RU2010151563A - Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство - Google Patents

Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010151563A
RU2010151563A RU2010151563/05A RU2010151563A RU2010151563A RU 2010151563 A RU2010151563 A RU 2010151563A RU 2010151563/05 A RU2010151563/05 A RU 2010151563/05A RU 2010151563 A RU2010151563 A RU 2010151563A RU 2010151563 A RU2010151563 A RU 2010151563A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
groups
component
range
sio
molecule
Prior art date
Application number
RU2010151563/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503694C2 (ru
Inventor
Такаши САГАВА (JP)
Такаши САГАВА
Макото ЙОШИТАКЕ (JP)
Макото ЙОШИТАКЕ
Original Assignee
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP), Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. filed Critical Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Publication of RU2010151563A publication Critical patent/RU2010151563A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503694C2 publication Critical patent/RU2503694C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая: ! (A) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три алкенильных группы и по меньшей мере 30 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп; ! (B) органополисилоксан с линейной цепью, который содержит арильные группы и на обоих концах молекулы имеет концевые диоргановодородсилоксигруппы, при этом компонент (В) применяют в таком количестве, что содержание связанных с кремнием атомов водорода, содержащихся в компоненте (В), по отношению к одному молю алкенильных групп, содержащихся в компоненте (А), находится в диапазоне от 0,5 до 2 молей; ! (C) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три диоргановодородсилоксигруппы и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп, при этом содержание диоргановодородсилокси-групп, содержащихся в этих компонентах, находится в диапазоне от 1 до 20 мол.% в расчете на общее количество диоргановодородсилоксигрупп, содержащихся в компоненте (В) и в данном компоненте; и ! (D) катализатор гидросилилирования в количестве, необходимом для ускорения отверждения композиции. ! 2. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (А) представляет собой органополисилоксан с разветвленной цепью со следующей усредненной формулой блока: ! (R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e, ! (в которой R1 независимо обозначает замещенные или незамещенные одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере три группы, обозначенные R1, пре�

Claims (10)

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая:
(A) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три алкенильных группы и по меньшей мере 30 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп;
(B) органополисилоксан с линейной цепью, который содержит арильные группы и на обоих концах молекулы имеет концевые диоргановодородсилоксигруппы, при этом компонент (В) применяют в таком количестве, что содержание связанных с кремнием атомов водорода, содержащихся в компоненте (В), по отношению к одному молю алкенильных групп, содержащихся в компоненте (А), находится в диапазоне от 0,5 до 2 молей;
(C) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три диоргановодородсилоксигруппы и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп, при этом содержание диоргановодородсилокси-групп, содержащихся в этих компонентах, находится в диапазоне от 1 до 20 мол.% в расчете на общее количество диоргановодородсилоксигрупп, содержащихся в компоненте (В) и в данном компоненте; и
(D) катализатор гидросилилирования в количестве, необходимом для ускорения отверждения композиции.
2. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (А) представляет собой органополисилоксан с разветвленной цепью со следующей усредненной формулой блока:
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e,
(в которой R1 независимо обозначает замещенные или незамещенные одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере три группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; Х обозначает атом водорода или алкильную группу; «а» представляет собой положительное число, «b» представляет собой 0 или положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «b/а» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «с/а» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «d/(a+b+c+d)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «e/(a+b+c+d)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
3. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (В) представляет собой органополисилоксан с линейной цепью, представленный следующей общей формулой:
HR2 2SiO(R2 2SiO)mSiR2 2H,
(в которой каждый R2 независимо обозначает замещенную или незамещенную одновалентную углеводородную группу, в которой отсутствуют ненасыщенные алифатические связи; однако в одной молекуле по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы, а «m» представляет собой целое число в диапазоне от 1 до 1000).
4. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (С) представляет собой органополисилоксан с разветвленной цепью со следующей усредненной формулой блока:
(HR2 2SiO1/2)f(R2SiO3/2)g(R2 2SiO2/2)h(R2 3SiO1/2)i(SiO4/2)j(XO1/2)k,
(в которой каждый R2 независимо обозначает одновалентную углеводородную группу, в которой отсутствуют ненасыщенные алифатические связи; однако, в одной молекуле по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы; Х обозначает атом водорода или алкильную группу, и «f» представляет собой положительное число, «g» представляет собой положительное число, «h» представляет собой О или положительное число, «i» представляет собой 0 или положительное число, «j» представляет собой 0 или положительное число, «k» представляет собой 0 или положительное число, «f/g» представляет собой число в диапазоне от 0,1 до 4, «h/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «i/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «j/(f+g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3 и «k/(f+g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
5. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, дополнительно включающая (Е) органополисилоксан с линейной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере две алкенильные группы и по меньшей мере 30 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп; при этом указанный компонент (Е) применяют в количестве, равном 100 мас.ч. или менее на 100 мас.ч. компонента (А).
6. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой показатель преломления (при 25°С) в видимом свете (589 нм) составляет 1,5 или более.
7. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой отвержденный продукт, полученный при отверждении композиции, имеет твердость, измеренную на твердомере типа D, равную 20 или менее.
8. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой отвержденный продукт, полученный путем отверждения композиции, имеет коэффициент светопропускания (при 25°С) равный 80% или более.
9. Полупроводниковое устройство, которое содержит полупроводниковый компонент, содержащий отвержденный продукт из отверждаемой органополисилоксановой композиции по любому из пп.1-8.
10. Полупроводниковое устройство по п.9, в котором полупроводниковый компонент представляет собой светоиспускающий элемент.
RU2010151563/05A 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство RU2503694C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-159723 2008-06-18
JP2008159723A JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2008-06-18 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
PCT/JP2009/061138 WO2009154261A1 (en) 2008-06-18 2009-06-11 Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010151563A true RU2010151563A (ru) 2012-07-27
RU2503694C2 RU2503694C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=40957669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010151563/05A RU2503694C2 (ru) 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8846828B2 (ru)
EP (1) EP2303965B1 (ru)
JP (1) JP5667740B2 (ru)
KR (1) KR101589936B1 (ru)
CN (1) CN102066492B (ru)
MY (1) MY158361A (ru)
RU (1) RU2503694C2 (ru)
TW (1) TWI470029B (ru)
WO (1) WO2009154261A1 (ru)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5972512B2 (ja) 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JPWO2011135780A1 (ja) * 2010-04-27 2013-07-18 信越化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5505991B2 (ja) * 2010-04-30 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5682257B2 (ja) * 2010-07-30 2015-03-11 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂組成物
JP2012111875A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Daicel Corp 硬化性樹脂組成物及び硬化物
JP5690571B2 (ja) * 2010-12-07 2015-03-25 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物
JP6300218B2 (ja) * 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
JP5453326B2 (ja) * 2011-01-11 2014-03-26 積水化学工業株式会社 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
DE102011004789A1 (de) 2011-02-25 2012-08-30 Wacker Chemie Ag Selbsthaftende, zu Elastomeren vernetzbare Siliconzusammensetzungen
JP5522111B2 (ja) * 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
JP5937798B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-22 株式会社ダイセル ラダー型シルセスキオキサン及びその製造方法、並びに、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP5871413B2 (ja) * 2011-11-25 2016-03-01 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2784128B1 (en) * 2011-11-25 2016-05-25 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP5652387B2 (ja) * 2011-12-22 2015-01-14 信越化学工業株式会社 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置
JP5660145B2 (ja) * 2012-04-03 2015-01-28 Jsr株式会社 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
EP2850122B1 (en) 2012-05-14 2018-08-01 Momentive Performance Materials Inc. High refractive index material
WO2014017888A1 (ko) 2012-07-27 2014-01-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP2014031394A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
KR20150054801A (ko) 2012-09-14 2015-05-20 요코하마 고무 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물
JP2014077116A (ja) * 2012-09-21 2014-05-01 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、それを用いてなる半導体封止材および光半導体装置
KR101775476B1 (ko) 2013-08-09 2017-09-06 요코하마 고무 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물
HUE034927T2 (hu) * 2013-09-03 2018-07-30 Dow Corning Toray Co Ltd Szilícium gél kompozíció és ennek alkalmazása
JP6072662B2 (ja) * 2013-10-10 2017-02-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、該組成物を用いた積層板、及び該積層板を有するｌｅｄ装置
KR20150097947A (ko) * 2014-02-19 2015-08-27 다우 코닝 코포레이션 반응성 실리콘 조성물, 이로부터 제조되는 핫멜트 재료, 및 경화성 핫멜트 조성물
US10100156B2 (en) 2014-03-12 2018-10-16 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Curable resin composition
JP6324206B2 (ja) * 2014-05-16 2018-05-16 アイカ工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
US10005906B2 (en) 2014-06-03 2018-06-26 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, and optical semiconductor device
WO2015194159A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
KR102375222B1 (ko) * 2014-08-06 2022-03-16 다우 실리콘즈 코포레이션 오르가노실록산 조성물 및 이의 용도
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
KR102455665B1 (ko) * 2016-09-29 2022-10-19 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물 및 광반도체 장치
KR101864505B1 (ko) * 2016-11-21 2018-06-29 주식회사 케이씨씨 방열성이 우수한 실리콘 조성물
