KR20220025146A - 열 처리 서셉터 - Google Patents

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이-치아우 황
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Abstract

일 실시예에서, 열 처리를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는, 기판이 서셉터에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 하나 이상의 구조물을 더 포함한다. 하나 이상의 구조물 중 적어도 하나의 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근에서 내부 접시에 연결된다.

Description

열 처리 서셉터{THERMAL PROCESSING SUSCEPTOR}
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들의 열 처리를 위한 서셉터에 관한 것이고, 더 구체적으로는 처리 동안 기판에 걸친 열 균일성을 개선하기 위한 피쳐들을 갖는 서셉터에 관한 것이다.
반도체 기판들은 집적 디바이스들 및 마이크로디바이스들의 제조를 포함한 매우 다양한 애플리케이션들을 위해 처리된다. 기판들을 처리하는 한가지 방법은 기판의 상부 표면 상에 유전체 재료 또는 전도성 금속과 같은 재료를 퇴적하는 것을 포함한다. 에피택시는, 처리 챔버 내의 기판의 표면 상에 일반적으로 실리콘이나 게르마늄의 얇은 초고순도 층을 성장시키기 위해 이용되는 하나의 퇴적 프로세스이다. 에피택시 프로세스들은 처리 챔버들 내에서 고도로 균일한 프로세스 조건들, 예컨대 온도, 압력 및 유량을 유지함으로써 이러한 양질의 층들을 생성할 수 있다. 고품질 층들을 생성하기 위해서는 기판의 상부 표면 주위의 영역들에서 고도로 균일한 프로세스 조건들을 유지하는 것이 필요하다.
서셉터들은 기판을 지지할 뿐만 아니라 기판을 고도로 균일한 온도로 가열하기 위해 에피택시 프로세스들에서 종종 이용된다. 서셉터들은, 기판의 에지들 주위에서 기판을 아래로부터 지지하면서 기판의 나머지 하부 표면과 서셉터의 상부 표면 사이에 작은 갭을 남겨두기 위해 이용되는 플래터 또는 접시 형상의 상부 표면들을 종종 갖는다. 서셉터 아래에 배치되는 복수의 가열 램프와 같은 가열 소스에 대한 정밀한 제어는 서셉터가 매우 엄격한 허용오차 내에서 가열되는 것을 허용한다. 다음에, 가열된 서셉터는 주로 서셉터에 의해 방출되는 복사에 의해 기판에 열을 전달할 수 있다.
에피택시에서 서셉터의 가열에 대한 정밀한 제어에도 불구하고, 기판의 상부 표면에 걸쳐 온도 불균일이 지속되어, 기판 상에 퇴적되는 층들의 품질을 종종 감소시킨다. 바람직하지 않은 온도 프로파일들이 기판의 에지들 근처에서 그리고 기판의 중심에 더 가까운 영역들에 걸쳐 관찰되었다. 그러므로, 반도체 처리에서 기판들을 지지하고 가열하기 위한 개선된 서셉터에 대한 필요성이 존재한다.
일 실시예에서, 열 처리를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시(inner dish)를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림(outer rim)을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는, 기판이 서셉터에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 하나 이상의 구조물을 더 포함하고, 하나 이상의 구조물 중 적어도 하나의 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근에서 내부 접시에 연결된다.
다른 실시예에서, 열 처리 챔버를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는 내부 접시의 상부 표면에 대하여 하나 이상의 상승된 구조물을 더 포함하고, 하나 이상의 상승된 구조물은 서셉터에 의해 지지될 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 것이고, 상승된 구조물들 중 적어도 하나의 상승된 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근의 위치에서 내부 접시에 연결된다.
다른 실시예에서, 열 처리 챔버를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는 내부 접시 위에서 외부 림의 내부 에지로부터 방사상 내측으로 연장되는 6개의 웨지를 더 포함하고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭에 의해 분리된다. 서셉터는 웨지들 각각 사이에 배치되는 석영 단열 분리기(quartz insulating separator)를 더 포함한다. 각각의 석영 단열 분리기는 2개의 웨지 및 외부 림의 내부 에지에 접촉한다. 서셉터는 내부 접시의 상부 표면으로부터 연장되는 3개의 범프를 더 포함한다. 각각의 범프는 각각의 웨지보다 내부 접시의 중심에 더 가깝게 위치되고, 내부 접시의 어떠한 이분면(bisection)도 3개의 범프 전부를 포함하지는 않는다.
위에서 개시된 실시예들의 위에서 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 더 구체적인 설명은 다음의 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 전형적인 실시예들만을 예시하며, 따라서 동등한 효과의 다른 실시예들을 배제하도록 그 범위를 제한하는 것으로 고려되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
도 1a는 일 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1b는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1d는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들의 열 처리를 위한 서셉터에 관한 것이다. 개시된 실시예들은, 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시킴으로써, 처리 동안 기판의 표면에 걸친 열 균일성을 개선할 수 있다. 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시키면, 처리 동안 전도에 의해 서셉터로부터 기판으로 전달되는 열의 양이 감소된다. 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있는 일부 구조물들의 실시예들이 아래에 설명된다.
