NL9301406A

NL9301406A - Dunne filmtransistorenreeks en daarvan gebruikmakende vloeibare kristalweergeefinrichting.

Info

Publication number: NL9301406A
Application number: NL9301406A
Authority: NL
Original assignee: Casio Computer Co Ltd; Oki Electric Ind Co Ltd
Priority date: 1992-08-13
Filing date: 1993-08-13
Publication date: 1994-03-01
Also published as: CN1083598A; NL194873C; US5504348A; KR940004375A; NL194873B; CN1065051C; KR100228520B1

Description

Korte aanduiding: Dunne filmtransistorenreeks en daarvan gebruikmakendevLoei ba re kristaLweergeefinrichting.

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een dunnefilmtransistorenreeks die in een vloeibare kristalweergeefinrichting(LCD-inrichting) wordt gebruikt, waarin met dunne fiLmtransistorenverbonden weergeefelektroden in een matrix zijn ingericht, en een vande dunne filmtransistorenreeks gebruikmakend LCD-apparaat.

Conventioneel is een vloeibare kristalweergeefinrichting vanhet active matrixtype bekend, die gebruik maakt van een dunne film-transistorenreeks (waarnaar hierna wordt verwezen als "TFT-LCD"), waarindunne filmtransistoren ("TFT's") en beeldelementelektroden in een matrixzijn gerangschikt.

Een voorbeeld van een dergelijke conventionele TFT-LCD is aande openbaarheid prijsgegeven in Japanse octrooiaanvrage KOKAI publicatienr. 59-166 984. Figuur 32 laat een vervangingsschema van de in dezeTFT-LCD gebruikte TFT-reeks zien.

Zoals in figuur 32 is getoond, zijn in de TFT-reeks adreslijnen2 en gegevenslijnen 3 zodanig in rijen en kolommen op een transparantisolerend substraat 1 ingericht, dat de adreslijnen 2 de gegevenslijnen 3eLkaar Loodrecht kruisen. TFT's 4, waarvan de poorten met de adreslijnen 2 zijn verbonden en waarvan de afvoeren met de gegevenslijnen 3 zijnverbonden, zijn op de kruisingen van de adreslijnen 2 en gegevenslijnen 3 in een matrix ingericht. Met de toevoeren van de TFT's 4 verbondenbeeldelementelektroden zijn in een matrix ingericht. Een kortsluit-bedrading of kortsluitring 6 is op een buitenste omtreksgedeeLte vanhet transparante isolerende substraat 1 Langs de buitenomtrek van hetsubstraat 1 gevormd. De gegevenslijnen 2 en adreslijnen 3 zijn via hunaansluitklemgedeelten 2a en 3a elektrisch met de kortsluitbedrading 6verbonden.

Nadat de verwerking van de TFT-reeks is voltooid, wordt hetsubstraat 1 Langs in figuur 32 getoonde onderbroken lijnen 7 gesneden.

Dan wordt het substraat 1 verbonden met een tegenover gelegen substraatdat tegenover gelegen elektroden met een van tevoren bepaalde afstanddaartussen heeft, en wordt een vloeibaar kristalmateriaal tussen de2esubstraten afgedicht. Aldus is een LCD-inrichting gevormd.

Bij het fabricageproces van deze TFT-reeks treedt statischegelijkstroomelektriciteit op, terwijl het substraat aan een plasma wordtblootgesteld of aan een wrijfproces wordt onderworpen. Aangezien echteralle adreslijnen 2 en gegevenslijnen 3 met de kortsluitbedrading 6 zijnverbonden, wordt de potentiaal van alle adreslijnen 2 en gegevenslijnen 3vereffend en is het mogelijk een probleem van diëlektrische doorslag ofkortsluiting ten gevolge van een ontlading van statische elektriciteittussen elektroden te voorkomen.

Bij het fabricageproces van de van de TFT-reeks gebruikmakendeconventionele LCD-inrichting wordt echter de TFT-reeks met een tegenovergelegen substraat verbonden via een afdichtonderdeel en wordt dan dekortsluitbedrading 6 langs onderbroken Lijnen 7 gesneden en verwijderd.Aldus kan er, dankzij statische elektriciteit die bij de opvolgendefabricagestappen van het aanhechten van een polariserende plaat, hetverbinden van een aanstuurschakeling, enz., diëlektrische doorslag,Lijnonderbreking, een karakteristiekvariatie van de TFT's, enz. optreden,hetgeen resulteert in een weergeefdefect in de LCD-inrichting. Dien¬tengevolge kan een fabricage-opbrengst slechter worden.

Figuur 33 laat een structuur voor het voorkomen van diëlek¬trische doorslag, enz. , ten gevolge van statische elektriciteit in deLCD-inrichting, nadat de TFT-reeks is voLtooid, zien. Een kortsluit¬bedrading 8 is gevormd tussen een weergeefgebied, waarin de met de TFT's 4verbonden beeldelementelektroden 5 in een matrix zijn ingericht, en eenaansluitklemmenreekssectie, waarin de aansluitklemgedeelten 3a vangegevenslijnen 3 en de aansluitklemgedeelten 2a van adreslijnen 2 zijningericht, zodanig dat de kortsluitbedrading 8 het weergeefgebied omgeeft.De kortsluitbedrading 8 is met de gegevenslijnen 3 en adreslijnen 2verbonden door beschermingselementen 9 die elk een aantal dioden omvattenen zijn ontworpen om niet-lineaire stroom-spanningskarakteristieken tehebben, zoals in figuur 34 is getoond.

In de TFT-reeks, die de beschermingselementen 9 heeft, worden debeschermingselementen 9 aangeschakeld, indien statische elektriciteitoptreedt, nadat de in figuur 32 getoonde kortsluitbedrading 6 is gesnedenen een hoge spanning tussen de kortsluitbedrading 6 en de gegevenslijnen 3en adreslijnen 2 wordt aangelegd. Als een resultaat wordt een spannings¬verschil tussen de gegevenslijnen 3 en adreslijnen 2 geëlimineerd, en kan diëlektrische doorslag tussen de gegevenslijnen 3 en adreslijnen 2 wordenvoorkomen.

De structuur van de hierboven beschreven beschermingselementenis echter complex, en andere stappen dan die voor het vormen van TFT'szijn vereist. Aldus neemt het aantal stappen voor het fabriceren van hetTFT-paneel toe en verslechtert de fabricage-opbrengst van TFT's aanzien¬lijk dankzij het toegenomen aantal stappen.

De in figuren 32 en 33 getoonde conventionele TFT-panelen hebbeneen probleem, doordat het TFT-paneel een Laag elektrostatisch vernieti-gingsvoorkomingseffect heeft ten opzichte van pulserende statischeelektriciteit, die wordt opgedrukt, wanneer het TFT-paneel wordtgehanteerd door bedieningspersonen, wanneer het TFT-paneel in contactwordt gebracht met een geëlektrificeerd fabricage-apparaat, wanneer dewrijfrol het substraat nadert, of wanneer het substraat wordt gesneden,op welk moment de meeste elektrostatische vernietiging optreedt.

Verder vloeit in het TFT-paneeL, dat de in figuur 32 getoondebeschermingselementen heeft, een lekstroom tussen de adreslijnen 2 engegevenslijnen 3 via de beschermingselementen 9. Aldus treedt veeloverspraak op, verslechtert de weergeefkwaliteit en wordt veel stroomverbruikt.

Het doel van de onderhavige uitvinding is om te voorzien in eendunne fiImtransistorenreeks die de mogelijkheid van het hiervoor genoemdeweergeefdefect ten gevolge van statische elektriciteit van een vloeibarekristalweergeefinrichting kan reduceren, de opbrengst kan doen toenemen enhet vermogensverbruik kan verlagen met gemakkelijke fabricage, en om tevoorzien in een vloeibare kristalweergeefinrichting die gebruik maakt vande dunne fiImtransistorenreeks.

Teneinde dit doel te bereiken, is er voorzien in een TFT-reeksdie een aantal in een matrix op een isolerend substraat ingerichte beeld-elementelektroden omvat, een aantal respectievelijk met de beeldelement-elektroden verbonden dunne fiImtransistoren, een aantal met een aantalstuurelektroden van de dunne fiImtransistoren verbonden adreslijnen eneen aantal op een zodanige manier ingerichte gegevenslijnen, dat dit deadreslijnen kruist, waarbij elke gegevenslijn is verbonden met een aantalgegevensingangselektroden van de dunne fiImtransistoren, waarbij er isvoorzien in kortsluitbedrading die is gevormd buiten een weergeefgebied, waarop de beeLdelementelekt roden zijn ingericht, en een twee-aansluit-klemmenelement voor het verbinden van de kortsluitbedrading met ten minstetwee Lijnen van de adreslijnen en de gegevenslijnen, waarbij het twee-aansluitklemmenelement niet-Lineaire weerstandkarakteristieken heeft,die spannings/stroomkarakteristieken op basis van een ruimteladings-begrensde stroom bepalen.

In overeenstemming met deze uitvinding kan het niet-lineairedunne fiImweerstandelement worden gefabriceerd gedurende het proces vanhet fabriceren van de dunne fiLmtransistor (TFT), zonder te voorzien inwelke speciaLe fabricagestap dan ook. Aldus kan het twee-aansluitklemmen-element voor het voorkomen van elektrostatische doorslag worden gevormdzonder het aantal fabricagestappen van het TFT-paneel te doen toenemen.Dienovereenkomstig kan de fabricage-opbrengst van de TFT's wordenverhoogd.

In de onderhavige uitvinding is het wenselijk dat het niet-lineaire dunne fiImweerstandelement een niet-lineair dunne fiImweerstand¬element van het dubbele injectietype is, waarin gaten en elektronen alsladingsdragers worden geïnjecteerd, of een niet-lineair dunne film-weerstandelement van het elektroneninjectietype, waarin elektronen aLs eenLadingsdrager worden geïnjecteerd. Het niet-Lineaire dunne fiImweerstand¬element van het dubbele injectietype wordt gevormd door het verbinden vanelektroden met beide einden van een niet met een onzuiverheid gedoteerdegehydrogeneerde amorfe siliciumfilm die op het isolerende substraat isgevormd. Het niet-Lineaire dunne fiImweerstandelement van het elektronen¬injectietype wordt gevormd door het verbinden van elektroden met beideeinden van een niet met een onzuiverheid gedoteerde gehydrogeneerde amorfesiliciumfilm die op het isolerende substraat is gevormd via een n-typeamorfe siliciumfilm die met n-type onzuiverheden is gedoteerd.

In overeenstemming met een ander aspect van de uitvinding is ervoorzien in een TFT-reeks die een aantal in een matrix op een isolerendsubstraat ingerichte beeldelementelektroden omvat, een aantal respec¬tievelijk met de beeldelementelektroden verbonden dunne fiImtransistoren,een aantal met een aantal stuurelektroden van de dunne fiImtransistorenverbonden adreslijnen en een aantal op een zodanige manier ingerichtegegevens lijnen dat dit de adreslijnen kruist, waarbij elke gegevenslijnis verbonden met een aantal gegevensingangselektroden van de dunne film- transistoren, waarbij er is voorzien in een aantal elektrisch geïsoleerdekortsluitorganen dat buiten een weergeefgebied op het isolerende substraatis gevormd, waarop de beeldelementelektroden zijn ingericht, waarbij dekortsluitorganen zijn verbonden met ten minste twee van de adreslijnen ende gegevenslijnen.

In overeenstemming met deze uitvinding zijn de adreslijnen viade kortsluitbedrading met de gegevenslijnen verbonden. Aldus wordt eenhoge potentiaaL dankzij pulsachtige statische elektriciteit die het vaakstgedurende het TFT-fabricageproces optreedt, niet over de adreslijn engegevenslijn opgedrukt, en kan elektrostatische doorslag worden voorkomen.

De hierboven beschreven uitvinding kan een structuur hebben,waarin de kortsluitingsorganen buiten het weergeefgebied en binnen deaansluitklemmeninrichtingssectie van de adres- en gegevenslijnen zijngevormd, en een kortsluitorgaan een twee-aansluitklemmenelement is, datniet-Lineaire weerstandskarakteristieken heeft en is verbonden met deadres- en gegevenslijnen. In dit geval kan het twee-aansluitklemmenelementals het kortsluitorgaan zijn verbonden tussen twee of meer adreslijnen entwee of meer gegevenslijnen. Verder kan de kortsluitbedrading buiten hetaansluitklemmeninrichtingsgebied van de adres- en gegevenslijnen zijngevormd. De kortsluitbedrading kan een twee-aansluitklemmenelement zijn,dat niet-lineaire weerstandkarakteristieken heeft en buiten het weergeef¬gebied en binnen het aansluitklemmeninrichtingsgebied is gevormd, en hettwee-aansluitklemmenelement kan eerste kortsluitbedrading omvatten, die isverbonden met de adres- en gegevenslijnen, en tweede kortsluitbedradingdie buiten het aansluitklemmeninrichtingsgebied is gevormd. Bovendienkunnen de kortsluitorganen de buiten het weergeefgebied en binnen hetaansluitklemmeninrichtingsgebied gevormde kortsluitbedrading omvatten,en een buitenste kortsluitbedrading die buiten het aansluitklemmen-inrichtingsgebied is gevormd en de adreslijnen en gegevenslijnen verbindt.

