TW202245916A - 基板處理裝置、及筒狀護具之加工方法 - Google Patents

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山口貴大
澤島隼
遠藤亨
青木陸太
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置具備：旋轉保持構件，其一面保持基板一面使上述基板繞特定之旋轉軸線旋轉；液體供給構件，其對上述旋轉保持構件所保持之基板供給液體；及樹脂製筒狀護具，其包圍上述旋轉保持構件所保持之基板。上述筒狀護具具有內周面、與設置於上述內周面之凹凸部。上述凹凸部具有複數個凹部、與位於相互相鄰之上述凹部彼此之間之複數個凸部。上述凹部具有較自上述旋轉保持構件所保持之基板飛散之液滴之直徑更小之寬度、與以上述液滴與複數個上述凸部相接之狀態下上述液滴不與上述凹部之底部相接之深度。上述凸部具有小於上述液滴之直徑，且小於上述凹部之寬度的寬度。

Description

基板處理裝置、及筒狀護具之加工方法
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置、與處理基板之基板處理裝置所使用之筒狀護具之加工方法。作為處理對象之基板，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence：電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、及太陽電池用基板等。
於日本專利特開2020-155590號公報及日本專利特開2018-166135號公報，揭示有具備形成複數個縱向槽之筒狀杯之基板處理裝置。
日本專利特開2020-155590號公報及日本專利特開2018-166135號公報之杯接收自基板飛散之液滴狀態之藥液，使液體沿複數個槽之側面或底面滑落。藉此，可抑制液滴自杯彈回。謀求達成抑制液滴自杯之內周面彈回之新穎的構成。
因此，本發明之1個目的在於提供一種可抑制液滴自筒狀護具向基板飛散之基板處理裝置、及該筒狀護具之加工方法。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：旋轉保持構件，其一面保持基板一面使上述基板繞特定之旋轉軸線旋轉；液體供給構件，其對上述旋轉保持構件所保持之基板供給液體；及樹脂製筒狀護具，其包圍上述旋轉保持構件所保持之基板。
該基板處理裝置之上述筒狀護具具有內周面、與設置於上述內周面之凹凸部，上述凹凸部具有複數個凹部、與位於相互相鄰之上述凹部彼此之間之複數個凸部。上述凹部具有較自上述旋轉保持構件所保持之基板飛散之液滴之直徑更小之寬度、與以上述液滴與複數個上述凸部相接之狀態下上述液滴不與上述凹部之底部相接之深度，上述凸部具有小於上述液滴之直徑，且小於上述凹部之寬度的寬度。
根據該基板處理裝置，可自液體供給構件對旋轉保持構件所保持之基板供給液體。若對旋轉狀態之基板供給液體，則液滴自旋轉狀態之基板飛散，可藉由包圍基板之樹脂製筒狀護具之內周面，接收自基板飛散之液滴。
設置於筒狀護具之內周面之凹凸部具有複數個凹部、及位於相鄰之凹部彼此之間之複數個凸部。凹部具有較液滴直徑更小之寬度，凸部具有較液滴直徑更小，且較凹部寬度更小之寬度。因此，由內周面之凹凸部接收之液滴未完全進入凹部內，與複數個凸部相接。再者，凹部之深度係以液滴與複數個凸部相接之狀態下液滴不與凹部之底部相接之深度。若凹凸部與液滴具有此種尺寸關係，則與未形成有凹凸部之平坦面比較，可減少液滴與筒狀護具之內周面相接之面積。因此，可使液滴相對於凹凸部之接觸角大於液滴相對於未形成有凹凸部之平坦面之接觸角。即，可使內周面之疏水性提高。
因此，可抑制自基板飛散並藉由筒狀護具之內周面接收之液滴殘留於內周面。因此，可減少殘存於筒狀護具之內周面之液滴之量。其結果，可良好地抑制因自基板新飛散之液滴與殘存於內周面之液滴之衝突所致之液滴自內周面向基板之飛散。因而，可達成抑制液滴自筒狀護具向基板之飛散。
自以600 rpm以上且1200 rpm以下之旋轉速度旋轉之基板飛散之液滴之直徑主要為1.5 mm以下。若凹部之深度為10 μm以上，凹部之寬度及凸部之寬度小於1.5 mm，則可有效地抑制具有1.5 mm以下之直徑之液滴與凹部之底部相接，相對於具有1.5 mm以下之直徑之液滴達成疏水化。
尤其，若凹部之寬度為100 μm以上，且小於1.0 mm，凹部之深度為200 μm以下，凸部之寬度為40 μm以下，則可有效地抑制具有1.5 mm以下之直徑之液滴與凹部之底部相接，並使內周面良好地疏水化。具有此種尺寸關係之凹凸部之平均面粗糙度為3.0以上，且6.0以下。
於本發明之一實施形態中，複數個上述凹部包含沿上述內周面之周向之複數個圓形狀槽部。且，複數個上述圓形狀槽部於沿上述內周面之中心軸線之軸向上隔開間隔設置於上述內周面。因此，於內周面之周向之全域中，可使內周面之疏水性提高。因此，可抑制由基板飛散並藉由筒狀護具之內周面接收之液滴殘存於內周面之情況遍佈於內周面之全域。
於本發明之一實施形態中，複數個上述凹部包含沿與上述圓形狀槽部交叉之方向延伸之複數個交叉槽部。藉由複數個上述交叉槽部與複數個上述圓形狀槽部形成格柵形狀。因此，與作為凹部僅設置圓形狀槽部之構成比較，可於凹凸部之全域中均一地提高疏水性。
於本發明之一實施形態中，上述筒狀護具之上述內周面具有沿鉛直方向延伸之筒狀面、與連接於上述筒狀面之上端並相對於上述筒狀面傾斜延伸之傾斜面。且，複數個上述凹部包含形成於上述傾斜面之複數個第1凹部。
自基板於傾斜上方向飛散之液滴主要藉由連接於筒狀面之上端之傾斜面接收，自基板於傾斜下方向飛散之液滴主要藉由筒狀面接收。因自筒狀護具之內周面飛散之液滴容易向傾斜下方向飛散，故與自筒狀面飛散之液滴相比，自傾斜面飛散之液滴向基板之再附著更容易成為問題。
因此，若複數個凹部為包含形成於傾斜面之複數個第1凹部之構成，則因可使傾斜面之疏水性提高，故可良好地抑制自內周面飛散之液滴向基板之附著。
於本發明之一實施形態中，複數個上述凹部包含形成於上述筒狀面之複數個第2凹部。藉由傾斜面接收之液滴沿傾斜面移動至下方並被引導向筒狀面。若複數個凹部為包含形成於筒狀面之複數個第2凹部之構成，則因可使筒狀面之疏水性提高，故可抑制液體殘存於筒狀面。因此，可抑制自基板向筒狀面飛散之液滴、與殘存於筒狀面之液滴之衝突。其結果，可良好地抑制因自基板新飛散之液滴與殘存於筒狀面之液滴之衝突所致之液滴自筒狀面向基板之飛散。
於本發明之一實施形態中，複數個上述凸部包含位於相互相鄰之上述第1凹部彼此之間之複數個第1凸部、與位於相互相鄰之上述第2凹部彼此之間之第2凸部。且，第1凸部之寬度小於上述第2凸部之寬度。
根據該基板處理裝置，因第1凸部之寬度小於第2凸部之寬度，故傾斜面之疏水性高於筒狀面之疏水性。藉由使傾斜面之疏水性高於筒狀面之疏水性，而可抑制液滴殘留於傾斜面。自筒狀護具之傾斜面飛散之液滴與自筒狀面飛散之液滴比較，容易附著於基板。因此，藉由提高傾斜面之疏水性，而可抑制液滴自傾斜面飛散並向基板附著。
於本發明之一實施形態中，上述筒狀護具使用疏水性樹脂形成。因此，可使筒狀護具之內周面之疏水性進一步提高。
本發明之其他實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：旋轉保持構件，其以使基板繞特定之旋轉軸線旋轉之方式保持上述基板；液體供給構件，其對上述旋轉保持構件所保持之基板供給液體；及樹脂製筒狀護具，其包圍上述旋轉保持構件。該基板處理裝置之上述筒狀護具具有內周面、與設置於上述內周面之凹凸部，上述凹凸部具有複數個凹部、與位於相互相鄰之上述凹部彼此之間之複數個凸部。且，上述凹部具有10 μm以上之深度、與小於1.5 mm之寬度，上述凸部具有小於上述凹部之寬度，且小於1.5 mm之寬度。
根據該基板處理裝置，如上所述，可有效地抑制具有1.5 mm以下之直徑之液滴與凹部之底部相接，並相對於具有1.5 mm以下之直徑之液滴達成疏水化。
因此，可抑制自基板飛散並藉由筒狀護具之內周面接收之液滴殘留於內周面。因可減少殘存於筒狀護具之內周面之液滴之量，故可良好地抑制因自基板新飛散之液滴與殘存於內周面之液滴之衝突所致之自內周面向基板飛散的液滴。
於本發明之其他實施形態中，上述凹部之寬度為100 μm以上，且小於1.0 mm，上述凹部之深度可為200 μm以下。再者，上述凸部之寬度亦可為40 μm以下。
於本發明之其他實施形態中，上述內周面之平均面粗糙度亦可為3.0以上，且6.0以下。
