JP2983214B1 - テ―プ形チップサイズパッケ―ジの製造方法、およびテ―プ形チップサイズパッケ―ジ - Google Patents

テ―プ形チップサイズパッケ―ジの製造方法、およびテ―プ形チップサイズパッケ―ジ

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Abstract

【要約】 【解決手段】テープ形ＣＳＰに関して、ハンダボールを
パッド部へ強力に接合でき、Ｎｉ／Ａｕ等メッキを無電
解で行え、製造工程が簡単で、不良品発生を低減させ、
かつコストダウンを図る。 【解決手段】銅箔３の表面にボンディング用パッド部１
０を、銅箔３裏面にハンダボール用パッド部１１をもつ
テープ形ＣＳＰの製造方法において、記銅箔３を洗浄後
でフォトレジスト膜を形成する前の段階で、少なくとも
銅箔３の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、上記樹脂製テー
プ１の裏面からマスキング材で裏止めするとともに、上
記で銅箔３表面にもＳｎ等メッキ５を施した場合はそれ
を剥離する工程を入れ、かつ上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９
を無電解で行い、その後樹脂製テープ１裏面の裏止め用
マスキング材を剥離するようにしたもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テープ形ＣＳＰの
製造方法、およびそれによるテープ形ＣＳＰに関するも
のであり、主としてＴＡＢ用テープを用いるチップサイ
ズパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｄｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ、以下ＣＳＰとはこの略称をいう）において、ボンデ
ィング用パッド部とハンダボール用パッド部が異種金属
に形成されたものに係る。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体パッケージはますます高密
度化と小型化が進んでおり、半導体チップの実装は表面
実装化され、サイズは半導体チップと同じ大きさに小型
化されるようになっている。そのため、テープ形ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と同様に、本発明
に係るテープ形ＣＳＰの需要も、今後ますます増大して
いる。
【０００３】上記テープ形ＣＳＰは、テープ表面の銅箔
の表・裏を利用できることを特徴とする二層構造になっ
ており、銅箔表面にはワイヤボンディングやフリップチ
ップボンディング用のパッド部が、また裏面にはハンダ
ボール用のパッド部が各々形成されている。
【０００４】そして従来のテープ形ＣＳＰでは、例えば
図２５で示す如く、上記銅箔表面のボンディング用パッ
ド部、および裏面のハンダボール用のパッド部には、電
解メッキによるＮｉ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上にＡｕ
メッキを施したものをいう）、または無電解メッキによ
るＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上にＡｕメッキ
をし、さらにその上にＡｕメッキを施したものをい
う）、あるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上
にＰｄメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施した
ものをいう）が施されている。
【０００５】上記ボンディング用パッド部には、後に半
導体チップとのワイヤボンディングまたはフリップチッ
プボンディングが行われ、他方ハンダボール用パッド部
にはマザーボード等へ接合用のハンダボールが接合され
ることになる（上記図２５参照）。
【０００６】上記従来のテープ形ＣＳＰの製造工程は、
通常は次のようなものである。まず、表面に接着剤付
きのポリイミド樹脂製テープに、プレスまたはドリルに
て孔あけして銅箔をラミネートし、または予め銅箔付き
の樹脂製テープに裏面からレーザにより孔あけする。
次に上記樹脂製テープの銅箔を化学処理にて清浄にす
る。次に銅箔表面にフォトレジストインクを塗布した
後、ボンディング用パッド部やリード部を形成用のパタ
ーンを露光し、現像処理する。次に樹脂製テープの裏
面からマスキング材でマスキングして裏止めし、銅箔表
面をエッチング処理して、ボンディング用パッド部やリ
ード部等のパターンを形成する。次に上記銅箔表面の
フォトレジストと裏面の裏止め用マスキング材を剥離し
て、表面のボンディング用パッド部やリード部のパター
ンや、裏面のハンダボール用パッド部を露出させる。
