KR20080083304A

KR20080083304A - 유기 전계발광 장치

Info

Publication number: KR20080083304A
Application number: KR1020087016554A
Authority: KR
Inventors: 홀거 하일; 필립 슈퇴쎌; 로코 포르테; 아미르 파르함; 호르스트 페스트베버
Original assignee: 메르크 파텐트 게엠베하
Priority date: 2005-12-08
Filing date: 2006-11-17
Publication date: 2008-09-17
Also published as: DE102005058543A1; CN101326261A; CN101326261B; KR101352300B1; US20080272693A1; JP2009518327A; TW200735437A; EP1957605B1; WO2007065549A1; JP5420248B2; EP1957605A1; US8304095B2

Abstract

본 발명은 스틸벤아민을 포함하는 청색-발광 유기 전계발광 장치, 및 상기 전계발광 장치의 제조 물질의 개선에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 장치{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES}

본 발명은 스틸벤아민을 포함하는 유기 전계발광 장치, 및 상기 전계발광 장치의 제조 물질에 관한 것이다.

가시 스펙트럼 영역 내 빛의 방출이 가능하고 반도체 유기 화합물을 포함하는 유기 전계발광 장치의 일반 구조는, 예를 들어, US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136에 기재되어 있다.

그러나, 상기 장치들은 여전히 고품질 풀-컬러 디스플레이 내 사용을 위해서는 긴급한 개선이 요구되는 현저한 문제점을 나타낸다. 따라서, 특히 청색 발광의 경우 작동 수명이 아직 충분하지 않고, 이는 현재까지 상업적으로 단순한 적용을 달성하는 것만이 가능하다는 것을 의미한다.

JP 04-184892에 OLED용 발광 화합물로서 디스틸벤아민류, 트리스틸벤아민류 및 추가의 스틸벤 유도체가 기재되어 있다. 상기 화합물들은 발광층에서 순물질로 사용된다. 최적화된 호스트(host) 물질로 최적화된 장치 구조의 경우에도, 제시된 화합물을 포함하는 장치의 수명은 여전히 충분하지 않다.

따라서, 본 발명의 목적은 특히 개선된 수명과 동시에 동등하게 양호하거나 또는 개선된 진청색 발광 및 동등하게 양호한 효율을 갖는 화합물에 이러한 개선점을 제공하는 것이다.

놀랍게도, 발광층에 특정 치환기-하기에 기재됨-를 갖는 트리스틸벤아민 유도체를 포함하는 유기 전계발광 장치가 선행기술에 비해 유의적으로 개선된다는 점을 발견하였다. 상기 물질에 의해, 연속되는 진청색 발광 및 양호한 효율과 함께 개선된 수명을 얻을 수 있다. 앞서 언급한 선행기술의 유사하게 치환된 이미터(emitter)의 수명이 상당히 더 짧기 때문에, 이러한 결과는 특히 놀랍다. 따라서, 본 발명은 상기 화합물 및 OLED 의 발광층 내 그의 용도에 관한 것이다.

본 발명은 애노드, 캐소드 및 하나 이상의 발광 가능 유기층을 포함하는 유기 전계발광 장치로서, 상기 유기층은 하나 이상의 하기 화학식 (1)의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치에 관한 것이다:

[화학식 (1)]

[식 중, 사용된 기호 및 지수에 하기를 적용한다:

R은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, F, OCF₃, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 하나 이상의 라디칼 R¹로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH₂기는 -R²C=CR²-, -C≡C-, Si(R²)₂, Ge(R²)₂, Sn(R²)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR², -O-, -S-, -N(R²)- 또는 -CONR²-로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂로 치환될 수 있는, 탄소수 4 내지 10의 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이고; 만일 R이 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기를 의미한다면, R은 또한 페닐기에 2개의 결합을 가질 수 있고, 이에 따라 환형 축합 환계가 형성되고;

R¹은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, F, Cl, Br, I, CN, Si(R²)₃, N(R²)₂, B(OR²)₂, 각각 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH₂기는 -R²C=CR²-, -C≡C-, Si(R²)₂, Ge(R²)₂, Sn(R²)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR², -O-, -S-, -N(R²)- 또는 -CONR²-로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 40의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기, 또는 탄소수 3 내지 40의 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이고, 또는 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있는 방향족환 원자수 5 내지 30의 방향족 또는 헤테로방향족환계, 또는 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있는 방향족환 원자수 5 내지 24의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 상기 계의 2, 3, 4 또는 5개의 조합이고; 여기서 2 이상의 치환기 R¹은 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족환계를 형성할 수 있고;

R²는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 수소, 또는 지방족, 방향족 또는 지방족 및 방향족의 조합일 수 있고, 또한 각 수소 원자는 플루오르로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소 라디칼이고; 여기서 2 이상의 라디칼 R²는 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족환계를 형성할 수 있고;

n은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0, 1, 2, 3 또는 4이고;

p는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0 또는 1이다].

