KR20180105575A - 다이본딩용 실리콘 수지 조성물 및 경화물 - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있도록 열전도율이 높은 경화물을 부여하는 실리콘 수지 조성물을 제공한다.
[해결 수단] (A) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖지 않는 직쇄상 오르가노폴리실록산,
(B) 평균 조성식 (1)로 표시되는 3차원 망상의 오르가노폴리실록산,
(C) 평균 조성식 (2)로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산,
(D) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 가지며, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산,
(E) 백금족 금속계 촉매, 및
(F) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만인 열전도성 충전제를 포함하는 다이본딩용 실리콘 수지 조성물.

Description

다이본딩용 실리콘 수지 조성물 및 경화물{SILICONE RESIN COMPOSITION FOR DIE-BONDING AND CURED PRODUCT}
본 발명은, 발광 다이오드(이하, 「LED」라 함) 소자 등의 다이본딩에 유용한 실리콘 수지 조성물에 관한 것이다.
종래, LED 소자(칩)의 고정용 다이본드제(접착제)에는 에폭시 레진이 사용되어 왔지만, 청색이나 백색의 LED 소자를 고정한 다이본드제는 장기간 사용함으로써 계시적(繼時的)으로 황변되고, 에폭시 밀봉재와 마찬가지로 다이본드제가 광을 흡수함으로써 휘도 저하를 초래하고 있다(특허문헌 1).
현재, 모듈로서의 LED를 이용하는 발광 장치의 내구성에 대한 요구는 더욱 높아져서, LED 밀봉재가 실리콘을 대체해 오고 있지만, 다이본드제도 밀봉재와 마찬가지로 내구성이 요구되고 있다. 게다가, 발광 소자의 기판에의 접착 방법으로서는, 다이본드제를 다공판 상에 박막상으로 하고, 스탬핑에 의해 LED 소자를 설치하는 기판에 전사하는 전사법이 널리 이용되고 있다. 이 때문에, 다이본드제에는 전사법에 의하여 접착을 행할 때의 작업성이 양호할 것이 요구되고 있다.
또한, LED의 발광 효율은, 발광 소자가 고온이 되면 부재를 열화시킴으로써 저하되는 경향이 있기 때문에, 다이본드제에 대하여 방열성의 향상이 더 요구되고 있다. 이에 대하여, 방열성의 다이본드제 실리콘으로서, 열전도성 충전제를 갖는 실리콘 조성물이 제안되어 있다(특허문헌 2). 종래의 기술에 의하면, 1W/m·K 이하의 열전도율을 갖는 조성물을 얻는 것이 가능했지만, 근년의 하이파워화에 수반하여 종래의 방열성 다이본드제 실리콘의 열전도율로는 방열성은 불충분하며, 보다 높은 방열성, 구체적으로는 1W/m·K 이상의 열전도율을 갖는 다이본드제 실리콘이 요구되고 있다.
일본 특허 공개 제2006-342200호 공보 일본 특허 공개 제2015-93970호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있도록 열전도율이 높은 경화물을 부여하는 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는,
(A) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖지 않는, 25℃에서의 점도가 100㎟/s 이하인 직쇄상 오르가노폴리실록산,
(B) 하기 평균 조성식 (1)로 표시되며, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인, 3차원 망상의 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
(R1 3SiO1/2)a(R2R1 2SiO1/2)b(R2R1SiO)c(R1 2SiO)d(R2SiO3/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)g (1)
(식 중, R1은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, R2는 알케닐기이고, a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g≥0, b+c+e>0, e+f+g>0 및 a+b+c+d+e+f+g=1을 만족시키는 수),
(C) 하기 평균 조성식 (2)로 표시되며, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 (D) 성분 중의 전체 규소 원자 결합 알케닐기에 대하여 상기 (C) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자가 0.5 내지 5.0배몰이 되는 양,
R3 hHiSiO(4-h-i)/ 2 (2)
(식 중, R3은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, h 및 i는 0.7≤h≤2.1, 0.001≤i≤1.0 및 0.8≤h+i≤3.0을 만족시키는 양수임),
(D) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 가지며, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 3 내지 30질량부,
(E) 백금족 금속계 촉매: 상기 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계량에 대하여, 촉매 금속 원소의 질량 환산으로 1 내지 500ppm, 및
(F) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만인 열전도성 충전제: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 합계 30질량부에 대하여 100 내지 300질량부
를 포함하는 것인 다이본딩용 실리콘 수지 조성물을 제공한다.
이와 같은 실리콘 수지 조성물이면, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있도록 열전도율이 높은 경화물을 부여할 수 있다.
또한, 상기 (F) 성분이 산화아연 및 알루미나로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것인 것이 바람직하다.
이와 같은 (F) 성분이면, 보다 방열성이 양호한 경화물을 부여하는 실리콘 수지 조성물이 된다.
