KR20080104279A - 실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성실리콘 조성물 - Google Patents

실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성실리콘 조성물 Download PDF

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히로지 에나미
도모코 가토
요시쓰구 모리타
마사시 무라카미
마사요시 테라다
마코토 요시타케
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앤 월스트롬 노리스
말린다 하웰
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Abstract

본 발명은
(I) 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산, Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산, 또는 이들의 조합물;
(II) 비분자량(specific molecular weight)을 갖는 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산, 비분자량을 갖는 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산, 또는 이들의 조합물; 및
(III) 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 조성물을 제공한다.
발광 장치는 당해 조성물을 광원상에 적용시킨 다음 경화시켜 제조된다. 당해 조성물은 경화된 물질에 발광 장치용 캡슐화제로서 사용하기에 적합한 기계적 특성을 제공한다.
발광 다이오드(LED), 발광 장치, 경화성 실리콘 조성물, Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산, 비분자량(specific molecular weight), 하이드로실릴화 촉매, 발광 장치용 캡슐화제

Description

실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성 실리콘 조성물{Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones}
관련 출원에 대한 상호 참조
본원은 35 U.S.C. §119 (e)하에 2006년 2월 24일에 출원된 미국 가특허원 제60/776,575호 및 2006년 1월 17일에 출원된 미국 가특허원 제60/759,501호의 이익을 청구한다. 미국 가특허원 제60/776,575호 및 미국 가특허원 제60/759,501호는 본원에 참고로 인용되어 있다.
기술 분야
본 발명은 경화성 실리콘 조성물 및 당해 조성물을 경화시켜 제조된 실리콘 제품으로 캡슐화된 발광 장치(light emitting device)에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 경화시켜 광학적 투명도, 높은 굴절률, 고온에 대한 내성 및 높은 기계적 강도를 갖는 실리콘 제품을 형성하는 하이드로실릴화-경화성 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 실리콘 제품으로 캡슐화된 신뢰성 있는 발광 장치에 관한 것이다.
배경
광학적으로 투명한 실리콘 제품을 제공하는 경화성 실리콘 조성물은 흔히 이의 내열성 및 내광성 등의 특성 때문에 발광 장치에서 사용된다. 이러한 경화성 실리콘 조성물은 광원으로부터 발생하는 열 및 빛의 작용에 의해 탈색의 결점을 가질 수 있는, 에폭시 수지 물질과 같은 종래의 물질에 비하여 신뢰성이 높은 이점을 가질 수 있다.
그러나, 광학적으로 투명한 실리콘 제품의 기계적 및 접착 특성은 에폭시 수지 및 충전된 실리콘보다는 낮을 수 있다. 이러한 특성은 실리콘 제품의 파손 또는 층분리(delamination)를 야기할 수 있으며, 광 출력의 저하가 발생한다. 이를 해결하기 위한 한 가지 제안된 대안은 강인화제로서 실리콘 제품에 혼화성인 실리콘 수지를 사용하는 것이다. 또 다른 대안은 유기 중합체 성분 또는 작용기를 실리콘 중합체 구조물로 혼입시키는 것이지만, 실리콘의 이러한 개질은 내열성 및 내광성에 적합하지 않을 수 있다.
발명의 요약
본 발명은
(I) 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산, Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산, 또는 이들의 조합물;
(II) 비분자량(specific molecular weight)을 갖는 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산, 비분자량을 갖는 알케닐 작용성 디오가노실록시-말 단화 올리고디페닐실록산, 또는 이들의 조합물; 및
(III) 하이드로실릴화 촉매
를 포함하는 성분들을 혼합하여 제조된 조성물에 관한 것이다.
하나 이상의 성분(I) 및 (II)는 알케닐 그룹을 포함한다. 하나 이상의 성분(I) 및 (II)는 규소 결합된 수소원자를 포함한다.
본 발명은 추가로 경화성 실리콘 조성물을 경화시켜 제조된 실리콘 제품으로 캡슐화된 또는 피복된 발광 장치에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
달리 언급하지 않는 한, 모든 양, 비 및 백분율은 중량을 기준으로 한다.
다음은 본원에서 사용된 정의의 목록이다.
용어의 정의 및 용도
"발광 장치"는 조명 장치를 의미한다. 발광 장치는 발광 소자로서 기판상에 장착된 반도체 칩이 광투과성(optically transmissive) 실리콘 제품으로 캡슐화된 발광 다이오드(light emitting diode; LED)를 포함한다. 이러한 캡슐화는 기계적 쇼크 및 먼지 또는 수분의 침입에 대해 보호하는 것을 보조한다. 이는 동시에 광도파로(light path)를 따라 인덱스 매칭(index matching)을 개선시키고 신호의 현저한 반사 또는 감쇠 없이 이의 부피를 통하여 광 신호의 전파를 지지하는 매질로서도 사용된다. 매질은 투과성일 수 있거나 투과도를 개질시키기 위해 인 또는 그 밖의 첨가제를 포함할 수 있다. 발광 장치는 형광등과 같은 그 밖의 발광원이 사용되는 장치 또는 시스템 구조물을 포함하기도 한다.
"층분리"는 실리콘 제품이 발광 장치에서 발광 소자 또는 그 밖의 물질로부터 박리되는 경향을 의미한다.
"파손"은 캡슐화제가 발광 장치에서 변형 또는 열분해, 또는 둘 다를 나타내는 경향을 의미한다.
약어 "Me"는 메틸 그룹을 의미한다.
약어 "Ph"는 페닐 그룹을 의미한다.
약어 "Vi"는 비닐 그룹을 의미한다.
약어 "Hex"는 헥세닐 그룹을 의미한다.
"Pa·s"는 파스칼 초를 의미한다.
약어 "ppm"은 백만분율을 의미한다.
성분(I)
성분(I)은 평균 조성식 R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2의 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산은 직쇄, 측쇄, 사이클릭 또는 수지상 실록산 구조를 가질 수 있다. 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산은 단일 성분일 수 있거나, 하나 이상의 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산을 포함하는 조합물일 수 있다. 성분(I)은 측쇄 알케닐 작 용성 페닐 함유 폴리오가노실록산 및 직쇄 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 측쇄 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산의 상대적인 양은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.01% 내지 35%, 대안으로 1% 내지 15%의 범위일 수 있다. R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이다. 알케닐 그룹은 비닐, 알릴, 부테닐 및 헥세닐로 예시되지만 이로써 제한되지는 않는다. 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산에서 알케닐 그룹은 1가, 2가 및 3가 실록산 단위에 위치할 수 있다. R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이다. R2의 30㏖% 이상 90㏖% 이하는 페닐 그룹일 수 있다. 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 페닐 그룹의 양은 성분(I) 및 (II)의 혼화성을 개선시키도록 선택될 수 있음이 교시된다. 성분(I)에서 메틸 및 페닐 그룹은 1가, 2가 및 3가 실록산 단위에 위치할 수 있다. 상기 화학식에서, a 및 b는 다음 식을 만족시키는 양수이다: a+b는 1 내지 2.2이고, a/(a+b)는 0.001 내지 0.05이다.
