WO2015098601A1 - 配線板の製造方法 - Google Patents

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WO2015098601A1
WO2015098601A1 PCT/JP2014/083176 JP2014083176W WO2015098601A1 WO 2015098601 A1 WO2015098601 A1 WO 2015098601A1 JP 2014083176 W JP2014083176 W JP 2014083176W WO 2015098601 A1 WO2015098601 A1 WO 2015098601A1
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WO
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layer
main surface
wiring
molecular bonding
epoxy resin
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PCT/JP2014/083176
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中村　茂雄
志朗 巽
光二 竹内
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味の素株式会社
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    • H05K3/429—Plated through-holes specially for multilayer circuits, e.g. having connections to inner circuit layers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.
  • a technique for joining the wiring layer and the insulating layer by a bonding force generated by using the unevenness of the surface of the insulating layer formed by roughening the surface of the insulating layer is known. It has been. However, when the unevenness on the surface of the insulating layer is formed by a roughening process, it is difficult to form a wiring with high accuracy due to the presence of the unevenness, and thus it is difficult to make further fine wiring.
  • a method for manufacturing a wiring board is known in which a molecular bonding layer is formed on the surface of an insulating layer for further miniaturization of wiring on the wiring board, and the molecular bonding layer is used to bond the wiring layer and the insulating layer by chemical adhesion.
  • a molecular bonding layer is formed on the surface of an insulating layer for further miniaturization of wiring on the wiring board, and the molecular bonding layer is used to bond the wiring layer and the insulating layer by chemical adhesion.
  • molecular bonding agents for constituting such a molecular bonding layer compounds having various structures are known (see Patent Document 1).
  • a molecular bonding layer is formed after a hole is provided in an insulating layer (polyimide film). Therefore, in addition to the inner wall of the hole, when the hole is a via hole, a molecular bonding layer is also formed on the surface of the wiring exposed from the hole, so that electrical connection by a filled via formed thereafter May not be established or electrical resistance may increase.
  • the present invention provides a method for manufacturing a wiring board that can realize further miniaturization of wiring and can more reliably make electrical connection through holes provided in an insulating layer. Objective.
  • Step (A) Insulating layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, and only the first main surface or the first main surface and the second main surface Preparing a structure including a molecular bonding layer provided on both surfaces;
  • Step (B) forming a metal layer bonded to the molecular bonding layer;
  • Step (C) performing laser irradiation to form a hole that penetrates the metal layer, the molecular bonding layer, and the insulating layer;
  • Step (D) performing a desmear treatment on the hole;
  • Step (E) forming a conductor layer;
  • a step (F) of forming a wiring layer
  • the step (A) provides a structure in which the insulating layer is a cured prepreg and the molecular bonding layer is provided on both the first main surface and the second main surface of the insulating layer.
  • the manufacturing method of the wiring board as described in [1] which is a process to perform.
  • the insulating layer is provided on the circuit board, and the molecular bonding layer is formed only on the first main surface opposite to the second main surface to which the circuit board is bonded.
  • the step (A) is a step of preparing a structure further including a protective film to be bonded to the molecular bonding layer.
  • Method. [5] The step (A) further includes a step of providing a protective film to be bonded to the molecular bonding layer.
  • the process (B) is a process according to any one of [1] to [3], wherein the protective film is peeled from the structure to form a metal layer to be bonded to the molecular bonding layer.
  • the method further includes a step (G) of removing the metal layer after the step (D) and before the step (E).
  • step (E) is a step of forming a conductor layer in the exposed molecular bonding layer and the hole.
  • step (B) is a step of forming a metal layer by an electroless plating step.
  • a wiring board of the present invention it is possible to realize further fine wiring while maintaining good peel strength without performing a roughening treatment step as in the prior art, and provided in the insulating layer. It is possible to provide a wiring board that can ensure electrical connection through the hole.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a cut end face of a wiring board cut along a cutting line passing through a hole.
  • FIG. 2 is a schematic view of a structure used for manufacturing a wiring board.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an end face of the wiring board cut along a cutting line passing through the hole.
  • FIG. 8 is a schematic view of a structure used for manufacturing a wiring board.
  • FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of a wiring board.
  • FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • FIG. 13 is a schematic diagram for explaining the manufacturing process of the wiring board.
  • the method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step (A) an insulating layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, and only the first main surface or the first main surface.
  • FIG. 1 is a schematic view of a wiring board cut along a cutting line passing through a hole.
  • the wiring board 10 includes an insulating layer 20.
  • the insulating layer 20 has a first main surface 20a and a second main surface 20b opposite to the first main surface 20a.
  • the insulating layer 20 of the first embodiment is a cured prepreg 22 in which the prepreg is cured.
  • the molecular bonding layer 30 is provided on both the first main surface 20a and the second main surface 20b.
  • the molecular bonding layer 30 has a function of bonding the insulating layer 20 and the metal layer 42 formed of different materials with a chemical adhesive force.
  • a structure in the middle of manufacturing the wiring board 10 including the insulating layer 20 and the molecular bonding layer 30 may be simply referred to as a “structure”.
  • a metal layer 42 is provided on both the molecular bonding layers 30 on the first main surface 20a side and the second main surface 20b side.
  • the material of the metal layer 42 is not particularly limited as long as the material can withstand a desmear process in the step (D) described later.
  • Examples of the material of the metal layer 42 include copper (Cu) and nickel (Ni).
  • the thickness of the metal layer 42 can prevent damage due to a process performed after the process of forming the metal layer 42 on the molecular bonding layer 30 and can be removed by a removal process such as a flash etching process in a wiring formation process described later. It is not particularly limited as long as it can be performed.
  • the thickness of the metal layer 42 is generally 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m, preferably 0.3 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the metal layer 42 is intended to prevent damage to the molecular bonding layer 30 due to a process performed after the process of forming the metal layer 42, and can be removed after the purpose has been achieved. Therefore, the wiring board 10 of the first embodiment includes a form in which the metal layer 42 is not provided.
  • the wiring board 10 includes a hole 26.
  • the hole portion 26 according to the first embodiment includes the insulating layer 20, the molecular bonding layer 30 on both the first main surface 20a side and the second main surface 20b side, the first main surface 20a side and the second main surface 20b side. This is a through hole that penetrates both of the metal layers 42.
  • the wiring board 10 has a wiring layer 40.
  • the wiring board 10 of the first embodiment includes a first wiring layer 46 provided on the first main surface 20a side and a second wiring layer 48 provided on the second main surface 20b side.
  • the first wiring layer 46 is bonded to the first region 42a which is a partial region of the metal layer 42 on the first main surface 20a side and the first region 42a of the metal layer 42.
  • the first region 44a which is a partial region on the first main surface 20a side
  • the first main portion of the electroplated layer 45 that is joined to the first region 44a of the conductor layer 44.
  • a first region 45a which is a partial region on the surface 20a side.
  • the second wiring layer 48 is bonded to the second region 42b, which is a partial region of the metal layer 42 on the second main surface 20b side, and the second region 42b of the metal layer 42.
  • the second main region 20b of the electroplating layer 45 joined to the second region 44b which is a partial region of the conductive layer 44 on the second main surface 20b side and the second region 44b of the conductive layer 44.
  • a second region 45b which is a partial region on the surface 20b side.
  • the first wiring layer 46 is configured by laminating the first region 42 a of the metal layer 42, the first region 44 a of the conductor layer 44, and the first region 45 a of the electrolytic plating layer 45.
  • the second wiring layer 48 is configured by laminating the second region 42 b of the metal layer 42, the second region 44 b of the conductor layer 44, and the second region 45 b of the electrolytic plating layer 45.
  • first wiring layer 46 and the second wiring layer 48 may include not only a linear wiring but also an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, for example.
  • the hole 26 that is a through hole has its inner wall covered with the third region 44c of the conductor layer 44, and is embedded by the embedded region 45c of the electrolytic plating layer 45 that is joined to the third region 44c.
  • the through-hole wiring 50 that electrically connects the first wiring layer 46 and the second wiring layer 48 is formed.
  • the first region 44 a, the second region 44 b, and the third region 44 c of the conductor layer 44 may be integrally configured so as to be electrically connected, and the first region 45 a and the second region of the electrolytic plating layer 45. 45b and the third region 45c may be integrally configured so as to be electrically connected.
  • the step (A) according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention includes an insulating layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, only the first main surface or the first main surface. This is a step of preparing a structure including molecular bonding layers provided on both the main surface and the second main surface.
  • FIG. 2 is a schematic view of a structure used for manufacturing a wiring board.
  • the insulating layer 20 is a cured prepreg, and the molecular bonding layer 30 is provided on both the first main surface 20a and the second main surface 20b of the insulating layer 20. This is a step of preparing the body 60.
  • the insulating layer 20 of the first embodiment is a cured prepreg.
  • the cured prepreg 22 that is the insulating layer 20 will be described.
  • the cured prepreg 22 is a structure obtained by curing a sheet-like prepreg obtained by impregnating a sheet-like fiber base material with a resin composition.
  • the cured prepreg 22 can be formed using any suitable prepreg according to the use of the wiring board 10.
  • the sheet-like fiber base material that can be contained in the cured prepreg 22 and the prepreg that is a material thereof is not particularly limited, and a base material commonly used as a sheet-like fiber base material for prepregs such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric. Can be used.
  • the thickness of the cured prepreg 22 and the prepreg can be set to any suitable thickness depending on the use of the wiring board 10. From the viewpoint of further reducing the thickness of the wiring board 10, a sheet-like fiber base material having a thickness of 10 ⁇ m to 150 ⁇ m is preferably used, particularly a sheet-like fiber base material having a thickness of 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, and a thickness of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • a sheet-like fiber substrate and a sheet-like fiber substrate having a thickness of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m are preferably used.
  • glass cloth that can be used as the sheet-like fiber base material
  • style 1027MS manufactured by Asahi Schavel Co., Ltd.
  • Style 1037MS manufactured by Asahi Schubel Co., Ltd.
  • 1078 manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.
  • liquid crystal polymer non-woven fabric examples include “Veculus” (weight per unit area: 6 g / m 2 to 15 g / m 2 ) and “Vectran” manufactured by Kuraray Co., Ltd. by the melt blow method.
  • the components of the resin composition that can be used for forming the prepreg and the content thereof are not particularly limited on the condition that the cured prepreg has sufficient hardness and insulating properties.
  • content of the component of a resin composition is shown as an amount when the sum total of the non-volatile component in a resin composition is 100 mass%.
  • the resin composition used as the material of the prepreg may contain an inorganic filler, an epoxy resin, a curing agent, an organic filler, a curing accelerator, a thermoplastic resin, a flame retardant, and the like as components. Good.
  • each of the said component which a resin composition may contain is demonstrated.
  • the resin composition is an inorganic filler from the viewpoint of reducing the coefficient of thermal expansion when cured, suppressing the occurrence of defects such as cracks and circuit distortion due to the difference in coefficient of thermal expansion, and suppressing the excessive decrease in melt viscosity. It is preferable to contain.
  • the material of the inorganic filler is not particularly limited.
  • silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica is particularly suitable.
  • spherical silica is preferable as the silica.
  • An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Examples of commercially available spherical (fused) silica include “SOC1”, “SOC2”, “SOC4”, “SOC5”, and “SOC6” manufactured by Admatechs Co., Ltd.
  • the average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 0.01 ⁇ m to 4 ⁇ m, more preferably in the range of 0.05 ⁇ m to 2.5 ⁇ m, from the viewpoint of improving the fluidity of the resin composition. More preferably, it is in the range of 1 ⁇ m to 1.5 ⁇ m, and still more preferably in the range of 0.3 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • the average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter.
  • a measurement sample in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used.
  • a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.
  • Inorganic fillers are aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, organosilazane compounds, titanate coupling agents from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferable that it is processed with 1 or more types of surface treating agents. Examples of such commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and “KBM803” (3-Mercapto) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Propyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • KBM573 N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane
  • Examples include “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent can be washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)), and then the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured.
  • a solvent for example, methyl ethyl ketone (MEK)
  • MEK methyl ethyl ketone
  • a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes.
  • the carbon amount per unit surface area of an inorganic filler can be measured using a carbon analyzer.
  • EMIA-320V manufactured by Horiba, Ltd. can be used.
  • Carbon content per unit surface area of the inorganic filler is preferably at 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, More preferably, it is 0.2 mg / m 2 or more.
  • amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably at 1 mg / m 2 or less, more preferably 0.8 mg / m 2 or less, 0 More preferably, it is 5 mg / m 2 or less.
  • a resin composition contains an organic filler from a viewpoint of improving adhesiveness with the layer formed by a plating process.
  • the organic filler include rubber particles.
  • the rubber particles that are organic fillers for example, rubber particles that do not dissolve in an organic solvent described later and are incompatible with an epoxy resin, a curing agent, a thermoplastic resin, and the like described later are used.
  • Such rubber particles are generally prepared by increasing the molecular weight of the rubber particle components to such an extent that they do not dissolve in organic solvents or resins, and making them into particles.
  • Examples of rubber particles that are organic fillers include core-shell type rubber particles, cross-linked acrylonitrile butadiene rubber particles, cross-linked styrene butadiene rubber particles, and acrylic rubber particles.
  • the core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer.
  • a two-layer structure in which an outer shell layer is made of a glassy polymer and an inner core layer is made of a rubbery polymer or Examples thereof include a rubber particle having a three-layer structure in which an outer shell layer is made of a glassy polymer, an intermediate layer is made of a rubbery polymer, and an inner core layer is made of a glassy polymer.
  • the glassy polymer layer is made of, for example, methyl methacrylate polymer
  • the rubbery polymer layer is made of, for example, butyl acrylate polymer (butyl rubber).
  • examples of rubber particles that can be used include “Staffyroid AC3816N” manufactured by Ganz Corporation. A rubber particle may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the average particle diameter of the rubber particles as the organic filler is preferably in the range of 0.005 ⁇ m to 1 ⁇ m, more preferably in the range of 0.2 ⁇ m to 0.6 ⁇ m.
  • the average particle diameter of the rubber particles can be measured using a dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves, etc., and the particle size distribution of the rubber particles is measured on a mass basis using a concentrated particle size analyzer (“FPAR-1000” manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). It can be measured by making the median diameter as an average particle diameter.
  • epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol epoxy resin, naphthol novolac epoxy resin, phenol novolac.
  • Type epoxy resin tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin , Linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro-ring containing epoxy Shi resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins and trimethylol type epoxy resins.
  • An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • it has two or more epoxy groups in one molecule and has a liquid epoxy resin (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. and three or more epoxy groups in one molecule.
  • a solid epoxy resin at a temperature of 20 ° C.
  • liquid epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bifunctional aliphatic epoxy resin, or naphthalene type epoxy resin, and bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type.
  • Type epoxy resin or naphthalene type epoxy resin is preferred.
  • Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, “jER828EL”, “jER1007” (bisphenol A type epoxy manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
  • the solid epoxy resin examples include a crystalline bifunctional epoxy resin, a tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol epoxy resin, a naphthol novolak type epoxy resin, and a biphenyl type epoxy. Examples thereof include resins and naphthylene ether type epoxy resins. Specific examples of the solid epoxy resin include “HP-4700”, “HP-4710” (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin), “N-690” (cresol novolac type epoxy resin), “N” manufactured by DIC Corporation.
  • the quantitative ratio thereof is in the range of 1: 0.1 to 1: 4 by mass ratio.
  • the quantitative ratio of liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is in the range of 1: 0.3 to 1: 3.5 by mass ratio. More preferably, it is more preferably in the range of 1: 0.6 to 1: 3, and particularly preferably in the range of 1: 0.8 to 1: 2.5.
  • the content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 3% by mass to 50% by mass, more preferably 5% by mass to 45% by mass, and further preferably 5% by mass to 40% by mass. More preferably, the content is 7% by mass to 35% by mass.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably in the range of 50 to 3000, more preferably in the range of 80 to 2000, and still more preferably in the range of 110 to 1000. By setting it as such a range, the hardening body with sufficient crosslinking density can be obtained.
  • the epoxy equivalent can be measured according to a method standardized as JIS K7236.
  • the epoxy equivalent is the mass of an epoxy resin containing 1 equivalent of an epoxy group.
  • the curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin.
  • curing agent is mentioned.
  • curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent examples include a phenol-based curing agent having a novolak structure, a naphthol-based curing agent having a novolak structure, a nitrogen-containing phenol-based curing agent, a triazine skeleton-containing cresol-based curing agent, and a triazine skeleton-containing A phenol type hardening
  • curing agent is mentioned.
  • phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include, for example, “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7785” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., “NHN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. ”,“ CBN ”,“ GPH ”,“ SN170 ”,“ SN180 ”,“ SN190 ”,“ SN475 ”,“ SN485 ”,“ SN495 ”,“ SN375 ”,“ SN395 ”, DIC (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) "LA7052", “LA7054”, “LA3018”, etc. manufactured by Corporation.
  • the active ester curing agent is not particularly limited, but generally an ester group having high reaction activity such as phenol ester, thiophenol ester, N-hydroxyamine ester, heterocyclic hydroxy compound ester in one molecule.
  • a compound having two or more in the above is preferably used.
  • the active ester curing agent is preferably a curing agent obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound.
  • an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable.
  • the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.
  • phenol compound or naphthol compound examples include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Examples thereof include benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, and phenol novolac.
  • the active ester curing agent examples include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol condensation structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoyl of phenol novolac. And active ester compounds containing compounds.
