RU2010151565A - Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство - Google Patents

Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010151565A
RU2010151565A RU2010151565/05A RU2010151565A RU2010151565A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A RU 2010151565/05 A RU2010151565/05 A RU 2010151565/05A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
groups
sio
range
mol
positive number
Prior art date
Application number
RU2010151565/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503696C2 (ru
Inventor
Такаши САГАВА (JP)
Такаши САГАВА
Масайоши ТЕРАДА (JP)
Масайоши ТЕРАДА
Макото ЙОШИТАКЕ (JP)
Макото ЙОШИТАКЕ
Original Assignee
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP), Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. filed Critical Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Publication of RU2010151565A publication Critical patent/RU2010151565A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503696C2 publication Critical patent/RU2503696C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая: ! (A) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы: ! R1 aSiO(4-a)/2, ! (в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «а» представляет собой число в диапазоне от 0,6 до 2,1); ! (B) органополисилоксан, который содержит в одной молекуле по меньшей мере два связанных с кремнием атома водорода и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп; ! (C) органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока: ! (R2SiO3/2)b(R2 2SiO2/2)c(R2 3SiO1/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f, ! (в которой каждый R2 независимо обозначает алкильную группу, алкенильную группу, арильную группу или эпоксисодержащую органическую группу; однако в одной молекуле по меньшей мере 5 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой алкенильные группы, по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы, и по меньшей мере 10 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой эпоксисодержащие органические группы, X обозначает атом водорода или алкильную группу; и «b» представляет собой положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «f» представляет собой 0 или положительное число, «c/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10

Claims (8)

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая:
(A) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы:
R1 aSiO(4-a)/2,
(в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «а» представляет собой число в диапазоне от 0,6 до 2,1);
(B) органополисилоксан, который содержит в одной молекуле по меньшей мере два связанных с кремнием атома водорода и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп;
(C) органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R2SiO3/2)b(R2 2SiO2/2)c(R2 3SiO1/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f,
(в которой каждый R2 независимо обозначает алкильную группу, алкенильную группу, арильную группу или эпоксисодержащую органическую группу; однако в одной молекуле по меньшей мере 5 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой алкенильные группы, по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы, и по меньшей мере 10 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой эпоксисодержащие органические группы, X обозначает атом водорода или алкильную группу; и «b» представляет собой положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «f» представляет собой 0 или положительное число, «c/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «d/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «e/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «f/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,02; и
(D) катализатор гидросилилирования;
при этом компонент (B) применяют в таком количестве, что мольное соотношение связанных с кремнием атомов водорода, содержащихся в компоненте (B), и алкенильных групп, содержащихся в компонентах (A) и (C), находится в диапазоне от 0,1 до 5;
компонент (C) содержится в количестве от 0,1 до 20 мас.ч. на 100 мас.ч. суммарного содержания компонентов (A) и (B); и
компонент (D) содержится в количестве, достаточном для ускорения отверждения композиции.
2. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (А) представляет собой органополисилоксан с линейной цепью следующей общей формулы:
R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3,
(в которой R1 независимо обозначает незамещенную или замещенную галогеном одновалентную углеводородную группу; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «m» представляет собой целое число в диапазоне от 5 до 1000); и/или органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R1SiO3/2)g(R1 2SiO2/2)h(R1 3SiO1/2)i(SiO4/2)j(XO1/2)k,
(в которой R1 является таким же, как это описано выше; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «g» представляет собой положительное число, «h» представляет собой 0 или положительное число, «i» представляет собой 0 или положительное число, «j» представляет собой 0 или положительное число, «k» представляет собой 0 или положительное число; «h/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «i/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «j/(g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «k/(g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
3. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (В) представляет собой органополисилоксан с линейной цепью, представленный следующей общей формулой:
R3 3SiO(R3 2SiO)nSiR3 3,
(в которой R3 независимо обозначает атомы водорода, или незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R3, представляют собой атомы водорода, и по меньшей мере 15 мол.% всех групп, обозначенных R3, представляют собой арильные группы; и «n» представляет собой целое число в диапазоне от 5 до 1000); и/или органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R3SiO3/2)p(R3 2SiO2/2)q(R3 3SiO1/2)r(SiO4/2)s(XO1/2)t,
(в которой R3 является таким же, как это определено выше; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R3, представляют собой атомы водорода, и по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R3, представляют собой арильные группы, и «р» является положительным числом, «q» представляет собой 0 или положительное число, «r» представляет собой 0 или положительное число, «s» представляет собой 0 или положительное число, «t» представляет собой 0 или положительное число; «q/p» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «r/p» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «s/(p+q+r+s)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «t/(p+q+r+s)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
4. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой среднемассовая молекулярная масса компонента (С) составляет по меньшей мере 2000.
5. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой показатель преломления (при 25°С) для видимого света (589 нм) составляет 1,5 или более.
6. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, где отвержденный продукт, полученный путем отверждения композиции, имеет коэффициент пропускания (при 25°С), равный 80% или более.
7. Полупроводниковое устройство, которое содержит полупроводниковый компонент, включающий отвержденный продукт из отверждаемой органополисилоксановой композиции по любому из пп.1-6.
8. Полупроводниковое устройство по п.7, в котором полупроводниковый компонент представляет собой светоиспускающий элемент.
RU2010151565/05A 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство RU2503696C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008159722A JP5972512B2 (ja) 2008-06-18 2008-06-18 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP2008-159722 2008-06-18
PCT/JP2009/061137 WO2009154260A1 (en) 2008-06-18 2009-06-11 Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010151565A true RU2010151565A (ru) 2012-07-27
RU2503696C2 RU2503696C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=40943617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010151565/05A RU2503696C2 (ru) 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8299186B2 (ru)
EP (1) EP2326686B1 (ru)
JP (1) JP5972512B2 (ru)
KR (2) KR101780458B1 (ru)
CN (1) CN102066493B (ru)
MY (1) MY156257A (ru)
RU (1) RU2503696C2 (ru)
TW (1) TWI537340B (ru)
WO (1) WO2009154260A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9909007B2 (en) 2013-08-29 2018-03-06 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP5826767B2 (ja) * 2010-01-25 2015-12-02 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
US9410018B2 (en) 2010-01-25 2016-08-09 Lg Chem, Ltd. Curable composition
US9299896B2 (en) 2010-01-25 2016-03-29 Lg Chem, Ltd. Curable composition
CN104479359B (zh) * 2010-01-25 2018-04-03 Lg化学株式会社 可固化组合物
EP2530123B1 (en) * 2010-01-25 2015-11-11 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP5640476B2 (ja) * 2010-06-08 2014-12-17 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び発光装置
JP5170471B2 (ja) 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
TWI401829B (zh) * 2010-10-07 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5524017B2 (ja) * 2010-10-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
JP2012111875A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Daicel Corp 硬化性樹脂組成物及び硬化物
JP5690571B2 (ja) * 2010-12-07 2015-03-25 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物
JP6300218B2 (ja) * 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
EP2662411B1 (en) * 2011-01-06 2017-04-05 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP5522111B2 (ja) 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
WO2012150850A2 (ko) * 2011-05-04 2012-11-08 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
JP5893874B2 (ja) 2011-09-02 2016-03-23 信越化学工業株式会社 光半導体装置
JP5937798B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-22 株式会社ダイセル ラダー型シルセスキオキサン及びその製造方法、並びに、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
CN104066770B (zh) * 2011-11-25 2016-10-19 Lg化学株式会社 有机聚硅氧烷
WO2013077700A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
WO2013077706A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
WO2013077708A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
CN103987787B (zh) * 2011-11-25 2016-08-24 Lg化学株式会社 可固化组合物
TWI471381B (zh) * 2011-11-25 2015-02-01 Lg Chemical Ltd 可固化組成物
KR101460863B1 (ko) * 2011-11-25 2014-12-04 주식회사 엘지화학 오가노폴리실록산의 제조 방법
EP2784125B1 (en) * 2011-11-25 2020-12-30 LG Chem, Ltd. Curable composition
EP2784129B1 (en) * 2011-11-25 2017-04-26 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP5652387B2 (ja) 2011-12-22 2015-01-14 信越化学工業株式会社 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置
JP2013159671A (ja) 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
EP2878639A4 (en) 2012-07-27 2016-03-02 Lg Chemical Ltd CURING COMPOSITION