도 1a는 일 실시예에 따른 서셉터(120)의 상부 단면도이다. 서셉터(120)는, 내부 접시(102)를 둘러싸고 내부 접시에 연결되는 외부 림(110)을 포함한다. 내부 접시(102)는 내부 접시의 중심이 내부 접시(102)의 에지들보다 약간 더 낮도록 오목할 수 있다. 외부 림(110)은 내부 에지(112) 및 외부 에지(114)를 포함한다. 일반적으로, 서셉터(120)와 같은 서셉터들은 서셉터 상에서 처리될 기판이 외부 림(110)과 같은 외부 림의 내부에 들어맞도록 하는 크기를 갖는다. 서셉터(120)는 서셉터(120)를 하우징하는 열 처리 챔버(도시되지 않음)의 안팎으로 기판들을 이송하는 데에 도움을 주는 리프트 핀들(104)을 더 포함한다.
서셉터(120)는, 기판(도시되지 않음)이 서셉터(120)에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터(120) 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 6개의 웨지(122)를 더 포함하고, 웨지들(122)은 외부 림(110)의 내부 에지(112) 부근에서 내부 접시(102)에 접촉한다. 웨지들(122)은 서셉터(120)의 일체형 부분으로서 형성될 수 있거나, 또는 예를 들어 용접에 의해 서셉터에 부착될 수 있다. 각각의 웨지(122)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 방사상 내측으로 연장되고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭(124)에 의해 분리된다. 갭들(124)은 서셉터(120)에 접촉하지 않을 기판의 아랫면(underside)의 영역들에 대응하고, 그에 의해 기판 에지에서의 전도성 가열을 감소시키면서 처리 동안 더 많은 열이 서셉터(120)로부터 기판으로 복사되는 것을 허용한다. 각각의 웨지(122)는 내부 접시(102)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물이다. 웨지들(122)은 내부 접시(102)의 중심 주위에 대칭으로 배열될 수 있다. 각각의 웨지(122)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)에 접촉할 수 있고, 각각의 웨지(122)는 내부 접시(102)의 상부 표면보다 더 높은 상부 표면을 가질 수 있다. 웨지들뿐만 아니라, 내부 접시 및 외부 림은 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화물 코팅된 흑연, 유리질 탄소로 코팅된 흑연, 또는 높은 열 전도율을 갖는 다른 재료들로 제조될 수 있다.
도 1a에는 6개의 웨지(122)가 도시되어 있지만, 상이한 실시예들에서는 2개 이상의 웨지가 이용될 수 있다. 도 1b는 갭들(144)에 의해 분리되는 8개의 웨지(142)를 갖는 서셉터(140)의 상부 단면도를 도시한다. 도 1c는 갭들(164)에 의해 분리되는 9개의 웨지(162)를 갖는 서셉터(160)의 상부 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 추가의 웨지들은 전도에 의해 기판으로 열을 전달하는 서셉터 상의 개별적인 표면적들(즉, 각각의 웨지의 최상부 표면)의 크기를 감소시킴으로써 처리 동안 열 균일성을 개선할 수 있다. 추가의 웨지들은 기판의 에지들에서의 열 균일성을 개선할 수 있는데, 왜냐하면 기판이 다른 표면에 접촉하지 않는 갭들이 더 많이 존재하기 때문이다. 이러한 개선된 열 균일성은 에지들을 따라 핫 스폿들이 형성되는 것을 방지하는 데에 도움을 준다.
서셉터들(140 및 160)은 내부 접시(102)의 상부로부터 연장되는 3개의 둥근 범프(118)를 더 포함한다. 각각의 범프(118)는 각각의 웨지(142, 162)보다 내부 접시(102)의 중심에 더 가깝게 위치된다. 범프들(118)은 스레디드 접속(threaded connection) 또는 다른 통상의 체결 수단을 통해 내부 접시(102)에 체결될 수 있다. 범프들(118)은 서셉터와 동일한 재료 또는 상이한 재료로 이루어질 수 있고, 실리콘 탄화물, 또는 유리질 탄소 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 이루어질 수 있다. 기판들이 에지들 주위에서 지지될 때, 예컨대 처리 동안 서셉터가 이용될 때, 기판의 중심은 기판의 에지들 아래로 처질(sag) 수 있다. 처리 동안 처진 기판의 아랫면의 부분들이 서셉터 접시에 접촉하는 것을 방지하기 위해, 내부 접시(102)와 같은 서셉터 접시들은 종종 약간 오목하다. 한편, 에피택시에서 고도로 균일한 프로세스 조건들을 생성하기 위해, 내부 접시의 상부 표면과 기판의 하부 표면 사이의 거리는 상당히 작게, 예를 들어 0.25mm 미만으로 유지된다. 기판이 접시에 접촉하는 경우, 전도에 의해 내부 접시로부터 기판으로 열이 전달되고, 열 균일성이 감소될 수 있다.
범프들(118)은 처진 기판을 지지하여 내부 접시(102)와 기판 사이의 접촉을 방지하기 위해 이용될 수 있다. 범프들(118)은 처진 기판과 서셉터 사이에 접촉 표면적을 제공하는데, 이러한 접촉 표면적은 범프들(118)이 없는 경우에 내부 접시(102)에 접촉하였을 기판의 표면적보다 더 작다. 범프들(118)은 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이 내부 접시(102)의 중심 주위에 고르게 분포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 처진 기판의 적당한 지지를 보장하기 위해, 내부 접시(102)의 일 면에 적어도 하나의 범프(118)가 항상 존재할 수 있다.
