JP2000150951A - 光結合装置 - Google Patents
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Abstract
体と、この透光体の凹みに形成された遮光性樹脂からな
る遮光体との密着性を高める。 【解決手段】 基板3に、発光側配線1および受光側配
線2が形成され、発光側配線1に発光素子4が接続さ
れ、受光側配線2に受光素子5が接続され、両素子4を
透光性樹脂により一体的にモールドして、両素子4,5
の中間部分において凹み9を有するように透光体6が成
形される。透光体6の底部11に貫通孔12が形成さ
れ、基板3に貫通孔12と連通する充填孔13が形成さ
れ、インジェクション成形により凹み9および両孔1
2,13に遮光性樹脂を充填して、両素子4,5を光学
的に分離する遮光体7が形成される。透光体6および基
板3と遮光体7との密着面積が増えて、遮光体7は透光
体6から外れない。
Description
り無接点で検出する表面実装タイプの反射型光結合装置
に関する。
す。この光結合装置は、一対の発光側配線1および受光
側配線2が形成された基板3と、発光側配線1に接続さ
れた発光素子4と、受光側配線2に接続された受光素子
5と、両素子4,5を透光性樹脂により一体的にモール
ドしてなる透光体6と、両素子4,5を光学的に分離す
るために両素子4,5の間に配置された遮光体7とを備
えている。
る。まず、図27に示すように、基板3に、表面から側
面を経て裏面に至るようにメッキパターンを施すことに
よって一対の発光側配線1および受光側配線2を形成
し、一方の発光側配線1に発光素子4をダイボンドし、
他方の発光側配線1に金線8をワイヤボンディングし
て、発光素子4を電気的に接続する。同様に受光側配線
2に受光素子5を電気的に接続する。そして、図28に
示すように、トランスファーモールドにより透光性のエ
ポキシ樹脂で両素子4,5を一体モールドして、透光体
6を形成する。ただし、透光体6の形状として、受発光
素子4,5間に凹み9を形成した凹形とされ、各素子
4,5をモールドした封止部10と両封止部10を連結
する底部11とによって構成される。
を用いてインジェクション成形により透光体6の凹み9
に遮光体7を形成する。このとき、遮光体7の上面が透
光体6の上面よりもはみ出すように成形する。また、透
光体6の側方にはみ出していてもよい。この遮光体7に
より、発光素子4から受光素子5へ直接光が入射するこ
とを防げる。このように、1枚の基板3に対して多連に
成形されるので、ダイシングにより個々に分割して、1
個の製品が完成する。
は、発光素子から受光素子へ直接光が入射することを防
ぐ目的で透光性樹脂からなる透光体の凹みを遮光性樹脂
を用いてインジェクション成形により充填する構造とな
っているが、透光性樹脂と遮光性樹脂といった異なった
樹脂が成形により貼り合わされた形状となっているの
で、密着性が弱くなることが懸念される。
て、金型と成形品とを成形後に取れやすくするために離
型剤を用いるが、これを多く使用すると、成形後に透光
性樹脂から遮光性樹脂が外れてしまうことがある。ま
た、多連にて成形した後に単品となるようにダイシング
によりインジェクション成形した箇所をカットする工程
があり、カット時の外力によって透光性樹脂から遮光性
樹脂が外れてしまう恐れがある。
率が高くなり、工程歩留が悪くなるといった問題が生じ
るとともに、遮光性樹脂と透光性樹脂との密着性が弱い
ため、剥離等の欠陥が発生しやすく、製品の信頼性が低
下する。
子から直接光が受光素子へ入射しないよう遮光性樹脂か
らなる遮光体によって遮断されているが、受発光素子を
一体モールドしている透光体は、凹みの底部において各
素子をそれぞれモールドした両側の封止部がつながった
構造をしており、完全に受発光素子は光学的に分割され
ていない。そのため、本来では上方にある被検出物で発
光素子からの光が反射し、受光素子へ入光して出力が得
られるが、分割されていない透光体内部を通して発光素
子の迷光が受光素子へ入光してしまい、被検出物がない
状態であっても出力されるリーク電流が大きくなる。こ
れによって、光学的特性上重要なSN幅が狭くなり、低
い性能の製品となってしまい、ユーザーにて光結合装置
を用いるときの設計が困難になる。
図り、製品の信頼性を高めた光結合装置の提供を目的と
する。また、リーク電流を低減して、光学的特性の向上
を図れる光結合装置の提供を目的とする。
段は、発光側配線および受光側配線が形成された基板
と、発光側配線に接続された発光素子と、受光側配線に
接続された受光素子と、両素子を一体的にモールドして