  • active ester curing agents include, for example, “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000-” manufactured by DIC Corporation as active ester compounds having a dicyclopentadiene type diphenol condensation structure. 65T “,” EXB9416-70BK “manufactured by DIC Corporation as an active ester compound containing a naphthalene structure,” DC808 “manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoylated product of phenol novolac Examples of the active ester compound include “YLH1026” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • benzoxazine-based curing agent examples include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.
  • cyanate ester curing agent examples include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4 '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether, phenol Novolac and Examples thereof include polyfunctional cyanate resins derived from resol novolac, etc., prepolymers in which these cyanate resins are
  • cyanate ester-based curing agents include “PT30” and “ PT60 "(both phenol novolac-type polyfunctional cyanate ester resins),” BA230 "(a prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate is triazine-modified into a trimer) and the like.
  • carbodiimide curing agent examples include “V-03” and “V-07” manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.
  • the amount ratio between the epoxy resin and the curing agent is a ratio of [total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [total number of reactive groups of the curing agent] and should be in the range of 1: 0.2 to 1: 2. Is more preferable, and the range of 1: 0.3 to 1: 1.5 is more preferable, and the range of 1: 0.4 to 1: 1 is more preferable.
  • the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group or the like, and varies depending on the type of the curing agent.
  • the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by totaling the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins
  • the total number of reactive groups of the curing agent is The value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of each curing agent by the reactive group equivalent is the total value for all curing agents.
  • the ratio of the total number of epoxy groups of the epoxy resin and the total number of reactive groups of the curing agent is preferably in the range of 1: 0.2 to 1: 2, more preferably The range is from 1: 0.3 to 1: 1.5, and more preferably from 1: 0.4 to 1: 1.
  • the resin composition is a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (the mass ratio of liquid epoxy resin: solid epoxy resin is preferably in the range of 1: 0.1 to 1: 4. : More preferably in the range of 0.3 to 1: 3.5, still more preferably in the range of 1: 0.6 to 1: 3, and in the range of 1: 0.8 to 1: 2.5.
  • a curing agent preferably a phenol curing agent, a naphthol system
  • One or more selected from the group consisting of curing agents more preferably one or more selected from the group consisting of a phenolic novolak resin containing a triazine skeleton and a naphthol-based curing agent, and more preferable.
  • Ku is a curing agent) containing a triazine skeleton-containing phenol novolak resin, it is preferable to include, respectively.
  • thermoplastic resin examples include phenoxy resin, acrylic resin, polyvinyl acetal resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyethersulfone resin, and polysulfone resin.
  • a thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and still more preferably in the range of 20,000 to 60,000.
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
  • GPC gel permeation chromatography
  • the polystyrene-converted weight average molecular weight of the thermoplastic resin is “LC-9A / RID-6A” manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and “Shodex K-800P” manufactured by Showa Denko KK as a column.
  • / K-804L / K-804L can be calculated using a standard polystyrene calibration curve by measuring the column temperature at 40 ° C using chloroform or the like as the mobile phase.
  • phenoxy resin examples include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene
  • the terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.
  • a phenoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and “YX6954” (bisphenol) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • Other examples include “FX280” and “FX293” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., “YL7553”, “YL6794”, “YL7213”, “YL7290” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the like. "YL7482” etc. are mentioned.
  • the acrylic resin is preferably a functional group-containing acrylic resin, more preferably an epoxy group-containing acrylic resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower, from the viewpoint of further reducing the thermal expansion coefficient and the elastic modulus.
  • the number average molecular weight (Mn) of the functional group-containing acrylic resin is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 30,000 to 900,000.
  • the functional group equivalent of the functional group-containing acrylic resin is preferably 1000 to 50000, more preferably 2500 to 30000.
  • an epoxy group-containing acrylic ester copolymer resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable. Specific examples thereof are manufactured by Nagase ChemteX Corporation.
  • SG-80H epoxy group-containing acrylate copolymer resin (number average molecular weight Mn: 350,000 g / mol, epoxy value 0.07 eq / kg, glass transition temperature 11 ° C.)), manufactured by Nagase ChemteX Corporation SG-P3 ”(epoxy group-containing acrylate copolymer resin (number average molecular weight Mn: 850000 g / mol, epoxy value 0.21 eq / kg, glass transition temperature 12 ° C.)).
  • polyvinyl acetal resin examples include electrified butyral “4000-2”, “5000-A”, “6000-C”, “6000-EP” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., and Sekisui Chemical Co., Ltd. SK series, BL series, BM series, etc. are available.
  • polyimide resin examples include “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.
  • polyimide resin examples include linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (polyimide resin described in JP-A-2006-37083). And modified polyimides such as polysiloxane skeleton-containing polyimides (polyimide resins described in JP-A Nos. 2002-12667 and 2000-319386).
  • polyamide-imide resin examples include “Bilomax HR11NN” and “Bilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd.
  • polyamideimide resin also include modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
  • polyethersulfone resin examples include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • polysulfone resin examples include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.
  • the content of the thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1% by mass to 20% by mass. By setting the content of the thermoplastic resin within such a range, the viscosity of the resin composition becomes appropriate, and a uniform resin composition layer having a thickness and a bulk property can be formed.
  • curing accelerator examples include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and guanidine-based curing accelerators.
  • Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like.
  • amine curing accelerator examples include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8 -Diazabicyclo (5,4,0) -undecene and the like.
  • DMAP 4-dimethylaminopyridine
  • benzyldimethylamine 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol
  • 1,8 -Diazabicyclo (5,4,0) -undecene examples include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8 -Diazabicyclo (5,4,0) -undecene and the like.
  • DMAP 4-dimethylamin
  • imidazole curing accelerator examples include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2- Phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6 -[ '-Methylimidazolyl- (1
  • guanidine curing accelerator examples include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- o- tolyl) biguanide
  • a hardening accelerator may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.
  • the content of the curing accelerator in the resin composition may be used in the range of 0.05% by mass to 3% by mass when the total amount of nonvolatile components of the epoxy resin and the curing agent is 100% by mass. preferable.
  • the flame retardant examples include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide.
  • Examples of the flame retardant that can be used include “HCA-HQ-HST” manufactured by Sanko Co., Ltd.
  • a flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the content of the flame retardant in the resin composition layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5% by mass to 10% by mass, more preferably in the range of 1% by mass to 9% by mass, More preferably, it is in the range of 1.5% by mass to 8% by mass.
  • the resin composition may contain other additives for the purpose of adjusting the properties of the resin composition or its cured body, as necessary.
  • other additives include organic copper.
  • examples include compounds, organic metal compounds such as organic zinc compounds and organic cobalt compounds, and resin additives such as thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion-imparting agents, and coloring agents.
  • the prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method or a solvent method.
  • the resin composition is not dissolved in an organic solvent, but once coated on a release paper having good releasability from the resin composition, it is laminated on a sheet-like fiber base material, or is formed into a sheet by a die coater.
  • a prepreg is manufactured by, for example, coating directly on a fiber base material.
  • the sheet-like fiber base material is immersed in a resin varnish in which the resin composition is dissolved in an organic solvent to impregnate the sheet-like fiber base material and then dried to form a prepreg. ing.
  • the prepreg may be formed by continuously heat laminating by sandwiching a sheet-like fiber base material from both sides with two resin sheets made of a resin composition and heating under pressure. it can.
  • Examples of the organic solvent used in preparing the resin varnish for forming the prepreg include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate.
  • Examples thereof include acetate esters such as carbitols such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone.
  • An organic solvent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the prepreg forming step may be performed by a roll-to-roll method or a batch method using a long sheet-like fiber base material.
  • the cured prepreg 22 can be formed by heat-treating the prepreg under predetermined conditions. Specifically, a vacuum hot press process is mentioned as an example of the formation method of the cured prepreg 22. Hereinafter, a vacuum hot press process that can be used in the process of forming the cured prepreg 22 will be described.
  • the vacuum hot pressing step can be performed, for example, by pressing the prepreg from both sides with a metal plate such as a heated stainless steel plate (SUS plate).
  • a metal plate such as a heated stainless steel plate (SUS plate).
  • the vacuum hot pressing step is preferably performed with cushion paper, a release sheet or the like interposed on both sides of the metal plate to be used.
  • cushion paper for example, “AACP-9N” (800 ⁇ m thickness) manufactured by Awa Paper Co., Ltd. can be used.
  • release sheet for example, “Aflex 50N NT” (thickness 50 ⁇ m) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. can be used.
  • the conditions of the vacuum hot pressing step are, for example, the atmospheric pressure is usually 1 ⁇ 10 ⁇ 2 MPa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 MPa or less, the heating temperature is 150 ° C. to 250 ° C., and the pressing force is 10 kgf / cm 2 to 70 kgf / cm 2 may be used.
  • the temperature increase from the normal temperature to the predetermined heating temperature and the temperature decrease from the predetermined heating temperature to the normal temperature are performed while maintaining the predetermined temperature increase rate and temperature decrease rate.
  • the temperature increase rate and the temperature decrease rate are preferably about 5 ° C./min.
  • the vacuum hot press process can be performed using a vacuum hot press apparatus common in this field.
  • the vacuum heat press apparatus include “MNPC-V-750-5-200” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd. and “VH1-1603” manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.
  • the molecular bonding layer 30 provided on both the first main surface 20a and the second main surface 20b of the cured prepreg 22 is obtained by a method suitable for the molecular bonding agent selected as a material for forming the molecular bonding layer 30. Can be formed.
  • the molecular bonding agent that is a material of the molecular bonding layer 30 is not particularly limited, and for example, a commercially available molecular bonding agent containing a conventionally known compound as described in Patent Document 1 can be used.
  • molecular bonding agents include fluorinated alkyl group type “X-24-9453” of triazine thiol functional silicone alkoxy oligomer manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., aminotriazine novolak resin (for example, DIC Corporation).
  • epoxy silane coupling agents for example, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, "KBM403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • a molecular bonding agent for example, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, "KBM403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • the molecular bonding layer 30 is formed, for example, in a molecular bonding agent solution obtained by dissolving the cured prepreg 22 in a predetermined solvent (for example, a mixed solvent obtained by mixing water, isopropyl alcohol and acetic acid) at a predetermined concentration (temperature, For example, the cured prepreg 22 taken out after being dipped in time etc. and dried under predetermined conditions can be formed on the surface including the first main surface 20a and the second main surface 20b.
  • a predetermined solvent for example, a mixed solvent obtained by mixing water, isopropyl alcohol and acetic acid
  • the step (A) is preferably a step of preparing a structure 60 that further includes a protective film 110 that is bonded to the molecular bonding layer 30.
  • the molecular bonding layer 30 is thus covered with the protective film 110, the molecular bonding layer 30 can be effectively protected. Moreover, since the structure 60 provided with the protective film 110 can be stored, for example, the implementation timing after the step (B) can be set to an arbitrary timing.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), acrylics such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, and triacetyl cellulose (TAC).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • acrylics such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA)
  • cyclic polyolefins such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA)
  • TAC triacetyl cellulose
  • PES Polyether sulfide
  • polyether ketone polyimide and the like.
  • the protective film 110 containing the above-described material may be subjected to a mat treatment or a corona treatment on the surface to be bonded to the cured prepreg 22.
  • a “protective film with a release layer” having a release layer on the side to which the cured prepreg 22 is bonded may be used.
  • a mold release agent used for forming a mold release layer of a protective film with a mold release layer for example, one or more mold release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins are used. Can be mentioned.
  • the release layer can be formed, for example, by applying a solution containing a release agent to the surface of the protective film 110 and drying it.
  • the protective film with a release layer for example, “SK-1”, “AL-5”, “AL-5” manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent. AL-7 "and the like.
  • the thickness of the protective film 110 is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 ⁇ m to 75 ⁇ m, more preferably in the range of 10 ⁇ m to 60 ⁇ m, and still more preferably in the range of 12.5 ⁇ m to 55 ⁇ m.
  • the protective film with a release layer it is preferable that the whole thickness of the protective film with a release layer is the said range.
  • the protective film 110 may be laminated by a laminating process according to an ordinary method so as to cover both the first main surface 20a side and the second main surface 20b side of the cured prepreg 22. Lamination of the protective film 110 to the cured prepreg 22 can be performed using a conventionally known laminator apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • Step (B) is a step of forming a metal layer to be bonded to the molecular bonding layer. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, in the step (B) according to the first embodiment, when the protective film 110 is provided, the protective film 110 is peeled off from the structure 60 and exposed molecules. A metal layer 42 to be bonded to the bonding layer 30 may be formed.
  • the metal layer 42 can be formed by a plating process such as an electroless plating process using the suitable material already described.
  • the step (B) is preferably a step of forming the metal layer 42 by an electroless plating step (first electroless plating step) using copper as a material.
  • the metal layer 42 is formed as a copper layer by an electroless plating process.
  • Step (C) is a step of forming a hole that penetrates the metal layer, the molecular bonding layer, and the insulating layer by laser irradiation.
  • the laser irradiation is performed from the first main surface 20a side of the structure 60 obtained in the above-mentioned ⁇ Step (B)>, whereby the metal layer 42 and the molecular bonding are performed.
  • a hole 26 that is a through hole in the first embodiment and penetrates the layer 30 and the insulating layer 20 is formed.
  • This laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser or the like as a light source.
  • the laser processing machine which may be used, for example, by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd. CO 2 laser processing machine "LC-2k212 / 2C", Mitsubishi Electric Corporation “ML605GTWII”, Matsushita Welding Systems Co., Ltd. A laser processing machine is mentioned.
  • Laser irradiation conditions are not particularly limited, and laser irradiation can be performed by any suitable process according to a conventional method according to the selected means.
  • the shape of the hole 26, that is, the shape of the outline of the opening when viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (substantially circular).
  • the “diameter” of the hole 26 refers to the diameter (diameter) of the outline of the opening when viewed in the extending direction.
  • the top diameter refers to the contour diameter r1 of the hole 26 on the first main surface 20a side
  • the bottom diameter refers to the contour diameter r2 of the hole 26 on the second main surface 20b side.
  • a process (D) is a process of performing a desmear process with respect to a hole.
  • the desmear process is performed to remove smear in the hole 26.
  • This desmear process may be a wet desmear process or a dry desmear process.
  • the specific process and conditions of the desmear treatment are not particularly limited as long as the function of the molecular bonding layer 30 is not impaired.
  • known processes and conditions that are usually used in forming an insulating layer of a multilayer printed wiring board Can be adopted.
  • Examples of the dry desmear treatment include plasma treatment, and examples of the wet desmear treatment include a method of performing a swelling treatment with a swelling liquid, a desmear treatment with an oxidizing agent, and a desmear treatment with a neutralizing solution in this order.
  • the wet desmear process will be described.
  • the swelling liquid used in the wet desmear treatment is not particularly limited.
  • the swelling liquid include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferable.
  • a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable as the alkaline solution.
  • the commercially available swelling liquid include “Swelling Dip Securigans P”, “Swelling Dip Securigans SBU” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and the like.
  • the swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, and can be performed, for example, by immersing the structure 60 provided with the hole 26 in the swelling liquid at 30 ° C. to 90 ° C. for 1 minute to 20 minutes.
  • the swelling treatment is preferably a treatment in which the structure 60 is immersed in a swelling liquid at 40 ° C. to 80 ° C. for 5 seconds to 15 minutes.
  • the oxidizing agent used in the wet desmear treatment is not particularly limited.
  • the oxidizing agent include an alkaline permanganate solution in which potassium permanganate and sodium permanganate are dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide.
  • the desmear treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the structure 60 in an oxidizing agent solution heated to 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes.
  • the concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass.
  • oxidizing agents examples include alkaline permanganate solutions such as “Concentrate Compact P” and “Dosing Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.
  • the neutralizing solution is preferably an acidic aqueous solution, and as a commercially available product, for example, “Reduction Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned.
  • the treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the structure 60 treated with the oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, a method of immersing an object subjected to desmear treatment with an oxidant solution in a neutralizing solution at 40 ° C. to 70 ° C. for 5 to 20 minutes is preferable.
  • the metal layer 42 covering the molecular bonding layer 30 is formed and the hole 26 is formed in a state where the molecular bonding layer 30 is protected by the metal layer 42, the molecular bonding between the metal layer 42 and the insulating layer 20 is performed. A decrease in bonding force due to the layer 30 can be prevented. Therefore, the metal layer 42 and the insulating layer 20 can be firmly bonded.
  • the formed hole 26 is subjected to a desmear process, even if the hole 26 has a relatively small top diameter r1 and bottom diameter r2 and a relatively large aspect ratio, molecular bonding is performed from within the hole 26. It is possible to form a clean hole 26 from which the material such as the layer 30 and a residue such as a reaction product generated in the step of forming the hole 26 are removed. Therefore, the conduction by the hole 26 provided in the insulating layer 20 can be improved.
  • Step (E) is a step of forming a conductor layer.
  • a conductor layer 44 is formed on the surface of the metal layer 42 and the hole 26 of the structure 60 obtained in the above-described ⁇ Step (C)>. That is, the first region 44a joined to the metal layer 42 on the first main surface 20a side, the second region 44b joined to the metal layer 42 on the second main surface 20b side, and the third region 44c joined to the inner wall of the hole 26 are formed. A conductor layer 44 is formed.
  • the conductor layer 44 can be formed by a process similar to the process of forming the metal layer 42 already described. Therefore, detailed description of the conductor layer 44 is omitted.
  • the conductor layer 44 is preferably formed by an electroless plating process.
  • the metal layer 42 is formed by an electroless plating process, that is, a first electroless plating process
  • the metal layer 42 may be referred to as a first electroless plating layer.
  • the conductor layer 44 formed by the plating process may be referred to as a second electroless plating layer.