본 발명의 목적상, 환형 알킬기는 단환, 및 또한 이환 및 다환 알킬기를 모두 의미하는 것으로 간주한다.

본 발명의 목적상, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 각각 공통 방향족 π-전자계를 갖는 방향족기 또는 헤테로방향족기를 의미하는 것으로 간주한다. 본 발명의 목적상, 상기는 예를 들어 벤젠, 피리딘, 티오펜 등과 같은 단순한 호모환 또는 헤테로환일 수 있거나, 또는 예를 들어 벤젠 환과 같은 2 이상의 방향족 또는 헤테로방향족환이 서로 “융합된”, 즉 어닐화(anellation)에 의해 서로 축합된, 즉, 하나 이상의 공통 경계를 가짐에 따라 또한 공통 방향족 π-전자계를 가지는 축합 방향족환계일 수 있다. 상기 아릴 또는 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있고; 존재하는 임의의 치환기는 마찬가지로 추가 환계를 형성할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 본 발명의 목적상, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌 등과 같은 계는 아릴기로 간주하고, 퀴놀린, 아크리딘, 벤조티오펜, 카르바졸 등은 헤테로아릴기로 간주하지만, 예를 들어 비페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌 등은 분리된 방향족 π-전자계를 포함하기 때문에, 아릴기를 나타내지 않는다.

본 발명의 목적상, 방향족환계는 환계 내 6 내지 30의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 목적상, 헤테로방향족환계는 탄소 원자 및 헤테로 원자의 합이 5 이상임을 조건부로, 환계 내 2 내지 30의 탄소 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유한다. 헤테로 원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S로부터 선택된다. 본 발명의 목적상, 방향족 또는 헤테로방향족환계는 반드시 오직 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하는 것은 아니고, 대신에 다수의 아릴 또는 헤테로아릴기는 또한 예를 들어, SP³-혼성 C, N 또는 0 원자와 같은 짧은 비방향족 단위(수소 외의 원자는 10 % 미만, 바람직하게는 수소 원자 외의 원자는 5 % 미만)에 의해 중단될 수 있는 계를 의미하는 것으로 간주하려 한다. 따라서, 예를 들어, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르 등의 계는 또한 본 발명의 목적상 방향족환계를 의미하는 것으로 간주하려 한다. 여기서, 방향족 또는 헤테로방향족환계의 일부는 또한 축합기일 수 있다.

본 발명의 목적상, 추가적으로, 각각의 수소 원자 또는 CH₂기가 앞서 언급된 기에 의해 치환될 수 있는, C₁- 내지 C₄₀- 알킬기는, 특히 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 또는 옥티닐 라디칼류를 의미하는 것으로 간주한다. C₁- 내지 C₄₀-알콕시기는 특히 바람직하게는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 간주한다. 각 경우 상기 언급한 라디칼 R¹ 또는 R²로 치환될 수 있고 목적하는 임의의 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족환계에 연결될 수 있는, 방향족환 원자수 1 내지 30의 방향족 또는 헤테로방향족환계는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 간주한다.

화학식 (1)의 화합물의 바람직한 구현예를 하기에 기재한다.

본 발명의 바람직한 구현예에서, 치환기 R은 이중결합에 파라-위치로 결합된다. 따라서, 화학식 (1)의 바람직한 화합물은 하기 화학식 (1a)의 화합물이다:

[화학식 (1a)]

[식 중, 기호 및 지수는 앞서 기재된 바와 동일한 의미를 갖는다].

기호 R 이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 F, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 하나 이상의 수소 원자가 플루오르로 치환될 수 있는 탄소수 4 내지 10의 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬기를 의미하는 화학식 (1)의 화합물이 바람직하다. 기호 R 이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 각 경우 하나 이상의 수소 원자가 플루오르로 치환될 수 있는 탄소수 4, 5 또는 6의 분지형 알킬기 또는 탄소수 5 내지 10의 환형 알킬기를 의미하는 화학식 (1)의 화합물이 특히 바람직하다. 특히 매우 바람직한 기 Si(R²)₃ 은 Si(Me)₃, Si(Me)₂(t-Bu), SiMe(t-Bu)₂ 및 Si(i-Pr)₃이다.

또한, R기가 벤질성 양성자를 포함하지 않는 화합물, 즉 페닐기에 직접 결합된 지방족 탄소원자에 결합된 양성자를 포함하지 않는 화합물이 바람직하다. 또한, 페닐기에 직접 결합된 R기의 탄소 원자가 다리목(bridgehead) 원자인 화합물이 바람직하다. 따라서, 만일 R이 알킬기를 의미한다면, 페닐기에 직접 결합된 탄소 원자는 바람직하게는 4차 탄소 원자이다.