도 1d는 다른 실시예에 따른 서셉터(180)의 상부 단면도이다. 서셉터(180)는, 기판(도시되지 않음)이 서셉터(180)에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터(180) 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 6개의 웨지(182)를 더 포함하고, 웨지들(182)은 외부 림(110)의 내부 에지(112) 부근에서 내부 접시(102)에 접촉한다. 각각의 웨지(182)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 방사상 내측으로 연장되고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭(184)에 의해 분리된다. 갭(184)은 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 더 감소시키기 위해 도 1a에 도시된 갭(124)보다 더 크다. 서셉터(180)는 웨지들(182) 각각 사이에 배치되는 단열 분리기(188)를 더 포함한다.
도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에 따른 서셉터(180)의 부분 단면도이다. 이 단면도는 단열 분리기(188)의 최상부와 동일한 높이에 있는 웨지(182)의 최상부를 도시한다. 기판(50)은 단열 분리기(188)와 웨지(182)의 최상부 상에 놓인 것으로 도시되어 있다. 단열 분리기(188)는 단열 분리기(188)의 지정된 방사상 위치에서 또는 외부 림(110)의 내부 에지(112) 근처에서 서셉터 표면 주위에 형성된 홈(189)에 배치될 수 있다. 홈(189)은 단열 분리기(188)를 지정된 위치에 유지한다. 전형적으로, 단열 분리기(188)는 홈(189)의 깊이보다 더 큰 두께를 가지고, 따라서 단열 분리기(188)의 상부 표면은 서셉터(180)의 주변 표면 위로 상승하고, 그에 따라 기판 에지와 서셉터 표면 사이의 접촉을 감소시킨다.
단열 분리기들(188)은 전형적으로 단열성 재료, 예컨대 실리콘 산화물, 임의의 유형(즉, 비정질, 결정질, 광학적, 기포 등)의 석영, 유리 등으로 이루어진다. 단열 분리기들(188)은 처리 동안 내부 접시 주위에 열 단절부들(thermal breaks) 또는 감소된 열 전도율의 영역들을 제공한다. 이러한 열 단절부는, 전형적으로 높은 열 전도율 재료로 이루어지는 서셉터로부터 기판의 에지로의 열 전도를 감소시킨다. 기판 에지와 고전도성 서셉터 재료 사이의 감소된 접촉은 처리 동안 기판 에지의 전도성 가열을 감소시킨다. 단열 분리기들(188)은 외부 림(110)의 내부 에지(112)에 접촉할 수 있지만, 또한 서셉터 상의 다른 위치들에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 단열 분리기들(188)은 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 이격될 수 있다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 서셉터(220)의 상부 단면도이다. 도 2b는 서셉터(220)의 부분 단면도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 서셉터(220)는 내부 접시(202)를 둘러싸는 외부 림(210)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(210)은 내부 에지(212) 및 외부 에지(214)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(204)이 내부 접시(202) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(220)는 내부 접시(202)의 중심을 둘러싸는 동심 환형 리지들(concentric annular ridges)(222)을 포함한다. 각각의 환형 리지(222)는 상이한 직경을 갖는다. 환형 리지들(222)의 적어도 일부는 외부 림(210)의 내부 에지(212) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222)의 일부는 내부 에지(212)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(212)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다. 서셉터(220)는 내부 접시(202)의 중심으로부터 외부 림(210)의 내부 에지(212)까지 연장되는 6개의 스포크(228)를 더 포함할 수 있다. 상이한 실시예들에서는 더 많거나 더 적은 스포크(228)가 포함될 수 있다. 각각의 스포크(228)는 외부 림(210)의 내부 에지(212) 주위에서 상이한 각도 위치로 연장된다. 일부 실시예들에서, 각각의 스포크(228)의 상부 표면은 환형 리지들(222)의 최상부들 위에 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 스포크의 상부 표면은 환형 리지들(222)의 최상부들과 실질적으로 동일한 높이에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222)은 스포크들(228) 아래에서 또는 스포크들(228)을 통하여 계속되어, 내부 접시(202)의 중심 주위에 완전한 링을 만든다. 다른 실시예들에서, 스포크들(228)은 환형 리지들(222)의 부분들을 분리시킨다.
스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은, 기판(50)이 서셉터(220)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(220) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 환형 리지들(222)에 접촉하지 않고서 스포크들(228)에만 접촉할 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 환형 리지들(222)의 적어도 일부와 스포크들(228) 둘 다에 접촉할 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222) 및 스포크들(228) 중 하나 또는 둘 다 또는 그들 각각의 상부 표면들은 내부 접시(202)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물들이다. 리지들(222)은, 서셉터(220)의 상부 표면의 복사 표면적을 증가시킴으로써, 기판을 처리할 때 열 균일성을 또한 개선할 수 있다.