  • the metal layer 42 can be removed after achieving the purpose of preventing damage to the molecular bonding layer 30 due to a process performed after the process of forming the metal layer 42. Therefore, the step (E) may be performed after removing the metal layer 42. That is, if the conductor layer 44 is formed after the metal layer 42 is removed after the desmear process, the amount of removal in the subsequent flash etching process (the removal process of the metal layer 42 and the conductor layer 44) can be reduced, and the milder Since the removal process can be performed under appropriate conditions, further miniaturization can be realized.
  • FIG. 5 and 6 are schematic views for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • Step (F) is a step of forming a wiring layer.
  • the first wiring layer 46 and the second wiring layer 48 that are the wiring layers 40 may be formed by performing a single process at the same time, or may be formed as separate processes.
  • a protective layer such as a resist layer in order to protect the surface on the side formed at a later timing.
  • the protective layer is removed and the processing on the side formed at the later timing may be performed.
  • a mask pattern 100 is formed.
  • the mask pattern 100 is formed as a pattern that covers a region of the conductor layer 44 that is a seed layer where a wiring is not formed and exposes a region where the wiring is formed.
  • the mask pattern 100 can be formed using a conventionally known dry film (photosensitive resist film).
  • a dry film photosensitive resist film
  • As the dry film for example, “ALPHA NIT3025” (trade name) manufactured by Nichigo-Morton Co., Ltd., which is a dry film with a PET film, can be used.
  • the mask pattern 100 can be formed, for example, by bonding a dry film to the conductor layer 44 and performing an exposure process, a development process, and a cleaning process under predetermined conditions.
  • an electrolytic plating process is performed under the condition that the hole 26 that is a through hole is filled with a material, and the structure 60 in which the mask pattern 100 is formed is bonded to the conductor layer 44 by electrolysis. A plating layer 45 is formed. At this time, the through-hole wiring 50 is formed by embedding the hole 26.
  • the mask pattern 100 is stripped and removed by any suitable process according to the selected material, and a flash etching process is performed under any suitable conditions to remove the exposed conductor layer 44 and the metal layer 42 immediately below it.
  • the first wiring layer 46 is formed on the first main surface 20a side
  • the second wiring layer 48 is formed on the second main surface 20b side (see FIG. 1).
  • the wiring board 10 having the configuration already described with reference to FIG. 1 can be manufactured.
  • the process (G) of removing the metal layer 42 after a process (D) and before a process (E) is carried out. Further, it may be included. Hereinafter, this process (G) is demonstrated.
  • Step (G) is a step of removing the metal layer after step (D) and before step (E).
  • the step (E) is a step of forming the conductor layer 44 in the exposed molecular bonding layer 30 and the hole 26.
  • Process (G) can be any suitable process such as an etching process performed under conditions according to the material of the conductor layer 44.
  • the step (G) since the wiring layer 40 is formed using only the conductor layer 44 as a seed layer, the amount of the conductor to be removed when the wiring layer 40 is formed can be reduced. Since the wiring layer 40 can be patterned under milder conditions, further miniaturization of the wiring can be realized.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an end face of the wiring board cut along a cutting line passing through the hole.
  • the wiring board 10 of the second embodiment includes a circuit board 24 including an electronic circuit 24a.
  • the circuit board 24 is one or both sides of an insulating base material such as a glass epoxy board, a metal board, a polyester board, a polyimide board, a BT resin board, and a thermosetting polyphenylene ether board.
  • an insulating base material such as a glass epoxy board, a metal board, a polyester board, a polyimide board, a BT resin board, and a thermosetting polyphenylene ether board.
  • the electronic circuit 24a of the circuit board 24 has a configuration provided on only one side in the illustrated example, but is not limited thereto, and may be provided on both sides.
  • the electronic circuit 24a includes wiring, electrode pads, electronic components, and the like, and is configured to exhibit a predetermined function.
  • circuit board 24 a conventionally known arbitrary suitable circuit board provided with wiring, electronic parts, etc. having a desired function as the electronic circuit 24a can be used.
  • the thickness of the electronic circuit 24a patterned on one or both sides of the insulating base material is not particularly limited. From the viewpoint of thinning, it is preferably 70 ⁇ m or less, more preferably 60 ⁇ m or less, further preferably 50 ⁇ m or less, even more preferably 40 ⁇ m or less, particularly preferably 30 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, 15 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less. .
  • the lower limit of the thickness of the electronic circuit 24a is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m or more, more preferably 3 ⁇ m or more, and further preferably 5 ⁇ m or more.
  • the line / space ratio of the electronic circuit 24a patterned on one or both sides of the insulating base material is not particularly limited. However, from the viewpoint of obtaining a build-up insulating layer having excellent smoothness by reducing surface irregularities, it is usually 900. / 900 ⁇ m or less, preferably 700/700 ⁇ m or less, more preferably 500/500 ⁇ m or less, still more preferably 300/300 ⁇ m or less, and even more preferably 200/200 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the line / space ratio of the electronic circuit 24a is not particularly limited, but is preferably 1/1 ⁇ m or more from the viewpoint of improving the embedding of the resin composition between the spaces.
  • circuit board 24 for example, a circuit board obtained by forming wiring by patterning a copper layer using “R1515A” manufactured by Panasonic Corporation which is a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate. Is mentioned.
  • the insulating layer 20 is provided on the circuit board 24.
  • the insulating layer 20 is provided so as to cover the electronic circuit 24 a of the circuit board 24.
  • the insulating layer 20 according to the second embodiment is a build-up insulating layer. Therefore, it can form with the material used for a conventionally well-known buildup wiring board.
  • the insulating layer 20 of the second embodiment may include a sheet-like fiber substrate such as a glass cloth.
  • Examples of the sheet-like fiber substrate that can be used for the insulating layer 20 of the second embodiment include a sheet-like fiber substrate that can be included in the prepreg of the first embodiment already described.
  • the insulating layer 20 has a first main surface 20a and a second main surface 20b opposite to the first main surface 20a.
  • the molecular bonding layer 30 is provided on the first main surface 20a side.
  • the wiring board 10 has a wiring layer 40 that is a build-up wiring layer provided in the molecular bonding layer 30 on the first main surface 20a side.
  • the wiring layer 40 has a laminated structure including a conductor layer 44 bonded to the molecular bonding layer 30 and an electroplating layer 45 bonded to the conductor layer 44.
  • the wiring board 10 includes a hole 26.
  • the hole 26 according to the second embodiment is a via hole that penetrates the insulating layer 20 and the molecular bonding layer 30 on the first main surface 20a side and exposes a part of the electronic circuit 24a.
  • the conductor layer 44 defines a first region 44a which is a partial region on the first main surface 20a side, a second region 44b joined to a part of the electronic circuit 24a exposed from the hole 26, and the hole 26. And a third region 44c covering the inner wall, which are electrically connected, that is, integrally formed.
  • the electrolytic plating layer 45 is a buried region 45c that fills the hole 26 covered with the first region 45a, which is a partial region on the first main surface 20a side, and the second region 44b and the third region 44c of the conductor layer 44. These are configured to be electrically connected, that is, integrally configured.
  • the wiring layer 40 can include not only a linear wiring but also an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, for example.
  • the hole 26 which is a via hole has an inner wall covered with the second region 44b and the third region 44c of the conductor layer 44, and is joined to the second region 44b and the third region 44c.
  • the filled via 50 is embedded in the third region 45c of the wiring layer 40 and electrically connects the wiring layer 40 and the electronic circuit 24a.
  • the wiring board 10 according to the second embodiment can be a multilayer build-up wiring board in which two or more build-up layers are stacked.
  • a configuration example in which the buildup layer including the insulating layer 20 and the wiring layer 40 is provided only on one side is shown, but the present invention is not limited to this. It may be provided.
  • FIG. 8 is a schematic view of a structure used for manufacturing a wiring board.
  • the insulating layer 20 is provided on the circuit board 24, and the molecular bonding layer 30 is the first main surface opposite to the second main surface 20b to which the circuit board 24 is bonded.
  • This is a step of preparing a structure 60 provided only on the surface 20a.
  • the insulating layer 20 of the second embodiment is a build-up insulating layer.
  • the insulating layer 20 which is a build-up insulating layer will be described.
  • an adhesive film used for forming the structure 60 according to the step (A) and a manufacturing process thereof will be described.
  • the adhesive film includes an organic support and a resin composition layer provided on one main surface of the organic support.
  • Organic support examples of the material for the organic support include the same materials as the protective film 110 described in the first embodiment.
  • the glass transition temperature of the organic support is preferably 100 ° C. or higher.
  • Examples of the organic support material having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher include polyesters such as polyethylene naphthalate (PEN), acrylics such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, and triacetyl cellulose. (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyether ether ketone, polyimide and the like. Among these, polyethylene naphthalate and polyimide are preferable from the viewpoint of heat resistance.
  • polyesters such as polyethylene naphthalate (PEN), acrylics such as polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, and triacetyl cellulose. (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyether ether ketone, polyimide and the like.
  • PET polyethylene naphthalate
  • acrylics such as polycarbonate (PC) and polymethyl me
  • the organic support containing the above material may be subjected to a mat treatment or a corona treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer described later.
  • an “organic support with a release layer” having a release layer on the side to which the resin composition layer is bonded, that is, the side on which the resin composition is applied may be used (hereinafter referred to as release layer).
  • An organic support with a mold layer may be simply referred to as an organic support).
  • a mold release agent used for formation of a mold release layer of an organic support with a mold release layer for example, one or more mold release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins Is mentioned.
  • the release layer can be formed, for example, by applying a solution containing a release agent to the surface of the organic support and drying it.
  • organic support with a release layer a commercially available product may be used.
  • SK-1 manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent.
  • AL-5 a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent.
  • AL-7 a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent.
  • the thickness of the organic support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 ⁇ m to 75 ⁇ m, more preferably in the range of 10 ⁇ m to 60 ⁇ m, and still more preferably in the range of 12.5 ⁇ m to 55 ⁇ m.
  • the thickness of the resin composition layer is not particularly limited on condition that a wiring can be formed by a plating process.
  • the resin composition layer preferably has a thickness of 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m, and more preferably 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the components of the resin composition that can be used for forming the resin composition layer and the content thereof are particularly limited on the condition that the resin composition layer has sufficient hardness and insulating properties when cured to form the insulating layer 20. Not.
  • the resin composition may contain an inorganic filler, an epoxy resin, a curing agent, an organic filler, a curing accelerator, a thermoplastic resin, a flame retardant, and the like.
  • the components that can be contained in the resin composition are the same as the components that can be used in the formation of the cured prepreg 22 described in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are 1: 0 in mass ratio. It is preferably in the range of 1 to 1: 4.
  • suitable tackiness is obtained when used in the form of an adhesive film, and ii) when used in the form of an adhesive film. Sufficient flexibility is obtained, the handleability is improved, and iii) it is possible to obtain a cured product having sufficient breaking strength.
  • the quantitative ratio of liquid epoxy resin to solid epoxy resin is 1: 0.3 to 1: 3.
  • a range of 5 is more preferable, a range of 1: 0.6 to 1: 3 is further preferable, and a range of 1: 0.8 to 1: 2.5 is particularly preferable.
  • the resin composition used in the resin composition layer is prepared by appropriately mixing the above-mentioned components and, if necessary, kneading means (three rolls, ball mill, bead mill, sand mill, etc.) or stirring means (super mixer, planetary mixer) Etc.) can be prepared by kneading or mixing.
  • the production method of the adhesive film having the resin composition layer is not particularly limited.
  • a resin varnish in which the resin composition is dissolved in an organic solvent is prepared, and this resin varnish is applied to an organic support using a die coater or the like. It can produce by apply
  • the organic solvent used when preparing the resin varnish is the same as the organic solvent that can be used for forming the prepreg of the first embodiment already described.
  • the drying treatment of the coating film made of the resin varnish in the formation of the resin composition layer can be carried out by any known and suitable drying method such as heating and hot air blowing. By this drying treatment, the coating film is made into a resin composition layer.
  • the drying conditions for the drying treatment may be arbitrarily suitable in consideration of the boiling point of the organic solvent contained in the resin composition and the resin varnish.
  • the drying conditions may be, for example, 80 ° C. to 150 ° C. for about 3 minutes to 15 minutes.
  • the formation process of the adhesive film is preferably performed by a roll-to-roll method using a long support which is an organic support, and may be performed by a batch method.
  • the step of forming the adhesive film by the roll-to-roll method is specifically, while continuously conveying a long organic support stretched between at least two rolls including a winding roll and a winding roll, A resin composition is applied to one main surface of the support exposed between the unwinding roll and the winding roll to form a coating film, and the obtained coating film is continuously dried to obtain a resin composition layer This can be done.
  • an adhesive film in which a resin composition layer is provided on an organic support can be prepared.
  • a protective film bonded to the exposed surface of the resin composition layer that is not bonded to the organic support is further added. It is preferable to provide it.
  • This protective film contributes to the prevention of adhesion and scratches of dust and the like to the resin composition layer.
  • a protective film a polypropylene film, a polyethylene film, etc. can be used, for example.
  • the film which consists of the same material as the material of an organic support body can be used.
  • the thickness of the protective film is not particularly limited and is, for example, 1 ⁇ m to 40 ⁇ m. The thickness of the protective film is preferably thinner than the thickness of the organic support.
  • the conditions for the laminating step are not particularly limited, and known conditions used for forming an insulating layer (build-up insulating layer) using an adhesive film can be employed.
  • it can be performed by pressing a heated metal plate such as a stainless steel mirror plate from the organic support side of the adhesive film.
  • the metal plate is not pressed directly, but is pressed through an elastic member made of heat-resistant rubber or the like so that the adhesive film sufficiently follows the irregularities on the surface of the circuit board 24 provided with the electronic circuit 24a. It is preferable to carry out.
  • the pressing temperature is preferably in the range of 70 ° C. to 140 ° C.
  • the pressing pressure is preferably in the range of 1 kgf / cm 2 to 11 kgf / cm 2 (0.098 MPa to 1.079 MPa)
  • the pressing time is preferably 5 The range is from 2 seconds to 3 minutes.
  • the laminating step is preferably performed under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less.
  • the laminating step can be performed using a commercially available vacuum laminator.
  • Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton, and the like.
  • a smoothing step of heating and pressurizing the adhesive film laminated on the circuit board 24 may be performed.
  • the smoothing step is generally performed by heating and pressing the adhesive film laminated on the circuit board 24 with a heated metal plate or metal roll under normal pressure (atmospheric pressure).
  • the conditions for the heating and pressure treatment can be the same as the conditions for the laminating step.
  • the laminating step and the smoothing step can be continuously performed using the same vacuum laminator.
  • the process which peels the organic support derived from an adhesive film at the arbitrary timings after implementation of the said lamination process or the said smoothing process is performed.
  • the step of peeling the organic support can be performed mechanically by, for example, a commercially available automatic peeling device.
  • an insulating layer (build-up insulating layer) is formed by performing a thermosetting step of thermosetting the resin composition layer laminated on the circuit board 24.
  • the conditions for the thermosetting process are not particularly limited, and conditions usually employed when forming the insulating layer of the multilayer printed wiring board can be applied.
  • the conditions of the thermosetting step can be arbitrarily selected depending on the composition of the resin composition used for the resin composition layer.
  • the conditions of the heat curing step are, for example, a curing temperature in a range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in a range of 150 ° C. to 210 ° C., more preferably in a range of 170 ° C. to 190 ° C.), and a curing time of 5 minutes to 90 minutes. (Preferably 10 minutes to 75 minutes, more preferably 15 minutes to 60 minutes).
  • a step of preheating the resin composition layer at a temperature lower than the curing temperature may be performed.
  • the resin composition layer Prior to carrying out the thermosetting step, the resin composition layer is kept at a temperature of, for example, 50 ° C. or more and less than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or more and 110 ° C. or less, more preferably 70 ° C. or more and 100 ° C. or less) for 5 minutes or more (preferably May be preheated for 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).
  • Preheating is preferably performed under atmospheric pressure (normal pressure).
  • the molecular bonding layer 30 provided on the first main surface 20a of the insulating layer 20 can be formed by a method suitable for the selected molecular bonding agent.
  • the example of the molecular bonding agent that is the material of the molecular bonding layer 30 according to the second embodiment and the method of forming the molecular bonding layer 30 are as already described in the first embodiment.
  • the step (A) is preferably a step of preparing a structure 60 further including a protective film 110 bonded to the molecular bonding layer 30.
  • the protective film 110 may be laminated so as to cover the first main surface 20a side of the insulating layer 20.
  • the details of the protective film 110 are the same as those already described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • the structure 60 shown in FIG. 8 in which the insulating layer 20 is provided on the circuit board 24 and the molecular bonding layer 30 is provided only on the first main surface 20a of the insulating layer 20 is prepared.
  • FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • step (B) according to the second embodiment when the protective film 110 is provided, the molecular bonding layer 30 exposed by peeling off the protective film 110 from the structure 60.
  • This is a step of forming the metal layer 42 to be bonded to the substrate.
  • the metal layer 42 can be formed by a plating process such as an electroless plating process using the suitable material already described.
  • the step (B) is preferably a step of forming the metal layer 42 by an electroless plating step (first electroless plating step) using copper as a material.
  • the details of the metal layer 42 are the same as those already described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the wiring board.
  • the laser irradiation is performed from the first main surface 20a side of the structure 60 obtained in the above-mentioned ⁇ Step (B)>, thereby the metal layer 42 and the molecular bonding.
  • a hole 26 that is a via hole in the second embodiment is formed through the layer 30 and the insulating layer 20 to expose a part of the electronic circuit 24a.
  • the details of the laser irradiation and the details of the hole 26 are the same as those already described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • a process (D) is a process of performing a desmear process with respect to a hole. This desmear process may be a wet desmear process or a dry desmear process.
