TW523935B - Side luminescent semiconductor light emitting device and its process - Google Patents

Side luminescent semiconductor light emitting device and its process Download PDF

Info

Publication number
TW523935B
TW523935B TW090109748A TW90109748A TW523935B TW 523935 B TW523935 B TW 523935B TW 090109748 A TW090109748 A TW 090109748A TW 90109748 A TW90109748 A TW 90109748A TW 523935 B TW523935 B TW 523935B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting
substrate
emitting device
semiconductor light
Prior art date
Application number
TW090109748A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiro Fujii
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2000122255A external-priority patent/JP2001308389A/ja
Priority claimed from JP2000134159A external-priority patent/JP2001320092A/ja
Priority claimed from JP2000152249A external-priority patent/JP2001332766A/ja
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW523935B publication Critical patent/TW523935B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

523935
[發明所屬技術領域] 本發明係有關一種側面發光半導體發光裝置及其製造 方去，尤指例如將led晶片黏接於基板上的電極之側面發 光半導體發光裝置及其製造方法。 [習知之技術] 、以往之侧面發光半導體發光裝置及其製造方法例係刊 載於平成5年11月26日所公開申請之日本特開平5_ 3 1 % 51 5虎[H01L 33/00]公報。由該製造方法所製造的半導 體發光元件1係如第17(A)圖所示。根據第17(A)圖，LED b曰片43係黏接於在基板42表面所形成的電極及電極 42b。透明合成樹脂44係為了覆蓋εεε>晶片43而形成。 如第17(A)圖之XVIB—XVIB剖視圖的第17(B)圖可知，透 明合成樹脂44上面很平滑，且順著朝發光面45而膨脹。 具有與透明合成樹脂44相嵌合之凹部的蓋體46，係為了 包覆透明合成樹脂44而形成。蓋體46係由具不透光性及 反射性樹脂所形成，自LED晶片43朝與發光面45相異方 向所發射的光經由蓋體46而反射。因此，所反射的光從發 光面45輸出’而改善往側面方向的發光效率。 然而，以往之技術中，由於在LED晶片43與電極4儿 之間作電性連接的金線（銲接線）43a相對於發光面45朝垂 直向黏接，故使半導體發光元件〗的寬度方向的長度w比 半導體發光元件1的深度方向的長度D還短。而且，由於 發光面45只形成在半導體發光元件41的其中一個局部側 面，使發光領域很狹窄。因此，將半導體發光元件〗當作 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 312580 523935 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2 ) 行動電話機等電子機器的液晶顯示器（LCD)的背光來使用 時’在導光板設置比較多數的半導體發光元件1，必須防 止所謂陰暗（dark)部分產生。 為了避免上述問題，本專利申請人在之前已提出的曰 本特願平11-124410號公報中，提出有如第ι8(Α)圖所示 晶片型半導體發光元件5 1。根據第1 8(A)圖，在基板53 形成電極53a及53b，並將LED晶片55黏接於電極53a 及53b。亦即，由第l8(A)圖之χνιΙΒ_χνΠΒ剖視圖即第 18(B)圖可知，LED晶片55係利用黏接糊膠（以下稱為「dB 糊膠」）61黏接於電極53a，並藉由銲接線55a銲接於電極 53b由其不透光性及反射性之樹脂所形成之反光板（盒體） 57設置於基板53上，使之可包覆led晶片55。將透光性 樹脂59填充於基板53與盒體57所形成之開口部分。 如第18(B)圖所示，銲接線55a係以與晶片型半導體 發光兀件51的寬度方向呈大致平行之方式黏接，藉此使發 光面擴大。另外，在第18(A)圖中，由透光性樹脂59所形 成的面59a、面59b及與面59b相對向之面構成發光面。 然而，在晶片型半導體發光元件5 1中，雖然可以擴大發光 面，但由於對面59a施有鏡面加工，故使製造產生困難。 亦即’製造晶片型半導體發光元件時，使用由基板 53連績形成的連續基板61及由盒體57連續形成的連續盒 63，使之可一次製造ι〇00個左右。首先，黏接該連續基板 61與連續盒63，其剖面係如第i9(A)圖所示。在第i9(a) 圖至第19(C)圖中，連續基板61只有朝橫方向連續，但連 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 312580 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝 摹 523935 A7 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 續基板61也可朝與紙面相對之垂直方向連續。此外，包含 在連項I 63之構件63a係按預定間隔朝橫方向形成，且構 件63a的面形成為τ字形。而連續盒63與連續基板η 相同也可朝與紙面相對之垂直方向連績。亦即，構件 的剖面形成為可構成T字之棒狀。不過，各構件63a在未 圖示之端部相互連結，而形成連績盒63。當連績基板Η 與連續盒63相互黏接時，#第19(B)圖所示，可裝接模具 71 ’並如第19(C)圖所示注入透光性樹脂59。 脂W硬化後，卸除模具71，並按第·圖之虛線進行: 割。而在紙面之平行方向，也可按晶片型半導體發光元件 51的寬度進行切割。如此可得到複數個晶片型半導體發光 元件51。形成發光面之面59a係利用模具71的凸部 的金屬面做鏡面加工。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，由於模具71的凸部71a必須收 —⑴至左右的空隙73，而使模具tr難構Λ 位。此外，由於凸部71a非常薄，所以很容易破損。而且 模具71在透光性樹脂59硬化後必須卸除，在摩擦下使模 具71難以取出。又’由於第18(A)圖所示面…施有鏡面 加工’造成自LED晶片55輸出的光折射，使往侧面向之 發光強度減弱。 再者，如第18(A)圖及第18(B)圖可知，盒體57與基 板53相接之面積若縮小，則在材質相異下盒體η與透1 性樹脂59的密接性也會變差。因此，在外部衝擊下很容易 造成盒體57鬆脫。而且’由於LED晶片55係藉由⑽糊 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ---^12580 _ 523935 A7