なる透光体と、両素子を光学的に分離する遮光体とを備
え、遮光体は、両素子の間において透光体を貫通して基
板の内部に達するように設けられたものである。すなわ
ち、透光体は、両素子の中間部分において凹みを有する
ように透光性樹脂により成形されてなり、凹みの底面に
貫通孔が形成され、基板に、この貫通孔と連通するよう
に基板を貫通するかあるいは基板内部に至る充填孔が形
成され、遮光体は、凹みおよび両孔に遮光性樹脂を充填
することにより形成される。
ているので、透光体だけでなく基板とも密着して、密着
面積が増えることになる。その結果、密着強度が高くな
り、遮光体が外れにくくなる。特に、充填孔は、上部よ
りも下部の方が断面積が大きくなるような形状であれ
ば、より一層外れにくい構造となる。
結ぶ直線上に配置されたり、あるいは発光素子と受光素
子とが貫通孔を挟んで点対称に配置されていると、遮光
体は発光素子から受光素子に直接向かう光を遮る位置に
設けられることになり、発光素子からの迷光が透光体内
部を通って受光素子に入射することを防止でき、リーク
電流を小さくできる。
に、発光素子からの光を遮る遮蔽材を設けると、受発光
素子を一体にモールドした透光体の内部を通過する光を
遮断することができる。さらに、基板上に、配線および
遮蔽材を除いて遮光性レジストを設けると、透光性の基
板を用いても基板内部を透過する光を遮断することがで
きる。さらにまた、透光体の上面を除く周囲の一部を被
覆するように遮光体を設けると、透光体の側面から外部
に漏れた光が反射して再び透光体の側面に入射すること
を防止できる。
合装置を図面に基づいて説明する。この光結合装置で
は、図1〜3に示すように、従来のものと比べて受発光
素子4,5を光学的に分離するための遮光体7の構造が
異なっている。なお、他の構成は従来と同じである。
おいて凹み9を有するように透光性樹脂により成形され
てなる。ただし、凹み9の底部11中央に円形の貫通孔
12が形成され、基板3に、この貫通孔12と連通する
ように基板3を貫通する円形の充填孔13が形成されて
いる。
填孔13に遮光性樹脂をインジェクション成形により充
填することによって成形され、封止部10の間において
透光体6の底部11を貫通して基板3の内部に達するよ
うな形状とされる。したがって、遮光体7は、図1に示
すように、従来の遮光体7に相当する遮光部14と、こ
の下方に延設され透光体6および基板3を貫通する円柱
状の挿入部15とからなり、基板3に対して差し込んだ
状態となる。
に基づいて説明する。まず、1枚の絶縁性の長い基板3
に、表面から側面を経て裏面に至るようにメッキパター
ンを施すことによって一対の発光側配線1および受光側
配線2を対向するように形成する。一方の発光側配線1
に発光素子4をダイボンドし、他方の発光側配線1に金
線8をワイヤボンディングして、発光素子4を電気的に
接続する。同様に受光側配線2に受光素子5を電気的に
接続する。このとき、基板3の中央に、充填孔13を形
成しておく。
成されるようにトランスファーモールドにより透光性の
エポキシ樹脂で両素子4,5を一体モールドして、透光
体6を形成する。なお、モールド時には、充填孔13に
挿入される突起を有する金型を用いて成形することによ
り、この部分に透光性樹脂は充填されず、充填孔13に
連通する貫通孔12が凹み9の底部11に形成される。
ョン成形により透光体6の凹み9に遮光体7を充填す
る。同時に、遮光性樹脂は貫通孔12から充填孔13に
も充填され、図1に示すような遮光体7が形成される。
このとき、遮光体7の上面が透光体6の上面よりもはみ
出すように成形する。また、透光体6の側方にはみ出し
ていてもよい。
が形成されるので、ダイシングにより各光結合装置の間
で基板3を切断して、個々に切り離し、1個ずつの製品
が完成する。その後、外観検査、特性検査を行って、出
荷される。そして、この光結合装置は、OA機器、AV
機器等の実装基板にはんだリフローにより表面実装され
て、被検出物の有無を無接点で識別する反射型光センサ
として使用される。
て、透光体6および基板3との密着面積が増える。した
がって、例え透光性樹脂と遮光性樹脂との密着性が弱く
ても、その密着面積が増えるので、密着強度を高めるこ
とができる。さらに、遮光性樹脂は基板3とも密着して
いるので、より一層密着強度が高まり、外れにくくな
る。その結果、製造中の不良の発生が減り、工程歩留が
高くなる。また、剥離等の欠陥もなくなり、製品の高信
頼性が得られる。
光体7と基板3との密着面積を増大させればよい。すな
わち、図5〜7に示すように、遮光体7の挿入部15の
形状を円錐状にする。換言すれば、充填孔13を円錐状