In overeenstemming met nog een ander aspect van de uitvindingis er voorzien in een vloeibaar kristalweergeefelement dat de TFT-reeksomvat, een tweede isolerend substraat dat ligt tegenover een oppervlakvan het eerste isolerende substraat, waarop in de TFT-reeks is voorzien,waarbij een vloeibare kristallaag met een van tevoren bepaalde dikte daartussenin is aangebracht, waarbij het tweede isolerende substraat eenoppervlak heeft, dat is voorzien van tegenover gelegen elektroden die tegenover de beeIdelementelekt roden liggen, en een potentiaal toevoer-inrichting, die elektrisch met de kortsluitorganen is verbonden, voor hetaan de kortsluitorganen aanleggen van een van tevoren bepaalde potentiaal.

In overeenstemming met de vloeibare kristalweergeefinrichtingvan de uitvinding wordt de potentiaal van de kortsluitorganen op een vantevoren bepaald niveau ingesteld, en neemt daardoor een lekstroom, die viahet aansluitklemelement vloeit, af, neemt het vermogensverbruik af, neemtde overspraak af en wordt de weergeefkwaliteit verbeterd.

In deze weergeefinrichting is het wenselijk dat de aan dekortsluitorganen aangelegde potentiaal in hoofdzaak gelijk is aan de aande tegenover gelegen elektroden aangelegde potentiaal, die in hoofdzaakgelijk is aan een laagste potentiaal van het aan de gegevens lijnentoegevoerde signaal, of een potentiaal is, die is gesynchroniseerd met eengeïnverteerde periode van het gegevenssignaal dat aan de gegevens Lijnenwordt toegevoerd en is geïnverteerd met dezelfde potentiaal en dezelfde oftegengestelde fase met betrekking tot een potentiaal die aan de op hettweede substraat gevormde tegenover gelegen elektroden wordt aangelegd.

Aanvullende doelen en voordelen van de uitvinding zullen wordenuiteengezet in de volgende beschrijving, en zullen ten dele voor de handLiggend zijn op basis van de beschrijving, of kunnen worden geleerd doorhet in de praktijk brengen van de uitvinding. De doelen en voordelen vande uitvinding kunnen worden verwezenlijkt en verkregen door middel vande maatregelen en combinaties die in het bijzonder in de aangehechteconclusies zijn uiteengezet.

De begeleidende tekening die is opgenomen in en deel uitmaaktvan de beschrijving, illustreert thans de voorkeur hebbende uitvoerings¬vormen van de uitvinding, en dient samen met de hierboven gegeven algemenebeschrijving en de hieronder gegeven gedetailleerde beschrijving van de devoorkeur hebbende uitvoeringsvormen om de principes van de uitvinding toete lichten.

Figuur 1 is een bovenaanzicht dat een TFT-reeks in overeen¬stemming met een eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding Laatzien; figuur 2 is een aanzicht in doorsnede van een vloeibare kristal¬weergeefinrichting (LCD-inrichting) die de TFT-reeks van de onderhavigeuitvinding gebruikt; figuur 3 is een gedeeltelijk vergroot aanzicht dat een deel vande in figuur 1 getoonde TFT-reeks laat zien; figuur 4 is een aanzicht in doorsnede van de langs lijn IV-IV infiguur 3 genomen TFT-doorsnede; figuur 5 is een gedeeltelijk vergroot aanzicht dat een twee-aansluitklemmenelementgedeelte van de in figuur 1 getoonde TFT-reeks laatzien; figuur 6 is een aanzicht in doorsnede van het langs lijn VI-VIin figuur 5 genomen twee-aansLuitklemmenelementgedeelte; figuur 7 is een grafiek die spanning/stroomkarakteristieken vanhet in figuur 6 getoonde twee-aansluitklemmenelement laat zien; figuren 8A tot en met 8E zijn aanzichten voor het illustrerenvan sequentiële stappen voor het vervaardigen van het TFT-gedeelte van deTFT-reeks; figuren 9A tot en met 9E zijn aanzichten voor het illustrerenvan sequentiële stappen voor het fabriceren van het twee-aansluitklemmen-elementeninrichtingsgedeelte van de TFT-reeks; figuren 10A tot en met 1OE zijn aanzichten voor het illustrerenvan sequentiële stappen voor het fabriceren van de kruisingsgedeelten vande kortsluitbedrading en adreslijnen van de TFT-reeks en de verbindings-gedeelten van de kortsluitbedrading; figuur 11 is een bovenaanzicht dat een modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm laat zien; figuur 12 is een gedeeltelijk vergroot aanzicht dat een twee-aansluitklemmeninrichtingsgedeelte van een TFT-reeks in overeenstemmingmet een tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding laat zien; figuur 13 is een aanzicht in doorsnede van het twee-aansluit-klemmeninrichtingsgedeelte dat Langs Lijn XIII-XIII in figuur 12 isgenomen; figuur 14 is een grafiek die de spanning/stroomkarakteristiekenvan het in figuur 13 getoonde twee-aansluitklemmenelement laat zien; figuren 15A tot en met 15E zijn aanzichten voor het illustrerenvan sequentiële stappen voor het fabriceren van het twee-aansluitklemmen-inrichtingsgedeelte van de TFT-reeks; figuur 16 is een aanzicht in doorsnede dat een modificatie vanhet TFT-gedeelte in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding Laat zien; figuur 17 is een aanzicht in doorsnede dat een modificatie vanhet twee-aansLuitklemmeninrichtingsgedeelte in overeenstemming met detweede uitvoeringsvorm van de uitvinding Laat zien; figuur 18 is een bovenaanzicht dat een TFT-reeks in overeen¬stemming met een derde uitvoeringsvorm van de uitvinding Laat zien; figuur 19 is een bovenaanzicht dat een eerste modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de derde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 20 is een bovenaanzicht dat een tweede modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de derde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 21 is een bovenaanzicht dat een TFT-reeks in overeen¬stemming met een vierde uitvoeringsvorm van de uitvinding Laat zien; figuur 22 is een vergroot bovenaanzicht van een twee-aansluit-kLemmeninrichtingsgedeeLte van de in figuur 21 getoonde TFT-reeks; figuur 23 is een aanzicht in doorsnede van het twee-aansLuit-kLemmeninrichtingsgedeeLte dat Langs Lijn ΧΧΙΙΙ-ΧΧΙΠ in figuur 21 isgenomen; figuur 24 is een bovenaanzicht dat een eerste modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 25 is een bovenaanzicht dat een tweede modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 26 is een bovenaanzicht dat een derde modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm laat zien; figuur 27 is een bovenaanzicht dat een vierde modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 28 is een bovenaanzicht dat een vijfde modificatie van deTFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm Laat zien; figuur 29 Laat schematisch de structuur van een LCO-apparaat inovereenstemming met een vijfde uitvoeringsvorm van de uitvinding zien; figuur 30 Laat een vervangingsschema van het LCD-apparaat zien,zoals gezien vanaf de verbindingsaansluitklem van een gegevensLijn; figuren 31A tot en met 31D Laten spanningsgoLfvormen van aan deverbindingsaansluitklemmen van de Lijnen van het LCD-apparaat in overeen¬stemming met de vijfde uitvoeringsvorm zien; figuur 32 is een bovenaanzicht dat een conventionele TFT-reeks

Laat zien; figuur 33 is een bovenaanzicht dat een andere conventioneleTFT-reeks laat zien; en figuur 34 is een grafiek die V-I-karakteristieken van de in dein figuur 33 getoonde TFT-reeks gebruikte twee-aansluitklemmeninrichtingLaat zien.

Uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding zullen nugedetailleerd onder verwijzing naar de begeleidende tekening wordenbeschreven.

Figuur 1 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vaneen TFT-reeks in overeenstemming met een eerste uitvoeringsvorm van deonderhavige uitvinding laat zien, en figuur 2 is een aanzicht in doorsnedevan een vloeibare kristalweergeefinrichting (TFT-LCD) van het actievematrixtype die gebruik maakt van de TFT-reeks van de onderhavigeuitvinding.

Zoals in figuur 2 is getoond, omvat een vloeibare kristal¬weergeefinrichting (LCD-inrichting), die gebruik maakt van een TFT-reeksin overeenstemming met de onderhavige uitvinding, een TFT-reeks 110 dieeen oriëntatiefilm 20 heeft, die is gevormd om beeldelementelektroden 15en TFT's 14 te bedekken, een tegenover gelegen substraat 24 dat eentegenover gelegen elektrode 22 heeft, die is gericht naar de beeldelement-elektrode 15 en een oriëntatiefilm 23 die de tegenover gelegen elektrode22 bedekt, een vloeibare kristallaag (LC-laag) 21 met een van tevorenbepaalde dikte die is aangebracht tussen het tegenover gelegen substraat24 en TFT-reeks 110, en een afdichtonderdeel voor het verbinden van hettegenover gelegen substraat 24 en TFT-reeks 110 met een van tevorenbepaalde afstand daartussen.

De TFT-reeks 110 heeft de volgende structuur. Adreslijnen 12die zich in rijen uitstrekken en gegevenslijnen 13 die zich in kolommenuitstrekken, zijn ingericht op een transparant isolerend substraat 11,zodanig dat de adreslijnen 12 de gegevenslijnen 13 Loodrecht op eenwederzijds geïsoleerde manier kruisen. TFT's 14 en beeldelektroden 15 zijnaangebracht op kruisingen van de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13. DeTFT's 14 zijn elektrisch met de lijnen 12 en 13 verbonden, en de beeld¬elementelektroden 15 zijn elektrisch met de TFT's 14 verbonden. Debeeldelementelektroden 15 zijn in rijen en kolommen ingericht om eenweergeefgebied te vormen.

Een kortsluitbedrading of kortsluitring 16, die is gemaakt vaneen elektrisch geleidende film, is bij een buitenste omtreksgedeelte vanhet substraat 11 gevormd. De adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 strekkenzich uit vanaf het weergeefgebied en zijn elektrisch met de kortsluit¬bedrading 16 verbonden. De kortsluitbedrading 16 wordt uitgesneden Langsonderbroken lijnen 17 in figuur 1, nadat het fabricageproces van deTFT-reeks 110 is voltooid of nadat het tegenover gelegen substraat 24 datnaar de TFT-reeks 110 is gericht, is verbonden bij het proces van hetvormen van LC-cellen.

Een kortsluitbedrading 18, die het weergeefgebied omgeeft,is gevormd in de nabijheid van de buitenste rand van het weergeefgebieden binnen de uitsnijLijnen 17, zodanig dat de kortsluitbedrading 18 deadreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 op een geïsoLeerde manier kruist.

Een gegevenslijnverbindingsgedeelte 18a van de kortsluitbedrading 18, datin hoofdzaak evenwijdig aan de adreslijnen 12 is, is op het substraat 11gevormd. Een adreslijnverbindingsgedeelte 18b van de kortsluitbedrading18, dat in hoofdzaak evenwijdig aan de gegevenslijnen 13 is, is gevormdop een (Later beschreven) poortisolerende film 42. De kortsluitbedrading18 is verbonden met de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 door twee-aansluitklemmenelementen (SCLC-elementen) 19 die niet-lineaire spanning/-stroomkarakteristieken hebben, die worden bepaald door een ruimteladings-begrensde stroom.

Figuren 3 en 4 laten de structuren van de TFT 14 en beeld-elementelektrode 15 zien, die zijn ingericht bij een kruising tussen deadreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 van de TFT-reeks 110. Zoals in dezefiguren is getoond, kruisen de adreslijnen 12 de gegevenslijnen 13 viapoortisolerende films 42 en (later beschreven) kruisingsisolerende films21. In de nabijheid van de kruising is er voorzien in TFT 14 die eenpoortelektrode 41 heeft, die is verbonden met de adreslijn 12, en eenafvoerelektrode 46 die is verbonden met de gegevenslijn 13. De toevoer-elektrode van de TFT 14 is verbonden met de beeldelementelektrode 15.