성분(I)은 다음과 같은 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다:
ViMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2Vi,
ViMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2Vi,
ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2Vi,
ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2Vi,
HexMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2Hex,
HexMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2Hex,
HexMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2Hex,
HexMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2Hex,
ViMePhSiO(SiMePhO)nSiMePhVi,
ViMePhSiO(SiPh2O)nSiMePhVi,
ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMePhVi,
ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMePhVi,
ViMe2SiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMe2Vi,
ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMe2Vi,
ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMe2Vi,
ViMePhSiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMePhVi,
ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMePhVi,
ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMePhVi,
Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeHexO)mSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHexO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHexO)lSiMe3,
(ViMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(ViMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(HexMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(ViMePhSiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMePhSiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMePhSiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMePhSiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HexMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HexMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSi03 /2)r,
(HexMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HexMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HexMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(MeViSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(ViSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(MeViSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMeSi02 /2)p(MeSi03 /2)q(PhSi03 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(ViMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HexMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HexMeSiO2 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HexMeSiO2 /2)p(PhSi03 /2)q(SiO4 /2)r 또는 이들의 조합물.
상기 화학식에서, n, m 및 l은 당해 중합체에서 각각의 단량체 단위의 평균 수를 의미하는 200 미만의 양수이고, p, q, r 및 s는 전체 평균 조성에서 각각의 단량체 단위의 평균 몰 백분율을 의미한다.
대안으로, 성분(I)은 평균 조성식 HaR2 bSiO(4-a-b)/2의 Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산을 포함할 수 있으며, 여기서 a 및 b는 위에서 정의한 바와 같다. Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산은 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 실록산 구조를 가질 수 있다. Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산은 단일 성분일 수 있거나, 하나 이상의 SiH 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산을 포함하는 조합물일 수 있다. 성분(I)은 다음과 같은 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다:
HMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2H,
HMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2H,
HMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2H,
HMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2H,
HMePhSiO(SiMePhO)nSiMePhH,
HMePhSiO(SiPh2O)nSiMePhH,
HMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMePhH,
HMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMePhH,
HMe2SiO(SiMePhO)n(SiMeHO)mSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHO)lSiMe2H,
HMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHO)lSiMe2H,
HMePhSiO(SiMePhO)n(SiMeHO)mSiMePhH,
HMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHO)lSiMePhH,
HMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHO)lSiMePhH,
Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeHO)mSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeHO)mSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHO)lSiMe3,
Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHO)lSiMe3,
(HMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(HPh2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HMePhSiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMePhSiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMePhSiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSi03 /2)r,
(HMePhSiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(HMePhSiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q,
(HMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
(HMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(MeHSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(HSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(Me3SiO1 /2)p(MeHSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSi03 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(HSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(HMeSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(HMeSiO2 /2)q(MeSiO3 /2)r,
(HMeSiO2 /2)p(HMeSiO2 /2)q(MeSiO3 /2)r(PhSiO3 /2)s 또는 이들의 조합물.
상기 화학식에서, n, m, l, p, q, r 및 s는 위에서 정의한 바와 같다.
오가노할로실란 또는 오가노알콕시실란의 가수분해에 이어서 축합 또는 평형과 같이 성분(I)로서 사용하기에 적합한 직쇄, 측쇄 및 사이클릭 폴리오가노실록산의 제조방법은 당해 분야에 익히 공지되어 있다.
성분(II) 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산
성분(II)는 분자식 HR3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2H의 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산을 포함할 수 있다. 성분(II)는 단일 성분일 수 있거나, 하나 이상의 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산을 포함하는 조합 물일 수 있다. R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이다. 화학식에서, x는 각각 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다. 성분(II)는 올리고디페닐실록산, 예를 들면, HMe2SiO(SiPh2O)xSiMe2H, HMePhSiO(SiPh2O)xSiMePhH, 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있고, 여기서 x는 위에서 정의한 바와 같다.
대안으로, 성분(II)는 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산을 포함할 수 있으며, 여기서 R1, R3 및 x는 위에서 정의한 바와 같다. 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산은 단일 성분일 수 있거나, 하나 이상의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산을 포함하는 조합물일 수 있다. 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산은 ViMe2SiO(SiPh2O)xSiMe2Vi, ViMePhSiO(SiPh2O)xSiMePhVi 또는 이들의 조합물로 예시되며, 여기서 x는 위에서 정의한 바와 같다.
디페닐디클로로실란 또는 디페닐알콕시실란의 가수분해 및 축합에 이어서 캡핑과 같이 성분(II)로서 사용하기에 적합한 올리고디페닐실록산의 제조방법은 당해 분야에 익히 공지되어 있다.
성분(III) 하이드로실릴화 촉매
성분(III)은 하이드로실릴화 촉매이다. 성분(III)은, 조성물의 중량을 기준 으로 하여, 백금족 금속 0.1 내지 1000ppm, 대안으로 1 내지 500ppm, 대안으로 2 내지 200ppm, 대안으로 5 내지 150ppm의 양으로 조성물에 첨가된다. 적합한 하이드로실릴화 촉매는 당해 분야에 공지되어 있으며 시판된다. 성분(III)은 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴 또는 인듐 금속 또는 이들의 유기금속 화합물, 및 이들의 조합물로부터 선택된 백금족 금속을 포함할 수 있다. 성분(III)은 염화백금산, 염화백금산 6수화물, 이염화백금, 및 매트릭스 또는 코어쉘형 구조에서 마이크로캡슐화된 저분자량 오가노폴리실록산 또는 백금 화합물과 당해 화합물과의 착체와 같은 화합물로 예시된다. 백금과 저분자량 오가노폴리실록산과의 착체는 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체를 포함한다. 이러한 착체는 수지 매트릭스에서 마이크로캡슐화될 수 있다.
성분(III)에 대한 적합한 하이드로실릴화 촉매는, 예를 들면, 미국 특허공보 제3,159,601호; 제3,220,972호; 제3,296,291호; 제3,419,593호; 제3,516,946호; 제3,814,730호; 제3,989,668호; 제4,784,879호; 제5,036,117호; 및 제5,175,325호와 유럽 특허공보 제EP 0 347 895 B호에 기재되어 있다.
임의 성분
임의 성분은 성분(I) 내지 (III) 이외에 당해 조성물에 첨가될 수 있다. 적합한 임의 성분은 (IV) 공가교결합제(co-crosslinker), (V) 접착 촉진제, (VI) 충전제, (VII) 처리제, (VIII) 광학 활성제, (IX) 경화 개질제, (X) 유동(rheology) 개질제, 및 이들의 조합물을 포함한다.
성분(IV) 공가교결합제
성분(IV)는 공가교결합제이다. 성분(IV)는, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 50중량부, 대안으로 0.01 내지 25중량부, 대안으로 1 내지 5중량부의 양으로 당해 조성물에 첨가될 수 있다. 성분(IV)는 성분(II) 이외에 평균 조성식 HcR4 dSiO(4-c-d)/2의 하이드로겐실릴 작용성 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. R4는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이다. R4의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이다. 상기 화학식에서, a 및 b는 다음 식을 만족시키는 양수이다: c+d=1 내지 2.2이고, c/(c+d)=0.001 내지 0.05이다.
성분(V) 접착 촉진제
성분(V)는 접착 촉진제이다. 성분(V)는, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 50중량부, 대안으로 0.01 내지 10중량부, 대안으로 0.01 내지 5중량부의 양으로 조성물에 첨가될 수 있다. 성분(V)는 (i) 알콕시실란, (ii) 알콕시실란과 하이드록시-작용성 폴리오가노실록산과의 조합물, 또는 (iii) 이들의 조합물, 또는 성분(V)(i), (ii) 또는 (iii)과 전이 금속 킬레이트와의 조합물을 포함할 수 있다.