次に銅箔の表・裏両面に、電解によるＮｉ／Ａｕメッキ
やＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ、あるいは無電解によるＮｉ
／Ｐｄ／Ａｕメッキを施して、表面にはボンディング用
パッド部やリード部を、また裏面にはハンダボール用パ
ッド部を形成する。
【０００７】その後、上記の如くボンディング用パッド
部には、半導体チップとのワイヤボンディングやフリッ
プチップボンディングをし、またハンダボール用パッド
部には、マザーボード等へ接合可能にハンダボールを接
合する。
【０００８】上記において、銅箔に電解によるＮｉ／Ａ
ｕメッキや、無電解によるＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ、ま
たは無電解によるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを施してい
る。これは、パッド部として必要なのはΛｕメッキであ
るが、銅箔とＡｕメッキとの間にＮｉメッキを介在させ
ることにより、Ａｕメッキ中のＡｕが銅箔のＣｕ中に拡
散するのを防止させるバリヤの役割と、ボンディング用
パッド部にＮｉメッキにより強度を持たせて、パッド部
の沈み込みを防止させるためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
ＣＳＰの製造では、次の理由により、Ｎｉ／Ａｕメッキ
やＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキが無電解では行われておら
ず、それによるＣＳＰは現在存在しない状況にある。
【００１０】即ち、１）従来のテープ形ＣＳＰでは、裏
面のハンダボール用パッド部にも表面のボンディング用
パッド部と同様に、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ａｕ／Ａ
ｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキが施されている。しか
し、ハンダボール用パッド部上の上記ＮｉメッキのＮｉ
と、ハンダボールのＳｎまたはＳｎ合金（＝ハンダ）と
は、本質的に接合強度が強くない。特に無電解メッキの
Ｎｉ中に含まれているＰ（リン）やＢ（ボロン）等の不
純物が表面に析出してくるので、ハンダボールのパッド
部への接合強度が一層弱くなり、十分なシェアー強度が
得られない。さらに、ＡｕメッキのＡｕがハンダボール
のＳｎまたはＳｎ合金の中に拡散し易いので、ハンダボ
ールの強度を弱くしている面もある。
【００１１】２）またＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキの場合に
は、ＮｉメッキとＰｄメッキ間の密着にかなり高度なメ
ッキ技術が必要であり、不良品の発生率が高いし、Ｐｄ
を用いることで製造コストはＮｉ／Ａｕメッキの場合に
比べて６倍近くにもなっている。しかも不良品の発生率
の向上やコストの低減は、現在技術では非常に困難また
は不可能に近い状況にある。
【００１２】本発明は、ボンディング用パッドやハンダ
ボール用パッド部が異種金属のものに関するテープ形Ｃ
ＳＰの製造方法、およびそれによるテープ形ＣＳＰに係
り、上記従来のものがもつ問題点の解決を課題として創
作したものである。即ち本発明の目的は、ボンディグ用
パッド部とハンダボール用パッド部とが異なる金属で構
成されるテープ形ＣＳＰに関して、ハンダボールをパッ
ド部へ強力に接合できるようにし、またＮｉ／Ａｕメッ
キ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを
無電解で行えると共に、製造工程を簡単にして不良品発
生を低減させ、かつコストダウンを図ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】Ｉ 本発明に係るテープ
形ＣＳＰの製造方法は、樹脂製テープ１表面に銅箔４が
ラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面からハンダボー
ル係合用孔２があけられたものを、化学処理して銅箔４
を清浄化後に、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を形成
してパッド部等のパターンを露光・現像し、裏面をマス
キング材６で裏止めして、エッチング処理にてパターン
８を形成し、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、Ｎｉ
／Ａｕ等メッキ９を施して銅箔４の表面にボング用パッ
ド部１０等を形成し、かつ銅箔４裏面にはハンダボール
用パッド部１１を形成する工程をもつテープ形ＣＳＰの
製造方法において、上記銅箔４を洗浄後でフォトレジス
