RU2014111414A - Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления - Google Patents

Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2014111414A
RU2014111414A RU2014111414/28A RU2014111414A RU2014111414A RU 2014111414 A RU2014111414 A RU 2014111414A RU 2014111414/28 A RU2014111414/28 A RU 2014111414/28A RU 2014111414 A RU2014111414 A RU 2014111414A RU 2014111414 A RU2014111414 A RU 2014111414A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
substrate
type impurities
type
floating
Prior art date
Application number
RU2014111414/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2571175C2 (ru
Inventor
Масару СЕНОО
Кёсуке МИЯГИ
Цуйоси НИСИВАКИ
Дзюн САЙТО
Original Assignee
Тойота Дзидося Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тойота Дзидося Кабусики Кайся filed Critical Тойота Дзидося Кабусики Кайся
Publication of RU2014111414A publication Critical patent/RU2014111414A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2571175C2 publication Critical patent/RU2571175C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
    • H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
    • H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
    • H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
    • H01L29/6634—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recess formed by etching in the source/emitter contact region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

1. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) на полупроводниковой подложке, характеризующийся тем, что содержит:эмиттерную область n-типа, которая формируется в такой зоне, чтобы выходить на верхнюю поверхность полупроводниковой подложки;верхнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже эмиттерной области;плавающую область n-типа, которая формируется ниже верхней области подложки и отделена от эмиттерной области верхней областью подложки;нижнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже плавающей области и отделена от верхней области подложки плавающей областью;канал, который формируется в верхней поверхности полупроводниковой подложки и проходит сквозь эмиттерную область, верхнюю область подложки, плавающую область и нижнюю область подложки;изолирующую пленку затвора, покрывающую внутреннюю поверхность канала; иэлектрод затвора, расположенный внутри канала, в которомкогда распределение концентрации примесей p-типа в верхней области подложки и в плавающей области, которые расположены ниже эмиттерной области, рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, концентрация примесей p-типа снижается по мере увеличения расстояния сверху вниз от верхней границы верхней области подложки, расположенной ниже эмиттерной области, и принимает значение локального минимума на заданной глубине плавающей области.2. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, чтокогда распределение концентрации примесей n-типа в плавающей области рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, значение локального максимума концентрации примесей n-типа в пл

Claims (12)

1. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) на полупроводниковой подложке, характеризующийся тем, что содержит:
эмиттерную область n-типа, которая формируется в такой зоне, чтобы выходить на верхнюю поверхность полупроводниковой подложки;
верхнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже эмиттерной области;
плавающую область n-типа, которая формируется ниже верхней области подложки и отделена от эмиттерной области верхней областью подложки;
нижнюю область подложки p-типа, которая формируется ниже плавающей области и отделена от верхней области подложки плавающей областью;
канал, который формируется в верхней поверхности полупроводниковой подложки и проходит сквозь эмиттерную область, верхнюю область подложки, плавающую область и нижнюю область подложки;
изолирующую пленку затвора, покрывающую внутреннюю поверхность канала; и
электрод затвора, расположенный внутри канала, в котором
когда распределение концентрации примесей p-типа в верхней области подложки и в плавающей области, которые расположены ниже эмиттерной области, рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, концентрация примесей p-типа снижается по мере увеличения расстояния сверху вниз от верхней границы верхней области подложки, расположенной ниже эмиттерной области, и принимает значение локального минимума на заданной глубине плавающей области.
2. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, что
когда распределение концентрации примесей n-типа в плавающей области рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, значение локального максимума концентрации примесей n-типа в плавающей области отсутствует.
3. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, что
плавающая область формируется в виде эпитаксиального слоя.
4. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, что
когда распределение концентрации примесей p-типа в нижней области подложки рассматривается по толщине полупроводниковой подложки, значение локального максимума концентрации примесей p-типа имеет место в нижней области подложки.
5. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, что
ширина плавающей области вдоль направления толщины полупроводниковой подложки является большей в зоне контакта с изолирующей пленкой затвора, чем в зоне, удаленной от изолирующей пленки затвора.
6. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) по п. 1, отличающийся тем, что
нижняя граница нижней области подложки расположена в зоне контакта с изолирующей пленкой затвора ниже, чем в зоне, удаленной от изолирующей пленки затвора.
7. Способ изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), характеризующийся тем, что включает:
процесс формирования эмиттерной области n-типа в такой зоне, чтобы выходить на верхнюю поверхность полупроводниковой подложки;
процесс формирования верхней области подложки p-типа ниже диапазона глубин эмиттерной области имплантацией примесей p-типа в верхнюю поверхность полупроводниковой подложки таким образом, чтобы примеси p-типа задерживались в пределах диапазона глубин эмиттерной области, и диффузией имплантированных примесей p-типа;
процесс формирования плавающей области n-типа ниже диапазона глубин верхней области подложки имплантацией примесей n-типа в верхнюю поверхность полупроводниковой подложки таким образом, чтобы примеси n-типа задерживались в пределах диапазона глубин эмиттерной области, и диффузией имплантированных примесей n-типа;
процесс формирования канала в верхней поверхности полупроводниковой подложки и формирования изолирующей пленки затвора, покрывающей внутреннюю поверхность канала, а также электрода затвора, расположенного в канале; и
процесс формирования нижней области p-типа подложки ниже диапазона глубин плавающей области имплантацией примесей p-типа в верхнюю поверхность полупроводниковой подложки таким образом, чтобы примеси p-типа задерживались на глубине ниже диапазона глубин плавающей области, после формирования канала, изолирующей пленки затвора и электрода затвора, при этом
после выполнения соответствующих операций канал расположен таким образом, что он проходит через эмиттерную область, верхнюю область подложки, плавающую область и нижнюю область подложки.
8. Способ изготовления по п. 7, отличающийся тем, что
процесс формирования верхней области подложки и процесс формирования плавающей области осуществляют раньше, чем процесс формирования канала, изолирующей пленки затвора и электрода затвора.
9. Способ изготовления по п. 7, отличающийся тем, что
примеси p-типа имплантируют в полупроводниковую подложку в процессе формирования нижней области подложки, когда имеется верхняя поверхность электрода затвора, расположенная ниже верхней поверхности полупроводниковой подложки.
10. Способ изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), характеризующийся тем, что включает:
процесс наращивания эпитаксиального слоя полупроводника n-типа на верхней поверхности основной подложки;
процесс формирования эмиттерной области n-типа в такой зоне, чтобы выходить на верхнюю поверхность эпитаксиального слоя;
процесс формирования верхней области подложки p-типа ниже диапазона глубин эмиттерной области имплантацией примесей p-типа в верхнюю поверхность эпитаксиального слоя таким образом, чтобы примеси p-типа задерживались в пределах диапазона глубин эмиттерной области, и диффузией имплантированных примесей p-типа;
процесс формирования канала в верхней поверхности эпитаксиального слоя и формирования изолирующей пленки затвора, покрывающей внутреннюю поверхность канала, а также электрода затвора, расположенного в канале; и
процесс формирования нижней области подложки p-типа в основной подложке после формирования канала, изолирующей пленки затвора и электрода затвора имплантацией примесей p-типа в верхнюю поверхность эпитаксиального слоя таким образом, чтобы примеси p-типа задерживались в основной подложке, при этом
после выполнения соответствующих процессов эпитаксиальный слой n-типа остается между верхней областью подложки и в нижней областью подложки, чтобы образовать плавающую область, а канал расположен таким образом, что он проходит через эмиттерную область, верхнюю область подложки, плавающую область и нижнюю область подложки.
11. Способ изготовления по п. 10, отличающийся тем, что
процесс формирования верхней области подложки осуществляется раньше, чем процесс формирования канала, изолирующей пленки затвора и электрода затвора.
12. Способ изготовления по п. 10, отличающийся тем, что
примеси p-типа имплантируют в полупроводниковую подложку в процессе формирования нижней области подложки, когда имеется верхняя поверхность электрода затвора, расположенная ниже верхней поверхности полупроводниковой подложки.
RU2014111414/28A 2011-09-28 2011-09-28 Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления RU2571175C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/072274 WO2013046378A1 (ja) 2011-09-28 2011-09-28 Ｉｇｂｔとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014111414A true RU2014111414A (ru) 2015-11-10
RU2571175C2 RU2571175C2 (ru) 2015-12-20

Family

ID=47994487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014111414/28A RU2571175C2 (ru) 2011-09-28 2011-09-28 Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления

Country Status (10)

Country Link
US (2) US9190503B2 (ru)
EP (1) EP2763178B1 (ru)
JP (1) JP5679068B2 (ru)
KR (1) KR101642618B1 (ru)
CN (1) CN103843142B (ru)
AU (1) AU2011377785B2 (ru)
BR (1) BR112014007671B1 (ru)
MX (1) MX2014003783A (ru)
RU (1) RU2571175C2 (ru)
WO (1) WO2013046378A1 (ru)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5787853B2 (ja) * 2012-09-12 2015-09-30 株式会社東芝 電力用半導体装置
JP2014075483A (ja) * 2012-10-04 2014-04-24 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6265594B2 (ja) 2012-12-21 2018-01-24 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US9293559B2 (en) 2013-07-31 2016-03-22 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Dual trench-gate IGBT structure
JP6215647B2 (ja) * 2013-10-22 2017-10-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9123770B2 (en) * 2013-11-18 2015-09-01 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Charge reservoir IGBT top structure
JP5989689B2 (ja) * 2014-01-27 2016-09-07 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6385755B2 (ja) * 2014-08-08 2018-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6063915B2 (ja) * 2014-12-12 2017-01-18 株式会社豊田中央研究所 逆導通ｉｇｂｔ
JP6293688B2 (ja) * 2015-03-02 2018-03-14 株式会社豊田中央研究所 ダイオード及びそのダイオードを内蔵する逆導通ｉｇｂｔ
JP6588363B2 (ja) * 2016-03-09 2019-10-09 トヨタ自動車株式会社 スイッチング素子
JP6681238B2 (ja) 2016-03-28 2020-04-15 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101870808B1 (ko) 2016-06-03 2018-06-27 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101870807B1 (ko) * 2016-06-21 2018-06-27 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101870809B1 (ko) 2016-06-21 2018-08-02 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자
KR101907460B1 (ko) * 2016-12-12 2018-10-12 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
CN109417093B (zh) * 2017-01-17 2021-08-31 富士电机株式会社 半导体装置
DE102017107174B4 (de) 2017-04-04 2020-10-08 Infineon Technologies Ag IGBT mit dV/dt-Steuerbarkeit und Verfahren zum Verarbeiten eines IGBT
CN110914996B (zh) * 2017-05-25 2023-08-25 丹尼克斯半导体有限公司 半导体器件
JP6958093B2 (ja) * 2017-08-09 2021-11-02 富士電機株式会社 半導体装置
JP6825520B2 (ja) 2017-09-14 2021-02-03 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、電力変換装置
DE102017124871B4 (de) 2017-10-24 2021-06-17 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiter-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiter-Vorrichtung
DE102017124872B4 (de) 2017-10-24 2021-02-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines IGBT mit dV/dt-Steuerbarkeit
KR101977957B1 (ko) 2017-10-30 2019-05-13 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
CN108122990B (zh) * 2017-12-26 2020-07-17 中国科学院微电子研究所 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
JP6973510B2 (ja) * 2018-01-17 2021-12-01 富士電機株式会社 半導体装置
KR102042832B1 (ko) 2018-06-21 2019-11-08 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
EP3659180B1 (en) 2018-10-18 2020-12-02 ABB Power Grids Switzerland AG Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device
KR102119483B1 (ko) 2018-12-06 2020-06-05 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102110249B1 (ko) 2018-12-07 2020-05-13 현대오트론 주식회사 전력 반도체 칩
CN113396481B (zh) * 2019-02-04 2024-08-09 住友电气工业株式会社 碳化硅半导体器件
KR102153550B1 (ko) 2019-05-08 2020-09-08 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자
KR102176701B1 (ko) 2019-05-08 2020-11-10 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자
KR102176702B1 (ko) 2019-05-08 2020-11-10 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자
GB2587645B (en) * 2019-10-03 2022-08-03 Mqsemi Ag Semiconductor device having a gate electrode formed in a trench structure
KR20210056147A (ko) 2019-11-08 2021-05-18 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자
KR20210065759A (ko) 2019-11-27 2021-06-04 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자
KR102321272B1 (ko) 2019-11-27 2021-11-03 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102187903B1 (ko) 2019-12-03 2020-12-07 현대오트론 주식회사 전력 반도체 소자
KR102251759B1 (ko) 2019-12-03 2021-05-14 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자
KR102251760B1 (ko) 2019-12-03 2021-05-14 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자
KR102141845B1 (ko) * 2019-12-10 2020-08-07 주식회사 넥스젠파워 고전력 스위칭용 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102300623B1 (ko) 2020-05-15 2021-09-10 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR102315054B1 (ko) 2020-05-15 2021-10-21 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR102399959B1 (ko) * 2020-07-23 2022-05-19 (주)쎄미하우 절연 게이트 양극성 트랜지스터
KR20220079262A (ko) 2020-12-04 2022-06-13 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20220082656A (ko) 2020-12-10 2022-06-17 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR102460422B1 (ko) 2020-12-11 2022-10-31 현대모비스 주식회사 전력 반도체 칩 및 전력 반도체 시스템
KR102437047B1 (ko) 2020-12-11 2022-08-26 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20220083265A (ko) 2020-12-11 2022-06-20 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 소자의 제조방법
KR102437048B1 (ko) 2020-12-11 2022-08-26 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20220083264A (ko) 2020-12-11 2022-06-20 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20230128846A (ko) 2022-02-28 2023-09-05 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20230128845A (ko) 2022-02-28 2023-09-05 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20230128847A (ko) 2022-02-28 2023-09-05 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20230129764A (ko) 2022-03-02 2023-09-11 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자, 이를 포함하는 전력 반도체 칩 및 이의 제조 방법
KR20230150663A (ko) 2022-04-22 2023-10-31 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자, 이를 포함하는 전력 반도체 칩 및 이의 제조 방법
KR20230151275A (ko) 2022-04-25 2023-11-01 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자, 이를 포함하는 전력 반도체 칩 및 이의 제조 방법
KR20230151276A (ko) 2022-04-25 2023-11-01 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자, 이를 포함하는 전력 반도체 칩 및 이의 제조 방법
KR20230155856A (ko) 2022-05-04 2023-11-13 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩
KR20240011517A (ko) 2022-07-19 2024-01-26 현대모비스 주식회사 전력 반도체 소자, 이를 포함하는 전력 반도체 칩 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2065642C1 (ru) * 1992-12-23 1996-08-20 Борис Михайлович Бубукин Биполярный транзистор с изолированным диэлектриком затвором
JP3288218B2 (ja) 1995-03-14 2002-06-04 三菱電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
US5751024A (en) * 1995-03-14 1998-05-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Insulated gate semiconductor device
US6172398B1 (en) * 1997-08-11 2001-01-09 Magepower Semiconductor Corp. Trenched DMOS device provided with body-dopant redistribution-compensation region for preventing punch through and adjusting threshold voltage
JP3409244B2 (ja) 1998-02-26 2003-05-26 株式会社豊田中央研究所 半導体装置
JP4761011B2 (ja) 1999-05-26 2011-08-31 株式会社豊田中央研究所 サイリスタを有する半導体装置及びその製造方法
RU2230394C1 (ru) * 2002-10-11 2004-06-10 ОАО "ОКБ "Искра" Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором
JP4723816B2 (ja) * 2003-12-24 2011-07-13 株式会社豊田中央研究所 半導体装置
EP1760790B1 (en) * 2004-05-12 2019-04-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US7939886B2 (en) * 2005-11-22 2011-05-10 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Trench gate power semiconductor device
JP5036234B2 (ja) * 2006-07-07 2012-09-26 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2008177297A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
JP5089191B2 (ja) 2007-02-16 2012-12-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5443670B2 (ja) * 2007-02-20 2014-03-19 株式会社豊田中央研究所 半導体装置とその製造方法
US8089134B2 (en) * 2008-02-06 2012-01-03 Fuji Electric Sytems Co., Ltd. Semiconductor device
US8507945B2 (en) * 2008-03-31 2013-08-13 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device including an insulated gate bipolar transistor (IGBT)
JP4544360B2 (ja) * 2008-10-24 2010-09-15 トヨタ自動車株式会社 Ｉｇｂｔの製造方法
JP5261137B2 (ja) * 2008-11-04 2013-08-14 株式会社豊田中央研究所 バイポーラ型半導体装置
JP2010165978A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4957840B2 (ja) * 2010-02-05 2012-06-20 株式会社デンソー 絶縁ゲート型半導体装置
JP5594276B2 (ja) * 2010-12-08 2014-09-24 株式会社デンソー 絶縁ゲート型半導体装置
JP5817686B2 (ja) * 2011-11-30 2015-11-18 株式会社デンソー 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9601592B2 (en) 2017-03-21
US9190503B2 (en) 2015-11-17
EP2763178A4 (en) 2015-03-18
RU2571175C2 (ru) 2015-12-20
AU2011377785A1 (en) 2014-04-17
MX2014003783A (es) 2014-05-14
JP5679068B2 (ja) 2015-03-04
EP2763178A1 (en) 2014-08-06
BR112014007671A2 (pt) 2017-04-18
US20160035859A1 (en) 2016-02-04
CN103843142A (zh) 2014-06-04
AU2011377785B2 (en) 2014-11-06
EP2763178B1 (en) 2021-03-24
KR101642618B1 (ko) 2016-07-25
CN103843142B (zh) 2016-07-13
KR20140057630A (ko) 2014-05-13
BR112014007671B1 (pt) 2021-01-26
WO2013046378A1 (ja) 2013-04-04
JPWO2013046378A1 (ja) 2015-03-26
US20140231866A1 (en) 2014-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014111414A (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления
US8963258B2 (en) FinFET with bottom SiGe layer in source/drain
JP2016528730A5 (ru)
JP2017152490A5 (ru)
RU2015151123A (ru) Устройства, основанные на избирательно эпитаксиально выращенных материалах iii-v групп
JP2009260253A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2017507502A5 (ru)
GB2578061A (en) Vertical transport fin field effect transistors having different channel lengths
JP2012508455A5 (ru)
JP2009290211A5 (ja) 半導体素子の製造方法
JP2016536781A5 (ru)
EP2824711A3 (en) Vertical transistors having p-type gallium nitride current barrier layers and methods of fabricating the same
TW201612962A (en) Methods of forming contact structures for semiconductor devices and the resulting devices
SG153734A1 (en) Process for fabricating a semiconductor device having embedded epitaxial regions
JP2010161284A5 (ru)
JP2014236120A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20160172436A1 (en) Semiconductor device, termination structure and method of forming the same
JP2014130986A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2008199029A5 (ru)
TWI496293B (zh) 半導體功率元件及用於製備半導體功率元件之方法
CN103367157A (zh) 一种超结mosfet的制备方法
JP2016528729A5 (ru)
JP2011210901A5 (ru)
JP2010212670A5 (ru)
CN203910798U (zh) 一种u形沟道的半浮栅存储器