五、發明說明（4 ) 膠61銲接在電極53a上，故LED晶片55的下部（底座）為 DB糊膠61所覆蓋，使自LED晶片55的底座部分所輸出 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 的光被DB糊膠61遮蔽，導致發光效率低落。 [發明之概述] 因此，本發明之主要目的在於提供一種可提升發光強 度之側面發光半導體發光裝置及其製造方法。 本發明之其他目的在於提供一種可防止盒體鬆脫之側 面發光半導體發光裝置及其製造方法。 本發明之其他目的在於提供一種可改善往所希望之發 光方向的發光效率之側面發光半導體發光裝置及其製造方 法0 本發明之側面發光半導體發光裝置，係具備：形成有 電極之基板；黏接於電極之led晶片；及將led晶片模 塑之透光性樹脂，透光性樹脂則具有與基板正交且由粗糖 面所形成的發光面。藉由以粗糙面形成與基板正交之發光 面，使自LED晶片輸出的光在發光面亂射，俾提高發光強 度。而發光面最好透過切割而形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之側面發光半導體發光裝置的製造方法，具備 以下步驟：（a)將開口相對向之兩個反光板配置在安裝有 LED晶片之基板上；將透明樹脂注入開口的相對向部； 以及（c)在相對向部切割已硬化之透明樹脂及基板。完成製 造之侧面發光型半導體發光裝置係將透明樹脂的切割面作 為發光面。經由切割，發光面形成粗糙面，使自LED晶片 輸出的光在發光面亂射，俾提昇發光強度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4
TT35W 523935 A7 五、發明說明（5 ) 本發明之側面發光半導體發光裝置，係具備：形成有 電極之基板；黏接於基板上之LED晶片；將LED晶片模 塑之透光性樹脂；及將自LED晶片發射的光反射之反光 板。透光性樹脂具有凸部，而反光板則具有與凸部相嵌合 之凹部。藉由凸部與凹部相嵌合，使透明性樹脂與反光板 一體化。藉此反光板不易鬆脫。 若將凹部當作從反光板的一主面往另一主面擴徑之貫 穿孔’即使自一主面朝另一主面之外力施加於反光板，也 不易使反光板鬆脫。最好是一主面係與透光性樹脂相連接 之面，而另一主面則係露出於外部之面。LED晶片具有從 晶片上面延伸之銲接線時，若凹部形成於LED晶片的正上 方，則銲接線會收容於凹部，並可減低側面發光半導體發 光裝置的高度。 本發明之側面發光半導體發光裝置的製造方法，具備 以下步驟：（a)將形成有凹部之反光板配置在基板上；（b) 將包含凹部内面之反光板表面所附著的有機物去除；以及 (e)在反光板與基板之間將透光性樹脂注入至凹部内。藉由 去除有機物，使透光性樹脂容易侵入凹部内，並提高反光 板及透光性樹脂的密接性。由於反光板與透光性樹脂的一 體化，故可防止反光板的脫離。而有機物最好透過UV洗 淨來去除。 本發明之側面發光半導體發光裝置，係具備：形成有 電極之基板；及使用黏接糊膠而黏接於電極之LED晶片， LED晶片具有透明底座及其上所形成的發光層，且安裝於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312580 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝 523935 A7 Γ"---—------—— 五、發明說明（6 ) 從黏接糊膠的塗佈位置偏移至發光面側之位置。從發光層 發射的光經由透明底座從發光面輸出。由於LED晶片安裝 於從黏接糊膠的塗佈位置偏移至發光面侧之位置，使底座 不為黏接糊膠覆蓋，而改善發光效率。 電極最好是包含具有從LED晶片安裝位置偏移至與 發光面相反向之中心的塗佈區域。藉以使黏接糊的塗佈位 置容易定位。而且，電極最好是包含除了塗佈區域而形成 於發光面側之輔助區域；及連接塗佈區域與輔助區域之窄 寬連結部。藉由形成辅助區域，使led晶片可確實地黏接 於電極。此外，利用窄寬的連結部連接塗佈區域與輔助區 域’可使塗在塗佈區域之黏接糊膠不易侵入輔助區域。若 將塗佈區域的中心自基板中心朝與發光面相反向偏移，可 與習知例相同將LED晶片的安裝位置定位。 本發明中上述之目的、其他目的、特徵以及優點，可 參照圖示並透過以下實施例的詳細說明即可明瞭。 [發明之最佳實施形態] 參照第1圖，本實施例之侧面發光半導體發光裝置i 〇 經（以下簡稱為「發光裝置」）係包含例如玻璃環氧樹脂所形 濟j | 成的絕緣性基板12(以下簡稱為「基板」）。在基板12上設 Μ 有不透光性及反射性樹脂所形成的反光板（盒體）14。在基
彦.I 1 板12形成導線（電極）18a及18b，如第1圖之ΙΙΑ—ΙΙΑ剖 | 視圖的第2(A)圖可知，利用OB糊膠（未圖示）將半導體發 芬 光元件（LED晶片）20黏接於電極18a。而且如第1圖之ΠΒ 社 、 2 — IIB剖視圖的第2(B)圖可知，使用如金線之銲接線22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------—裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 523935 A7 -----------_B7__ 五、發明說明（7 ) 電性連接電極18b與LED晶片20。 電極1 8 a經由在基板12側面所形成的貫穿孔12 &從基 板14表面到背面連績地形成，並直接安裝於印刷基板（未 圖示）形成可電地連接之構造。而省略圖示之電極18b也是 相同的構造。在基板12與盒體14之間填充環氧樹脂等透 光性樹脂16，以模塑LED晶片20。 另外’在第1圖、第2(A)圖及第2(B)圖中，電極18a 及18b雖標有厚度，但實際上係形成薄膜狀。如第1圖所 示’貫穿孔12a在基板12的表面側被電極i8a包覆。如此， 在模塑時可防止透光性樹脂16流入基板12的背面側。而 省略圖示之電極18b侧也是相同的構造。 如第2(A)圖及第2(B)圖可知，銲接線22以與發光裝 置1〇的寬度方向W呈大致平行之方式而黏接。此外，發 光面係面16a、面16b及與面16c相對向之面，由透光性 樹脂16所形成。再者，該發光面係與基板12正交之粗糙 面所形成。因此，自LED晶片20輸出的光及由盒體14反 射的光在發光面亂射。亦即，可實質地擴大發光領域，並 使發光強度提昇。 參照第3(A)圖，連續基板30係連續地形成複數基板 12之基板，而連績盒32係連績地形成複數盒體14之盒 體。該連續基板30及連續盒32係用於發光裝置10之製 造。在連績基板30上連續地形成與製造發光裝置10之個 數相對應之省略圖示的電極18a及18b，並將與製造發光 裝置10之個數相對應之LED晶片20黏接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 312580 523935 A7 五、發明說明（8 ) 如第3(B)圖所示’連續盒32叠層於連續基板30,而 獲得積層體34。如第3(B)圖之iVA 而 Λ 1 VA剖視圖的第4ΓΑ) 圖可知，包含在連績盒32之構 AWII ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 稱件32a的剖面係形成Τ字 形，且按預定間隔橫向形成複數個構件32a。又構件3。 也可朝與紙面正交之方向連續形成。亦即，構件3 : 面形成為可構成丁字之棒狀。另外，如第3⑷圖所示’1 構件仏之端部彼此相互連結，而形成—件連續各m 連續盒32以相當於τ字縱棒底邊之部分黏接於連續基板 30 ° 獲得積層體34後，就對連續盒32進行uv洗淨。具 體而言，在黏接有連續基板3〇與連續盒32之狀態下，/昭 射預定時間（如3分鐘）的料線。透過uv洗淨除〜去附著、 在連續盒32(盒體14)表面之有機物，以改善盒體μ與透 光性樹脂16的密接性。亦即’將有機物與盒體“間的結 合狀態解除，使所注人的透光性樹脂16與盒體Μ容易地 結合。待完成uv洗淨後，將透光性樹脂16注入由連續基 板30與連續盒32所形成之開口 34相對向之部分（相= 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 部分）3 8。 具體而s ’如帛4(B)圖所示，將形成平板狀之模且％ 推壓在連續盒32的上面，並如第4(c)圖所示，將透光性 樹脂16注入於相對向部分38。完成注入並待透光性樹脂 16硬化後’自連續盒32卸除模具36。填充有透光性樹脂 16之積層體34藉由切割刀（未圖示）按第4(c)圖之虛線進 行切割。如注入透光性樹脂16後之第3(B)圖之ivd一π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（2l〇x 297公楚） 8 312580 523935 A7
