JP6350093B2 - 部品内蔵基板の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、部品内蔵基板の製造方法および半導体装置に関する。

近年、スマートフォン、タブレットＰＣといった小型の高機能電子機器の需要が増大している。それに伴い、こうした小型の高機能電子機器に用いられるプリント配線板のさらなる高機能化、小型化が求められている。

プリント配線板には、ベアチップ、チップ状コンデンサ、チップ状インダクタ等の部品が実装される。従来、このような部品はプリント配線板の表面回路にのみ実装されていたが、その実装量は限られており、近年のプリント配線板のさらなる高機能化、小型化の要求に対応するのは困難であった。

斯かる問題に対処すべく、部品の搭載量を増大させつつ小型化を図ることができるプリント配線板として、部品内蔵基板が提案されている（例えば、特許文献１）。部品内蔵基板は、一般に、内層回路基板の内部に部品を配置し、次いで絶縁層、導体層を順次積層して多層配線を形成することにより製造される。

特開２０１１−２１６６３６号公報

電子機器によっては、絶縁部材の両面に回路が形成されただけの多層化されていない配線基板（２層配線基板）が採用される場合がある。本発明者らはそのような場合において、絶縁基板の内部に部品を配置し、次いで、絶縁層及び導体層を形成することで、より高機能で小型化が可能な２層配線基板を得ることを着想した。

このような絶縁基板の内部に部品を配置した部品内蔵基板は、例えば、部品を収容するためのキャビティが形成された絶縁基板を用いて、下記のとおり製造することができる。（ｉ）キャビティが形成された絶縁基板の片方の主面に、部品を仮付けするための仮付け材料を積層する。（ｉｉ）キャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品を仮付けする。（ｉｉｉ）キャビティ内に部品が仮付けされた絶縁基板の他方の主面に、熱硬化性樹脂組成物層を設け熱硬化させて絶縁層を形成する。（ｉｖ）仮付け材料を剥離した後、露出した絶縁基板の片方の主面に、熱硬化性樹脂組成物層を設け熱硬化させて絶縁層を形成する。その後、（ｖ）スルーホールを形成し、さらに（ｖ）絶縁層上にメッキ等により導体層を設ける。

本発明者らは、部品内蔵基板の更なる小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い絶縁基板や厚さの薄い絶縁基板を使用する場合などにおいては、絶縁基板の片方の主面に絶縁層を形成した段階（上記（ｉｉｉ）の後）で、絶縁層が設けられた面を内周側として絶縁基板がカールする現象（以下「基板反り」ともいう。）が生じる場合のあることを見出した。基板反りが生じると、基板搬送に支障をきたし、製造効率（歩留まり）の低下を招来してしまう。

また、内蔵される部品の小型化、回路の微細配線化も進んでおり、基板のキャビティ内における部品の配置精度に対する要求はますます高くなっている。

本発明は、基板反りを抑制し得るとともに、キャビティ内における部品の位置変化（ズレ）を抑え優れた部品の配置精度を実現することのできる部品内蔵基板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記の課題につき鋭意検討した結果、絶縁基板の片方の主面に熱硬化性樹脂組成物層を積層した後に、該熱硬化性樹脂組成物層を特定の条件にて加熱処理することによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
〔１〕 下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）をこの順序で含む部品内蔵基板の製造方法：
（Ａ）第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通するキャビティが形成された絶縁基板と、該絶縁基板の第２の主面と接合している仮付け材料と、前記絶縁基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた絶縁基板に、第１の支持体及び該第１の支持体と接合する第１の熱硬化性樹脂組成物層を含む第１の接着フィルムを、該第１の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第１の主面と接合するように、真空積層する工程
（Ｂ）第１の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程（Ｃ）において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる工程
（Ｃ）絶縁基板の第２の主面から仮付け材料を剥離した後、第２の支持体及び該第２の支持体と接合する第２の熱硬化性樹脂組成物層を含む第２の接着フィルムを、該第２の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第２の主面と接合するように、真空積層する工程
（Ｄ）第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程。
〔２〕 絶縁基板が、硬化プリプレグ、ガラス基板又はセラミック基板である、〔１〕に記載の方法。
〔３〕 第１の接着フィルムにおける第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度が１００ポイズ〜１００００ポイズである、〔１〕又は〔２〕に記載の方法。
〔４〕 工程（Ｂ）において、第１の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が１５０００ポイズ〜２０００００ポイズとなるように加熱処理する、〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の方法。
〔５〕 工程（Ｂ）において、第１の支持体の付いた状態で加熱処理する、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の方法。
〔６〕 絶縁基板の厚さが３０μｍ〜３５０μｍである、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の方法。
〔７〕 キャビティ間のピッチが１ｍｍ〜１０ｍｍである、〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の方法。
〔８〕 第２の熱硬化性樹脂組成物層が、第１の熱硬化性樹脂組成物層よりも薄い、〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の方法。
〔９〕 工程（Ｂ）で得られる基板の反りが２５ｍｍ以下である、〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の方法。
〔１０〕 （Ｅ）スルーホールを形成する工程をさらに含む、〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の方法。
〔１１〕 （Ｆ）絶縁層上に導体層を形成する工程をさらに含む、〔１〕〜〔１０〕のいずれかに記載の方法。
〔１２〕 工程（Ｆ）が、
絶縁層を粗化処理すること、及び
粗化された絶縁層上にメッキにより導体層を形成すること、
を含む、〔１１〕に記載の方法。
〔１３〕 〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の方法で製造された部品内蔵基板を含む半導体装置。

本発明によれば、基板反りを抑制し得るとともに、キャビティ内における部品の位置変化（ズレ）を抑え優れた部品の配置精度を実現することのできる部品内蔵基板の製造方法を提供することができる。

図１Ａは、本発明の部品内蔵基板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた絶縁基板を用意する一手順を示す模式図（１）である。 図１Ｂは、本発明の部品内蔵基板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた絶縁基板を用意する一手順を示す模式図（２）である。 図１Ｃは、本発明の部品内蔵基板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた絶縁基板を用意する一手順を示す模式図（３）である。 図１Ｄは、本発明の部品内蔵基板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた絶縁基板を用意する一手順を示す模式図（４）である。 図２は、本発明の部品内蔵基板の製造方法において使用する第１の接着フィルムの一態様を示す模式図である。 図３Ａは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（１）である。 図３Ｂは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（２）である。 図３Ｃは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（３）である。 図３Ｄは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（４）である。 図３Ｅは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（５）である。 図３Ｆは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（６）である。 図３Ｇは、本発明の一実施形態における部品内蔵基板の製造方法を説明するための模式図（７）である。 図４は、基板反りの評価方法を説明するための模式図である。

本発明の部品内蔵基板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明の製造方法において使用する「部品が仮付けされた絶縁基板」及び「接着フィルム」について説明する。

＜部品が仮付けされた絶縁基板＞
本発明の製造方法で使用する部品が仮付けされた絶縁基板（以下、「部品仮付け絶縁基板」ともいう。）は、第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通するキャビティが形成された絶縁基板と、該絶縁基板の第２の主面と接合している仮付け材料と、前記絶縁基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む。