に形成する。このようにすることによって、密着面積が
増えるだけでなく、充填孔13の上部の断面積は下部の
断面積より小さくなり、遮光体7が物理的に基板3から
抜けにくい構造となる。したがって、より密着強度が高
まることになる。なお、充填孔13として、上部の断面
積が下部の断面積より小さくなりさえすればよいので、
例えば球状、瓢箪状といった形状にしてもよい。
状の充填孔13を形成するのが困難な場合には、図8,
9に示すように、複数の薄板16を積層した基板3を用
い、各薄板16に充填孔13aを形成する。このとき、
上側にある薄板16の充填孔13aは下側にある薄板1
6の充填孔13aより小さくする。そして、これらの薄
板16を接着シート17あるいは接着剤により貼り合わ
せて基板3と成し、各配線1,2を形成して、受発光素
子4,5を搭載する。
の充填孔13aを重ね合わせてできた充填孔13では、
上部の断面積が下部の断面積より小さくなっている。し
たがって、遮光体7の挿入部15は、段差のついた形状
となる。これによっても、図11,12に示すように、
遮光体7は物理的に基板3から抜けにくい構造となり、
より密着強度を高めることができる。なお、基板3が3
層以上の積層構造であっても、図13に示すように、同
様に各薄板16に大きさの異なる充填孔13aを形成す
ればよく、このとき少なくとも1つは、上側の貫通孔1
3aが下側の充填孔13aより小さくなるようにしてお
く。
いくつか示す。図14に示すように、挿入部15を2本
足状にして、これがそれぞれ対向する配線1,2の間に
位置するように、貫通孔12および充填孔13を一対形
成する。図15に示すように、挿入部15を四角形にし
て、これが対向する一対の配線1,2の間に位置するよ
うに、四角形の貫通孔12および充填孔13を形成す
る。図16に示すように、挿入部15を楕円形にして、
これが対向する一対の配線1,2の間に位置するよう
に、楕円形の貫通孔12および充填孔13を形成する。
図17に示すように、挿入部15を表面に凹凸のある四
角形にして、これが対向する一対の配線1,2の間に位
置するように、内面に凹凸のある四角形の貫通孔12お
よび充填孔13を形成する。
3との密着面積が増大して、密着強度が高くなる。そし
て、遮光体7の挿入部15は、いずれも発光素子4と受
光素子5とを結ぶ直線上に位置しているので、発光素子
4からの直接光が受光素子5に入射することを完全に防
止できる。
の遮光部14は、透光体6の凹み9を通ってくる発光素
子4からの直接光が受光素子5に入射しないように設け
られている。しかし、受発光素子4,5を一体的にモー
ルドするとき金型と基板3の合わせ面を配線表面の高さ
に合わせて設計しているため、透光体6に配線1,2の
厚み分の底部11が存在することになる。仮に、金型合
わせ面を基板3表面に合わせると、モールド時の金型し
め圧力が直接基板3にかかり、配線1,2が剥がれる可
能性があり、また成形条件出しが困難になるといった品
質上、作業上安定しないものとなる。したがって、透光
体6の底部11の存在により、構造的に受発光素子4,
5は完全に光学的に分離されていないので、この透光体
6の内部を通って発光素子4の迷光が受光素子5に達し
てしまう。
5を発光素子4と受光素子5とを結ぶ直線上に位置させ
ることにより、透光体6の底部11を通る光が邪魔され
て、受光素子5に達しない。したがって、透光体6内部
の迷光が通過する領域が減少し、被検出物のない状態で
出力されるリーク電流を小さくすることができ、SN幅
が広くなって製品の電気的光学的特性が高まる。
10にそれぞれ示した形状であっても、基板3の充填孔
13の位置が発光素子4と受光素子5とを結ぶ直線上に
なるように、対向する配線1,2の中間に形成すればよ
く、遮光体7の挿入部15によって発光素子4からの光
が透光体6の内部を通過することを阻止できる。また、
発光素子4と受光素子5との配置を図19に示すよう
に、遮光体7の挿入部15を挟んで点対称となるように
すればよい。これによっても、同様のリーク電流を低減
できる効果が得られる。
には、図20に示すように、発光素子4と受光素子5と
の間の基板3表面に遮蔽材18を設ける。遮蔽材18
は、基板3上に発光素子4と受光素子5とを結ぶ直線を
横切るように、配線1,2と同じメッキパターンを施す
ことにより形成される。なお、遮蔽材18は、基板3の
一端から他端まで設けなくても、少なくとも発光素子4
と受光素子5とを結ぶ直線上に一定の幅を有して存在し
ていれば十分である。
ルドして透光体6を形成すると、底部11が遮蔽材18
により分断され、受発光素子4,5がそれぞれ独立して