本發明之進而其他實施形態提供一種樹脂製筒狀護具之加工方法，其用於在以液體處理基板之基板處理裝置中，包圍一面保持基板一面使上述基板繞特定之旋轉軸線旋轉之旋轉保持構件。上述加工方法包含：護具準備步驟，其準備具有內周面之筒狀護具；及疏水化步驟，其藉由於上述內周面形成凹凸部，而使上述筒狀護具之上述內周面疏水化。
根據該加工方法，可製造將內周面疏水化之凹凸部形成於內周面之筒狀護具。因此，與未形成有凹凸部之面比較，可使內周面之疏水性提高。又，可對已形成有凹凸部之筒狀護具追加形成凹凸部。
因此，可抑制自基板飛散並藉由筒狀護具之內周面接收之液滴殘留於內周面。因可減少殘存於筒狀護具之內周面之液滴之量，故可良好地抑制因自基板新飛散之液滴、與殘存於內周面之液滴之衝突所致之自內周面向基板飛散的液滴。因而，可達成抑制液滴自筒狀護具向基板之飛散。
於本發明之進而其他實施形態中，於上述疏水化步驟中，形成平均面粗糙度為3.0以上，且6.0以下之上述凹凸部。若可形成此種平均面粗糙度之凹凸部，則可使藉由內周面與液滴形成之接觸角大於藉由未形成有凹凸部之面與液滴形成之接觸角。即，與未形成有凹凸部之面比較，可使內周面之疏水性提高。
因此，可抑制自基板飛散並藉由筒狀護具之內周面接收之液滴殘留於內周面。因可減少殘存於筒狀護具之內周面之液滴之量，故可良好地抑制因自基板新飛散之液滴、與殘存於內周面之液滴之衝突所致之自內周面向基板飛散的液滴。
於本發明之進而其他實施形態中，上述疏水化步驟包含：切削構件移動步驟，其一面使上述筒狀護具繞上述內周面之中心軸線旋轉，一面使切削構件每隔特定之輸送時間沿上述內周面移動特定之給送距離；及切削步驟，其於使上述切削構件移動上述給送距離之後，以特定之壓入量對上述內周面壓入上述切削構件並切削上述內周面形成圓形狀槽部。
藉由切削構件之單純移動，可以特定之間隔形成複數個具有特定深度之圓形狀槽部。因此，可提高形成於內周面之凹凸部之尺寸之均一性。
參照附圖，藉由以下所述之實施形態之說明，明確本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果。 [相關申請案之交叉參考]
本申請案與2021年2月15日向日本專利局提出之日本專利申請2021-21618號對應，該申請之全部揭示藉由引用而併入本文中。
圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之內部構成之圖解性俯視圖。圖2係自圖1之II-II線觀察之圖解性縱剖視圖。
基板處理裝置1包含分度器區塊2、與分度器區塊2之橫向(水平方向)相鄰之處理區塊3、及控制基板處理裝置1之控制器4(參照稍後敘述之圖10)。
分度器區塊2包含複數個(於該實施形態中為4個)裝載埠LP、與分度機器人IR。
裝載埠LP沿水平方向排列。各裝載埠LP以可保持一個載子CA之方式構成。載子CA係收納處理對象之基板W之基板收納器。基板W為例如半導體晶圓。
分度機器人IR構成為，對複數個裝載埠LP所分別保持之載子CA進行存取，搬入/搬出基板W，且可於與處理區塊3之間搬送基板W。於該實施形態中，分度機器人IR係具備多關節臂之多關節臂機器人。
處理區塊3包含複數個(於該實施形態中為12個)處理單元5、複數個基板載置部6(第1基板載置部6U及第2基板載置部6L)、及複數個主搬送機器人CR(第1主搬送機器人CRU及第2主搬送機器人CRL)。
複數個處理單元5對基板W進行處理。於該實施形態中，各處理單元5係逐片處理基板W之單片型處理單元。
複數個處理單元5沿藉由複數個主搬送機器人CR搬送基板W之搬送空間8排列於該搬送空間8之兩側，且靠近搬送空間8。搬送空間8於俯視時，沿自分度機器人2分離之方向直線延伸。
複數個處理單元5構成複數個(於該實施形態中為4個)處理塔TW。俯視時於搬送空間8之兩側方之各者，配置有複數個(於該實施形態中為2個)處理塔TW。各處理塔TW包含積層於上下方向之複數階(於該實施形態中為6階)處理單元5。於該實施形態中，24個處理單元5每6個分開配置於4個處理塔TW。所有處理單元5於靠近搬送空間8之位置具有基板搬出/搬入口5a。
於各處理塔TW之側方，配置有流體供給部9及排氣部10。流體供給部9收納用於供給構成處理塔TW之複數個處理單元5所使用之處理流體之配管類、或用於輸送配管內之液體之泵類。排氣部10收納用於使構成處理塔TW之複數個處理單元5之內部之環境氣體排氣之配管類。
處理流體為基板處理裝置1所使用之液體(處理液)或氣體。作為處理液可例舉稍後敘述之藥液、清洗液等。
俯視時，於排氣部10收納有用於將來自構成對應之處理塔TW之複數個處理單元5之排氣引導至基板處理裝置1外之排氣設備之排氣配管11。排氣部10亦可進而根據處理單元5內之處理之種類(更具體而言為處理液之種類)，合併收納切換排氣配管11之切換機構12。雖省略圖示，但於排氣部10，收納有驅動切換機構12之致動器類。
複數個處理單元5被分類為下層之處理單元5或上層之處理單元5。於該實施形態中，下側3階之處理單元5為下層之處理單元5，上側3階之處理單元5為上層之處理單元5。
第1基板載置部6U及第2基板載置部6L並排配置於上下方向。第1主搬送機器人CRU及第2主搬送機器人CRL於搬送空間8中並排配置於上下方向。
第1基板載置部6U將於分度機器人IR與第1主搬送機器人CRU之間交接之基板W暫時保持。第2基板載置部6L將於分度機器人IR與第2主搬送機器人CRL之間交接之基板W暫時保持。
第1主搬送機器人CRU於第1基板載置部6U與上層之處理單元5之間搬送基板W。第2主搬送機器人CRL於第2基板載置部6L與下層之處理單元5之間搬送基板W。
處理單元5包含：旋轉夾盤15，其一面水平保持基板W一面使基板W繞旋轉軸線A1(鉛直軸線)旋轉；處理杯16，其於俯視時包圍旋轉夾盤15；及處理腔室17，其收納旋轉夾盤15及處理杯16。旋轉軸線A1係通過基板W之中央部之鉛直之直線。旋轉夾盤15為旋轉保持構件之一例。
處理腔室17包含下壁17A、複數個(於該實施形態中為4個)側壁17B及上壁17C(參照稍後敘述之圖3)，藉由該等，區劃處理腔室17之內部空間101。基板搬出/搬入口5a形成於處理腔室17之側壁17B。
圖3係用於說明處理單元5之構成例之圖解性剖視圖。
旋轉夾盤15包含複數個夾盤銷20、旋轉基台21、旋轉軸22、及旋轉馬達23。
旋轉基台21具有沿水平方向之圓板形狀。旋轉基台21具有於俯視時較基板W更大徑之圓形狀。於旋轉基台21之上表面，把持基板W之周緣之複數個夾盤銷20於旋轉基台21之周向空出間隔配置。夾盤銷20亦稱為把持銷。
旋轉基台21及複數個夾盤銷20構成水平保持基板W之基板保持單元。基板保持單元亦稱為基板固持器。
旋轉軸22沿旋轉軸線A1於鉛直方向延伸。旋轉軸22之上端部結合於旋轉基台21之下表面中央。旋轉馬達23對旋轉軸22賦予旋轉力。由旋轉馬達23使旋轉軸22旋轉，藉此使旋轉基台21旋轉。藉此，基板W繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉馬達23為使基板W繞旋轉軸線A1旋轉之基板旋轉單元之一例。
處理單元5包含複數個處理液噴嘴30、及FFU(Fan Filter Unit：扇過濾器單元)26。複數個處理液噴嘴30收納於處理腔室17。
FFU26係安裝於處理腔室17之上壁17C所設置之開口17a，將清淨空氣輸送至處理腔室17內之鼓風單元之一例。FFU26包含：風扇(未圖示)，其產生自處理腔室17外向處理腔室17內之氣流；過濾器(未圖示)，其用於去除氣流中所包含之異物；及馬達等致動器(未圖示)，其驅動風扇。
各處理液噴嘴30係對旋轉夾盤15所保持之基板W供給液體之液體供給構件之一例。於複數個處理液噴嘴30包含：藥液噴嘴31，其向基板W之上表面噴出藥液；上側清洗液噴嘴32，其向基板W之上表面噴出清洗液；及下側清洗液噴嘴33，其向基板W之下表面噴出清洗液。
藥液噴嘴31連接於將藥液引導至藥液噴嘴31之藥液配管41。於藥液配管41，介裝有開關該流路之藥液噴嘴51、與對藥液噴嘴31輸送藥液之藥液泵61。若打開藥液噴嘴51，則藥液自藥液噴嘴31以連續流對下方噴出。
於該實施形態中，藥液噴嘴31係藉由第1噴嘴移動單元71於水平方向及鉛直方向移動之移動噴嘴。藥液噴嘴31以於中心位置與原始位置(退避位置)之間於水平方向移動之方式構成。若於藥液噴嘴31位於中央位置時打開藥液噴嘴51，則藥液供給至基板W之上表面之中央區域。
第1噴嘴移動單元71亦可包含：臂71A，其與藥液噴嘴31結合並水平延伸；旋動軸71B，其與臂71A結合並沿鉛直方向延伸；及旋動軸驅動單元71C，其使旋動軸升降。