  • the method of manufacturing the wiring board 10 according to the second embodiment it is not necessary to perform the roughening process on the insulating layer 20, and the flatness of the insulating layer 20 is maintained. can do. Further, since the metal layer 42 covering the molecular bonding layer 30 is formed and the hole 26 is formed in a state where the molecular bonding layer 30 is protected by the metal layer 42, the molecular bonding between the conductor layer 44 and the insulating layer 20 is performed. A decrease in bonding force due to the layer 30 can be prevented. Therefore, the conductor layer 44 and the insulating layer 20 can be firmly joined.
  • the formed hole 26 is subjected to a desmear process, even if the hole 26 has a relatively small top diameter r1 and bottom diameter r2 and a relatively large aspect ratio, molecular bonding is performed from within the hole 26. It is possible to form a clean hole 26 from which the material such as the layer 30 and a residue such as a reaction product generated in the step of forming the hole 26 are removed. Therefore, the conduction by the hole 26 provided in the insulating layer 20 can be improved.
  • Step (E) is a step of forming a conductor layer.
  • the exposed molecular bonding layer 30, the inner wall of the hole 26, and a part of the electronic circuit 24 a exposed from the hole 26 are bonded.
  • the conductor layer 44 is formed. That is, the first region 44a bonded to the molecular bonding layer 30 on the first main surface 20a side, the second region 44b bonded to a part of the electronic circuit 24a exposed from the hole 26, and the third region bonded to the inner wall of the hole 26 A conductor layer 44 including 44c is formed.
  • the conductor layer 44 can be formed by a process similar to the process of forming the metal layer 42 already described in the first embodiment. Therefore, detailed description of the conductor layer 44 is omitted.
  • the conductor layer 44 is formed so as to be bonded to the molecular bonding layer 30. Therefore, the process (G) for removing the metal layer 42 is performed before the process (E) is performed. Since this step (G) has already been described in the first embodiment, a description thereof will be omitted.
  • the step (G) since the wiring layer 40 is formed using only the conductor layer 44 as a seed layer, the amount of the conductor to be removed when the wiring layer 40 is formed can be reduced. Since the wiring layer can be patterned under milder conditions, further miniaturization of the wiring can be realized. Therefore, the aspect which performs a process (E) following implementation of a process (G) can be applied suitably for formation of the buildup wiring layer in which refinement
  • the step (E) can be carried out without carrying out the step (G).
  • Step (F) is a step of forming a wiring layer.
  • the wiring layer 40 is preferably formed by a semi-additive method using the conductor layer 44 as a seed layer.
  • the wiring layer 40 is formed by the semi-additive method will be described.
  • a mask pattern 100 is formed.
  • the mask pattern 100 is formed as a pattern that covers a region of the conductor layer 44 that is a seed layer where a wiring is not formed and exposes a region where the wiring is formed.
  • the mask pattern 100 is the same as that described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • an electrolytic plating process is performed under the condition that the hole 26 that is a via hole is filled with a material, and the structure 60 in which the mask pattern 100 is formed is formed on the first main surface 20 a side. Then, an electrolytic plating layer 45 including a first region 45a provided so as to be joined to the first region 44a of the conductor layer 44 and an embedded region 45c in which the hole 26 is embedded is formed. At this time, the filled via 50 is formed by embedding the hole 26.
  • the mask pattern 100 is peeled and removed, and a flash etching process is performed under any suitable conditions for removing the exposed conductor layer 44, thereby forming the wiring layer 40 as a build-up wiring layer on the first main surface 20a side. Form.
  • the wiring board 10 having the configuration already described with reference to FIG. 7 can be manufactured.
  • the wiring board 10 that has been subjected to the step (F) is used. Further, the series of steps from the step (A) to the step (F) may be repeated one more times.
  • the wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention can be used as a wiring board for mounting electronic components such as semiconductor chips.
  • various types of semiconductor devices can be manufactured.
  • a semiconductor device including such a wiring board can be suitably used for electrical products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, and televisions) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, and aircrafts). .
  • part means “part by mass”.
  • LA-7054 manufactured by DIC Corporation, MEK solution having a hydroxyl equivalent of 125 and a non-volatile component of 60%
  • active ester curing agent an active ester curing agent
  • HPC8000-65T manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 223, non-volatile component 65% by weight toluene solution
  • curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, non-volatile component 5% by mass MEK solution) 4 Part
  • spherical silica surface treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle size 0.5 ⁇ m, “SOC2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., carbon per unit area) 0.39 mg / m 2 ) 160 parts
  • flame retardant (“HCA-HQ-HST” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10- (2,5-dihydroxyphene) Nyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide (average particle size 2 ⁇ m) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare resin varnish 1 .
  • a glass cloth having a thickness of 30 ⁇ m (“1067NS” manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.) was immersed and impregnated in the resin varnish 1 by heating, and the solvent was volatilized by heating to form a prepreg.
  • the prepreg was dried so that the amount of the solvent remaining in the prepreg was 0.5%, and the thickness of the prepreg was 50 ⁇ m, and wound into a roll.
  • the thickness of the prepreg was measured using a contact-type thickness gauge (“MCD-25MJ” manufactured by Mitutoyo Corporation).
  • the solution was dissolved while heating. After cooling to room temperature (room temperature), there are 12 parts of a triazine skeleton-containing phenol novolak curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, a hydroxyl group equivalent of 125, a MEK solution with a nonvolatile component of 60%), naphthol curing.
  • LA-7054 triazine skeleton-containing phenol novolak curing agent manufactured by DIC Corporation, a hydroxyl group equivalent of 125, a MEK solution with a nonvolatile component of 60%
  • SN-485 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., MEK solution having a hydroxyl equivalent weight of 215 and a nonvolatile component of 60%
  • polyvinyl acetal resin solution (“KS-1” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), 25 parts of a 15% nonvolatile component ethanol / toluene mixed solution) 25 parts, 1 part of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, 5% by weight nonvolatile component MEK solution), phenylaminosilane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM573”) surface-treated spherical silica (average particle size 0.24 ⁇ m, Admatechs Co., Ltd.
  • the resin composition layer after drying has a thickness of 30 ⁇ m on the release layer side of the PET film with an alkyd release layer (“AL5” manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness 38 ⁇ m) that is an organic support.
  • AL5 alkyd release layer
  • the resin varnish 2 was uniformly applied and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 4 minutes to produce an adhesive film.
  • the thickness of the resin composition layer was measured using a contact-type layer thickness meter (“MCD-25MJ” manufactured by Mitutoyo Corporation).
  • Example 1 Vacuum hot pressing step
  • the prepreg formed in the above ⁇ Formation of prepreg> is cut into a 250 mm square and cushion paper (“ACP-9N” manufactured by Awa Paper Co., Ltd., thickness 800 ⁇ m) / stainless steel (SUS) Plate (thickness 1 mm) / release sheet (“Aflex 50N NT” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., thickness 50 ⁇ m) / prepreg / release sheet / SUS board / cushion paper are stacked in this order to form a vacuum hot press device (Kitakawa Using a “VH1-1603” manufactured by Seiki Co., Ltd., a vacuum hot pressing step was performed to form a cured prepreg.
  • ACP-9N manufactured by Awa Paper Co., Ltd., thickness 800 ⁇ m
  • SUS stainless steel
  • the implementation conditions of the vacuum hot press process are as follows. Temperature: Increased from room temperature (room temperature) to 200 ° C. at a rate of temperature increase of 5 ° C./min, held at 200 ° C. for 90 minutes, and then decreased to room temperature at a rate of temperature decrease of 5 ° C./min. 0 kg / cm 2 ) held for 20 minutes, and when the temperature reaches about 125 ° C., the pressing force is set to 50 kg / cm 2 , and this is held until the end of temperature drop: 70 mm / hg to 74 mm / hg (9.3 ⁇ 10 -3 MPa to 9.9 ⁇ 10 -3 MPa)
  • a through-hole penetrating the metal layer and the cured prepreg was formed by drilling using a CO 2 laser processing machine “LC-2k212 / 2C” manufactured by Hitachi Via Mechanics Co., Ltd. .
  • the top diameter (diameter) of the through hole on the surface of the cured prepreg was 65 ⁇ m.
  • the drilling was performed in a cycle mode with a mask diameter of 3.5 mm, a power of 1 W, a frequency of 2000 Hz, a pulse width of 4 ⁇ s, a shot number of 3, and the like.
  • Conductive layer formation process In order to form a conductive layer on the surface of the metal layer and in the through-hole, again in the electroless plating process (the following electroless copper plating process using chemicals manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) A certain second electroless plating step) was performed to form a conductor layer (second electroless plating layer).
  • the thickness of the formed conductor layer was 0.8 ⁇ m.
  • the total thickness of the metal layer and the conductor layer on the surface of the cured prepreg was about 1.3 ⁇ m.
  • Alkali cleaning cleaning of the surface of the metal layer and the surface in the through hole and charge adjustment
  • Washing was performed at 60 ° C. for 2 minutes using “Cleaning Cleaner Security 902” (trade name).
  • Pre-dip adjustment of the charge on the surface of the metal layer and the surface of the through hole for Pd application
  • Pre. Dip Neoganth B (trade name)
  • the treatment was performed at room temperature for 1 minute.
  • Activator Applying Pd to the surface of the metal layer and the surface of the through hole
  • Activator Neoganth 834 (trade name)
  • Reduction reduction of Pd applied to the surface of the metal layer and the surface of the through hole
  • Electroless copper plating (Cu is deposited on the surface of the metal layer and the surface of the through hole (Pd surface))
  • a mixture of "Basic Solution Printganth MSK-DK” trade name
  • Copper solution Printganth MSK trade name
  • Stabilizer Printganth MSK-DK trade name
  • Reducer Cu trade name
  • Wiring layer forming step ⁇ Mask pattern forming step> the surface of the structure was treated with 5% sulfuric acid aqueous solution for 30 seconds to form “ALPHON NIT3025” (trade name) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd., which is a dry film with a 25 ⁇ m thick mask pattern forming PET film. It laminated
  • MVLP-500 trade name
  • L (line: line width of the dry film) / S (space: spacing between the linear dry films) 8 ⁇ m / 8 ⁇ m, that is, 16 ⁇ m pitch comb-tooth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines)
  • L / S 10 ⁇ m / 10 ⁇ m, that is, 20 ⁇ m pitch comb-teeth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines),
  • L / S 15 ⁇ m / 15 ⁇ m, ie, 30 ⁇ m pitch comb-teeth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines)
  • a mask photomask is placed on the PET film side, which is the protective layer of each dry film provided on both sides of the structure, and UV light of 150 mJ / cm 2 is provided on both sides of the structure using a UV lamp. An exposure process for irradiating each dry film was performed to form a mask pattern.
  • a spray treatment was performed in which a 1% sodium carbonate aqueous solution at a temperature of 30 ° C. was sprayed onto the structure at a pressure of 0.15 MPa for 30 seconds.
  • Electrolytic plating process electrolytic copper plating process
  • An electrolytic plating layer electrolytic copper plating layer was formed on the conductor layer, and a through-hole was embedded to form a through-hole wiring.
  • Example 2 Ground treatment of circuit board Glass cloth base material epoxy resin double-sided copper clad laminate on which an electronic circuit (wiring layer) is formed (copper layer (wiring layer) thickness 18 ⁇ m, base material thickness 0.3 mm, The copper layer was removed by etching 1 ⁇ m of the thickness of the copper layer with a micro-etching agent (“CZ8100” manufactured by Mec Co., Ltd.) on both sides of the “R1515A” (circuit board) manufactured by Panasonic Corporation. The surface was subjected to desmear treatment.
  • a micro-etching agent (“CZ8100” manufactured by Mec Co., Ltd.)
  • epoxy silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-glycidoxypropyl
  • Metal layer forming step In order to form a metal layer on the surface of the circuit board (structure) on which the molecular bonding layer is formed, the first electroless plating step similar to Example 1 already described (Atotech Japan) (Electroless copper plating step using a pharmaceutical solution). The thickness of the metal layer (first electroless plating layer) formed by the first electroless plating process was 0.5 ⁇ m.
  • Desmear treatment The structure in which the via hole is formed is immersed in “Swelling Dip Securigans P” containing diethylene glycol monobutyl ether of Atotech Japan Co., Ltd., which is a swelling liquid, at 60 ° C. for 5 minutes. Next, as a roughening solution, it was immersed in “Concentrate Compact P” (KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) of Atotech Japan for 15 minutes at 80 ° C. As a Japanese liquid, a via hole desmear treatment was performed by dipping in “Reduction Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. for 5 minutes at 40 ° C. and then drying at 130 ° C. for 15 minutes.
  • “Swelling Dip Securigans P” containing diethylene glycol monobutyl ether of Atotech Japan Co., Ltd., which is a swelling liquid, at 60 ° C. for 5 minutes.
  • Conductive layer forming step In order to form a conductive layer on the molecular bonding layer exposed by removing the metal layer, a second electroless plating step (electroless copper plating using Atotech Japan Co., Ltd. pharmaceutical solution) Step).
  • the thickness of the formed conductor layer was 0.8 ⁇ m.
  • L (line: line width of the dry film) / S (space: spacing between the linear dry films) 8 ⁇ m / 8 ⁇ m, that is, 16 ⁇ m pitch comb-tooth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines)
  • L / S 10 ⁇ m / 10 ⁇ m, that is, 20 ⁇ m pitch comb-teeth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines),
  • L / S 15 ⁇ m / 15 ⁇ m, ie, 30 ⁇ m pitch comb-teeth pattern (wiring length 15 mm, 16 lines)
  • a mask photomask is placed on the PET film side, which is a protective layer of a dry film laminated on the top diameter side of the via hole, and an exposure process of irradiating UV light of 150 mJ / cm 2 using a UV lamp is performed. A mask pattern was formed. Note that the entire surface of the dry film laminated on the bottom diameter side of the via hole was exposed to form a mask pattern covering the entire
  • a spray treatment was performed in which a 1% sodium carbonate aqueous solution at a temperature of 30 ° C. was sprayed onto the structure at a pressure of 0.15 MPa for 30 seconds.
  • the mask pattern was peeled from both surfaces of the structure by spraying the structure with a 3% NaOH solution at a temperature of 50 ° C. at a pressure of 0.2 MPa.
  • an etchant for SAC process flash etching process manufactured by Sakakibara Denshi Co., Ltd.
  • only the exposed conductor layer is removed by removing the mask pattern, and a wiring layer including a plurality of fine wirings is obtained. Formed.
  • the wiring board concerning Example 2 was manufactured according to the above process.
  • Comparative Example 1 By performing the roughening treatment process that also serves as the desmear treatment process after forming the through hole, and then performing the formation process of the molecular bonding layer, by performing the process up to forming the wiring layer in the same manner as in Example 1, A wiring board according to Comparative Example 1 was manufactured.
  • Example 2 except that a via hole is formed after the molecular bonding layer is formed, then a roughening treatment step that also serves as a desmear treatment step is performed, and then a step of forming a conductor layer without forming a metal layer is performed. Similarly, the wiring board concerning the comparative example 2 was manufactured by performing even the process of forming a wiring layer.
  • Example 1 Each wiring formed in Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 was checked for the presence or absence of peeling with an optical microscope, and further checked for the presence or absence of a conductor layer (and metal layer) residue to be removed. Confirmed and evaluated.
  • the evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 2 below. Evaluation criteria ⁇ : No problem with 9 or more of the 10 linear portions of the comb pattern ⁇ : No problem with 2 or more of the 10 linear portions of the comb pattern
  • Example 1 and Example 2 As is clear from Table 2, in the wiring boards manufactured in Example 1 and Example 2, the minimum wiring pitch could be 20 ⁇ m or less, and fine wiring could be realized. Moreover, in Example 1 and Example 2, it became clear that it has the peel strength which is not inferior compared with the comparative example 1 and the comparative example 2 which performed the roughening process as usual. On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, since the roughening process is carried out, the surface roughness (Ra and Rq) is large, and due to this surface roughness, the minimum wiring pitch is 20 ⁇ m or less. I could't.