또한, 상기 (D) 성분이 하기 식 (3)으로 표시되는 실록산 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pat00001
(식 중, 실록산 반복 단위의 배열은 임의이고, m 및 n은 각각 1≤m≤50, 0≤n≤100을 만족시키는 양수임)
이와 같은 (D) 성분이면, 본 발명의 효과를 보다 효율적으로 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 다이본딩용 실리콘 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물을 제공한다.
이와 같은 경화물이면, 접착력이 높고, 강도가 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있는 것이 된다.
이상과 같이, 본 발명의 실리콘 수지 조성물이면, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있도록 열전도율이 높은 경화물을 부여할 수 있다. 그 때문에, 이 실리콘 수지 조성물은, 특히 LED 소자 등의 다이본딩에 사용되는 다이본드재로서 유용하다.
상술한 바와 같이, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있도록 열전도율이 높은 경화물을 부여하는 실리콘 수지 조성물의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 후술하는 (A) 내지 (F) 성분을 포함하는 실리콘 수지 조성물이, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산을 포함함으로써, 열전도성 충전제를 고충전하는 것이 가능해져, 상기 과제를 달성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은,
(A) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖지 않는, 25℃에서의 점도가 100㎟/s 이하인 직쇄상 오르가노폴리실록산,
(B) 하기 평균 조성식 (1)로 표시되며, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인, 3차원 망상의 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
(R1 3SiO1/2)a(R2R1 2SiO1/2)b(R2R1SiO)c(R1 2SiO)d(R2SiO3/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)g (1)
(식 중, R1은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, R2는 알케닐기이고, a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g≥0, b+c+e>0, e+f+g>0 및 a+b+c+d+e+f+g=1을 만족시키는 수),
(C) 하기 평균 조성식 (2)로 표시되며, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 (D) 성분 중의 전체 규소 원자 결합 알케닐기에 대하여 상기 (C) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자가 0.5 내지 5.0배몰이 되는 양,
R3 hHiSiO(4-h-i)/ 2 (2)
(식 중, R3은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, h 및 i는 0.7≤h≤2.1, 0.001≤i≤1.0 및 0.8≤h+i≤3.0을 만족시키는 양수임),
(D) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 가지며, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 3 내지 30질량부,
(E) 백금족 금속계 촉매: 상기 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계량에 대하여, 촉매 금속 원소의 질량 환산으로 1 내지 500ppm, 및
(F) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만인 열전도성 충전제: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 합계 30질량부에 대하여 100 내지 300질량부
를 포함하는 다이본딩용 실리콘 수지 조성물이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[다이본딩용 실리콘 수지 조성물]
본 발명의 다이본딩용 실리콘 수지 조성물은 하기 (A) 내지 (F) 성분을 함유하여 이루어진다. 이하, 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.
<(A) 성분>
(A) 성분은, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖지 않는, 25℃에서의 점도가 100㎟/s 이하인 직쇄상 오르가노폴리실록산이다.
(A) 성분은 조성물의 경화 후에 응력 완화를 초래하기 위한 성분이며, 통상 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복을 포함하고, 분자쇄 양 말단이 트리오르가노실록시기로 봉쇄된, 직쇄상의 분자 구조를 갖는 오르가노폴리실록산이다. (A) 성분의 점도가 100㎟/s를 초과하는 경우에는, 본 성분이 필요 이상으로 소프트 세그먼트로서 작용하기 때문에, 고경도 및 고접착 강도를 얻는 것이 곤란해지고, 또한 조성물의 점도가 현저히 높아진다고 하는 문제가 발생한다.
상기 규소 원자에 결합한 알케닐기는, 비닐기, 알릴기, 에티닐기 등의 탄소수 2 내지 10, 특히 2 내지 6의 알케닐기가 바람직하고, 특히 비닐기가 바람직하다. 이 규소 원자에 결합한 알케닐기는, (A) 성분의 직쇄상 오르가노폴리실록산의 분자 중에서, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄 중 어느 쪽에 존재하고 있어도, 또는 이들 양쪽에 존재해도 되지만, 분자쇄 양 말단에 존재하는 것이 바람직하다.
(A) 성분의 직쇄상 오르가노폴리실록산 분자 중에서, 상기 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 유기기는, 알콕시기를 갖지 않는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 탄소수 1 내지 8의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소가 바람직하다. 이 1가 탄화수소로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기 등의 아르알킬기, 클로로메틸기, 클로로프로필기, 클로로시클로헥실기 등의 할로겐화탄화수소기 등이 예시된다. 바람직하게는 알킬기이며, 특히 바람직한 것은 메틸기이다.
(A) 성분의 직쇄상 오르가노폴리실록산으로서는, 하기 평균 조성식 (4)로 표시되는 것이 바람직하다.