以下、図１Ａ乃至図１Ｄを参照して、部品仮付け絶縁基板を用意する手順の一例を説明する。

第一に、絶縁基板を用意する（図１Ａ）。本発明において、「絶縁基板」とは、対向する第１及び第２の主面を有し、電気絶縁性を示す板状の基板をいう。以下の説明においては、便宜的に、絶縁基板の第１の主面とは、図示する絶縁基板の上側主面を表し、絶縁基板の第２の主面とは、図示する絶縁基板の下側主面を表すこととする。

絶縁基板１は、特に限定されず、金属基板のような導電性基板を絶縁材料でコーティングして絶縁性を付与した基板であってもよいが、基板反りを抑える観点、部品内蔵基板の絶縁信頼性の観点から、硬化プリプレグ、ガラス基板又はセラミック基板が好ましく、硬化プリプレグがより好ましい。

硬化プリプレグとは、プリプレグの硬化物をいう。プリプレグは、熱硬化性樹脂組成物とシート状繊維基材とを含むシート状材料であり、例えば、熱硬化性樹脂組成物をシート状繊維基材に含浸させて形成することができる。プリプレグに用いる熱硬化性樹脂組成物は、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであれば特に限定されず、プリント配線板の絶縁層の形成に用いられる従来公知の熱硬化性樹脂組成物を用いてよい。あるいはまた、プリプレグに用いる熱硬化性樹脂組成物は、後述する接着フィルムに用いられる熱硬化性樹脂組成物と同じ組成物であってよい。プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、プリプレグ用基材として常用されているものを用いてよい。硬化プリプレグの熱膨張係数を低下させ得る観点から、シート状繊維基材としては、ガラス繊維基材、有機繊維基材（例えば、アラミド繊維基材）が好ましく、ガラス繊維基材がより好ましく、ガラス織布（ガラスクロス）がさらに好ましい。ガラス繊維基材に用いるガラス繊維としては、熱膨張係数を低下させ得る観点から、Ｅガラス繊維、Ｓガラス繊維、Ｔガラス繊維及びＱガラス繊維からなる群から選択される１種以上のガラス繊維が好ましく、Ｓガラス繊維、Ｑガラス繊維がより好ましく、Ｑガラス繊維がさらに好ましい。Ｑガラス繊維とは、二酸化珪素の含有率が９０質量％以上を占めるガラス繊維をいう。シート状繊維基材の厚さは、硬化プリプレグの薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは４０μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は、十分な剛性を有する硬化プリプレグを得る観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上である。

絶縁基板１の厚さは、部品内蔵基板の薄型化の観点から、薄い方が好適であり、好ましくは４００μｍ未満、より好ましくは３５０μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下、さらにより好ましくは２５０μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下、１８０μｍ以下、１７０μｍ以下、１６０μｍ以下、又は１５０μｍ以下である。本発明の方法によれば、斯かる薄い絶縁基板を使用する場合であっても、基板反りの発生を抑制することができる。絶縁基板１の厚さの下限は特に制限されないが、搬送時の取り扱い性向上の観点から、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上、さらにより好ましくは６０μｍ以上、７０μｍ以上、又は８０μｍ以上である。

絶縁基板１の熱膨張係数は、回路歪みやクラックの発生を抑制する観点から、好ましくは１５ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１３ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは１１ｐｐｍ／℃以下である。絶縁基板１の熱膨張係数の下限は、絶縁層の形成に使用する樹脂組成物の組成にもよるが、好ましくは−２ｐｐｍ／℃以上、より好ましくは０ｐｐｍ／℃以上であり、さらに好ましくは４ｐｐｍ／℃以上である。本発明において、絶縁基板の熱膨張係数は、引張加重法で熱機械分析（ＴＭＡ）することにより得られた、平面方向の２５℃〜１５０℃の線熱膨張係数である。絶縁基板の線熱膨張係数の測定に使用し得る熱機械分析装置としては、例えば、（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」、セイコーインスツルメンツ（株）製「ＴＭＡ−ＳＳ６１００」が挙げられる。

絶縁基板１のガラス転移温度（Ｔｇ）は、部品内蔵基板の機械強度の観点から、好ましくは１７０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。絶縁基板１のＴｇの上限は特に限定されないが、通常３００℃以下である。絶縁基板のＴｇは、引張加重法で熱機械分析することにより測定することができる。熱機械分析装置としては、上記と同じものを使用し得る。

第二に、部品を収容するためのキャビティを絶縁基板に設ける（図１Ｂ）。図１Ｂに模式的に示すように、絶縁基板１の所定の位置に、絶縁基板の第１及び第２の主面間を貫通するキャビティ１ａを設けることができる。キャビティ１ａは、絶縁基板１の特性を考慮して、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ、エッチング媒体等を用いる公知の方法により形成することができる。

図１Ｂには、１つのキャビティ１ａのみを示しているが、キャビティ１ａは、互いに所定の間隔をあけて複数設けることができる。キャビティ１ａ間のピッチは、部品内蔵基板の小型化の観点から、短いことが好適である。キャビティ１ａ間のピッチは、キャビティ１ａ自体の開口寸法にもよるが、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは９ｍｍ以下、さらに好ましくは８ｍｍ以下、さらにより好ましくは７ｍｍ以下、特に好ましくは６ｍｍ以下である。本発明の方法によれば、キャビティを斯かる短いピッチにて設ける場合であっても、基板反りの発生を抑制することができる。キャビティ１ａ間のピッチの下限は、キャビティ１ａ自体の開口寸法にもよるが、通常、１ｍｍ以上、２ｍｍ以上などである。キャビティ１ａ間の各ピッチは、絶縁基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。

キャビティ１ａの開口形状は特に制限されず、矩形、円形、略矩形、略円形等の任意の形状としてよい。また、キャビティ１ａの開口寸法は、回路配線の設計にもよるが、例えば、キャビティ１ａの開口形状が矩形の場合、５ｍｍ×５ｍｍ以下が好ましく、３ｍｍ×３ｍｍ以下がより好ましい。当該開口寸法の下限は、収容する部品の寸法にもよるが、通常、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上である。キャビティ１ａの開口形状及び開口寸法は、絶縁基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。

第三に、絶縁基板の第２の主面に仮付け材料を積層する（図１Ｃ）。仮付け材料としては、部品を仮付けするのに十分な粘着性を示す粘着面を有する限り特に制限されず、従来公知の任意の仮付け材料を使用してよい。図１Ｃに模式的に示す態様では、フィルム状の仮付け材料２を、該仮付け材料２の粘着面が絶縁基板の第２の主面と接合するように積層している。これにより、キャビティ１ａを介して仮付け材料２の粘着面が露出するようになる。

フィルム状の仮付け材料としては、例えば、古河電気工業（株）製のＵＣシリーズ（ウエハダイシング用ＵＶテープ）が挙げられる。

第四に、キャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品を仮付けする（図１Ｄ）。図１Ｄに模式的に示す態様では、キャビティ１ａを介して露出した仮付け材料２の粘着面に部品３を仮付けしている。

部品３としては、所望の特性に応じて適切な電気部品を選択してよく、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品、半導体ベアチップ等の能動部品を挙げることができる。全てのキャビティに同じ部品３を用いてもよく、キャビティごとに異なる部品３を用いてもよい。

以上、図１Ａ乃至図１Ｄを参照して、部品仮付け絶縁基板を用意する手順の一例を説明したが、部品仮付け絶縁基板が得られる限り、上記の手順に限定されるものではない。例えば、仮付け材料２を絶縁基板の第２の主面に積層した後に、キャビティ１ａを形成してもよい。このような変形例によって用意した部品仮付け絶縁基板を使用して部品内蔵基板を製造する態様も本発明の範囲内である。