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Abstract

　微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板の製造方法。工程（Ａ）第１主表面（２０ａ）及び第１主表面と対向する第２主表面（２０ｂ）を有している絶縁層（２０）、第１主表面のみ又は第１主表面及び第２主表面の両方に設けられている分子接合層（３０）を備える構造体を用意する工程と、工程（Ｂ）分子接合層に接合する金属層（４２）を形成する工程と、工程（Ｃ）レーザー照射を行って、金属層、分子接合層、及び絶縁層を貫通する孔部（２６）を形成する工程と、工程（Ｄ）孔部に対してデスミア処理を行う工程と、工程（Ｅ）導体層（４４）を形成する工程と、工程（Ｆ）配線層（４０）を形成する工程とを含む、配線板（１０）の製造方法。

Description

配線板の製造方法
　本発明は、配線板の製造方法に関する。
　近年、電子機器の小型化、薄型化がますます求められている。このため電子機器の製造に用いられる配線板において、配線のさらなる微細化が求められている。
　絶縁層に配線層を形成するにあたり、絶縁層の表面を粗化処理して形成した絶縁層の表面の凹凸を利用して生じさせる結合力により、配線層と絶縁層とを接合する技術が知られている。しかしながら、絶縁層の表面の凹凸を粗化処理により形成する場合には、かかる凹凸の存在により精度よく配線を形成することが困難であるため、さらなる微細配線化が難しい。
　配線板における配線のさらなる微細化のため、絶縁層の表面に分子接合層を形成し、この分子接合層により化学的な接着力によって配線層と絶縁層とを接合する配線板の製造方法が知られている（非特許文献１参照。）。こうした分子接合層を構成するための分子接合剤としては、種々の構造を有する化合物が知られている（特許文献１参照。）。
国際公開第２０１２／０４３６３１号
エレクトロニクス実装学会誌　Ｖｏｌ．１６　Ｎｏ．６（２０１３）、４５０－４５６
　前記非特許文献１が開示するフレキシブル配線基板の製造方法によれば、絶縁層（ポリイミドフィルム）に孔部を設けた後に分子接合層を形成している。よって、孔部の内壁に加え、孔部がビアホールである場合には、この孔部から露出する配線の表面にも分子接合層が形成されるため、その後に形成されるフィルドビアによる電気的な接続が確立できなかったり、電気的な抵抗が大きくなってしまったりするおそれがある。
　そこで本発明は、配線のさらなる微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板の製造方法を提供することを目的とする。
　すなわち、本発明は下記〔１〕～〔７〕を提供する。
〔１〕工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、
　工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、
　工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、
　工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、
　工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、
　工程（Ｆ）配線層を形成する工程と
を含む、配線板の製造方法。
［２］前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が硬化プリプレグであり、前記分子接合層が前記絶縁層の前記第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている構造体を用意する工程である、［１］に記載の配線板の製造方法。
［３］前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が回路基板に設けられ、前記分子接合層が該回路基板が接合されている前記第２主表面とは反対側の前記第１主表面のみに設けられている構造体を用意する工程である、［１］に記載の配線板の製造方法。
［４］前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムをさらに備える構造体を用意する工程であり、
　前記工程（Ｂ）が、前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［５］前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムを設ける工程をさらに含み、
　前記工程（Ｂ）が、前記構造体から前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［６］前記工程（Ｄ）の後であって前記工程（Ｅ）の前に、工程（Ｇ）前記金属層を除去する工程をさらに含み、
　前記工程（Ｅ）が、露出した前記分子接合層及び前記孔部に、導体層を形成する工程である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
［７］前記工程（Ｂ）が、無電解めっき工程により金属層を形成する工程である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の配線板の製造方法。
　本発明の配線板の製造方法によれば、従来のように粗化処理工程を行わずとも良好なピール強度を維持しつつさらなる微細配線化を実現することができ、かつ絶縁層に設けられた孔部による電気的な接続をより確実にすることができる配線板を提供することができる。
図１は、孔部を通る切断線で切断した配線板の切断端面を示す模式的な図である。 図２は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。 図３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図５は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図７は、孔部を通る切断線で切断した配線板の端面を示す模式的な図である。 図８は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。 図９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図１０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図１１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図１２は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。 図１３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
　本発明の配線板の製造方法は、工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、工程（Ｆ）配線層を形成する工程とを含む。
　以下、本発明の第１の実施形態（絶縁層がコア基材である配線板）及び第２の実施形態（絶縁層がビルドアップ絶縁層であるビルドアップ配線板）にかかる配線板の製造方法についてそれぞれ説明する。
１．第１の実施形態
　〔配線板〕
　まず、本発明の第１の実施形態にかかる配線板の製造方法により製造される配線板の構成例について、図１を参照して説明する。図１は、孔部を通る切断線で切断した配線板の模式的な図である。
　図１に示されるように、第１の実施形態の配線板１０は、絶層層２０を備えている。絶縁層２０は、第１主表面２０ａ、及び該第１主表面２０ａと対向する第２主表面２０ｂを有している。
　第１の実施形態の絶縁層２０は、プリプレグが硬化された硬化プリプレグ２２である。
　第１の実施形態の配線板１０には、第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に分子接合層３０が設けられている。分子接合層３０は、互いに異なる材料により形成される絶縁層２０と金属層４２とを化学的な接着力により接合させる機能を有している。
　以下、絶縁層２０、分子接合層３０などを含む、配線板１０の製造中途の構造体を単に「構造体」という場合がある。
　第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の分子接合層３０には、金属層４２が設けられている。金属層４２の材料は、後述する工程（Ｄ）のデスミア処理に耐え得る材料であれば特に限定されない。金属層４２の材料の例としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）が挙げられる。金属層４２の厚さは、分子接合層３０を金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による損傷を防止することができ、後述する配線形成工程におけるフラッシュエッチング工程などの除去工程による除去を行うことができることを条件として、特に限定されない。金属層４２の厚さは、一般に０．１μｍ～５μｍであり、好ましくは０．３μｍ～２μｍである。
　なお、この金属層４２は、金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による分子結合層３０の損傷を防止することを目的としているので、かかる目的を達成した後には除去することができる。よって、第１の実施形態の配線板１０には、金属層４２が設けられていない形態も含まれる。
　配線板１０は、孔部２６を備えている。第１の実施形態にかかる孔部２６は、絶縁層２０、第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の分子接合層３０、第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方の金属層４２を貫通するスルーホールである。
　配線板１０は、配線層４０を有している。第１の実施形態の配線板１０は、第１主表面２０ａ側に設けられている第１配線層４６と第２主表面２０ｂ側に設けられている第２配線層４８とを含む。
　第１配線層４６は、その厚さ方向で見たときに、金属層４２のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４２ａと、金属層４２の第１領域４２ａに接合されている導体層４４のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４４ａと、導体層４４の第１領域４４ａに接合されている、電解めっき層４５のうちの第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４５ａとを含んでいる。
　第２配線層４８は、その厚さ方向で見たときに、金属層４２のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４２ｂと、金属層４２の第２領域４２ｂに接合されている導体層４４のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４４ｂと、導体層４４の第２領域４４ｂに接合されている、電解めっき層４５のうちの第２主表面２０ｂ側の部分領域である第２領域４５ｂとを含んでいる。
　換言すると、第１配線層４６は、金属層４２の第１領域４２ａと、導体層４４の第１領域４４ａと、電解めっき層４５の第１領域４５ａとが積層されることにより構成されている。また第２配線層４８は、金属層４２の第２領域４２ｂと、導体層４４の第２領域４４ｂと、電解めっき層４５の第２領域４５ｂとが積層されることにより構成されている。
　なお、第１配線層４６及び第２配線層４８は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。
　スルーホールである孔部２６は、その内壁が導体層４４のうちの第３領域４４ｃにより覆われており、かつこの第３領域４４ｃに接合する電解めっき層４５のうちの埋込領域４５ｃにより埋め込まれて、第１配線層４６と第２配線層４８とを電気的に接続するスルーホール内配線５０とされている。
　導体層４４の第１領域４４ａ、第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃは電気的に接続されるように一体的に構成されていてもよく、電解めっき層４５の第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第３領域４５ｃは電気的に接続されるように一体的に構成されていてもよい。
　〔配線板の製造方法〕
　以下、本発明の第１の実施形態にかかる配線板の製造方法について説明する。
　本発明の配線板の製造方法にかかる工程（Ａ）は、第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層、第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられた分子接合層を備える構造体を用意する工程である。
　＜工程（Ａ）＞
　図２を参照して、第１の実施形態にかかる工程（Ａ）で用意される構造体について説明する。図２は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
　第１の実施形態にかかる工程（Ａ）は、絶縁層２０が硬化プリプレグであり、分子接合層３０が絶縁層２０の第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に設けられている構造体６０を用意する工程である。
　前記の通り、第１の実施形態の絶縁層２０は、硬化プリプレグである。以下、絶縁層２０である硬化プリプレグ２２について説明する。
　（硬化プリプレグ）
　硬化プリプレグ２２は、シート状繊維基材に樹脂組成物を含浸させたシート状のプリプレグを硬化した構造体である。硬化プリプレグ２２としては、配線板１０の用途に応じた任意好適なプリプレグを用いて形成することができる。
　硬化プリプレグ２２、その材料であるプリプレグに含まれ得るシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用のシート状繊維基材として常用されている基材を用いることができる。配線板１０の用途により硬化プリプレグ２２、プリプレグの厚さは任意好適な厚さとすることができる。配線板１０のさらなる薄型化の観点から、厚さが１０μｍ～１５０μｍのシート状繊維基材が好適に用いられ、特に厚さが１０μｍ～１００μｍのシート状繊維基材、厚さが１０μｍ～５０μｍのシート状繊維基材、厚さが１０μｍ～３０μｍのシート状繊維基材が好適に用いられる。
　シート状繊維基材として用いられ得るガラスクロスの具体例としては、旭シュエーベル（株）製「スタイル１０２７ＭＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量２０ｇ／ｍ２、厚さ１９μｍ）、旭シュエーベル（株）製「スタイル１０３７ＭＳ」（経糸密度７０本／２５ｍｍ、緯糸密度７３本／２５ｍｍ、布重量２４ｇ／ｍ２、厚さ２８μｍ）、（株）有沢製作所製「１０７８」（経糸密度５４本／２５ｍｍ、緯糸密度５４本／２５ｍｍ、布重量４８ｇ／ｍ２、厚さ４３μｍ）、（株）有沢製作所製「１０６７ＮＳ」、（株）有沢製作所製「１０３７ＮＳ」（経糸密度７２本／２５ｍｍ、緯糸密度６９本／２５ｍｍ、布重量２３ｇ／ｍ２、厚さ２１μｍ）、（株）有沢製作所製「１０２７ＮＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量１９．５ｇ／ｍ２、厚さ１６μｍ）、（株）有沢製作所製「１０１５ＮＳ」（経糸密度９５本／２５ｍｍ、緯糸密度９５本／２５ｍｍ、布重量１７．５ｇ／ｍ２、厚さ１５μｍ）、（株）有沢製作所製「１０００ＮＳ」（経糸密度８５本／２５ｍｍ、緯糸密度８５本／２５ｍｍ、布重量１１ｇ／ｍ２、厚さ１０μｍ）等が挙げられる。また液晶ポリマー不織布の具体例としては、（株）クラレ製の、芳香族ポリエステル不織布のメルトブロー法による「ベクルス」（目付け量６ｇ／ｍ２～１５ｇ／ｍ２）や「ベクトラン」などが挙げられる。
　（樹脂組成物）
　プリプレグの形成に用いられ得る樹脂組成物の成分及びその含有量は、硬化プリプレグとされたときに十分な硬度と絶縁性とを有していることを条件として特に限定されない。
　以下、プリプレグの形成に用いられ得る樹脂組成物の詳細について説明する。なお、樹脂組成物の成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計を１００質量％としたときの量として示す。
　プリプレグの材料、すなわち硬化プリプレグ２２の材料として用いられる樹脂組成物は成分として、無機充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、有機充填材、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、難燃剤等を含んでいてもよい。ここで樹脂組成物が含み得る前記成分それぞれについて説明する。
　－無機充填材－
　樹脂組成物は、硬化されたときの熱膨張率を低下させて熱膨張率の差によるクラック、回路歪みなどの不具合の発生を抑制し、溶融粘度の過度の低下を抑制する観点から無機充填材を含むことが好ましい。
　無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、炭酸バリウム、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化マンガン、炭酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、リン酸ジルコニウム、リン酸タングステン酸ジルコニウム、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球状（溶融）シリカとしては、例えば、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ１」、「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ４」、「ＳＯＣ５」、「ＳＯＣ６」が挙げられる。
　無機充填材の平均粒径は、樹脂組成物の流動性を高める観点から、０．０１μｍ～４μｍの範囲であることが好ましく、０．０５μｍ～２．５μｍの範囲であることがより好ましく、０．１μｍ～１．５μｍの範囲であることがさらに好ましく、０．３μｍ～１．０μｍの範囲であることがさらにより好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。この場合には無機充填材を超音波により水中に分散させた測定サンプルを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ－５００」等を使用することができる。
　無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。このような表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。
　表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。次いで、上澄液を除去し、不揮発成分（固形分）を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。
　無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上であることが好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上であることがより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上であることがさらに好ましい。他方、溶融粘度の上昇を抑制する観点から、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、１ｍｇ／ｍ２以下であることが好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下であることがより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下であることがさらに好ましい。
　－有機充填材－
　樹脂組成物は、めっき工程により形成される層との密着性を向上させる観点から有機充填材を含むことが好ましい。有機充填材の例としては、ゴム粒子が挙げられる。有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、後述するエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないゴム粒子が使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム粒子の成分の分子量を有機溶剤、樹脂に溶解しない程度まで大きくし、粒子状とすることで調製される。
　有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、内層のコア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のゴム粒子などが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。用い得るゴム粒子の例としてはガンツ（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」が挙げられる。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　有機充填材であるゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ～１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ～０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子（株）製「ＦＰＡＲ－１０００」）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。
　－エポキシ樹脂－
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を付与することができる。
　液状エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、２官能脂肪族エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ１００７」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＹＬ７４１０」（２官能脂肪族エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　固体状エポキシ樹脂としては、例えば、結晶性２官能エポキシ樹脂、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が挙げられる。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１－Ｇ３」、「ＨＰ－６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、結晶性２官能エポキシ樹脂である「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。
　エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１～１：４の範囲であることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化体を得ることができるなどの効果が得られる。このような効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３～１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６～１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８～１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
　樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％～５０質量％であることが好ましく、５質量％～４５質量％であることがより好ましく、５質量％～４０質量％であることがさらに好ましく、７質量％～３５質量％であることが特に好ましい。
　エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０～３０００の範囲であり、より好ましくは８０～２０００の範囲であり、さらに好ましくは１１０～１０００の範囲である。このような範囲とすることで、架橋密度が十分な硬化体を得ることができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６として規格化された方法に従って測定することができる。ここでエポキシ当量とは１当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量である。
　－硬化剤－
　硬化剤としては、前記エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、例えば、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が挙げられる。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬（株）製「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。
　活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤としては、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られる硬化剤が好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型のジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。
　活性エステル系硬化剤としては、具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。
　活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物として、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＤＣ８０８」、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＹＬＨ１０２６」などが挙げられる。
　ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、例えば、昭和高分子（株）製「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。
　シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され３量体とされたプレポリマー）等が挙げられる。
　カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製「Ｖ－０３」、「Ｖ－０７」等が挙げられる。
　エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２～１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３～１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４～１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化体としたときの耐熱性がより向上する。
　硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、硬化剤の反応基の合計数との比が、好ましくは１：０．２～１：２の範囲であり、より好ましくは１：０．３～１：１．５の範囲であり、さらに好ましくは１：０．４～１：１の範囲である。
　樹脂組成物は、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は１：０．１～１：４の範囲であることが好ましく、１：０．３～１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６～１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８～１：２．５の範囲が特に好ましい）を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上（好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、より好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、さらに好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を含む硬化剤）を、それぞれ含むことが好ましい。
　－熱可塑性樹脂－
　熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８０００～７００００の範囲であることが好ましく、１００００～６００００の範囲であることがより好ましく、２００００～６００００の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製「ＬＣ－９Ａ／ＲＩＤ－６Ａ」を、カラムとして昭和電工（株）製「Ｓｈｏｄｅｘ　Ｋ－８００Ｐ／Ｋ－８０４Ｌ／Ｋ－８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
　フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
　アクリル樹脂としては、熱膨張率及び弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。
　官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００～１００００００であり、より好ましくは３００００～９０００００である。
　官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００～５００００であり、より好ましくは２５００～３００００である。
　ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ－８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ－Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。
　ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール「４０００－２」、「５０００－Ａ」、「６０００－Ｃ」、「６０００－ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ－１」などのＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
　ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報に記載されているポリイミド樹脂）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等に記載されているポリイミド樹脂）等の変性ポリイミドが挙げられる。
　ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
　ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
　ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
　樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．１質量％～２０質量％であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量をかかる範囲内とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物層を形成することができる。
　－硬化促進剤－
　硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられる。
　リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
　アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられる。
　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
　グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。
　硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤との不揮発成分の合計量を１００質量％としたとき、０．０５質量％～３質量％の範囲内で使用することが好ましい。
　－難燃剤－
　難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。用い得る難燃剤の例としては三光（株）製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳＴ」が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定されないが、０．５質量％～１０質量％の範囲であることが好ましく、１質量％～９質量％の範囲であることがより好ましく、１．５質量％～８質量％の範囲であることがさらに好ましい。
　－その他の添加剤－
　樹脂組成物は、必要に応じて、樹脂組成物又はその硬化体の特性を調整することを目的とする他の添加剤を含んでいてもよく、かかる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
　（硬化プリプレグの形成工程）
　先ずプリプレグの形成工程について説明する。プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。ホットメルト法では、樹脂組成物を有機溶剤に溶解することなく、樹脂組成物と剥離性のよい離型紙に一旦コーティングし、それをシート状繊維基材にラミネートするか、あるいはダイコーターによりシート状繊維基材に直接的に塗工するなどして、プリプレグを製造している。またソルベント法では、樹脂組成物を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスにシート状繊維基材を浸漬することにより、樹脂組成物をシート状繊維基材に含浸させ、その後乾燥させて、プリプレグを形成している。さらにはプリプレグは、樹脂組成物からなる２枚の樹脂シートでシート状繊維基材をその両面側から挟み込んで加圧条件下で加熱することにより、連続的に熱ラミネートすることで形成することもできる。
　プリプレグを形成するための樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
　プリプレグの形成工程は、長尺のシート状繊維基材を用いて、ロールツーロール方式で行ってもよいし、バッチ方式で行ってもよい。
　硬化プリプレグ２２は、プリプレグを所定の条件で加熱処理することにより形成することができる。具体的には、硬化プリプレグ２２の形成方法の例として、真空熱プレス工程が挙げられる。以下、硬化プリプレグ２２の形成工程に用いられ得る真空熱プレス工程について説明する。
　真空熱プレス工程は、例えば、加熱されたステンレス板（ＳＵＳ板）等の金属板によってプリプレグをその両面側から押圧することにより行うことができる。
　真空熱プレス工程は、用いられる金属板の両側にクッション紙、離型シート等を介在させて実施することが好ましい。クッション紙としては、例えば阿波製紙（株）製「ＡＡＣＰ－９Ｎ」（厚さ８００μｍ）を用いることができる。また離型シートとしては、例えば旭硝子（株）製「アフレックス５０Ｎ　ＮＴ」（厚さ５０μｍ）を用いることができる。
　真空熱プレス工程の条件は、例えば気圧を通常１×１０－２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０－３ＭＰａ以下とし、加熱温度を例えば１５０℃～２５０℃とし、押圧力を１０ｋｇｆ／ｃｍ２～７０ｋｇｆ／ｃｍ２とすればよい。
　常温から所定の加熱温度への昇温及び所定の加熱温度から常温への降温は、所定の昇温率及び降温率を維持しつつ行うことが好ましい。昇温率及び降温率としては５℃／分程度とすることが好ましい。
　真空熱プレス工程は、この分野において一般的な真空熱プレス装置を用いて行うことができる。真空熱プレス装置としては、例えば、（株）名機製作所製「ＭＮＰＣ－Ｖ－７５０－５－２００」、北川精機（株）製「ＶＨ１－１６０３」が挙げられる。
　（分子接合層）
　硬化プリプレグ２２の第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂの両方に設けられている分子接合層３０は、分子接合層３０を形成するための材料として選択された分子接合剤に好適な方法により形成することができる。
　分子接合層３０の材料である分子接合剤は特に限定されず、例えば、前記特許文献１に記載されているような従来公知の化合物を含む市販の分子接合剤を用いることができる。このような分子接合剤の例としては、信越化学工業（株）製のトリアジンチオール官能性シリコーンアルコキシオリゴマーのフッ素化アルキル基タイプ「Ｘ－２４－９４５３」、アミノトリアジンノボラック樹脂（例えば、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ－１３５６」）とエポキシシランカップリング剤（例えば、信越化学工業（株）製、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「ＫＢＭ４０３」）との混合物など、トリアジン構造とアルコキシシラン構造とを有する分子接合剤が挙げられる。
　分子接合層３０は、例えば、硬化プリプレグ２２を所定の溶媒（例えば、水、イソプロピルアルコール及び酢酸を混合した混合溶媒）に所定の濃度で溶解させた分子接合剤の溶液に所定の条件（温度、時間等）で浸漬し、その後取り出された硬化プリプレグ２２を所定の条件で乾燥させるなどすることにより、第１主表面２０ａ及び第２主表面２０ｂを含む表面に形成することができる。分子接合層３０を形成するにあたり、乾燥処理に加えて、紫外線照射などの選択された材料に応じた任意好適なさらなる処理を行ってもよい。
　（保護フィルム）
　図２に示されるように、工程（Ａ）は、分子接合層３０に接合する保護フィルム１１０をさらに備える構造体６０を用意する工程とすることが好ましい。
　このように保護フィルム１１０により分子接合層３０を覆えば、分子接合層３０を効果的に保護することができる。また、保護フィルム１１０を備えた構造体６０を貯蔵することができるため、例えば、工程（Ｂ）以後の実施のタイミングを任意のタイミングとすることができる。
　保護フィルム１１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。
　前述の材料を含む保護フィルム１１０には、硬化プリプレグ２２と接合する側の面にマット処理、コロナ処理が施されていてもよい。
　また、保護フィルム１１０としては、硬化プリプレグ２２が接合する側に離型層を有する「離型層付き保護フィルム」を用いてもよい。離型層付き保護フィルムの離型層の形成に用いられる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液を保護フィルム１１０の表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。
　離型層付き保護フィルムとしては、市販品を用いてもよい。離型層付き保護フィルムとしては、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」などが挙げられる。
　保護フィルム１１０の厚さは、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ～５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付き保護フィルムを用いる場合、離型層付き保護フィルムの全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
　第１の実施形態では、保護フィルム１１０は硬化プリプレグ２２の第１主表面２０ａ側及び第２主表面２０ｂ側の両方をそれぞれ覆うように、常法に従うラミネート工程によりラミネートすればよい。硬化プリプレグ２２への保護フィルム１１０のラミネートは、従来公知のラミネーター装置を用いて行うことができる。
　＜工程（Ｂ）＞
　図２及び３を参照して、工程（Ｂ）について説明する。図３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　工程（Ｂ）は、分子接合層に接合する金属層を形成する工程である。
　図２及び図３に示されるように、第１の実施形態にかかる工程（Ｂ）は、保護フィルム１１０が設けられている場合には構造体６０から保護フィルム１１０を剥離して、露出した分子接合層３０に接合する金属層４２を形成すればよい。
　金属層４２は、既に説明した好適な材料を用いて、無電解めっき工程等のめっき工程により形成することができる。工程（Ｂ）は、銅を材料とする無電解めっき工程（第１の無電解めっき工程）により金属層４２を形成する工程であることが好ましい。
　以下、金属層４２を銅層として無電解めっき工程により形成する例について説明する。
　（１）まず分子接合層３０の表面の洗浄及び電荷調整のためのアルカリクリーニングを行う。
　（２）次いでパラジウム（Ｐｄ）を分子接合層３０の表面に付与するために電荷を調整するプレディップ工程を行う。
　（３）次に分子接合層３０にアクティヴェーターであるパラジウムを付与する。
　（４）次いで分子接合層３０の表面に付与されたパラジウムを還元する。
　（５）次に、銅を分子接合層３０に析出させることにより金属層４２を形成する。
　＜工程（Ｃ）＞
　図３を参照して、引き続き工程（Ｃ）について説明する。
　工程（Ｃ）は、レーザー照射を行って、金属層、分子接合層、及び絶縁層を貫通する、孔部を形成する工程である。
　図３に示されるように、工程（Ｃ）では、前述の＜工程（Ｂ）＞で得られた構造体６０の第１主表面２０ａ側からレーザー照射を行うことにより、金属層４２、分子接合層３０及び絶縁層２０を貫通する、第１の実施形態ではスルーホールである孔部２６を形成する。
　このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製のＣＯ２レーザー加工機「ＬＣ－２ｋ２１２／２Ｃ」、三菱電機（株）製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム（株）製のレーザー加工機が挙げられる。
　レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
　孔部２６の形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。以下、孔部２６の「径」という場合には、延在方向でみたときの開口の輪郭の径（直径）をいう。本明細書において、トップ径とは孔部２６の第１主表面２０ａ側の輪郭の径ｒ１をいい、底部径とは孔部２６の第２主表面２０ｂ側の輪郭の径ｒ２をいう。
　＜工程（Ｄ）＞
　図３を参照して、引き続き工程（Ｄ）について説明する。
　工程（Ｄ）は、孔部に対してデスミア処理を行う工程である。
　デスミア処理は、孔部２６内のスミア除去のために行われる。このデスミア処理は、湿式のデスミア処理であっても、乾式のデスミア処理であってもよい。
　デスミア処理の具体的な工程、条件は分子接合層３０の機能を損なわないことを条件として特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の工程、条件を採用することができる。乾式のデスミア処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式のデスミア処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤によるデスミア処理及び中和液によるデスミア処理をこの順に行う方法が挙げられる。以下、湿式のデスミア処理について説明する。
　湿式のデスミア処理で用いられる膨潤液は特に限定されない。膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
　膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に孔部２６が設けられた構造体６０を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層２０を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、膨潤処理としては、４０℃～８０℃の膨潤液に構造体６０を５秒間～１５分間浸漬させる処理とすることが好ましい。
　湿式のデスミア処理で用いられる酸化剤は特に限定されない。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤によるデスミア処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤溶液に構造体６０を１０分間～３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％～１０質量％とすることが好ましい。
　市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
　また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。
　中和液による処理は、酸化剤により処理された構造体６０を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液によるデスミア処理がなされた対象物を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。
　以上のように第１の実施形態にかかる配線板１０の製造方法では、絶縁層２０に対する粗化処理を行う必要がなく、絶縁層２０の平坦性が維持されるため、さらなる微細配線化を実現することができる。また、分子接合層３０を覆う金属層４２を形成して、分子接合層３０が金属層４２により保護された状態で孔部２６が形成されるため、金属層４２と絶縁層２０との分子接合層３０による接合力の低下を防止することができる。よって、金属層４２と絶縁層２０とを強固に接合させることができる。さらには、形成された孔部２６にはデスミア処理が行われるため、トップ径ｒ１及び底部径ｒ２が比較的小さくアスペクト比が比較的大きい孔部２６であっても、孔部２６内から分子接合層３０の材料、孔部２６の形成工程で生じる反応物等の残滓が除去された清浄な孔部２６を形成することができる。よって、絶縁層２０に設けられた孔部２６による導通をより良好にすることができる。
　＜工程（Ｅ）＞
　図４を参照して、工程（Ｅ）について説明する。図４は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　工程（Ｅ）は、導体層を形成する工程である。
　図４に示されるように、工程（Ｅ）では、前述の＜工程（Ｃ）＞で得られた構造体６０の金属層４２及び孔部２６の表面に導体層４４を形成する。すなわち第１主表面２０ａ側の金属層４２に接合する第１領域４４ａ、第２主表面２０ｂ側の金属層４２に接合する第２領域４４ｂ及び孔部２６の内壁に接合する第３領域４４ｃを含む導体層４４を形成する。
　導体層４４は既に説明した金属層４２の形成工程と同様の工程により形成することができる。よって、導体層４４についての詳細な説明は省略する。
　導体層４４は、無電解めっき工程により形成することが好ましい。金属層４２が無電解めっき工程、すなわち第１無電解めっき工程により形成される場合には金属層４２を第１無電解めっき層という場合があり、同様の無電解めっき工程、すなわち第２無電解めっき工程により形成された導体層４４を第２無電解めっき層という場合がある。
　なお、金属層４２は、金属層４２を形成する工程の後に行われる工程による分子接合層３０の損傷を防止するという目的を達成した後に除去することができる。よって、工程（Ｅ）は、金属層４２を除去した後に行ってもよい。すなわちデスミア処理後に金属層４２を除去してから導体層４４を形成すれば、後のフラッシュエッチング工程（金属層４２及び導体層４４の除去工程）による除去量をより少なくすることができ、より穏やかな条件で除去工程を行うことができるため、さらなる微細配線化を実現することができる。
　＜工程（Ｆ）＞
　図５及び図６を参照して、工程（Ｆ）について説明する。図５及び図６は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　工程（Ｆ）は、配線層を形成する工程である。
　ここでは、配線層４０である第１配線層４６及び第２配線層４８は、同時に単一の工程を実施することにより形成してもよいし、それぞれ別の工程として形成してもよい。第１配線層４６及び第２配線層４８それぞれを異なるタイミングで別の工程として実施する場合には、後のタイミングで形成される側の表面を保護するためにレジスト層などの保護層で覆っておいて、先のタイミングで形成される側の処理を行った後に、保護層を除去して後のタイミングで形成される側の処理を行えばよい。
　以下、第１配線層４６及び第２配線層４８の形成をセミアディティブ法により単一の工程として行う例について説明する。
　図５に示されるように、先ずマスクパターン１００を形成する。マスクパターン１００は、シード層である導体層４４のうちの配線が形成されない領域を覆い、配線が形成される領域を露出させるパターンとして形成される。
　マスクパターン１００は、従来公知のドライフィルム（感光性レジストフィルム）を用いて形成することができる。ドライフィルムとしては、例えば、ＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ　ＮＩＴ３０２５」（商品名）を用いることができる。
　マスクパターン１００は、例えばドライフィルムを導体層４４に接合させて、所定の条件で露光工程、現像工程及び洗浄工程を行うことにより形成することができる。
　図６に示されるように、次いで、スルーホールである孔部２６に材料が充填される条件で電解めっき工程を行って、マスクパターン１００が形成された構造体６０に導体層４４に接合する電解めっき層４５を形成する。このとき併せて孔部２６を埋め込むことによりスルーホール内配線５０を形成する。
　次に、マスクパターン１００を選択された材料に応じた任意好適な工程により剥離して除去し、露出した導体層４４及びその直下の金属層４２を除去する任意好適な条件でのフラッシュエッチング工程を行うことにより、第１主表面２０ａ側に第１配線層４６を形成し、第２主表面２０ｂ側に第２配線層４８を形成する（図１参照。）。
　以上の工程により、図１を参照して既に説明した構成を有する配線板１０を製造することができる。
　なお、本発明の配線板１０の製造方法によれば、配線層４０の形成に際し、工程（Ｄ）の後であって工程（Ｅ）の前に、金属層４２を除去する工程（Ｇ）をさらに含んでいてもよい。
　以下、かかる工程（Ｇ）について説明する。
　＜工程（Ｇ）＞
　工程（Ｇ）は、工程（Ｄ）の後であって工程（Ｅ）の前に、金属層を除去する工程である。
　工程（Ｇ）を実施する場合には、工程（Ｅ）は、露出した分子接合層３０及び孔部２６に、導体層４４を形成する工程とされる。
　工程（Ｇ）は、導体層４４の材料に応じた条件で行われるエッチング工程などの任意好適な工程とすることができる。
　工程（Ｇ）を実施した場合には、導体層４４のみをシード層として配線層４０を形成することとなるため、配線層４０の形成時に除去されるべき導体の量を減少させることができ、より穏やかな条件で配線層４０のパターニングを行うことができるため、配線のさらなる微細化を実現することができる。
２．第２の実施形態
　〔配線板〕
　まず、本発明の第２の実施形態にかかる配線板の製造方法により製造される配線板の構成例について、図７を参照して説明する。図７は、孔部を通る切断線で切断した配線板の端面を示す模式的な図である。
　なお、以下の説明において、既に説明した第１の実施形態と同様の構成要素、材料についてはその説明を原則として省略し、異なる点についてのみ説明する。
　図７に示されるように、第２の実施形態の配線板１０は、電子回路２４ａを備える回路基板２４を有している。
　本発明の配線板１０の製造方法において、回路基板２４とは、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａを有し、さらにビルドアップ絶縁層及びビルドアップ配線層が形成されるいわゆるコア基板に相当する。
　回路基板２４の電子回路２４ａは、図示例では片面側のみに設けられた構成が示されているがこれに限定されず両面に設けられていてもよい。この電子回路２４ａは、配線、電極パッド、電子部品等を含み、所定の機能を発揮することができるように構成されている。
　回路基板２４は、電子回路２４ａとして所望の機能を有する配線、電子部品等を備えた従来公知の任意好適な回路基板を用いることができる。
　絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａの厚さは特に限定されない。薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。電子回路２４ａの厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