旋動軸驅動單元71C包含：驅動馬達(未圖示)，其藉由使旋動軸71B繞沿鉛直方向延伸之旋動軸線A2旋動而使臂71A搖動；及臂升降機(未圖示)，其藉由使旋動軸71B沿鉛直方向升降，而使臂71A升降。臂升降機為例如滾珠螺杆機構或齒條與小齒輪機構。
藥液噴嘴31與該實施形態不同，亦可為於水平方向及鉛直方向上固定位置之固定噴嘴。
自藥液噴嘴31噴出之藥液亦可為包含例如硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：tetramethylammonium hydroxide(四甲基氫氧化銨)等)、表面活性劑、防腐蝕劑中之至少1者之液。作為混合該等之藥液之例，可例舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫水混合液)、APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨過氧化氫水混合液)等。
上側清洗液噴嘴32連接於將清洗液引導至上側清洗液噴嘴32之上側清洗液配管42。於上側清洗液配管42，介裝有：上側清洗液噴閥52，其開關該流路；及上側清洗液泵62，其對上側清洗液噴嘴32輸送清洗液。若打開上側清洗液閥52，則清洗液自上側清洗液噴嘴32以連續流對下方噴出。
於該實施形態中，上側清洗液噴嘴32係藉由第2噴嘴移動單元72沿水平方向及鉛直方向移動之移動噴嘴。上側清洗液噴嘴32構成為，於中心位置與原始位置(退避位置)之間沿水平方向移動。於上側清洗液噴嘴32位於中央位置時若打開上側清洗液閥52，則清洗液供給至基板W之上表面之中央區域。
第2噴嘴移動單元72亦可包含：臂72A，其與上側清洗液噴嘴32結合並水平延伸；及旋動軸72B，其與臂72A結合並沿鉛直方向延伸；及旋動軸驅動單元72C，其使旋動軸72B升降。
旋動軸驅動單元72C包含：驅動馬達(未圖示)，其藉由使旋動軸72B繞沿鉛直方向延伸之旋動軸線A3旋動而使臂72A搖動；及臂升降機(未圖示)，其藉由使旋動軸沿鉛直方向升降，而使臂72A升降。臂升降機為例如滾珠螺杆機構或齒條與小齒輪機構。
上側清洗液噴嘴32與該實施形態不同，亦可為於水平方向及鉛直方向上固定位置之固定噴嘴。
下側清洗液噴嘴33係向基板W之下表面中央部噴出清洗液之固定噴嘴。下側清洗液噴嘴33插入於旋轉基台21之上表面中央部開口之貫通孔21a、與連通於貫通孔21a之旋轉軸22之內部空間22a。下側清洗液噴嘴33之噴出口33a自旋轉基台21之上表面露出。
下側清洗液噴嘴33連接於將清洗液引導至下側清洗液噴嘴33之下側清洗液配管43。於下側清洗液配管43，介裝有：下側清洗液閥53，其開關該流路；及下側清洗液泵63，其對下側清洗液噴嘴33輸送清洗液。若打開下側清洗液閥53，則清洗液自下側清洗液噴嘴33以連續流對上方噴出。
清洗液可例舉DIW(Deionized Water：去離子水)、碳酸水、電解離子水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、稀釋濃度(例如1 ppm～100 ppm左右)之氨水、回收水(氫水)等。
藉由下側清洗液噴嘴33與旋轉基台21之貫通孔21a之間之空間，形成下側氣體流路25。下側氣體流路25與旋轉軸22之內周面與下側清洗液噴嘴33之間插通於內部空間22a之下側氣體配管44連接。若打開介裝於下側氣體配管44之下側氣體閥54，則氮氣(N 2氣)等之氣體自下側氣體流路25向基板W之下表面與旋轉基台21之上表面之間之空間噴出。
自下側氣體流路25噴出之氣體不限定於氮氣。自下側氣體流路25噴出之氣體可為空氣。又，自下側氣體流路25噴出之氣體亦可為氮氣以外之惰性氣體。氮氣以外之惰性氣體為例如氬。
處理杯16包含：複數個筒狀護具80，其等接住自旋轉夾盤15所保持之基板W向外方飛散之液體；複數個杯90，其等接住藉由複數個筒狀護具80引導至下方之液體；及排氣桶100，其於俯視時，包圍複數個筒狀護具80及複數個杯90。筒狀護具80為接收自基板W飛散之液體之液接收構件之一例。
於該實施形態中，顯示設置2個筒狀護具80(第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B)、與2個杯90(第1杯90A及第2杯90B)之例。
筒狀護具80為樹脂製。筒狀護具80藉由親水性樹脂或疏水性樹脂形成。較佳為筒狀護具80藉由疏水性樹脂形成。
疏水性樹脂為例如氟樹脂。具體而言，筒狀護具80藉由全氟烷氧基烷烴(PFA：Perfluoroalkoxy alkane)、聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)、聚三氟氯乙烯(PCTFE：Polychlorotrifluoroethylene)、及、乙烯三氟氯乙烯(ECTFE：Ethylene-chlorotrifluoroeethylene)中之一種、或含有該等中之二種以上之混合物形成。
第1杯90A及第2杯90B之各者具有朝上開放之環狀槽之形態。
第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B分別具有大致圓筒形狀，各筒狀護具80之上端部以面向筒狀護具80之中心側之方式向內方傾斜。第1筒狀護具80A以包圍旋轉夾盤15所保持之基板W之方式配置。第2筒狀護具80B(內側護具)配置為，包圍較第1筒狀護具80A(外側護具)更靠第1筒狀護具80A之中心側之由旋轉夾盤15保持之基板W。
第1筒狀護具80A之中心側(以下，稱為「護具內側IS」)亦為基板W之旋轉徑向之內側。第1筒狀護具80A之中心側之相反側(以下，稱為「護具外側OS」)亦為基板W之旋轉徑向之外側。第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B配置於同軸上，第1筒狀護具80A之中心側亦為第2筒狀護具80B之中心側。
第1杯90A與第2筒狀護具80B一體形成，接住藉由第1筒狀護具80A引導至下方之液體。第2杯90B接住藉由第2筒狀護具80B引導至下方之液體。藉由第1杯90A接收之液體藉由連結於第1杯90A之下端之第1處理液回收路(未圖示)回收。藉由第2杯90B接收之液體藉由連結於第2杯90B之下端之第2處理液回收路(未圖示)回收。
處理單元5包含使第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B分別升降之護具升降單元95。護具升降單元95使第1筒狀護具80A於下位置與上位置之間升降。護具升降單元95使第2筒狀護具80B於下位置與上位置之間升降。
於第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B均位於上位置時，自基板W飛散之液體藉由第2筒狀護具80B接收。於第2筒狀護具80B位於下位置，第1筒狀護具80A位於上位置時，自基板W飛散之液體藉由第1筒狀護具80A接收。
於第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B均位於下位置時，對應之主搬送機器人CR可對處理腔室17內搬入基板W或自處理腔室17內搬出基板W。
護具升降單元95包含：第1護具升降單元，其使第1筒狀護具80A升降；及第2護具升降單元，其使第2筒狀護具80B升降。第1護具升降單元係例如對結合於第1筒狀護具80A之第1升降機構(未圖示)賦予驅動力之第1致動器(未圖示)。第1升降機構為例如滾珠螺杆機構或齒條與小齒輪機構。第2護具升降單元係對結合於第2筒狀護具80B之第2升降機構(未圖示)賦予驅動力之第2致動器(未圖示)。第2升降機構為例如滾珠螺杆機構或齒條與小齒輪機構。
護具升降單元95亦稱為護具升降機。同樣，第1護具升降單元為第1護具升降機，第2護具升降單元為第2護具升降機。
處理腔室17之內部空間101被分為較第1筒狀護具80A更靠護具內側IS之護具內空間102、與護具內空間102以外之護具外空間103。於處理腔室17之至少任一者之側壁17B，設置將處理腔室17之護具外空間103上下隔開之隔板104。即，護具外空間103藉由隔板104，被分為較隔板104更靠上側之上空間103A、與較隔板104更靠下側之下空間103B。隔板104藉由排氣桶100支持。
上空間103A包含較隔板104更靠上側，且較第1筒狀護具80A更靠護具內側IS之空間、與較隔板104更靠上側，且較第1筒狀護具80A更靠護具外側OS之空間。
下空間103B被分為較排氣桶100更靠護具內側IS之內側下空間105、與較排氣桶100更靠護具外側OS之外側下空間106。
處理腔室17內之環境氣體經由貫通處理腔室17之側壁17B及排氣桶100之排氣連接管45排氣。排氣連接管45與配置於排氣部10之排氣配管11(參照圖1)連接。