대안으로, 성분(V)는 불포화 또는 에폭시-작용성 화합물을 포함할 수 있다. 적합한 에폭시-작용성 화합물은 당해 분야에 공지되어 있으며 시판된다[참조: 미국 특허공보 제4,087,585호; 제5,194,649호; 제5,248,715호; 및 제5,744,507호 col. 4-5]. 성분(V)는 불포화 또는 에폭시-작용성 알콕시실란을 포함할 수 있다. 예를 들면, 불포화 또는 에폭시-작용성 알콕시실란은 화학식 R5 eSi(OR6)(4-e)를 가질 수 있으며, 여기서 e는 1, 2, 또는 3이고, 대안으로 e는 1이다. R5는 각각 독립적으로 1가 유기 그룹이며, 단 하나 이상의 R5는 불포화 유기 그룹 또는 에폭시-작용성 유기 그룹이다. R5에 대한 에폭시-작용성 유기 그룹은 3-글리시독시프로필 및 (에폭시사이클로헥실)에틸로 예시된다. R5에 대한 불포화 유기 그룹은 3-메타크릴로일옥시프로필, 3-아크릴로일옥시프로필, 및 불포화 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 비닐, 알릴, 헥세닐 및 운데실레닐로 예시된다. R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4, 대안으로 탄소수 1 또는 2의 치환되지 않은 포화 탄화수소 그룹이다. R6은 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸로 예시된다.
적합한 에폭시-작용성 알콕시실란의 예는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디메톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디에톡시실란 및 이들의 조합물을 포함한다. 적합한 불포화 알콕시실란의 예는 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 헥세닐트리메톡시실란, 운데실레닐트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 및 이들의 조합 물을 포함한다.
성분(V)는 에폭시-작용성 실록산, 예를 들면, 위에서 언급한 바와 같은 하이드록시-말단화 폴리오가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란과의 반응 생성물, 또는 하이드록시-말단화 폴리오가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란과의 물리적 블렌드를 포함할 수 있다. 성분(V)는 에폭시-작용성 알콕시실란과 에폭시-작용성 실록산의 조합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 성분(V)는 하이드록시-말단화 메틸비닐실록산과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과의 반응 생성물과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과 하이드록시-말단화 메틸비닐실록산의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과 하이드록시-말단화 메틸비닐/디메틸실록산 공중합체의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과 하이드록시-말단화 메틸비닐/메틸페닐실록산 공중합체의 혼합물로 예시된다. 반응 생성물로서가 아니라 물리적 블렌드로서 사용되는 경우, 이러한 성분은 다액형 키트(multiple part kit)에서 별도로 저장될 수 있다.
적합한 전이 금속 킬레이트는 티타네이트, 지르코네이트, 예를 들면, 지르코늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 킬레이트, 예를 들면, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 및 이들의 조합물을 포함한다. 전이 금속 킬레이트 및 이의 제조방법은 당해 분야에 공지되어 있다[참조: 미국 특허공보 제5,248,715호, 유럽 공개특허공보 제EP 0 493 791 A1호 및 유럽 특허공보 제EP 0 497 349 B1호].
성분(VI) 충전제
성분(VI)은 충전제이다. 조성물에 첨가되는 성분(VI)의 양은 선택된 충전제의 유형 및 수득되는 광투과성에 의존한다. 성분(VI)은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.1% 내지 50%, 대안으로 0.1% 내지 25%의 양으로 조성물에 첨가될 수 있다. 적합한 충전제는 실리카와 같은 강화 충전제를 포함한다. 적합한 강화 충전제는 당해 분야에 공지되어 있으며 시판된다[예: 퓸드(fumed) 실리카 고형분; 상표명 CAB-O-SIL; 미국 메사추세츠주에 소재하는 캐봇 코포레이션(Cabot Corporation)].
전도성 충전제(즉, 열 전도성, 전기 전도성, 또는 둘 다인 충전제)는 성분(VI)으로서도 사용될 수 있다. 적합한 전도성 충전제는 금속 입자, 금속 산화물 입자 및 이들의 조합물을 포함한다. 적합한 열 전도성 충전제는 질화알루미늄; 산화알루미늄; 티탄산바륨; 산화베릴륨; 질화붕소; 다이아몬드; 흑연; 산화마그네슘; 금속 미립자, 예를 들면, 구리, 금, 니켈 또는 은; 탄화규소; 텅스텐 카바이드; 산화아연, 및 이들의 조합물로 예시된다.
전도성 충전제는 당해 분야에 공지되어 있으며 시판된다[참조: 미국 특허공보 제6,169,142호 (col. 4, lines 7-33)]. 예를 들면, CB-A20S 및 Al-43-Me는 상이한 입자 크기의 산화알루미늄 충전제이고[쇼와-덴코(Showa-Denko)로부터 시판], AA-04, AA-2 및 AA18은 산화알루미늄 충전제이다[스미또모 가가꾸 가부시키가이샤(Sumitomo Chemical Company)로부터 시판]. 은 충전제는 미국 메사추세츠주 매틀보로에 소재하는 메탈로 테크놀로지스 유에스에이 코포레이션(Metalor Technologies U.S.A. Corp.)으로부터 시판된다. 질화붕소 충전제는 미국 오하이오 주 클리블랜드에 소재하는 어드밴스드 세라믹스 코포레이션(Advanced Ceramics Corporation)으로부터 시판된다.
충전제 입자의 형태는 특별히 제한되지는 않으나, 원형 또는 구형 입자는 조성물에서 충전제의 높은 로딩하에 원치 않는 수준으로의 점도 증가를 억제할 수 있다.
입자 크기가 상이하고 입자 크기 분포가 상이한 충전제의 조합물이 사용될 수 있다. 예를 들면, 평균 입자 크기가 큰 제1 충전제와 평균 입자 크기가 작은 제2 충전제를 가장 최근의 팩킹 이론 분포 곡선에 부합되는 비율로 배합하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 팩킹 효율을 개선시킬 수 있고, 점도를 감소시키고 열전달성을 향상시킬 수 있다.
충전제의 전부 또는 일부는 스페이서를 포함할 수 있다. 스페이서는 유기 입자, 예를 들면, 폴리스티렌, 무기 입자, 예를 들면, 유리, 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 스페이서는 열 전도성, 전기 전도성, 또는 둘 다 일 수 있다. 스페이서는 입자 크기가 25㎛ 내지 250㎛일 수 있다. 스페이서는 단분산성(monodisperse) 비드를 포함할 수 있다. 스페이서의 양은 입자 분포, 조성물의 배치 동안에 인가되는 압력 및 배치 온도를 포함하는 다양한 인자에 의존한다.
성분(VII) 처리제
충전제는 임의로 성분(VII) 처리제로 처리된 표면일 수 있다. 처리제 및 처리방법은 당해 분야에 공지되어 있다[참조: 미국 특허 제6,169,142호 (col.4, line 42 to col. 5, line 2)]. 성분(VI)은 성분(VI)과 조성물의 그 밖의 성분을 배합하기 전에 처리제로 처리될 수 있거나, 성분(VI)은 동일 반응계 내에서 처리될 수 있다.