ト膜７を形成する前の段階で、少なくとも銅箔４の裏
面にＳｎ等メッキ５を施し、次に上記樹脂製テープ１
の裏面からマスキング材６で裏止めするとともに、上記
で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場合はそれを
剥離する工程を入れ、かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９
を無電解で行うとともに、その後に上記樹脂製テープ１
裏面の裏止め用マスキング材６を剥離するようにしたも
のである。
【００１４】ＩＩ 本発明に係るＣＳＰは、樹脂製テー
プ１上の銅箔４表面には、無電解によるＮｉ／Ａｕ等メ
ッキが施されたボンディング用パッド部１０が形成され
るとともに、ハンダボール係合用孔２を介して露呈する
銅箔４裏面には、Ｓｎ等メッキ５が施されたハンダボー
ル用パッド部１１が形成されてなるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の上記構成おいて、Ｎｉ／
Ａｕ等メッキ９というのは、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／
Ａｕ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを指し、また
Ｓｎ等メッキ５とは、ＳｎメッキやＳｎ合金（＝ハン
ダ）メッキを指すものとする。
【００１６】樹脂製テープ１にはポリイミド樹脂製のも
のを用いることが望ましい。上記で樹脂製テープ１表面
に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面から
ハンダボール係合用孔２があけられたものとは、表面に
接着剤３付きのポリイミド樹脂製テープ１に、プレスま
たはドリルにて孔あけして銅箔４をラミネートした３層
構造のものでよいし（例えば図１参照）、また予め銅箔
４がラミネートされた樹脂製テープ１に裏面からレーザ
により孔あけした２層構造のものでもよい（例えば図１
３参照）。
【００１７】銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形
成する前に、少なくともその裏面にＳｎ等メッキ５を施
しているが、このメッキは銅箔４の裏面だけでもよい
が、表・裏面同時に施してもよい（例えば図３および図
１４参照）。
【００１８】上記で、銅箔４の裏面にだけＳｎ等メッキ
５を施す場合は、図示は省略したが銅箔４の表面をマス
キングしてメッキすればよい。また表面にも同時にメッ
キを施した場合には、フォトレジスト膜７を形成する前
に、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥離しておく。上
記Ｓｎ等メッキ５の厚みは、通常５〜６μｍ程度が望ま
しい。
【００１９】樹脂製テープ１の裏面をマスキング材６に
て裏止めするのは、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥
離時や、フォトレジスト膜７の剥離時に、裏面のＳｎ等
メッキ５を保護することと、ボンディング用パッド部１
０のためのメッキ時に、裏面のＳｎメッキ５にＮｉ／Ａ
ｕ等メッキが付着するのを防止する意味がある。
【００２０】このマスキング材６には、マスキング用テ
ープの貼布やドライフィルムの貼布でもよいが、後で剥
離する際の便宜上からは機械的に剥離可能なソルダーレ
ジストインクを貼付することが望ましい。
【００２１】フォトレジスト膜７を形成して、パターン
を露光し現像した後にエッチングするのは、従来の工程
で行うのと同様であり、フォトレジスト膜７を剥離後
に、上記の如く電解または無電解によりＮｉ／Ａｕ等メ
ッキを施す。
【００２２】上記によるＮｉ／Ａｕ等メッキにて、銅箔
４の表面のボンディング用パッド部１０になる部分に、
Ｎｉを含むメッキが施される。しかし銅箔４の裏面は、
上記の如くマスキング材６が貼布または塗布されている
ので、Ｓｎ等メッキ５のままが維持されている。
【００２３】上記のＮｉ／Ａｕ等メッキ９の前に、半導
体チップ１３が載置される部分の銅箔４上には、絶縁の
ためにソルダーレジスト膜１２を形成しておくことが望
ましい。しかしこの工程は、半導体チップ１３のボンデ
ィング、ハンダボール１４の接合、樹脂モールド等と同
様に、後でアッセンブリーメーカにより行われることも
ある。
【００２４】上記のテープ形ＣＳＰの製造方法では、銅
箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を行う工程を、銅箔４にパ
ターンを形成する前の段階で行っている。この段階でＳ
ｎ等メッキ５を行うことにより、微細なリード部等をも
つパターンを形成後にＳｎ等メッキを行うのと異なり、
Ｓｎ等メッキ５を行うに際してリード部を被覆するマス