De TFT 14 heeft de volgende structuur. De poortelektrode 41die uitsteekt vanaf de adreslijn 12 en de poortisolerende film 42 die depoortelektrode 41 bedekt, zijn op het substraat 11 gevormd. Een half-geleiderfilm 43 van amorf silicium is gevormd op de poortisolerende film42 op een plaats boven de poortelektrode 41, en aldus is een inrichtings- gebied gevormd. Een blokkeringslaag 44 van siLiciumnitride is gevormd opeen kanaalgedeelte van de halfgeleiderfilm 43. Aan een zijde van de half-geleiderfilm 43 is de afvoerelektrode 46 gevormd via een ohmse contactLaag45 die is gemaakt van een met onzuiverheid gedoteerde halfgeleider. Deafvoerelektrode 46 is verbonden met de gegevenslijn 13. Aan de anderezijde van de halfgeleiderfilm 43 is de toevoerelektrode 48 via een van eenmet onzuiverheid gedoteerde halfgeleider gemaakte ohmse contactLaag 47gevormd. De toevoerelektrode 48 is verbonden met de weergeefelektrode 15die is gemaakt van een transparante elektrisch geleidende film. Bovendienis een beschermingsfilm 49 op de TFT 14 gevormd.

Figuren 5 en 6 laten de structuur van de kortsluitbedrading 18zien, die is ingericht om de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 tesnijden, en de structuur van het SCLC-element 19 dat is verbonden tussende kortsluitbedrading 18 en de adres- en gegevenslijnen 12 en 13.

Specifiek is het bij een verbindingsgedeelte tussen de adreslijn 12 enkortsluitbedrading 18 gevormde SCLC-element 19 zodanig geconstrueerd, dateen eilandvormige halfgeleiderfilm 91 is gevormd op de poortisolerendefilm 42 die de op het substraat 11 gevormde adreslijn 12 bedekt. Verder iseen halfgeleiderbeschermingslaag 92 voor het scheiden van twee elektrodenen het beschermen van de halfgeleiderfiLm 91 op de halfgeleiderlaag 92gevormd, en zijn elektroden 94 en 96 gevormd aan beide zijgedeelten van dehalfgeleiderfiLm 91, waartussen de beschermingslaag 92 is gevormd. Een vande elektroden, 94, is via een in de poortisolerende film 42 gevormd gat42a met de adreslijn 12 verbonden. De andere elektrode, 96, is direkt metde bovenste kortsluitbedradingssectie 18b van de kortsluitbedrading 18verbonden. Deze twee-aansluitklemmeninrichtingsgebieden zijn bedektdoor de beschermingsfilm 49. Het bij een verbindingsgedeelte tussen degegevenslijn 13 en kortsluitbedrading 18 gevormde SCLC-element 19 isgelijksoortig opgebouwd. Ofschoon dit niet is getoond, is een van deelektroden, 94, direkt verbonden met de gegevenslijn 13 en is de andereelektrode, 96, verbonden met de benedenste kortsluitbedradingssectie18b van de kortsluitbedrading 18 via een in de poortisolerende film 42gevormd gat.

Voor wat betreft de structuur van het SCLC-element 19, dat infiguren 5 en 6 is getoond, is een ohmse contactLaag niet aangebrachttussen beide elektroden 94 en 96 enerzijds en de halfgeleiderfilm 91 anderzijds. Aldus is een niet-lineair dunne fiLmweerstandelement van hetdubbele injectietype, waarin zowel elektronen als gaten als ladingsdragersworden geïnjecteerd, gevormd. Specifiek worden, zoals in figuur 7 isgetoond, de elektronen en gaten in het SCLC-element op een lokaal niveauin een bandafstand van amorf silicium ingevangen in overeenstemming meteen toeneming in aangelegde elektrische veldspanning, en wordt een ruimte-lading voortgebracht. Als een resultaat verschuift een Fermi-niveau naarde geleidingsband, neemt de geleidingselektronendichtheid toe, en neemt destroom ongeacht spanning snel toe. Indien het aangelegde elektrische veldverder toeneemt, beginnen de gaten door het eLement te Lopen en neemt deinjectiehoeveelheid van ladingsdragers toe. Injectie wordt overheersendten opzichte van recombinatie. Stroomvloeiing wordt vergemakkelijkt doordubbele injectie van gaten en elektronen. Dienovereenkomstig vloeit,wanneer een hoogspanning aan de adreslijnen 12 en/of gegevenslijnen 13wordt aangelegd, ten gevolge van statische elektriciteit, een grote stroomen wordt een wezenlijke kortsluitingstoestand tot stand gebracht.

In overeenstemming met deze uitvoeringsvorm is de kortsluit-bedrading 18, die het weergeefgebied omgeeft, gevormd in de nabijheidvan de buitenste rand van het weergeefgebied en binnen de uitsnijlijnen,zodanig dat de kortsluitbedrading 18 de adreslijnen 12 en gegevenslijnen13 op een geïsoleerde manier kruist. De kortsluitbedrading 18 is elek¬trisch verbonden met de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 door deSCLC-elementen 19 die de hierboven genoemde hoge niet-lineaire spanning/-stroomkarakteristieken hebben. Aldus vloeit in het geval, waarin een hogespanning, ten gevolge van statische elektriciteit, aan ten minste een vande adreslijn 12 of gegevenslijn 13 wordt aangelegd, nadat de kortsluit-bedrading 16 is uitgesneden langs onderbroken Lijnen 17, volgend op devoltooiing van het fabricageproces van de TFT-reeks of het verbinden vanhet tegenover gelegen substraat dat is gericht naar de TFT-reeks bij hetproces voor het vormen van LC-cellen, een grote stroom door het SCLC-element 19 om de potentialen van de adreslijn 12 en de gegevenslijn 13te vereffenen. Daardoor wordt, zelfs indien een hoge spanning ten gevolgevan statische elektriciteit aan de adreslijn 12 of gegevenslijn 13 wordtaangelegd na het uitsnijden van de kortsluitbedrading, isolatie tussen delijnen 12 en 13 of tussen de poortelektrode 41 en afvoerelektrode 46 vande TFT 14 niet verslechterd, noch gaat deze verloren.

De van de TFT-reeks gebruikmakende LC-weergeefinrichting wordt normaal aangestuurd door een spanning van ongeveer 25V. Aldus is, zoals in figuur 7 is getoond, de weerstand van het SCLC-element 19 in dit spanningsgebied voldoende hoog, en is een lekstroom die vloeit tussen de adreslijnen 12, tussen de gegevens Lijnen 13 en tussen de adreslijnen 12 -9 -7 en gegevenslijnen 13 zeer laag in de orde van 10 tot en met 10 A. Aldusis de invloed op aan de beeldelementelektroden 15 aangelegde gegevens-signalen laag en kunnen heldere beelden worden weergegeven. Verder kunnen,nadat de kortsluitbedrading is gesneden, elektrische inspecties met hetoog op lijnonderbreking of kortsluiting worden uitgevoerd en kunnen dekarakteristieken van de TFT's elektrisch worden gemeten.

Een proces voor het fabriceren van de hierboven genoemdeTFT-reeks zal nu onder verwijzing naar figuren 8A tot en met 10E wordenbeschreven. Figuren 8A tot en met 8E laten de sequentiële stappen zienvoor het fabriceren van het TFT-gedeelte, figuren 9A tot en met 9E latende sequentiële stappen voor het fabriceren van het SCLC-element zienen figuren 10A tot en met 10E laten de sequentiële stappen voor hetfabriceren van de kruisingsgedeelten tussen de adreslijnen 12 en het opde adreslijnen 12 gevormde gegevenslijnverbindingsgedeelte 18b zien ende contactgedeelten 18c tussen het gegevenslijnverbindingsgedeelte 18aen adreslijnverbindingsgedeelte 18b die boven en onder de kortsluit¬bedrading 18 zijn gevormd.

Een dunne metaal- of legeringsfilm van Cr, Ai, Ta, Ti, enz.wordt op een transparant isolerend substraat 11 van glas, enz. door middelvan sputteren aangebracht. Selectief etsen wordt uitgevoerd om een infiguur 8A getoonde poortelektrode 41 te vormen en een adreslijn 12 en eenbenedenste gegevenslijnverbindingsgedeelte 18a (waarnaar hierna wordtverwezen als "benedenste kortsluitbedradingssectie"), dat in figuren 9Aen 10A is getoond. In deze stappen wordt gelijktijdig een kortsluit¬bedrading 16 aan een buitenste omtreksgedeelte van het in figuur 1getoonde substraat 11 gevormd.

Drie dunne films, d.w.z. een siliciumnitridefilm die dient alspoortisolerende film 42, een amorfe siliciumfilm 43a die dient als eenhalfgeleiderlaag 43 en een siliciumnitridefiLm die dient als een blokke-ringslaag 44 worden achtereenvolgens door plasma-CVD-processen op hetsubstraat 11 gevormd, waarop de poortelektrode 41, enz. zijn gevormd. Niet noodzakeLijke gedeelten worden verwijderd om slechts de gedeelten van deallerbovenste siLiciumnitridefilm achter te laten, die overeenkomen methet kanaalgedeelte van de TFT 14, zoals in figuur 8B is getoond, de half-geleiderbeschermingslaag 92 van het SCLC-element 19, zoals in figuur 9Bis getoond, en het kruisingsgedeelte tussen de adreslijn 12 en de bovenstekortsluitbedradingssectie 18b (die later wordt beschreven), zoals infiguur 10B is getoond. Aldus worden de blokkeringslaag 44, halfgeleider-beschermingslaag 92 en isolerende film 21 tussen lijnen gevormd.

Het onzuiverheden gedoteerde amorfe siliciumlagen, die zullendienen als ohmse contactlagen 45 en 47 worden door een plasma-CVD-procesop het totale bovenoppervlak van deze amorfe siliciumfilm op het substraat11 gevormd, waarop de blokkeringslaag 44, enz. zijn gevormd. Daaropvolgendworden achtereenvolgens dunne metaalfilms van Cr, enz. door een sputter-proces aangebracht. Daarna worden achtereenvolgens de dunne metaalfilms opandere gebieden dan het inrichtingsgebied van TFT 14, de met onzuiverheidgedoteerde amorfe siliciumlagen en de amorfe siliciumfiIms weggeëtst.Daarenboven worden de dunne metaalfilms op de blokkeringslaag 44 van deTFT en op de halfgeleiderbeschermingslaag 92 en de met onzuiverheidgedoteerde amorfe siliciumlagen weggeëtst. Aldus worden, zoals in figuur8C is getoond, de toevoerelektrode 48 en afvoerelektrode 46 van de TFT 14en het inrichtingsgebied gevormd, en wordt, zoals in figuur 9C is getoond,het inrichtingsgebied van het SCLC-element 19 gevormd. Verder wordt,zoals in figuur 10C is getoond, de amorfe siliciumfilm 43a verwijderd,behalve het kruisingsgedeelte tussen de adreslijn 12 en de bovenstekortsluitbedradingssectie 18b.

Dan wordt een van ITO gemaakte elektrische geleidende film opde TFT 14, het SCLC-element 19 en de poortisolerende film 42 op hetsubstraat 11 aangebracht. De transparante elektrisch geleidende filmwordt geëtst en een beeldelementelektrode 15, die met toevoerelektroden48 van TFT 14 is verbonden, wordt zoals is getoond in figuur 8D gevormd.Daaropvolgend wordt een siliciumnitridefilm op de (niet getoonde)aansluitklem van de adreslijn voor het verbinden van de adreslijn 12met de aanstuurschakeling verwijderd. Tegelijkertijd wordt een contactgat42a in de siliciumnitridefilm op de adreslijn 12 gevormd, zoals in figuur9D is getoond, en wordt een contactgat 42b gevormd op de benedenstekortsluitbedradingssectie 18a, zoals in figuur 10D is getoond.

Daarna wordt een metaalfi lm of Legeringsfilm van hi, Ti, Mo,enz. of een laminaatfilm van dergelijke metaalfiLms op de TFT aangebrachtdoor middel van sputteren. De aangebrachte film wordt dan geëtst om eengegevenslijn 13 te vormen, zoals in figuur 8E is getoond, waarbij de eneelektrode 94 en de andere elektrode 96 de adreslijn 12 en het SCLC-element19 verbinden, zoals in figuur 9E is getoond, en een bovenste kortsluit-bedradingssectiegedeelte 18b (waarnaar hierna wordt verwezen als "bovenstekortsluitbedradingssectie") van de kortsluitbedrading 18, dat evenwijdigaan de gegevensbedrading 13 is, zoals in figuur 10E is getoond.

Door middel van de hierboven beschreven stappen wordt deafvoerelektrode 46 van de TFT 14 met de gegevenslijn 13 verbonden, wordtde gegevenslijn 13 met de ene elektrode van het SCLC-element 19 verbondenbij een gedeelte dat de benedenste kortsluitbedrading 18a kruist, en wordtde andere elektrode van het SCLC-element 19 verbonden met de benedenstekortsluitbedradingssectie 18a. Een van de elektroden van het SCLC-element19, dat is ingericht bij de kruising tussen de adreslijn 12 en bovenstekortsluitbedradingssectie 18b is verbonden met de bovenste kortsLuit-bedradingssectie 18b. De bovenste kortsluitbedradingssectie 18b isverbonden met de benedenste kortsluitbedradingssectie 18a via hetcontactgat 42b dat in de siliciumnitridefilm op de benedenste kortsluit¬bedradingssectie 18a is gevormd en is geïsoleerd van de adreslijn 12door de siLiciumnitridefilm voor het vormen van de poortisolerende film42, de amorfe siliciumfilm 43a en de siLiciumnitridefiLm voor het vormenvan de blokkeringslaag 44 van TFT 14.