처리제는 화학식 R7 fSi(OR8)(4-f)의 알콕시실란일 수 있고, 여기서 f는 1, 2 또는 3이고; 대안으로 f는 3이다. R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 50의 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다. R7은 알킬 그룹, 예를 들면, 헥실, 옥틸, 도데실, 테트라데실, 헥사데실 및 옥타데실; 및 방향족 그룹, 예를 들면, 벤질, 페닐 및 페닐에틸로 예시된다. R7은 포화 또는 불포화되고 분지되거나 분지되지 않고, 치환되지 않을 수 있다. R7은 포화되고, 분지되지 않으며, 치환되지 않을 수 있다.
R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4, 대안으로 탄소수 1 또는 2의 치환되지 않은 포화 탄화수소 그룹이다. 처리제는 헥실트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 도데실트리메틸옥시실란, 테트라데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐에틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 및 이들의 조합물로 예시된다.
알콕시-작용성 올리고실록산은 처리제로서 사용될 수도 있다. 알콕시-작용성 올리고실록산 및 이의 제조방법은 당해 분야에 공지되어 있다[참조: 유럽 공개 특허공보 제EP 1 101 167 A2호]. 예를 들면, 적합한 알콕시-작용성 올리고실록산은 화학식 (R9O)gSi(OSiR10 2R11)4-g의 화합물을 포함한다. 당해 화학식에서, g는 1, 2 또는 3이고, 대안으로 d는 3이다. R9는 각각 독립적으로 알킬 그룹일 수 있다. R10은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 포화 및 불포화 1가 탄화수소 그룹으로부터 선택될 수 있다. R11은 각각 탄소수 11 이상의 포화 또는 불포화 1가 탄화수소 그룹일 수 있다.
금속 충전제는 알킬티올, 예를 들면, 옥타데실 머캅탄 및 그 밖의 것들, 및 지방산, 예를 들면, 올레산, 스테아르산, 티타네이트, 티타네이트 커플링제, 지르코네이트 커플링제, 및 이들의 조합물로 처리될 수 있다.
알루미나 또는 패시베이트화(passivated) 질화알루미늄용의 처리제는 알콕시실릴 작용성 알킬메틸 폴리실록산(예: R12 hR13 iSi(OR14)(4-h-i)의 부분 가수분해 축합물 또는 공가수분해 축합물 또는 혼합물), 또는 유사한 물질을 포함할 수 있고, 여기서 가수분해성 그룹은 실라잔, 아실옥시 또는 옥시모이다. 이들 모두 중에서, 상기 화학식에서 R12와 같이 Si에 결합된 그룹은 장쇄 불포화 1가 탄화수소 또는 1가 방향족-작용성 탄화수소이다. R13은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 그룹이고, R14는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 1가 탄화수소 그룹이다. 상기 화학식에서, h는 1, 2 또는 3이고, i는 0, 1 또는 2이고, 단 h+i는 1, 2 또는 3이다. 당해 분야 의 숙련가는 과도한 실험 없이도 충전제의 분산을 보조하기 위한 특정 처리를 최적화할 수 있다.
성분(VIII) 광학 활성제
성분(VIII)은 광학 활성제이다. 성분(VIII)의 예는 광학적 확산제, 인 분말, 광자 결정, 양자점(quantum dot), 나노입자, 예를 들면, 이산화티탄 나노입자 또는 탄소 나노튜브, 염료, 예를 들면, 형광 염료 또는 흡수 염료, 및 이들의 조합물을 포함한다. 성분(VIII)의 양은 선택된 광학 활성제 및 최종 용도 적용을 포함하는 다양한 인자에 의존한다. 그러나, 성분(VIII)의 양은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.01% 내지 50%, 대안으로 1% 내지 10%의 범위일 수 있다.
성분(IX) 경화 개질제
성분(IX)는 경화 개질제이다. 성분(IX)는 본 발명의 조성물의 수명 또는 작업 시간, 또는 둘 다를 연장시키기 위해 첨가될 수 있다. 성분(IX)는 조성물의 경화 온도를 상승시키기 위해 첨가될 수 있다. 적합한 경화 개질제는 당해 분야에 공지되어 있으며 시판된다. 성분(IX)는 아세틸렌성 알코올, 사이클로알케닐실록산, 에네인(eneyne) 화합물, 트리아졸 포스핀; 머캅탄, 하이드라진, 아민, 푸마레이트, 말레에이트 및 이들의 조합물로 예시될 수 있다. 아세틸렌성 알코올의 예는, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제EP 0 764 703 A2호 및 미국 특허공보 제5,449,802호에 기재되며, 메틸 부티놀, 에티닐 사이클로헥산올, 디메틸 헥시놀, 1-부틴-3-올, 1- 프로핀-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-페닐-1-부틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 및 이들의 조합물을 포함한다.
사이클로알케닐실록산의 예는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 및 이들의 조합물로 예시된 메틸 비닐사이클로실록산을 포함한다. 에네인 화합물의 예는 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 및 이들의 조합물을 포함한다. 트리아졸의 예는 벤조트리아졸을 포함한다. 포스핀의 예는 트리페닐포스핀을 포함한다. 아민의 예는 테트라메틸 에틸렌디아민을 포함한다. 푸마레이트의 예는 디알킬 푸마레이트, 디알케닐 푸마레이트, 디알콕시알킬 푸마레이트 및 이들의 조합물을 포함한다. 적합한 경화 개질제는, 예를 들면, 미국 특허공보 제3,445,420호; 제3,989,667호; 제4,584,361호; 및 제5,036,117호에 기재되어 있다.
대안으로, 성분(IX)는 실릴화 아세틸렌성 억제제를 포함할 수 있다. 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 실릴화 아세틸렌성 억제제의 첨가는 억제제를 함유하지 않거나 아세틸렌성 알코올을 함유하는 하이드로실릴화 경화성 조성물로부터 제조된 경화된 실리콘 제품에 비하여 본 발명의 조성물로부터 제조된 경화된 실리콘 제품의 황변을 감소시키는 것으로 교시된다. 적합한 실릴화 아세틸렌성 억제제는 화학식 IXa, 화학식 IXb 또는 이들의 조합물을 가질 수 있다.
Figure 112008060011347-PCT00001
Figure 112008060011347-PCT00002
위의 화학식 IXa 및 화학식 IXb에서,
R15는 각각 독립적으로 수소원자 또는 1가 유기 그룹이고,
R16은 공유결합 또는 2가 탄화수소 그룹이고,
u는 0, 1, 2 또는 3이고,
t는 0 내지 10이고,
v는 4 내지 12이다.
대안으로, u는 1 또는 3이다. 대안으로, 화학식 IXa에서, u는 3이다. 대안으로, 화학식 IXb에서, u는 1이다. 대안으로, t는 0이다. 대안으로, v는 5, 6 또는 7이고, 대안으로 v는 6이다. R15에 대한 1가 유기 그룹의 예는 지방족 불포화 유기 그룹, 방향족 그룹, 또는 위에서 정의한 바와 같이 방향족 및 지방족 불포화물을 함유하지 않는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹을 포함한다.
실릴화 아세틸렌성 억제제는 (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트리메틸실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)트리메틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란메틸 비닐실란, 비스((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)디메틸실란, 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시))실란, 메틸(트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시))실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트리에틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)메틸트리플루오로프로필실란, (3,5-디메틸-1-헥신-3-옥시)트리메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디페닐메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸비닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디메틸비닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디페닐메틸실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)트리메틸실란, 및 이들의 조합물로 예시된다. 대안으로, 실릴화 아세틸렌성 억제제는 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시))실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)트리메틸실란 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다.