R4 jR5 kSiO(4-j-k)/ 2 (4)
(식 중, R4는 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, R5는 동일 또는 상이해도 되는 알케닐기이고, j는 1.9 내지 2.1의 수이고, k는 0.005 내지 1.0의 수이며, j+k는 1.95 내지 3.0을 만족시킴)
상기 평균 조성식 (4) 중, R4로 표시되는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기로서는, 상기 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 유기기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
상기 평균 조성식 (4) 중, R5로 표시되는 알케닐기로서는, 상기 규소 원자에 결합한 알케닐기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
(A) 성분의 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
(식 중, 실록산 반복 단위의 배열은 임의임)
(A) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
<(B) 성분>
(B) 성분은, 실리콘 수지 조성물의 투명성을 유지한 채 보강성을 얻기 위하여 필요한 성분이다. 구체적으로는, (B) 성분은, 하기 평균 조성식 (1)로 표시되며, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인, 3차원 망상의 오르가노폴리실록산이다. 「밀랍상」이란, 23℃에서 10,000㎩·s 이상, 특히 100,000㎩·s 이상의, 자기 유동성을 나타내지 않는 검상(생고무상)인 것을 의미한다.
(R1 3SiO1/2)a(R2R1 2SiO1/2)b(R2R1SiO)c(R1 2SiO)d(R2SiO3/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)g (1)
(식 중, R1은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, R2는 알케닐기이고, a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g≥0, b+c+e>0, e+f+g>0 및 a+b+c+d+e+f+g=1을 만족시키는 수)
상기 평균 조성식 (1) 중, R1로 표시되는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기로서는, 상술한 (A) 성분에 있어서 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 유기기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있지만, 전체 R1의 80% 이상은 메틸기인 것이 바람직하다. 메틸기의 비율이 전체 R1의 80몰% 이상이면, (A) 성분과의 상용성이 양호하여 조성물이 백탁되지 않아 고투명의 경화물을 얻을 수 있다.
상기 평균 조성식 (1) 중, R2로 표시되는 알케닐기로서는, 상술한 (A) 성분에 있어서 규소 원자에 결합한 알케닐기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있지만, 입수의 용이성 및 가격면에서 비닐기가 바람직하다.
상기 평균 조성식 (1) 중, a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g≥0, b+c+e>0, e+f+g>0 및 a+b+c+d+e+f+g=1을 만족시키는 수이고, a는 0 내지 0.65, b는 0 내지 0.65, c는 0 내지 0.5, d는 0 내지 0.5, e는 0 내지 0.8, f는 0 내지 0.8, g는 0 내지 0.6의 수인 것이 바람직하다. 또한, b+c+e는 0.1 내지 0.8, 특히 0.2 내지 0.65의 수인 것이 바람직하고, e+f+g는 0.1 내지 0.8, 특히 0.2 내지 0.6의 수인 것이 바람직하다.
(B) 성분 중, 규소 원자에 결합한 알케닐기의 함유량은 (B) 성분 100g당 0.01 내지 1㏖의 범위인 것이 바람직하고, 0.05 내지 0.5㏖의 범위인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이 0.01 내지 1㏖의 범위이면, 가교 반응이 충분히 진행되어 보다 높은 경도의 경화물이 얻어진다.
(B) 성분의 오르가노폴리실록산은 분지 구조를 갖는 것이다. (B) 성분의 오르가노폴리실록산은, SiO4 / 2 단위 및/또는 SiO3 /2 단위(즉, SiO4 / 2 단위, R2SiO3 / 2 단위 및/또는 R1SiO3 / 2 단위)를 포함하는 분지 구조를 필수로 하지만, 메틸비닐실록시 단위, 디메틸실록시 단위 등의 SiO2 / 2 단위, 디메틸비닐실록시 단위, 트리메틸실록시 단위 등의 SiO1 / 2 단위를 더 포함해도 된다. SiO4 / 2 단위 및/또는 SiO3 / 2 단위의 함유량은, 바람직하게는 (B) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 중의 전체 실록산 단위의 5몰% 이상, 보다 바람직하게는 10몰 내지 95몰%, 특히 바람직하게는 20 내지 60몰%이다.
또한, (B) 성분의 오르가노폴리실록산은, 단리의 용이성의 관점에서 중량 평균 분자량이 500 내지 100,000의 범위인 것이 적합하다.
(B) 성분의 (A) 성분에 대한 비율도 본 발명의 조성물의 중요한 팩터의 하나이다. (B) 성분의 배합량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부로 할 필요가 있으며, 바람직하게는 65 내지 80질량부, 보다 바람직하게는 65 내지 75질량부이다. (B) 성분의 배합량이 60질량부 미만인 경우에는, 접착성이 떨어지거나 고경도의 경화물이 얻어지지 않는 경우가 있고, 90질량부를 초과하는 경우에는, 조성물의 점도가 현저히 높아져 전사하는 것이 곤란해지고, 조성물을 다이본드재 등에 사용할 때의 취급이 곤란해진다.