스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은 서셉터(220)를 이루는 것과 동일한 재료들 중 임의의 것일 수 있는 동일한 재료 또는 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은 패터닝되지 않은 서셉터 접시 표면으로부터 환형 리지들(222)을 조각(sculpting)함으로써 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 패터닝되지 않은 서셉터 접시 표면에 리세스들이 형성되어 스포크들을 정의하고, 다음에 리지 단편들(ridged pieces)의 패턴이 예를 들어 용접에 의해 리세스들 내에서 서셉터 표면에 부착되어 환형 리지들(222)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 서셉터(220)는, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)뿐만 아니라 내부 접시(202)를 외부 림(210)의 내부 에지(212)에 접속하는 기울어진 표면(216)을 포함할 수 있다. 기울어진 표면(216)은 기판(50)의 지지 표면의 일부로서 이용될 수 있다. 기울어진 표면(216)의 경사 또는 치수들을 변화시키면, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)에 대한 기판(50)의 높이를 제어할 수 있다.
도 2c는 다른 실시예에 따른 서셉터(240)의 상부 단면도이다. 서셉터(240)가 어떠한 스포크(228)도 포함하지 않는다는 점을 제외하면, 서셉터(220)는 서셉터(240)와 유사하다. 서셉터(240)는 환형 리지들(222)과 유사한 환형 리지들(242)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 기판이 서셉터(240) 상에 배치될 때, 기판의 아랫면은 환형 리지들(242)의 적어도 일부에 접촉할 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판은 도 2b의 기울어진 표면(216)과 같은 별도의 표면에 의해 지지되므로, 기판의 아랫면과 환형 리지들(242)의 최상부들 사이에 작은 갭이 존재할 수 있다.
도 3a는 다른 실시예에 따른 서셉터(320)의 상부 단면도이다. 도 3b는 서셉터(320)의 부분 단면도이다. 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 서셉터(320)는 내부 접시(302)를 둘러싸는 외부 림(310)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(310)은 내부 에지(312) 및 외부 에지(314)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(304)이 내부 접시(302) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(320)는 내부 접시(302)의 상부 표면으로부터 연장되는 일련의 범프들(322)을 포함하고, 따라서 각각의 범프의 적어도 일부는 내부 접시(302) 위로 상승된다. 범프들(322)의 적어도 일부는 외부 림(310)의 내부 에지(312) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 범프들(322)의 일부는 내부 에지(312)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(312)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다. 범프들(322)은 내부 접시(302) 상에 링형 패턴으로 배열되지만, 복수의 링, 삼각형, 정사각형 또는 직사각형 패턴, 또는 그리드형 패턴과 같은 다른 배열들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 내부 접시(302)의 각각의 사분면은 적어도 하나의 범프(322)를 포함할 수 있다. 범프들(322)은 스레디드 접속 또는 다른 통상의 체결 수단을 통해 내부 접시(302)에 체결될 수 있다.
범프들(322)은, 기판(50)이 서셉터(320)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(320) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(302) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 범프들(322)에만 접촉할 수 있다. 기판(50)이 범프들(322)을 이용하여 지지될 때, 기판들의 에지들 주위의 핫 스폿들이 크게 감소된다. 다른 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(302)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 추가의 범프들이 내부 접시(302)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(302)로부터 위로 연장될 수 있다.
범프들(322)은 전형적으로 낮은 열 전도율 재료, 예컨대 실리콘 산화물, 임의의 유형의 석영, 유리 등으로 이루어진다. 범프들은 기판 에지의 전도성 가열을 감소시키기 위해 서셉터(320) 상에 배치된 기판의 에지에 대해 상승된 접촉을 제공한다. 범프들(322)은 서셉터(320)의 표면에 형성된 리세스들 내로 삽입될 수 있다. 범프들(322)이 서셉터 표면에서 고정되는 것을 허용하기 위해 범프들(322) 및 리세스들에 피쳐들이 추가될 수 있다. 이러한 피쳐들은 스레드들 또는 다른 회전 맞물림 구조물들(rotational engagement structures)을 포함할 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 서셉터(420)의 부분 단면도이다. 서셉터(420)는 내부 접시(402)를 둘러싸는 외부 림(410)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(410)은 내부 에지(412) 및 외부 에지(414)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(도시되지 않음)이 내부 접시(402) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(420)는 내부 접시(402)의 상부 표면으로부터 연장되는 환형 리지(422)를 포함하고, 따라서 환형 리지의 적어도 일부는 내부 접시(402) 위로 상승된다. 환형 리지는, 서셉터(420)에 의해 지지될 기판(50)의 반경보다 더 작은 방사상 거리(424)만큼 내부 접시(402)의 중심으로부터 떨어져서 내부 접시(402)의 중심을 둘러쌀 수 있다. 환형 리지(422)는 높은 열 전도율 재료, 예컨대 실리콘 탄화물, 또는 유리질 탄소 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 이루어질 수 있다. 환형 리지(422)의 높이(426)는 기판(50)과 내부 접시(402) 사이의 갭을 제어하도록 설계될 수 있다. 일부 실시예들에서, 2개 이상의 환형 리지(422)가 내부 접시(402)의 상부 표면으로부터 연장될 수 있다. 추가의 환형 리지들(도시되지 않음)은 다른 환형 리지들과는 상이한 높이들뿐만 아니라 상이한 직경들을 가질 수 있다. 환형 리지(422)는 내부 접시(402) 상에 링형 패턴으로 배열되지만, 복수의 링, 삼각형, 정사각형 또는 직사각형 패턴, 또는 그리드형 패턴과 같은 다른 배열들이 이용될 수 있다. 환형 리지(422)는 외부 림(410)의 내부 에지(412) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(422)의 일부는 내부 에지(412)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(412)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다.