Tenslotte wordt een siliciumnitridefilm, die een beschermings-fiLm 49 zal worden, door een plasma-CVD-proces over het totale oppervlakvan het substraat gevormd, en wordt dan de siliciumnitridefilm geëtst,waarbij aldus aansluitklemgedeelten aan einden van de adreslijn 12 engegevenslijn 13 worden gevormd voor verbinding met de aanstuurschakeling,zoals in figuren 4 en 6 is getoond. Daarnaast wordt dat gedeelte van desi Liciumnitridefilm, dat overeenkomt met het beeldelementgebied 50 op deweergeefelektrode 15, verwijderd om de beschermingsfilm 49 te vormen.

Zoals hierboven is beschreven, worden in overeenstemming met deTFT-reeks van de onderhavige uitvoeringsvorm de TFT's 14 op het substraat,de adresbedrading 12 en gegevensbedrading 13 en SCLC-elementen 19 die dezebedradingen verbinden achtereenvolgens gevormd door de stappen voor het vormen en etsen van de dunne films van de TFT's 14, zonder te voorzien inspeciale films in de stappen voor het vormen van de TFT's 14. Aldus neemthet aantal stappen voor het vormen van de SCLC-eLementen 19 niet toe enkan de TFT-reeks met de SCLC-elementen 19 gemakkelijk worden gefabriceerd.

In de hierboven beschreven uitvoeringsvorm worden de poort-elektrode 41 en adreslijn 12 gevormd van een metaal- of legeringslaag vanCr, A-8, Ta, Ti, en2.. De werkwijze voor het voortbrengen van de poort-elektrode 41 en adreslijn 12 is echter niet daartoe beperkt. Een laminaat-film van dergelijke metaalfilms, enz. kunnen worden gebruikt. Teneindeisolatie van de poortelektrode 41 en adreslijn 12 te verbeteren, kan hetoppervlak ervan gedeeltelijk of volkomen worden geoxydeerd door middel vananode-oxydatie, thermische oxydatie, enz..

De eerste uitvoeringsvorm kan eveneens worden toegepast op eenTFT die een structuur heeft, waarin de blokkeringslaag 44 en haLfgeleider-beschermingsfilm 92 niet zijn gevormd, of op een TFT-reeks, waarin SCLC-elementen 2ijn ingericht.

Bovendien kunnen in de eerste uitvoeringsvorm, zoals in figuur11 is getoond, twee of meer SCLC-elementen 19 tussen de adreslijnen 12,gegevenslijnên 13 en kortsluitbedrading 18 op een parallelle wijze zijnverbonden. In overeenstemming met deze structuur nemen, wanneer het SCLC-element 119 wordt aangeschakeld, de vermogensgeleidingsprestaties van deparallelschakeling van het SCLC-element 19 toe tot het dubbele of meer,en kan de bescherming tegen statische elektriciteit worden verbeterd.

Ofschoon dit niet is getoond, kunnen in overeenstemming met deeerste uitvoeringsvorm twee of meer SCLC-elementen 19 in serie tussen deadreslijnen 12 zijn verbonden, en kunnen gelijksoortigerwijze twee of meerSCLC-elementen 19 in serie tussen de gegevens lijnen 13 zijn verbonden.

In dit geval neemt de uitschakelweerstand van de serieschakeling van deSCLC-elementen 19 toe, waardoor een Lekstroom, die vloeit tussen deadreslijnen 12, tussen de gegevenslijnen 13 en tussen de adreslijnen 12en gegevenslijnen 13 af.

In de onderhavige uitvinding kunnen de SCLC-elementen van hetdubbeLe injectietype, die in de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavigeuitvinding worden gebruikt als dunne fiLm niet-weerstandelementen voorhet verbinden van de kortsluitbedrading met de adres- en gegevenslijnen,worden vervangen door andere twee-aansluitklemmenelementen die gelijk¬ soortige niet-lineaire karakteristieken hebben. Een tweede uitvoeringsvormvan de uitvinding, waarin SCLC-etementen van het elektroneninjectietypeworden gebruikt als twee-aansluitklemmenelementen zal nu gedetailleerdonder verwijzing naar figuren 12 tot en met 17 worden beschreven. Destructuurelementen die reeds in de eerste uitvoeringsvorm zijn genoemd,zullen door dezelfde verwijzingsgetallen worden aangegeven en eenbeschrijving daarvan zaL achterwege worden gelaten.

Figuren 12 tot en met 15 laten de structuur van kortsluit-bedrading 18 zien, die is ingericht om adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13te kruisen, en tussen de kortsluitbedrading 18 en de adres- en gegevens-Lijnen 12 en 13 verbonden SCLC-elementen 29. Specifiek wordt een eiland¬vormige halfgeleiderfilm 91 op een poortisolerende film 42 gevormd, diede op het substraat 11 gevormde adreslijn 12 bedekt. Een halfgeleider-beschermingslaag 92 voor het scheiden van twee elektroden en hetbeschermen van de halfgeleiderfilm 91 wordt op de halfgeleiderfiLm 91gevormd. Elektroden 94 en 96 worden aan beide zij gedeelten van dehalfgeleiderfilm 91 gevormd, waartussen de halfgeleiderbeschermingslaag92 wordt aangebracht, via met onzuiverheid gedoteerde ohmse contact-halfgeleiderLagen 93 en 95. Een van de elektroden, 94, is via eenverbindingsgeleider 97 door een in de poortisolerende laag 42 gevormdgat 42a met de adreslijn 12 verbonden. De andere elektrode, 96, is direktmet de bovenste verbindingsbedrading 18b van de kortsluitbedrading 18verbonden. Deze twee-aansluitklemmeninrichtingsgebieden worden bedekt doorde beschermingsfilm 49. Bij verbindingsgedeelten tussen de gegevenslijnen13 en kortsluitbedrading 18 gevormde SCLC-elementen 29 worden op gelijk¬soortige wijze gevormd. Ofschoon dit niet is getoond, is de elektrode 94direkt met de gegevenslijn 13 verbonden, en is de andere elektrode 96verbonden met de bovenste kortsluitbedradingssectie 18b van kortsluit¬bedrading 18 door middel van een in de poortisolerende laag 42 gevormdgat.

In het in figuren 12 en 13 getoonde SCLC-eLement 29 worden,wanneer de over beide elektroden 94 en 96 aangelegde spanning toeneemt,overtollige in het amorfe silicium geïnjecteerde elektronen ingevangenop een lokaal niveau in de bandafstand van het amorfe silicium, en wordteen ruimtelading tot stand gebracht. Als een resultaat verschuift hetFermi-niveau naar de geleidingszijde en daardoor neemt de geleidings- elektronendichtheid toe. De stroom is niet evenredig met de spanning enneemt snel toe. Zo een stroom wordt een ruimteladingsbegrensde stroomgenoemd, en een halfgeleider die een Lokaal niveau heeft, zoals amorfsilicium/ vertoont hoge niet-Lineaire stroom/spanningskarakteristieken,zoals in figuur 14 is getoond.

Door dit SCLC-element als niet-lineair twee-aansluitklemmen-element te gebruiken, kan hetzelfde voordeel als in de eerste uitvoerings¬vorm worden verkregen: zeLfs indien een hoge spanning aan een vanadreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 wordt aangelegd dankzij statischeelektriciteit, vloeit nadat de kortsluitbedrading, die bij een buitensteomtreksgedeelte van het substraat is gevormd, is uitgesneden in de stapvan het snijden van het substraat, een grote stroom door het SCLC-elementen worden de potentialen van de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13onmiddellijk vereffend en treedt geen isolatiedoorslag tussen de adres-Lijnen 12 en gegevenslijnen 13 op.

De van deze TFT-reeks gebruikmakende LC-weergeefinrichting wordt normaal door een spanning van ongeveer 25V aangestuurd. Aldus is, 2oals in figuur 14 is getoond, de weerstand van het SCLC-element 29 in dit spanningsgebied voldoende hoog, en is een tussen de adreslijnen 12, tussen de gegevenslijnen 13 en tussen de adreslijnen 12 en gegevenslijnen 13 -10 vloeiende lekstroom zeer laag in de orde van 10 A. ALdus is de invloedop aan de weergeefelektroden 15 aangelegde gegevenssignaal laag.

De fabricagestappen van de TFT 14 en het SCLC-element 29 van dehierboven beschreven TFT-reeks zal nu onder verwijzing naar figuren 8A toten met 8E en figuren 15A tot en met 15E worden beschreven.

Een dunne metaal- of legeringsfiLm van Cr, Ai, Ta, Ti, enz.wordt op een transparant isolerend substraat 11 van glas, enz. door middelvan sputteren opgebracht. Selectief etsen wordt uitgevoerd om een infiguur 8A getoonde poortelektrode 41 en een in figuur 15A getoondeadreslijn 12 te vormen.

Drie dunne films, d.w.z. een siliciumnitridefilm die dient alspoortisolerende film 42, een amorfe siliciumfilm 43a die dient als haLf—geleiderlaag 43 en een siliciumnitridefiLm die dient als blokkeringslaag44 worden achtereenvolgens door een plasma-CVD-proces op het substraat 11gevormd, waarop de poortelektrode 41, enz. zijn gevormd. Niet-noodzake-lijke gedeelten worden verwijderd om alleen de gedeelten van de aller- bovenste siliciumnitridefiLm achter te Laten, die overeenkomen met hetkanaalgebied van de TFT 14, zoals in figuur 8B is getoond, en de half-geleiderbeschermingslaag 92 van het SCLC-eLement 29, zoals in figuur15B is getoond. Aldus worden de blokkeringslaag 44 en haLfgeleider-beschermingslaag 92 gevormd.

Met onzuiverheid gedoteerde amorfe siliciumlagen, die ohmsecontactlagen 45, 47, 93 en 95 zullen worden, worden door een plasma-CVD-proces op het totale bovenoppervlak van de amorfe siliciumfilm op hetsubstraat 11 gevormd, waarop de bLokkeringslaag 44, enz. worden gevormd.Daaropvolgend worden achtereenvolgens dunne metaalfilms van Cr, enz. dooreen sputterproces aangebracht. Daarna worden de dunne metalen films opandere gebieden dan het inrichtingsgebied van TFT 14 en het inrichtings-gebied van het SCLC-eLement 29 de met onzuiverheid gedoteerde amorfesi Liciumlagen en de amorfe siliciumfilm achtereenvolgens weggeëtst.Bovendien worden de dunne metaalfilms op de blokkeringslaag 44 van deTFT en op de halfgeleiderbeschermingslaag 92, en de met de onzuiverheidgedoteerde amorfe siliciumlagen weggeëtst. Aldus worden, zoals in figuur8C en figuur 15C is getoond, de toevoerelektrode 48 en afvoerelektrode 46van de TFT 14 en de twee elektroden 94 en 96 van het SCLC-element 29gevormd.

Dan wordt een van ITO, enz. gemaakte transparante elektrischgeleidende film op de TFT 14, het SCLC-element 29 en de poortisolerendefilm 42 op het substraat 11 aangebracht. De transparante elektrischgeleidende film wordt geëtst en een met de toevoerelektrode 48 van TFT 14verbonden weergeefelektrode 15 wordt, zoals in figuur 8d is getoond,gevormd. Daaropvolgend wordt een siliciumnitridefilm op de (niet getoonde)aansluitklem van de adreslijn voor het verbinden van de adreslijn 12 metde aanstuurschakeling verwijderd. Tegelijkertijd wordt in de silicium-nitridefilm op de in figuur 15D getoonde adreslijn 12 een contactgat 42agevormd.

Daarna wordt een metaalfilm of legeringsfilm van Ai, Ti, Mo,enz. of een laminaatfilm van dergelijke metaalfilms door middel vansputteren op de TFT aangebracht. De aangebrachte film wordt dan geëtstom een gegevenslijn 13 te vormen, zoals in figuur 8E is getoond, eenverbindingsgeleider 97 die de adreslijn 12 en het in figuur 15E getoondeSCLC-element 29 verbindt, en een bovenste kortsluitbedradingssectie 18b die evenwijdig aan de gegevenslijn 13 van de kortsluitbedrading 18 is.