五、發明說明（9 ) ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 剖視圖的第4(D)圖可知’積層體34按盒體14(發光裝置 1〇)的寬度切割。如此，可得到第j圖之複數個發光裝置 1〇由於發光裝置ίο的發光面係由切割所形成故在發光 面形成由切割刀之刀片的粗糙所造成的細小凹凸。使自 LED晶片20輸出的光由細小的凹凸在發光面亂射。 根據本實施例，由於透過切割形成光亂射性良好之發 光面，故可易於提昇發光強度。因此，在電子機器設備等 所設置的LED背光適用發光裝置時，可減少發光裝置的個 數。而且，由於注入透光性樹脂時所使用的模具係平板狀 物，故使模具的製造簡單化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參照第5圖’其他實施例之發光裝置1 〇除了在盒體 14上方形成貫穿孔24(以下簡稱為「孔」）之點外，由於與 第1圖至第4圖之實施例相同，故儘量省略重複之說明。 如第5圖、第6(A)圖及第6(B)圖可知，在盒體14的上部 板14a形成孔24。孔24係反向扁頭圓錐狀，自上部板14a 下面朝上面擴徑。此外，將透光性樹脂i6填充於孔24， 使益體14與透光性樹脂16 —體化。亦即，透明樹脂16 與盒體14係藉由形成於透明樹脂16之凸部與形成於盒體 14之凹部而彼此相嵌合，使兩者一體化。 上述之發光裝置10係使用與第1圖至第4圖相同之方 法而製造。亦即，如第7(A)圖所示，將形成有複數孔24 之連績盒32疊層於連績基板30，而形成第7(b)圖之積層 體34。此時，如第7(B)圖之VIIIA- VIIIA剖视圖之第6(A) 圖可知，銲接線22的頂上部分可收容於孔24内。獲得積 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 9 Ή2580 523935 A7 五、發明說明（10 ) 層體34時，經由預定時間的UV洗淨後，如第8(B)圖所示， 將模具36推壓在連續盒32，並如第8(C)圖所示，將透光 性樹脂16注入於連續盒32内。待透光性樹脂16硬化後， 如第8(D)圖所示，將積層體34切割，可獲得複數個發光 裝置10。 根據本實施例，在盒體14設置孔24，且藉由讓透光 性樹脂16侵入孔24,使盒體14與透光性樹脂16 —體化。 如此，對於盒體14，即使對第1圖之發光裝置10本體的 寬度方向W施力，透光性樹脂16的凸部16c可作為擋止 部來運作，而防止盒體14脫離。此外，由於孔24朝上方 擴徑，即使對上方向Η施力，盒體14也不會鬆脫。 雖然孔24朝上部板14a上面擴徑，並構成使透光性樹 脂16難以侵入孔24内之構造，但由於透過uv洗淨改善 透光性樹脂16與盒體14的密接性，而使透光性樹脂 容易侵入孔24。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -----------Φ1 ^ i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，由於孔24形成於LED晶片20的正上方，使從 晶片上面延伸之銲接線22的頂上22a可收容於孔24内。 如此，即使降低盒體14的高度，銲接線22也不會與盒體 14相接觸，安裝盒體14時可防止銲接線以斷線。， 可形成薄型#光裝f H)本體(上述之導光板厚度以下”使 自LED晶片20輸出的光有效率地入射至導光板。 再者’由於藉由透過孔24輸出至外部的光可進 裝置1〇的點燈實驗’故上面發光型半導體發光裝置的點燈 實驗也適用於本實施例之發光裝置1〇 且 ___ 〇邳即，不須另外設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复) ___ 10 *312580" 523935 A7 五、發明說明（11 ) 置實驗裝置，也不須變更設於實驗裝置之光感測器位置。 在點燈實驗中，求出自發光面（側面）的發光量時，最好加 —裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 异自孔24的發光量乘上相對於發光面面積之孔24的面積 比率。 另外，本實施例中，雖然孔的形狀係向下之扁頭圓錐 形’但如第9圖所示，也可形成向上之扁頭圓錐形孔。亦 即’也可形成朝上方縮徑之孔。在實施例所示形狀的孔中， 朝上向施加大力時，會使透光性樹脂的凸部損壞，而可能 造成接銲線的斷線。反之，若朝上方形成縮徑孔，雖然藉 由朝上向的大力會使盒體#脫’但卻可避免鲜接線的斷 線。 此外，若只改善盒體與透光性樹脂的密接性，孔的形 狀也可為圓筒狀。然而，將形成盒體的模具拔取時，由於 與孔相接觸之部分的摩擦變大，使得模具難以取出，並可 月匕會有抽壞已成形之連續盒之虞。因此，本實施例令，形 成朝上方縮徑之錐形孔，俾解決上述之問題。 ^再者，本實施例中，雖然對盒體（連續盒）進行UV洗 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 淨，但也可藉由電漿洗淨或喷濺洗淨來去除有機物。不過， 發明者所進行的實驗中，UV洗淨時的㈣性係最優良， 在電漿洗淨或噴濺洗淨時須保持真空狀態，且裝置本體 也有價格過高之問題。 本實施例中，雖然對包含孔的内面之盒體（連續盒）表 面進行洗淨，但若$ 脸2丨Μ & I i 一至^將孔的内面洗淨，可使透光性樹脂 容易侵入孔内。
312580 523935 A7 ____ B7 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 參照第1 〇圖，其他實施例之發光裝置1 0除了如第14 (A)圖所示形成電極18a之點外，由於與第1圖至第4圖之 實施例相同，故儘量省略重複之說明。不過，本實施例中， 由於DB糊膠與LED晶片的相對位置有特殊意義，故藉由 標上參照號“26”來圖示DB糊膠。在第11(A)圖、第11(B) 圖、第12圖、第13(A)圖至第13(D)圖中，DB糊膠26係 用斜線圖不’但該斜線並非表示剖面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第12圖所示，LED晶片20包含：與銲接線22相 連接之p型電極（銲塾）20a及與電極18a相連接之η型電極 20e。η型電極20e係由與電極i8a及18b相同之薄膜所形 成。而LED晶片20尚包含：p層20b、發光層20c及η層 20d，並按η層20d—發光層20c—p層20b的順序疊層於η 型電極20e上。ρ層20b與η層20d分別由透明的半導體 GaAs所形成，而n型電極2〇e則由具有反射性之鋼薄臈等 所形成。如此，在發光層20c所發出的光經由ρ層20b與 η層20d輸出至LED晶片20外部，而在發光層20c下方 所發出的光則在η型電極20e表面反射，並經由η層20d 輸出至LED晶片20外部。 因此，使用DB糊膠26將LED晶片20黏接於電極18a 時，由η層20d及η型電極20e構成的底座20f會被DB 糊膠26覆蓋，使經由n層2〇d輸出之光被DB糊膠26遮 蔽。為了避免上述情形，本實施例中，於第j 3 (A)圖至第 13(D)圖所示位置黏接lED晶片20,使朝發光方向ρ之光 作最大限度的利用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 12 312580 523935 A7
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 523935 A7 B7 五、發明說明（14 ) 晶片20_實地連接於電極iga。另外，在第14 (A)圖及第 14(B)圖中，由於對電極18&進行易懂的說明，故可省略 DB糊膠26的圖示。 塗佈區域2 8 a的大小係由DB糊膠26的塗佈量及黏 度所決定’當塗佈區域28a的大小決定時，也可決定塗佈 區域28 a的形成位置（中心γ)。又，由於塗佈區域28 a與 辅助區域28b係由窄寬之連結部28c所連接（連結），故可 減少DB糊膠26對輔助區域28b的侵入。亦即，可減少發 光面16a側的DB糊膠26。 上述之發光裝置10係使用與第1圖至第4圖實施例相 同之方法而製造。亦即，如第15(A)圖所示，將連續盒32 疊層於連續基板30，形成第15(B)圖及第16(A)圖之積層 體34。當形成積層體34時，經由預定時間的UV洗淨後， 如第16(B)圖所示，將模具36推壓在連續盒32,並如第16 (C)圖所示，將透光性樹脂16注入於連續盒32内。待透光 性樹脂16硬化後’如第16(D)圖所示，按虛線位置切割積 層體34，以獲得複數個發光裝置1〇。 根據本實施例，由於LED晶片20的安裝位置係較DB 糊膠26的中心Y偏移至發光面16a側，故LED晶片20 的發光面側的面不為DB糊膠26覆蓋。