환형 리지(422)는, 기판(50)이 서셉터(420)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(420) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(402) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 환형 리지(422)에만 접촉할 수 있다. 처리 동안 상이한 열 프로파일들을 달성하기 위해 환형 리지(422)의 높이(426)뿐만 아니라 방사상 위치(424)가 수정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(402)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 범프들이 내부 접시(402)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(402)로부터 연장될 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 서셉터(520)의 부분 단면도이다. 서셉터(520)는 내부 접시(502)를 둘러싸는 외부 림(510)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(510)은 내부 에지(512) 및 외부 에지(514)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(도시되지 않음)이 내부 접시(502) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(520)는 외부 림(510)의 내부 에지(512)로부터 함몰부(526)까지 방사상 내측으로 연장되는 기울어진 표면(522)을 포함한다. 기울어진 표면(522)의 적어도 일부는 내부 접시(502)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물이다. 함몰부(526)의 상부 표면은 내부 접시(502)의 상부 표면 아래에 위치된다. 함몰부(526)의 상부 표면은 기울어진 표면(522)을 내부 접시(502)의 상부 표면에 연결한다. 기울어진 표면(522)은 내부 접시(502)의 상부 표면으로부터 약 3도 내지 약 20도, 예컨대 약 4도 내지 약 12도, 예를 들어 약 7도 기울어질 수 있다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는, 처리 동안 기판(50)이 기울어진 표면(522)에 접촉할 수 있는 위치에 대응하는 방사상 위치(524)를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는 또한 기판(50)의 바닥과 함몰부(526)의 상부 표면 사이의 갭(528)의 크기를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 갭(528)의 크기는 0.1mm 내지 1mm, 예를 들어 약 0.3mm일 수 있다.
기울어진 표면(522)은, 기판(50)이 서셉터(520)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(520) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(502) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 기울어진 표면(522)에만 접촉할 수 있다. 비교적 가파른 각도, 예컨대 내부 접시(502)의 상부 표면으로부터 약 3도 내지 약 20도, 예컨대 약 4도 내지 약 12도, 예를 들어 약 7도를 이용함으로써, 처리 동안 기판 에지의 더 작은 표면적이 서셉터에 접촉하고, 이는 서셉터(520)로부터 기판(50)으로 전달될 수 있는 전도성 열의 양의 감소시킨다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는 처리 동안 상이한 열 프로파일들을 달성하기 위해 수정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(502)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 범프들이 내부 접시(502)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(502)로부터 연장될 수 있다.
본 명세서에 설명된 서셉터 실시예들은 에피택시와 같은 열 프로세스들 동안 기판들의 더 균일한 온도 제어를 허용한다. 서셉터에 접촉하는 기판의 표면적을 감소시킴으로써 온도 제어가 개선되고, 이는 서셉터로부터 기판으로 전달되는 전도성 열의 양을 감소시킨다. 서셉터와 기판 사이의 전도성 열 전달은, 서셉터와 기판 사이의 열 전달의 주된 소스인 복사 열 전달보다 제어하기가 더 어렵다. 서셉터에 접촉하는 기판의 표면적을 감소시키면, 열 전달의 더 높은 비율이 복사 열인 것이 허용되고, 이것은 기판 상에서의 개선된 퇴적 및 개선된 온도 제어를 초래한다. 개시된 실시예들은, 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위해 외부 림 부근에서 내부 접시의 중심 주위에 환형 리지와 같은 구조물을 추가함으로써 기판의 에지 근처에서의 전도성 열 전달을 감소시킨다. 또한, 개시된 실시예들은, 기판이 처지는 경우에 기판을 내부 접시 위에 지지하기 위한 3개의 범프를 포함시킴으로써 기판의 중심 근처에서의 상당한 양의 전도성 열 전달의 가능성을 방지한다.
전술한 실시예들은 반도체 "웨이퍼들" 상에서 이용될 원형 기하형상들(예를 들어, 내부 접시, 외부 림, 환형 리지 등)을 이용하여 설명되었지만, 개시된 실시예들은 상이한 기하형상들을 따르도록 적응될 수 있다.
전술한 것은 전형적인 실시예들에 관한 것이지만, 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 실시예들의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (33)

  1. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    제1 상부 표면을 갖는 내부 부분 및 상기 제1 상부 표면 아래의 제2 상부 표면을 갖는 외부 함몰부를 포함하는 내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸며 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -; 및
    상기 내부 접시의 상기 외부 함몰부의 상기 제2 상부 표면으로부터 연장되며, 상기 내부 접시의 중심으로부터 방사상 거리에서 상기 내부 접시의 상기 중심을 둘러싸는 환형 리지 - 상기 환형 리지의 높이는 상기 내부 접시의 중심으로부터의 거리가 증가함에 따라 증가한 뒤 감소함 -
    를 포함하는 서셉터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내부 접시의 상기 제1 상부 표면으로부터 연장되는 일련의 범프들을 더 포함하고, 상기 일련의 범프들의 각각의 범프는 상기 환형 리지의 최상부 표면 아래에서 최상부 높이로 연장되는, 서셉터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 일련의 범프들은 적어도 3개의 범프들을 포함하는, 서셉터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 내부 접시의 어떠한 이분면(bisection)도 상기 적어도 3개의 범프들 전부를 포함하지는 않는, 서셉터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 환형 리지의 최상부 높이는 상기 외부 림의 상부 표면 아래인, 서셉터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 환형 리지는 상기 외부 림의 상기 내부 에지의 0.5mm 내에 위치되는, 서셉터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 환형 리지는 실리콘 탄화물 코팅된 흑연을 포함하는, 서셉터.