キングの必要が無くなるから、製造工程が非常に簡単に
なっている。
【００２５】また上記段階でＳｎ等メッキ５を行うこと
により、リード部やボンディングパッド部１０にＳｎ等
メッキ５が付着することにならないから、その後そのま
まの状態でＮｉ／Ａｕ等メッキ９を無電解メッキにて行
うことが可能となる。そのため、この面でもボンディグ
用パッド部１０とハンダボール用パッド部１１とが異な
る金属で構成されるテープ形ＣＳＰの製造工程が容易
で、かつ低コストでの製造が可能となっている。
【００２６】さらに上記のテープ形ＣＳＰでは、銅箔４
裏面のハンダボール用パッド部１１へのハンダボール１
５の接合が、従来のようなＮｉメッキのＮｉとＳｎ等メ
ッキ５のＳｎ合金との接合ではなく、ＳｎまたはＳｎ合
金同士の接合となっている。そのため、ハンダボール１
４の接合強度が向上しており、かつハンダボール１４の
接合時にフラックスを必ずしも用いる必要がなくなる。
【００２７】上記ハンダボール用パッド部１１のＳｎ等
メッキ５は、ハンダボール１４を接合時の熱で溶融する
から、ここでのハンダボール１４の接合は、従来のＮｉ
を介したものと異なり、ＳｎまたはＳｎ合金と銅箔４と
の接合になるから（図２４参照）、この点でもハンダボ
ール１４の接合強度は大幅に向上している。
【００２８】しかも上記ハンダボール用パッド部１１に
は、従来のような無電解メッキのＮｉ中に含まれるＰや
Ｂ等の不純物の析出がないから、この面でも接合力が向
上して、ハンダボール１４は十分なシェアー強度を有し
ていると共に、Ａｕメッキ中のＡｕがハンダボール１４
中に拡散することもなく、ハンダボール１４の強度が弱
くなることもない。
【００２９】加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏面の
マスキング材６に、テープ、ドライフィルムまたは機械
的に剥離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、
従来の例えばマスキング用インクを印刷した場合と異な
り、マスキング材６の境界の精度が向上する。またそれ
らは機械的に剥離可能であるから、上記インクを例えば
カセイソーダ溶液で剥離する場合と異なり、銅箔４表面
のボンディング用パッド部１０のＡｕメッキや、裏面の
ハンダボール用パッド部１１のＳｎ等メッキ５が、剥離
用液で汚されることもない。
【００３０】なお、上記テープ形ＣＳＰの銅箔４表面の
ボンディング用パッド部１０では、従来法によるものと
同様に、Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９が施されているから、ボ
ンディング時にパッド部１０の沈み込みがなく、十分な
強度をもっている。なお図において、１５はボンディン
グワイヤを示す。
【００３１】
【実施例】図１ないし図２４は、本発明に係るテープ形
ＣＳＰの製造方法の工程順、およびそれにより製造され
たテープ形ＣＳＰの実施例を示すものであるが、厚みは
誇張して示してある。
【００３２】図１ないし図１２、および図２４は、表面
に接着剤付きのポリイミド樹脂製テープ１に銅箔４をラ
ミネートした３層構造のものに関し、図１３ないし図２
３は予め銅箔がラミネートされた樹脂製テープ１を用い
る２層構造のものに関する。
【００３３】図１は、表面に接着剤３が塗布されたポリ
イミド樹脂製テープ１を、パンチングによりハンダボー
ル係合用孔２が形成された状態を示す。ここでのポリイ
ミド樹脂製テープ１の厚みは５５μｍ、接着剤３の厚み
は１２μｍ程度のものを用いている。
【００３４】次に図２で示す如く、上記図１で示したポ
リイミド樹脂製テープ１の表面の接着剤３に、銅箔４を
ラミネートする。また図１３は、予め銅箔がラミネート
された樹脂製テープ１で、レーザーによりハンダボール
係合用孔２が形成されたものを示す。ここでの銅箔４の
厚みは１８μｍ（または２５μｍ）程度のものを用いて
いる。
【００３５】次に図３や図１４で示す如く、上記図２や
図１３で示したものの銅箔４にＳｎ等メッキとしてここ
ではＳｎ合金メッキ（＝ハンダメッキ）５を施す。ここ
では銅箔４の表・裏両面にＳｎ合金メッキ５を施してお
り、このＳｎ合金メッキ５の厚みは５〜６μｍ程度であ
り、これで銅箔４の裏面にはハンダボール係合用孔２か
ら露呈するハンダボール用パッド部１１が形成される。
なお銅箔４裏面にだけＳｎ合金メッキ５を施してもよ
く、その際には銅箔４表面をマスキングしてメッキ処理
すればよい。またＳｎ合金メッキ５の代わりにＳｎメッ
キにしてもよい。
【００３６】次に図４や図１５で示す如く、上記図３や
図１４で示したものの裏面に、マスキング材として機械
的に剥離可能なソルダーレジスト膜６を貼付して、裏止
めする。これはソルダーレジスト膜の代わりに、テープ
やドライフィルムを用いてもよい。このソルダーレジス