FFU26藉由對處理腔室17之內部空間101輸送清淨空氣，而形成氣流F。氣流F自上空間103A通過護具內空間102或下空間103B，輸送至排氣部10之排氣連接管45。氣流F通過護具內側IS之隔板104之端部與第1筒狀護具80A之間之間隙G1、或形成於護具外側OS之隔板104之端部之間隙G2，流入下空間103B。
通過間隙G1流入內側下空間105之氣流F1自內側下空間105流入排氣連接管45。
通過間隙G2流入外側下空間106之氣流F2經由形成於排氣桶100之開口100a，流入內側下空間105，之後流入排氣連接管45。流入護具內空間102之氣流F3自護具內空間102流入排氣連接管45。
可藉由調整第1筒狀護具80A之高度位置，而調整隔板104與第1筒狀護具80A之間之間隙G1之尺寸。可藉由調整間隙G1之尺寸，調整氣流F1～F3之流量。
圖4係用於說明筒狀護具80之構成之模式性剖視圖。
參照圖4，各筒狀護具80包含筒狀部81、延設部82、及下垂部83。
筒狀部81於俯視下為圓形狀之圓筒部。筒狀部81包圍旋轉夾盤15。筒狀部81之中心側亦為護具內側IS，筒狀部81之中心側之相反側亦為護具外側OS。
延設部82俯視時具有圓環狀。延設部82連接於筒狀部81之上端部，自筒狀部81之上端部向筒狀部81之中心側延伸。
下垂部83直接連接於筒狀部81之中心側之延設部82之端部(以下，稱為「中心側端部82a」)，自中心側端部82a向下方延伸。下垂部83俯視時具有圓環狀。下垂部83具有隨著面向下方寬度變窄之漸細形狀。下垂部83剖視時為三邊形狀。
延設部82具有：傾斜部84，其向護具內側IS於傾斜上延伸；及水平部86，其於傾斜部84更上方水平延伸，連結於下垂部83之上端部。與圖4之例不同，亦可不設置水平部86，於傾斜部84之上端部直接連接下垂部83。
筒狀護具80具有內周面120、與設置於內周面120之凹凸部121。筒狀護具80之內周面120藉由筒狀部81之內周面即筒狀面122、傾斜部84之內周面即傾斜面123、及順滑連結筒狀面122及傾斜面123之彎曲面124構成。筒狀面122係於鉛直方向延伸之圓筒面。傾斜面123經由彎曲面124連接於筒狀面122之上端且相對於筒狀面122傾斜延伸。詳細而言，傾斜面123自彎曲面124之上端部向護具內側IS於傾斜上延伸。與圖4之例不同，亦可不設置彎曲面124，傾斜面123直接連接於筒狀面122之上端。
凹凸部121設置於傾斜面123及筒狀面122之兩者。凹凸部121於內周面120中，設置於較下垂部83之下端部更下方之區域。
圖5係擴大筒狀護具80之剖視圖之內周面120附近之圖。圖6係自圖5所示之箭頭VI觀察凹凸部121之圖。圖7係用於說明筒狀護具80之內周面120所設置之凹凸部121之形狀之模式性立體圖。
如圖5及圖6所示，凹凸部121具有複數個凹部130、與位於相互相鄰之凹部130彼此之間之複數個凸部131。於該實施形態中，如圖7所示，凹部130係沿內周面120之周向CD之圓形狀槽部135。同樣，凸部131係沿內周面120之周向CD之圓形狀凸部136(參照圖6)。複數個圓形狀槽部135於軸向X上隔開間隔設置於內周面120。
複數個凹部130於沿內周面120之中心軸線A4(參照圖7)之軸向X上隔開間隔設置於內周面120。中心軸線A4與旋轉軸線A1一致(參照圖3)。
參照圖5及圖6，將複數個凹部130中形成於傾斜面123之凹部130稱為第1凹部130A，將形成於筒狀面122之凹部130稱為第2凹部130B。將複數個凸部131中位於第1凹部130A彼此之間之凸部131稱為第1凸部131A，將位於第2凹部130B彼此之間之凸部131稱為第2凸部131B。
圖8係與沿圖6之VIII-VIII線之剖面相當，用於說明凹凸部121之構成之模式圖。
參照圖8，凹部130具有小於液滴LD之直徑Dm之寬度W1、與以液滴LD與複數個凸部131相接之狀態下液滴LD不與凹部130之底部130a相接之深度De。凸部131具有小於液滴LD之直徑Dm，且小於凹部130之寬度W1之寬度W2。
因此，由內周面120之凹凸部121接收之液滴LD未完全進入凹部130內，與複數個凸部131相接。凹部130具有以液滴LD與複數個凸部131相接之狀態下，液滴LD不與凹部130之底部130a相接之深度De。若凹凸部121與液滴LD具有此種尺寸關係，則可使液滴LD與凹部130內之空氣接觸，減少液滴LD與筒狀護具80之內周面120相接之面積。
因此，可使液滴LD相對於凹凸部121之接觸角θ大於液滴LD相對於未形成有凹凸部121之內周面之接觸角。即，與未形成有凹凸部121之內周面比較，可使筒狀護具80之內周面120之疏水性提高。若使用疏水性樹脂形成筒狀護具80，則可使內周面120之疏水性進一步提高。
接觸角θ係於液滴LD之氣液界面與凹凸部121及液滴LD之界面之間形成於液滴LD之內部之角度。於構成液滴LD之液體為水之情形時，接觸角θ較佳為例如99°以上。
接著，對自基板W飛散之液滴LD之飛散角度θs、及該飛散之液滴LD之直徑Dm之具體數值進行說明。圖9係用於對液體自基板W飛散之狀況進行說明之模式圖。
以於基板W之上表面上存在液體之狀態，藉由使基板W旋轉，而自基板W之周緣向基板W之外側飛散液體。自基板W飛散之液滴LD之直徑Dm、及液滴LD之飛散角度θs依存於基板W之旋轉速度。飛散角度θs係水平面HS、與液滴LD之飛散方向SD所成之角度。
若基板W之旋轉速度低於600 rpm，則大半液滴LD向傾斜下方向飛散。若基板W之旋轉速度低於600 rpm，則大半液滴LD藉由筒狀面122接收。另一方面，若基板W之旋轉速度為600 rpm以上，則大半液滴LD向傾斜上方向飛散。因此，若基板W之旋轉速度為600 rpm以上，則大半液滴LD藉由傾斜面123接收。
自基板W飛散之液滴LD之直徑Dm藉由液體對基板W之供給流量、與剪切能量而變動。剪切能量藉由基板W之旋轉速度及基板W之直徑而變動。基板W之直徑大概為300 mm。自基板W飛散之液滴LD之直徑Dm大約為0.1 mm以上且3.0 mm以下。若基板W之旋轉速度為600 rpm以上且1200 rpm以下，則自基板W飛散之液滴LD之直徑Dm為0.1 mm以上且1.5 mm以下。
為抑制直徑Dm為1.5 mm以下之液滴LD進入凹部130，而凹部130之深度De較佳為1 mm以下，且10 μm以上。又，凹部130之寬度W1較佳為100 μm以上，且小於1.5 mm。再者，凸部131之寬度W2較佳為1.0 μm以上，且小於1.5 mm。
若基板W之旋轉速度為600 rpm以上且1200 rpm以下，則自基板W飛散之液滴LD之直徑Dm主要為1.0 mm以下。為進一步抑制直徑Dm為1.0 mm以下之液滴LD進入凹部130，而與用於抑制直徑Dm為1.5 mm以下之液滴LD進入凹部130之條件同樣，凹部130之深度De較佳為1.0 mm以下，且10 μm以上。再者，凹部130之寬度W1更佳為100 μm以上，且小於1.0 mm，凸部131之寬度W2更佳為1.0 μm以上，且小於1.0 mm。
為形成此種尺寸之凹凸部121，而需將凹凸部121之平均面粗糙度設定為3.0以上，且6.0以下。若平均面粗糙度Ra為6.0以下，則凹部130之寬度W1充分變小，可有效地抑制具有1.5 mm以下之直徑Dm之液滴LD進入凹部130內。若平均面粗糙度Ra為3.0以上，則凹部130之深度De充分變大，可有效地抑制具有1.5 mm以下之直徑Dm之液滴LD進入凹部130內。尤其，平均面粗糙度Ra較佳為3.8。
為將平均面粗糙度Ra設為3.0以上且4.0以下，凹部130之深度De較佳為1.0 μm以上，且200 μm以下。再者，凹部130之寬度W1較佳為100 μm以上，且小於1.0 mm，凸部131之寬度W2較佳為30 μm以上，且40 μm以下。
因此，於一面使基板W以600 rpm以上之旋轉速度旋轉一面以處理液處理基板W之上表面之情形時，較佳為於內周面120中，凹凸部121至少形成於傾斜面123。再者，較佳為凹部130之深度De為10 μm以上，凹部130之寬度W1小於1.5 mm，凸部131之寬度W2小於凹部130之寬度，且小於1.5 mm。
另，若形成平均面粗糙度Ra較高之凹凸部121則凸部131之寬度W2變窄。具體而言，若以平均面粗糙度Ra成為6.0之方式加工凹凸部121，則成為40 μm以下。因此，平均面粗糙度Ra為6.0以下之凹凸部121較平均面粗糙度Ra大於6.0之凹凸部121更容易於內周面120加工。尤其於以車床旋轉切削加工形成凹凸部121之情形時，加工容易性之差顯著。因此，自加工容易性之觀點而言平均面粗糙度Ra較佳為6.0以下。