亦即，由於朝所希 望的發光方向輸出的光未被DB糊膠遮蔽，而能改善發光 效率。 另外，電極之形狀並非受限於第14(A)圖之形狀，也 可至少決定DB糊膠的塗佈位置之形狀。此外，若如第14(A) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 312580 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523935 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（15 ) 圖所示形成電極並變更DB糊膠的塗佈位置，則可使用以 往之製造裝置來製造本實施例之發光裝置。 本發明雖然已經詳細地說明且圖示，但這只不過是作 為圖解及實施例而使用者，本發明之解釋並不限於這些實 施例’本發明之精神以及範圍僅限於所添附之申請範圍。 [圖面之簡單說明] 第1圖為本發明一實施例的圖解圖； 第2(A)圖為第1圖之發光裝置的IIA— IIA剖視圖； 第2(B)圖為第1圖之發光裝置的IIB—IIB剖視圖。 第3(A)圖為第1圖之發光裝置製造所使用的連續基板 以及連續盒的圖解圖； 第3(B)圖為在連續基板黏接連績盒之沈積體的圖解 固 · 圖， 第4(A)圖為製造積層體之工程的圖解圖； 第4(B)圖為在積層體壓模具之工程的圖解圖； 第4(C)圖為在已壓模具的積層體注入透光性樹脂之工 程的圖解圖； 第4(D)圖為切割積層體之工程的圖解圖； 第5圖為本發明其他實施例之圖解圖； 第6(A)圖為第5圖之發光裝置的VIA — VIA剖視圖； 第6(B)圖為第5圖之發光裝置的viB — VIB剖视圖； 第7(A)圖為第5圖之發光裝置製造所使用的連續基板 以及連續盒的圖解圖； 第7(B)圖為在連續基板黏接有連續盒之積層體的圖解 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 "312580 " (請先閱讀背面之注意* 4 事項再 -裝—— 填寫本頁) · 523935 A7 B7 五、發明說明（16 ) 圖； 第8(A)圖為製造積層體之工程的圖解圖； 第8(B)圖為在積層體壓模具之工程的圖解圖； 第8(C)圖為在已壓模具的積層體注入透光性樹脂之工 程的圖解圖； 第8(D)圖為切割積層體之工程的圖解圖； 第9圖為第5圖之發光裝置變形例的剖視圖； 第10圖為本發明其他實施例之圖解圖； 第11(A)圖為第1〇圖之發光裝置的xa — XA剖視圖； 第11(B)圖為第1〇圖之發光裝置的χΒ_ xb剖視圖； 第12圖為第11圖之LED晶片的圖解圖； 第13(A)圖為從上方觀看黏接於電極的LED晶片及 DB糊膠的圖解圖； 第13(B)圖為從發光面側（正面側）觀看黏接於電極的 LED晶片及DB糊膠的圖解圖； 第13(C)圖為從側面觀看黏接於電極的LED晶片及 DB糊膠的圖解圖； 第13(D)圖為從相反側（背面侧）觀看黏接於電極的 LED晶片及DB糊膠的圖解圖； 第14(A)圖為形成於基板上之電極的圖解圖； 第14(B)圖為LED晶片安裝於電極之狀態圖解圖； 第15(A)圖為第圖之發光裝置製造所使用的連續基 板以及連續盒的圖解圖； 第15(B)圖為在連續基板黏接連續龛之積層體的圖解 第16(A)圖為诰穑廢艚之工裎的圖解圖；___ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — -___I I I I ^ . I I I I I I--I ----------— II---------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 312580 523935 A7 發明說明（17 ) 第16(B)圖為在積層體壓模具之工程的圖解圖； 第16(C)圖為在已壓模具的積層體注入透光性樹脂之 工程的圖解圖； 第16(D)圖為切割積層體之工程的圖解圖； 第17(A)圖為以往之側面發光半導體發光裝置的圖解 圖； 第17(B)圖為第i7(A)圖之側面發光半導體發光裝置 的X VIB - X VIB剖視圖； 第18(A)圖為作為背景技術之侧面發光半導體發光裝 置的圖解圖； 第18(B)圖為第18(A)圖之側面發光半導體發光裝置 的XVIIB — XVIIB剖視圖； 第19(A)圖為第18(A)圖之製造發光裝置時在連續基 板黏接連續盒之工程的圖解圖； 第19(B)圖為在黏接於連續基板之連續盒壓模具之工 程的圖解圖； 第19(C)圖為在已壓模具的連績盒注入透光性樹脂之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 口 312580 -----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 消 費 合 作 社 印 製 工程的圖解圖。 [符號之說明] 10 發光裝置 12 絕緣性基板 12a 貫穿孔 14 盒體 14a 上部板 16 透光性樹脂 16a、16b、16c 發光面 18a、18b 電極 20 LED晶片 20a p型電極 523935 A7 B7 五、發明說明（18 ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 20b P層 20c 發光層 20d n層 20e 11型電極 20f 底座 22 銲接線 22a 頂上 24 貫穿孔 26 DB糊膠 28a 塗部領域 28b 輔助區域 28c 連結部 30 連續基板 32 連續盒 32a 構件 34 積層體 34 開口 36 模具 38 相對向部分 41 半導體發光元件 42 基板 42a > 42b電極 43 LED晶片 44 透明合成樹脂 45 發光面 46 蓋體 51 晶片型半導體發光元件 53 基板 53a 、53b電極 55 LED晶片 55a 銲接線 57 反光板（盒體） 59 透光性樹脂 59a - 59b發光面 61 連續基板 63 連續盒 63a 構件 71 模具 71a 凸部 73 空隙 P 發光方向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 312580 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523935 C8 _ ________ D8 ' --------------- 六、申請專利範圍 1· 一種側面發光半導體發光裝置，係具備·· 形成有電極之基板； 黏接於前述電極之led晶片；及 將前述LED晶片模塑之透光性樹脂， 前述透光性樹脂係具有與前述基板正交且由粗糙 面所形成的發光面。 2·如申請專利範圍第1項之側面發光半導體發光裝置，其 中’前述發光面係由切割所形成。 3. —種側面發光半導體發光裝置之製造方法，係包含下述 步驟： (a) 將開口相對向之兩個反光板配置在安裝有led 晶片之基板上； (b) 將透明樹脂注入前述開口的相對部；以及 (c) 在前述相對向部切割已硬化之前述透明樹脂及 前述基板。 4· 一種側面發光半導體發光裝置，係具備： 形成有電極之基板； 黏接於前述基板上之LED晶片； 將前述LED晶片模塑之透光性樹脂；及 將自前述LED晶片發射的光反射之反光板， 前述透光性樹脂係具有凸部，前述反光板具有與前 述凸部相嵌合之凹部。 5·如申請專利範圍第4項之側面發光半導體發光裝置，其 中，前述凹部係從前述反光板的一主面朝另一主面擴徑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮)^ ---1-------Aw --------— — — — — — (請先間讀背面之注意事頊再填寫本頁) ____%1___ ____%1___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 523935 六、申請專利範圍 之貫穿孔。 6·如申請專利範圍第5項之側面發光半導體發光裝置，其 中’前述一主面係與前述透光性樹脂相連接之面，前述 另一主面則係露出於外部之面。 7·如申明專利範圍第4項至第6項之任一項的側面發光半 導體發光裝置，其中，前述LED晶片具有從上面延伸 之銲接線，前述凹部形成於前述LED晶片的正上方。 8. —種側面發光半導體發光裝置之製造方法，係包含下述 步驟： U)將形成有凹部之反光板配置在基板上； (b) 將包含前述凹部内面之前述反光板表面所附著 的有機物去除；以及 (c) 在前述反光板與基板之間將透光性樹脂注入至 前述凹部内。 