KR102216289B1 (ko) * 2016-12-20 2021-02-18 다우 실리콘즈 코포레이션 경화성 실리콘 조성물
EP3580278A1 (en) * 2017-02-08 2019-12-18 Elkem Silicones USA Corp. Silicone rubber syntactic foam
JP7457450B2 (ja) * 2017-10-20 2024-03-28 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物、シリコーンゴム硬化物、及び電力ケーブル
IT201800006544A1 (it) * 2018-06-21 2019-12-21 Anodo per evoluzione elettrolitica di cloro
EP3979309A4 (en) 2019-05-31 2023-06-07 Dow Toray Co., Ltd. CURABLE ORGANOPOLYSILOXA COMPOSITION AND OPTICAL ELEMENT MADE THEREOF
KR20220016875A (ko) 2019-05-31 2022-02-10 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 그의 경화물로 이루어진 광학 부재
JP2022542424A (ja) * 2019-07-30 2022-10-03 エルケム・シリコーンズ・ユーエスエイ・コーポレーション 液体シリコーンゴム組成物から射出成形によりシリコーンゴム製品を製造するのに有用なプロセス及び装置組立体
JP2022020215A (ja) 2020-07-20 2022-02-01 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
JP7285238B2 (ja) * 2020-08-14 2023-06-01 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物、及びシリコーンゴム硬化物
JP2023034815A (ja) 2021-08-31 2023-03-13 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
WO2024000245A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 Dow Toray Co., Ltd. Uv curable organopolysiloxane composition and application thereof
CN115678497A (zh) * 2023-01-04 2023-02-03 北京康美特科技股份有限公司 用于微型led元件的有机硅封装胶及其封装方法与应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU438286A1 (ru) * 1972-09-15 1978-02-28 Предприятие П/Я В-8415 Композици холодного отверждени
RU2115676C1 (ru) * 1996-05-20 1998-07-20 Общественное объединение "Евразийское физическое общество" Вспениваемая органосилоксановая композиция
JP3344286B2 (ja) 1997-06-12 2002-11-11 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
FR2770220B1 (fr) * 1997-10-29 2003-01-31 Rhodia Chimie Sa Composition silicone reticulable en gel adhesif et amortisseur avec microspheres
JP3523098B2 (ja) 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4009067B2 (ja) 2001-03-06 2007-11-14 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP4180474B2 (ja) 2003-09-03 2008-11-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 付加硬化型シリコーン組成物
US20070156604A1 (en) 2005-06-20 2007-07-05 Stanley James Method and system for constructing and using a personalized database of trusted metadata
JP5392805B2 (ja) * 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
US7767754B2 (en) * 2005-11-08 2010-08-03 Momentive Performance Materials Inc. Silicone composition and process of making same
CN101389695B (zh) * 2006-02-24 2012-07-04 陶氏康宁公司 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5202822B2 (ja) 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5972512B2 (ja) 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110251356A1 (en) 2011-10-13
EP2303965B1 (en) 2015-10-28
CN102066492A (zh) 2011-05-18
MY158361A (en) 2016-09-30
EP2303965A1 (en) 2011-04-06
TW201000560A (en) 2010-01-01
RU2503694C2 (ru) 2014-01-10
TWI470029B (zh) 2015-01-21
JP2010001336A (ja) 2010-01-07
KR20110031287A (ko) 2011-03-25
WO2009154261A1 (en) 2009-12-23
JP5667740B2 (ja) 2015-02-12
CN102066492B (zh) 2014-02-05
US8846828B2 (en) 2014-09-30
KR101589936B1 (ko) 2016-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010151563A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
RU2010151565A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
ATE451426T1 (de) Härtbare organopolysiloxan-zusammensetzung und halbleiterbauelement
ATE541896T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleiterbauelemente und optisches halbleiterbauelement
ATE358699T1 (de) Wärmeleitfähige siliconzusammensetzung
BR112013021871A2 (pt) lentes de contato de silicone hidrogel com níveis aceitáveis de perda de energia
ATE463536T1 (de) Silikonelastomerklebefolie
ATE463537T1 (de) Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
DE602007002402D1 (de) Haftvermittler, härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
MY144041A (en) Thermally stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
JP2012017470A5 (ru)
ATE521668T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleitervorrichtungen
JP4851710B2 (ja) 付加架橋性シリコーン樹脂組成物、これからなる成形体および前記組成物の使用
CO4890878A1 (es) Composicion polimerica de epoxi-polisiloxano y metodo para elaborar una composicion de polimero de epoxi-polisiloxano termoendurecida totalmente curada
ATE515555T1 (de) Wärmeleitfähige silikonfettzusammensetzung
BR112012007678A2 (pt) organopolissiloxano
ATE454430T1 (de) Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
JP2007520619A5 (ru)
ATE430175T1 (de) Organopolysiloxan und silikonzusammensetzung
KR20110004373A (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 이의 경화물
ATE409207T1 (de) Zusammensetzung aus organohydrogenpolysiloxanharz und silizium
TW201805362A (zh) 可固化有機聚矽氧烷組合物、密封劑和半導體裝置
JP2019524959A5 (ru)
JP2015524007A5 (ru)
MY155700A (en) Organopolysiloxane, method of manufacturing thereof, curable silicone composition, and cured product thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170612