실릴화 아세틸렌성 억제제는 화학식 R15 uSiCl4 -u의 클로로실란을 산 수용체의 존재하에 화학식
Figure 112008060011347-PCT00003
또는
Figure 112008060011347-PCT00004
의 아세틸렌성 알코올과 반응시키는 바와 같이 알 코올의 실릴화를 위해 당해 분야에 공지된 방법으로 제조될 수 있다. 이러한 화학식에서, u, t, v, R15 및 R16은 위에서 정의한 바와 같다. 실릴화 아세틸렌성 억제제의 예 및 이의 제조방법은, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제EP 0 764 703 A2호 및 미국 특허공보 제5,449,802호에 기재되어 있다.
조성물에 첨가되는 성분(IX)의 양은 사용되는 특별한 경화 개질제, 성분(III)의 특성 및 양, 및 성분(II)의 조성에 의존한다. 그러나, 성분(IX)의 양은, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0.001% 내지 10%, 대안으로 0.001% 내지 5%의 범위일 수 있다.
성분(X) 유동 개질제
성분(X)은 유동 개질제이다. 유동 개질제는 조성물의 틱소트로픽 특성을 변경시키기 위해 첨가될 수 있다. 성분(X)은 유량 제어 첨가제; 반응성 희석제; 침강방지제; α-올레핀; 하이드록실-말단화 폴리프로필렌옥사이드-디메틸실록산 공중합체를 포함하지만 이로써 제한되지는 않는 하이드록실-말단화 실리콘-유기 공중합체; 및 이들의 조합물로 예시된다.
그 밖의 임의 성분
그 밖의 임의 성분은 위에서 언급한 것들 중의 전부 또는 일부 외에도, 또는 대신에 첨가될 수 있으며, 단 임의 성분은 실리콘 제품을 형성하기 위해 조성물을 경화시키는 것을 억제하지 않는다. 그 밖의 임의 성분의 예는 산 수용체; 산화방 지제; 안정화제, 예를 들면, 산화마그네슘, 수산화칼슘, 금속 염 첨가제, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제EP 0 950 685 A1호에 기재된 것, 열 안정화제 및 자외선(UV) 안정화제; 난연제; 실릴화제, 예를 들면, 4-(트리메틸실릴옥시)-3-펜텐-2-온 및 N-(t-부틸 디메틸실릴)-N-메틸트리플루오로아세트아미드; 건조제, 예를 들면, 제올라이트, 무수 황산알루미늄, 분자체(바람직하게는 공극 직경이 10Å 이하임), 규조토, 실리카 겔, 및 활성탄; 광학 확산제; 콜로이드성 실리카; 및 발포제, 예를 들면, 물, 메탄올, 에탄올, 이소-프로필 알코올, 벤질 알코올, 1,4 부탄디올, 1,5 펜탄디올, 1,7 헵탄디올 및 실란올을 포함하지만 이로써 제한되지는 않는다.
전체적인 SiH:Vi 비
당해 조성물 중의 성분은 당해 조성물에서 지방족 불포화 그룹에 대한 규소 결합된 수소원자의 총량의 몰 비(SiHtot/Vitot)가 0.5 초과, 대안으로 0.8 이상으로 되도록 선택될 수 있다. SiHtot/Vitot는 10.0 이하, 대안으로 5.0 이하, 대안으로 3.0 이하일 수 있다. 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, SiHtot/Vitot가 너무 낮으면, 조성물은 경화되지 않거나 일부 기판에 접착되지 않을 수 있으며, 당해 조성물내로부터 그 밖의 표면으로의 유출 증가가 있을 수 있음이 교시된다. 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, SiHtot/Vitot가 너무 높으면, 접착성과 같은 표면 특성은 방해받을 수 있으며, 당해 조성물내로부터 그 밖의 표면으로의 유출 증가가 있을 수 있음이 교시된다.
키트
당해 조성물은 1액형(one-part) 조성물, 또는 2액형(two-part) 조성물과 같은 다액형(multiple-part) 조성물일 수 있다. 다액형 조성물에서, 성분(II) 및 임의 성분(IV)은, 존재하는 경우, 성분(III)으로부터 별도의 부분에 저장된다. 성분(I) 및 (V) 내지 (VIII) 중의 어느 하나는 한 부분 또는 두 개의 부분에 첨가될 수 있다. 당해 분야의 숙련가는 과도한 실험 없이 각각의 부분에 대해 성분을 어떻게 선택할 지를 알 것이다.
다액형 조성물이 제조되는 경우, 키트로서 시판될 수 있다. 키트는 이의 사용방법, 부분들의 배합방법, 생성된 배합물의 경화방법, 또는 이들의 조합에 대하여 정보 또는 지시(instruction) 또는 둘 다를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들면, 부분 A 및 부분 B를 포함하는 키트는 다음과 같이 제조될 수 있다.
부분 A는 다음을 포함한다:
(I) 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산,
(III) 하이드로실릴화 촉매,
임의로 (V) 접착 촉진제,
임의로 (VI) 충전제,
임의로 (VII) 처리제,
임의로 (VIII) 경화 개질제, 및
임의로 (IX) 유동 개질제.
부분 B는 다음을 포함한다:
임의로 (I) 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산,
(II) 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산,
임의로 (IV) 공가교결합제,
임의로 (V) 접착 촉진제,
임의로 (VI) 충전제,
임의로 (VII) 처리제,
임의로 (VIII) 경화 개질제, 및
임의로 (IX) 유동 개질제.
대안으로, 부분 A 및 부분 B를 갖는 다액형 조성물은 다음과 같이 제조될 수 있다. 부분 A는 다음을 포함한다:
(II) 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다),
(III) 하이드로실릴화 촉매,
임의로 (V) 접착 촉진제,
임의로 (VI) 충전제,
임의로 (VII) 처리제,
임의로 (VIII) 경화 개질제, 및
(IX) 유동 개질제.
부분 B는 다음을 포함한다:
(I) 평균 조성식 HaR2 bSiO(4-a-b)/2의 Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산(여기서, R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, R2의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이고, a 및 b는 a+b가 1 내지 2.2이고 a/(a+b)가 0.001 내지 0.05로 되도록 하는 값을 갖는 양수이다);
임의로 (II) 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다),
임의로 (IV) 공가교결합제;
임의로 (V) 접착 촉진제;
임의로 (VI) 충전제;
임의로 (VII) 처리제;
임의로 (VIII) 경화 개질제; 및
임의로 (IX) 유동 개질제.
키트는 부분 A와 부분 B를 중량비로 함께 혼합하기 위한 지시를 추가로 포함할 수 있다. 부분 A 및 부분 B는 부분 A:부분 B(A:B)의 비율 0.05:1 내지 20:1, 대안으로 0.1:1 내지 10:1, 대안으로 1:1 내지 5:1로 함께 혼합될 수 있다.