圖10係顯示基板處理裝置1之主要部之電性構成之方塊圖。控制器4具備微型控制器，依照特定之控制程式控制基板處理裝置1所具備之控制對象。
具體而言，控制器4亦可為包含處理器(CPU(Central Processing Unit：中央處理單元))4A、與儲存控制程式之記憶體4B之電腦。控制器4以藉由處理器4A執行控制程式，執行用於基板處理之各種控制之方式構成。
於控制器4之控制對象，包含分度機器人IR及複數個主搬送機器人CR。於控制器4之控制對象，包含配置於排氣部10之致動器類、配置於流體供給部9之閥(藥液閥51、上側清洗液閥52、下側清洗液閥53、下側氣體閥54)及泵(藥液泵61、上側清洗液泵62、下側清洗液泵63)。
於控制器4之控制對象，進而包含處理單元所具備之各構件(旋轉馬達23、第1噴嘴移動單元71、第2噴嘴移動單元72、護具升降單元95、FFU26)。
圖11係用於說明基板處理裝置1之基板處理之一例之流程圖。於基板處理裝置1之基板處理中，例如圖11所示，依序執行藥液處理步驟(步驟S1)、清洗處理步驟(步驟S2)、及旋轉乾燥步驟(步驟S3)。
以下，主要參照圖3及圖11。首先，未處理之基板W藉由分度機器人IR(參照圖1)、與複數個主搬送機器人CR中之任一者(參照圖1)自載子CA搬入處理單元5，交接至旋轉夾盤15。藉此，基板W藉由旋轉夾盤15保持水平(基板保持步驟)。
繼續藉由旋轉夾盤15保持基板W直至旋轉乾燥步驟(步驟S3)結束為止。自開始基板保持步驟至旋轉乾燥步驟(步驟S3)結束為止之期間，護具升降單元85以至少一個筒狀護具80位於上位置之方式，調整第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B之高度位置。以基板W保持於旋轉夾盤15之狀態，旋轉馬達23使旋轉基台21旋轉。藉此，開始水平保持之基板W之旋轉(基板旋轉步驟)。基板W之旋轉速度為例如600 rpm以上且1200 rpm以下。
且，打開下側氣體閥54自下側氣體流路25噴出氣體(氣體噴出步驟)。維持打開下側氣體閥54之狀態直至旋轉乾燥步驟(步驟S3)結束為止。來自下側氣體流路25之氣體之流量為例如50 L/min。藉由來自下側氣體流路25之氣體之供給、及FFU26之氣體之流入，調整排氣流量，且將處理腔室17之內壓調整為特定之壓力。排氣流量為例如3 m 3/min。於該情形時，將處理腔室17之內壓調整為-30 Pa。
接著，執行以藥液處理基板W之上表面之藥液處理步驟(步驟S1)。
具體而言，第1噴嘴移動單元71使藥液噴嘴31移動至處理位置。藥液噴嘴31之處理位置為例如中央位置。
以藥液噴嘴31位於處理位置之狀態，打開藥液閥51。藉此，自藥液噴嘴31向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)藥液(藥液供給步驟)。
供給至基板W之上表面之藥液受離心力而放射狀擴展，遍及基板W之上表面之整體。藥液藉由離心力，自基板W之上表面之周緣排出。藉此，以藥液處理基板W之上表面之整體。
自基板W之上表面排出之藥液主要藉由第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B中之任一者之傾斜面123接收。藉由傾斜面123接收之藥液沿傾斜面123移動至下方，並向筒狀面122引導。向筒狀面122引導之藥液最終藉由對應之杯90接住。
接著，執行以清洗液洗淨基板W之清洗處理步驟(步驟S2)。具體而言，於關閉藥液閥51之後，第1噴嘴移動單元71使藥液噴嘴31移動至原始位置。於關閉藥液閥51之後，第2噴嘴移動單元72使上側清洗液噴嘴32移動至處理位置。上側清洗液噴嘴32之處理位置為例如中央位置。
以上側清洗液噴嘴32位於處理位置之狀態，打開上側清洗液閥52。藉此，自上側清洗液噴嘴32向旋轉狀態之基板W之上表面之中央區域供給(噴出)清洗液(上側清洗液供給步驟)。
供給至基板W之上表面之清洗液受離心力而放射狀擴展，遍及基板W之上表面之整體。清洗液藉由離心力，自基板W之上表面之周緣排出。藉此，以清洗液沖洗基板W之上表面之整體(上側清洗步驟)。
自基板W之上表面排出之清洗液主要藉由第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B中之任一者之傾斜面123接收。藉由傾斜面123接收之清洗液沿傾斜面123移動至下方，被引導至筒狀面122。引導至筒狀面122之清洗液最終藉由對應之杯90接住。
於對基板W之上表面供給清洗液時，亦可打開下側清洗液閥53，自下側清洗液噴嘴33噴出清洗液(下側清洗液供給步驟)。藉此，以清洗液沖洗基板W之下表面(下側清洗步驟)。
之後，執行使基板W高速旋轉並使基板W之上表面乾燥之旋轉乾燥步驟(步驟S3)。具體而言，關閉上側清洗液閥52及下側清洗液閥53。藉此，停止向基板W供給清洗液。且，第2噴嘴移動單元72使上側清洗液噴嘴32移動至原始位置。
且，旋轉馬達23加速基板W之旋轉，使基板W以高速度(例如1500 rpm)旋轉。藉此，較大之離心力對殘存於基板W之上表面及下表面之液體作用，將附著於基板W之液體甩開至基板W之周圍。自基板W甩開之液體藉由第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B中之任一者接收。
且，旋轉馬達23使基板W之旋轉停止。護具升降單元95使第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B移動至下位置。之後，主搬送機器人CR進入處理單元5，自旋轉夾盤15之夾盤銷20汲取處理完畢之基板W，向處理單元5外搬出。該基板W自主搬送機器人CR向分度機器人IR交接，藉由分度機器人IR收納於載子CA。
於該基板處理裝置1中，因於筒狀護具80之內周面120形成有凹凸部121，故提高內周面120之疏水性。因此，可抑制自基板W飛散並藉由筒狀護具80之內周面120接收之液滴LD殘留於內周面120。因可減少殘存於筒狀護具80之內周面120之液滴LD之量，故可良好地抑制因自基板W新飛散之液滴LD、與殘存於內周面120之液滴LD之衝突所致之自內周面120向基板W飛散之液滴LD之量。
複數個凹部130包含沿內周面120之周向CD之複數個圓形狀槽部135。且，複數個圓形狀槽部135於軸向X上隔開間隔設置於內周面120。因此，於周向CD之全域中，可使內周面120之疏水性提高。因此，可抑制自基板W飛散並藉由筒狀護具80之內周面120接收之液滴LD殘存於內周面120之情況遍佈於內周面120之全域。
又，根據該實施形態，筒狀護具80之內周面120具有向鉛直方向延伸之筒狀面122、與連接於筒狀面122之上端並相對於筒狀面122傾斜延伸之傾斜面123。且，複數個凹部130包含形成於傾斜面123之複數個第1凹部130A。
因自筒狀護具之內周面飛散之(彈回)液滴LD容易向傾斜下方向飛散，故自傾斜面123飛散之液滴LD較自筒狀面122飛散之液滴LD對基板W之再附著更容易成為問題。於該實施形態中，因複數個凹部130包含形成於傾斜面123之複數個第1凹部130A，故可使傾斜面123之疏水性提高。因此，可良好地抑制自內周面120飛散之液滴LD對基板W之附著。
又，根據該實施形態，複數個凹部130包含形成於筒狀面122之複數個第2凹部130B。藉由傾斜面123接收之液滴LD沿傾斜面123移動至下方並向筒狀面122引導。於該實施形態中，因複數個凹部130包含形成於筒狀面122之複數個第2凹部130B，可使筒狀面122之疏水性提高，故可抑制液體殘存於筒狀面122。因此，可抑制自基板W向筒狀面122飛散之液滴LD、與殘存於筒狀面122之液滴LD之衝突。其結果，可良好地抑制自基板W新飛散之液滴LD與殘存於筒狀面122之液滴LD之衝突所致之液滴LD自筒狀面122向基板W之飛散。
又，形成於筒狀面122之凹凸部121之尺寸、與形成於傾斜面123之凹凸部121之尺寸可相同，亦可不同。例如圖5所示，第1凸部131A之寬度W2亦可小於第2凸部131B之寬度W2。
據此，傾斜面123之疏水性高於筒狀面122之疏水性。藉由使傾斜面123之疏水性高於筒狀面122之疏水性，而可抑制液滴LD殘留於傾斜面123。自筒狀護具80之傾斜面123飛散之液滴LD與自筒狀面122飛散之液滴LD比較，容易附著於基板W。因此，藉由提高傾斜面123之疏水性，而可抑制液滴LD自傾斜面123飛散並向基板W附著。
＜水滴飛散角度測定實驗＞ 對進行由高速照相機拍攝自基板W飛散之DIW之液滴LD(以下，有稱為「水滴」之情形)，測定水滴之飛散角度之水滴飛散角度測定實驗之結果進行說明。