ト膜６により、ハンダボール係合用孔２が覆われ、上記
銅箔４の裏面が遮蔽される。
【００３７】次に図５や図１６で示す如く、上記図４や
図１５で示した銅箔４表面のＳｎ合金メッキ５を、剥離
する。これで、銅箔４表面は全体が露呈されるが、裏面
は上記の如くソルダーレジスト膜６で遮蔽されたままで
ある。このＳｎ合金メッキ５の剥離には、従来法と同じ
ように行えばよい。なお図示は省略するが、先にＳｎ合
金メッキ５を銅箔４裏面にのみ施した場合は、そのメッ
キの際に形成した表面のマスキングを剥離すればよい。
【００３８】次に図６や図１７で示す如く、上記図５や
図１６で示したものの銅箔４表面にフォトレジスト膜７
を形成し、リード部やパッド部等のパターンを露光し、
現像する。このフォトレジスト膜７はネガ型でもポジ型
でもよいが、ここでは精度がよいとされるポジ型を用い
ている。上記現像処理に際して、上記で樹脂テープ１裏
面に貼付されたマスキング材としてのソルダーレジスト
膜６が、現像液から銅箔４のＳｎ等メッキを保護し汚染
を防止している。
【００３９】次に図７や図１８で示す如く、上記図６や
図１７で示したものをエッチング処理する。これにより
銅箔４表面で、ボンディング用パッド部（ここではワイ
ヤーボンディング用パッド部）やリード等のパターン８
が形成される。このエッチング処理も、従来法と同じよ
うに塩化第二鉄の溶液を剥離液として行えばよい。この
エッチング処理に際して、樹脂テープ１裏面に貼付され
たマスキング材としてのソルダーレジスト膜６が、エッ
チング液から銅箔４裏面を保護し浸食を防止している。
【００４０】次に図８や図１９で示す如く、上記図７や
図１８で示したもののフォトレジスト膜７を剥離する。
このフォトレジスト膜７の剥離も、ここでは従来法と同
じように剥離液に１〜２パーセントの薄いカセイソーダ
溶液を用いて行っている。これでボンディング用パッド
部やリード部の銅箔４が露呈するが、樹脂製テープ１裏
面は上記のマスキング材としてのソルダーレジスト膜６
で遮蔽されたままであり、剥離液から銅箔４裏面が保護
され汚染を防止されている。
【００４１】次に図９や図２０で示す如く、上記図８や
図１９で示したものの銅箔４表面で半導体チップ１３を
実装する部分に、絶縁性を持たせるためソルダーレジス
トインク１２を塗布する。なおこのソルダーレジストイ
ンク１２の塗布は、必ずしもここで行う必要はなく、後
に半導体チップの搭載・ボンディング・樹脂モールド等
を行うアッセンブルメーカが行う場合もある。
【００４２】次に図１０や図２１で示す如く、上記図９
や図２０で示したものに、Ｎｉ／Ａｕ等メッキとしてこ
こでは無電解メッキでＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ９を施
し、銅箔４表面に露呈しているボンディング用パッド部
１０を形成する。このＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ９は、上
記の如くＮｉメッキ上にＡｕメッキを施し、さらにその
上にＡｕメッキを施したものを指し、ここでは厚みを
０．３５μｍ以上としておく。
【００４３】この無電解メッキ処理の際にも、樹脂製テ
ープ１裏面に貼付した上記のマスキング材としてのソル
ダーレジストインク６により、銅箔４の裏面は遮蔽され
たままであり、銅箔４裏面にＮｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ９
が付着することが防止されているから、無電解メッキが
問題なく行われる。なお上記無電解のＮｉ／Ａｕ／Ａｕ
メッキの代わりに、無電解のＮｉ／Ａｕメッキとしても
よいが、それに限らず電解Ｎｉ／Ａｕメッキでもよい
し、コスト高を承知の上なら無電解のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ
メッキとしてもよい。
【００４４】次に図１１や図２２で示す如く、上記図１
０や図２１で示したものの樹脂製テープ１裏面のマスキ
ング材６としてのソルダーレジストインク６を剥離す
る。これで、銅箔４裏面のハンダボール用パッド部１１
がハンダボール係合用孔２から露呈され、テープ形ＣＳ
Ｐが形成される。
【００４５】その後は図１２や図２３、および図２４で
示す如く、上記図１１や図２２で示したテープ形ＣＳＰ
に、表面には半導体チップ１３を搭載して、ボンディグ
用パッド部１０との間でボンディングワイヤ１５がボン
ディングされ、裏面のハンダボール用パッド部１１に
は、ハンダボール用孔部２を経てハンダボール１４が係
合・溶融され接合される。
【００４６】上記実施例によるテープ形ＣＳＰの製造方
法やそれによるテープ形ＣＳＰによる作用は、上記発明
の実施の形態の欄で述べた通りであるから、ここでは省
略する。
【００４７】
【発明の効果】以上で明かな如く、本発明に係るテープ