조성물의 제조방법
위에서 언급한 조성물은 임의의 통상의 방식으로 성분을 혼합하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 당해 조성물은 주위 온도에서 모든 성분을 혼합하여 제조할 수 있다. 사용된 혼합기는 특별히 제한되지는 않으며, 성분 및 조성물의 점도에 의해 측정된다. 적합한 혼합기는 혼련기 유형의 시그마 블레이드 혼합기, 이중 유성 혼합기, 비주입식 혼합기, 예를 들면, 원심 운동에 의지하는 혼합기, 및 2롤 및 3롤 고무 밀을 포함하지만 이로써 제한되지는 않는다. 조성물은 임의로 혼합 후 여과될 수 있다. 당해 분야의 숙련가는 위에서 기재한 방법에 의해 및 아래에 기재한 실시예에서 과도한 실험 없이 당해 조성물을 제조할 수 있다.
발광 장치
본 발명의 조성물은 광투과 특성, 접착 특성 또는 기계적 특성, 또는 이들 모두가 요망되는 적용 범위에 유용하다. 예를 들면, 위에서 언급한 조성물은 경화시켜 접착 강도 및 기계적 특성이 높은 광학적으로 투명한 물질을 형성한다.
본 발명의 조성물을 사용하여 제조된 경화된 실리콘 제품은 성분(I) 및 (II) 및 당해 조성물에 첨가되는 임의의 성분들의 유형 및 농도를 포함하는 다양한 인자에 따라 경성(rigid) 수지로부터 엘라스토머 내지 겔까지 특성이 변할 수 있다. 경화된 실리콘 제품은 바람직하게는 연질 엘라스토머 또는 겔이다. 당해 조성물을 사용하여 제조된 경화된 제품은 캡슐화제 또는 피막으로서 최종 적용에 유용하다.
본 발명에서 발광 장치에 대한 캡슐화 또는 피복 기술은 당해 분야에 익히 공지되어 있으며 본 발명에서 사용될 수 있다. 이러한 기술은 캐스팅, 디스펜싱(dispensing), 성형 등을 포함한다. 예를 들면, 발광 장치가 경화되지 않은 조성물 속에 둘러싸인 후, 전형적으로 금형 속에서 수행된 후, 당해 조성물은 경화된다. 이러한 조성물은 가열에 의해 하나 이상의 단계로 경화될 수 있다. 예를 들면, 경화는 한 가지 양태에서 실온 내지 200℃에 이르는 온도에서 수행될 수 있다.
발광 장치는 발광 조건하에서 납땜 조건 및 열 및 광 노출로부터의 열 쇼크에 대해 내성이 있다. 예를 들면, 400nm에서 경화된 물질의 투과 손실은 5분 동안 260℃에서 납땜후 10% 미만이다(시험-1). 경화된 조성물은 납땜 과정 동안에 층분리 또는 파손이 나타나지 않는다. 유사한 안정성은 또한 조명하에 다음의 신뢰성 시험 조건으로부터 관찰된다; -40℃ 내지 120℃의 500회의 발열 사이클(시험-2), 1000시간 동안 85℃/85% 상대 습도에서 노출(시험-3), 및 1000시간 동안 150℃에서 노출(시험-4).
실시예
이러한 실시예는 당해 분야의 통상의 숙련가에게 본 발명을 설명하지만, 청 구범위에 기재된 본 발명의 범주를 제한하려는 것은 아니다.
참조 실시예 1 - HMe2SiO(Ph2SiO)2SiMe2H의 제조
온도계, 기계적 교반기, 질소 가스 주입 튜브 및 콘덴서가 구비된 1ℓ들이 4구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란 735.6g, 아세트산 45.2g 및 트리플루오로메탄설폰산 670㎎을 질소하에 위치시켰다. 이어서, 반응 혼합물을 40분에 걸쳐서 55℃ 이하로 가온하였다. 80분 동안 가열한 후, 반응을 탄산칼슘 4.5g을 가하면서 켄칭하였다. 반응 혼합물을 증발시켜 투명 오일 60g을 제공하였다. 이를 n-헥산으로부터 재결정화에 의해 정제하여 순수한 MeO(Ph2SiO)2Me를 수득하였다.
온도계, 기계적 교반기, 압력 균등화 적하 깔때기 및 콘덴서가 구비된 0.5ℓ들이 4구 플라스크에, MeO(Ph2SiO)2Me 128g, 1,1,3,3-헥사메틸디실록산 73.8g 및 아세트산 34.7g을 질소하에 위치시켰다. 알콕시실란을 용해시키기 위해, 톨루엔 100㎖를 플라스크에 가한 다음, 트리플루오로메탄설폰산 267㎎을 반응 혼합물에 첨가하였다. 반응 혼합물을 50℃ 이하에서 가온하였다. 50℃에서 45분 동안 숙성시킨 후, 아세트산 무수물 28.1g을 30분에 걸쳐서 반응 혼합물에 서서히 첨가하였다. 첨가 후, 반응 혼합물을 2시간 동안 40 내지 50℃에서 정치시켰다. 25℃로 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 톨루엔 170㎖로 1-l 분리 갈때기로 옮겼다. 유기 층을 매 회 물 50㎖로 6회 세척하였다. 잔류하는 유기 층을 증발시켜 무색 액체 153g을 수득하였다.
참조 실시예 2 - HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H의 제조
온도계, 기계적 교반기, 압력 균등화 적하 깔때기 및 콘덴서가 구비된 2ℓ들이 4구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란 977.6g, 트리플루오로메탄설폰산 1.497g 및 아세트산 144g을 질소하에 이러한 순서로 위치시켰다. 반응 혼합물을 42℃로 가온한 후, 반응 온도를 가열 없이 15분 동안에 64℃로 서서히 승온시켰다. 반응 온도를 62℃로 낮춘 후(20분 후), 반응 혼합물을 15분 동안 환류시켰다. 혼합물을 증발시켜 조악한 중간체 MeO(Ph2SiO)2.5OMe를 여전히 트리플루오로메탄설폰산을 함유하는 혼합물로서 수득하였다.
상기의 잔류물에, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 258g을 첨가하였다. 혼합물을 50℃에서 가온한 후, 아세트산 192g을 49 내지 51℃에서 포트 온도를 유지시키면서 혼합물에 서서히 첨가하였다. 첨가 후, 반응 온도를 5분 동안 50℃에서 유지시켰다. 반응 혼합물에, 아세트산 무수물 163g을 수욕을 사용하여 48 내지 52℃의 온도를 유지시키기 위해 서서히 첨가하였다. 첨가를 완료한 후, 반응 혼합물을 45분 동안 50℃ 내지 51℃에서 정치시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 헵탄 200㎖로 2-l 분리 깔때기로 옮겼다. 유기 층을 매 회 물 50㎖로 6회 세척하였다. 잔류하는 유기 층을 증발시켜 무색 액체 1005g을 수득하였다. 디페닐디메톡시실란, 트리플루오로메탄설폰산, 아세트산 및 아세트산 무수물을 사용하여, HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H를 제조하였다.
참조 실시예 3 - 조성물 및 경화된 조성물의 특성
조성물은 25℃에서 광 587nm의 굴절률 및 25℃에서 이의 점도를 특징으로 하였다. 150℃의 오븐에서 1분 동안 당해 조성물을 가열하여 제조된 경화된 실리콘 제품은 광도파로 길이 10mm 및 경도계 A 또는 D 경도하에 400nm에서 이의 투과성을 특징으로 하였다.