9·如申請專利範圍第8項之側面發光半導體發光裝置之製 ie方法其中，在岫述步驟（b)中對前述反光板進行UV 洗淨。 ίο. —種側面發光半導體發光裝置，係具備： 形成有電極之基板；及 使用黏接糊膠而黏接於前述電極之LED晶片， 刖述LED晶片係具有透明底座及其上所形成的發 光層，且安裝於從前述黏接糊膠的塗佈位置偏移至發光 面側之位置。 11.如申請專利範圍第10項之側面發光半導體發光裝置， 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規;)x 297八繁）---- 20 312580 -----------^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 523935 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中’前述電極包含從前述LED晶片安裝位置偏移至 與前述發光面相反方向之中心的塗佈區域。 12·如申請專利範圍第11項之側面發光半導體發光裝置， 其中，前述電極包含除了前述塗佈區域而形成於前述發 光面側之輔助區域；及連接前述塗佈區域與前述輔助區 域之窄寬連結部。 13·如申請專利範圍第11項或第12項之側面發光半導體發 光裝置，其中，前述塗佈區域的中心自前述基板中心朝 前述相反方向挪移。 ----------IAW· ^-------» I -------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 x 297公釐） 21 312580
TW090109748A 2000-04-24 2001-04-24 Side luminescent semiconductor light emitting device and its process TW523935B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000122255A JP2001308389A (ja) 2000-04-24 2000-04-24 側面発光半導体発光装置およびその製造方法
JP2000134159A JP2001320092A (ja) 2000-05-08 2000-05-08 側面発光半導体発光装置およびその製造方法
JP2000152249A JP2001332766A (ja) 2000-05-24 2000-05-24 側面発光半導体発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW523935B true TW523935B (en) 2003-03-11

Family

ID=27343176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090109748A TW523935B (en) 2000-04-24 2001-04-24 Side luminescent semiconductor light emitting device and its process

Country Status (6)

Country Link
US (4) US20020123163A1 (zh)
EP (1) EP1204151A4 (zh)
KR (2) KR100832956B1 (zh)
CN (1) CN1189951C (zh)
TW (1) TW523935B (zh)
WO (1) WO2001082386A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743540B (zh) * 2019-08-22 2021-10-21 友達光電股份有限公司 發光單元及其製造方法

Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700136B2 (en) * 2001-07-30 2004-03-02 General Electric Company Light emitting device package
JP2003234509A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
ITMI20022085A1 (it) * 2002-10-02 2004-04-03 Fraen Corp Srl Elemento ottico associabile ad una sorgente luminosa
US6982470B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
US9142734B2 (en) * 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10353604B4 (de) * 2003-08-27 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP4357311B2 (ja) * 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
US7777241B2 (en) * 2004-04-15 2010-08-17 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
US8035113B2 (en) * 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP4421934B2 (ja) * 2004-04-30 2010-02-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
TWI248218B (en) * 2004-12-31 2006-01-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting diode package structure and fabrication method thereof
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7316488B2 (en) * 2005-02-07 2008-01-08 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Beam shutter in LED package
JP2006237217A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置及び面発光装置
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
TWI397199B (zh) * 2005-06-21 2013-05-21 Japan Science & Tech Agency 用於製造經偏光發光二極體之封裝技術
US7985357B2 (en) 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
CN100454593C (zh) * 2005-08-03 2009-01-21 刘士龙 一种基板型白光二极管的制造方法
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
EP1958270A1 (en) * 2005-12-02 2008-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module
JP4881001B2 (ja) * 2005-12-29 2012-02-22 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2007258672A (ja) * 2006-02-22 2007-10-04 Sharp Corp 発光ダイオード及びその製造方法
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
CN100368895C (zh) * 2006-05-30 2008-02-13 友达光电股份有限公司 使用发光二极管的背光模块