  8. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸고 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상부 표면으로부터 연장되며 상기 내부 접시의 중심을 둘러싸는 복수의 동심 환형 리지 - 각각의 환형 리지는 상이한 직경을 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 상기 외부 림의 상기 내부 에지까지 연장되는 2개 이상의 스포크 - 각각의 스포크는 상기 외부 림의 상기 내부 에지 주위에서 상이한 각도 위치로 연장됨 -; 및
    상기 내부 접시를 상기 외부 림에 직접 접속하는 기울어진 표면
    을 포함하고,
    상기 내부 접시는 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 상기 외부 림 방향으로 연장되는 제1 반경에 의해 정의되고,
    상기 복수의 동심 환형 리지 중 2개 이상은 상기 내부 접시의 중심 영역 내에 위치되며,
    상기 내부 접시의 상기 중심 영역은 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 연장되는 제2 반경에 의해 정의되고,
    상기 제2 반경은 상기 제1 반경의 10% 내지 50%인, 서셉터.
  9. 제8항에 있어서,
    각각의 스포크의 상부 표면은 각각의 동심 환형 리지의 최상부 위로 연장되는, 서셉터.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 동심 환형 리지는 적어도 10개의 동심 환형 리지들을 포함하는, 서셉터.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 동심 환형 리지는 적어도 25개의 동심 환형 리지들을 포함하는, 서셉터.
  12. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸고 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상부 표면으로부터 연장되며 상기 내부 접시의 중심을 둘러싸는 복수의 동심 환형 리지 - 각각의 환형 리지는 상이한 직경을 가짐 -;
    상기 내부 접시를 상기 외부 림에 직접 접속하는 기울어진 표면
    을 포함하고,
    상기 내부 접시는 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 상기 외부 림 방향으로 연장되는 제1 반경에 의해 정의되고,
    상기 복수의 동심 환형 리지 중 2개 이상은 상기 내부 접시의 중심 영역 내에 위치되며,
    상기 내부 접시의 상기 중심 영역은 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 연장되는 제2 반경에 의해 정의되고,
    상기 제2 반경은 상기 제1 반경의 10% 내지 50%이며,
    상기 복수의 동심 환형 리지 중 최외곽 환형 리지는 상기 외부 림의 상기 내부 에지의 0.5mm 내에 위치하는, 서셉터.
  13. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸고 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상부 표면으로부터 연장되며 상기 내부 접시의 중심을 둘러싸는 복수의 동심 환형 리지 - 각각의 환형 리지는 상이한 직경을 가짐 -;
    상기 내부 접시를 상기 외부 림에 직접 접속하는 기울어진 표면
    을 포함하고,
    상기 내부 접시는 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 상기 외부 림 방향으로 연장되는 제1 반경에 의해 정의되고,
    상기 복수의 동심 환형 리지 중 2개 이상은 상기 내부 접시의 중심 영역 내에 위치되며,
    상기 내부 접시의 상기 중심 영역은 상기 내부 접시의 상기 중심으로부터 연장되는 제2 반경에 의해 정의되고,
    상기 제2 반경은 상기 제1 반경의 10% 내지 50%이며,
    상기 기울어진 표면의 상부 표면은 각각의 환형 리지의 최상부 위로 연장되는, 서셉터.
  14. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸고 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상부 표면으로부터 상기 내부 접시 위로 제1 높이에 있는 최상부 표면까지 연장되는 제1 일련의 범프들 - 상기 내부 접시의 각각의 사분면은 상기 제1 일련의 범프들로부터 적어도 하나의 범프를 포함함 -; 및
    제2 일련의 범프들
    을 포함하고,
    상기 제1 일련의 범프들은 상기 제2 일련의 범프들에 비해 상기 내부 접시의 중심으로부터 더 큰 방사상 거리에 배치되고,
    상기 제2 일련의 범프들의 각각의 범프는, 상기 제1 일련의 범프들로부터의 범프들의 상기 최상부 표면의 상기 제1 높이 아래인 최상부 높이까지 연장되며,
    상기 제1 일련의 범프들로부터의 범프들의 상기 최상부 표면의 상기 제1 높이는 상기 외부 림 내부의 상기 서셉터의 최고 높이인, 서셉터.
  15. 제14항에 있어서,
    각각의 범프는 상기 외부 림의 상기 내부 에지의 0.5mm 내에 위치되는, 서셉터.
  16. 제14항에 있어서,
    각각의 범프의 최상부는 상기 내부 접시 내에 위치된 임의의 다른 표면 위로 연장되는, 서셉터.
  17. 제14항에 있어서,
    각각의 범프는 실리콘 산화물, 석영, 또는 유리를 포함하는, 서셉터.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 일련의 범프들은 상기 외부 림 내부의 상기 제1 높이에 위치된 상기 서셉터의 유일한 구성요소인, 서셉터.