참조 실시예 4 - 발광 장치의 제조
도 1에서 나타낸 발광 다이오드 장치는 다음과 같이 제조되었다. GaN 화합물 반도체(LED) 칩(2)을 폴리프탈아미드(PPA) 케이스 1에 위치시키고, 다이를 전기 전도성 페이스트로 리드 프레임(lead frame)의 내부 리드(3) 부분에 결합시킨 다음, 반도체 칩을 금 와이어(4)로 와이어 결합시켰다. 본원에 언급된 실리콘 조성물을 반도체 칩상에 피복시킨 다음 오븐에서 1시간 동안 150℃에서 경화시켜 경화된 실리콘(5)을 형성하였다.
참조 실시예 5 - 발광 장치의 신뢰성 시험
투과율(%) 시험용 샘플을 참조 실시예 3에 따라 제조하고, 샘플을 별도로 다음 조건에 노출시켰다; (1) 핫 플레이트상에서 5분 동안 260℃에서 가열, (2) 오븐에서 100시간 동안 150℃에서 가열, (3) 100시간 동안 85% 상대 습도하에 85℃에서 가열, 및 (4) -40℃ 내지 100℃에서 500회 발열 사이클을 적용, 및 (5) 1000시간 동안 150℃에서 가열. 샘플을 또한 참조 실시예 4에 따라 제조하고 다음 조건에 노출시켰다. 노출 후, 캡슐화제의 외관을 층분리, 파손, 또는 그 밖의 변형 면에서 현미경으로 관찰하였다. 노출 전 및 후의 투과율(%)을 측정하고, 초기 출력 값 100을 기준으로 하여 상대적인 출력 값을 수득하였다.
실시예 1 - 본 발명의 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 ViMe2SiO(SiMePhO)20SiMe2Vi(44.11%), ViMe2SiO(SiMePhO)4SiMe2Vi(8.22%), (ViMe2Si01/2)0.15(MePhSi02/2)0.40(PhSiO3/2)0.45(28.78%) 및 HMe2SiO(SiPh2O)2.5SiMe2H(21.89%)의 혼합물을 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디메틸-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 4.0%인 촉매 0.38부, 접착 촉진제로서의 (글리시독시프로필)트리메톡시실란을 갖는 하이드록시-말단화 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산) 1.0부, 및 경화 개질제로서의 에틸 사이클로헥산올 0.05부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
실시예 2 - 본 발명의 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 ViMe2SiO(SiMePhO)44(SiMeViO)1.2SiMe2Vi, (ViMe2Si01/2)0.25(PhSiO3/2)0.75, HMe2SiO(SiPh2O)2.5SiMe2H 및 PhSi(OSiMe2H)3의 혼합물을 40.0:31.1:27.9:1.0의 비율로 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 5.0%인 촉매 0.005부, 접착 촉진제로서의 (글리시독시프로필)트리메톡시실란을 갖는 하이드록시-말단화 폴리(메틸페닐실록산/메틸비닐실록산) 0.1부, 및 경화 개질제로서의 에티닐사이클로헥산-1-올 0.01부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
실시예 3 - 본 발명의 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 (ViMe2SiO1 /2)0.25(PhSiO3 /2)0.75, Ph2Si(OSiMe2Vi)2, PhSi(OSiMe2Vi)3 및 HMe2SiO(SiPh2O)2SiMe2H의 혼합물을 51.5:2.5:2.5:43.5의 비율로 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 5.0%인 촉매 0.1부, 및 경화 개질제로서의 에티닐사이클로헥산-1-올 0.05부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
비교 실시예 1 - 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 ViMe2SiO(SiMePhO)20SiMe2Vi(37.54%), ViMe2SiO(SiMePhO)4SiMe2Vi(6.11%), (ViMe2Si01/2)0.15(MePhSi02/2)0.40(PhSiO3/2)0.45(43.65%) 및 Ph2Si(OSiMe2H)2(12.7%)의 혼합물을 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량의 4.0%인 촉매 0.38부, 접착 촉진제, 및 경화 개질제로서의 에티닐 사이클로헥산올 0.05부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
비교 실시예 2 - 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 ViMe2SiO(SiMePhO)5 OSiMe2Vi, (ViMe2SiO1 /2)0.25(PhSiO3 /2)0.75 및 HMe2SiO(SiPh2O)4SiMe2H의 혼합물을 44.4:36.3:19.4의 비율로 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 5.0%인 촉매 0.005부, 접착 촉진제로서의 (글리시독시프로필)트리메톡시실란을 갖는 하이드록시-말단화 폴리(메틸페닐실록산/메틸비닐실록산) 0.1부, 및 경화 개질제로서의 에티닐사이클로헥산-1-올 0.01부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
비교 실시예 3 - 경화성 실리콘 조성물
성분을 혼합하여 (ViMe2SiO1 /2)0.25(PhSiO3 /2)0.75, Ph2Si(OSiMe2Vi)2 및 Ph2Si(OSiMe2H)2의 혼합물을 69.5:2.8:27.7의 비율로 제조하였다. 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 90% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디 실록산 착체 10%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 5.0%인 촉매 0.01부, 및 경화 개질제로서의 에티닐사이클로헥산-1-올 0.05부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다.
실시예 1 내지 3 및 비교 실시예 1 내지 3에서의 조성물을 참조 실시예 3 내지 5에 따라 평가하였다. 결과는 표 1에 기재한다.
실시예 4
성분을 혼합하여 ViMe2SiO(MePhSiO2 /2)19SiMe2Vi(54.84%), ViMe2SiO(MePhSiO2/2)75SiMe2Vi(20.72%), (ViMe2SiO1 /2)0.25(PhSiO3 /2)0.75(7.28%), (PhSiO3/2)0.4(Me2HSiO1/2)0.6(0.51%) 및 HMe2SiO(Ph2SiO2 /2)2.5SiMe2H(15.48%)의 혼합물을 제조하였다. ViMe2SiO(SiMePhO)19SiMe2Vi 99%, 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 0.38% 및 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 0.62%의 혼합물이며, 당해 혼합물의 백금 함량이 25.0%인 촉매 0.77부, 및 ViMe2SiO(SiMePhO)19SiMe2Vi 99%와 경화 개질제로서의 1-에티닐-1-사이클로헥산올 1%의 혼합물인 억제제 0.39부를 상기 혼합물 100부에 첨가하여 투명 조성물을 수득하였다. 당해 조성물을 참조 실시예 5에서 시험(5)에 따라 평가하였다. 결과는 표 2에 기재한다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교 실시예 1 비교 실시예 2 비교 실시예 3
점도(mPa·s) 2,000 2,000 3,300 1,600 1,700 1,150
굴절률 1.5495 1.546 1.545 1.53 1.540 1.531
경도계 OO 경도 45 - - 40 - -
경도계 A 경도 - 50 - - 50 -
경도계 D 경도 - - 45 - - 55
인장 강도(MPa) - 1.11 - - 0.57 -
파단 신도(%) - 81 - - 56 -
시험 1 외관/투과율(%) 변화 없음/100% 변화 없음/100% 변화 없음/99% 변화 없음/96% 변화 없음/98% 층분리/75%
시험 2 외관/투과율(%) 변화 없음/99% 변화 없음/99% 변화 없음/97% 파손됨/56% 층분리/60% 층분리/55%
시험 3 외관/투과율(%) 변화 없음/100% 변화 없음/99% 변화 없음/98% 파손됨/60% 층분리/65% 층분리/65%
시험 4 외관/투과율(%) 변화 없음/95% 변화 없음/93% 변화 없음/92% 파손됨/30% 층분리/45% 층분리/30%
실시예 4
점도(mPa·s) 4,505
633㎚에서의 굴절률 1.5494
경도계 OO 경도 45
경도계 A 경도 -
경도계 D 경도 -
인장 강도(MPa) -
파단 신도(%) -
시험 5 외관 변화 없음
시험 5 장치 결점 0%
도면
도 1은 발광 장치의 횡단면 상(image)이다.