(B) 성분의 구체예로서는, 예를 들어 이하의 것을 들 수 있다.
(CH2=CH(CH3)2SiO1/2)0.1((CH3)3SiO1/2)0.4(SiO4/2)0.5,
(CH2=CH(CH3)2SiO1/2)0.2((CH3)2SiO2/2)0.25((CH3)SiO3/2)0.55,
(CH2=CH(CH3)SiO2/2)0.4((CH3)2SiO2/2)0.15((CH3)SiO3/2)0.45
(B) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
<(C) 성분>
(C) 성분은, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분 중에 포함되는 알케닐기와 히드로실릴화 반응에 의해 반응하여 가교시키는 가교제로서 작용하는 성분이고, 하기 평균 조성식 (2)로 표시되며, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산이다.
R3 hHiSiO(4-h-i)/ 2 (2)
(식 중, R3은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, h 및 i는 0.7≤h≤2.1, 0.001≤i≤1.0 및 0.8≤h+i≤3.0을 만족시키는 양수임)
(C) 성분의 배합량은, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분 중의 전체 규소 원자 결합 알케닐기에 대하여 (C) 성분의 규소 원자에 결합한 수소 원자가 0.5 내지 5.0배몰, 바람직하게는 0.7 내지 3.0배몰이 되는 양이다. 이 범위를 하회하면, 가교가 충분히 진행되지 않아 고경도의 경화물이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 이 범위를 상회하면, 가교 밀도가 낮아져 경화물의 강도가 저하되는 경우가 있다.
(C) 성분 중, 상기 규소 원자에 결합한 수소 원자의 함유량은, (C) 성분 1g당 0.001 내지 0.02㏖의 범위인 것이 바람직하고, 0.002 내지 0.017㏖의 범위인 것이 보다 바람직하다.
또한, (C) 성분은, 25℃에서의 점도가 100m㎩·s 이하인 것이 바람직하고, 5 내지 100m㎩·s의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
상기 평균 조성식 (2) 중, R3으로 표시되는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기로서는, 상기 (A) 성분에 있어서 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 유기기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있지만, 전체 R3 중 적어도 50몰%가 메틸기인 것이 바람직하고, 60 내지 100몰%가 메틸기인 것이 보다 바람직하다. 메틸기의 비율이 상기 범위 내이면, (A) 성분 및 (B) 성분의 상용성이 우수하여 백탁 또는 조성물의 상분리 등의 문제를 억제할 수 있다.
상기 평균 조성식 (2) 중, h 및 i는 0.7≤h≤2.1, 0.001≤i≤1.0 및 0.8≤h+i≤3.0을 만족시키는 양수이고, 1.0≤h≤2.0, 0.01≤i≤1.0 및 1.5≤h+i≤2.5인 것이 바람직하다.
(C) 성분은, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1분자 중에 적어도 2개 함유한다. 1분자 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 수로서는, 바람직하게는 2 내지 200개, 보다 바람직하게는 3 내지 100개, 더욱 바람직하게는 4 내지 50개이다.
(C) 성분에 있어서, 상기 규소 원자에 결합한 수소 원자는 분자쇄 말단, 분자쇄 중 어느 쪽에 위치해도 되며, 또한 이의 양쪽에 위치하는 것이어도 된다. 또한, (C) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산의 분자 구조는 직쇄상, 환상, 분지상, 3차원 망상 구조 중 어느 것이어도 되지만, 1분자 중의 규소 원자의 수(또는 중합도)는 바람직하게는 2 내지 300, 보다 바람직하게는 3 내지 200이다.
상기 평균 조성식 (2)로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산으로서는, 예를 들어 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 트리스(하이드로겐디메틸실록시)메틸실란, 트리스(하이드로겐디메틸실록시)페닐실란, 메틸하이드로겐시클로폴리실록산, 메틸하이드로겐실록산·디메틸실록산 환상 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·메틸페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체 등을 들 수 있다.
(C) 성분의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다.
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
(식 중, 실록산 반복 단위의 배열은 임의임)
(C) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
<(D) 성분>
(D) 성분은, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 가지며, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산이다.
본 성분은 웨터(wetter)로서 작용하며, 알콕시기를 가짐으로써 후술하는 (F) 성분을 고충전하기 위하여 필요한 성분이다. 또한, 효율적으로 (F) 성분을 고충전하기 위하여, (D) 성분은 중합도가 150 이하인 것이 바람직하다. 이 범위이면 조성물의 점도 상승을 억제할 수 있다.
상기 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있으며, 특히 바람직하게는 메톡시기이다.