モールドされた状態となり、両素子4,5を光学的に完
全に分割することができる。そのため、透光体6の底部
11を通る光を確実に遮断でき、さらにリーク電流を小
さくすることができる。
することがあり、この場合、図21に示すように、発光
素子4からの光が、配線1,2と遮蔽材18との間の透
光体6の底部11を通過して、基板3の裏面で反射して
受光素子5に達することがある。そこで、遮光性材料か
らなる基板3を使用するか、あるいは透光性材料に遮光
性材料を混入した基板3を使用すれば、基板3内を透過
する光をなくすことができ、リーク電流を小さくするこ
とができる。
線1,2および遮蔽材18が設けられていない表面を遮
光性レジスト19によって被覆する。これによって、配
線1,2および遮蔽材18によって覆われていない基板
3の表面に侵入する光を完全に遮断することができ、配
線1,2と遮蔽材18との間を光は通り抜けることがで
きなくなり、発光素子4からの光が基板3内を透過して
受光素子5に入射することを防止できる。
発光素子4,5をモールドした両封止部10の間に遮光
体7が設けられているので、発光素子4から直接受光素
子5に向かう光を遮断することができる。しかし、透光
体6の封止部10の側面に対しては何ら遮光されていな
いので、発光素子4から直接受光素子5に向かわずに側
方に光が出ていき、例えば光結合装置を実装した実装基
板の側方に他の部品が設置されていれば、透光体6より
外部に漏れた光がこれに反射して受光素子5に入射する
可能性がある。そのため、被検出物のない状態で出力さ
れるリーク電流が大きくなってしまう。
下部を側方に延伸させ、この延伸部分を被覆できるよう
に遮光体7をH状に形成する。すなわち、図24に示す
ように、遮光体7は、透光体6の封止部10の側面を被
覆することになる。なお、遮光体7によって、封止部1
0の上面を除く全周を被覆してもよい。これによって、
透光体6の側面から漏れる光をなくすとともに側方から
入射してくる光も遮断することができる。したがって、
外乱光によって生じるリーク電流を小さくできる。
結合装置では、遮光体7に挿入部15を設けていない
が、当然挿入部15を設けて、基板3との密着性を高め
るようにしてもよい。
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、図25に示すように、基板3に形成する充填孔13
は、基板3を貫通していなくても基板3の内部に達して
さえいればよく、同図(a)のような円形の窪み、同図
(b)のような下脹れ状の孔、あるいは細長い溝とす
る。これらでも、遮光体7と基板3との密着面積が増大
して、密着性が高まり、しかも遮光性樹脂の使用量を減
らすことができる。
よると、受発光素子を一体的にモールドする透光体に対
して、受発光素子の間にあって両素子を光学的に分離す
る遮光体が設けられるが、この遮光体は透光体を貫通し
て基板の内部に達するようになっているので、遮光体と
透光体および基板との密着面積が増して、密着性が向上
する。したがって、異種の透光性樹脂と遮光性樹脂とを
成形して貼り合わせる製造途中で遮光体が透光体から外
れるといった不具合がなくなり、工程歩留が向上して、
生産性がよくなる。また、剥離等の欠陥が生じにくくな
って、製品の信頼性を向上できる。
部あるいは外部を通って受光素子に入射しないように、
遮光体の配置や形状を考慮したり、あるいは基板上に遮
蔽材を設けることにより、不要な光を遮断することがで
き、被検出物がないときに出力されるリーク電流を低減
でき、SN幅が広くなって光学的特性が向上する。その
ため、製品の性能が上がることになり、ユーザーにて使
用する際に光結合装置の設計が容易となる。
ける遮光体の斜視図、(b)は同じく透光体を備えた基
板の斜視図
図、(b)は側面図、(c)は底面図
光体の斜視図、(b)は同じく透光体を備えた基板の斜
視図
面図、(b)は底面図
を示し、(a)は上側の薄板の平面図、(b)はその側
面図、(c)は下側の薄板の平面図、(d)はその側面
図
側面図、(c)は底面図
備えた基板の斜視図
(a)は平面図、(b)は底面図
し、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は底面図
し、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は底面図
し、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は底面図
し、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は底面図
