するための金属パッド層とされる。そのため、金属パッド層13は、金属パッド層19よりも小さく形成しておく。
【0022】
そして、上記のように、ビルドアップ層BUを形成したのち、工程E’に示すように金属基板22を完全に除去する。金属基板22の除去方法としては、図1にて説明した方法と同様の方法でよい。このとき、金属層14が形成されている場合には、該金属層14がエッチストップ層として機能し、金属基板22と金属パッド層13とが同一の材質(例えばCu)のときでも、金属パッド層13が除去されるのを防止することができる。
【0023】
続いて、金属基板22が除去されたビルドアップ層BUを反転させて、工程F’において、金属パッド層13(金属層14)上に、半田バンプ20を形成し、その後に、工程G’に示すようにビルドアップ層BUの半田バンプ20が形成されている側の主表面に支持枠体21を取りつける。支持枠体21の材質としては、図1にて説明した方法と同様のものを採用することができる。このように、金属基板22を完全に除去した後、支持枠体21を取りつける前に、半田バンプ20を形成するようにしているので、半田バンプ20の形成をより容易に行えることになる。
【0024】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、ビルドアップ層BUの主表面上に、半田バンプ10、20を形成する際に、該半田バンプ10、20の材料を、ビルドアップ層BU上に印刷法により塗布する方法を採用する場合に、特に効果的である。すなわち、印刷法により、半田バンプ10、20を形成する際には、ビルドアップ層BU上に、半田バンプ10、20の形成位置に対応するパターンを有するマスクを配置する必要がある。しかしながら、従来の技術で示したような、金属基板を部分的に除去して、金属基板の残留する部分を支持枠体として活用する方法では、このマスクをビルドアップ層BUの半田バンプを形成する側の表面に配置することが困難となる。かりに、マスクを配置したとしても、ビルドアップ層とマスクとの間に隙間が生じてしまい、半田バンプの精度の良い形成を行うことができない。一方、本発明においては、金属基板が完全に除去された状態で、半田バンプの形成を行うようにしているので、半田バンプの形成に際して、印刷法を問題なく採用することができる。
【0025】
さらに、以上の本発明の実施の形態においては、金属基板の除去された側のビルドアップ層の主表面に、電子部品を搭載するようにしているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、金属基板が除去された側のビルドアップ層の主表面は、本発明の方法により得られる多層配線基板自体をマザーボード等に搭載する際に、該マザーボードと対向する側の主表面とすることも可能である。この場合、金属基板をビルドアップ層から完全に除去したのち、金属基板が除去された側の主表面に、マザーボードと接続するための接続用金属層(例えば、半田ボール)を形成する。そして、金属基板が除去された側の主表面と反対側の主表面に、電子部品を搭載するための接続用金属層(例えば、半田バンプ)を形成したのち、この電子部品を搭載するための接続用金属層が形成されている側の主表面に、支持枠体を取り付けるようにする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を説明する図。
【図2】本発明の図1とは異なる実施形態を説明する図。
【図3】従来の配線基板の製造方法を説明する図
【符号の説明】
1、22 金属基板
2、9、17 絶縁層(ソルダレジスト層)
3、7、13 配線層(金属パッド層)
4、16 絶縁層(層間絶縁層)
6、15 配線層(ビア導体)
10、20 半田バンプ(接続用金属層)
11、21 支持枠体
BU ビルドアップ層

Claims (4)

  1. コア基板を有さず、絶縁層及び配線層を含むビルドアップ層と、該ビルドアップ層の主表面上に形成された支持枠体とを有する多層配線基板の製造方法であって、
    金属基板上に、前記ビルドアップ層を形成して、該ビルドアップ層の主表面が露出するように、前記金属基板を完全に除去したのち、
    前記ビルドアップ層の前記金属基板が除去された側の主表面に、前記支持枠体を取り付けることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
  2. 前記金属基板を除去したのち、前記ビルドアップ層の前記金属基板が除去された側の主表面に、前記支持枠体を取りつける前に、電子部品を接続するための接続用金属層を形成することを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
  3. 前記金属基板を除去する工程は、エッチング処理により行なわれるものであって、前記ビルドアップ層を、前記金属基板上に形成するに際して、前記金属基板の直上に該金属基板をエッチングする際のエッチストップ層を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。
  4. 前記ビルドアップ層は、該ビルドアップ層のうち前記絶縁層が、前記金属基板の直上に位置する形態で形成され、前記金属基板をエッチングにより除去する際に、該絶縁層が前記エッチストップ層として機能することを特徴とする請求項3に記載の多層配線基板の製造方法。
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