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
US20080145960A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Gelcore, Llc Super thin LED package for the backlighting applications and fabrication method
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR101352921B1 (ko) 2007-05-25 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는표시장치
TWI368336B (en) * 2007-07-12 2012-07-11 Chi Mei Lighting Tech Corp Light emitting diode device and applications thereof
DE102007035896A1 (de) * 2007-07-31 2009-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronisches Bauelement
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
RU2481670C2 (ru) 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
KR101524012B1 (ko) 2007-12-11 2015-05-29 코닌클리케 필립스 엔.브이. 하이브리드 상부 반사기를 갖는 측면 발광 장치
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
JP5227613B2 (ja) * 2008-02-27 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
TWI389294B (zh) * 2008-03-07 2013-03-11 Harvatek Corp A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same
WO2009111790A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
US20110114970A1 (en) * 2008-04-23 2011-05-19 Agency For Science, Technology And Research Light emitting diode structure, a lamp device and a method of forming a light emitting diode structure
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
JP5061139B2 (ja) * 2009-02-12 2012-10-31 株式会社住田光学ガラス 発光装置の製造方法
TWI463708B (zh) 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
CN101826516B (zh) * 2009-03-02 2012-06-13 展晶科技(深圳)有限公司 侧面出光型发光组件封装结构及其制造方法
US20120086035A1 (en) * 2009-05-11 2012-04-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. LED Device With A Light Extracting Rough Structure And Manufacturing Methods Thereof
US8434883B2 (en) 2009-05-11 2013-05-07 SemiOptoelectronics Co., Ltd. LLB bulb having light extracting rough surface pattern (LERSP) and method of fabrication
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
JP5396215B2 (ja) * 2009-09-24 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
US8858052B2 (en) * 2010-03-31 2014-10-14 Global Lighting Technology Inc. Backlight module
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
TW201138159A (en) * 2010-04-22 2011-11-01 shi-long Liu Light emitting diode package structure and its manufacturing method
US8399969B2 (en) * 2010-07-27 2013-03-19 Visera Technologies Company Limited Chip package and fabricating method thereof
US9018653B2 (en) * 2010-09-03 2015-04-28 Nichia Corporation Light emitting device, circuit board, packaging array for light emitting device, and method for manufacturing packaging array for light emitting device
TWI557183B (zh) * 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
WO2013016652A1 (en) 2011-07-27 2013-01-31 Grote Industries, Llc Lighting device utilizing light active sheet material with integrated light emitting diode, disposed in seam and/or in low profile application
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
CN105742460B (zh) * 2012-04-27 2018-07-13 上海光纳电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105702844B (zh) * 2012-04-27 2018-07-20 中山市天鑫光电科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105702830B (zh) * 2012-04-27 2018-06-08 江门市江海区康欣电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105742468B (zh) * 2012-04-27 2018-07-06 宁波港波电子有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2013239644A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Toshiba Corp 半導体発光装置
CN102931147B (zh) * 2012-10-08 2015-05-27 日月光半导体制造股份有限公司 光学组件及其制造方法
KR20150084998A (ko) * 2012-11-13 2015-07-22 존슨 컨트롤스 테크놀러지 컴퍼니 조명식 차량 내부 구성요소