또한, (D) 성분은, 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 갖는다. 1분자 중에 있어서의 규소 원자에 결합한 알케닐기의 수로서는, 바람직하게는 1 내지 50개이고, 보다 바람직하게는 1 내지 20개이다. 분자 중에 알케닐기를 포함하지 않는 경우, (C) 성분과의 가교 반응이 진행되지 않기 때문에, 경화 후에 본 성분의 LED 칩으로부터의 삼출(블리드 아웃)이 발생해 버린다. 블리드 아웃이 발생하면, 제품의 외관을 손상시킬 뿐 아니라 접착 강도가 저하될 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 1분자 중의 알케닐기의 수가 50개 이하이면, 가교 반응 후에 경화물이 물러지거나 접착 강도가 저하될 우려가 없다.
상기 알케닐기로서는, 상술한 (A) 성분에 있어서 규소 원자에 결합한 알케닐기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
(D) 성분의 배합량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 3 내지 30질량부, 바람직하게는 10 내지 25질량부, 보다 바람직하게는 12 내지 20질량부이다. 배합량이 상기 범위를 하회하는 경우, 후술하는 (F) 성분을 고충전할 수 없어 전사법에 있어서의 작업성이 악화되고, 열전도율이 높은 경화물이 얻어지지 않는다. 또한, (D) 성분의 배합량이 상기 범위를 초과하는 경우에는, 경화물의 경도를 저하시켜 다이 셰어 강도가 떨어지는 경우가 있다.
(D) 성분의 예로서는, 하기 식 (3)으로 표시되는 실록산 화합물을 들 수 있다.
Figure pat00008
(식 중, 실록산 반복 단위의 배열은 임의이고, m 및 n은 각각 1≤m≤50, 0≤n≤100을 만족시키는 양수임)
구체적인 구조예로서는 이하의 것을 들 수 있다.
Figure pat00009
Figure pat00010
(D) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
<(E) 성분>
본 발명에 있어서의 (E) 성분의 백금족 금속계 촉매는, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분 중의 알케닐기와, (C) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자와의 부가 반응을 촉진하는 것이다. 그의 구체예로서는, 백금, 팔라듐, 로듐 등의 백금족 금속이나 염화백금산, 알코올 변성 염화백금산, 염화백금산과 올레핀류, 비닐실록산 또는 아세틸렌화합물과의 배위 화합물, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐 등의 백금족 금속 화합물을 들 수 있지만, 특히 바람직하게는 백금계 화합물이다.
(E) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
(E) 성분의 배합량은, 촉매로서의 유효량이며, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계량에 대하여, 촉매 금속 원소의 질량 환산으로 1 내지 500ppm의 범위이고, 1 내지 100ppm의 범위인 것이 바람직하다. 상기 범위 내이면, 부가 반응의 반응 속도가 적절한 것이 되고, 높은 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.
<(F) 성분>
본 발명에 있어서의 (F) 성분은, 얻어지는 실리콘 수지 조성물에 열전도성(방열성)을 부여하기 위한 것이며, 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만인 열전도성 충전제이다.
상기 열전도성 충전제로서는, 예를 들어 산화아연, 알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다. 그 중에서도 열전도성, 내습성, 평균 입자 직경의 관점에서 산화아연 및 알루미나가 바람직하다.
(F) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
발광 소자로부터의 열을 효율적으로 방열하기 위하여, 열전도성 충전제의 평균 입자 직경은 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만일 것이 필요하며, 0.1 내지 0.9㎛가 바람직하고, 0.3 내지 0.9㎛가 보다 바람직하다. 평균 입자 직경이 1㎛ 이상인 경우, 실리콘 수지 조성물을 다이본드재로서 사용했을 때의 두께가 커져, 접착시키는 발광 소자로부터 발생하는 열의 방열성이 악화된다. 한편, 평균 입자 직경이 0.1㎛ 미만인 경우에는, 조성물의 점도가 높아져 전사성이 악화된다.
(F) 성분의 배합량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 30질량부에 대하여 100 내지 300질량부이며, 바람직하게는 100 내지 200질량부이다. 상기 배합량이 100질량부 미만인 경우, 목적으로 하는 열전도성(1.0W/mK 이상)이 얻어지지 않을 우려가 있다. 상기 배합량이 300질량부보다 큰 경우, 얻어지는 실리콘 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져서 섬유질 형성 성질이 나타나, 전사법에 의한 조성물의 도포가 곤란해진다.
<그 외의 성분>
본 발명의 실리콘 수지 조성물에는, 목적에 따라 접착성 향상제나 반응 억제제 등의 성분을 첨가해도 된다.