＜接着フィルム＞
本発明の製造方法では、第１の接着フィルムと第２の接着フィルムを使用する。

（第１の接着フィルム）
図２に、第１の接着フィルムの端面を模式的に示す。第１の接着フィルム１０は、第１の支持体１１と、該第１の支持体と接合する第１の熱硬化性樹脂組成物層１２とを含む。

第１の支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

第１の支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

第１の支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

第１の支持体は、後述する第１の熱硬化性樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、第１の支持体としては、後述する第１の熱硬化性樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。

第１の支持体の厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

第１の支持体は、後述するように、レーザー吸収材料を含有していてもよい。レーザー吸収材料としては、例えば、金属化合物粉、カーボン粉、金属粉、黒色染料等が挙げられる。レーザー吸収材料を含有する場合、第１の支持体中のレーザー吸収材料の含有量は、好ましくは０．０５質量％〜４０質量％、より好ましくは０．１質量％〜２０質量％である。

第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。得られる絶縁層の熱膨張率を低下させて、絶縁層と導体層との熱膨張の差によるクラックや回路歪みの発生を防止する観点から、第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は無機充填材を含むことが好ましい。

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、得られる絶縁層の熱膨張率を低下させる観点から、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上、さらにより好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは６２質量％以上、６４質量％以上、又は６６質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、得られる絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計質量を１００質量％としたときの値である。

無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。

無機充填材の平均粒径は、樹脂組成物の流動性を高めて十分な部品の埋め込み性及びキャビティ充填性を実現する観点から、０．０１μｍ〜４μｍの範囲が好ましく、０．０５μｍ〜２μｍの範囲がより好ましく、０．１μｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましく、０．３μｍ〜０．８μｍがさらにより好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製ＬＡ−５００等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる熱硬化性樹脂としては、プリント配線板の絶縁層を形成する際に使用される従来公知の熱硬化性樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。一実施形態において、第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材及びエポキシ樹脂を含む。樹脂組成物はまた、必要に応じて、硬化剤を含んでいてもよい。一実施形態において、第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む。第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、更に熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。
以下、樹脂組成物の材料として使用し得るエポキシ樹脂、硬化剤、及び添加剤について説明する。

−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物を硬化して形成される絶縁層の破断強度も向上する。

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス（株）製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＨＰ６０００」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５Ｖ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii）十分な破断強度を有する絶縁層を得ることができるなどの効果が得られる。上記i）〜iii）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲がさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲が特に好ましい。
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜５０質量％が好ましく、５質量％〜４５質量％がより好ましく、５質量％〜４０質量％が更に好ましく、７質量％〜３５質量％が特に好ましい。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００、より好ましくは８０〜２０００、さらに好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗度の低い絶縁層をもたらす。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

−硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層（回路配線）との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性（剥離強度）を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を硬化剤として用いることが好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。なお本発明において、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）などが挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５がより好ましく、１：０．４〜１：１がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。

一実施形態において、第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、上述の無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む。樹脂組成物は、無機充填材としてシリカを、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は１：０．１〜１：４の範囲が好ましく、１：０．３〜１：３．５の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲がさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲が特に好ましい）を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上（好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、より好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、さらに好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を含む硬化剤）を、それぞれ含むことが好ましい。斯かる特定の成分を組み合わせて含む樹脂組成物に関しても、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤の好適な含有量は上述のとおりであるが、中でも、無機充填材の含有量が３０質量％〜９０質量％、エポキシ樹脂の含有量が３質量％〜５０質量％であることが好ましく、無機充填材の含有量が５０質量％〜９０質量％、エポキシ樹脂の含有量が５質量％〜４５質量％であることがより好ましい。硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、硬化剤の反応基の合計数との比が、好ましくは１：０．２〜１：２の範囲、より好ましくは１：０．３〜１：１．５の範囲、さらに好ましくは１：０．４〜１：１の範囲となるように含有させる。

樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。

−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物を形成することができる。樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．５質量％〜１０質量％であることがより好ましい。

−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分合計量を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。

−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、０．５質量％〜１０質量％が好ましく、１質量％〜９質量％がより好ましく、１．５質量％〜８質量％がさらに好ましい。

−ゴム粒子−
ゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。

ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは２質量％〜５質量％である。

第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

第１の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは、絶縁基板の厚さなどにもよるが、部品内蔵基板の薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である。第１の熱硬化性樹脂組成物層の厚さの下限は、絶縁基板の厚さなどにもよるが、部品の埋め込み性及びキャビティ充填性の観点から、通常、１５μｍ以上である。

部品内蔵基板の製造に際して十分な部品の埋め込み性及びキャビティ充填性を実現する観点から、第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、好ましくは１００００ポイズ以下、より好ましくは８０００ポイズ以下、さらに好ましくは６０００ポイズ以下、さらにより好ましくは４０００ポイズ以下、特に好ましくは３０００ポイズ以下である。第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の下限は、部品内蔵基板の製造に際して層保形性（染み出し防止）の観点から、好ましくは１００ポイズ以上、より好ましくは３００ポイズ以上、さらに好ましくは５００ポイズ以上である。

ここで、熱硬化性樹脂組成物層の「最低溶融粘度」とは、熱硬化性樹脂組成物層の樹脂が溶融した際に熱硬化性樹脂組成物層が呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で熱硬化性樹脂組成物層を加熱して樹脂を溶融させると、初期の段階は溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある温度を超えると温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。「最低溶融粘度」とは、斯かる極小点の溶融粘度をいう。熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができる。具体的には、熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、測定開始温度６０℃、昇温速度５℃／分、振動数１Ｈｚ、ひずみ１ｄｅｇの条件で動的粘弾性測定を行うことにより得ることができる。動的粘弾性測定装置としては、例えば、（株）ユー・ビー・エム製の「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」が挙げられる。

（第２の接着フィルム）
第２の接着フィルムは、第２の支持体と、該第２の支持体と接合する第２の熱硬化性樹脂組成物層を含む。

第２の支持体の材料及び厚さは、上記第１の支持体について説明したものと同じであってよい。

第２の熱硬化性樹脂組成物層の材料は、上記第１の熱硬化性樹脂組成物層について説明したものと同じであってよい。

第２の熱硬化性樹脂組成物層は、第１の熱硬化性樹脂組成物層に比し薄くてもよい。第２の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは、部品内蔵基板の薄型化の観点から、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。第１の熱硬化性樹脂組成物層の厚さの下限は、特に制限されないが、通常、１０μｍ以上である。

第２の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、部品内蔵基板の製造に際して層保形成（染み出し防止）の観点から、好ましくは１００ポイズ以上、より好ましくは３００ポイズ以上、さらに好ましくは５００ポイズ以上である。第２の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の上限は、特に制限されないが、第１の熱硬化性樹脂組成物層について説明したものと同様の範囲としてよい。

以下、第１及び第２の接着フィルムを作製する手順の一例を示す。

接着フィルムは、第１及び第２の接着フィルムの別を問わず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて支持体上に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させることによって作製することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

樹脂ワニスの乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、支持体上に熱硬化性樹脂組成物層を形成することができる。