또한, 기호 R¹ 이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 F, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 각 경우 하나 이상의 CH₂기는 -R²C=CR²-, Si(R²)₂, -O-, -S- 또는 -N(R²)-로 치환될 수 있고, 각 경우 하나 이상의 수소 원자는 플루오르로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 6의 직쇄 알킬 또는 알콕시기 또는 탄소수 3 내지 10의 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 또는 방향족환 원자수 5 내지 14의 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 상기 계 중 2 또는 3개의 조합을 의미하는 화학식 (1)의 화합물이 바람직하고; 여기서 2 이상의 인접 라디칼 R¹ 은 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족환계를 형성할 수 있다. 특히 바람직한 라디칼 R¹은 F, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 각 경우 하나 이상의 수소 원자가 플루오르로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬기, 탄소수 3 내지 5의 분지형 알킬기 또는 탄소수 5 내지 10의 환형 알킬기, 또는 방향족환 원자수 6 내지 10의 1가 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 상기 계 중 2개의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.

또한, 지수 n이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 0, 1, 2 또는 3, 특히 바람직하게는 0, 1 또는 2, 매우 특히 바람직하게는 0 또는 1을 의미하는 화학식 (1)의 화합물이 바람직하다. 지수 n이 0인 화합물, 즉 치환기 R¹을 갖지 않는 화학식 (1)의 화합물이 특히 바람직하다.

또한, 지수 p가 각각의 경우 1인 화학식 (1)의 화합물이 바람직하다.

또한, 기호 R 및 (만일 존재한다면) R¹이 모두 동일한 것으로 선택되는 화학식 (1)의 화합물, 즉 3중 회전축을 갖는 화합물이 바람직하다.

특히 바람직한 화학식 (1)의 화합물의 예는 하기에 도시된 화합물 (1) 내지 (61) 이다.

화학식 (1)의 화합물은 바람직하게는 발광층에서 사용되고, 특히 바람직하게는 호스트 물질과의 혼합물로서 사용된다. 적절한 호스트 물질은 다양한 군의 물질이다. 바람직한 호스트 물질은 올리고아릴렌 (예를 들어, EP 676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로비플루오렌, 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합 방향족기를 포함하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어, EP 676461 에 따른 DPVBi(비스디페닐비닐비페닐) 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 금속 착물 (예를 들어, WO 04/081017 에 따른 것), 정공-전도 화합물 (예를 들어, WO 04/058911 에 따른 것), 특히 트리아릴아민 유도체 및 카르바졸 유도체, 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥시드, 술폭시드 등 (예를 들어, WO 05/084081 및 WO 05/084082 에 따른 것), 회전장애 이성질체 (예를 들어, WO 06/048268 에 따른 것), 안사 화합물 (예를 들어, 미공개 특허출원 EP 05005709.0 에 따른 것), 시클로알킬페닐안트라센 (예를 들어, 미공개 특허출원 DE 102005026651.7 에 따른 것) 또는 붕소산 유도체 (예를 들어, 미공개 특허출원 EP 05009643.7 에 따른 것) 의 군으로부터 선택된다. 특히 바람직한 호스트 물질은 나프탈렌, 안트라센, 피렌 및/또는 페릴렌 또는 이러한 화합물들의 회전장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌, 케톤, 포스핀 옥시드, 술폭시드 및 붕소산 유도체의 군으로부터 선택된다. 특히 매우 바람직한 호스트 물질은 안트라센 및/또는 피렌 또는 이러한 화합물들의 회전장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌 및 포스핀 옥시드의 군으로부터 선택된다.

혼합물 내 화학식 (1)의 화합물의 비율은 0.1 내지 99.0 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 50.0 중량%, 특히 바람직하게는 1.0 내지 20.0 중량%, 특히 1.0 내지 10.0 중량% 이다. 이에 대응하여, 혼합물 내 호스트 물질(host material)의 비율은 1.0 내지 99.9 중량%, 바람직하게는 50.0 내지 99.5 중량%, 특히 바람직하게는 80.0 내지 99.0 중량%, 특히 90.0 내지 99.0 중량% 이다. 호스트 물질이라는 용어는, 발광층의 혼합물 내에서 가장 높은 비율로 나타나는 화합물을 말한다.

또한, 다수의 발광층이 사용되고, 하나 이상의 발광층이 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물을 포함하고, 바람직하게는 호스트 물질과 조합되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치가 바람직하다. 특히 바람직하게는, 상기 발광층은 모두 다수의 380 nm 내지 750 nm 의 최대 발광을 가져, 전체로서 백색 발광을 일으키고, 즉 형광을 내거나 인광을 발할 수 있고, 황색, 주황색 또는 적색광을 방출하는 하나 이상의 추가 발광 화합물이 추가 발광층(들)에 또한 사용된다. 특히 바람직하게는 하나 이상의 상기 층이 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물을 포함하고, 바람직하게는 호스트 물질과 조합되고, 3개의 층이 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 발광을 나타내는 3-층 계(기본 구조는 예를 들어, WO 05/011013 참조)이다.