Door middel van de hierboven beschreven stappen wordt de afvoer-elektrode 46 van de TFT 14 met de gegevenslijn 13 verbonden, wordt degegevenslijn 13 met de elektrode 94 van het SCLOelement 29 verbonden bijeen gedeelte dat de benedenste kortsluitbedrading 18a kruist, en wordt deandere elektrode 96 van het SCLC-element 29 verbonden met de benedenstekortsluitbedradingssectie 18a. Een van de elektroden van het SCLC-element29 dat is ingericht bij de kruising tussen de adreslijn 12 en bovenstekortsluitbedradingssectie 18b wordt verbonden met de bovenste kortsluit¬bedradingssectie 18b. De bovenste kortsluitbedradingssectie 18b wordt viahet in de siliciumnitridefilm op de benedenste kortsluitbedradingssectie18a gevormde contactgat met de benedenste kortsluitbedradingssectie 18averbonden en wordt door de siliciumnitridefilm voor het vormen van depoortisolerende film 42, de amorfe siliciumfilm 43a en de siliciumnitride¬fi Lm voor het vormen van de blokkeringslaag 44 van TFT 14 van de adreslijn12 geïsoleerd.

Tenslotte wordt een siliciumnitridefilm, die een beschermings¬laag 49 zal worden, door een plasma-CVD-proces over het totale oppervlakvan het substraat gevormd, en wordt dan de siliciumnitridefilm geëtst,waarbij aldus aansluitklemgedeelten aan einden van de adreslijn 12 engegevenslijn 13 worden gevormd voor verbinding met de aanstuurschakeling,zoals in figuren 12 en 13 is getoond. Bovendien wordt dat gedeelte van desiliciumnitridefilm, dat overeenkomt met het beeLdelementgebied 50 op debeeldelementeLekt rode 15 verwijderd om de beschermingsfilm 49 te vormen.

Ook in overeenstemming met de TFT-reeks van de tweede uitvoe¬ringsvorm worden de TFT's 14 op het substraat, de adresbedrading 12 engegevensbedrading 13 en SCLC-etementen 29, die deze bedradingen verbinden,achtereenvolgens gevormd door de stappen voor het vormen en etsen van dedunne films van de TFT's 14, zonder te voorzien in speciale films in destappen voor het vormen van de TFT's 14. Aldus neemt het aantal stappenvoor het vormen van de SCLC-elementen 29 niet toe, en kan de TFT-reeks,die de SCLC-elementen 29 heeft, gemakkelijk worden gefabriceerd.

Zoals in figuren 16 en 17 is getoond, kan de onderhavigeuitvinding op een TFT-reeks worden toegepast, die TFT's en SCLC-elementenheeft, die niet zijn voorzien van de blokkeringslaag 44 of halfgeleider-beschermingsfilm 92 van de tweede uitvoeringsvorm. De in figuren 16 en 17 getoonde structuren zullen nu worden beschreven. De reeds in de tweedeuitvoeringsvorm genoemde structuurelementen zullen door dezelfde verwij-zingsgetallen worden aangegeven en een beschrijving daarvan zal achterwegeworden gelaten.

Figuur 16 laat een structuur in doorsnede van de TFT in over¬eenstemming met dit voorbeeld zien en figuur 17 laat een structuur indoorsnede van het SCLC-element zien. In de in figuur 16 getoonde TFT 214worden metaalfilms op een halfgeleiderfilm 43 gevormd via ohmse contact-lagen 45 en 47. De halfgeleiderfiLm 43 bedekt een poortelektrode 41 viaeen poortisolerende film 42. Een afvoerelekt rode 46 en een toevoer-elektrode 48 worden gevormd door de ohmse contactlagen 45 en 47 en demetaalfilms. Een kanaalgedeelte wordt in de halfgeleiderfilm 43 tussen detoevoerelektrode 48 en afvoerelektrode 46 gevormd. De van de transparanteelektrisch geleidende film gemaakte beeldelementeLektrode 15 wordt met detoevoerelektrode 48 verbonden, en de afvoerelektrode 46 wordt met degegevens lijn 13 verbonden.

In het in figuur 17 getoonde SCLC-element 229 wordt eenhalfgeleiderfilm 91 op een siliciumnitridefilm gevormd, die een poort-isolerende film 42 van de TFT 214 zal worden. Aan beide einden van dehalfgeleiderfilm 91 worden metaalfiLms gevormd via ohmse contactlagen 93en 95, waarbij aldus twee elektroden 94 en 96 worden gevormd. Een van deelektroden, 96, van het SCLC-element 229 wordt verbonden met de bovenstekortsluitbedradingssectie 18b, en de andere elektrode, 94, wordt verbondenmet de adreslijn 12.

In dit voorbeeld zijn de inrichting en verbinding van de TFT214, het SCLC-element 229, de adreslijnen 12, de gegevenslijnen 13 en dekortsluitbedrading 18 dezelfde als in de tweede uitvoeringsvorm.

Het SCLC-element 229 wordt gevormd in het proces voor het vormenvan de TFT 214, en wel op dezelfde manier als in de tweede uitvoerings¬vorm. Specifiek worden de TFT 214 en het SCLC-element 229 op de volgendemanier gevormd. De poortelektrode 41, adresbedrading 12 en benedenstekortsluitbedradingssectie 18a worden op het substraat gevormd. Dan wordende siliciumnitridefilm, die de poortisolerende film 42 zal worden, amorfesiliciumfiLm, die de haIfgeleiderfiLm 43 zal worden, en met onzuiverheidgedoteerde amorfe siliciumlagen, die de ohmse contactlagen 45, 47, 93en 95 zullen worden, en metaalfilms achtereenvolgens op het substraat gevormd. Deze gelamineerde films worden achtereenvolgens geëtst, endaardoor worden de TFT- en SCLC-inrichtingsgebieden gevormd. Verder wordendie gedeelten van de metaalfilms en met onzuiverheid gedoteerde amorfesiliciumlagen, die overeenkomen met het kanaalgedeelte van de TFT 114 enmet het gedeelte tussen de elektroden van het SCLC-element 229 weggeëtsten worden de elementen 214 en 229 gevormd.

Ook in dit voorbeeld worden dezelfde voordelen als in de tweedeuitvoeringsvorm verkregen.

In overeenstemming met de eerste en tweede uitvoeringsvormen kandiëlektrische doorslag ten gevolge van statische gelijkstroomelektrici-teit, die bijvoorbeeld optreedt wanneer het TFT-substraat wordt gewreven,2eker worden voorkomen. Bij het proces voor het fabriceren van het TFT-paneel en de LC-inrichting wordt echter in vele gevallen impulsachtigestatische elektriciteit opgedrukt, en wordt de fabricage-opbrengstverlaagd dankzij aanlegging van impulsachtige statische elektriciteit.

Specifieker heeft een kortsluitlijn voor het verbinden vanadreslijnen en gegevens Lijnen aan een buitenste omtreksgedeelte van hetsubstraat op zichzelf weerstand en zwevende capaciteit en daardoor heeftde kortsluitlijn een tijdconstante. Ten gevolge van de tijdconstante vande kortsluittijd is een tijd die overeenkomt met de tijdconstante nodigvoor voortplanting van impulsen indien impulsachtige statische elektrici¬teit op de adreslijn of gegevenslijn wordt opgedrukt. Aldus treedt eengrote potentiaalverdeling ogenblikkelijk in de kortsluitbedrading op enkunnen de potentialen van de poort en afvoer van de TFT niet op gelijkewaarden worden gehouden. Als een resultaat treedt diëlektrische doorslagop.

Derde en vierde uitvoeringsvormen hebben betrekking opstructuren van de TFT-reeks die diëlektrische doorslag ten gevolge vanopdrukking van impulsachtige statische elektriciteit kunnen voorkomen.

De derde uitvoeringsvorm van de uitvinding zal nu onder ver¬wijzing naar figuren 18 tot en met 20 worden beschreven. Figuur 18 laateen TFT-reeks 310 zien. Adreslijnen 312, die zich in rijen uitstrekken,en gegevens lijnen 313, die zich in kolommen uitstrekken, zijn op een•isolerend transparant substraat 311 zodanig ingericht, dat de adreslijnen312 de gegevens lijnen 313 op een geïsoleerde manier kruisen. Met de adres¬en gegevenslijnen 312 en 313 verbonden TFT's 314 zijn bij kruisingen van deze Lijnen 312 en 313 ingericht, en eveneens met de TFT's 314 verbondenelektroden 315 zijn bij kruisingen van de adres- en gegevenslijnen 312en 313 ingericht. Deze beeldelementelektroden 315 zijn in een matrixingericht om een weergeefgebied te vormen. Een adreslijnaansluitkLem 316en een adreslijnhulpaansluitklem 318 zijn aangebracht aan het ene en hetandere einde van elke adreslijn 312. Een gegevenslijnaansluitklem 317 eneen gegevenslijnhulpaansluitklem 319 zijn aangebracht aan het ene en hetandere einde van elke gegevenslijn 313.

Een adreslijnkortsluitgeleider 321 voor het kortsluiten vanalleen de groep van de adreslijnen 312 en een gegevenslijnkortsluit-geleider 322 voor het -Lleen kortsluiten van de groep van gegevenslijnen313 zijn langs een randgedeelte van het substraat 311 zodanig gevormd, datde kortsluitgeleider 321 elektrisch is gescheiden van de kortsluitgeleider322. De adreslijnen 312 en gegevenslijnen 313 zijn respectievelijkverbonden met de adreslijnkortsLuitgeleider 321 en gegevenslijnkortsluit-geleider 322 via de adreslijnaansLuitklemmen 316 en gegevenslijnaansluit-klemmen 317.

Zoals hierboven is beschreven, zijn de adreslijnen 312 van deadreslijnengroep en gegevenslijnen 313 van de gegevens Lijnengroep respec¬tievelijk verbonden met de gescheiden adreslijnkortsluitgeleider 321 engegevenslijnkortsluitgeleider 322. Aldus zijn de adreslijnen 312 metelkaar verbonden en zijn de gegevenslijnen 313 met elkaar verbonden. Zowelde adreslijnkortsluitgeleider 321 als gegevenslijnkortsluitgeleider 322zijn buiten een snijlijn 323 geplaatst, waarop het omtreksgedeelte van hetsubstraat wordt gesneden en verwijderd bij het proces van het fabricerenvan de vloeibare kristalcel (LC-cel). De kortsluitgeleiders 321 en 322worden gesneden en verwijderd nadat het LC-celsamenstel is voltooid.

In de TFT-reeks van de derde uitvoeringsvorm wordt indien eenimpulsspanning ten gevolge van statische elektriciteit op een van deadreslijnaansluitklemmen 316 wordt opgedrukt, een door middel van deadreslijnkortsluitgeleider 321 geïnjecteerde ladingsenergie geheelverspreid en gemiddeld in alle adreslijnen. Aangezien de adreslijn-kortstuitgeleider 321 onafhankelijk is van de gegevenslijnkortsluit-geleider 322 wordt een hoge spanning niet opgedrukt over de adres- engegevenslijnen 312 en 313.

Specifiek zijn de adreslijnen 312 met de gegevenslijnen 313 verbonden door parasitaire capaciteiten bij kruisingen van de adres- engegvenslijnen 312 en 313 of andere gedeelten. De gegevenslijnen 313 zijnechter in de zwevende toestand^ zoals gezien vanaf de adreslijnen 312.Indien de potentiaal van de adreslijnen met betrekking tot de aard-potentiaal varieert/ varieert de potentiaal van de gegevenslijnengelijksoortigerwijze met betrekking tot de aardpotentiaal. Daardoorwordt een hoge spanning niet over de adres- en gegevenslijnen opgedrukt.Dienovereenkomstig is beveiliging tegen scherpe pulsachtige spanningverzekerd.

Bovendien kan/ aangezien de adreslijnengroep en gegevenslijnen-groep respectievelijk zijn gebundeld door de kortsluitgeleiderS/ hetoptreden van kortsluiting tussen de adreslijnen 312 en gegevenslijnen 313worden gedetecteerd door het controleren van een gegeven aansluitklemvan de adreslijnaansluitklemmen 316 en een gegeven aansluitklem van degegevenslijnaansluitklemmen 317. Verder kan lijnonderbreking op dezelfdemanier als bij de stand van de techniek worden gecontroleerd en kaneen inspectie bij een tussenstap, die niet mogelijk in de stand van detechniek is, gedeeltelijk worden uitgevoerd.

Verder zijn de adreslijnkortsluitgeleider 321 en gegevenslijn-kortsluitgeleider 322 slechts aan de twee zijden (linkerzijde en bovenstezijde) van het isolerende transparante substraat 311 gevormd/ kan slechtseen L-vormig gedeelte 311A aan de twee zijden van het substraat 311 wordengesneden en verwijderd nadat het LC-celsamenstel is voltooid, en kan hetniet-gebruikte gedeelte van het substraat worden gereduceerd.

Modificaties van de derde uitvoeringsvorm zullen nugedetailleerd onder verwijzing naar de begeleidende tekening wordenbeschreven.