접착성 향상제로서는, 부가 반응 경화형인 본 발명의 조성물에 자기 접착성을 부여하는 관점에서, 접착성을 부여하는 관능기를 함유하는 실란, 실록산 등의 유기 규소 화합물, 비실리콘계 유기 화합물 등이 적합하게 사용된다.
접착성을 부여하는 관능기의 구체예로서는, 규소 원자에 결합한 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기 또는 수소 원자; 탄소 원자를 통하여 규소 원자에 결합한 에폭시기(예를 들어 γ-글리시독시프로필기, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸기 등), 아크릴옥시기(예를 들어 γ-아크릴옥시프로필기 등), 또는 메타크릴옥시기(예를 들어 γ-메타크릴옥시프로필기 등); 알콕시실릴기(예를 들어 에스테르 구조, 우레탄 구조, 에테르 구조를 1 내지 2개 함유해도 되는 알킬렌기를 통하여 규소 원자에 결합한 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 메틸디메톡시실릴기 등의 알콕시실릴기 등)를 들 수 있다.
접착성을 부여하는 관능기를 함유하는 유기 규소 화합물로서는, 실란 커플링제, 알콕시실릴기와 유기 관능성기를 갖는 실록산, 반응성 유기기를 갖는 유기 화합물에 알콕시실릴기를 도입한 화합물 등이 예시된다.
또한, 비실리콘계 유기 화합물로서는, 예를 들어 유기산 알릴에스테르, 에폭시기 개환 촉매, 유기 티타늄 화합물, 유기 지르코늄 화합물, 유기 알루미늄 화합물 등을 들 수 있다.
반응 억제제로서는, 트리페닐포스핀 등의 인 함유 화합물; 트리부틸아민이나 테트라메틸에틸렌디아민, 벤조트리아졸 등의 질소 함유 화합물; 황 함유 화합물; 아세틸렌계 화합물; 하이드로퍼옥시 화합물; 말레산 유도체; 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 에티닐메틸데실카르비놀, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등의, 상기 (E) 성분의 백금족 금속계 촉매에 대하여 경화 억제 효과를 갖는 공지된 화합물이 예시된다.
반응 억제제에 의한 경화 억제 효과의 정도는 반응 억제제의 화학 구조에 따라 상이하기 때문에, 반응 억제제의 배합량은 사용하는 반응 억제제마다 최적의 양으로 조정하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 30질량부에 대하여 0.001 내지 5질량부이다. 배합량이 0.001질량부 이상이면, 실온에서의 조성물의 장기 저장 안정성을 충분히 얻을 수 있다. 배합량이 5질량부 이하이면 조성물의 경화가 저해될 우려가 없다.
그 외의 임의의 성분으로서는, 예를 들어 결정성 실리카, 중공 필러, 실세스퀴옥산 등의 무기질 충전제, 및 이들 충전제를 오르가노알콕시실란 화합물, 오르가노클로로실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 저분자량 실록산 화합물 등의 유기 규소 화합물에 의해 표면 소수화 처리한 충전제 등; 실리콘 고무 파우더, 실리콘 레진 파우더 등을 들 수 있다.
또한, 전사법에 있어서의 작업성을 양호하게 하기 위하여, 본 발명의 실리콘 수지 조성물의 점도는, 회전 점도계에 의한 25℃의 측정값으로 5 내지 100㎩·s가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 내지 50㎩·s이다.
[경화물]
또한, 본 발명은, 상기 다이본딩용 실리콘 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물을 제공한다.
본 발명의 실리콘 수지 조성물의 경화 방법, 조건으로서는 공지된 경화 방법, 조건을 채용할 수 있다. 일례로서는 100 내지 180℃에서 10분 내지 5시간의 조건에서 경화시킬 수 있다.
본 발명의 실리콘 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 열전도율은 1.0W/m·K 이상인 것이 바람직하고, 해당 경화물의 타입 D(Type D) 경도는 30 이상인 것이 바람직하다. 또한, 다이 셰어 강도는 25℃에서 15㎫ 이상인 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명의 실리콘 수지 조성물이면, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 접착력이 높으며, 칩에서 발생한 열을 효과적으로 방열할 수 있어서, 고강도의 경화물을 부여하는 실리콘 수지 조성물이 된다. 이와 같은 실리콘 수지 조성물은, 특히 LED 소자 등의 다이본딩에 사용되는 다이본드재로서 유용하다.
[실시예]
이하, 합성예, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 여기서 사용하는 각 기호는 하기 구조를 각각 나타내고 있다.
D: Si(CH3)2O
DVi: Si(CH=CH2)(CH3)O
MOH: SiOH(CH3)2O1 /2
MOMe: Si(OMe)3O1 /2
[합성예 1]
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 500mL의 4구 플라스크에 MOH 2D7DVi로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산(OH양: 0.18㏖/100g) 200g을 넣고, 교반하면서 하기 구조식 (Ⅰ)로 표시되는 화합물을 89g 적하하였다. 그 후, 85℃에서 2시간 혼합하여, 반응을 행하고, 25℃로 냉각하였다. 냉각 후, 메탄올 16g을 투입하여, 25℃에서 2시간 혼합한 후, 150℃에서 1시간 감압 농축을 행함으로써, MOMe 2D9DVi로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산 (D-1)을 얻었다.