　絶縁性基材の片面又は両面にパターン加工された電子回路２４ａのライン／スペース比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れるビルドアップ絶縁層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。電子回路２４ａのライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペース間への樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
　回路基板２４としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより配線を形成するなどして得られる回路基板が挙げられる。
　回路基板２４には絶層層２０が設けられている。図示例では絶縁層２０は、回路基板２４の電子回路２４ａを覆うように設けられている。第２の実施形態にかかる絶縁層２０はビルドアップ絶縁層である。よって、従来公知のビルドアップ配線板に用いられる材料により形成することができる。第２の実施形態の絶縁層２０には、ガラスクロスなどのシート状繊維基材が含まれていてもよい。
　第２の実施形態の絶縁層２０に用いられ得るシート状繊維基材の例としては、既に説明した第１の実施形態におけるプリプレグに含まれ得るシート状繊維基材が挙げられる。
　絶縁層２０は、第１主表面２０ａ、及び該第１主表面２０ａと対向する第２主表面２０ｂを有している。
　第２の実施形態の配線板１０においては第１主表面２０ａ側に分子接合層３０が設けられている。
　配線板１０は、第１主表面２０ａ側の分子接合層３０に設けられるビルドアップ配線層である配線層４０を有している。
　配線層４０は、分子接合層３０に接合している導体層４４、及びこの導体層４４に接合している電解めっき層４５を備える積層構造とされている。
　配線板１０は、孔部２６を備えている。第２の実施形態にかかる孔部２６は、絶縁層２０、第１主表面２０ａ側の分子接合層３０を貫通して、電子回路２４ａの一部分を露出させるビアホールである。
　導体層４４は、第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４４ａと、孔部２６から露出する電子回路２４ａの一部分に接合している第２領域４４ｂと、孔部２６を画成する内壁を覆う第３領域４４ｃとから構成され、これらは電気的に接続されるように、すなわち一体的に構成されている。
　電解めっき層４５は、第１主表面２０ａ側の部分領域である第１領域４５ａと、導体層４４の第２領域４４ｂと第３領域４４ｃとに覆われた孔部２６を埋め込む埋込領域４５ｃとから構成され、これらは電気的に接続されるように、すなわち一体的に構成されている。
　なお、配線層４０は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。
　ビアホールである孔部２６は、その内壁が導体層４４のうちの第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃにより覆われており、かつ第２領域４４ｂ及び第３領域４４ｃに接合する、電解めっき層４５のうちの第３領域４５ｃにより埋め込まれて、配線層４０と電子回路２４ａとを電気的に接続するフィルドビア５０とされている。
　図７に示される構成例では、孔部２６が設けられた絶縁層２０、ビルドアップ配線層である配線層４０を含むビルドアップ層が１層のみ示されているが、本発明はかかる構成に限定されない。第２の実施形態にかかる配線板１０は、ビルドアップ層を２層以上積層した多層ビルドアップ配線板とすることができる。また、図７に示される構成例では絶縁層２０及び配線層４０を含むビルドアップ層が片面側のみに設けられる構成例が示されているがこれに限定されず、回路基板２４の両面側に設けられていてもよい。
　〔配線板の製造方法〕
　図８～図１３を参照して、前記構成を備える第２の実施形態にかかる配線板の製造方法について説明する。
　＜工程（Ａ）＞
　図８を参照して、先ず第２の実施形態にかかる工程（Ａ）で用意される構造体について説明する。図８は、配線板の製造に用いられる構造体の模式的な図である。
　第２の実施形態にかかる工程（Ａ）は、絶縁層２０が回路基板２４に設けられ、分子接合層３０が回路基板２４が接合されている第２主表面２０ｂとは反対側の第１主表面２０ａのみに設けられている構造体６０を用意する工程である。
　前記の通り、第２の実施形態の絶縁層２０は、ビルドアップ絶縁層である。以下、ビルドアップ絶縁層である絶縁層２０について説明する。
　先ず工程（Ａ）にかかる構造体６０を形成するため用いられる接着フィルム及びその製造工程について説明する。
　（接着フィルム）
　接着フィルムは、有機支持体と、この有機支持体の一方の主面に設けられた樹脂組成物層とを含んでいる。
　（有機支持体）
　有機支持体の材料としては、第１の実施形態で説明した保護フィルム１１０と同様の材料が挙げられる。
　有機支持体としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高い有機支持体を用いることが好適である。有機支持体のガラス転移温度は、１００℃以上であることが好ましい。
　ガラス転移温度が１００℃以上である有機支持体の材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、耐熱性の観点からポリエチレンナフタレート、ポリイミドが好ましい。
　前記の材料を含む有機支持体には、後述する樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理が施されていてもよい。
　また、有機支持体としては、樹脂組成物層が接合する側、すなわち樹脂組成物が塗布される側に離型層を有する「離型層付き有機支持体」を用いてもよい（以下、離型層付き有機支持体を単に有機支持体という場合がある。）。離型層付き有機支持体の離型層の形成に用いられる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液を有機支持体の表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。
　離型層付き有機支持体としては、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」などが挙げられる。
　有機支持体の厚さは、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ～５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付き有機支持体を用いる場合、離型層付き有機支持体の全体の厚さが前記範囲内であることが好ましい。
　（樹脂組成物層）
　樹脂組成物層の厚さは、めっき工程により配線が形成できることを条件として特に限定されない。樹脂組成物層は、厚さが０．５μｍ～１０μｍであることが好ましく、１μｍ～５μｍであることがより好ましい。
　（樹脂組成物）
　樹脂組成物層の形成に用いられ得る樹脂組成物の成分及びその含有量は、硬化されて絶縁層２０とされたときに十分な硬度と絶縁性とを有していることを条件として特に限定されない。
　樹脂組成物は、無機充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、有機充填材、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、難燃剤等を含んでいてもよい。樹脂組成物が含み得る成分については第１の実施形態で説明した硬化プリプレグ２２の形成において用いられ得る成分と同様であるので、その説明は省略する。
　なお、樹脂組成物の成分であるエポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１～１：４の範囲であることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、ｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化体を得ることができるなどの効果が得られる。上記ｉ）～ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３～１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６～１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８～１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
　（接着フィルムの形成工程）
　樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は、上記の成分を適宜混合し、また、必要に応じて混練手段（３本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等）あるいは撹拌手段（スーパーミキサー、プラネタリーミキサー等）により混練又は混合することにより調製することができる。
　樹脂組成物層を有する接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて有機支持体に塗布し、塗布された樹脂ワニスの塗布膜を乾燥させることによって作製することができる。
　樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤は、既に説明した第１の実施形態のプリプレグの形成に用いられ得る有機溶剤と同様である。
　樹脂組成物層の形成における樹脂ワニスからなる塗布膜の乾燥処理は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の任意好適な乾燥方法により実施することができる。この乾燥処理により塗布膜は樹脂組成物層とされる。
　この乾燥処理の乾燥条件は、樹脂組成物、樹脂ワニスが含む有機溶剤の沸点などを勘案して任意好適な条件とすればよい。乾燥条件は、例えば、８０℃～１５０℃で３分間～１５分間程度とすればよい。
　接着フィルムの形成工程は、有機支持体である長尺の支持体を用いて、ロールツーロール方式で行うことが好ましく、バッチ方式で行ってもよい。
　ロールツーロール方式による接着フィルムの形成工程は、具体的には巻き出しロール及び巻き取りロールを含む少なくとも２本のロール間に張り渡された長尺の有機支持体を連続的に搬送しながら、巻き出しロール及び巻き取りロール間に露出する支持体の一方の主面に樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成し、得られた塗布膜を連続的に乾燥処理して樹脂組成物層とすることにより行うことができる。
　このようにして、有機支持体に樹脂組成物層が設けられた接着フィルムを用意することができる。
　準備された接着フィルムを一旦貯蔵する場合には、樹脂組成物層の有機支持体と接合していない側の露出面（すなわち、有機支持体とは反対側の面）に接合する保護フィルムをさらに設けることが好ましい。この保護フィルムは、樹脂組成物層へのゴミ等の付着やキズの防止に寄与する。保護フィルムとしては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等を用いることができる。また有機支持体の材料と同じ材料からなるフィルムを用いることができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されず、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムの厚さは有機支持体の厚さよりも薄いことが好ましい。
　（絶縁層）
　次に、絶縁層２０の形成工程について説明する。
　まず前記回路基板２４の電子回路２４ａに接触するように、用意された接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートするラミネート工程を行う。
　ラミネート工程の条件は特に限定されず、接着フィルムを用いて絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成するにあたり使用される公知の条件を採用することができる。例えば、加熱されたステンレス鏡板等の金属板を接着フィルムの有機支持体側からプレスすることにより行うことができる。この場合、金属板を直接的にプレスするのではなく、電子回路２４ａが設けられた回路基板２４の表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等からなる弾性部材を介してプレスを行うことが好ましい。プレス温度は、好ましくは７０℃～１４０℃の範囲であり、プレス圧力は好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２～１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ～１．０７９ＭＰａ）の範囲であり、プレス時間は好ましくは５秒間～３分間の範囲である。
　また、ラミネート工程は、好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施される。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
　ラミネート工程の終了後、回路基板２４にラミネートされた接着フィルムを、加熱及び加圧処理する平滑化工程を実施してもよい。
　平滑化工程は、一般に、常圧（大気圧）下、加熱された金属板又は金属ロールにより、回路基板２４にラミネートされている接着フィルムを加熱及び加圧処理することにより実施される。加熱及び加圧処理の条件は、上記ラミネート工程の条件と同様の条件を用いることができる。
　ラミネート工程及び平滑化工程は、同一の真空ラミネーターを用いて連続的に実施することもできる。
　なお、前記ラミネート工程又は前記平滑化工程の実施後の任意のタイミングで接着フィルムに由来する有機支持体を剥離する工程を行う。有機支持体を剥離する工程は、例えば、市販の自動剥離装置により機械的に実施することができる。
　次に、回路基板２４にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化する熱硬化工程を実施して絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成する。
　熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。
　熱硬化工程の条件は、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物の組成等により任意好適な条件とすることができる。熱硬化工程の条件は、例えば硬化温度を１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃～２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃～１９０℃の範囲）とし、硬化時間を５分間～９０分間の範囲（好ましくは１０分間～７５分間、より好ましくは１５分間～６０分間）とすることができる。
　熱硬化工程を実施する前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱する工程を実施してもよい。熱硬化工程の実施に先立ち、例えば５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。
　（分子接合層）
　絶縁層２０の第１主表面２０ａに設けられている分子接合層３０は、選択された分子接合剤に好適な方法により形成することができる。
　第２の実施形態にかかる分子接合層３０の材料である分子接合剤の例、及び分子接合層３０の形成方法は、第１の実施形態で既に説明した通りである。
　図８に示されるように、工程（Ａ）は、分子接合層３０に接合する保護フィルム１１０をさらに備える構造体６０を用意する工程とすることが好ましい。
　第２の実施形態では、保護フィルム１１０は絶縁層２０の第１主表面２０ａ側を覆うようにラミネートすればよい。
　保護フィルム１１０の詳細については、第１の実施形態で既に説明したとおりであるので説明は省略する。
　このようにして、図８に示される、絶縁層２０が回路基板２４に設けられ、分子接合層３０が絶縁層２０の第１主表面２０ａのみに設けられている構造体６０が用意される。
　＜工程（Ｂ）＞
　図９を参照して、工程（Ｂ）について説明する。図９は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　図９に示されるように、第２の実施形態にかかる工程（Ｂ）は、保護フィルム１１０が設けられている場合には、構造体６０から保護フィルム１１０を剥離して露出した分子接合層３０に接合する金属層４２を形成する工程である。
　金属層４２は、既に説明した好適な材料を用いて、無電解めっき工程等のめっき工程により形成することができる。工程（Ｂ）は、銅を材料とする無電解めっき工程（第１の無電解めっき工程）により金属層４２を形成する工程であることが好ましい。金属層４２の詳細については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
　＜工程（Ｃ）＞
　図１０を参照して、引き続き工程（Ｃ）について説明する。図１０は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　図１０に示されるように、工程（Ｃ）では、前述の＜工程（Ｂ）＞で得られた構造体６０の第１主表面２０ａ側からレーザー照射を行うことにより、金属層４２、分子接合層３０及び絶縁層２０を貫通して電子回路２４ａの一部分を露出させる、第２の実施形態ではビアホールである孔部２６を形成する。
　レーザー照射の詳細及び孔部２６の詳細については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
　＜工程（Ｄ）＞
　図１０を参照して、引き続き工程（Ｄ）について説明する。
　工程（Ｄ）は、孔部に対してデスミア処理を行う工程である。このデスミア処理は、湿式のデスミア処理であっても、乾式のデスミア処理であってもよい。
　こうしたデスミア処理の具体的な工程、条件等については、第１の実施形態で既に説明したとおりであるので説明を省略する。
　以上のように第２の実施形態にかかる配線板１０の製造方法では、絶縁層２０に対する粗化処理を行う必要がなく、絶縁層２０の平坦性が維持されるため、さらなる微細配線化を実現することができる。また、分子接合層３０を覆う金属層４２を形成して、分子接合層３０が金属層４２により保護された状態で孔部２６が形成されるため、導体層４４と絶縁層２０との分子接合層３０による接合力の低下を防止することができる。よって、導体層４４と絶縁層２０とを強固に接合させることができる。さらには、形成された孔部２６にはデスミア処理が行われるため、トップ径ｒ１及び底部径ｒ２が比較的小さくアスペクト比が比較的大きい孔部２６であっても、孔部２６内から分子接合層３０の材料、孔部２６の形成工程で生じる反応物等の残滓が除去された清浄な孔部２６を形成することができる。よって、絶縁層２０に設けられた孔部２６による導通をより良好にすることができる。
　＜工程（Ｅ）＞
　図１１を参照して、工程（Ｅ）について説明する。図１１は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　工程（Ｅ）は、導体層を形成する工程である。
　図１１に示されるように、第２の実施形態の工程（Ｅ）は、露出した分子接合層３０、孔部２６の内壁、及び孔部２６から露出した電子回路２４ａの一部分に接合するように導体層４４を形成する。すなわち第１主表面２０ａ側の分子接合層３０に接合する第１領域４４ａ、孔部２６から露出した電子回路２４ａの一部分に接合する第２領域４４ｂ及び孔部２６の内壁に接合する第３領域４４ｃを含む導体層４４が形成される。
　導体層４４は、第１の実施形態で既に説明した金属層４２の形成工程と同様の工程により形成することができる。よって、導体層４４についての詳細な説明は省略する。
　第２の実施形態では前記のとおり、分子接合層３０に接合するように導体層４４を形成する。よって、前記工程（Ｅ）を行う前に、金属層４２を除去する工程（Ｇ）が行われる。かかる工程（Ｇ）については第１の実施形態において既に説明したとおりであるので説明は省略する。
　工程（Ｇ）を実施した場合には、導体層４４のみをシード層として配線層４０を形成することとなるため、配線層４０の形成時に除去されるべき導体の量を減少させることができ、より穏やかな条件で配線層のパターニングを行うことができるため、配線のさらなる微細化を実現することができる。よって、工程（Ｇ）の実施に引き続き工程（Ｅ）を行う態様は、配線の微細化が求められるビルドアップ配線層の形成に好適に適用することができる。
　なお、第２の実施形態にかかる配線板１０の製造方法においても、配線ピッチ等の仕様が許す場合には、既に説明した第１の実施形態と同様に、金属層４２を除去することなく、すなわち工程（Ｇ）を実施することなく工程（Ｅ）を実施することができる。
　＜工程（Ｆ）＞
　図１２及び図１３を参照して、工程（Ｆ）について説明する。図１２及び図１３は、配線板の製造工程を説明するための模式的な図である。
　工程（Ｆ）は、配線層を形成する工程である。
　配線層４０は、導体層４４をシード層とするセミアディティブ法により形成することが好ましい。以下、セミアディティブ法により配線層４０を形成する例について説明する。
　図１２に示されるように、先ずマスクパターン１００を形成する。マスクパターン１００は、シード層である導体層４４のうちの配線が形成されない領域を覆い、配線が形成される領域を露出させるパターンとして形成される。マスクパターン１００については、第１の実施形態で説明したとおりであるので説明を省略する。
　図１３に示されるように、次いで、ビアホールである孔部２６に材料が充填される条件で電解めっき工程を行って、マスクパターン１００が形成された構造体６０に、第１主表面２０ａ側であって導体層４４の第１領域４４ａに接合するように設けられる第１領域４５ａ、孔部２６を埋め込む埋込領域４５ｃを含む電解めっき層４５を形成する。このとき併せて孔部２６を埋め込むことによりフィルドビア５０を形成する。
　次に、マスクパターン１００を剥離して除去し、露出した導体層４４を除去する任意好適な条件でのフラッシュエッチング工程を行うことにより、第１主表面２０ａ側にビルドアップ配線層として配線層４０を形成する。
　以上の工程により、図７を参照して既に説明した構成を有する配線板１０を製造することができる。
　ビルドアップ絶縁層である絶縁層２０及びビルドアップ配線層である配線層４０を含むビルドアップ層が２層以上必要な場合には、前記工程（Ｆ）までが実施された配線板１０に対して、さらに前記工程（Ａ）～前記工程（Ｆ）までの一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
　〔配線板の使用態様〕
　本発明の製造方法により製造される配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができる。またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を備える半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に好適に用いることができる。
　以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。なお、以下の記載中の「部」は「質量部」を意味する。
＜プリプレグの形成＞
　ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ－４７１０」、エポキシ当量約１７１）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ－６０００」、エポキシ当量約２４８）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１０部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫ：シクロヘキサノン＝１：１溶液）５部を、ソルベントナフサ５０部に撹拌しながら加熱して溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量１２５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）６部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）２０部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン、不揮発成分５質量％のＭＥＫ溶液）４部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ２）１６０部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳＴ」、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド、平均粒径２μｍ）４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を調製した。組成を下記表１に示す。
　次いで、ソルベント法により厚さ３０μｍのガラスクロス（（株）有沢製作所製「１０６７ＮＳ」）を前記樹脂ワニス１に浸漬、含浸し、加熱することにより溶剤を揮発させてプリプレグを形成した。プリプレグ中に残存する溶剤量が０．５％となるように、かつプリプレグの厚さが５０μｍとなるように乾燥させてロール状に巻き取った。なお、プリプレグの厚さは、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製「ＭＣＤ－２５ＭＪ」）を用いて測定した。
＜接着フィルムの製造＞
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品、エポキシ当量１６９）８部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）３部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）６部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１５部、フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫ：シクロヘキサノン＝１：１溶液）２５部を、ソルベントナフサ１０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温（常温）まで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量１２５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）１２部、ナフトール系硬化剤（新日鐵化学（株）製「ＳＮ－４８５」、水酸基当量２１５、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）１２部、ポリビニルアセタール樹脂溶液（積水化学工業（株）製「ＫＳ－１」）、不揮発成分１５％のエタノールとトルエンとの１：１溶液との混合溶液）２５部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン、不揮発成分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．２４μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ１」、単位面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ２）６０部、有機充填材であるゴム粒子（ガンツ化成（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」）４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を調製した。不揮発成分換算の組成を下記表１に示す。