  19. 열 처리 챔버를 위한 서셉터로서,
    내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸는 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 접시의 상부 표면 아래 위치된 상부 표면을 갖는 함몰부; 및
    상기 외부 림의 상기 내부 에지로부터 상기 함몰부까지 방사상 내측으로 연장되는 기울어진 표면
    을 포함하는 서셉터.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 함몰부의 상기 상부 표면은 상기 기울어진 표면을 상기 내부 접시의 상기 상부 표면에 연결하는, 서셉터.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 기울어진 표면은 상기 내부 접시의 상기 상부 표면 아래의 일 높이로부터 상기 내부 접시의 상기 상부 표면 위의 일 높이까지 연장되는, 서셉터.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 내부 접시의 상기 상부 표면으로부터 연장되는 일련의 범프들을 더 포함하는 서셉터.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 일련의 범프들의 각각의 범프는 상기 기울어진 표면의 최고 높이 아래의 최상부 높이까지 연장되는, 서셉터.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 일련의 범프들은 적어도 3개의 범프들을 포함하는, 서셉터.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 내부 접시의 어떠한 이분면도 3개의 범프들 전부를 포함하지는 않는, 서셉터.
  26. 제19항에 있어서,
    상기 기울어진 표면은 상기 내부 접시의 상기 상부 표면에 비해 약 3도 내지 약 20도 기울어진, 서셉터.
  27. 제19항에 있어서,
    상기 기울어진 표면은 상기 내부 접시의 상기 상부 표면에 비해 약 4도 내지 약 12도 기울어진, 서셉터.
  28. 처리 동안 기판을 지지하는 방법으로서,
    처리 챔버에 배치된 서셉터 상의 처리 위치에 기판을 위치시키는 단계 - 상기 서셉터는:
    상부 표면을 포함하는 내부 접시;
    상기 내부 접시를 둘러싸며 상기 내부 접시에 연결된 외부 림 - 상기 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 가짐 -;
    상기 내부 에지에 근접하여 위치된 지지 구조물 - 상기 지지 구조물은 상기 내부 접시의 상기 상부 표면 위로 일 높이에 위치된 지지 표면을 포함하고, 상기 기판은 상기 기판이 처리 위치에 있을 때 상기 지지 표면 상에 위치됨 -; 및
    상기 내부 접시의 상기 상부 표면으로부터 상기 지지 구조물의 상기 지지 표면의 상기 높이 아래의 최상부 높이까지 연장되는 복수의 범프
    를 포함함 -; 및
    상기 기판이 상기 서셉터 상의 상기 처리 위치에 있을 때 상기 처리 챔버 내부에서 상기 기판에 대한 프로세스를 수행하는 단계
    를 포함하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 기판의 처리 동안, 상기 기판의 일부는 상기 범프들 중 적어도 하나에 접촉하는, 방법.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 외부 림의 상기 내부 에지의 1mm 내에 위치되는, 방법.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 복수의 범프는 2개 또는 3개의 범프로 구성되는, 방법.
  32. 제28항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 내부 접시의 중심을 둘러싸는 환형 리지인, 방법.
  33. 제28항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 외부 림의 상기 내부 에지로부터 상기 내부 접시 방향으로 방사상 내측으로 연장되는 기울어진 표면인, 방법.
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Families Citing this family (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN104718608A (zh) * 2012-11-21 2015-06-17 Ev集团公司 用于容纳及安装晶片的容纳装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
WO2016118285A1 (en) * 2015-01-23 2016-07-28 Applied Materials, Inc. New susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN108441945A (zh) * 2018-04-19 2018-08-24 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11682574B2 (en) 2018-12-03 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
US11589606B1 (en) * 2019-05-14 2023-02-28 Bfy Brands, Llc Apparatus and methods for making food products with improved heating components
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11764101B2 (en) * 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
JP2023513154A (ja) 2020-02-11 2023-03-30 ラム リサーチ コーポレーション ウエハベベル／エッジ上の堆積を制御するためのキャリアリング設計
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
TW202143380A (zh) * 2020-03-21 2021-11-16 美商應用材料股份有限公司 用於快速氣體交換的基座幾何形狀
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN111490002B (zh) * 2020-04-21 2023-06-27 錼创显示科技股份有限公司 载盘结构
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117089926B (zh) * 2023-10-20 2024-01-16 杭州海乾半导体有限公司 一种用于提高碳化硅外延片均匀性的载具及其使用方法

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539759A (en) * 1968-11-08 1970-11-10 Ibm Susceptor structure in silicon epitaxy
JPS5959876A (ja) * 1982-09-30 1984-04-05 Ushio Inc 光照射炉の運転方法
JPH05238882A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長用サセプタ
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
JPH0758039A (ja) 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
JP3004846B2 (ja) 1993-08-20 2000-01-31 東芝セラミックス株式会社 気相成長装置用サセプタ
JPH09199437A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウェーハ支持装置
US6245152B1 (en) * 1996-07-05 2001-06-12 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Method and apparatus for producing epitaxial wafer
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JP2001522142A (ja) * 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
TW473904B (en) * 2000-10-17 2002-01-21 Applied Materials Inc Chamber having substrate support
JP2002151412A (ja) 2000-10-30 2002-05-24 Applied Materials Inc 半導体製造装置
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
KR20010067805A (ko) * 2001-03-29 2001-07-13 정기로 급속 열처리 장치용 에지링
US6529686B2 (en) * 2001-06-06 2003-03-04 Fsi International, Inc. Heating member for combination heating and chilling apparatus, and methods
US20050000449A1 (en) * 2001-12-21 2005-01-06 Masayuki Ishibashi Susceptor for epitaxial growth and epitaxial growth method
US7033445B2 (en) * 2001-12-27 2006-04-25 Asm America, Inc. Gridded susceptor
JP2004119859A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法
JP2004128019A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及び装置
JP2004128271A (ja) 2002-10-03 2004-04-22 Toyo Tanso Kk サセプタ
KR101116510B1 (ko) * 2003-08-01 2012-02-28 에스지엘 카본 에스이 반도체 제조시 웨이퍼를 지지하는 홀더
KR100578129B1 (ko) * 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치
US7044476B2 (en) * 2003-11-25 2006-05-16 N&K Technology, Inc. Compact pinlifter assembly integrated in wafer chuck
KR101112029B1 (ko) * 2004-02-13 2012-03-21 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 자동 도핑 및 후면 증착의 감소를 위한 기판 지지 시스템