Figuur 19 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vande TFT-reeks in overeenstemming met een eerste modificatie van de derdeuitvoeringsvorm laat zien. In de in figuur 19 getoonde TFT-reeks is netzoals bij de TFT-reeks in figuur 18 een weergeefgebied gevormd. Adreslijn-aansLuitkLemmen 316, gegevensLijnaansluitklemmen 317, adreslijnhulp-aansluitklemmen 318 en gegevenslijnhulpaansluitklemmen 319 zijn buitenhet weergeefgebied ingericht.

Een eerste adreslijnkortsluitgeleider 331 en een tweedeadreslijnkortsluitgeleider 322 voor het alleen kortsluiten van de groep ι/an adreslijnen zijn gevormd op die gedeelten van een isolerendetransparant substraat 311, die nabij tegengestelde twee zijranden zijn.öe adreslijnen 312 zijn afwisselend verbonden met de eerste adreslijn-kortsluitgeleider 331 en tweede adreslijnkortsluitgeleider 332.

Gelijksoortigerwijze zijn een gegevenslijnkortsluitgeleider 333en een tweede gegevenslijnkortsluitgeleider 334 voor het kortsluitenvan alleen de groep van gegevenslijnen gevormd op die gedeelten van hetisolerende transparante substraat 311, die nabij de andere tegengesteldetwee zijranden liggen. De gegevensLijnen 313 zijn afwisselend verbondennet de eerste gegevenslijnkortsluitgeleider 333 en tweede gegevenslijn-kortsluitgeleider 334.

Op deze wijze zijn respectievelijk de adreslijnen en gegevens¬lijnen elektrisch verbonden door onafhankelijke kortsluitgeleiders. Deeerste en tweede adreslijnkortsluitgeleiders 331 en 332 en eerste entweede gegevenslijnkortsluitgeleiders 333 en 334 worden gesneden Langsde lijn 330 en verwijderd nadat het LC-celsamenstel is voltooid.

Verder is een testcontactvlak 335 gevormd op de eersteadresLijnkortsluitgeleider 331, een testcontactvlak 336 op de tweedeadreslijnkortsluitgeleider 332, een testcontactvlak 337 op de eerstegegevenslijnkortsluitgeleider 333 en een testcontactvlak 338 op de tweedegegevenslijnkortsluitgeleider 334.

Bij deze modificatie is net zoals bij de derde uitvoeringsvormde adreslijnengroep elektrisch gescheiden van de gegevenslijnengroep, enkan daardoor bescherming tegen scherpe impuls van statische elektriciteitworden verzekerd en kan een defectinspectie worden uitgevoerd.

Daarnaast kan, door het controleren van de geLeiding tussen detwee kortsluitgeleiders een kortsluiting tussen de adreslijnen 312 oftussen de gegevenslijnen 313 worden gedetecteerd. Met andere woorden kandoor het controleren van de geleiding tussen het testcontactvlak 335 vande eerste adreslijnkortsluitgeleider 331 en het testcontactvlak 336 van detweede adreslijnkortsluitgeleider 332 een kortsluiting tussen de naburigeadreslijnen 312 worden gedetecteerd. Gelijksoortigerwijze kan door hetcontroleren van de geleiding tussen het testcontactvlak 337 van de eerstegegevenslijnkortsluitgeleider 333 en het testcontactvlak 338 van de tweedegegevenslijnkortsluitgeleider 334 een kortsluiting tussen de naburigegegevenslijnen worden gedetecteerd.

Een tweede modificatie van de uitvinding zal nu onder verwijzingnaar de begeleidende tekening worden beschreven.

In figuur 20 zijn adreslijnen 342 en gegevenslijnen 343 op eenisolerend transparant substraat 341 zodanig ingericht, dat de adreslijnen342 de gegevens lijnen 343 kruisen. TFT's 344 en beeldelementelektroden345, die met hetzij de toevoerelektroden, hetzij afvoerelektroden van deTFT's 344 zijn verbonden, zijn in een matrix bij de kruisingen van deadres- en gegevenslijnen 342 en 343 ingericht. De poortelektroden van deTFT's 344 zijn verbonden met de adreslijnen 342 en de toevoerelektroden ofafvoerelektroden van de TFT's 344, die niet met de beeldelementelektroden345 zijn verbonden, zijn met de gegevenslijnen 343 verbonden. Kortsluit¬bedrading 346 is op een gedeelte van de TFT-reeks gevormd, dat zich buitenhet weergeefgebied bevindt. Hoge weerstandelementen, de hiervoor genoemdeSCLC-elementen, of beschermingselementen 347 met niet-lineaire weerstand-karakteristieken zijn verbonden tussen de kortsluitbedrading 346 en deadreslijnen 342 en tussen de kortsluitbedrading 346 en de gegevenslijnen343. Adreslijnaansluitklemmen 348, adreslijnhulpaansluitklemmen 350,gegevenslijnaansluitklemmen 349 en gegevenslijnhulpaansluitklemmen 351zijn buiten de beschermingselementen 347 ingericht. Een met de adreslijn-aansluitklemmen 348 verbonden adreslijnkórtsluitgeleider 353 is buiten eensnijlijn 352 van het isolerende transparante substraat 341 aangebracht,en gelijksoortigerwijze is een met de gegevensLijnaansluitklemmen 349verbonden gegevenslijnkortsluitgeleider 354 buiten de snijlijn 352 vanhet substraat 341 aangebracht.

De adreslijnkortsluitgeleider 353 en gegevenslijnkortsluit-geleider 354 worden langs de snijlijn 352 gesneden en verwijderd nadat hetLC-celsamenstelproces is voltooid.

In deze uitvoeringsvorm zijn de adreslijnkortsluitgeleider 353en gegevenslijnkortsluitgeleider 354 van elkaar gescheiden. Daarom kunnendezelfde voordelen als in de derde uitvoeringsvorm worden verkregen.

Tot de voltooiing van het LC-celsamenstelproces wordtbescherming tegen statische elektriciteit verzekerd door de adreslijn¬kortsluitgeleider 353 en gegevenslijnkortsluitgeleider 354. Nadat hetsubstraat 341 langs de lijn 352 is gesneden, volgend op de voltooiing vanhet LC-celsamenstelproces, wordt bescherming tegen statische elektriciteitverzekerd door de kortsluitbedrading 346, net zoals bij de eerste en :weede uitvoeringsvormen.

Een vierde uitvoeringsvorm van de uitvinding zal nu gedetail-.eerd onder verwijzing naar figuren 21 tot en met 28 worden beschreven.

Figuur 21 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur van?en TFT-reeks in overeenstemming met de vierde uitvoeringsvorm van dejitvinding Laat zien. In figuur 21 zijn zich in rijen uitstrekkendeadreslijnen 412 en zich in kolommen uitstrekkende gegevenslijnen 413jodanig op een isolerend transparant substraat 411 ingericht, datadreslijnen 412 de gegevenslijnen 413 op een geïsoleerde manier kruisen.rFT's 414, die met de adres- en gegevenslijnen 412 en 413 zijn verbonden,:ijn bij kruisingen van deze lijnen 412 en 413 ingericht, en eveneensDeeldelementelektroden 415, die met de TFT's 414 zijn verbonden, zijn bijcrusingen van de adres- en gegevenslijnen 412 en 413 ingericht. Dezedeeldelementelektroden 415 zijn in een matrix ingericht om een weergeef-gebied te vormen.

Aan de rechter- en linkerzijden van het isolerende transparantesubstraat 411 is er voorzien in eerste kortsluitgeleiders 416A1 en 416A2/oor het verbinden van alleen de adreslijnen 412 via beschermingselementen+17 die hoge weerstand- of niet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben,:odat de adreslijnen 412 een gemeenschappelijke potentiaal kunnen hebben.\an de bovenste en benedenste zijden van het substraat 411 is er voorzienin tweede kortsluitgeleiders 416D1 en 416D2 voor het verbinden van alleenie gegevenslijnen 413 via beschermingselementen 417 die hoge weerstand- ofliet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben, zodat de gegevenslijnen+13 een gemeenschappelijke potentiaal kunnen hebben. Verwijzingsgetal 418geeft verbindingsaansluitklemmen van de adreslijnen 412 aan, en verwij-:ingsgetal 419 geeft verbindingsaansluitklemmen van de gegevenslijnen 413aan.

Als de beschermingselementen worden de SCLC-etementen toegepast,die in de eerste en tweede uitvoeringsvormen zijn gebruikt. Alternatiefkunnen twee aansluitklemmenelementen, die gebruik maken van diode¬karakteristieken, zoals in figuren 22 en 23 zijn getoond, als bescher-ningselementen worden gebruikt. Figuren 22 en 23 Laten bij wijze van/oorbeeld de verbinding tussen de adreslijnen 412 en kortsluitgeleiders416A1 zien.

Specifiek wordt een eilandvormige basiselektrode 430 op het isolerende transparante substraat 411 gevormd. Dioden D1 en D2 worden opde basiselektrode 430 zodanig gevormd, dat de dioden D1 en D2 zijn gerichtnaar de basiselektrode 430. Een p-type halfgeleiderlaag 431p, een i-typelaag 431i en een n-type halfgeleiderlaag 431n zijn in deze volgorde opde basiselektrode 430 aangebracht. Dan worden deze lagen bedekt met eenisolerende fiLm 432. De isolerende film 432 wordt onderworpen aan foto-litho-etsen om een contact te vormen. De n-type halfgeleiderlaag 431n vande diode D1 wordt verbonden met de adreslijn 412 door een verbindings-geleider 433, en de n-type halfgeleiderlaag 431n van de diode D2 wordtverbonden met de eerste kortsluitgeleider 416A1. Het oppervlak van deresulterende structuur wordt bekleed met een beschermingsfiLm 434.

Verwijzingsgetal 429 geeft een kruisingsisolerende film aanvoor het isoleren van een kruising tussen de adreslijn 412 en de eerstekortsluitgeleider 416A1.

Met de hierboven beschreven structuur wordt, indien een impuls¬spanning ten gevolge van statische elektriciteit op een van de adreslijnen412 wordt opgedrukt, het beschermingselement 417, dat met de kortsluit¬geleider 416A1 of 416A2 van de adreslijnen 412 is verbonden, aangescha-keld, en wordt geïnjecteerde ladingsenergie verspreid en gemiddeld inalle adreslijnen 12.

De adreslijnen 412 zijn door parasitaire capaciteit bijkruisingen van de adres- en gegevenslijnen 412 en 413 of andere gedeeltenmet de gegevenslijnen 413 verbonden. De gegevenslijnen 413 zijn echter inde zwevende toestand, zoals gezien vanaf de adreslijnen 412. Indien depotentiaal van de adreslijnen 412 met betrekking tot de aardpotentiaalvarieert, varieert de potentiaal van de gegevenslijnen 413 op gelijk¬soortige wijze met betrekking tot de aardpotentiaal. Daardoor wordt eenhoge spanning niet over de adres- en gegevenslijnen 412 en 413 opgedrukt.Dienovereenkomstig wordt bescherming tegen scherpe pulsachtige spanningverzekerd.

Aangezien de adreslijnen 412 en gegevenslijnen 413 van elkaarmet betrekking tot gelijkstroom zijn gescheiden, neemt een tussen deadreslijn 412 en gegevenslijn 413 via het beschermingselement 117vloeiende lekstroom af, neemt een belasting van de aanstuurschakelingaf en neemt vermogensverbruik niet noodzakelijkerwijze toe.

Modificaties van de vierde uitvoeringsvorm zullen nu worden beschreven.

Figuur 24 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vaneen TFT-reeks in overeenstemming met een eerste modificatie van de vierdeuitvoeringsvorm Laat zien. De TFT-reeks omvat beschermingselementen 417die hoge weerstand- of niet-Lineaire weerstandkarakteristieken hebben voorhet verbinden van naburige van de adreslijnen 412 en gegevens Lijnen 413.

De beschermingselementen 417 zijn voorzien van een eerste overbruggings-gedeelte 417A voor het verbinden van beide einden van de beschermings¬elementen 417 met naburige adreslijnen 412 en een tweede overbruggings-gedeelte 417D voor het verbinden van beide einden van de beschermings¬elementen 417 met naburige gegevenslijnen 413.

Bij deze modificatie worden in tegenstelling tot de vierdeuitvoeringsvorm de kortsluitgeleiders niet gebruikt. De naburige-adres-lijnen 412 en naburige gegevenslijnen 413 zijn direkt met de beschermings¬elementen 417 verbonden, zodat een hoge potentiaal ten gevolge vanaanlegging van scherpe impulsachtige statische elektriciteit wordt belette worden opgedrukt over de adreslijnen 412 of gegevenslijnen 413.