캐소드, 애노드 및 발광층(들) 이외에, 유기 전계발광 장치는 또한 추가 층을 포함할 수 있다. 상기는 예를 들어: 정공-주입층, 정공-수송층, 전자-수송층 및/또는 전자-주입층일 수 있다. 상기 층은 또한 도핑될 수 있다. 그러나, 각각의 상기 층이 반드시 존재해야만 하는 것은 아니다. 적절한 정공-수송 물질은 특히 방향족 아민이고, 통상 선행기술에 따라 사용된다. 정공-수송층은 또한 p-도핑될 수 있다. 적절한 전자-수송 물질은, 예를 들어, AlQ₃와 같은금속 킬레이트 착물, 트리아진 유도체와 같은 전자-결핍 헤테로환에 기초한 화합물, 또는 WO 05/084081 및 WO 05/084082에 기재된 바와 같이 방향족 케톤 또는 포스핀 옥시드를 함유하는 화합물이다. 전자-수송층은 또한 n-도핑될 수 있으며, 예를 들어 AlQ₃는 Cs로 도핑된다. 적절한 전자-주입 물질은 특히, 알칼리 및 알칼리 토금속의 플루오르화물 및 옥시드, 예를 들어 NaF, BaF₂, CaF₂, LiF 또는 Li₂O이다.

또한, 바람직하게는 상기 물질들은 진공 승화 장치에서 10^-5 mbar 미만, 바람직하게는 10^-6 mbar 미만, 특히 바람직하게는 10^-7 mbar 미만의 압력으로 증착되는, 하나 이상의 층이 승화 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 장치이다.

마찬가지로, 바람직하게는 하나 이상의 층이 OVPD(유기 기상 증착(organic vapour phase deposition)) 방법으로 또는 운반-기체 승화의 보조로 코팅되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 장치이다. 여기서, 상기 물질들은 10^-5 mbar 내지 1 bar의 압력으로 적용된다.

또한, 바람직하게는 하나 이상의 층이 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄 또는 오프셋 인쇄와 같은 임의의 목적하는 인쇄 공정에 의해, 특히 바람직하게는 LITI(광유도 열 영상(light induced thermal imaging), 열전사 인쇄(thermotransfer printing)) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 장치이다. 화학식 (1)의 가용성 화합물이 이를 위해 필요하다. 고 용해도는 화합물의 적절한 치환을 통해 달성될 수 있다.

또한, 본 발명은 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물 및 하나 이상의 호스트 물질을 포함하는 혼합물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 유기 전계발광 장치를 제조하기 위한 화학식 (1)의 화합물의 용도에 관한 것이다. 또한, 마찬가지로 본 발명은 유기 전계발광 장치를 제조하기 위한 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물 및 하나 이상의 호스트 물질을 포함하는 혼합물의 용도에 관한 것이다.

화학식 (1)의 화합물은 신규하므로, 또한 본 발명의 주제이다.

따라서, 본 발명은 또한 하기 화학식 (1)의 화합물에 관한 것이다:

[화학식 (1)]

[식 중, R, R¹, R², n 및 p는 앞서 기재된 바와 동일한 의미를 갖고;

하기 화합물은 본 발명으로부터 제외된다:

].

본 발명의 바람직한 구현예에서, 라디칼 R은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, OCF₃, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 탄소수 4 내지 10의 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이고, 하나 이상의 라디칼 R¹로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH₂기는 -R²C=CR²-, -C≡C-, Si(R²)₂, Ge(R²)₂, Sn(R²)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR², -O-, -S-, -N(R²)- 또는 -CONR²-로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂로 치환될 수 있거나, 또는 탄소수 6 내지 16의 아릴기는 R²로 치환될 수 있고; 만일 R이 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기를 의미한다면, R은 페닐기에 2개의 결합을 가질 수 있고, 이에 따라 환형 압축 환계가 형성된다.

화학식 (1)의 바람직한 화합물은 OLED에서의 사용을 위해 앞서 이미 기재된 바람직한 구현예와 같다.