接着フィルムは、第１及び第２の接着フィルムの別を問わず、熱硬化性樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）に、保護フィルムをさらに含んでもよい。保護フィルムは、熱硬化性樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズの防止に寄与する。保護フィルムの材料としては、支持体について説明した材料と同じものを用いてよい。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。接着フィルムは、部品内蔵基板を製造する際には、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

以上、第１及び第２の接着フィルムを作製する手順の一例を示したが、第１及び第２の接着フィルムが得られる限り、上記の手順に限定されるものではない。例えば、保護フィルム上に熱硬化性樹脂組成物層を形成した後に、該熱硬化性樹脂組成物層上に支持体を積層して接着フィルムを作製してもよい。本発明において「支持体」とは、部品内蔵基板の製造に際し、熱硬化性樹脂組成物層と共に絶縁基板の主面に積層される部材をいうのであって、接着フィルム製造時における樹脂ワニスの支持部材を限定的に表すものではない。

以下、本発明の部品内蔵基板の製造方法を、その好適な実施形態に即して詳細に説明する。

［部品内蔵基板の製造方法］
本発明の部品内蔵基板の製造方法は、下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）をこの順序で含む。
（Ａ）第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通するキャビティが形成された絶縁基板と、該絶縁基板の第２の主面と接合している仮付け材料と、前記絶縁基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた絶縁基板に、第１の支持体及び該第１の支持体と接合する第１の熱硬化性樹脂組成物層を含む第１の接着フィルムを、該第１の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第１の主面と接合するように、真空積層する工程
（Ｂ）第１の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程（Ｃ）において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる工程
（Ｃ）絶縁基板の第２の主面から仮付け材料を剥離した後、第２の支持体及び該第２の支持体と接合する第２の熱硬化性樹脂組成物層を含む第２の接着フィルムを、該第２の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第２の主面と接合するように、真空積層する工程
（Ｄ）第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程

なお本発明において、工程（Ａ）乃至（Ｄ）についていう「この順序で含む」とは、工程（Ａ）乃至（Ｄ）の各工程を含み且つ工程（Ａ）乃至（Ｄ）の各工程がこの順序で実施される限り、他の工程を含むことを妨げるものではない。
以下、工程又は処理についていう「この順序で含む」に関しても、同様とする。

以下、図３Ａ乃至図３Ｇを参照しつつ、各工程について説明する。

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）において、部品が仮付けされた絶縁基板１’に、第１の接着フィルム１０を、第１の熱硬化性樹脂組成物層１２が絶縁基板の第１の主面と接合するように真空積層する（図３Ａ）。

部品が仮付けされた絶縁基板１’および第１の接着フィルム１０の構成は先述のとおりである。

部品仮付け絶縁基板１’への第１の接着フィルム１０の真空積層は、例えば、減圧条件下、第１の支持体１１側から、第１の接着フィルム１０を部品仮付け絶縁基板１’に加熱圧着することにより行うことができる。第１の接着フィルム１０を部品仮付け絶縁基板１’に加熱圧着する部材（図示せず；以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を第１の接着フィルム１０に直接プレスするのではなく、部品仮付け絶縁基板１’のキャビティ１ａや部品３に起因する凹凸に第１の接着フィルム１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

加熱圧着温度は、好ましくは８０℃〜１６０℃、より好ましくは１００℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。真空積層は、好ましくは圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。なお、加熱圧着温度とは、加熱圧着部材の表面温度をいい、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスする場合は、第１の接着フィルム１０と接合する該弾性材の表面の温度をいう。

真空積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。

斯かる工程（Ａ）において、第１の熱硬化性樹脂組成物層１２は、キャビティ１ａ内に充填され、キャビティ１ａ内に仮付けされていた部品３は第１の熱硬化性樹脂組成物層１２に埋め込まれることとなる（図３Ｂ）。

工程（Ａ）の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を第１の支持体１１側からプレスすることにより、積層された第１の接着フィルムの平滑化処理を行う平滑化工程（以下、「工程（Ａ’）」ともいう。）を行うことが好ましい。工程（Ａ’）のプレス条件は、上記真空積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。

工程（Ａ’）は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、工程（Ａ）と工程（Ａ’）は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、第１の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程（Ｃ）において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行う。

熱硬化性樹脂組成物層を部品仮付け絶縁基板の片方の主面に設けた後、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて部品仮付け絶縁基板の片方の主面に硬化体（絶縁層）を形成する手法においては、部品が埋め込まれた熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して、部品を封止する硬化体（絶縁層）が得られるため、以後の工程に起因する部品の位置変化（ズレ）が起こり難く、キャビティ内における部品の配置精度に優れる。しかしながら先述のとおり、斯かる手法においては、部品内蔵基板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い絶縁基板や厚さの薄い絶縁基板を使用する場合などにおいて、絶縁基板の片方の主面に絶縁層を形成した段階で、基板反りが生じる場合のあることを本発明者らは見出した。基板反りが生じると、基板搬送に支障をきたし、製造効率（歩留まり）の低下を招来することから、斯かる基板反りの発生を抑制し得る技術が求められる。

基板反りは、詳細には、絶縁層を形成した後、熱硬化温度から室温へと冷却する過程において顕在化する。よって、基板反りの発生を抑制するにあたり、熱硬化温度から冷ますことなく、次工程を実施することも考えられる。しかしながら、熱硬化工程から第２の接着フィルムの積層工程までの間、熱硬化温度を維持することは現実的ではなく、また、仮付け材料の剥離が困難となるといった問題も生じる。また、溶融粘度が高い熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを部品仮付け絶縁基板に積層することにより、熱硬化工程を経ずともキャビティ内における部品の位置変化（ズレ）を防止することも考えられるが、最低溶融粘度が高い熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを用いると、そもそも十分な部品の埋め込み性やキャビティ充填性が得られないため、部品の固定性に乏しく実質的な解決策とはならない。このように、部品内蔵基板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い絶縁基板や厚さの薄い絶縁基板を使用する場合などにおいては、良好な部品の配置精度を保ったまま基板反りの発生を抑制することは困難であった。

本発明者らは、熱硬化性樹脂組成物層を部品仮付け絶縁基板の片方の主面に積層した後、該熱硬化性樹脂組成物層を、特定の条件にて加熱処理することによって（すなわち、上記工程（Ｂ）を採用することによって）、室温へと冷却した後も基板反りの発生を抑制できることを見出した。また、斯かる方法によれば、適度な最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを使用できるため、接着フィルムを積層する際に十分な部品の埋め込み性やキャビティ充填性を達成できる。このように本発明は、部品内蔵基板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い絶縁基板や厚さの薄い絶縁基板を使用する場合などにおいても、良好な部品の配置精度を保ったまま基板反りの発生を抑制することができる。従って本発明は、小型かつ薄型の部品内蔵基板を歩留まりよく製造することができ、部品内蔵基板の小型化、薄型化に著しく寄与するものである。

好適な一実施形態において、工程（Ｂ）で得られる基板の反りは、好ましくは２５ｍｍ以下、より好ましくは２０ｍｍ以下、さらに好ましくは１５ｍｍ以下、さらにより好ましくは１０ｍｍ以下、特に好ましくは５ｍｍ以下である。なお、基板の反りとは、工程（Ｂ）で得られる基板の一辺を固定具で固定し地面（水平面）に対して垂直に吊した際の、仮想垂直面からの、基板の対辺の両端部の垂直高さの算術平均値を意味する。基板の反りは、具体的には、実施例に記載の測定方法により測定することができる。