　次いで、有機支持体であるアルキド系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型層側に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３０μｍとなるように樹脂ワニス２を均一に塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で４分間乾燥させて、接着フィルムを作製した。なお、樹脂組成物層の厚さは、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製「ＭＣＤ－２５ＭＪ」）を用いて測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
［実施例１］
　（１）真空熱プレス工程
　前記＜プリプレグの形成＞において形成されたプリプレグを、２５０ｍｍ角にカットし、クッション紙（阿波製紙（株）製「ＡＡＣＰ－９Ｎ」、厚さ８００μｍ）／ステンレス（ＳＵＳ）板（厚さ１ｍｍ）／離型シート（旭硝子（株）製「アフレックス５０Ｎ　ＮＴ」、厚さ５０μｍ）／プリプレグ／離型シート／ＳＵＳ板／クッション紙の順に積層して真空熱プレス装置（北川精機（株）製「ＶＨ１－１６０３」）を使用して真空熱プレス工程を実施して硬化プリプレグを形成した。
　真空熱プレス工程の実施条件は下記の通りである。
温度：室温（常温）から２００℃に至るまで昇温率５℃／分で昇温し、２００℃で９０分間ホールドし、その後降温率５℃／分で室温まで降温
押圧力：押圧せず（０ｋｇ／ｃｍ２）２０分間ホールドし、温度が約１２５℃となった時点で押圧力を５０ｋｇ／ｃｍ２としてこれを降温終了時までホールド
気圧：７０ｍｍ／ｈｇ～７４ｍｍ／ｈｇ（９．３×１０－３ＭＰａ～９．９×１０－３ＭＰａ）
　（２）分子接合層の形成
　形成された硬化プリプレグを、分子接合剤（信越化学工業（株）製トリアジンチオール官能性シリコーンアルコキシオリゴマー、フッ素化アルキル基タイプ「Ｘ－２４－９４５３」）の０．５重量％溶液（混合溶媒；水：イソプロピルアルコール：酢酸＝７０：３０：０．５）に２３℃で３分間浸漬し、その後１００℃で３０分間乾燥させて硬化プリプレグの第１主表面及び第２主表面を含む表面に分子接合層を形成した。
　（３）金属層の形成工程
　分子接合層を形成した硬化プリプレグの表面に金属層を形成するため、第１の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用する、下記の無電解銅めっき工程）を行った。第１無電解めっき工程により形成された金属層（第１無電解めっき層）の厚さは０．５μｍであった。
＜第１の無電解銅めっき工程＞
１．アルカリクリーニング（分子結合層の表面の洗浄と電荷調整）
　Ｃｌｅａｎｉｎｇ　Ｃｌｅａｎｅｒ　Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ　９０２（商品名）を用いて６０℃で２分間洗浄した。
２．プレディップ（Ｐｄ付与のための分子結合層の表面の電荷の調整）
　Ｐｒｅ．　Ｄｉｐ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　Ｂ（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
３．アクティヴェーター（分子結合層の表面へのＰｄの付与）
　Ａｃｔｉｖａｔｏｒ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　８３４（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
４．還元（分子結合層の表面に付与されたＰｄを還元）
　Ｒｅｄｕｃｅｒ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　ＷＡ（商品名）及びＲｅｄｕｃｅｒ　Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ　８１０　ｍｏｄ．の混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
５．無電解銅めっき（Ｃｕを分子結合層の表面（Ｐｄ表面）に析出）
　Ｂａｓｉｃ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ－ＤＫ（商品名）、Ｃｏｐｐｅｒ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ（商品名）、Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ－ＤＫ（商品名）及びＲｅｄｕｃｅｒ　Ｃｕ（商品名）の混合液を用いて、３５℃で１０分間処理した。
　（４）スルーホールの形成工程
　日立ビアメカニクス（株）製ＣＯ２レーザー加工機「ＬＣ－２ｋ２１２／２Ｃ」を使用して穴あけ加工することにより、金属層及び硬化プリプレグを貫通するスルーホールを形成した。硬化プリプレグの表面におけるスルーホールのトップ径（直径）は６５μｍであった。なお、穴あけ加工は、マスク径を３．５ｍｍとし、パワーを１Ｗとし、周波数を２０００Ｈｚとし、パルス幅を４μｓとし、ショット数を３とし、サイクルモードとして実施した。
　（５）デスミア処理
　スルーホールが形成された構造体を、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」に６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）の「コンセントレート・コンパクトＰ」（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、水洗処理後、中和液として、アトテックジャパン（株）の「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」に４０℃で５分間浸漬した。その後、１３０℃で１５分間乾燥した。
　（６）導体層の形成工程
　金属層の表面及びスルーホール内に導体層を形成するため、再度、無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製の薬液を使用した下記の無電解銅めっき工程である第２無電解めっき工程）を行って導体層（第２無電解めっき層）を形成した。形成された導体層の厚さは０．８μｍであった。硬化プリプレグの表面の金属層と導体層との厚さの総和は、約１．３μｍであった。
＜第２の無電解銅めっき工程＞
１．アルカリクリーニング（金属層の表面及びスルーホール内の表面の洗浄と電荷調整）
　「Ｃｌｅａｎｉｎｇ　Ｃｌｅａｎｅｒ　Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ　９０２」（商品名）を用いて６０℃で２分間洗浄した。
２．プレディップ（Ｐｄ付与のための金属層の表面及びスルーホールの表面の電荷の調整）
　「Ｐｒｅ．　Ｄｉｐ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　Ｂ」（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
３．アクティヴェーター（金属層の表面及びスルーホールの表面へのＰｄの付与）
　「Ａｃｔｉｖａｔｏｒ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　８３４」（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
４．還元（金属層の表面及びスルーホールの表面に付与されたＰｄを還元）
　「Ｒｅｄｕｃｅｒ　Ｎｅｏｇａｎｔｈ　ＷＡ」（商品名）及び「Ｒｅｄｕｃｅｒ　Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ　８１０　ｍｏｄ．」の混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
５．無電解銅めっき（Ｃｕを金属層の表面及びスルーホールの表面（Ｐｄ表面）に析出）
　「Ｂａｓｉｃ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ－ＤＫ」（商品名）、「Ｃｏｐｐｅｒ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ」（商品名）、「Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ　Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ　ＭＳＫ－ＤＫ」（商品名）及び「Ｒｅｄｕｃｅｒ　Ｃｕ」（商品名）の混合液を用いて、３５℃で１８分間処理した。
　（７）配線層の形成工程
＜マスクパターンの形成工程＞
　次いで、構造体の表面を５％硫酸水溶液で３０秒間処理し、厚さ２５μｍのマスクパターン形成用のＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ　ＮＩＴ３０２５」（商品名）を構造体の両面に真空ラミネーターにて積層した。積層は、（株）名機製作所製バッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ－５００」（商品名）を用いて、圧力を０．１ＭＰａとし、温度を７０℃とし、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にしてから、２０秒間加圧して行った。
　その後、Ｌ（ライン：ドライフィルムの線幅）／Ｓ（スペース：線状のドライフィルム同士の間隔）＝８μｍ／８μｍ、すなわち１６μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ、すなわち２０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、すなわち３０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）を各１０個形成したガラスマスク（フォトマスク）を構造体の両面に設けられたドライフィルムそれぞれの保護層であるＰＥＴフィルム側に配置し、ＵＶ－ランプを用いて１５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外光を構造体の両面に設けられたドライフィルムそれぞれに照射する露光工程を行ってマスクパターンを形成した。
　次に、温度３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を圧力０．１５ＭＰａで３０秒間構造体に噴霧するスプレー処理を行った。
＜電解めっき層及びスルーホール内配線の形成工程＞
　次に、構造体を水洗して、現像工程を行った。現像工程を行った構造体にアトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、スルーホールに銅が充填される条件で電解めっき工程（電解銅めっき工程）を行って、マスクパターンから露出している導体層に電解めっき層（電解銅めっき層）を形成し、併せてスルーホールを埋め込んでスルーホール内配線を形成した。
＜配線層の形成＞
　次に、構造体に対して温度５０℃の３％ＮａＯＨ溶液を圧力０．２ＭＰａで噴霧するスプレー処理を行い、構造体の両面からのマスクパターンの剥離を行った。次いで、（株）荏原電産製のＳＡＣプロセス（フラッシュエッチング工程）用エッチャントを用いて、マスクパターンを除去することにより露出した導体層及び露出した導体層の直下の領域の金属層を除去して、微細な複数の配線を含む配線層を構造体の両面に形成した。
　以上の工程により実施例１にかかる配線板が製造された。
［実施例２］
　（１）回路基板の下地処理
　電子回路（配線層）が形成されたガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅層（配線層）の厚さ１８μｍ、基材の厚さ０．３ｍｍ、パナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」）（回路基板）の両面をマイクロエッチング剤（メック（株）製「ＣＺ８１００」）にて銅層の厚さのうちの１μｍをエッチングすることにより除去して銅層の表面のデスミア処理を行った。
　（２）接着フィルムのラミネート
　既に説明した＜接着フィルムの製造＞と同様の工程で作製された接着フィルムを用意し、接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニチゴー・モートン（株）製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が回路基板と接合するように、回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、温度を１１０℃とし、押圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、ラミネートされた接着フィルムを、大気圧下、温度を１００℃とし、押圧力を０．５ＭＰａとして６０秒間熱プレスすることにより平滑化した。
　（３）樹脂組成物層の硬化
　次に、接着フィルムがラミネートされた構造体を１００℃にて３０分間、次いで１６０℃にて３０分間加熱処理することにより樹脂組成物層を硬化して、絶縁層を形成した。
　（４）分子接合層の形成
　絶縁層が形成された回路基板から、接着フィルムに由来する離型ＰＥＴフィルムを剥離し、分子接合剤として、アミノトリアジンノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ－１３５６」、不揮発成分６０重量％のＭＥＫ溶液、Ｎ含有量１９重量％、固形分水酸基価１４６）０．５重量％、エポキシシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「ＫＢＭ４０３」、分子量２３６．３）０．５重量％の混合溶液（エタノール：ＭＥＫ：水＝５０：５０：１の混合溶媒に溶解させた混合溶液）に２３℃で３分間浸漬し、その後１００℃で３０分間乾燥した。
　（５）金属層の形成工程
　分子接合層が形成された回路基板（構造体）の表面に金属層を形成するため、既に説明した実施例１と同様の第１の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用する、無電解銅めっき工程）を行った。第１の無電解めっき工程により形成された金属層（第１の無電解めっき層）の厚さは０．５μｍであった。
　（６）ビアホールの形成
　ＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス（株）製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、マスク径１．６０ｍｍ、フォーカスオフセット値０．０５０、パルス幅２５μｓ、パワー０．６６Ｗ、アパーチャー１３、ショット数２、バーストモードの条件で穴あけして、金属層、分子接合層、絶縁層を貫通して配線層の一部分を露出させるビアホールを形成した。絶縁層の表面におけるビアホールのトップ径（直径）は５０μｍであった。
　（７）デスミア処理
　ビアホールが形成された構造体に対し、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」に６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）の「コンセントレート・コンパクトＰ」（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、水洗処理後、中和液として、アトテックジャパン（株）の「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」に４０℃で５分間浸漬し、その後、１３０℃で１５分間乾燥する、ビアホールのデスミア処理を行った。
　（８）金属層の除去
　デスミア処理後、後述する配線層の形成工程におけるフラッシュエッチング工程により除去される層の厚さを薄くし、より微細な配線を形成するために、金属層を塩化第２鉄水溶液に２５℃で１分間浸漬して除去した。
　（９）導体層の形成工程
　金属層を除去したことにより露出した分子接合層に導体層を形成するため、第２の無電解めっき工程（アトテックジャパン（株）製薬液を使用した無電解銅めっき工程）を行った。形成された導体層の厚さは０．８μｍであった。
　（１０）配線層の形成工程
＜マスクパターンの形成工程＞
　次いで、構造体の表面を５％硫酸水溶液で３０秒間処理し、厚さ２５μｍのマスクパターン形成用のＰＥＴフィルム付きドライフィルムであるニチゴー・モートン（株）製「ＡＬＰＨＯ　ＮＩＴ３０２５」（商品名）を構造体の両面に真空ラミネーターにて積層した。積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ－５００」（商品名））を用いて、圧力を０．１ＭＰａとし、温度を７０℃とし、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にしてから、２０秒間加圧して行った。
　その後、Ｌ（ライン：ドライフィルムの線幅）／Ｓ（スペース：線状のドライフィルム同士の間隔）＝８μｍ／８μｍ、すなわち１６μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ、すなわち２０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、すなわち３０μｍピッチの櫛歯パターン（配線長１５ｍｍ、１６ライン）を各１０個形成したガラスマスク（フォトマスク）をビアホールのトップ径側に積層されたドライフィルムの保護層であるＰＥＴフィルム側に配置し、ＵＶ－ランプを用いて１５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外光を照射する露光工程を行ってマスクパターンを形成した。なお、ビアホールのボトム径側に積層されたドライフィルムについては全面露光して、導体層の表面全面を覆うマスクパターンを形成した。
　次に、温度３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を圧力０．１５ＭＰａで３０秒間構造体に噴霧するスプレー処理を行った。
＜電解めっき層及びフィルドビアの形成工程＞
　次に、構造体を水洗して、現像工程を行った。現像工程を行った構造体にアトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、ビアホールに銅が充填される条件で電解めっき工程（電解銅めっき工程）を行って、マスクパターンから露出している導体層に電解めっき層（電解銅めっき層）を形成し、併せてビアホールを埋め込んでフィルドビアを形成した。
＜配線層の形成＞
　次に、構造体に対して温度５０℃の３％ＮａＯＨ溶液を圧力０．２ＭＰａで噴霧するスプレー処理を行って、構造体の両面からのマスクパターンの剥離を行った。次いで、（株）荏原電産製のＳＡＣプロセス（フラッシュエッチング工程）用エッチャントを用いて、マスクパターンを除去することにより露出した導体層のみを除去して、微細な複数の配線を含む配線層を形成した。
　以上の工程により実施例２にかかる配線板が製造された。
［比較例１］
　スルーホールを形成した後にデスミア処理工程を兼ねる粗化処理工程を行い、その後分子接合層の形成工程を実施した以外は、実施例１と同様にして配線層を形成する工程までを行うことにより、比較例１にかかる配線板を製造した。
［比較例２］
　分子接合層を形成した後にビアホールを形成し、次いでデスミア処理工程を兼ねる粗化処理工程を行い、その後、金属層を形成することなく導体層を形成する工程を実施した以外は、実施例２と同様にして配線層を形成する工程までを行うことにより、比較例２にかかる配線板を製造した。
　〔算術平均粗さＲａ及び二乗平均平方根粗さＲｑの測定〕
　実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で製造された配線板それぞれについて、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ　ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる測定値に基づいて算術平均粗さＲａ及び二乗平均平方根粗さＲｑ（表面粗さ）を求めた。それぞれ無作為に選んだ１０点の測定値の平均値を求めることによりこれを算術平均粗さＲａの値又は二乗平均平方根粗さＲｑの値とした。結果を下記表２に示す。
　〔配線層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定〕
　実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線層それぞれに、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの長方形状の切込みをいれ、その一端を剥がしてつかみ具（株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機「ＡＣ－５０Ｃ－ＳＬ」）で掴み、室温にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定して評価した。評価基準は下記の通りである。結果を下記表２に示す。
　評価基準：
　○：ピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ超
　×：ピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ未満
　〔最小ピッチの評価〕
　実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線それぞれについて、形成可能な櫛歯パターンの最小ピッチを視覚的に評価した。結果を下記表２に示す。
　〔配線の評価〕
　実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２で形成された配線それぞれに剥離の有無を光学顕微鏡にて確認し、さらに除去されるべき導体層（及び金属層）の残滓の有無を確認して評価した。評価基準は下記の通りである。結果を下記表２に示す。
　評価基準
　○：櫛歯パターンのうちの線状部分１０本中、９本以上で問題なし
　×：櫛歯パターンのうちの線状部分１０本中、２本以上で問題あり
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から明らかなとおり、実施例１及び実施例２で製造された配線板では、いずれも配線の最小ピッチを２０μｍ以下とすることができ、微細配線化を実現することができた。また、実施例１及び実施例２では、従来通り粗化処理工程を行った比較例１及び比較例２と比較して遜色のないピール強度を有していることが明らかとなった。他方、比較例１及び比較例２では、粗化処理工程を実施しているため表面粗さ（Ｒａ及びＲｑ）が大きく、この表面粗さに起因していずれも配線の最小ピッチを２０μｍ以下とすることができなかった。
　以上より明らかな通り、本発明の配線板の製造方法によれば、粗化処理工程を実施せずともピール強度を維持しつつ、微細配線化を実現することができる。
　１０　配線板
　２０　絶縁層
　２０ａ　第１主表面
　２０ｂ　第２主表面
　２２　硬化プリプレグ
　２４　回路基板
　２４ａ　電子回路
　２６　孔部（スルーホール、ビアホール）
　３０　分子接合層
　４０　配線層
　４２　金属層
　４４　導体層
　４４ａ、４５ａ　第１領域
　４４ｂ、４５ｂ　第２領域
　４４ｃ　第３領域
　４５　電解めっき層
　４５ｃ　埋込領域
　４６　第１配線層
　４８　第２配線層
　５０　スルーホール内配線、フィルドビア
　６０　構造体
　１００　マスクパターン
　１１０　保護フィルム

Claims (7)

  1. 　工程（Ａ）第１主表面及び該第１主表面と対向する第２主表面を有している絶縁層と、前記第１主表面のみ又は該第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている分子接合層とを備える構造体を用意する工程と、
    　工程（Ｂ）前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程と、
    　工程（Ｃ）レーザー照射を行って、前記金属層、前記分子接合層及び前記絶縁層を貫通する孔部を形成する工程と、
    　工程（Ｄ）前記孔部に対してデスミア処理を行う工程と、
    　工程（Ｅ）導体層を形成する工程と、
    　工程（Ｆ）配線層を形成する工程と
    を含む、配線板の製造方法。
  2. 　前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が硬化プリプレグであり、前記分子接合層が前記絶縁層の前記第１主表面及び前記第２主表面の両方に設けられている構造体を用意する工程である、請求項１に記載の配線板の製造方法。
  3. 　前記工程（Ａ）が、前記絶縁層が回路基板に設けられ、前記分子接合層が該回路基板が接合されている前記第２主表面とは反対側の前記第１主表面のみに設けられている構造体を用意する工程である、請求項１に記載の配線板の製造方法。
  4. 　前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムをさらに備える構造体を用意する工程であり、
    　前記工程（Ｂ）が、前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、請求項１～３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
  5. 　前記工程（Ａ）が、前記分子接合層に接合する保護フィルムを設ける工程をさらに含み、
    　前記工程（Ｂ）が、前記構造体から前記保護フィルムを剥離して、前記分子接合層に接合する金属層を形成する工程である、請求項１～３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
  6. 　前記工程（Ｄ）の後であって前記工程（Ｅ）の前に、工程（Ｇ）前記金属層を除去する工程をさらに含み、
    　前記工程（Ｅ）が、露出した前記分子接合層及び前記孔部に、導体層を形成する工程である、請求項１～５のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
  7. 　前記工程（Ｂ）が、無電解めっき工程により金属層を形成する工程である、請求項１～６のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
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