USD847102S1 (en) * 2013-02-08 2019-04-30 Epistar Corporation Light emitting diode
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
DE102013104840A1 (de) * 2013-05-10 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
CN203312365U (zh) * 2013-07-04 2013-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种led支架、led以及背光模组
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
WO2015064883A1 (en) * 2013-11-01 2015-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module and backlight unit having the same
JP2015133369A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 アピックヤマダ株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
DE102014107960A1 (de) 2014-06-05 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TWD166329S (zh) * 2014-06-06 2015-03-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
JP6532200B2 (ja) 2014-09-04 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
KR102617042B1 (ko) 2014-10-27 2023-12-27 인튜어티브 서지컬 오퍼레이션즈 인코포레이티드 수술 테이블에 등록하기 위한 시스템 및 방법
USD778846S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD778847S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US9882096B2 (en) * 2015-03-18 2018-01-30 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
USD761215S1 (en) * 2015-05-06 2016-07-12 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package for light-emitting diode
USD756942S1 (en) * 2015-05-06 2016-05-24 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting diode package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
DE102015115824A1 (de) 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN106549092A (zh) 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN108431972B (zh) 2015-10-07 2022-02-11 亮锐控股有限公司 具有可变数目的发射表面的倒装芯片smt led
USD768095S1 (en) * 2015-10-08 2016-10-04 Xiameng Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting diode package
KR102426861B1 (ko) * 2015-12-02 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP6734654B2 (ja) * 2016-01-21 2020-08-05 浜松ホトニクス株式会社 受光モジュール及び受光モジュールの製造方法
JP6645213B2 (ja) * 2016-01-27 2020-02-14 オムロン株式会社 発光装置、および発光装置の製造方法
CN107968142A (zh) 2016-10-19 2018-04-27 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN106932951B (zh) * 2017-04-14 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯源及其制造方法、背光模组
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
CN108987548A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制作方法、平面光源模组
EP3454386B1 (en) 2017-07-21 2020-11-25 Maven Optronics Co., Ltd. Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5747059U (zh) * 1980-09-01 1982-03-16
DE3048663A1 (de) 1980-12-23 1982-07-22 Grünenthal GmbH, 5190 Stolberg Neue lactamverbindungen, diese enthaltende arzneimittel und verfahren zur herstellung dieser verbindungen und arzneimittel
JPS63261289A (ja) 1987-04-17 1988-10-27 Minolta Camera Co Ltd トナ−画像の高周波加熱定着装置
JP2618475B2 (ja) * 1989-03-27 1997-06-11 古河電気工業株式会社 Ｌｅｄアレイチップとヒートシンク基板との接合方法
JP2964512B2 (ja) 1989-12-18 1999-10-18 日本電気株式会社 カラープラズマディスプレイ
JPH0437631A (ja) 1990-05-29 1992-02-07 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk 表面断熱材の製造方法
JPH04116305A (ja) 1990-09-07 1992-04-16 Hitachi Ltd 電動給水ポンプの再循環弁制御方法及びその装置と蒸気原動機プラント
JPH0465465U (zh) * 1990-10-18 1992-06-08
GB9115375D0 (en) * 1991-07-17 1991-09-04 Salutar Inc Compounds
JPH0536857U (ja) * 1991-10-11 1993-05-18 スタンレー電気株式会社 チツプｌｅｄ
JPH05231203A (ja) 1992-02-21 1993-09-07 Honda Motor Co Ltd 車両用スリップ防止装置
JPH0590967U (ja) * 1992-05-08 1993-12-10 スタンレー電気株式会社 チップｌｅｄ
JP2948412B2 (ja) * 1992-05-08 1999-09-13 ローム株式会社 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
JPH0786455A (ja) * 1993-09-17 1995-03-31 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JPH07186984A (ja) 1993-12-27 1995-07-25 Toyota Motor Corp 車両旋回特性制御装置