工程（Ｂ）においては、基板反りの発生を抑制する観点から、第１の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が、好ましくは２００，０００ポイズ以下、より好ましくは１８０，０００ポイズ以下、さらに好ましくは１６０，０００ポイズ以下、さらにより好ましくは１４０，０００ポイズ以下、特に好ましくは１２０，０００ポイズ以下、１００，０００ポイズ以下、９０，０００ポイズ以下、８０，０００ポイズ以下、又は７０，０００ポイズ以下となるように加熱処理することが好適である。また、部品の位置変化（ズレ）を抑制する観点から、第１の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が、好ましくは１５，０００ポイズ以上、より好ましくは１６，０００ポイズ以上、さらに好ましくは１８，０００ポイズ以上、さらにより好ましくは２０，０００ポイズ以上、特に好ましくは２２，０００ポイズ以上、２５，０００ポイズ以上、３０，０００ポイズ以上、又は３５，０００ポイズ以上となるように加熱処理することが好適である。
工程（Ｂ）において、加熱処理された第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、上記と同様にして測定することができる。なお、工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度を測定するに際し、測定開始温度は１００℃としてよい。

工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理の条件は、下記工程（Ｃ）において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる限り、特に制限されない。好適な一実施形態において、工程（Ｂ）における加熱温度は、上記特定範囲の最低溶融粘度を達成し得る観点から、好ましくは１５５℃以下、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１４５℃以下、さらにより好ましくは１４０℃以下である。加熱温度の下限は、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１１５℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上、さらにより好ましくは１２５℃以上である。

工程（Ｂ）における加熱時間は、加熱温度にもよるが、好ましくは１０分間以上、より好ましくは１５分間以上、さらに好ましくは２０分間以上である。加熱時間の上限は特に制限されないが、通常、６０分間以下とし得る。

工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。

工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、第１の支持体１１が第１の熱硬化性樹脂組成物層１２に付いた状態で実施してもよく、第１の支持体１１を剥離し第１の熱硬化性樹脂組成物層１２を露出させた後に実施してもよい。好適な一実施形態においては、工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、第１の支持体１１が第１の熱硬化性樹脂組成物層１２に付いた状態で実施する。これにより、異物付着の防止、第１の熱硬化樹脂組成物層のダメージ防止という点で有利となる。

工程（Ｂ）における第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理を、第１の支持体が付いた状態で実施する場合、該第１の支持体は、第１の熱硬化性樹脂組成物層を硬化させて得られる絶縁層に導体層（回路配線）を設ける工程の前に剥離すればよく、例えば、工程（Ｂ）と後述する工程（Ｃ）との間に剥離してもよく、後述する工程（Ｃ）と工程（Ｄ）との間に剥離してもよく、後述する工程（Ｄ）の後に剥離してもよい。好適な一実施形態において、第１の支持体は、後述する工程（Ｄ）の後に剥離する。なお、第１の支持体として銅箔等の金属箔を用いた場合は、後述するとおり、斯かる金属箔を使用して導体層（回路配線）を設けることが可能であるため、第１の支持体は剥離しなくてもよい。

好適な一実施形態において、工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間に、基板を常温（室温）に冷ます処理を実施してよい。

好適な一実施形態において、工程（Ｂ）において、第１の熱硬化性樹脂組成物層１２は、最低溶融粘度が１５，０００ポイズ〜２００，０００ポイズの範囲にある第１の熱硬化性樹脂組成物層（加熱処理体）１２’となる（図３Ｃ）。なお、図３Ｃは、第１の支持体１１が付いた状態で加熱処理して第１の熱硬化性樹脂組成物層（加熱処理体）１２’を得る態様を示している。

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｂ）の後、絶縁基板の第２の主面から仮付け材料２を剥離して、絶縁基板の第２の主面を露出させる。そして、第２の接着フィルム２０を、第２の熱硬化性樹脂組成物層２２が絶縁基板の第２の主面と接合するように、真空積層する（図３Ｄ）。

仮付け材料２の剥離は、仮付け材料２の種類に応じて、従来公知の方法に従って行ってよい。例えば、仮付け材料２として、古河電気工業（株）製のＵＣシリーズ等のウエハダイシング用ＵＶテープを使用する場合、仮付け材料２をＵＶ照射した後、仮付け材料２を剥離することができる。ＵＶ照射量等の条件は、仮付け材料の剥離に際して通常採用される公知の条件とし得る。

第２の接着フィルム２０の構成は先述のとおりである。なお、工程（Ｃ）で用いる第２の接着フィルム２０の第２の支持体２１は、工程（Ａ）で用いる第１の接着フィルム１０の第１の支持体１１と同じでもよく、異なっていてもよい。また、工程（Ｃ）で用いる第２の熱硬化性樹脂組成物層２２に用いる樹脂組成物は、工程（Ａ）で用いる第１の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物と同じでもよく、異なっていてもよい。

工程（Ｂ）を採用する本発明の製造方法によれば、部品内蔵基板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い絶縁基板や厚さの薄い絶縁基板を使用する場合などにおいても、基板反りの発生を抑制することができるため、工程（Ｂ）から工程（Ｃ）までの基板搬送に支障をきたさず、円滑に工程（Ｃ）を実施することができる。さらには、第１の熱硬化性樹脂組成物層を、所定の条件にて加熱処理しているため、工程（Ｃ）の真空積層に伴う、部品の位置変化（ズレ）も抑えることができ、部品の配置精度に優れる部品内蔵基板を歩留まりよく実現することができる。

好適な一実施形態において、工程（Ｃ）において部品の位置ズレは４０μｍ未満である。ここで、部品の位置ズレとは、工程（Ｂ）において第１の熱硬化性樹脂組成物層を加熱処理した後の部品の中心と、工程（Ｃ）において第２の熱硬化性樹脂組成物層を真空積層した後の部品の中心との位置変化のことをいう。部品の位置ズレは、具体的には、実施例に記載の測定方法により測定することができる。

工程（Ｃ）における第２の接着フィルム２０の真空積層は、工程（Ａ）における第１の接着フィルムの真空積層と同様の方法、条件を採用してよい。

好適な一実施形態において、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間に、基板を常温（室温）に冷ます処理を実施してよい。

工程（Ｃ）において、絶縁基板の第２の主面に第２の熱硬化性樹脂組成物層２２及び第２の支持体２１が積層される（図３Ｅ）。

第２の支持体２１は、第２の熱硬化性樹脂組成物層を硬化させて得られる絶縁層に導体層（回路配線）を設ける工程の前に剥離すればよく、例えば、工程（Ｃ）と後述する工程（Ｄ）との間に剥離してもよく、後述する工程（Ｄ）の後に剥離してもよい。好適な一実施形態において、第２の支持体は、後述する工程（Ｄ）の後に剥離する。なお、第２の支持体として銅箔等の金属箔を用いた場合は、後述するとおり、斯かる金属箔を使用して導体層（回路配線）を設けることが可能であるため、第２の支持体は剥離しなくてもよい。

＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）において、第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。これにより、第１の熱硬化性樹脂組成物層（加熱処理体）１２’が絶縁層１２’’を、第２の熱硬化性樹脂組成物層２２が絶縁層２２’’をそれぞれ形成する（図３Ｆ）。

熱硬化の条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。

例えば、第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化条件は、各熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）、硬化時間は５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。

熱硬化させる前に、第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、熱硬化に先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱を行う場合、斯かる予備加熱も工程（Ｄ）に含まれることとする。

工程（Ｄ）における第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。

工程（Ｄ）は、基板をほぼ水平に維持した状態にて実施することが好ましい。例えば、基板の厚さ方向における軸が水平面に対して８０°〜１００°の範囲となるような状態にて工程（Ｄ）を実施することが好ましい。

先述のとおり、第１及び第２の支持体は、工程（Ｄ）の後に剥離することが好ましい。したがって、工程（Ｄ）においては、第１及び第２の支持体が付いた状態で第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化することが好ましい。これにより、低粗度の表面を有する絶縁層を得ることができる。

好適な一実施形態において、工程（Ｃ）と工程（Ｄ）との間に、基板を常温（室温）に冷ます処理を実施してよい。

なお、以下の説明において、第１の熱硬化性樹脂組成物層（加熱処理体）１２’を熱硬化させて得られた絶縁層１２’’を「第１の絶縁層」と称する場合がある。また、第２の熱硬化性樹脂組成物層２２を熱硬化させて得られた絶縁層２２’’を「第２の絶縁層」と称する場合がある。また、工程（Ｄ）で得られた基板を「部品内蔵絶縁基板」と称する場合がある。

＜その他の工程＞
本発明の部品内蔵基板の製造方法は、さらに、（Ｅ）スルーホールを形成する工程、及び（Ｆ）絶縁層上に導体層を形成する工程を含んでもよい。これらの工程（Ｅ）乃び（Ｆ）は、プリント配線板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。なお、第１及び第２の支持体を工程（Ｄ）の後に剥離する場合、該第１及び第２の支持体の剥離は、工程（Ｄ）と工程（Ｅ）との間、又は工程（Ｅ）と工程（Ｆ）の間に実施してよい。

工程（Ｅ）は、スルーホールを形成する工程である。スルーホールは、部品内蔵基板の両面の電気接続のために設けられ、絶縁層や絶縁基板の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により形成することができる。

スルーホール形成時に絶縁層表面を保護し得る観点から、工程（Ｅ）は、第１及び第２の支持体を剥離する前に実施することが好ましい。斯かる場合、例えば、支持体上からレーザー光を照射して、スルーホールを形成することができる。またレーザー加工性を良くする目的で、使用するレーザーの波長に適したレーザー吸収材料を含有する支持体を使用してもよい。スルーホールの開口径や開口形状は、回路配線の設計に応じて適宜決定してよい。

レーザーによりスルーホールを形成する場合、レーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。

工程（Ｆ）は、絶縁層上に導体層を形成する工程である。

導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。

導体層の厚さは、所望の部品内蔵基板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。

一実施形態において、工程（Ｆ）は、
絶縁層を粗化処理すること、及び
粗化された絶縁層上にメッキにより導体層を形成すること
を含む。

粗化処理の手順、条件は特に限定されず、プリント配線板の製造に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して第１及び第２の絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に第１及び第２の絶縁層を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。第１及び第２の絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に第１及び第２の絶縁層を５秒間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に第１及び第２の絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のコンセントレート・コンパクトＣＰ、ドージングソリューション・セキュリガンスＰ等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のリダクションソリューション・セキュリガントＰが挙げられる。中和液による処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた対象物を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

導体層の形成方法は、所望のパターンを有する導体層（回路配線）を形成し得る限り特に限定されない。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により第１及び第２の絶縁層の表面にメッキして、所望のパターンを有する導体層（回路配線）を形成することができる。以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。

まず、第１及び第２の絶縁層の表面に、無電解メッキによりメッキシード層を形成する。次いで、形成されたメッキシード層上に、所望の配線パターンに対応してメッキシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出したメッキシード層上に、電解メッキにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なメッキシード層をエッチングなどにより除去して、所望のパターンを有する導体層を形成することができる。

第１及び第２の支持体として、銅箔等の金属箔を用いた場合には、この金属箔を利用するサブトラクティブ法などによって、導体層を形成してもよい。また、金属箔をメッキシード層として、電解メッキにより導体層を形成してもよい。

これらの工程によりスルーホール内にも導体（配線）が形成され、第１の絶縁層１２’’の表面に設けられた回路配線４と第２の絶縁層２２’’の表面に設けられた回路配線４とが電気的に接続され、部品内蔵基板１００が得られる（図３Ｇ）。部品内蔵基板の両面の電気接続がもたらされる限り、スルーホールの内部は導体で充填されている必要はなく、スルーホールの壁面をコーティングするように導体の薄層が形成されていてもよい。なお、部品３と基板表面の回路配線との電気接続は、一般にビア配線を介して行われる。ビア配線は、プリント配線板の製造に際して従来公知の任意の方法により形成することができる。例えば、上記工程（Ｅ）と同様の方法でビアホールを形成した後、上記工程（Ｆ）を実施することによりビア配線を形成することができる。

本発明の部品内蔵基板の製造方法においては、表面粗度の低い絶縁層上にメッキにより微細な導体（配線）を形成することができる（表面粗度の値に関しては後述することとする）。絶縁基板に部品を内蔵することも相俟って、本発明は、部品の搭載量を増大させつつ微細配線化を可能としており、従来の２層配線基板に比し、著しく高機能かつ小型の２層配線基板（以下、「部品内蔵２層配線基板」ともいう。）を実現することができる。

本発明の部品内蔵基板の製造方法はまた、（Ｇ）部品内蔵基板を個片化する工程を含んでもよい。

工程（Ｇ）は、例えば、回転刃を備える従来公知のダイシング装置により研削して、得られた構造体を個々の部品内蔵基板ユニットへと個片化することができる。

以上、本発明の部品内蔵基板の製造方法を、部品内蔵２層配線基板を製造する好適な実施形態に即して説明したが、上記工程（Ａ）乃至（Ｄ）の各工程を含み且つ工程（Ａ）乃至（Ｄ）の各工程がこの順序で実施される限り、本発明は上記で具体的に示した実施形態に限定されるものではない。例えば、工程（Ａ）乃至（Ｄ）を実施した後、導体層を形成する工程（すなわち、上記工程（Ｆ））と絶縁層を形成する工程とを繰り返して、多層配線を有する部品内蔵基板を製造してもよい。絶縁層を形成する工程は、プリント配線板の製造に際して従来公知の任意の方法に従って実施してよく、例えば、上記工程（Ｃ）及び（Ｄ）と同様の方法にて実施してよい。また、工程（Ｇ）は、工程（Ｃ）と工程（Ｄ）の間、工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間、又は工程（Ｅ）と工程（Ｆ）の間に行ってもよい。本発明の部品内蔵基板の製造方法には多数の変形例が考えられる。

［部品内蔵絶縁基板］
従来、部品内蔵基板は、内層回路基板に部品を内蔵させて形成されるのが一般的であった。これに対し、本発明においては、先述のとおり、絶縁基板に部品を内蔵させて部品内蔵基板を製造する。以下、本発明の方法において、工程（Ｄ）において得られる部品内蔵絶縁基板について説明する。