In overeenstemming met deze modificatie kunnen dezelfdevoordelen als bij de vierde uitvoeringsvorm worden verkregen, en kande schakelingsconfiguratie worden vereenvoudigd. Daarenboven treedt,aangezien er geen noodzaak is om te voorzien in kortsluitgeleiders dieadreslijnen of gegevenslijnen kruisen, een defect van een kortsluiting,enz. ten gevolge van een gaatje niet tussen deze elementen op en neemtde fabricage-opbrengst toe.

Een tweede modificatie van de vierde uitvoeringsvorm zal nuworden beschreven.

Figuur 25 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vande TFT-reeks in overeenstemming met de tweede modificatie van de vierdeuitvoeringsvorm Laat zien. Net zoals bij de structuur die in figuur 21is getoond, is een weergeefgebied gevormd, en is er aan de rechter- enlinkerzijden van het isolerend transparante substraat 411 voorzien ineerste kortsluitgeleiders 416A1 en 416A2 voor het verbinden van alleende adreslijnen 412 via beschermingselementen 417 die hoge weerstand-of niet-Lineaire weerstandkarakteristieken hebben. Aan de bovenste enbenedenste zijden van het substraat 411 is er voorzien in tweedekortsluitgeleiders 416D1 en 416D2 voor het alleen verbinden van de gegevenslijnen 413 via beschermingselementen 417 die hoge weerstand-of niet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben.

Eerste kortsLuitbedrading 417A1 en 417A2 voor het kortsluitenvan alleen de adreslijnen 412 is buiten de eerste kortsluitgeleiders 416A1en 416A2 en buiten de snijlijn 443 voor het snijden en verwijderen van hetomtreksgedeelte van het substraat in het proces voor het fabriceren van deweergeefinrichting gevormd. Tweede kortsluitbedrading 417D1 en 417D2 voorhet kortsluiten van alleen de gegevenslijnen 414 is buiten de tweedekortsluitgeleiders 416D1 en 416D2 en buiten de snijlijn 443 gevormd.

In overeenstemming met de tweede modificatie worden de gegevens¬lijnen en adreslijnen respectievelijk kortgesloten tot de voltooiing vande stap voor het snijden en verwijderen van de eerste en tweede kortsluit-bedradingen. Daarna worden deze lijnen kortgesloten door de beschermings¬elementen. Daardoor is bescherming tegen statische elektriciteit meerverzekerd.

Een derde modificatie van de vierde uitvoeringsvorm 2al nuworden beschreven.

Figuur 26 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vaneen TFT-reeks in overeenstemming met de derde modificatie laat zien. Netzoals bij de in figuur 21 getoonde structuur is een weergeefgebied gevormden is er aan de rechter- en linkerzijden van het isolerende transparantesubstraat 411 voorzien in eerste kortsluitgeleiders 416A1 en 416A2 voorhet verbinden van alleen de adreslijnen 412 via beschermingselementen 417die hoge weerstand- of niet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben. Aande bovenste en benedenste zijden van het substraat 411 is er voorzien intweede kortsluitgeleiders 416D1 en 416D2 voor het verbinden van alleen degegevenslijnen 413 via beschermingselementen 417 die hoge weerstand- ofniet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben.

Kortsluitbedrading 444 voor het kortsluiten van de adreslijnen412 en gegevenslijnen 413 is buiten eerste kortsluitgeleiders 416A1 en416A2 en tweede kortsluitgeleiders 416D1 en 416D2 en buiten de snijlijn443 gevormd.

In overeenstemming met de derde modificatie wordt beschermings-effect tegen gelijkstroomachtige statische elektriciteit verkregen tot devoltooiing van de stap voor het snijden en verwijderen van de kortsluit¬bedrading. Daarna wordt beschermingseffect tegen wisselstroomachtige statische elektriciteit verkregen.

Een vijfde modificatie van de vierde uitvoeringsvorm zal nuworden beschreven.

Figuur 27 is een bovenaanzicht dat schematisch de structuur vaneen TFT-reeks in overeenstemming met de vierde modificatie laat zien. Netzoals bij de vierde uitvoeringsvorm wordt een weergeefgebied gevormd. DezeTFT heeft beschermingselementen 417 met hoge weerstand- of niet-Lineaireweerstandkarakteristieken voor het verbinden van respectievelijk deadreslijnengroep en de gegevenslijnengroep. De beschermingselementen 417zijn voorzien van eerste overbruggingsgedeelten 417A die zijn verbondenmet naburige van de adreslijnen 412 en tweede overbruggingsgedeelten 417Ddie zijn verbonden met naburige van de gegevensLijnen 413.

Verder zijn eerste kortsluitbedradingen 417A1 en 417A2 voor hetkortsluiten van alleen de groep van adreslijnen 412 en tweede kortsluit¬bedradingen 417D1 en 417D2 voor het kortsluiten van alleen de gegevens-lijnen 413 buiten de eerste overbruggingsgedeelten 417A en tweedeoverbruggingsgedeelten 417D en buiten de snijlijn 443 gevormd.

In overeenstemming met de vierde modificatie kunnen de voordelenvan zowel de eerste als tweede modificaties worden verkregen, wordtbescherming tegen statische elektriciteit verzekerd en is de fabricagegemakkelijk.

Een vijfde modificatie van de vierde uitvoeringsvorm zal nuworden beschreven.

Net zoals bij de vierde modificatie worden het weergeefgebied,de eerste overbruggingsgedeelten 417A en de tweede overbruggingsgedeelten417D gevormd, en wordt kortsluitbedrading 444 buiten de snijlijn 443gevormd. In overeenstemming met de vijfde modificatie kunnen dezelfdevoordelen als bij de eerste en derde modificaties worden verkregen, wordtbescherming tegen statische elektriciteit verzekerd en is de fabricagegemakkelijk.

De actieve matrix LCD-inrichting die is gefabriceerd door deTFT-reeks te gebruiken, die de beschermingselementen heeft, zoals aande openbaarheid zijn prijsgegeven in de eerste tot en met de vierdeuitvoeringsvormen, worden aangestuurd door het aan de adreslijnenaanleggen van de adressignalen gedurende achtereenvolgens gevarieerdeselectietijdsperioden, het aan de gegevensLijnen aanleggen van gegevens- n 7 η 4 i. λ tt signalen die met weergeefgegevens overeenkomen en het aanleggen van eengemeenschappelijk signaal aan de tegenover gelegen elektrode van hettegenover gelegen substraat.

De LCD-inrichting wordt aangestuurd door een werkwijze, waarbijeen van tevoren bepaalde potentiaal aan de kortsluitbedrading van deTFT-reeks wordt aangelegd om vermogensverbruik te reduceren.

Een vijfde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding, diebetrekking heeft op een aanstuurwerkwijze, zal nu gedetailleerd onderverwijzing naar figuren 29 tot en met 31 worden beschreven.

De LCD-inrichting wordt als volgt opgebouwd.

In figuur 29 worden adreslijnen 522 en gegevenslijnen 523zodanig op een isolerend transparant substraat 521 dat van glassubstraat,enz. is gemaakt, ingericht, dat de adreslijnen 522 de gegevenslijnen 523kruisen. TFT's 524 worden op kruisingen van de adres- en gegevenslijnen522 en 523 ingericht. Met de TFT's 524 verbonden beeldelementelektroden525 worden in een matrix ingericht, en een weergeefgebied wordt door debeeldelementelektroden gevormd. Kortsluitbedrading 526 wordt naburig aaneen buitenste omtreksgedeelte van het weergeefgebied gevormd, teneinde deadreslijnen 522 en gegevenslijnen 523 te kruisen. Op de kruisingen tussende kortsluitbedrading 526 en gegevens- en adreslijnen worden beschermings-elementen 527, die tweerichtings-IV-karakteristieken en niet-lineaireweerstandkarakteristieken hebben, ingericht, teneinde de kortsluit¬bedrading en adres- en gegevenslijnen te verbinden.

De adreslijnen 522 worden voorzien van verbindingsaansluit-klemmen 528. De verbindingsaansluitklemmen 528 worden verbonden met eenadreslijnaanstuurschakeling 531 voor het opwekken van adressignalen.

De gegevenslijnen 523 worden voorzien van verbindingsaansluitklemmen 529en de verbindingsaansluitklemmen 529 worden verbonden met een gegevens-lijnaanstuurschakeling 532 voor het opwekken van gegevenssignalen. Op een(niet getoond) tegenover gelegen substraat gevormde tegenover gelegenelektroden 536 zijn gesitueerd om te zijn gericht naar de beeldelement-eLektroden 525 en een gemeenschappelijke aanstuurschakeling 537 voorhet opwekken van een gemeenschappelijk signaal wordt verbonden met detegenover- gelegen elektroden 536. Een vloeibaar kristal wordt afgedichttussen de TFT-reeks en het tegenover gelegen substraat.

Een klok/temperingssignaalopwekkingsschakeling 533 wekt verscheidene synchronisatiesignalen op en de opgewekte signalen wordentoegevoerd aan de adreslijnaanstuurschakeling 531, gegevenslijnaanstuur-schakeling 532 en gemeenschappelijke aanstuurschakeling 537.

Een spanningsopwekkingsschakeling 534 wekt een spanning op, dieovereenkomt met elke potentiaal voor het voortbrengen van adressignalenen gegevenssignalen. De opgewekte spanning wordt aan de adreslijnaanstuur¬schakeling 531, gegevenslijnaanstuurschakeling 532 en gemeenschappelijkeaanstuurschakeling 537 aangelegd.

De kortsluitbedrading 526 wordt voorzien van een naar buitenleidingsaansluitklem 530 voor het aanleggen van een kortsluitbedradings-spanning (waarnaar hierna wordt verwezen als een "kortsluitbedradings-compensatiespanning"). De naar buiten leidingsaansluitklem 530 wordtverbonden met een kortsluitbedradingsaanstuurschakeling 535, waaraan eensynchronisatiesignaal vanaf de klok/temperingssignaalopwekkingsschakelingen een voedingsspanning vanaf de voedingsbron wordt toegevoerd. Dekortsluitbedradingsaanstuurschakeling 535 wekt een van tevoren bepaaldekortsluitbedradingscompensatiespanning op en legt deze spanning aan dekortsluitbedrading 526 aan via de naar buiten leidingsaansluitklem 530.Ofschoon er slechts in een naar buiten leidingsaansluitklem 530 isvoorzien aan de bovenste rechter hoek 526a van de kortsluitbedrading 526kan er zijn voorzien in twee of meer naar buiten leidingsaansluitklemmen530. In dit geval kunnen naar buiten leidingsaansluitklemmen 530 zijnaangebracht bij de bovenste linker hoek 526d, benedenste linker hoek 526cen benedenste rechter hoek 526b van de kortsluitbedrading 526, naastaan de bovenste rechter hoek 526a en zijn al deze naar buiten Leidings-aansluitklemmen 530 verbonden met de kortsluitbedradingsaanstuurschakeling535.

De naar buiten leidingsaansluitklem 530 wordt net zoals dekortsluitbedrading 526 gelijktijdig met de vorming van de poortelektrodeen adresbedrading 522 of de afvoerelektrode en gegevensbedrading 523 dieis gemaakt van aluminium, aluminiumlegering, tantaal, tantaallegering,chroom, enz. gevormd.

Een van de kortsluitbedradingscompensatiespanningen (diehieronder zijn getoond) wordt via de naar buiten leidingsaansluitklem 530aan de kortsluitbedrading 526 aangelegd.

Figuren 31A tot en met 31D laten verscheidene modussen van korts Luitbedradingscompensatiepotentlaten S1 tot en met S4 (aangegevendoor doorgetrokken lijnen) zien, samen met adressignalen G (onderbrokenlijnen) en gegevenssignalen D (streepstippellijnen). Het gegevenssignaalheeft een spanningsgoLfvorm die is geïnverteerd aan de positieve zijde ofnegatieve zijde met betrekking tot de gemeenschappelijke signaalpotentiaaldie aan de tegenover gelegen elektrode 536 van het tegenover gelegensubstraat wordt aangelegd, waarbij een raster is gedefinieerd als eenperiode.

(1) Spanning S1 voor het op een Laagste potentiaal Vd Laag(b.v. 3,5V) van het gegevenssignaal houden van de kortsluitbedradings-compensatiespanning (figuur 31A); (2) Spanning S2 voor het synchroniseren van de kortsluit-bedradingscompensatiespanning met een geïnverteerde periode van hetgegevenssignaal en het variëren van deze compensatiespanning teneindegelijk te zijn aan de potentiaal van het gegevenssignaal (b.v.

Laag = 3,5V, Hoog = 13,5V), d.w.2. spanning S2 voor het inverterenvan de compensatiespanning in synchronisme met de geïnverteerde periodevan Vd (figuur 31B): (3) Spanning S3 voor het op een potentiaal Vcom (b.v. 8,5V),die aan de elektrode van het tegenover gelegen substraat wordt aangelegd,houden van de kortsluitbedradingscompensatiespanning (figuur 310; en (4) Spanning S4 voor het verplaatsen van de periode van dekortsluitbedradingscompensatiespanning vanaf de geïnverteerde periodevan het gegevenssignaal met een halve periode en het inverteren van decompensatiespanning op dezeLfde potentiaal als het gegevenssignaal.