圖12係顯示基板W之旋轉速度與水滴之飛散角度θs之關係之曲線圖。圖12之曲線圖之橫軸為自基板W飛散之水滴之飛散角度θs。若水滴之飛散方向SD為傾斜上方向，則飛散角度θs大於0°。若液滴LD之飛散方向為傾斜下方向，則飛散角度θs小於0°
如圖12所示，若基板W之旋轉速度為500 rpm，則因大半液滴LD之飛散角度θs小於0°，故獲得大半液滴LD向傾斜下方向飛散之結果。若基板W之旋轉速度為800 rpm或1200 rpm，則因大半液滴LD之飛散角度θs大於0°，故獲得大半液滴LD向傾斜上方向飛散之結果。
＜水滴尺寸測定實驗＞ 對進行由高速照相機拍攝自基板W飛散之水滴，測定水滴之直徑之水滴尺寸測定實驗之結果進行說明。
圖13係顯示於對以1000 rpm旋轉之基板W以0.5 L/min供給DIW之情形時，自基板W飛散之水滴之直徑之曲線圖。圖13之曲線圖之橫軸顯示自基板W飛散之水滴之直徑Dm，圖13之曲線圖之縱軸顯示各直徑之水滴飛散之概率。如圖13所示，獲得於自以1000 rpm旋轉之基板W飛散之水滴中，大半水滴之直徑Dm為1.5 mm以下之結果。其中，獲得直徑Dm為1.0 mm以下之水滴特別多之結果。
＜水滴附著數測定實驗＞ 對進行以顯微鏡觀測自筒狀護具80彈回並向基板W飛散之水滴之數量之水滴附著數測定實驗之結果進行說明。
具體而言，一面使基板W旋轉，一面以2 L/min且於3秒內對基板W之上表面及下表面供給DIW，且使用高速照相機計測3秒內向基板W彈回之水滴之數量。
圖14係顯示自筒狀護具80飛散之水滴之個數與基板W之旋轉速度之關係之曲線圖。於圖14之曲線圖中，橫軸顯示基板W之旋轉速度，縱軸顯示自筒狀護具80飛散並附著於基板W之上表面之水滴之個數。如圖14所示，獲得於將基板W之旋轉速度設為300 rpm之情形時，附著於基板W之上表面之水滴較少，於將基板W之旋轉速度設為600 rpm之情形時，附著於基板W之上表面之水滴較多之結果。獲得於將基板W之旋轉速度設為800 rpm、1200 rpm、1600 rpm之情形時，均與基板W之旋轉速度為600 rpm時同樣，附著於基板W之上表面之水滴多於基板W之旋轉速度為300 rpm時之結果。因此，於基板W之旋轉速度為600 rpm以上時，推測液滴自筒狀護具80向基板W之上表面之飛散成為問題。
接著，一面使基板W以1200 rpm旋轉，一面以2 L/min且30秒內對基板W之上表面供給DIW，使用感水紙計測DIW之供給中自筒狀護具80彈回並附著於基板W之水滴之數量。
為確認凹凸部121減少水滴飛散量之效果，而比較使用形成有凹凸部121之筒狀護具80之情形時附著於基板W之上表面之水滴之個數、與使用未形成有凹凸部121之筒狀護具80之情形時附著於基板W之上表面之水滴之個數。圖15係用於說明凹凸部121之存在所導致之附著於基板W之上表面之水滴之個數之減少效果的圖表。
如圖15所示，獲得自具有形成有平均面粗糙度Ra為3.0以上之凹凸部121之內周面120之筒狀護具80(圖15所示之「具有凹凸部之筒狀護具」)飛散並附著於基板W之上表面之水滴之個數，少於自具有未形成有凹凸部121之內周面120之筒狀護具80(圖15所示之「未加工之筒狀護具」)飛散並附著於基板W之上表面之水滴之個數的結果。藉此，推測藉由平均面粗糙度Ra為3.0以上之凹凸部121之存在，可減少自筒狀護具80向基板W飛散之水滴之個數。
＜微粒附著數測定實驗＞ 對進行基板處理後測定附著於基板W之上表面之微粒之數量之微粒附著數測定實驗之結果進行說明。於微粒附著數測定實驗中，於執行以稀氫氟酸、APM、異丙醇(IPA：Isopropyl Alcohol)之順序處理基板W之上表面之基板處理後，使用顯微鏡測定附著於基板W上之微粒之個數。為確認因凹凸部121之存在使微粒附著數減少之效果，而比較使用形成有凹凸部121之筒狀護具80之情形時附著於基板W之上表面之微粒之個數、與使用未形成有凹凸部121之筒狀護具80之情形時附著於基板W之上表面之微粒之個數。圖16係用於說明凹凸部121之存在所導致之對附著於基板W之上表面之微粒之數量之減少效果的圖表。
如圖16所示，獲得於使用具有形成有平均面粗糙度Ra為3.0以上之凹凸部121之內周面120之筒狀護具80(圖16所示之「具有凹凸部之筒狀護具」)執行基板處理之後，附著於基板W之上表面之微粒之個數，少於使用具有未形成有凹凸部121之內周面120之筒狀護具80(圖16所示之「未加工之筒狀護具」)執行基板處理之後，附著於基板W之上表面之微粒之個數之結果。藉此，藉由平均面粗糙度Ra為3.0以上之凹凸部121之存在，而減少自筒狀護具80向基板W飛散之水滴之個數，結果推測可減少附著於基板W之上表面之微粒之個數。
＜接觸角測定實驗＞ 接著，使用圖17及圖18，對比較水滴WD相對於具有平均面粗糙度Ra不同之凹凸部121之筒狀護具80之接觸角θ1之接觸角測定實驗之結果進行說明。圖17係模式性顯示於接觸角測定實驗中，滴下至凹凸部121之水滴WD附近之圖。
接觸角測定實驗之順序如下所示。(1)於內周面120滴下2 mm以上且3 mm以下之水滴WD。(2)使用顯微鏡取得水滴WD附近之圖像。基於由(3)(2)取得之圖像，測定水滴WD相對於內周面120之接觸角θ1。
於接觸角測定實驗中，使用具有未形成有凹凸部121之內周面120之筒狀護具80、與具有形成有平均面粗糙度Ra相互不同之凹凸部121之內周面120之4種筒狀護具80作為樣本。
各樣本之平均面粗糙度Ra、及凹部130之寬度W1及深度De、以及凸部131之寬度W2如表1所述。如表1所示，針對具有未形成有凹凸部121之內周面120之筒狀護具80(樣本A)，於平均面粗糙度Ra之欄，記載「未加工」。又，因未進行關於樣本A之各尺寸(凹部130之寬度W1及深度De、以及凸部131之寬度W2)之測定，故於各尺寸之欄，記載為「-」。
[表1]
Figure 02_image001
使用顯微鏡進行表1所示之各尺寸之測定。將各樣本A～E之樣本數設為5(N=5)。各樣本藉由使用PFA作為材料進行射出成型而形成。
圖18係顯示接觸角測定實驗之結果之圖表。如圖18所示，水滴WD相對於樣本A之接觸角θ1為83°以上且96°以下。水滴WD相對於樣本B之接觸角θ1為80°以上且95°以下。因此，推測於平均面粗糙度Ra為1.3左右時，無法使內周面120充分疏水化。
水滴WD相對於樣本C之接觸角θ1為99°以上且116°以下。水滴WD相對於樣本D之接觸角θ1為102°以上且126°以下。再者，水滴WD相對於樣本E之接觸角θ1為119°以上且137°以下。因此，推測若平均面粗糙度Ra至少為3.0以上，則使內周面120充分疏水化。
基於圖14及圖15所示之水滴附著數測定實驗之結果、圖16所示之微粒附著數測定實驗之結果、及圖18所示之接觸角測定實驗之結果，推測以下之內容。
若平均面粗糙度Ra為3.0以上則可使內周面120充分疏水化。再者，即使平均面粗糙度Ra為3.0以上且基板W之轉數為600 rpm以上，亦可抑制液滴LD自筒狀護具80彈回，並可抑制微粒對基板W之上表面之附著。
＜筒狀護具之加工方法＞ 以下，對筒狀護具80之加工方法進行詳細說明。圖19A～圖19D係用於說明筒狀護具80之加工方法之模式圖。圖19A～圖19D所示之加工方法為車床旋轉加工方法。首先，如圖19A所示，準備加工對象即未加工之筒狀護具80(護具準備步驟)。具體而言，以筒狀護具80之中心軸線A4與保持構件161之旋轉軸線A5一致之方式，使保持構件161保持筒狀護具80，藉此筒狀護具80之準備完成(護具保持步驟)。未加工之筒狀護具80為未於內周面120形成凹凸部121之筒狀護具80。
以使保持構件161保持筒狀護具80之狀態，使保持構件161繞特定之旋轉軸線A5旋轉(護具旋轉步驟)。保持構件161具有自外側包圍筒狀護具80之筒狀孔161a。未加工之筒狀護具80除凹凸部121未形成於內周面120以外，具有與筒狀護具80同樣之構成。
且，一面使筒狀護具80繞旋轉軸線A5(中心軸線A4)旋轉，一面使用切削構件163切削加工筒狀護具80之內周面120。切削構件163係於前端具有針狀之刃物163a之構件。具體而言，一面使切削構件163向沿旋轉軸線A5之軸向X1移動一面於內周面120形成凹凸部121(參照圖19C)(凹凸部形成步驟)。
接著，對凹凸部形成步驟進行詳細說明。如圖19B所示，於每個特定之輸送時間，使切削構件163於與筒狀護具80之旋轉方向S交叉並沿筒狀護具80之內周面120之方向，移動特定之給送距離L1(切削構件移動步驟)。
於使切削構件163移動給送距離L1之後，如圖19C所示，使切削構件163向與內周面120相對之正交方向OD1移動。具體而言，使切削構件163相對於內周面120，移動至以特定之壓入量L2壓入刃物163a之壓入位置。藉此，切削內周面120，於內周面120形成構成凹凸部121之凹部130(切削步驟)。
藉由於特定之時間維持將切削構件163相對於內周面120壓入之狀態，而形成沿內周面120之周向全域延伸之凹部130，即圓形狀槽部135。於經過特定時間之後，使切削構件163以自內周面120分離之方式向與內周面120相對之正交方向OD1移動。之後再次重複切削構件移動步驟及切削步驟。藉由形成複數個凹部130，而於相鄰之凹部130彼此之間形成凸部131(圓形狀凸部136)。藉由於內周面120形成凹凸部121，而使內周面120疏水化(疏水化步驟)。
如此，藉由切削構件163之單純移動，可以特定之間隔形成複數個具有特定深度之圓形狀槽部135。因此，可提高形成於內周面120之凹凸部121之尺寸之均一性。
內周面120具有筒狀面122及傾斜面123。因此，於相對於筒狀面122形成凹凸部121時，如圖19A及圖19B所示，於切削構件移動步驟中，切削構件163向沿筒狀面122之方向(軸向X1)移動(第1移動步驟)。如圖19A及圖19C所示，於切削步驟中，將切削構件163自與筒狀面122相對之正交方向OD1向筒狀面122壓入(第1壓入步驟)。於相對於傾斜面123形成凹凸部121時，如圖19D所示，於切削構件移動步驟中，使切削構件163向沿傾斜面123之方向(與軸向X1相對之傾斜方向X2)移動(第2移動步驟)。於切削步驟中，將切削構件163自與傾斜面123相對之正交方向OD2壓入傾斜面123(第2壓入步驟)。
於相對於傾斜面123形成凹凸部121時，以可使切削構件163沿傾斜面123移動，且可使切削構件163自與傾斜面123相對之正交方向OD2壓入傾斜面123之方式，調整切削構件163之角度。即，對準加工對象面之角度調整切削構件163之角度。
如此，藉由沿筒狀面122及傾斜面123之切削構件之單純之移動，可以特定之間隔形成複數個具有特定深度之槽部。因此，可提高形成於內周面之凹凸部之槽部之均一性。
如此，若凹部130為圓形狀槽部135，則可一面使筒狀護具80旋轉，一面使切削構件163以單純動作形成凹凸部121。因此，與沿內周面120之周向CD形成不連續之凹部130之情形比較，加工更容易。
＜凹凸部之變化例＞ 圖20A～圖20E係分別用於說明凹凸部121之第1變化例～第5變化例之模式圖。圖20A～圖20E係自與傾斜面123相對之正交方向觀察凹凸部121之圖。
如圖20A所示之第1變化例，凹凸部121之複數個凹部130除複數個圓形狀槽部135以外，亦可包含沿相對於圓形狀槽部135交差之方向延伸之複數個交叉槽部137。於圖20A中，交叉槽部137沿相對於圓形狀槽部135正交之方向延伸。藉由複數個圓形狀槽部135與複數個交叉槽部137，形成格柵形狀。各凸部131藉由一對圓形狀槽部135及一對交叉槽部137包圍四周。凸部131之寬度W2小於圓形狀槽部135之寬度W11(寬度W1)及交叉槽部137之寬度W12(寬度W1)。寬度W11與寬度W12亦可相互不同。
於第1變化例中，因藉由複數個交叉槽部137與複數個圓形狀槽部135形成格柵形狀，故與作為凹部130僅設置圓形狀槽部135之構成比較，可於凹凸部121之全域中使疏水性均一地提高。
如圖20B所示，凹部130亦可為上下延伸之縱槽。於該情形時，複數個凸部131上下延伸。複數個凹部130(複數個縱槽)沿周向CD並排，凸部131位於周向CD上相互相鄰之縱槽之間。
又，如圖20C及圖20D所示，凹部130亦可為相對於周向CD(水平方向)傾斜延伸之傾斜槽。
又，如圖20E所示，凹部130亦可為圓形狀孔。於複數個凹部130為圓形狀孔之情形時，複數個圓形狀孔等間隔配置於周向CD、與周向CD相對之正交方向。凸部131為相互相鄰之圓形狀孔彼此之間之部分。凹部130之寬度W1相當於圓形狀孔之直徑，凸部131之寬度W2相當於上下或水平相互相鄰之圓形狀孔彼此之間之間隔。
構成凹凸部121之複數個凹部130及複數個凸部131可如上述實施形態及第1變化例～第5變化例所示無規則，亦可不規則地並排。
上述各變化例雖以形成於傾斜面123之凹凸部121為例進行說明，但形成於筒狀面122之凹凸部121亦可應用同樣之變化例。
＜其他實施形態＞ 該發明並非限定於以上說明之實施形態者，可於進而其他形態中實施。
例如，於上述實施形態中，設置2個筒狀護具80(第1筒狀護具80A及第2筒狀護具80B)。然而，與上述實施形態不同，亦可僅設置任一者之筒狀護具80。
又，於上述實施形態中，作為處理液噴嘴30，例示藥液噴嘴31、上側清洗液噴嘴32及下側清洗液噴嘴33。然而，作為處理液噴嘴30，除藥液噴嘴31、上側清洗液噴嘴32及下側清洗液噴嘴33以外，可設置將IPA等有機溶劑向基板W之上表面噴出之有機溶劑噴嘴。再者，藥液噴嘴31亦可以選擇性噴出複數個藥液之方式構成。於該情形時，可執行於微粒附著數測定實驗中執行之基板處理，即以氟酸、APM、IPA之順序處理基板W之上表面之基板處理。
又，於上述實施形態中，設置隔板104。然而，與上述實施形態不同，亦可為不設置隔板104，護具外空間103未上下隔開之構成。於該情形時，排氣連接配管45於處理腔室17之側壁17B開口。
又，於圖19A～圖19D所示之筒狀護具80之加工方法中，使用未加工之筒狀護具80。然而，於對具有已形成凹凸部121之內周面120之筒狀護具80，追加工(追加形成)凹凸部121時，亦可使用圖19A～圖19D所示之加工方法。
又，筒狀護具80之加工方法不限定於上述車床旋轉切削加工，可為藉由雷射照射而於筒狀護具80之內周面120形成凹部130之雷射加工。又，亦可為藉由將形成為模具之凹凸部轉印於內周面120而於內周面120形成凹部130之模具轉印加工。
又，凹凸部121之尺寸於傾斜面123內並非特定，於傾斜面123內，可存在複數個凹凸部121之尺寸(凹部130之寬度W1及深度De、以及凸部131之寬度W2)，即平均面粗糙度Ra相互不同之區域。同樣，於筒狀面122內，亦可存在複數個平均面粗糙度Ra相互不同之區域。
又，於上述實施形態中，複數個處理單元5與複數個基板載置部6、分度機器人IR、複數個主搬送機器人CR及控制器4均由基板處理裝置1具備。然而，基板處理裝置可僅藉由單一之處理單元5構成。換言之，處理單元5亦可為基板處理裝置之一例。
另，於上述實施形態中，雖使用「沿著」、「水平」、「鉛直」之表現，但嚴密而言無需「沿著」、「水平」、「鉛直」。即，該等各表現係容許製造精度、設置精度等之偏差者。
於該說明書中，於使用「～」或「-」顯示數值範圍之情形時，只要未特別言及限定，該等便包含兩者之端點，且單位共通。
雖對本發明之實施形態進行詳細說明，但該等僅為用以明確本發明之技術內容之具體例，本發明不應由該等具體例限定解釋，本發明之範圍僅由附加之申請專利範圍而限定。
1:基板處理裝置 2:分度機器人 3:處理區塊 4:控制器 4A:處理器 4B:記憶體 5:處理單元 5a:搬入口 6:基板載置部 6L:第2基板載置部 6U:第1基板載置部 8:搬送空間 9:流體供給部 10:排氣部 11:排氣配管 12:切換機構 15:旋轉夾盤 16:處理杯 17:處理腔室 17A:下壁 17a:開口 17B:側壁 17C:上壁 20:夾盤銷 21:旋轉基台 21a:貫通孔 22:旋轉軸 22a:內部空間 23:旋轉馬達 25:下側氣體流路 26:FFU 30:處理液噴嘴 31:藥液噴嘴 32:上側清洗液噴嘴 33:下側清洗液噴嘴 33a:噴出口 41:藥液配管 42:上側清洗液配管 43:下側清洗液配管 44:下側氣體配管 45:排氣連接管 51:藥液噴嘴 52:上側清洗液閥 53:下側清洗液閥 54:下側氣體閥 61:藥液泵 62:上側清洗液泵 63:下側清洗液泵 71:第1噴嘴移動單元 71A:臂 71B:旋動軸 71C:旋動軸驅動單元 72:第2噴嘴移動單元 72A:臂 72B:旋動軸 72C:旋動軸驅動單元 80:筒狀護具 80A:第1筒狀護具 80B:第2筒狀護具 81:筒狀部 82:延設部 82a:中心側端部 83:下垂部 84:傾斜部 86:水平部 90:杯 90A:第1杯 90B:第2杯 95:護具升降單元 100:排氣桶 100a:開口 101:內部空間 102:護具內空間 103:護具外空間 103A:上空間 103B:下空間 104:隔板 105:內側下空間 106:外側下空間 120:內周面 121:凹凸部 122:筒狀面 123:傾斜面 124:彎曲面 130:凹部 130A:第1凹部 130a:底部 130B:第2凹部 131:凸部 131A:第1凸部 131B:第2凸部 135:圓形狀槽部 136:圓形狀凸部 137:交叉槽部 161:保持構件 161a:筒狀孔 163:切削構件 163a:刃物 A:樣本 A1:旋轉軸線 A2:旋轉軸線 A3:旋轉軸線 A4:旋轉軸線 A5:旋轉軸線 B:樣本 C:樣本 CA:載子 CD:周向 CR:主搬送機器人 CRL:第2主搬送機器人 CRU:第1主搬送機器人 D:樣本 De:深度 Dm:直徑 E:樣本 F:氣流 F1:氣流 F2:氣流 F3:氣流 G1:間隙 G2:間隙 HS:水平面 IR:分度機器人 IS:護具內側 L1:給送距離 L2:壓入量 LD:液滴 LP:裝載埠 OD1:正交方向 OD2:正交方向 OS:護具外側 Ra:平均面粗糙度 S:旋轉方向 S1～S3:步驟 SD:飛散方向 TW:處理塔 W:基板 W1:寬度 W2:寬度 W11:寬度 W12:寬度 WD:水滴 X:軸向 X1:軸向 X2:傾斜方向 θ:接觸角 θ1:接觸角 θs:飛散角度
圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部構成之圖解性俯視圖。 圖2係自圖1之II-II線觀察之圖解性縱剖視圖。 圖3係用於說明上述基板處理裝置所具備之處理單元之構成例之圖解性剖視圖。 圖4係用於說明上述處理單元所具備之筒狀護具之構成之模式性剖視圖。 圖5係放大上述筒狀護具之剖面之內周面附近之圖。 圖6係自圖5所示之箭頭VI觀察上述凹凸部之圖。 圖7係用於說明設置於上述筒狀護具之內周面之凹凸部之形狀之模式性立體圖。 圖8係與沿著圖6之VIII-VIII線之剖面相當，用於說明上述凹凸部之構成之模式圖。 圖9係用於對液滴自基板飛散之狀況進行說明之模式圖。 圖10係顯示上述基板處理裝置之主要部之電性構成之方塊圖。 圖11係用於說明上述基板處理裝置之基板處理之一例之流程圖。 圖12係顯示基板之旋轉速度與水滴之飛散角度之關係之曲線圖。 圖13係顯示自基板飛散之水滴之直徑之曲線圖。 圖14係顯示自筒狀護具飛散之水滴之個數與基板之旋轉速度之關係之曲線圖。 圖15係用於說明凹凸部之存在對附著於基板之上表面之水滴個數之減少效果的圖表。 圖16係用於說明凹凸部之存在對附著於基板之上表面之微粒數量之減少效果的圖表。 圖17係模式性顯示於接觸角測定實驗中，滴下至上述凹凸部之水滴附近之圖。 圖18係顯示使用具有平均面粗糙度不同之凹凸部之筒狀護具進行之接觸角測定實驗之結果之圖表。 圖19A～圖19D係用於說明上述筒狀護具之製造方法之模式圖。 圖20A係用於說明上述凹凸部之第1變化例之模式圖。 圖20B係用於說明上述凹凸部之第2變化例之模式圖。 圖20C係用於說明上述凹凸部之第3變化例之模式圖。 圖20D係用於說明上述凹凸部之第4變化例之模式圖。 圖20E係用於說明上述凹凸部之第5變化例之模式圖。
80:筒狀護具
120:內周面
121:凹凸部
123:傾斜面
130:凹部
130A:第1凹部
130a:底部
131:凸部
131A:第1凸部
De:深度
Dm:直徑
LD:液滴
W1:寬度
W2:寬度
θ:接觸角

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備： 旋轉保持構件，其一面保持基板一面使上述基板繞特定之旋轉軸線旋轉； 液體供給構件，其對上述旋轉保持構件所保持之基板供給液體；及 樹脂製筒狀護具，其包圍上述旋轉保持構件所保持之基板；且 上述筒狀護具具有內周面、及設置於上述內周面之凹凸部； 上述凹凸部具有複數個凹部、與位於相互相鄰之上述凹部彼此之間之複數個凸部； 上述凹部具有較自上述旋轉保持構件所保持之基板飛散之液滴之直徑更小之寬度、與以上述液滴與複數個上述凸部相接之狀態下上述液滴不與上述凹部之底部相接之深度； 上述凸部具有小於上述液滴之直徑，且小於上述凹部之寬度的寬度。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述凹部之深度為10 μm以上； 上述凹部之寬度小於1.5 mm； 上述凸部之寬度小於1.5 mm。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述凹部之深度為200 μm以下； 上述凹部之寬度為100 μm以上且小於1.0 mm； 上述凸部之寬度為40 μm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述凹凸部之平均面粗糙度為3.0以上，且6.0以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述液滴之上述直徑係自藉由上述旋轉保持構件以600 rpm以上且1200 rpm以下之旋轉速度旋轉之基板飛散之液滴之直徑。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述液滴之上述直徑為1.5 mm以下。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中複數個上述凹部包含沿上述內周面之周向之複數個圓形狀槽部； 複數個上述圓形狀槽部於沿上述內周面之中心軸線之軸向上隔開間隔設置於上述內周面。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中複數個上述凹部包含沿與上述圓形狀槽部交叉之方向延伸之複數個交叉槽部； 藉由複數個上述交叉槽部與複數個上述圓形狀槽部形成格柵形狀。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述筒狀護具之上述內周面具有沿鉛直方向延伸之筒狀面、與連接於上述筒狀面之上端並相對於上述筒狀面傾斜延伸之傾斜面； 複數個上述凹部包含形成於上述傾斜面之複數個第1凹部。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中複數個上述凹部包含形成於上述筒狀面之複數個第2凹部。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中複數個上述凸部包含位於相互相鄰之上述第1凹部彼此之間之複數個第1凸部、與位於相互相鄰之上述第2凹部彼此之間之第2凸部； 上述第1凸部之寬度小於上述第2凸部之寬度。
  12. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述筒狀護具藉由疏水性樹脂形成。
  13. 一種基板處理裝置，其具備： 旋轉保持構件，其以使基板繞特定之旋轉軸線旋轉之方式保持上述基板； 液體供給構件，其對上述旋轉保持構件所保持之基板供給液體；及 樹脂製筒狀護具，其包圍上述旋轉保持構件；且 上述筒狀護具具有內周面、與設置於上述內周面之凹凸部； 上述凹凸部具有複數個凹部、與位於相互相鄰之上述凹部彼此之間之複數個凸部； 上述凹部具有10 μm以上之深度、與小於1.5 mm之寬度； 上述凸部具有小於上述凹部之寬度，且小於1.5 mm之寬度。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述凹部之寬度為100 μm以上，且小於1.0 mm； 上述凹部之深度為200 μm以下； 上述凸部之寬度為40 μm以下。
  15. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述內周面之平均面粗糙度為3.0以上，且6.0以下。
  16. 一種筒狀護具之加工方法，其係用於於以液體處理基板之基板處理裝置中，包圍一面保持基板一面使上述基板繞特定之旋轉軸線旋轉之旋轉保持構件之樹脂製筒狀護具之加工方法，且包含： 護具準備步驟，其準備具有內周面之筒狀護具；及 疏水化步驟，其藉由於上述內周面形成凹凸部，而使上述筒狀護具之上述內周面疏水化。
  17. 如請求項16之筒狀護具之加工方法，其中於上述疏水化步驟中，形成平均面粗糙度為3.0以上，且6.0以下之上述凹凸部。
  18. 如請求項16或17之筒狀護具之加工方法，其中上述疏水化步驟包含： 切削構件移動步驟，其一面使上述筒狀護具繞上述內周面之中心軸線旋轉，一面使切削構件每隔特定之輸送時間沿上述內周面移動特定之給送距離；及 切削步驟，其於使上述切削構件移動上述給送距離之後，以特定之壓入量對上述內周面壓入上述切削構件並切削上述內周面形成構成上述凹凸部之圓形狀槽部。
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