部品内蔵絶縁基板は、
第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通するキャビティが形成された絶縁基板と、
絶縁基板の第１の主面と接合している第１の絶縁層と、
絶縁基板の第２の主面と接合している第２の絶縁層と、
絶縁基板のキャビティの内部に収容されるように、第２の絶縁層上に設けられた部品とを含み、
第１の絶縁層が、部品を埋め込むように絶縁基板のキャビティを充填していることを特徴とする。

キャビティが形成された絶縁基板、第１及び第２の絶縁層を形成するための熱硬化性樹脂組成物、及び部品に関しては、先述のとおりである。

第１の絶縁層と、第２の絶縁層とは、互いに異なる組成であっても、同じ組成であってもよい。第１の絶縁層と第２の絶縁層とが同じ組成を有する場合、第１の絶縁層と第２の絶縁層とは明確な界面を示さず連続的に一体化されていてよい。

部品内蔵絶縁基板の厚さは、部品内蔵基板の薄型化の観点から、薄い方が好適であり、好ましくは４００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、さらに好ましくは２００μｍ以下、さらにより好ましくは１５０μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。部品内蔵絶縁基板の厚さの下限は特に制限されないが、一般に、３０μｍ以上、５０μｍ以上、又は８０μｍ以上とし得る。

部品内蔵絶縁基板において、部品間のピッチは、先述のキャビティ間のピッチに対応する。詳細には、部品内蔵絶縁基板における部品間のピッチは、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは９ｍｍ以下、さらに好ましくは８ｍｍ以下、さらにより好ましくは７ｍｍ以下、特に好ましくは６ｍｍ以下である。部品間のピッチの下限は、通常、１ｍｍ以上、２ｍｍ以上などである。部品間のピッチは、部品内蔵絶縁基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。

部品内蔵絶縁基板にスルーホール、導体層を形成することにより、部品内蔵２層配線基板等の部品内蔵基板を製造することができる。

微細配線化の観点から、部品内蔵絶縁基板は、粗化処理後の表面の算術平均粗さＲａが、３５０ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらにより好ましく、１８０ｎｍ以下、１６０ｎｍ以下、１４０ｎｍ以下、１２０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。算術平均粗さＲａの下限値は特に限定されず、２０ｎｍ、４０ｎｍなどとなる。
なお、算術平均粗さＲａは、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製の「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」が挙げられる。

［部品内蔵２層配線基板］
本発明の部品内蔵基板の製造方法においては、部品内蔵２層配線基板を好適に製造することができる。

一実施形態において、部品内蔵２層配線基板は、
第１及び第２の導体層と、
第１及び第２の導体層と接合して該第１及び第２の導体層間に設けられた部品内蔵絶縁基板と、
第１及び第２の導体層を電気的に接続する層間接続体と、
を含む。

導体層及び部品内蔵絶縁基板は、先述のとおりである。

層間接続体は、第１及び第２の導体層を電気的に接続し得る限り特に限定されず、例えば、スルーホールに導体を充填して形成された接続体、スルーホールの壁面に導体の薄層をコーティングして形成された接続体が挙げられる。

本発明の部品内蔵基板の製造方法においては、表面粗度の低い絶縁層上にメッキにより導体層を形成するため、微細な配線を有する部品内蔵２層配線基板を得ることができる。例えば、ライン／スペース比（Ｌ／Ｓ比）が、好ましくは５０μｍ／５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ／４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ／３０μｍ以下の微細配線を有する部品内蔵２層配線基板を歩留まりよく形成することができ、さらにはＬ／Ｓ比が２０μｍ／２０μｍ以下、１０μｍ／１０μｍ以下、７μｍ／７μｍ以下の微細配線を有する部品内蔵２層配線基板であっても歩留まりよく形成することができる。

［半導体装置］
本発明の方法で製造された部品内蔵基板を用いて、半導体装置を製造することができる。

かかる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

まず各種測定方法・評価方法について説明する。

〔測定・評価用サンプルの調製〕
（１）部品が仮付けされた絶縁基板の準備
２５５ｍｍ×２５５ｍｍサイズの絶縁基板に、該絶縁基板の第１及び第２の主面間を貫通する０．８ｍｍ×１．２ｍｍサイズのキャビティを５ｍｍピッチで作製した。絶縁基板としては、ガラス繊維基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（片面の銅箔の厚さ１８μｍ、基板（ガラス繊維基材−エポキシ樹脂系硬化プリプレグ）の厚さ１５０μｍ、全体厚さ１８６μｍ、パナソニック（株）製「Ｒ５７１５ＥＳ」）の両面銅箔をすべて除去したものを使用した。次いで、キャビティの形成された絶縁基板の片面（第２の主面）に仮付け材料（古河電気工業（株）製ウエハダイシング用ＵＶテープＵＣ）を貼り合わせ、絶縁基板のキャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品（（株）村田製作所製積層薄膜コンデンサ１００５、１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズ、厚さ１８０μｍ）を仮付けした。

（２）第１の接着フィルムの真空積層
上記（１）で得た、部品が仮付けされた絶縁基板に、下記作製例において作製した第１の接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、第１の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第１の主面と接するように、真空積層した。第１の接着フィルムの真空積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間ラミネート処理した。さらに、常圧下、１１０℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間ホットプレスすることにより平滑化処理を行った。
なお、第１の接着フィルムは、保護フィルムを剥離した後に本工程に供した。本工程は工程（Ａ）に相当する。

（３）第１の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理
第１の接着フィルムが積層された部品仮付け絶縁基板を、常圧下、下記表２に示す温度および時間にて加熱し、第１の熱硬化性樹脂組成物層を加熱処理した。得られた基板を「評価基板ａ」と称する。本工程は工程（Ｂ）に相当する。

（４）仮付け材料の剥離
仮付け材料をＵＶ照射した後、評価基板ａから仮付け材料を剥離して絶縁基板の第２の主面を露出させた。得られた基板を「評価基板ｂ」と称する。

（５）第２の接着フィルムの真空積層
下記作製例で作製した第２の接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）名機製作所製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、第２の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第２の主面と接するように、評価基板ｂに真空積層した。第２の接着フィルムの真空積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間ラミネート処理した。さらに、常圧下、１１０℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間ホットプレスすることにより平滑化処理を行った。得られた基板を「評価基板ｃ」と称する。
なお、第２の接着フィルムは、保護フィルムを剥離した後に本工程に供した。本工程は工程（Ｃ）に相当する。

（６）第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化
評価基板ｃを、常圧下、１００℃にて３０分間、次いで１８０℃にて３０分間加熱して、第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させ、絶縁層を形成した。本工程は工程（Ｄ）に相当する。

＜熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の測定＞
下記作製例で作製した第１の接着フィルムにおける第１の熱硬化性樹脂組成物層について、動的粘弾性測定装置（（株）ユー・ビー・エム製「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」）を使用して最低溶融粘度を測定した。試料樹脂組成物１ｇについて、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃まで昇温速度５℃／分にて昇温し、測定温度間隔２．５℃、振動１Ｈｚ、歪み１ｄｅｇの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度（ｐｏｉｓｅ）を算出した。
また、第１の接着フィルムにおける第１の熱硬化性樹脂組成物層を表２の加熱条件にて加熱処理し、開始温度を１００℃とした以外は上記と同様にして、評価基板ａにおける第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度を測定した。