形ＣＳＰの製造方法、およびそれによるテープ形ＣＳＰ
では、ハンダボールをパッド部へ強力に接合できるし、
ボンディング用パッド部のＮｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ａ
ｕ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを無電解により
行うことができ、ボンディング用パッド部とハンダボー
ル用パッド部とが異なる金属で構成されるものを、シン
プルな製造工程で製造できるし、不良品発生も低減で
き、かつコストダウンを図ることもできる。
【００４８】即ち、本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造
方法、およびそれによるテープ形ＣＳＰでは、樹脂製テ
ープ上の銅箔の裏面に、ハンダボール係合用孔を介して
露呈するハンダボール用パッド部を形成する場合に、該
ハンダボール用パッド部へＳｎ（またはＳｎ合金メッ
キ）を行う工程を、銅箔表面でボンディング用パッド部
やリード部等のパターンを形成する前の段階で行ってい
る。
【００４９】そのため、ａ）銅箔でリード部もつパター
ンを形成後に、ハンダボール用パッド部にＳｎ（Ｓｎ合
金）メッキを行うのと異なり、微細なリード部を被覆す
るマスキングの必要が無くなるから、テープ形ＣＳＰの
製造をきわめて容易に行うことができるようになる。
【００５０】ｂ）同じく、ハンダボール用パッド部への
Ｓｎ等メッキの工程を上記の段階で行うことにより、表
面のリード部やボンディングパッド部にＳｎ等メッキが
付着していないから、その後そのままでＮｉ／Ａｕ等メ
ッキを無電解で行うことができるようになり、この面で
も製造工程を簡単なものにできる。
【００５１】ｃ）また本発明では、銅箔裏面のハンダボ
ール用パッド部へのハンダボールの接合が、従来のよう
なＮｉメッキ上へのハンダボールの接合ではなく、パッ
ド部のＳｎ等メッキとハンダボールのＳｎ合金間の接合
となっている。これで、ハンダボールの接合強度は大幅
に向上しており、かつハンダボールを接合させる際にフ
ラックスを必ずしも用いる必要がなくなる。
【００５２】ｄ）さらに上記ハンダボール用パッド部の
Ｓｎ等メッキは、ハンダボールを接合時の熱で溶融する
から、ここでのハンダボールの接合は銅箔とＳｎ等との
接合となり、間にＮｉメッキを介した従来のものと異な
り、ハンダボールの接合強度をこの点でも大幅に向上さ
せることができる。
【００５３】ｅ）しかも、ボンディング用パッド部等へ
の無電解によるＮｉ／Ａｕ等メッキは、ハンダボール用
パッド部が裏止め被覆された状態で行われるから、ハン
ダボール用パッド部表面にＮｉ中に含まれるＰやＢ等の
不純物の析出することが無くなるし、Ａｕメッキ中のＡ
ｕがハンダボール中に拡散することも無くせる。これ
で、この面からもハンダボールの接合力が向上しシェア
ー強度を有するし、半田ボールの強度が弱くなることも
無くすことができる。
【００５４】ｆ）加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏
面のマスキング材に、テープ、ドライフィルムまたは機
械的に剥離可能なソルダーレジスト膜を用いているの
で、従来のマスキング用インクを印刷した場合と異な
り、マスキング材の境界の精度が向上するし、それらは
機械的に剥離可能であるから、上記インクを例えばカセ
イソーダ溶液で剥離するのと異なり、銅箔表面のボンデ
ィング用パッド部のＡｕメッキや、裏面のハンダボール
用パッド部のＳｎ等メッキが、剥離用液で汚されること
も防止できる。
【００５５】ｇ）なお、上記テープ形ＣＳＰの銅箔表面
のボンディング用パッド部では、従来法によるものと同
様に、Ｎｉ／Ａｕ等メッキＮｉメッキが施されているか
ら、該ボンディング用パッド部がボンディング時に沈み
込みの無い十分な強度のものにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るテープ形チップサイズパッケージ
の製造で用いる樹脂製テープの拡大断面図である。
【図２】図１で示した樹脂製テープの表面に銅箔をラミ
ネートした状態の拡大断面図である。
【図３】図２で示したものの銅箔にＳｎ等メッキを施し
た状態の拡大断面図である。
【図４】図３で示したものの裏面にマスキング材を設け
た状態の拡大断面図である。
【図５】図４で示したものの表面のＳｎ等メッキを剥離
した状態の拡大断面図である。
【図６】図５で示したものの表面の銅箔にフォトレジス
ト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。
【図７】図６で示したものをエッチングした状態の拡大
断面図である。
【図８】図７で示したもののフォトレジスト膜を剥離し
た状態の拡大断面図である。
【図９】図８で示したものの表面のパッドの一部にソル
