JP2001127190A

JP2001127190A - 基板の製造方法

Info

Publication number: JP2001127190A
Application number: JP30562999A
Authority: JP
Inventors: Masafumi Inaba; 雅史稲葉; Toshiya Asano; 俊哉浅野
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1999-10-27
Filing date: 1999-10-27
Publication date: 2001-05-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基板本体に形成された金属層、この露出部分
に形成されたＮｉメッキ層及びその上に形成されたＡｕ
メッキ層を備える基板において、Ａｕメッキ層に生じる
変色を除去することができる基板の製造方法を提供する
こと。【解決手段】基板１は、基板本体２に形成された金属
層のうち露出部分である電極パッド５と、この表面に形
成されたＮｉメッキ層９及びこの上に形成されたＡｕメ
ッキ層１０と備える。さらに、基板１は、ハンダバンプ
１２を有し、この周囲を囲む位置に接着された補強板１
４を備える。この基板１の製造方法は、補強板１４上
に、酸洗浄液ＳＪの接触を防止するマスク１５を貼り付
けて、ハンダバンプ１２を覆うバンプマスキング工程
と、その後、塩酸を含む酸洗浄液ＳＪで基板１を洗浄す
る酸洗浄工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板本体から露出
した金属層を有する基板の製造方法に関し、特に、露出
した金属層の表面に、酸化防止などの目的から、Ｎｉメ
ッキ層及びその上に形成されたＡｕメッキ層を有する基
板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板本体から露出した金属層
上に、Ｎｉメッキ層及びその上にＡｕメッキ層が形成さ
れた基板が知られている。例えば、図８に示すように、
ＩＣチップを搭載して、他の基板に接続することのでき
る基板１０１が挙げられる。この基板１０１は、主面１
０２Ａ及び裏面１０２Ｂを有し略板形状をなす基板本体
１０２の主面１０２Ａ上に、略口字形状をなすスティフ
ナ（補強板）１１２が接着されたものである。基板本体
１０２の主面１０２Ａのうち、スティフナ１１２の略中
央の開口内から露出した部分には、図示しないＩＣチッ
プを搭載するためのハンダバンプ１０３が多数形成され
ている。また、基板本体１０２の裏面１０２Ｂには、こ
の基板１０１を他の基板等に接続するため、表面にＮｉ
メッキ層及びその上にＡｕメッキ層（図示しない）が形
成された電極パッド１０５が多数配置されている。

【０００３】このような基板１は、次のようにして製造
される。即ち、主面１０２Ａに接続パッド（図示しな
い）が露出し、裏面１０２Ｂに電極パッド１０５が露出
する基板本体１０２を製造し、接続パッド及び電極パッ
ド１０５の表面に、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキを順次施
して、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層を形成する。そし
て、基板本体１０２の主面１０２Ａのうち接続パッドに
対応した位置に、ハンダペーストを印刷し、リフローし
てハンダバンプ１０３を形成する。その後、基板本体１
０２の主面１０２Ａにスティフナ１１２を接着して、上
記の基板１０１とする。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極パ
ッド１０５の表面に形成されたメッキ層のうち下地のＮ
ｉメッキ層中のＮｉがＡｕメッキ層の表面にしみ出し、
酸化して変色するという不具合が生じることがある。特
に、基板１０１を製造する過程で、Ｎｉメッキ層及びＡ
ｕメッキ層形成後に、基板１０１を加熱する工程を行う
と、下地のＮｉメッキ層中のＮｉがＡｕメッキ層表面に
しみ出して変色を起こしやすい。例えば、ハンダペース
トをリフローしたり、基板本体１０２にスティフナ１１
２を加熱して接着したりするときである。このような変
色の不具合は、水や界面活性剤等を含む洗浄液で基板１
０１を洗浄しても取り除くことはできない。

【０００５】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、基板本体に形成された金属層、この露出部分
に形成されたＮｉメッキ層及びその上に形成されたＡｕ
メッキ層を備える基板において、Ａｕメッキ層に生じる
変色を除去することができる基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、基板本体に形成された金属層と、この金属層の
うち露出部分に形成されたＮｉメッキ層と、このＮｉメ
ッキ層上に形成されたＡｕメッキ層とを備える基板の製
造方法であって、上記Ａｕメッキ層の表面を、Ａｕは不
溶の酸を含む酸洗浄液で洗浄する酸洗浄工程を備えるこ
とを特徴とする基板の製造方法である。

【０００７】本発明によれば、基板本体の金属層の露出
部分には、Ｎｉメッキ層及びその上にＡｕメッキ層が形
成され、酸洗浄工程で、このＡｕメッキ層の表面を、Ａ
ｕは不溶の酸を含む酸洗浄液で洗浄する。このため、下
地のＮｉメッキ層中のＮｉがＡｕメッキ層の表面にしみ
出し、酸化して変色するという不具合が生じても、酸洗
浄工程で、酸洗浄液によって、この変色を除去すること
ができる。しかも、Ａｕが不溶の酸は、Ｎｉや酸化した
Ｎｉを溶解し、Ａｕを溶解しないので、酸洗浄液で基板
を洗浄すると、Ａｕメッキ層を残した状態で、Ａｕメッ
キ層の表面にしみ出したＮｉやＮｉ酸化物を確実に除去
することができる。

【０００８】上記の変色は、特に、基板を製造する過程
の中に、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層を形成後、ハン
ダバンプ形成などの加熱処理を伴う工程がある場合に起
こりやすい。従って、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層を
形成後、加熱処理を伴う工程の後に、酸洗浄工程を行う
のが好ましい。例えば、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層
を形成後に、基板本体の所定の位置にハンダペーストを
印刷し、リフローしてハンダバンプを形成する工程の後
や、さらに、基板本体に補強板（スティフナ）を加熱し
て接着する工程の後などが挙げられる。このような場合
には、メッキ層形成工程後、ハンダバンプ形成工程、あ
るいはハンダバンプ形成工程及び補強板接着工程を行
い、その後、酸洗浄工程を行うようにすると良い。

【０００９】さらに、上記の基板の製造方法であって、
前記Ａｕメッキ層の厚さは、０．１μｍ以下であること
を特徴とする基板の製造方法とすると良い。

【００１０】上記のように、金属層の露出部分に形成さ
れたＡｕメッキ層に生じる変色は、下地のＮｉメッキ層
中のＮｉがＡｕメッキ層表面にしみ出し、酸化するため
に起こると考えられる。従って、Ｎｉメッキ層上のＡｕ
メッキ層が薄いほど、Ｎｉメッキ層のＮｉがＡｕメッキ
層の表面からしみ出して、酸化し変色しやすい。本発明
のように、Ａｕメッキ層が０．１μｍ以下と極薄い場合
には、特に、下地のＮｉメッキ層のＮｉがＡｕメッキ層
表面にしみ出して変色しやすいので、酸洗浄工程を行
い、Ａｕメッキ層に生じる変色を取り除くようにするの
が良い。

【００１１】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記酸洗浄工程前に、前記酸洗浄液の
接触を防止するマスクで、前記基板の一部を覆うマスキ
ング工程を備えることを特徴とする基板の製造方法とす
ると良い。

【００１２】上記のように、酸洗浄工程を備えることに
より、Ａｕメッキ層に生じる変色を除去することができ
る。しかし、基板全体を酸洗浄液で洗浄すると、酸の種
類や洗浄条件等によっては、あるいは、基板の材質等に
よっては、基板のうちＮｉメッキ層及びＡｕメッキ層が
形成された金属層以外の部分で、酸洗浄液により腐食等
の不具合を生じることがある。これに対し、本発明で
は、酸洗浄工程の前に、基板の一部をマスクで覆うマス
キング工程を備えるので、基板のうち酸洗浄により不具
合を生じやすい部分を予め保護することができる。さら
に、このようなマスキング工程を備えることにより、使
用可能な酸の選択幅も拡がり、Ａｕメッキ層に生じる変
色を効率よく除去することができるようにもなる。ここ
で、マスクとしては、基板の一部が酸に触れないように
覆うことができ、酸に耐えることができるものであれば
良く、例えば、塩化ビニル等のテープやウレタン等の樹
脂ペーストなどが挙げられる。

【００１３】さらに、上記の基板の製造方法であって、
前記基板本体は、ハンダバンプを有し、前記マスキング
工程は、上記ハンダバンプを前記マスクで覆うバンプマ
スキング工程を含むことを特徴とする基板の製造方法と
すると良い。

【００１４】基板本体にハンダバンプが形成されている
基板では、特にハンダバンプ形成時に加わる熱によっ
て、露出したＡｕメッキ層に変色が生じやすいが、この
変色を除去するために酸洗浄工程を行うと、ハンダバン
プが酸洗浄液で腐食されることがある。しかし、本発明
では、酸洗浄工程前に、ハンダバンプを予めマスキング
しているので、酸洗浄液で基板全体を洗浄しても、ハン
ダバンプが腐食されることがない。従って、ハンダバン
プに腐食等の不具合を生じさせることなく、Ａｕメッキ
層に生じる変色を除去することができる。また、ハンダ
バンプ形成後に酸洗浄工程を行うので、酸洗浄後にハン
ダバンプを形成するための加熱工程がないため、酸洗浄
後に、さらに酸化・変色が生じることが少ない。

【００１５】さらに、上記の基板の製造方法であって、
前記基板は、前記基板本体のうち前記ハンダバンプの周
囲を囲む位置に貼り付けられた補強板を有し、前記バン
プマスキング工程は、上記補強板上に前記マスクを貼り
付けて、上記ハンダバンプを覆うことを特徴とする基板
の製造方法とすると良い。

【００１６】本発明によれば、基板は補強板を有し、基
板本体に形成されたハンダバンプは、この補強板に取り
囲まれているので、補強板上にマスクを貼り付けるだけ
で、容易にハンダバンプを覆い隠すことができる。ま
た、マスクの接着面の接着剤等がハンダバンプに付着す
るのを容易に防止することができる。さらに、ハンダバ
ンプ形成、補強板（スティフナ）貼り付け後に酸洗浄工
程を行うので、酸洗浄後にハンダバンプ形成及び補強板
貼り付けのための加熱工程がないため、酸洗浄後に、さ
らに酸化・変色が生じることが少ない。ここで、補強板
としては、剛性、熱膨張率等を考慮してその材質を適宜
選択すれば良いが、例えば、銅、銅合金、アルミニウ
ム、ステンレス等の金属板の他、セラミック板、樹脂板
などが挙げられる。

【００１７】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記酸洗浄液は塩酸を含むことを特徴
とする基板の製造方法とすると良い。

【００１８】酸洗浄工程で使用する酸としては、塩酸、
硫酸などの無機酸の他、酢酸や蟻酸などの有機酸などを
用いることができ、Ａｕメッキ層に生じる変色の除去効
果や基板への影響等を考慮して、適宜選択することがで
きる。しかし、特に、塩酸を含む酸洗浄液でＡｕメッキ
層の表面を洗浄すると、他の酸を含む酸洗浄液に比し
て、Ａｕメッキ層に生じる変色をより確実に除去するこ
とができるので好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】（実施形態）以下、本発明の実施
の形態の基板の製造方法について、図面を参照しつつ説
明する。図７に示す基板１を製造するにあたり、まず、
図１に示すように、公知の手法により作成された基板本
体２を用意する。この基板本体２は、銅板からなるコア
基板の両面に、連続多孔質ＰＴＦＥ基材にエポキシ樹脂
を含浸させた複合材からなる樹脂絶縁層が複数層積層さ
れ、樹脂絶縁層間等に配線層３が形成されたものであ
り、主面２Ａと裏面２Ｂとを有し略板形状をなす。な
お、図１（ａ）は基板本体２を主面２Ａ側からみた平面
図を示し、図１（ｂ）は側方から見た側面図を示し、図
１（ｃ）は裏面２Ｂ側から見た底面図を示している。

【００２０】基板本体２の主面２Ａの中央付近には、搭
載する集積回路チップに対応して、直径１３０μｍの銅
からなる接続パッド４が、略格子状に並んで多数形成さ
れている。一方、裏面２Ｂには、基板（基板本体２）
を、マザーボードなどの他の基板に接続するため、直径
６００μｍの銅からなる電極パッド（金属層の露出部
分）５が略格子状に多数配置されている。また、基板本
体２の内部には、基板本体２から露出した接続パッド４
と電極パッド５とを接続する配線層３が形成されてい
る。

【００２１】次に、メッキ層形成工程において、図２に
示すように、この基板本体２から露出した接続パッド４
及び電極パッド５上に、Ｎｉメッキ層７，９及びその上
にＡｕメッキ層８，１０をそれぞれ形成する。具体的に
は、まず、Ｎｉ−Ｐの無電解メッキを施し、接続パッド
４及び電極パッド５上に、厚さ約４μｍのＮｉメッキ層
７，９をそれぞれ形成する。さらに、Ａｕ置換メッキを
施し、Ｎｉメッキ層７，９上に、厚さ約０．０５μｍの
Ａｕメッキ層８，１０をそれぞれ形成する。なお、図２
（ａ）は基板本体２の側面図を示し、図２（ｂ）は裏面
２Ｂ側の電極パッド５付近の部分拡大断面図を示してい
る。

【００２２】ここで、Ａｕ置換メッキ処理は、Ａｕメッ
キ層８，１０の厚さが、０．１μｍ以下である０．０５
μｍとなるように極薄く付けている。Ａｕメッキ層８，
１０を厚くした場合、次述するハンダバンプ形成工程で
接続パッド４にハンダバンプ１２を形成したとき（図３
参照）に、多量のＡｕがハンダ中に拡散し、Ｓｎなどと
金属化合物を形成して、ハンダバンプ１２の強度低下を
招くことがある。このため、Ａｕメッキ層８，１０の厚
さは、できるだけ薄く、例えば０．１μｍ以下とするの
が好ましいからである。

【００２３】次に、ハンダバンプ形成工程において、基
板本体２の主面２Ａに、接続パッド４に対応した所定の
透孔を有する印刷用マスク（図示しない）を載置し、Ｐ
ｂ−Ｓｎ共晶ハンダのハンダペーストを印刷する。印刷
後は、印刷用マスクを取り去り、加熱炉で基板本体２に
印刷したハンダペーストをリフローして、図３に示すよ
うに、接続パッド４にハンダバンプ１２をそれぞれ形成
する。その際、リフローするときの熱により、電極パッ
ド５上の下地のＮｉメッキ層９中のＮｉが、Ａｕメッキ
層１０の表面にしみ出し、酸化して褐色に変色すること
がある。特に、上記のように、Ａｕメッキ層８，１０の
厚さ（０．０５μｍ）が、接続パッド４に形成するハン
ダバンプ１２の強度を考慮して極薄くなっているので、
電極パッド５では、下地のＮｉメッキ層９中のＮｉがＡ
ｕメッキ層１０の表面にしみ出して、変色しやすい。

【００２４】次に、補強板接着工程において、図４に示
すように、基板本体２の主面２Ａに、開口１４Ｃと有す
る略口字形状のスティフナ（補強板）１４を接着する。
このスティフナ１４は、公知の手法により、圧延されて
なる銅板の中央付近をプレスで打ち抜いて略口字形状と
し、Ｎｉメッキ層（厚さ約４μｍ）及びその上にＡｕメ
ッキ層（厚さ約０．０３〜０．１μｍ）を全面に形成し
たものである。基板本体２とスティフナ１４は、接着材
（図示しない）を介して重ね、減圧下で、１７０℃、６
０分間加熱して、接着材を硬化させることにより両者を
接着させる。その際、熱により、電極パッド５上の下地
のＮｉメッキ層９中のＮｉが、Ａｕメッキ層１０表面に
しみ出し、酸化して褐色に変色することもある。この工
程でも、電極パッド５上のＡｕメッキ層１０が極薄い
（０．０５μｍ）ために、下地のＮｉメッキ層９のＮｉ
がＡｕメッキ層１０の表面にしみ出して、変色の不具合
が生じやすい。

【００２５】次に、バンプマスキング工程において、図
５に示すように、スティフナ１４の表面１４Ａ上に、開
口１４Ｃを塞ぐようにして、塩化ビニルのテープからな
るマスク１５を貼り付ける。これにより、ハンダバンプ
１２は、マスク１５で覆われ、次述する酸洗浄工程で、
酸洗浄液との接触が防止される。なお、このマスク１５
は、片面に粘着層（図示しない）を有しているので、粘
着層がある面をスティフナ１４に重ねるだけで、容易に
貼り付けることができる。本実施形態の基板１のよう
に、ハンダバンプ１２を有し、さらに、それを取り囲む
位置にスティフナ１４を備える場合には、マスク１５を
スティフナ１４上に貼り付けるだけで、ハンダバンプ１
２を容易にマスキングすることができる。

【００２６】次に、酸洗浄工程において、図６に示すよ
うに、マスク１５を貼り付けた基板１を酸洗浄する。具
体的には、約５．８％の塩酸からなる酸洗浄液ＳＪが入
れられた容器ＹＫ中に、マスク１５を貼り付けた基板１
を投入し、室温で１分間浸して洗浄する。この洗浄によ
り、これ以前の工程で電極パッド５上のＡｕメッキ層１
０に生じた変色を除去することができる。しかも、電極
パッド５上のＡｕメッキ層１０は、酸洗浄液ＳＪで除去
されないので、Ａｕメッキ層１０上にしみ出し酸化した
Ｎｉのみを確実に除去することができる。

【００２７】また、塩酸により腐食されやすいハンダバ
ンプ１２は、バンプマスキング工程でマスク１５により
覆われているので、酸洗浄液ＳＪに触れることがなく、
従って、腐食の不具合が生じることがない。酸洗浄工程
後、マスク１５を取り除けば、図７に示すように、基板
１が完成する。なお、図７（ａ）は基板１を主面１Ａ側
からみた平面図を示し、図１（ｂ）は側方から見た側面
図を示し、図１（ｃ）は裏面１Ｂ側から見た底面図を示
している。

【００２８】以上で説明したように、本実施形態の製造
方法では、塩酸を含む酸洗浄液ＳＪで基板１を洗浄する
酸洗浄工程を備えるので、電極パッド５表面に形成され
たＮｉメッキ層９及びＡｕメッキ層１０のうち、下地の
Ｎｉメッキ層９のＮｉがＡｕメッキ層１０の表面にしみ
出し、酸化して変色するという不具合が生じても、酸洗
浄工程でこの変色を除去することができる。さらに、塩
酸はＮｉやＮｉ酸化物を溶解させても、Ａｕを溶解させ
ることがないので、Ａｕメッキ層１０を残した状態で、
表面にしみ出したＮｉやＮｉ酸化物だけを確実に除去す
ることができる。

【００２９】また、本実施形態では、Ｎｉメッキ層７，
９及びＡｕメッキ層８，１０を形成後に、ハンダバンプ
１２を形成するための加熱処理を行うから、加熱により
電極パッド５上のＡｕメッキ層１０に変色が生じやす
い。さらに、Ｎｉメッキ層７，９及びＡｕメッキ層８，
１０を形成後に、基板本体２にスティフナ（補強板）１
４を加熱接着するから、同様に、その加熱により電極パ
ッド５上のＡｕメッキ層１０に変色が生じやすい。この
ため、ハンダバンプ形成工程及び補強板接着工程後に、
酸洗浄工程を行うことにより、電極パッド５上のＡｕメ
ッキ層１０に生じる変色をより確実に除去することがで
きる。

【００３０】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、酸洗浄工程前に、酸洗浄によって腐食されやすい
ハンダバンプ１２を予めマスキングしているが、基板に
酸洗浄により不具合が生じやすい部分が他にある場合に
は、その部分をマスキングすることもできる。このよう
な場合、ハンダバンプとともに不具合が生じやすい部分
を一緒にマスキングしても良いし、別途不具合が生じや
すい部分だけをマスキングするようにしても良い。ま
た、基板にハンダバンプがない場合でも、酸洗浄により
不具合が生じやすい部分があれば、その部分をマスキン
グするようにすると良い。また、スティフナ１４の上面
１４Ａにマスク１５を貼り付けることにより、ハンダバ
ンプ１２をマスキングしているが、スティフナ１４を持
たない基板でも、ハンダバンプをマスキングすることが
可能である。この場合、基板本体に直接マスクを貼り付
けて、ハンダバンプが形成された領域全体を覆うように
すれば良い。

【００３１】また、上記実施形態では、基板本体２から
露出した金属層が、表面にＮｉメッキ層９及びＡｕメッ
キ層１０が形成された電極パッド５である基板１につい
て示した。しかし、このような電極パッド５に限らず、
例えば配線層など露出した金属層を有する基板であれ
ば、本発明を適用することができる。即ち、基板本体か
ら露出した配線層の表面に、Ｎｉメッキ層及びその上に
Ａｕメッキ層が形成された基板でも、上記実施形態と同
様に、Ｎｉメッキ層中のＮｉがＡｕメッキ層の表面にし
み出し、酸化して変色する不具合が生じることがある。
従って、このような基板を製造する場合においても、酸
洗浄工程でＡｕメッキ層の表面を酸洗浄すれば、露出し
た配線層上のＡｕメッキ層に生じる変色を除去すること
ができる。

【００３２】また、上記実施形態では、酸洗浄液ＳＪと
して、変色除去効果が最も高い塩酸を利用しているが、
硫酸や酢酸など、無機酸、有機酸を問わず塩酸以外の酸
を利用しても良く、その濃度や洗浄条件等は適宜変更す
ることができる。さらに、上記の製造方法では、基板１
を酸洗浄液ＳＪ中に浸漬して洗浄しているが、例えば、
基板１に向けて酸洗浄液ＳＪを噴射させることにより、
電極パッド５上のＡｕメッキ層２０の変色を除去するこ
ともできる。

【００３３】なお、上記実施形態では、変色の程度の低
い基板１や変色を生じていない基板１も含め、すべての
基板１について酸洗浄を行っている。このようにする
と、いずれの基板１も同一の工程を経て製造されるの
で、品質が均一になるメリットがあるからである。しか
し、変色の程度の低い基板１や変色を生じていない基板
１がある場合には、これらを除去して処理の必要な基板
１のみを酸洗浄するようにしても良い。この場合には、
酸洗浄の処理を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係る基板の製造方法を示す図であ
り、（ａ）基板本体を主面側から見た平面図であり、
（ｂ）は基板本体の側面図であり、（ｃ）は基板本体を
裏面側から見た底面図である。

【図２】実施形態に係る基板の製造方法を示す図あり、
（ａ）は接続パッド及び電極パッドにＮｉメッキ層及び
Ａｕメッキ層を形成した状態を示す説明図であり、
（ｂ）はその部分拡大断面図である。

【図３】実施形態に係る基板の製造方法を示す図あり、
接続パッドにハンダバンプを形成した状態を示す説明図
である。

【図４】実施形態に係る基板の製造方法を示す図あり、
基板本体にスティフナを接着した状態を示す説明図であ
る。

【図５】実施形態に係る基板の製造方法を示す図あり、
スティフナ上にマスクを貼り付けた状態を示す説明図で
ある。

【図６】実施形態に係る基板の製造方法を示す図あり、
基板を酸洗浄している状態を示す説明図である。

【図７】実施形態に係る基板を示す図であり、（ａ）は
主面側から見た平面図であり、（ｂ）は側面図であり、
（ｃ）は裏面側から見た底面図である。

【図８】従来形態に係る基板を示す図であり、（ａ）は
基板の側面図であり、（ｂ）は基板を主面側からみた平
面図である。

【符号の説明】

１基板２基板本体４接続パッド５電極パッド（金属層の露出部分）９（電極パッド上の）Ｎｉメッキ層１０（電極パッド上の）Ａｕメッキ層１２ハンダバンプ１４スティフナ（補強板）１５マスクＳＪ酸洗浄液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E319 AC01 AC15 BB04 CD01 5E343 AA22 BB18 BB23 BB44 BB54 BB72 CC38 DD02 DD33 EE02 EE15 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板本体に形成された金属層と、この金属
層のうち露出部分に形成されたＮｉメッキ層と、このＮ
ｉメッキ層上に形成されたＡｕメッキ層とを備える基板
の製造方法であって、上記Ａｕメッキ層の表面を、Ａｕは不溶の酸を含む酸洗
浄液で洗浄する酸洗浄工程を備えることを特徴とする基
板の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板の製造方法であっ
て、前記Ａｕメッキ層の厚さは、０．１μｍ以下であること
を特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板の製
造方法であって、前記酸洗浄工程前に、前記酸洗浄液の接触を防止するマ
スクで、前記基板の一部を覆うマスキング工程を備える
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項４】請求項３に記載の基板の製造方法であっ
て、前記基板本体は、ハンダバンプを有し、前記マスキング工程は、上記ハンダバンプを前記マスク
で覆うバンプマスキング工程を含むことを特徴とする基
板の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の基板の製造方法であっ
て、前記基板は、前記基板本体のうち前記ハンダバンプの周
囲を囲む位置に貼り付けられた補強板を有し、前記バンプマスキング工程は、上記補強板上に前記マス
クを貼り付けて、上記ハンダバンプを覆うことを特徴と
する基板の製造方法。
【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基
板の製造方法であって、前記酸洗浄液は塩酸を含むことを特徴とする基板の製造
方法。