화학식 (1)의 화합물은 선행 기술에 따른 화합물에 유사하게 합성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 이는 적절히 치환된 스티렌 유도체에 트리스(4-브로모페닐)의 헤크(Heck) 커플링으로 합성될 수 있다. 헤크 커플링의 특히 적절한 변형은 예를 들어 WO 02/10093에 기재되어 있다. 헤크 커플링의 추가 합성 변형은 WO 02/10093에 인용된 문헌에 기재되어 있다. 만일 스티렌 유도체 상의 치환기가 헤크 커플링의 조건 하에서 그 자체가 반응하지 않는다면, 상기 방법을 사용할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 화학식 (1)의 알킬-치환 화합물은 상기 방법으로 알킬-치환 스티렌 유도체로부터 합성될 수 있다. 추가의 방법은 Wittig-Horner 반응이고, 여기서 알킬기가 바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 특히 바람직하게는 탄소수 1 또는 2인, 적절히 치환된 디알킬 벤질 포스페이트가 트리스(4-포르밀페닐)아민과 반응한다. 치환된 트리스틸벤아민, 예를 들어 또한 브롬-치환 트리스틸벤아민은 마찬가지로 상기 방법으로 수득할 수 있다. 상기 브롬 치환기는 일례로 금속화, 예를 들어 상응하는 그리그나드 시약으로 전환하거나 또는 리튬화 반응에 의해, 이후 일련의 단계에서 다른 관능기로 치환될 수 있으며, 예를 들어, 실릴 할라이드를 사용하여 상응하는 실릴 유도체로 전환하거나, 또는 보레이트를 사용하여 상응하는 붕소산 유도체로 전환할 수 있다. 화학식 (1)의 화합물의 관능기는, 마찬가지로 상기 방법의 출발물질 상에서 치환기로서, 예를 들어 실릴기 또는 붕소산 에스테르기와 같이 직접 존재할 수 있다.

따라서, 본 발명은 또한, 트리스(4-브로모페닐)아민이 헤크 커플링에서 적절히 치환된 스티렌 유도체와 반응하거나, 또는 트리스(4-포르밀페닐)아민이 적절히 치환된 디알킬 벤질 포스페이트와 반응하고, 임의로는 그 후 본래 치환기가 목적 치환기로 변환되는 것을 특징으로 하는, 화학식 (1)의 화합물의 합성방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 유기 전계-효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 발광 트랜지스터(O-LET), 유기 집적회로(O-IC), 유기 태양전지(O-SC), 유기 전계 퀀치 장치(O-FQD), 발광 전계화학 셀 또는 유기 레이져 다이오드(O-laser)에서의 화학식 (1)의 화합물의 용도에 관한 것이다.

본 발명에 따른 유기 전계발광 장치는 선행기술에 비해 하기의 놀라운 이점을 가진다: 선행기술에 따른 계와 비교하여 장치의 안정성이 더 높아졌으며, 이는 특히 유의적으로 더 길어진 수명으로부터 분명하다. 유사한 치환기, 예를 들어 메틸 또는 이소프로필기로 치환되거나 또는 치환되지 않은 트리스틸벤아민을 포함하는 OLED는 수명이 더 짧기 때문에, 이러한 결과는 특히 놀랍다. 또한, 본 발명에 따른 장치는 선행기술에 따른 트리스틸벤아민 유도체를 포함하는 장치와 비교하여 개선된 진청색을 나타낸다.

본 발명은 하기 실시예로 보다 상세하게 설명되며, 그에 의하여 한정되지 않는다.

하기 합성은 달리 지시한 바가 없다면, 보호-기체 대기하에서 수행한다. 출발 물질로서, 알드리치(ALDRICH)사제(트리스(4-브로모페닐)아민, 4-tert-부틸스티렌, 4-플루오로스티렌, 팔라듐(Ⅱ)아세테이트, N,N-디메틸글리신, 무기물, 용매) 및 엡실론 키미 프로덕트(Epsilon Chimie Products)사제(디에틸 4-브로모벤질 포스포네이트)를 구입할 수 있다. 트리스(4-포르밀페닐)아민은 Synthesis 2005,11,1771에 기재된 바대로 제조할 수 있다. 트리스[(페닐비닐)페닐]아민은 Macromolecules 1996,29,7705에 기재된 바대로 합성할 수 있다. 4-트리플루오로메톡시스티렌은 J. Org . Chem. 1964,29,1에 기재된 바대로 제조할 수 있다. 6-에테닐-1,2,3,4-테트라히드로-1,1,4,4-테트라메틸나프탈렌은 J. Med . Chem. 1989,32,1504에 기재된 바대로 제조할 수 있다.

실시예 1: 트리스(페닐비닐페닐)아민 ( 도펀트 D1 , 비교예 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 스티렌 25.8 ml (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)의 혼합물을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 16시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 각 회마다 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 톨루엔으로 6회 재결정화하고, 각 회 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=350℃, p=5×10^-5mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 18.8 g (34 mmol)(이론값 68.1% 상당)을 생성하였다.

실시예 2: 트리스[4-( 메틸페닐비닐 ) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D2 , 비교예 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 4-메틸스티렌 29.6 ml (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)의 혼합물을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 16시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 각 회마다 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 톨루엔으로 6회 재결정화하고, 각 회 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=350℃, p=5×10^-5mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 15.7 g (26 mmol)(이론값 52.8% 상당)을 생성하였다.

실시예 3: 트리스[4-( tert - 부틸페닐비닐 ) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D3 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 4-tert-부틸스티렌 42.4 ml (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)의 혼합물을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 16시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 디옥산으로 4회 및 톨루엔/n-헵탄 (2:1, v:v)으로 2회 재결정화하고, 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=330℃, p=5×10^-5mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 17.4 g (24 mmol)(이론값 48.3 % 상당)을 생성하였다.