図であって、(a)は透光体の斜視図、(b)は遮光体
形成前の光結合装置の側面図、(c)は遮光体形成後の
光結合装置の側面図
平面図、(b)は側面図
基板の斜視図、(b)は同じく透光体の斜視図、(c)
は同じく遮光体形成前の光結合装置の側面図
基板の斜視図、(b)は同じく光結合装置の断面図
透光体の斜視図、(b)は同じく遮光体の斜視図
(b)は側面図、(c)は底面図
Claims (9)
- 【請求項1】 発光側配線および受光側配線が形成され
た基板と、前記発光側配線に接続された発光素子と、前
記受光側配線に接続された受光素子と、両素子を一体的
にモールドしてなる透光体と、両素子を光学的に分離す
る遮光体とを備え、該遮光体は、両素子の間において前
記透光体を貫通して前記基板の内部に達するように設け
られたことを特徴とする光結合装置。 - 【請求項2】 透光体は、両素子の中間部分において凹
みを有するように透光性樹脂により成形されてなり、該
凹みの底面に貫通孔が形成され、基板に、この貫通孔と
連通するように基板を貫通するかあるいは基板内部に至
る充填孔が形成され、遮光体は、前記凹みおよび両孔に
遮光性樹脂を充填することにより形成されたことを特徴
とする請求項1記載の光結合装置。 - 【請求項3】 充填孔は、上部の断面積が下部の断面積
より小となる形状とされたことを特徴とする請求項2記
載の光結合装置。 - 【請求項4】 貫通孔は、発光素子と受光素子とを結ぶ
直線上に配置されたことを特徴とする請求項2記載の光
結合装置。 - 【請求項5】 発光素子と受光素子とは、貫通孔を挟ん
で点対称に配置されたことを特徴とする請求項4記載の
光結合装置。 - 【請求項6】 基板は複数の薄板を積層した構造とさ
れ、充填孔が各薄板を貫通して形成され、各薄板におけ
る充填孔の断面積がそれぞれ異なることを特徴とする請
求項2記載の光結合装置。 - 【請求項7】 基板上の発光素子と受光素子との間に、
前記発光素子からの光を遮る遮蔽材が設けられたことを
特徴とする請求項1記載の光結合装置。 - 【請求項8】 基板上に、配線および遮蔽材を除いて遮
光性レジストが設けられたことを特徴とする請求項7記
載の光結合装置。 - 【請求項9】 遮光体が透光体の上面を除く周囲の一部
を被覆するように形成されたことを特徴とする請求項1
記載の光結合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31954898A JP3590729B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (13)
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US6880981B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical coupling apparatus and method for manufacturing the same |
EP1296169B1 (en) * | 2001-09-21 | 2008-01-02 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Bidirectional optical transmission device |
EP1296169A2 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-26 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Bidirectional optical transmission device |
EP1351319A3 (en) * | 2002-04-05 | 2009-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor |
US7026654B2 (en) * | 2002-04-05 | 2006-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor |
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JP2009071014A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sharp Corp | 双方向光伝送デバイス |
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