참조 부호
1 케이스
2 LED 칩
3 내부 리드
4 와이어
5 경화된 실리콘

Claims (12)

  1. (I) 평균 조성식 R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2의 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산(여기서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, R2의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이고, a 및 b는 a+b가 1 내지 2.2이고, a/(a+b)가 0.001 내지 0.05로 되도록 하는 값을 갖는 양수이다);
    (II) 분자식 HR3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2H의 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다); 및
    (III) 하이드로실릴화 촉매
    를 포함하는 성분을 혼합하여 제조된 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분(I)이
    ViMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2Vi,
    ViMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2Vi,
    ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2Vi,
    ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2Vi,
    HexMe2SiO(SiMePhO)nSiMe2Hex,
    HexMe2SiO(SiPh2O)nSiMe2Hex,
    HexMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMe2Hex,
    HexMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMe2Hex,
    ViMePhSiO(SiMePhO)nSiMePhVi,
    ViMePhSiO(SiPh2O)nSiMePhVi,
    ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)mSiMePhVi,
    ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)mSiMePhVi,
    ViMe2SiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMe2Vi,
    ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMe2Vi,
    ViMe2SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMe2Vi,
    ViMePhSiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMePhVi,
    ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMePhVi,
    ViMePhSiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMePhVi,
    Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeViO)mSiMe3,
    Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeViO)lSiMe3,
    Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeViO)lSiMe3,
    Me3SiO(SiMePhO)n(SiMeHexO)mSiMe3,
    Me3SiO(SiMe2O)n(SiMePhO)m(SiMeHexO)lSiMe3,
    Me3SiO(SiMe2O)n(SiPh2O)m(SiMeHexO)lSiMe3,
    (ViMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
    (ViMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
    (HexMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
    (ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
    (ViMePhSiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMePhSiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMePhSiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMePhSiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
    (ViMePhSiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
    (HexMe2SiO1 /2)p(PhSiO3 /2)q,
    (HexMe2SiO1 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSi03 /2)r,
    (HexMe2SiO1 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (HexMe2SiO1 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (HexMe2SiO1 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (Me3SiO1 /2)p(MeViSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (Me3SiO1 /2)p(ViSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (Me3SiO1 /2)p(MeViSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMeSi02 /2)p(MeSi03 /2)q(PhSi03 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(PhSiO3 /2)q(SiO4 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(Me2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (ViMeSiO2 /2)p(MePhSiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (HexMeSiO2 /2)p(Ph2SiO2 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (HexMeSiO2 /2)p(MeSiO3 /2)q(PhSiO3 /2)r,
    (HexMeSiO2 /2)p(PhSi03 /2)q(SiO4 /2)r 및 이들의 조합물로부터 선택되고,
    n, m 및 l이 각각의 단량체 단위의 평균 수를 의미하는 200 미만의 양수이고, p, q, r 및 s가 각각의 단량체 단위의 평균 몰 백분율을 의미하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 조성물의 중량을 기준으로 하여, 측쇄 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산 0.1% 내지 35%를 함유하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 성분(II)가 HMe2SiO(SiPh2O)xSiMe2H, HMePhSiO(SiPh2O)xSiMePhH 및 이들의 조합물로부터 선택되는 조성물.
  5. (I) 평균 조성식 HaR2 bSiO(4-a-b)/2의 Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산(여기서, R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, R2의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이고, a 및 b는 a+b가 1 내지 2.2이고 a/(a+b)가 0.001 내지 0.05로 되도 록 하는 값을 갖는 양수이다);
    (II) 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다); 및
    (III) 하이드로실릴화 촉매
    를 포함하는 성분을 혼합하여 제조된 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, (IV) 공가교결합제, (V) 접착 촉진제, (VI) 충전제, (VII) 처리제, (VIII) 광학 활성제, (IX) 경화 개질제, (X) 유동(rheology) 개질제, 및 이들의 조합물로부터 선택된 성분을 추가로 포함하는 조성물.
  7. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 조성물을 경화시켜 제조된 실리콘 제품.
  8. i) 반도체 칩,
    ii) 리드 프레임(lead frame),
    iii) 반도체 칩을 리드 프레임에 결합하는 와이어, 및
    iv) 반도체 칩상에 피복된 제7항에 따르는 실리콘 제품
    을 포함하는 장치.
  9. 제8항에 있어서, 반도체 칩이 발광성인 장치.
  10. 부분 A가
    (I) 평균 조성식 R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2의 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산(여기서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, R2의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이고, a 및 b는 a+b가 1 내지 2.2이고 a/(a+b)가 0.001 내지 0.05로 되도록 하는 값을 갖는 양수이다);
    (III) 하이드로실릴화 촉매,
    임의로 (V) 접착 촉진제,
    임의로 (VI) 충전제,
    임의로 (VII) 처리제,
    임의로 (VIII) 경화 개질제, 및
    (IX) 유동 개질제
    를 포함하고,
    부분 B가
    임의로 (I) 알케닐 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산,
    (II) 분자식 HR3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2H의 하이드로겐디오가노실록시 말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다);
    임의로 (IV) 공가교결합제;
    임의로 (V) 접착 촉진제;
    임의로 (VI) 충전제;
    임의로 (VII) 처리제;
    임의로 (VIII) 경화 개질제; 및
    임의로 (IX) 유동 개질제
    를 포함하는, 부분 A 및 부분 B를 갖는 다액형(multiple part) 조성물.
  11. 부분 A가
    (II) 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다),
    (III) 하이드로실릴화 촉매,
    임의로 (V) 접착 촉진제,
    임의로 (VI) 충전제,
    임의로 (VII) 처리제,
    임의로 (VIII) 경화 개질제, 및
    (IX) 유동 개질제
    를 포함하고,
    부분 B가
    (I) 평균 조성식 HaR2 bSiO(4-a-b)/2의 Si-H 작용성 페닐 함유 폴리오가노실록산(여기서, R2는 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, R2의 30㏖% 이상은 페닐 그룹이고, a 및 b는 a+b가 1 내지 2.2이고, a/(a+b)가 0.001 내지 0.05로 되도록 하는 값을 갖는 양수이다);
    임의로 (II) 분자식 R1R3 2SiO(SiPh2O)xSiR3 2R1의 알케닐 작용성 디오가노실록시-말단화 올리고디페닐실록산(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, R1은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, R3은 각각 독립적으로 메틸 그룹 또는 페닐 그룹이고, x는 2 내지 8의 정수이고, x는 2 내지 4의 평균 값이다),
    임의로 (IV) 공가교결합제;
    임의로 (V) 접착 촉진제;
    임의로 (VI) 충전제;
    임의로 (VII) 처리제;
    임의로 (VIII) 경화 개질제; 및
    임의로 (IX) 유동 개질제
    를 포함하는, 부분 A 및 부분 B를 갖는 다액형 조성물.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 부분 A 및 부분 B를 부분 A:부분 B의 중량비 0.05:1 내지 20:1로 함께 혼합하기 위한 지시(instruction)를 추가로 포함하는 키트.
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