ダーレジストインクを塗布した状態の拡大断面図であ
る。
【図１０】図９で示したものの表面のパッド部にＮｉ／
Ａｕ等メッキを施した状態の拡大断面図である。
【図１１】図１０で示したものの裏面のマスキング材を
剥離した状態を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明に係るテープ形チップサイズパッケー
ジの拡大断面図である。
【図１３】本発明に係るテープ形チップサイズパッケー
ジの製造で用いる銅箔付き樹脂製テープの拡大断面図で
ある。
【図１４】図１３で示したものにＳｎ等メッキを施した
状態の拡大断面図である。
【図１５】図１４で示したものの裏面に、マスキング材
を貼付した状態の拡大断面図である。
【図１６】図１５で示したものの銅箔表面のＳｎ等メッ
キを剥離した状態の拡大断面図である。
【図１７】図１６で示したものの銅箔表面にフォトレジ
スト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。
【図１８】図１７で示したものをエッチング処理した状
態の拡大断面図である。
【図１９】図１８で示したもののフォトレジスト膜を剥
離した状態の拡大断面図である。
【図２０】図１９で示したものの表面のパッドの一部に
ソルダーレジストインクを塗布した状態の拡大断面図で
ある。
【図２１】図２０で示したものの表面のパッド部にＮｉ
／Ａｕ等メッキを施した状態の拡大断面図である。
【図２２】図２１で示したものの裏面のマスキング材を
剥離した状態を示す拡大断面図である。
【図２３】本発明に係るテープ形ＣＳＰの拡大断面図で
ある。
【図２４】本発明に係るテープ形ＣＳＰで、半導体チッ
プを搭載し、ワイヤーボンディングし、ハンダボールを
接合した状態の拡大断面図である。
【図２５】従来のテープ形ＣＳＰで、半導体チップを搭
載し、ワイヤーボンディングし、ハンダボールを接合し
た状態の拡大断面図である。
【符号の説明】
１−樹脂製テープ ２−ハンダボール用孔 ３−接着剤 ４−銅箔 ５−Ｓｎ等メッキ ６−マスキング材 ７−フォトレジスト膜 ８−パターン ９−Ｎｉ／Ａｕ等メッキ １０−ボンディング用パッド部 １１−ハンダボール用パッド部 １２−ソルダーレジスト膜 １３−半導体チップ １４−ハンダボール １５−ボンディングワイヤ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】樹脂製テープ１表面に銅箔４がラミネート
    され、該樹脂製デープ１裏面からハンダボール係合用孔
    ２があけられたものを、化学処理して銅箔４を清浄化後
    に、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を形成してパッド
    部等のパターンを露光・現像し、裏面をマスキング材６
    で裏止めして、エッチング処理にてパターン８を形成
    し、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、Ｎｉ／Ａｕ等
    メッキ９を施して銅箔４の表面にボング用パッド部１０
    等を形成し、かつ銅箔４裏面にはハンダボール用パッド
    部１１を形成する工程をもつテープ形ＣＳＰの製造方法
    において、 上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形成する前
    の段階で、 少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、 次に上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で
    裏止めするとともに、 上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場合はそ
    れを剥離する工程を入れ、 かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９を無電解で行うととも
    に、その後に上記樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキ
    ング材６を剥離するようにしたことを特徴とする、テー
    プ形チップサイズパッケージの製造方法。
  2. 【請求項２】樹脂製テープ１上の銅箔４表面には、無電
    解によるＮｉ／Ａｕ等メッキが施されたボンディング用
    パッド部１０が形成されるとともに、 ハンダボール係合用孔２を介して露呈する銅箔４裏面に
    は、Ｓｎ等メッキ５が施されたハンダボール用パッド部
    １１が形成されたことを特徴とする、テープ形チップサ
    イズパッケージ。
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