Figure pat00011
[합성예 2]
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 500mL의 4구 플라스크에 MOH 2D27DVi 9로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산(OH양: 0.07㏖/100g) 200g을 넣고, 교반하면서 상기 구조식 (Ⅰ)로 표시되는 화합물을 33g 적하하였다. 그 후, 85℃에서 2시간 혼합하여, 반응을 행하고, 25℃로 냉각하였다. 냉각 후, 메탄올 16g을 투입하여, 25℃에서 2시간 혼합한 후, 150℃에서 1시간 감압 농축을 행함으로써, MOMe 2D29DVi 9로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산 (D-2)를 얻었다.
[합성예 3]
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 500mL의 4구 플라스크에 MOH 2D8로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산(OH양: 0.18㏖/100g) 200g을 넣고, 교반하면서 상기 구조식 (Ⅰ)로 표시되는 화합물을 89g 적하하였다. 그 후, 85℃에서 2시간 혼합하여, 반응을 행하고, 25℃로 냉각하였다. 냉각 후, 메탄올 16g을 투입하여, 25℃에서 2시간 혼합한 후, 150℃에서 1시간 감압 농축을 행함으로써, MOMe 2D10으로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산 (D-3)을 얻었다.
[실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 4]
표 1에 나타내는 배합량으로 하기 각 성분을 혼합하여, 실리콘 수지 조성물을 조제하였다. 또한, 표 1에서의 각 성분의 수치는 질량부를 나타낸다. 또한, 점도는 회전 점도계를 사용하여 측정한 25℃에서의 값이며, [Si-H]/[Si-Vi]값은, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분 중의 전체 규소 원자 결합 알케닐기에 대한 (C) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비를 나타낸다.
(A) 성분: (CH2=CH(CH3)2SiO1 / 2)2((CH3)2SiO)10으로 표시되는, 양 말단이 비닐기로 봉쇄된 직쇄상의 디메틸폴리실록산(25℃에서의 점도 8.7㎟/s)
(B) 성분: (CH2=CH(CH3)2SiO1 / 2)1.2((CH3)3SiO1/2)7 .4(SiO2)10으로 표시되는 분지상의 실리콘 레진(23℃에서 고체, 고형분에 대한 비닐기량 0.085㏖/100g)
(C) 성분: ((CH3)3SiO1 / 2)2((CH3)2SiO)14 .5(H(CH3)SiO)38로 표시되는 메틸하이드로겐폴리실록산
(D) 성분:
(D-1) 합성예 1에서 조제한 직쇄상 디메틸폴리실록산
(D-2) 합성예 2에서 조제한 직쇄상 디메틸폴리실록산
(D-3) 합성예 3에서 조제한 직쇄상 디메틸폴리실록산
(E) 성분: 6염화백금산과 1,3-디비닐테트라메틸디실록산의 반응 생성물의 실록산{점도 60㎟/s, 평균 분자식 (CH2=CH(CH3)2SiO1 / 2)2((CH3)2SiO)40} 용액(백금 함유량이 0.004질량%)
(F) 성분: 평균 입자 직경 0.9㎛의 진구상 알루미나(쇼와 덴코사 제조, AL-47-1)
(G) 성분: 제어제(1-에티닐시클로헥산올)
(H) 성분: 접착성 향상제(트리알릴이소시아누레이트)
실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 4에서 얻어진 실리콘 수지 조성물에 대하여, 하기의 평가를 행하고, 결과를 표 2에 나타내었다.
[경화물의 경도]
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 조성물을 150℃에서 2시간 가열하고, 얻어진 경화물의 타입 D 경도를 JIS K 6253에 준거하여 측정하였다.
[열전도율]
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 조성물을 150℃에서 2시간 가열하고, 얻어진 경화물을 세선 가열법(핫 와이어법, 교토 덴시 고교사 제조, 신속 열전도율계 QTM-500)에 의해 측정하였다.
[전사성]
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 조성물을, 다이본더(ASM사 제조, AD-830)를 사용하여, SMD5050 패키지(I-CHIUN PRECSION INDUSTRY CO.,사 제조, 수지 PPA)의 은 도금 전극부에 대하여, 스탬핑에 의해 정량 전사하고, 그 위에 광 반도체 소자(SemiLED사 제조, EV-B35A, 35mil)를 탑재했을 때의 작업성에 대하여 평가하였다. 전사가 가능하면 「양호」, 전사가 불가능했을 경우에는 「불량」으로 하였다.