Zoals hierboven is beschreven, wordt wanneer een van tevorenbepaalde compensatiespanning wordt aangelegd aan de naar buiten Leidings-aansluitklem 530, de potentiaal van de kortsluitbedrading op een vantevoren bepaald niveau gehouden, zoals in figuur 30 is geïllustreerd,die een vervangingsschema laat zien zoals gezien vanaf een gegevenslijn523 van de TFT-reeks. Aldus neemt een potentiaalverschil tussen het aande verbindingsaansluitklem 529 van de gegevenslijn 523 en de kortsluit¬bedrading aangelegd gegevenssignaal af. Bovendien neemt, wanneer hetgegevenssignaal en/of de compensatiespanning varieert, een gemiddeldevan een potentiaalverschil daartussen af. Daardoor neemt een lekstroom(die is aangegeven door een pijl met onderbroken Lijn), die vloeit vanaf de verbindingsaansluitklem 529 van de gegevenslijn 523 door middel vande beschermingselementen 527a1 en 52a2 af. Verder neemt een lekstroom,die vloeit vanaf de verbindingsaansluitklem 529 van de gegevenslijn 523door middel van het beschermingseLement 527a1 en andere beschermings¬elementen 527b2 tot en met 527bn af en neemt vermogensverbruik af.

Voorbeelden van door de aanstuurschakelingen verbruikt vermogen,wanneer een van de hierboven genoemde kortsluitbedradingscompensatie-spanningen S1 tot en met S4 aan de kortsluitbedrading van de LCD-inrichting van de onderhavige uitvinding wordt aangelegd, zullen nuworden getoond.

(1) In het geval van spanning S1, die de kortsluitbedradings-compensatiespanning op de laagste potentiaal van het gegevenssignaalhoudt, is het totale vermogensverbruik van elke aanstuurschakeling 130 nW.

(2) In het geval van spanning S2, die de korts luitbedradings-compensatiespanning synchroniseert met een geïnverteerde periode van hetgegevenssignaal D en deze compensatiespanning varieert teneinde gelijk tezijn aan de potentiaal van het gegevenssignaal, is het totale vermogens¬verbruik van elke aanstuurschakeling 350 nW.

(3) In het geval van spanning S3, die de kortsluitbedradings- compensatiespanning op een aan de tegenover gelegen elektrode van hettegenover gelegen substraat aangelegde potentiaal houdt, is het totalevermogensverbruik van elke aanstuurschakeling 365 nW.

(4) In het geval van spanning S4, die de periode van dekortsluitbedradingscompensatiespanning vanaf de geïnverteerde periode vanhet gegevenssignaal met een halve periode verschuift en de compensatie¬spanning op dezelfde potentiaal als het gegevenssignaal inverteert, ishet totale vermogensverbruik van elke aanstuurschakeling 440 nW.

Daarentegen vloeit, in het geval, waarin de compensatiespanningniet aan de kortsluitbedrading wordt aangelegd, een grote lekstroom vanafeen verbindingsaansluitklem 529 van de gegevenslijn 523 naar de TFT 524die is verbonden met de naburige gegevenslijn 523 door middel van hetbeschermingseLement 527a1 dat de gegevenslijn 523 verbindt en kortsluit¬bedrading 526 en het beschermingseLement 527a2 dat de naburige gegevens¬lijn 523 verbindt en kortsluitbedrading 526. Bovendien wordt, aangezienandere beschermingselementen 527b2 tot en met 527bn die de adreslijnen 522verbinden en kortsluitbedrading 526 parallel zijn geaard, de potentiaal van de korts luitbedrading 526 in hoofd2aak de aardpotentiaal. Aldus vloeiteen grote lekstroom vanaf de verbindingsaansluitklem 529 van de gegevens-Lijn 523 door middel van het beschermingselement 527a1 en andere bescher-mingseLementen 527b2 tot en met 527bn.

Indien de gemiddeLde spanning van het gegevenssignaal D 8,5V isen de spanning van het adressignaaL G 25V is, dan is het totale verbruiktvermogen 535 nW.

Zoals hierboven is beschreven, kan in overeenstemming met deaanstuurwerkwijze van de onderhavige uitvinding overspraak tussen beeld¬elementen worden verlaagd en kan het vermogensverbruik worden gereduceerd.

Aanvullende voordelen en modificaties zullen zich gemakkelijkaan vaklui op dit gebied van de techniek voordoen. Daardoor is deuitvinding in haar breder aspect niet beperkt tot de specifieke detailsen representatieve inrichtingen die hierin zijn getoond en beschreven.Dienovereenkomstig kunnen verscheidene modificaties worden gemaakt zonderbuiten de geest of strekking van het algemene inventieve concept zoalsgedefinieerd door de aangehechte conclusies en hun equivalenten te komen.

Claims

1. Dunne filmtransistorenreeks, omvattende een isolerend substraat,een aantal beeldelementelektroden dat in een matrix op het isolerendesubstraat is ingericht, een aantal dunne fiImtransistoren dat respectieve¬lijk met de beeldelementelektroden is verbonden, een aantal adreslijnendat op het isolerende substraat is gevormd, waarbij elke adreslijn is verbonden met een aantal van de stuurelektroden van de dunne fiIm¬transistoren, en een aantal gegevens lijnen dat op een zodanige manier ophet isolerende substraat is ingericht, dat de adreslijnen worden gekruist,waarbij elke gegevenslijn is verbonden met een aantal gegevensingangs-elektroden van de dunne fiImtransistoren, met het kenmerk, dat er isvoorzien in een aantal elektrisch geïsoleerde kortsluitorganen dat buiteneen weergeefgebied op het isolerende substraat is gevormd, waarop debeeldelementelektroden zijn ingericht, waarbij de kortsluitorganen zijnverbonden met ten minste twee van de adreslijnen en de gegevens lijnen.

2. Dunne fiLmtransistorenreeks volgens conclusie 1, met hetkenmerk, dat de kortsluitorganen kortsluitbedrading omvatten, die buitenhet weergeefgebied is gevormd, en een twee-aansluitklemmenelement voor hetelektrisch verbinden van de kortsluitbedrading met ten minste twee lijnenvan de adreslijnen en de gegevenslijnen, waarbij het twee-aansluitklemmen-element niet-lineaire weerstandkarakteristieken heeft, die spanning/-stroomkarakteristieken op basis van een ruimteladingsbegrensde stroombepalen.

3. Dunne filmtransistorenreeks in overeenstemming met conclusie 2,met het kenmerk, dat het twee-aansluitklemmenelement een niet-lineairdunne fiImweerstandelement van het dubbele injectietype is, waarin gatenen elektronen als ladingsdragers worden geïnjecteerd.

4. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 2, met hetkenmerk, dat het twee-aansluitklemmenelement een niet-lineair dunne fiImweerstandelement van het elektroneninjectietype is, waarin elektronenals een ladingsdrager worden geïnjecteerd.

5. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 1 of 2, met hetkenmerk, dat het twee-aansluitklemmenelement een niet-lineair dunne fiImweerstandelement is, dat een niet met onzuiverheid gedoteerde gehydro-geneerde amorfe siliciumfilm is, die op het isolerende substraat is gevormd, en twee elektroden die met beide einden van de gehydrogeneerdeamorfe siLiciumfilm zijn verbonden.

6. Dunne fiLmtransistorenreeks volgens conclusie 1 of 3, met hetkenmerk, dat het twee-aansluitklemmenelement een niet-lineair dunne fiImweerstandelement is, dat een niet met onzuiverheid gedoteerdegehydrogeneerde amorfe siliciumfilm omvat, die op het isoLerende substraatis gevormd, een n-type amorfe siliciumfilm die is gedoteerd met n-typeonzuiverheden en aan beide einden van de gehydrogeneerde amorfe siliciu¬mfi Lm is gevormd, en twee met de n-type amorfe siLiciumfilm verbondenelektroden.

7. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 1, met hetkenmerk, dat het aantal adreslijnen verbindingsaansluitklemmen heeftvoor verbinding met een aanstuurschakeling bij een gebied buiten eenweergeefgebied, waarin de beeldelementelektroden zijn ingericht, hetaantal gegevenslijnen verbindingsaansluitklemmen heeft voor verbindingmet een aanstuurschakeling bij een gebied buiten het weergeefgebied,en het aantal kortsluitorganen buiten het weergeefgebied en binnen eenaansluitklemmeninrichtingssectie is gevormd, waarin de verbindings¬aansluitklemmen van de adreslijnen en de gegevenslijnen 2ijn ingericht.

8. Dunne fiLmtransistorenreeks volgens conclusie 7, met hetkenmerk, dat het aantal kortsluitorganen kortsluitbedradingen omvat,die 2ijn gevormd Langs tegenover gelegen randen van het weergeefgebied,en twee of meer van de adreslijnen en twee of meer van de gegevenslijnenzijn verbonden met de overeenkomstige kortsluitbedradingen.

9. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 7, met hetkenmerk, dat de kortsluitorganen niet-lineaire twee-aansluitklemmen-elementen omvatten, die tussen de adreslijnen of tussen de gegevenslijnen2ijn verbonden.

10. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 7, met hetkenmerk, dat het aantal kortsluitorganen een eerste kortsluitbedradingomvat, die aan de binnenzijde van een aansluitklemmeninrichtingssectieis gevormd, waarin de verbindingsaansluitklemmen van de adreslijnen ende gegevenslijnen zijn ingericht, waarbij de adreslijnen en de gegevens¬lijnen zijn verbonden door dunne film twee-aansluitklemmenelementen dieniet-lineaire weerstandkarakteristieken hebben, en een tweede kortsluit-bedrading die is gevormd aan de buitenzijde van de aansluitklemmen- inrichtingssectie, waarin de verbindingsaansluitklemmen van de adres¬lijnen en de gegevenslijnen zijn ingericht.

11. Dunne fiLmtransistorenreeks volgens conclusie 7, met hetkenmerk/ dat deze verder een buitenste kortsluitbedrading omvat, diebuiten een aansluitklemmeninrichtingssectie is gevormd, waarin deverbindingsaansLuitkLemmen van de adreslijnen en de gegevenslijnen zijningericht/ waarbij de buitenste kortsluitbedrading respectievelijk hetaantal adreslijnen en het aantal gegevenslijnen verbindt.

12. Dunne filmtransistorenreeks volgens conclusie 7, met hetkenmerk, dat deze verder een potentiaaltoevoerinrichting omvat, dieelektrisch met de kortsluitorganen is verbonden, voor het aanleggenvan een van tevoren bepaaLde potentiaal aan de kortsluitinrichtingen, en een tweede isolerend substraat tegenover een oppervlak van het eers.teisolerende substraat, waarop een reeks van de dunne fiImtransistorenis aangebracht, waarbij een vloeibare kristallaag met een van tevorenbepaalde dikte daartussenin is aangebracht, waarbij het tweede isolerendesubstraat een oppervlak heeft, dat is voorzien van tegenover gelegenelektroden tegenover de beeldelementelektroden.

13. Vloeibare kristalweergeefinrichting volgens conclusie 12, methet kenmerk, dat de potentiaaLtoevoerinrichting aan de kortsluitorganeneen potentiaal toevoert, die in hoofdzaak gelijk is aan de potentiaal diewordt aangelegd aan de tegenover gelegen elektroden die zijn aangebrachtop het tweede tegenover gelegen isolerende substraat van de vloeibarekristalweergeefinrichting.

14. Vloeibare kristalweergeefinrichting volgens conclusie 12, methet kenmerk, dat de potentiaaltoevoerinrichting aan de kortsluitorganeneen potentiaal toevoert, die in hoofdzaak gelijk is aan de laagstepotentiaal van het aan de gegevenslijnen toegevoerde gegevenssignaal.

15. Vloeibare kristalweergeefinrichting volgens conclusie 12, methet kenmerk, dat de potentiaaltoevoerinrichting aan de kortsluitorganeneen potentiaal toevoert, die is gesynchroniseerd met een geïnverteerdeperiode van het aan de gegevenslijnen toegevoerde gegevenssignaal en isgeïnverteerd met dezelfde potentiaal en dezelfde fase met betrekking toteen potentiaal die wordt aangelegd aan de tegenover gelegen elektrodendie op het tweede substraat zijn gevormd.

16. Vloeibare kristalweergeefinrichting volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de potentiaaltoevoerinrichting aan de kortsluitorganeneen potentiaal toevoert, die is gesynchroniseerd met het aan de gegevens-lijnen toegevoerde gegevenssignaal en is geïnverteerd met dezelfdepotentiaal en tegengestelde fase met betrekking tot een aan de op hettweede substraat gevormde tegenover gelegen elektroden aangelegdepotentiaal.