실시예 4: 트리스(4-(트리메틸실릴페닐비닐)페닐)아민 ( 도펀트 D4 )

a) 트리스(4-브로모페닐비닐페닐)아민

tert-부톡시드 나트륨 112.5 g (1.17 mol)을 디에틸(4-브로모벤질)포스포네이트 179.7 g (585 mmol) 및 DMF 1000 ml 의 혼합물에 격렬히 교반하면서 첨가하고, 0℃까지 냉각하였다. 혼합물을 0℃에서 추가 30분 동안 교반하고, DMF 1000 ml 내 트리스(4-포르밀페닐)아민 49.6 g (150 mmol)의 용액을 적가하였다. 혼합물을 0 내지 5℃에서 추가 3시간 동안 교반하고, 2.5 M HCl 250 ml, 물 600 ml 및 에탄올 200 ml 의 혼합물을 첨가하여 얼음-냉각하면서 가수분해하였다. 침전된 고체를 흡입하며 여과하고, 각 회 에탄올/물 (1:1, v:v) 300 ml 로 3회 및 각 회 에탄올 300 ml 로 3회 세정하고, 감압 하에서 건조하였다. 고체를 DMF 300 ml로 재결정화하고, 이어서 끓는 에탄올 500 ml 로 세정하고, 감압 하에서 건조하였다. NMR에 따라 99.0 % 순도의 수율 97.2 g (123 mmol)(이론값 82.1 % 상당).

b) 트리스(4-(트리메틸실릴페닐비닐)페닐)아민

n-BuLi (n-헥산 내 2.5 M) 100 ml (250 mmol)를 실온에서 디에틸 에테르 1000 ml 내 트리스(4-브로모페닐비닐페닐)아민 39.4 g (50 mmol)을 격렬히 교반한 현탁액에 적가하고, 혼합물을 실온에서 추가 3시간 동안 교반하였다. 상기 방법으로 수득한 용액을 -78℃까지 냉각하고, 디에틸 에테르 100 ml 내 클로로트리메틸실란 57.5 ml (450 mmol)의 혼합물을 첨가하고, 혼합물을 실온까지 천천히 데웠다. 물 500 ml 첨가 후, 유기상을 분리하고, 황산마그네슘으로 건조하고 증발시켰다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 톨루엔/아세토니트릴로 5회 재결정화하고, 이어서 감압(T=310℃, p=5×10^-5 mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 23.6 g (31 mmol)(이론값 61.4 % 상당)을 생성하였다.

실시예 5: 트리스[((4- 붕소산 피나콜 에스테르) 페닐비닐 ) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D5 )

n-BuLi (n-헥산 내 2.5 M) 100 ml (250 mmol)를 실온에서 디에틸 에테르 1000 ml 내 트리스(4-브로모페닐비닐페닐)아민(실시예 4a에 따름) 39.4 g (50 mmol)을 격렬히 교반한 현탁액에 적가하고, 혼합물을 실온에서 추가 3시간 동안 교반하였다. 상기 방법으로 수득한 용액을 -78℃까지 냉각하고, 디에틸 에테르 100 ml 내 트리메틸 보레이트 50.2 ml (450 mmol)의 혼합물을 첨가하고, 혼합물을 실온까지 천천히 데웠다. 아세트산 40 ml 및 물 500 ml의 혼합물을 첨가하고, 추가 30분 동안 교반한 후, 유기상을 분리하고 증발시켰다. 상기 방법으로 수 득한 황색 고체는 톨루엔 500 ml 내 현탁하고, 피나콜 17.7 g (150 mmol)을 첨가하고, 혼합물을 비등하여, 물을 완전히 분리시켰다. 톨루엔 제거 후 수득한 오일을 톨루엔/아세토니트릴로 5회 재결정화하고, 이어서 감압(T= 290℃, p=5×10^-5mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.0 % 초과 순도의 생성물 25.1 g (27 mmol)(이론값 54.0 % 상당)을 생성하였다.

실시예 6: 트리스[((4- 트리플루오로메톡시 ) 페닐비닐 ) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D6 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 4-트리플루오로메톡시스티렌 30.2 g (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)의 혼합물을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 24시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 톨루엔/n-헵탄 (1:1, v:v)으로 5회 재결정화하고, 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=280℃, p=5×10^-5 mbar) 하에서 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 11.0 g (17 mmol)(이론값 34.3 % 상당)을 생성하였다.

실시예 7: 트리스[4-(6- 에테닐 -1,2,3,4- 테트라히드로 -1,1,4,4- 테트라메틸나 프탈렌) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D7 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 6-에테닐-1,2,3,4-테트라히드로-1,1,4,4-테트라메틸나프탈렌 48.2 g (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 16시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml 를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 디옥산으로 5회 재결정화하고, 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=340℃, p=5×10^-5mbar) 하에서 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 24.7 g (28 mmol)(이론값 56.0 % 상당)을 생성하였다.

