JPH02137366A - ダイオード型アクティブマトリクス基板 - Google Patents

ダイオード型アクティブマトリクス基板

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JPH02137366A
JPH02137366A JP63291608A JP29160888A JPH02137366A JP H02137366 A JPH02137366 A JP H02137366A JP 63291608 A JP63291608 A JP 63291608A JP 29160888 A JP29160888 A JP 29160888A JP H02137366 A JPH02137366 A JP H02137366A
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diode
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active matrix
matrix substrate
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Osamu Sukegawa
統 助川
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NEC Corp
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    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイオード型アクティブマトリクス型の回路
構造に関し、特に、データラインにもうけられる静電保
護素子に関する。
〔従来の技術〕
この種のアクティブマトリクス基板は、縦に配線された
データラインに表示電極がダイオード素子よって電気的
に結合されており、各データライン間は離れており、電
気的に絶縁された状態となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のダイオード型アクティブマトリクス基板
は、データライン間が電気的に絶縁されているため、パ
ネル形成における切断工程、およびパネル形成後の駆動
ＩＣ回路の接続等の工程において発生する静電気により
、隣り合うデータラインに高電圧が印加され、絶縁破壊
、ダイオード素子の破壊がおこるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のダイオード型アクティブマトリクス基板は、各
データラインの表示領域外で隣接するデータラインとを
ダイオード素子により接続した構造となっている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ断面図、第３図は、等価回路を示したものである
。データライン１と共通電極配線゛２の間にはダイオー
ドとなるシリコン過剰な窒化シリコン膜がもうけられて
おり、各データライン１と共通電極配線２は、ダイオー
ド結合されている。ここでデータライン１は、厚さ１１
００ｎのＯｒ、共通電極配線２は厚さ５０ｎｍのＯｒで
形成されている。この構造は、表示電極の駆動にもちい
るダイオード素子と同じであるため、本静電保護素子は
新たに工程を付加することなく形成される。
第４図は本発明の他の実施例の平面図である。
共通電極配線２は、となり合うデータラインをダイオー
ドで結合している。このため、この実施例では、データ
ラインを結合しているダイオードが２つとも導通しない
とデータライン間は、短絡せず、保護素子不良によるデ
ータラインの短絡不良を低減できる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ダイオード型アクティ
ブマトリクス基板のデータラインの表示部外の部分にダ
イオードをもうけデータラインと他の導電部をダイオー
ドによって結合することにより、あるデータラインのチ
ャージアップを抑制することが可能となる、静電気によ
る素子破壊をおさえる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線での断面図、第３図は、第１図の等価回路、第
４図は本発明の他の実施例の平面図である。 １・・・・・・データライン、２・・・・・・共通電極
配線、３・・・・・・シリコン過剰な窒化シリコン膜、
４・・・・・・ガラス基板、５・・・・・・表示電極。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 ｆ−グ°−タライン ／−・・グニタガン Ｚ・−又す定検配縁 ３−ｍ−・窒イこシリコン ４・・・・力゛′う又基不受 粥１区 茶２区 ／１．７−タライン２・・・又逓芝別曙こ擦５°゛１騎
ごシリコンＳ−・１芝か閣乙七（（フイ、イード′〕 石３区 ３・・・【ζシリコン 竿４−区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイオード型アクティブマトリクス基板において、表示
    領域外の部分にダイオードをもうけ、各データラインも
    しくは、アドレスラインを該ダイオードにより、他のデ
    ータラインもしくは、アドレスラインと電気的に結合す
    る静電保護回路を有することを特徴とするダイオード型
    アクティブマトリクス基板。
JP63291608A 1988-11-18 1988-11-18 ダイオード型アクティブマトリクス基板 Pending JPH02137366A (ja)

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US07/758,262 US5184235A (en) 1988-11-18 1991-08-26 Active matrix liquid crystal display panel with an electrostatic protection circuit

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