＜基板反りの評価＞
基板反りの評価は、評価基板ａを用いて、図４に示すように実施した。詳細には、室温（２３℃）下、評価基板ａ（図４中の５０）の一辺（ＣＤ辺）を固定具３１で固定し、地面（水平面）に対して垂直方向に吊した。ここで、評価基板ａのＣＤ辺を含む地面に垂直な面を仮定し、これを垂直面（図４中の３０）とする。そして、垂直面３０からの、対辺（ＡＢ辺）の両端部、すなわちＡ端及びＢ端の垂直高さ（Ｈ_Ａ及びＨ_Ｂ）を測定し、その平均値（（Ｈ_Ａ＋Ｈ_Ｂ）／２）を求めた。そして、下記基準に基づき、基板反りを評価した。なお、本評価における平均値が２５ｍｍより大きいと、第２の接着フィルムの真空積層の工程で基板搬送に不具合が生じやすい。
評価基準：
○：平均値が２５ｍｍ以下である
×：平均値が２５ｍｍより大きい

＜部品の位置ズレの評価＞
第２の接着フィルムの積層前後における部品位置の変化を光学顕微鏡（（株）キーエンス製「ＶＨ−５５００」）で測定した。測定は、評価基板ｂと評価基板ｃとの間における該対象部品の位置の変化を測定した。なお、本評価においては、部品の中心を基準点とし、該基準点の位置変化（μｍ）を測定した。そして、下記評価基準に基づき、部品の位置ズレを評価した。
評価基準：
○：位置変化が４０μｍ未満である
×：位置変化が４０μｍ以上である

〔作製例１〕
（１）樹脂ワニスの調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量約１６９）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１５部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、重量平均分子量約３５０００、固形分３０％のＭＥＫ溶液）１０部を、ソルベントナフサ２５部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、ナフトール系硬化剤（新日鉄住金化学（株）製「ＳＮ−４８５」、水酸基当量２１５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）３部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ^２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
樹脂ワニス中の不揮発成分の合計を１００質量％としたとき、無機充填材（球状シリカ）の含有量は、６７．５質量％であった。
（２）第１の接着フィルム１の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体の離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて第１の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第１の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは５０μｍであった。次いで第１の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の平滑面側を貼り合わせて、第１の接着フィルム１を調製した。
（３）第２の接着フィルム１の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体の離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で４分間乾燥させて第２の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第２の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは３０μｍであった。次いで第２の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の平滑面側を貼り合わせて、第２の接着フィルム１を調製した。

〔作製例２〕
（１）樹脂ワニスの調製
作製例１と同様にして樹脂ワニスを調製した。
（２）第１の接着フィルム２の作製
支持体として銅箔（三井金属鉱業（株）製「３ＥＣ−ＩＩＩ」、厚さ１８μｍ）を、保護フィルムとしてアルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、上記保護フィルムの離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて第１の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第１の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは５０μｍであった。次いで第１の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、上記支持体のマット面側を貼り合わせて、第１の接着フィルム２を調製した。
（３）第２の接着フィルム２の作製
支持体として銅箔（三井金属鉱業（株）製「３ＥＣ−ＩＩＩ」、厚さ１８μｍ）を、保護フィルムとしてアルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、上記保護フィルムの離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で４分間乾燥させて第２の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第２の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは３０μｍであった。次いで第２の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、上記支持体のマット面側を貼り合わせて、第２の接着フィルム２を調製した。

＜実施例１＞
第１の接着フィルム１及び第２の接着フィルム１を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板ａ、ｂ及びｃを製造した。各評価結果を２に示す。

＜実施例２＞
第１の接着フィルム２及び第２の接着フィルム２を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板ａ、ｂ及びｃを製造した。各評価結果を２に示す。

＜実施例３＞
第１の接着フィルム１及び第２の接着フィルム１を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板ａ、ｂ及びｃを製造した。各評価結果を表２に示す。

＜比較例１＞
第１の接着フィルム１及び第２の接着フィルム１を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板ａ、ｂ及びｃを製造した。各評価結果を２に示す。

＜比較例２＞
第１の接着フィルム１及び第２の接着フィルム１を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板ａ、ｂ及びｃを製造した。各評価結果を２に示す。

第１の熱硬化性樹脂組成物層を、所定の条件にて加熱処理する工程（Ｂ）を採用する実施例１〜３においては、厚さが１５０μｍと薄い絶縁基板を使用した場合であっても、基板反りの発生を抑制し得ることが確認された。また、斯かる実施例１〜３においては、部品の位置ズレも抑えられることが確認された。
これに対し、比較例１では、顕著な基板反りが発生し、基板搬送障害により歩留まりが著しく低下した（加熱処理後の第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は測定上限値（２００，０００ポイズ）を超えていた）。また、比較例２においては、著しい部品の位置ズレの起こることが確認された（加熱処理後の第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は６，１５０であった）。

１ 絶縁基板
１ａ キャビティ
１’ 部品が仮付けされた絶縁基板
２ 仮付け材料
３ 部品
１０ 第１の接着フィルム
１１ 第１の支持体
１２ 第１の熱硬化性樹脂組成物層
１２’ 第１の熱硬化性樹脂組成物層（加熱処理体）
１２’’ 第１の熱硬化性樹脂組成物層（硬化体）
２０ 第２の接着フィルム
２１ 第２の支持体
２２ 第２の熱硬化性樹脂組成物層
２２’’ 第２の熱硬化性樹脂組成物層（硬化体）
３０ 垂直面
３１ 固定具
５０ 評価基板ａ
１００ 部品内蔵基板

Claims (12)

1. 下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）をこの順序で含む部品内蔵基板の製造方法：
   （Ａ）第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通するキャビティが形成された絶縁基板と、該絶縁基板の第２の主面と接合している仮付け材料と、前記絶縁基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた絶縁基板に、第１の支持体及び該第１の支持体と接合する第１の熱硬化性樹脂組成物層を含む第１の接着フィルムを、該第１の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第１の主面と接合するように、真空積層する工程
   （Ｂ）第１の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が１５０００ポイズ〜２０００００ポイズとなるように加熱処理する工程
   （Ｃ）絶縁基板の第２の主面から仮付け材料を剥離した後、第２の支持体及び該第２の支持体と接合する第２の熱硬化性樹脂組成物層を含む第２の接着フィルムを、該第２の熱硬化性樹脂組成物層が絶縁基板の第２の主面と接合するように、真空積層する工程
   （Ｄ）第１及び第２の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程。
2. 絶縁基板が、硬化プリプレグ、ガラス基板又はセラミック基板である、請求項１に記載の方法。
3. 第１の接着フィルムにおける第１の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度が１００ポイズ〜１００００ポイズである、請求項１又は２に記載の方法。
4. 工程（Ｂ）において、第１の支持体の付いた状態で加熱処理する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. 絶縁基板の厚さが３０μｍ〜３５０μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. キャビティ間のピッチが１ｍｍ〜１０ｍｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 第２の熱硬化性樹脂組成物層が、第１の熱硬化性樹脂組成物層よりも薄い、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 工程（Ｂ）で得られる基板の反りが２５ｍｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. （Ｅ）スルーホールを形成する工程をさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. （Ｆ）絶縁層上に導体層を形成する工程をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 工程（Ｆ）が、
    絶縁層を粗化処理すること、及び
    粗化された絶縁層上にメッキにより導体層を形成すること、
    を含む、請求項１０に記載の方法。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法で製造された部品内蔵基板を含む半導体装置。

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