실시예 8: 트리스[4-( 플루오로페닐비닐 ) 페닐 ]아민 ( 도펀트 D8 )

NMP 500 ml 내 트리스(4-브로모페닐)아민 24.1 g (50 mmol), 4-플루오로스티렌 26.8 ml (225 mmol), 팔라듐(Ⅱ)아세테이트 337 mg (1.5 mmol), N,N-디메틸글리신 1.55 g (15 mmol), 철(Ⅲ)클로라이드 81 mg (0.5 mmol) 및 탄산수소나트륨 37.8 g (450 mmol)을 격렬히 교반하면서 140℃까지 천천히 가열하고, 이어서 상기 온도에서 16시간 동안 교반하였다. 냉각 후, 디클로로메탄 500 ml 및 물 1000 ml 를 첨가하였다. 유기상을 분리하고 물 500 ml 로 5회 세정하였다. 황산나트륨으로 건조 후, 유기상을 증발건조하였다. 상기 방법으로 수득한 황색 고체를 디옥산으로 5회 재결정화하고, 환류 하에 에탄올 500 ml 로 교반하여 2회 세정하고, 이어서 감압(T=290℃, p=5×10^-5mbar) 하에 3회 승화시키고, HPLC에 따라 99.5 % 초과 순도의 생성물 15.4 g (26 mmol)(이론값 56.1 % 상당)을 생성하였다.

실시예 9: OLED 제조

OLED는 WO 04/058911에 기재된 일반 공정에 의해 제조되며, 개개의 경우 각각의 상황(예를 들어, 최적의 효율 또는 색을 달성하기 위한 층 두께 편차)에 따라 적용된다.

다양한 OLED에 대한 결과는 하기 실시예 10 내지 17에 나타낸다. 더 나 은 비교를 위해, 실시예에서 사용된 기본 구조 및 (발광층 이외의) 물질들은 동일하다. 하기 구조의 OLED는 상기 언급한 일반 공정과 유사하게 제조된다:

정공-주입층 (HIL) 20 nm 페도트(PEDOT) (물로 스핀코팅됨; 독일 H.C. 스타크(Starck), 고슬라(Goslar)사제를 구입; 폴리(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜))

정공-수송층 (HTL) 10 nm 2,2',7,7'-테트라키스(디-파라-토릴아미노)- 스피로-9,9'-비플루오렌(간략히 HTL -1)

정공-수송층 (HTL) 30 nm NPB (N-나프틸-N-페닐-4,4'-디아미노비페 닐)

발광층 (EML) 물질, 농도 및 층 두께는 표 1 참조

전자 전도체 (ETL) 20 nm AlQ₃ (신텍(SynTec)사제를 구입, 트리스 (퀴놀리나토)알루미늄(Ⅲ))

캐소드 1 nm LiF, 상부는 150 nm Al

상기 OLED는 표준 방법에 의해 특정화되며; 이를 위해, 휘도 함수로서 전계발광 스펙트럼, 효율 (cd/A 로 측정), 전력 효율 (Im/W 로 측정)을 전류/전압/휘도 특징선 (IUL 특징선)으로부터 계산하고, 수명을 측정하였다. 수명은 최초 휘도 1000 cd/㎡ 가 반으로 떨어진 시간으로 정의된다.

표 1은, 각 경우 층 두께를 포함하여 EML의 조성물이 제시된, 도펀트 D1 및 D2 (비교예) 및 도펀트 D3 내지 D8 (본 발명에 따른 실시예)을 포함하는 일부 OLED (실시예 10 내지 17)의 결과를 보여준다. 모든 경우에 사용되는 호스트 물질은 9,10-비스(1-나프틸)안트라센 (H1) 으로서, 하기에 묘사하였다:

상기 OLED에서, 도핑의 정도, 즉 호스트 물질 내 도펀트의 비율은 각 경우 색상 및 수명에 대해 최상의 결과를 얻는 방법으로 최적화되었다. D1 및 D2에서, 2 % 도핑 정도로 최상의 결과를 얻은 반면, 색 좌표 및 수명은 5% 손상되었다. 이와 대조적으로, D3 내지 D8 에서, 5 % 도핑 정도로 최상의 결과를 얻었다.

표 1의 실시예에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 따른 트리스틸벤아민 유도체는 선행기술에 따른 트리스틸벤아민 유도체와 비교하여, 유의미하게 개선된 수명을 가짐과 동시에 더 양호한 색 좌표의 진청색 발광 및 개선된 효율을 나타낸다.