KR101591146B1 (ko) * 2012-07-27 2016-02-02 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5987221B2 (ja) * 2012-07-27 2016-09-07 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2015524503A (ja) * 2012-07-27 2015-08-24 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
CN104508048B (zh) * 2012-07-27 2017-08-25 Lg化学株式会社 可固化组合物
JP6157085B2 (ja) 2012-10-24 2017-07-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6084808B2 (ja) 2012-10-24 2017-02-22 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサン、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP5985981B2 (ja) 2012-12-28 2016-09-06 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
JP2014169415A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2014169414A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Dow Corning Toray Co Ltd オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
WO2014163441A1 (ko) * 2013-04-04 2014-10-09 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101591170B1 (ko) * 2013-04-04 2016-02-02 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101667839B1 (ko) * 2013-04-04 2016-10-19 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
WO2015005247A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性付与剤、接着性ポリオルガノシロキサン組成物および光半導体装置
US9837329B2 (en) 2014-01-28 2017-12-05 Lg Chem, Ltd. Cured product
TWI653295B (zh) * 2014-02-04 2019-03-11 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
TWI624510B (zh) * 2014-02-04 2018-05-21 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
KR20170016382A (ko) 2014-06-03 2017-02-13 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치
CN105199397B (zh) * 2014-06-17 2018-05-08 广州慧谷化学有限公司 一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
TW201601358A (zh) * 2014-06-19 2016-01-01 道康寧公司 用於晶圓級ｚ軸熱中介層的可光圖案化聚矽氧
KR102370815B1 (ko) * 2014-06-20 2022-03-08 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 핫 멜트성 실리콘 및 경화성 핫 멜트 조성물
WO2015194159A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
CN104140681B (zh) * 2014-07-25 2017-12-05 东莞市贝特利新材料有限公司 一种用于电子器件密封的有机硅组合物
KR101980935B1 (ko) * 2015-01-27 2019-05-21 주식회사 케이씨씨 접착 촉진제, 이를 포함하는 조성물 및 상기 조성물을 이용한 광학 소자
GB201603107D0 (en) * 2016-02-23 2016-04-06 Dow Corning Low temperature cure silicone elastomer
JP2019524959A (ja) * 2016-08-12 2019-09-05 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ 硬化性有機ポリシロキサン組成物、封止剤、および半導体デバイス
KR102412508B1 (ko) * 2016-09-07 2022-06-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물, 그의 경화물 및 반도체 장치
JP7158100B2 (ja) * 2016-09-30 2022-10-21 日産化学株式会社 架橋性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化物及びｌｅｄ装置
US10829609B2 (en) * 2017-02-08 2020-11-10 Elkem Silicones USA Corp. Silicone rubber syntactic foam
TW201917173A (zh) * 2017-10-20 2019-05-01 日商道康寧東麗股份有限公司 固化性矽組合物以及光半導體裝置
JP2021021038A (ja) 2019-07-30 2021-02-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法
JP2022104216A (ja) 2020-12-28 2022-07-08 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
KR20230135676A (ko) 2021-03-08 2023-09-25 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 경화성 실리콘 조성물, 봉지재 및 광반도체 장치

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224258A (en) * 1975-08-19 1977-02-23 Toray Silicone Co Ltd Curable organopolysiloxane composition
JPS5287454A (en) * 1976-01-16 1977-07-21 Toray Silicone Co Ltd Organopolysiloxane resin composition
JPS52147657A (en) * 1976-06-02 1977-12-08 Toray Silicone Co Ltd Curable organopolysiloxane compositions
RU2105778C1 (ru) * 1996-03-26 1998-02-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт синтетического каучука им.акад.С.В.Лебедева Кремнийорганическая композиция холодного отверждения
JP3420473B2 (ja) * 1997-04-30 2003-06-23 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP3344286B2 (ja) 1997-06-12 2002-11-11 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
US6551676B1 (en) * 1998-09-04 2003-04-22 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Silicone-based adhesive sheet method for manufacturing same and semiconductor device
US6124407A (en) * 1998-10-28 2000-09-26 Dow Corning Corporation Silicone composition, method for the preparation thereof, and silicone elastomer
JP3523098B2 (ja) 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4009067B2 (ja) * 2001-03-06 2007-11-14 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP4409160B2 (ja) * 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4180474B2 (ja) 2003-09-03 2008-11-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
TWI345576B (en) * 2003-11-07 2011-07-21 Dow Corning Toray Silicone Curable silicone composition and cured product thereof
JP4503271B2 (ja) * 2003-11-28 2010-07-14 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン積層体の製造方法
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP4741230B2 (ja) * 2004-12-28 2011-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 フィルム状シリコーンゴム接着剤
JP5392805B2 (ja) * 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP4648146B2 (ja) * 2005-09-26 2011-03-09 信越化学工業株式会社 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
EP1987084B1 (en) * 2006-02-24 2014-11-05 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9909007B2 (en) 2013-08-29 2018-03-06 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010001335A (ja) 2010-01-07
MY156257A (en) 2016-01-29
US8299186B2 (en) 2012-10-30
CN102066493A (zh) 2011-05-18
RU2503696C2 (ru) 2014-01-10
KR101730840B1 (ko) 2017-04-27
EP2326686B1 (en) 2012-08-08
EP2326686A1 (en) 2011-06-01
TWI537340B (zh) 2016-06-11
TW201000561A (en) 2010-01-01
CN102066493B (zh) 2013-01-02
US20110160410A1 (en) 2011-06-30
KR20160075791A (ko) 2016-06-29
JP5972512B2 (ja) 2016-08-17
WO2009154260A1 (en) 2009-12-23
KR101780458B1 (ko) 2017-09-21
KR20110018916A (ko) 2011-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010151565A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
RU2010151563A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
ATE451426T1 (de) Härtbare organopolysiloxan-zusammensetzung und halbleiterbauelement
ATE358699T1 (de) Wärmeleitfähige siliconzusammensetzung
DE602007002402D1 (de) Haftvermittler, härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
ATE463536T1 (de) Silikonelastomerklebefolie
BR112013021871A2 (pt) lentes de contato de silicone hidrogel com níveis aceitáveis de perda de energia
BRPI0518490A2 (pt) revestimento com base em polissilazano bem como seu uso para o revestimento de pelÍculas, particularmente pelÍculas polimÉricas
ATE541896T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleiterbauelemente und optisches halbleiterbauelement
ATE463537T1 (de) Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
JP2008001828A5 (ru)
RU2008146390A (ru) Отверждающая композиция из смолы
BRPI0815149A2 (pt) Processo para execução de uma hidrólise controlada e condensação de um silano epóxi-funcional, mistura de condensados a base de silano e uso da mesma
BR112013022001A2 (pt) lentes de contato de silicone-hidrogel dimensionalmente estáveis
TW200704713A (en) Curable silicone composition and cured product therefrom
BR112012007678A2 (pt) organopolissiloxano
ATE521668T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleitervorrichtungen
CO4890878A1 (es) Composicion polimerica de epoxi-polisiloxano y metodo para elaborar una composicion de polimero de epoxi-polisiloxano termoendurecida totalmente curada
JP2007520619A5 (ru)
TW200609282A (en) Heat-conductive silicone rubber composition and molded article
BR112013024280A2 (pt) composição de revestimento para o uso como um revestimento para impedir a incrustação em um ambiente marinho, processo para impedir fisicamente a incrustação a partir de um substrato em um ambiente de incrustação aquático, e estrutura feita pelo homem
ATE440911T1 (de) Polytrimethylenterephthalat
KR840008672A (ko) 액체 오가노실록산 수지조성물
WO2014104389A3 (en) Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
RU2011150892A (ru) Устройство и композиция для термического закрепления

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170612