US20050217585A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Blomiley Eric R Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon
US7646580B2 (en) * 2005-02-24 2010-01-12 Kyocera Corporation Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method
JP4841873B2 (ja) * 2005-06-23 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理用サセプタおよび熱処理装置
JP4666496B2 (ja) * 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP4497103B2 (ja) * 2006-02-21 2010-07-07 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ
US7573004B1 (en) * 2006-02-21 2009-08-11 Structured Materials Inc. Filament support arrangement for substrate heating apparatus
TW200802552A (en) * 2006-03-30 2008-01-01 Sumco Techxiv Corp Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof
JP5349341B2 (ja) * 2007-03-16 2013-11-20 ソースル シーオー エルティディー プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
US20080314319A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
US20090031955A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
JP2009270143A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Nuflare Technology Inc サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法
KR100984177B1 (ko) * 2008-06-13 2010-09-28 엘아이지에이디피 주식회사 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 이온주입장치
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US8033771B1 (en) * 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
JP5141541B2 (ja) * 2008-12-24 2013-02-13 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP5359698B2 (ja) * 2009-08-31 2013-12-04 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体
US9159595B2 (en) * 2010-02-09 2015-10-13 Suss Microtec Lithography Gmbh Thin wafer carrier
US9570328B2 (en) * 2010-06-30 2017-02-14 Applied Materials, Inc. Substrate support for use with multi-zonal heating sources
JP5462946B2 (ja) * 2010-06-30 2014-04-02 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板冷却方法
TW201218301A (en) * 2010-10-28 2012-05-01 Applied Materials Inc Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
US9905443B2 (en) * 2011-03-11 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
JP5869899B2 (ja) * 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
KR20120137986A (ko) * 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 정전척
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
JP5792563B2 (ja) * 2011-08-31 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US11085112B2 (en) * 2011-10-28 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Susceptor with ring to limit backside deposition
JP5665726B2 (ja) * 2011-12-14 2015-02-04 株式会社東芝 エッチング装置およびフォーカスリング
KR20190132561A (ko) * 2012-01-06 2019-11-27 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 적응형 열 교환 방법 및 균일한 열 교환을 위한 시스템
US9376752B2 (en) * 2012-04-06 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Edge ring for a deposition chamber
EP2850031A1 (en) * 2012-05-16 2015-03-25 Intelligent Energy, Inc. Refillable hydrogen generator
JP6011417B2 (ja) * 2012-06-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
US9403251B2 (en) * 2012-10-17 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
KR101923050B1 (ko) * 2012-10-24 2018-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링
US9633889B2 (en) * 2013-03-06 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated vacuum and edge purge conduits
US10068791B2 (en) * 2013-03-08 2018-09-04 Semiconductor Components Industries, Llc Wafer susceptor for forming a semiconductor device and method therefor
US9799548B2 (en) * 2013-03-15 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Susceptors for enhanced process uniformity and reduced substrate slippage
JP6119430B2 (ja) * 2013-05-31 2017-04-26 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US9835957B2 (en) * 2013-09-27 2017-12-05 Asml Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI734668B (zh) * 2014-06-23 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 在ｅｐｉ腔室中的基材熱控制
US9517539B2 (en) * 2014-08-28 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer susceptor with improved thermal characteristics
JP6296299B2 (ja) * 2014-09-02 2018-03-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10269614B2 (en) * 2014-11-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Susceptor design to reduce edge thermal peak
WO2016114877A1 (en) * 2015-01-12 2016-07-21 Applied Materials, Inc. Support assembly for substrate backside discoloration control
EP3275008B1 (en) * 2015-03-25 2022-02-23 Applied Materials, Inc. Chamber components for epitaxial growth apparatus
US9428833B1 (en) * 2015-05-29 2016-08-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
KR102415944B1 (ko) * 2015-06-23 2022-07-04 삼성전자주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치
JP6123952B1 (ja) * 2015-08-27 2017-05-10 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US10121655B2 (en) * 2015-11-20 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Lateral plasma/radical source
US20170175265A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Flat susceptor with grooves for minimizing temperature profile across a substrate
KR102507283B1 (ko) * 2015-12-22 2023-03-07 삼성전자주식회사 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
JP6978840B2 (ja) * 2017-02-28 2021-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板保持装置
US11201079B2 (en) * 2018-05-30 2021-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer chuck

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