Claims

애노드, 캐소드 및 하나 이상의 발광 가능 유기층을 포함하는 유기 전계발광 장치로서, 상기 유기층은 하나 이상의 하기 화학식 (1)의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치:

[화학식 (1)]

[식 중, 사용된 기호 및 지수에 하기를 적용한다:

R은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, F, OCF₃, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 하나 이상의 라디칼 R¹로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH₂기는 -R²C=CR²-, -C≡C-, Si(R²)₂, Ge(R²)₂, Sn(R²)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR², -O-, -S-, -N(R²)- 또는 -CONR²-로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂로 치환될 수 있는, 탄소수 4 내지 10의 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이고; R이 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기를 의미한다면, R은 또한 페닐기에 2개의 결합을 가질 수 있고, 이에 따라 환형 축합 환계가 형성되고;

R¹은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, F, Cl, Br, I, CN, Si(R²)₃, N(R²)₂, B(OR²)₂, 각각 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH₂기는 -R²C=CR²-, -C≡C-, Si(R²)₂, Ge(R²)₂, Sn(R²)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR², -O-, -S-, -N(R²)- 또는 -CONR²-로 치환될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 40의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기, 또는 탄소수 3 내지 40의 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이고, 또는 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있는 방향족환 원자수 5 내지 30의 방향족 또는 헤테로방향족환계, 또는 하나 이상의 라디칼 R²로 치환될 수 있는 방향족환 원자수 5 내지 24의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 상기 계의 2, 3, 4 또는 5개의 조합이고; 여기서 2 이상의 치환기 R¹은 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족환계를 형성할 수 있고;

R²는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 수소, 또는 지방족, 방향족 또는 지방족 및 방향족의 조합일 수 있고, 또한 각 수소 원자는 플루오르로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소 라디칼이고; 여기서 2 이상의 라디칼 R²는 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족 또는 방향족환계를 형성할 수 있고;

n은 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0, 1, 2, 3 또는 4이고;

p는 각각의 경우 동일 또는 상이하게, 0 또는 1이다].
제 1 항에 있어서, 유기층이 하나 이상의 하기 화학식 (1a)의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치:

[화학식 (1a)]

[식 중, 기호 및 지수는 제 1 항에 기재된 바와 동일한 의미를 갖는다].
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 기호 R 이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 F, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 또는 하나 이상의 수소 원자가 플루오르로 치환될 수 있는 탄소수 4 내지 10의 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, R기가 벤질성 양성자를 포함하지 않거나, 또는 R기가 다리목(bridgehead) 원자를 통해 페닐기에 결합된 이환 또는 다환 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 R¹이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 F, Si(R²)₃, B(OR²)₂, 각 경우 하나 이상의 CH₂기는 -R²C=CR²-, Si(R²)₂, -O-, -S- 또는 -N(R²)-로 치환될 수 있고, 각 경우 하나 이상의 수소 원자는 플루오르로 치환될 수 있는, 탄소수 1 내지 6의 직쇄 알킬 또는 알콕시기 또는 탄소수 3 내지 10의 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기, 또는 방향족환 원자수 5 내지 14의 아릴 또는 헤테로아릴기, 또는 상기 계 중 2 또는 3개의 조합이고; 여기서 2 이상의 인접 라디칼 R¹은 또한 서로 단환 또는 다환의 지방족환계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 지수 n이 각각의 경우 동일 또는 상이하게 0 또는 1인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 또는 화학식 (1a)의 화합물이 3중 회전축을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 또는 화학식 (1a)의 화합물이 호스트 물질(host material)과의 혼합물로서 발광층에서 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 호스트 물질이 올리고아릴렌, 특히 축합 방향족기를 포함하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 폴리포달(polypodal) 금속 착물, 정공-전도 화합물, 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥시드 또는 술폭시드, 회전장애 이성질체 또는 붕소산 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 혼합물 내 화학식 (1)의 화합물의 비율이 0.5 내지 50.0 중량% 이고, 혼합물 내 호스트 물질의 비율이 50.0 내지 99.5 중량% 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 발광층이 사용되고, 하나 이상의 발광층이 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드, 애노드 및 발광층 이외에 추가 층이 존재하고, 상기 추가 층이 정공-주입층, 정공-수송층, 전자-수송층 및/또는 전자-주입층으로부터 선택되고, 각각이 또한 도핑될 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 장치.
하기 화학식 (1)의 화합물:

[화학식 (1)]

[식 중, R, R¹, R², n 및 p는 제 1 항에 기재된 바와 동일한 의미를 갖고;

하기 화합물은 제외된다:

].
제 13 항에 따른 하나 이상의 화합물 및 하나 이상의 호스트 물질을 포함하는 혼합물.
유기 전계발광 장치를 제조하기 위한, 제 13 항에 따른 화합물 또는 제 14 항에 따른 혼합물의 용도.
트리스(4-브로모페닐)아민이 헤크 커플링에서 적절히 치환된 스티렌 유도체와 반응하거나, 또는 트리스(4-포르밀페닐)아민이 적절히 치환된 디알킬 벤질 포스페이트와 반응하는 것을 특징으로 하는, 제 13 항에 따른 화합물의 제조방법.