[접착력]
상기 전사성의 평가 시험에서 제작한 패키지를 150℃의 오븐에서 2시간 가열하여, 실리콘 수지 조성물을 경화시켰다. 본드 테스터(Dage사 제조, Series4000)를 사용하여 다이 셰어 강도의 측정을 행하였다.
[블리드성]
전사성의 평가 시험에서 제작한 패키지를 25℃에서 1시간 정치시킨 뒤, 외관을 눈으로 보아 관찰하였다. 칩 주변에 삼출(블리드 아웃)이 발생해 있지 않으면 「양호」, 발생해 있으면 「불량」으로 하였다.
Figure pat00012
Figure pat00013
표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실리콘 수지 조성물을 사용한 실시예 1 내지 3에서는, 모두 경화물의 경도가 높고, 또한 알콕시기 및 알케닐기를 포함하는 (D) 성분이 웨터로서 작용함으로써, 열전도성 충전제를 고함유량으로 배합하더라도 전사성이 우수하고, 블리드 아웃이 없어, 다이본드재로서 우수한 것이 되었다. 또한, 이들 경화물은 다이 셰어 강도가 약 20㎫로 높고, 열전도율은 1.3W/m·K 이상으로 방열성이 매우 우수한 것을 알 수 있었다.
한편, 비교예 1에서는, 열전도성 충전제가 적기 때문에, 열전도율이 0.9W/m·K로 낮은 것이었다. 비교예 2에서는, 열전도성 충전제를 고밀도로 충전하여 열전도율이 높지만, 본 발명의 (D) 성분을 포함하지 않기 때문에 전사성이 떨어져 LED 칩을 고정할 수 없었다. 비교예 3에서는, (D) 성분이 알콕시기를 포함하지만 알케닐기를 갖지 않기 때문에, 열전도율은 높지만, 웨터의 블리드 아웃의 발생과 다이 셰어 강도의 저하를 초래하여, 제품의 외관 및 접착력을 손상시키는 결과가 되었다. 비교예 4에서는, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 (B) 성분의 배합량이 50질량부로 적으며, 다이 셰어 강도가 떨어지는 결과가 되었다.
이들 결과로부터, 본 발명의 실리콘 수지 조성물은, 기판에의 전사법에 있어서의 작업성이 양호하고, 블리드 아웃이 없으며, 접착력이 높고, 열전도율이 높은 경화물을 부여할 수 있음이 명확해졌다.
또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이더라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (4)

  1. (A) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 2개 가지며, 또한 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖지 않는, 25℃에서의 점도가 100㎟/s 이하인 직쇄상 오르가노폴리실록산,
    (B) 하기 평균 조성식 (1)로 표시되며, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인, 3차원 망상의 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
    (R1 3SiO1/2)a(R2R1 2SiO1/2)b(R2R1SiO)c(R1 2SiO)d(R2SiO3/2)e(R1SiO3/2)f(SiO4/2)g (1)
    (식 중, R1은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, R2는 알케닐기이고, a, b, c, d, e, f 및 g는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g≥0, b+c+e>0, e+f+g>0 및 a+b+c+d+e+f+g=1을 만족시키는 수),
    (C) 하기 평균 조성식 (2)로 표시되며, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 (D) 성분 중의 전체 규소 원자 결합 알케닐기에 대하여 상기 (C) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자가 0.5 내지 5.0배몰이 되는 양,
    R3 hHiSiO(4-h-i)/ 2 (2)
    (식 중, R3은 동일 또는 상이해도 되며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, h 및 i는 0.7≤h≤2.1, 0.001≤i≤1.0 및 0.8≤h+i≤3.0을 만족시키는 양수임),
    (D) 규소 원자에 결합한 알케닐기를 1분자 중에 적어도 1개 가지며, 분자쇄 양 말단에 규소 원자에 결합한 알콕시기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 3 내지 30질량부,
    (E) 백금족 금속계 촉매: 상기 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계량에 대하여, 촉매 금속 원소의 질량 환산으로 1 내지 500ppm, 및
    (F) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만인 열전도성 충전제: 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 합계 30질량부에 대하여 100 내지 300질량부
    를 포함하는 것임을 특징으로 하는 다이본딩용 실리콘 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (F) 성분이 산화아연 및 알루미나로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것임을 특징으로 하는 다이본딩용 실리콘 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (D) 성분이 하기 식 (3)으로 표시되는 실록산 화합물인 것을 특징으로 하는 다이본딩용 실리콘 수지 조성물.
    Figure pat00014

    (식 중, 실록산 반복 단위의 배열은 임의이고, m 및 n은 각각 1≤m≤50, 0≤n≤100을 만족시키는 양수임)
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 다이본딩용 실리콘 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물.
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