JP2755376B2 (ja) * 1994-06-03 1998-05-20 株式会社フロンテック 電気光学素子の製造方法
JP3261894B2 (ja) 1994-11-10 2002-03-04 東海ゴム工業株式会社 コンクリート製品の表面着色化粧法
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JPH08253967A (ja) 1995-03-15 1996-10-01 Shimizu Corp 鉄骨鋼管柱の柱脚部構造
JPH0936435A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Rohm Co Ltd チップ型発光ダイオード
JPH09314589A (ja) * 1996-05-27 1997-12-09 Bridgestone Corp 加硫ゴム−合成樹脂複合体の製造方法
JP3139613B2 (ja) * 1996-05-28 2001-03-05 サンケン電気株式会社 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法
JPH1076546A (ja) * 1996-09-05 1998-03-24 Nitto Boseki Co Ltd プリント配線体用フレキシブルシートの製造方法
JP3472417B2 (ja) * 1996-10-22 2003-12-02 シャープ株式会社 サイド発光型チップｌｅｄおよび液晶表示装置
JP3337405B2 (ja) * 1996-12-27 2002-10-21 シャープ株式会社 発光表示素子およびその電気配線基板への接続方法ならびに製造方法
KR19980069992A (ko) * 1997-01-20 1998-10-26 사와무라시코우 광 반도체 장치와 지지기판의 복합 유니트 및 광 반도체 장치를지지기판 상에 실장하기 위한 방법
JPH1126814A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Oki Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP3618534B2 (ja) * 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
US6208077B1 (en) * 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with a non-conductive fluorocarbon polymer layer
JP3887124B2 (ja) * 1999-04-30 2007-02-28 ローム株式会社 チップ型半導体発光素子
US6242324B1 (en) * 1999-08-10 2001-06-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for fabricating singe crystal materials over CMOS devices
JP2002057375A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Rohm Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI743540B (zh) * 2019-08-22 2021-10-21 友達光電股份有限公司 發光單元及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6919586B2 (en) 2005-07-19
KR100832956B1 (ko) 2008-05-27
US20050236634A1 (en) 2005-10-27
KR20070013336A (ko) 2007-01-30
US20020123163A1 (en) 2002-09-05
CN1366715A (zh) 2002-08-28
KR100772774B1 (ko) 2007-11-01
US20040169187A1 (en) 2004-09-02
US20080283862A1 (en) 2008-11-20
KR20020025902A (ko) 2002-04-04
CN1189951C (zh) 2005-02-16
WO2001082386A1 (fr) 2001-11-01
EP1204151A4 (en) 2006-10-18
EP1204151A1 (en) 2002-05-08
US7312479B2 (en) 2007-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW523935B (en) Side luminescent semiconductor light emitting device and its process
TW508843B (en) Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof
US20090097139A1 (en) Optical device and manufacturing method thereof
JP3643225B2 (ja) 光半導体チップ
EP1976030A1 (en) Thin-type light emitting diode lamp, and its manufacturing
US8283689B2 (en) Surface mounted LED package
US20100127288A1 (en) Light-emitting diode devices and methods for fabricating the same
KR20090075806A (ko) 광전자 장치용 하우징, 광전자 장치 및 광전자 장치용 하우징 제조 방법
TW200834827A (en) Optoelectronic semiconductors component
US20110049553A1 (en) Light emitting device package
JP6206442B2 (ja) パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
JP3792268B2 (ja) チップタイプ発光装置の製造方法
JP2001320092A (ja) 側面発光半導体発光装置およびその製造方法
US11022746B2 (en) Linear light source and planar light emitting device
KR101047729B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20170048381A (ko) 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법 및 광전자 구성요소
KR20110134735A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP2001308389A (ja) 側面発光半導体発光装置およびその製造方法
KR102175335B1 (ko) 발광소자
KR101377603B1 (ko) 사이드 뷰 발광 소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
CN110364608B (zh) 晶片级线型光源发光装置
JP2826020B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2001332766A (ja) 側面発光半導体発光装置
JP2000150951A (ja) 光結合装置
KR200324610Y1 (ko) 광 반사율이 향상된 발광 다이오드 소자

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees