CN107108862B - 含乙炔基交联基团的共轭聚合物、包含其的混合物、组合物、有机电子器件及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供含乙炔基交联基团的共轭聚合物、包含其的混合物、组合物、有机电子器件及其应用。所述共轭聚合物材料具有共轭的主链结构及功能化的侧链乙炔基交联基团。所述共轭聚合物材料在加热的条件下交联生成不溶不熔的互穿网络聚合物薄膜，具有优异的抗溶剂性能，适于制作复杂的多层有机电子器件。所述共轭聚合物能够应用于有机场效应晶体管、有机发光二极管、聚合物太阳电池、钙钛矿太阳电池等光电器件中，并改善器件性能。

Description

含乙炔基交联基团的共轭聚合物、包含其的混合物、组合物、 有机电子器件及其应用

技术领域

本发明涉及聚合物光电材料领域，具体涉及一类含乙炔基交联基团的共轭聚合物、包含其的混合物、组合物、有机电子器件及其应用。

背景技术

自有机发光二极管(OLEDs)发明以来，由于有机/聚合物半导体材料在合成上具有多样性、制造成本相对较低和优良的光学与电学性能，OLED在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。

为了实现高效的OLED器件，电子和空穴分别从阴极和阳极高效的注入是其中的关键。因此，高效的OLED器件都是采用多层器件结构，即除了发光层外，还含有一层或多层空穴传输/注入层或电子传输/注入层。因此，除了开发优异的发光材料，开发优异的电子传输/注入材料和空穴传输/注入材料也是实现高效OLED的关键(J Mater Chem，2008，18：4495-4509.；Acc Chem Res，2005，38：632-643.；Adv Mater，2007，19：810-814)。

对小分子真空蒸镀OLEDs而已，很容易通过真空蒸镀方法获得多层、复杂的高效OLEDs器件，但是由于真空蒸镀方法具有价格昂贵、耗时、浪费材料、难以实现大面积应用等缺点。相比而言，溶液加工型OLEDs由于能够通过低廉的喷墨打印、印刷等溶液加工方法制备大面积、柔性器件等优点，具有广泛的应用前景和商业价值。由于一般有机光电材料具有相似的溶解性，即有机/聚合物发光材料、空穴注入/传输材料、电子注入/传输材料在甲苯、氯仿、氯苯、邻二氯苯、邻二甲苯、四氢呋喃等溶剂中具有良好的溶解性，因此在溶液加工方法制备多层、复杂的OLED时，存在界面混溶、界面侵蚀等问题。例如溶液加工聚合物或小分子发光层时，所使用的溶剂会溶解下面的空穴传输层，造成界面混溶、界面侵蚀等问题(JMater Chem，2008，18：4495-4509.；Chem Soc Rev，2010，39：2500-2521)。

采用常规的交联基团如Perfluorocyclobutane，Styrene，Oxetane，Siloxane，Acrylate，Benzocyclobutene修饰共轭聚合物时，聚合物上的交联基团在光照、加热等条件可引发交联基团Perfluorocyclobutane(Adv.Funct.Mater.，2002，12，745)，Styrene(Adv.Mater.，2007，19，300)，Oxetane(Nature，2003，421，829.)，Siloxane(Acc.Chem.Res.，2005，38，632)，Acrylate(Chem.Mater.，2003，15，1491)，Benzocyclobutene(Chem.Mater.，2007，19，4827.)发生交联反应，形成不溶不熔的互穿网络聚合物膜，具有优异的抗溶剂性能，可以避免界面混溶、界面侵蚀等问题(TW201406810A，US7592414B2)。

但是基于这些交联基团的交联聚合物的溶液加工OLED的性能还有待提高。

因此新的高性能的可交联的聚合物电荷传输材料急需要开发出来。

发明内容

本发明的一个方面中，提供含乙炔基交联基团的共轭聚合物、包含其的混合物、组合物、有机电子器件及其应用。所述共轭聚合物材料可以具有共轭的主链结构及功能化的侧链乙炔基交联基团。由于所述聚合物具有共轭的主链结构，赋予聚合物丰富的光学、电学性能。所述共轭聚合物材料在加热的条件下可以交联生成不溶不熔的互穿网络聚合物薄膜，具有优异的抗溶剂性能，适于制作复杂的多层有机电子器件。所述共轭聚合物能够应用于有机发光二极管、聚合物太阳电池、有机场效应晶体管、钙钛矿太阳电池等光电器件中，并改善器件性能。

按照本发明的一个方面中所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，可以具有如下结构(化学式I)：

其中，x，y为摩尔百分比(mol％)，x+y＝1，Ar1和Ar2在多次出现时可相同或者不同地独立选自芳基或杂芳基团，R3是一连接基团。

在一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的共轭聚合物，其中Ar1可以选自聚合物主链结构单元苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴、咔唑、吲哚咔唑、二苯并噻咯、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩类化合物中的任一种或其组合。

在另一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的共轭聚合物，其中Ar2可以是空穴传输单元，所述的空穴传输单元可选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑类化合物中的任一种或其组合。

在另一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的共轭聚合物，其中Ar2可以选自电子传输单元，所述的电子传输单元可选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、oxadiazines、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、bisbenzoxazoles、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、phenoxazines、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine类化合物中的任一种或其组合。

在另一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的共轭聚合物，其中R3选自连接基团，所述的连接基团单元可选自具有1-30个碳原子的烷基、具有1-30个碳原子的烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的任一种或其组合。

本发明还涉及一种混合物，其可以包含有以上所述的共轭有机聚合物，及至少另一种有机功能材料，所述的有机功能材料可选自空穴注入材料(HIM)，空穴传输材料(HTM)，电子传输材料(ETM)，电子注入材料(EIM)，电子阻挡材料(EBM)，空穴阻挡材料(HBM)，发光材料(Emitter)，主体材料(Host)等。

本发明还涉及一种能用作印刷油墨的组合物，其可以包含有按照本发明的一个方面中所述的共轭聚合物或其混合物，及至少一种有机溶剂。

本发明进一步涉及一种有机电子器件，其中可以包含有所述共轭有机聚合物或其组合物，及其应用。

与现有技术相比，本发明中所述的聚合物材料具有以下优点：

(1)本发明的一个方面中所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，共轭的主链结构赋予聚合物具有丰富的光学(光致发光、电致发光、光伏效应等)、电学(半导体特性、载流子传输特性等)等性能，乙炔基交联基团还具有可交联的功能，在加热条件下可形成三维的不溶不熔的互穿网络聚合物薄膜，具有优异的抗溶剂性能。在制备复杂多层光电器件时即可利用共轭聚合物的溶液加工特性，通过喷墨打印、丝网印刷、旋涂等溶液加工工艺制备聚合物光电器件；又可利用交联的方式使之形成不溶不熔的三维互穿网络聚合物薄膜，具有优异的抗溶剂性能，有利于进行多层聚合物光电器件的溶液加工。

(2)和传统的可交联光电材料相比，本发明的一个方面中所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，在加热的条件下可引发乙炔基交联基团相互发生化学反应生成SP²杂化型的共轭双键，即共轭聚合物链通过一个或者多个共轭双键链接在一起，可增加载流子(空穴或者电子)共轭聚合物链与链之间的传递，有望提高共轭聚合物薄膜的载流子传输特性。

附图说明

图1为实施例1所制备的经交联处理的P1膜、未经交联处理的P1膜经四氢呋喃溶液洗脱处理后的吸光度曲线图；

图2为关键中间体吲哚芴的¹H NMR；

图3为分2，7-二溴-6，6，12，12-四辛基吲哚芴的¹H NMR。

具体实施方式

本发明的一个方面中提供一种含乙炔基交联基团的共轭有聚合物及其应用。所述共轭聚合物材料具有共轭的主链结构及功能化的侧链乙炔基交联基团。为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供一种含乙炔基交联基团的共轭聚合物，具有如下结构：

其中，x，y为mol％，x+y＝1，Ar1和Ar2在多次出现时可相同或者不同地独立选自芳基或杂芳基团，R3是一连接基团。

本文中所定义的术语“小分子”是指不是聚合物，低聚物，树枝状聚合物，或共混物的分子。特别是，小分子中没有重复结构。小分子的分子量≤3000克/摩尔，较优选是≤2000克/摩尔，最优选是≤1500克/摩尔。

本文中所定义的术语聚合物，即Polymer，包括均聚物(homopolymer)，共聚物(copolymer)，镶嵌共聚物(block copolymer)。另外在本发明中，聚合物也包括树状物(dendrimer)，有关树状物的合成及应用请参见[Dendrimers and Dendrons，Wiley-VCHVerlag GmbH&Co.KGaA，2002，Ed.George R.Newkome，Charles N.Moorefield，FritzVogtle.]。

本文中所定义的术语共轭聚合物(conjugated polymer)是一聚合物，它的主链(backbone)主要是由C原子的sp2杂化轨道构成，著名的非限制性例子有：聚乙炔polyacetylene和poly(phenylene vinylene)，其主链上的C原子的也可以被其它非C原子任选取代，而且当主链上的sp2杂化被一些自然的缺陷打断时，仍然被认为是共轭聚合物。另外在本发明中共轭聚合物也可以包括主链上包含有芳基胺(aryl amine)、芳基磷化氢(aryl phosphine)及其他杂环芳烃(heteroarmotics)、有机金属络合物(organometalliccomplexes)等。

在本发明中，聚合物，聚合物，Polymer具有相同的含义，可以互换。

在某些实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物，其分子量Mw≥10000克/摩尔，较优选是≥50000克/摩尔，更优选是≥100000克/摩尔，最优选是≥200000克/摩尔。

在某些优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物，其中Ar1、Ar2在多次出现时可相同或者不同地独立选自如下结构基团中的任一种或其组合：环芳香基团，包括苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴及其衍生物；和芳香杂环基团，包括三苯胺、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑、吡啶吲哚、pyrrolodipyridine、吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、oxadiazines、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、bisbenzoxazoles、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、phenoxazines、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine等。

在某些实施例中Ar1、Ar2环芳香烃基团和芳香杂环基团可以进一步被任选取代，取代基可选为氢、氘，烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的任一种或其组合。

一般地，共轭聚合物包含有至少一个主链结构单元。主链结构单元一般具有较大的能隙的π-共轭结构单元，也称骨干单元(Backbone Unit)，可选自单环或多环芳基(aryl)或杂芳基(heteroaryl)。本发明中，共轭聚合物可以包含两个或以上的主链结构单元。一般的，主链结构单元的含量可以是≥40mol％，较优选是≥50mol％，更优选是≥55mol％，最优选是≥60mol％。

在一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物，其中Ar1可以是聚合物主链结构单元，选自苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴、咔唑、吲哚咔唑、二苯并噻咯、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩及其衍生物中的任一种或其组合。

聚合物主链，在有支链(侧链)结构的高分子链中链节数最多的链或者重复单元数最多的链，称为聚合物主链。

在某些实施例中，本发明的聚合物具有空穴传输特性。

在一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物，其中Ar2可以选自具有空穴传输特性的单元，优选的空穴传输单元可选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑及其衍生物中的任一种或其组合。

在另一个优选的实施例中，Ar2可以具有化学式1表示的结构：

其中Ar¹，Ar²，Ar³在多次出现时可独立选择相同或不同的形式

Ar¹：选自一单键或者单核或多核芳基或杂芳基，此芳基或杂芳基可以被其他侧链任选取代的。

Ar²：选自单核或多核芳基或杂芳基，此芳基或杂芳基可以是被其他侧链任选取代的。

Ar³：选自单核或多核芳基或杂芳基，此芳基或杂芳基可以是被其他侧链任选取代的。Ar³也可以通过一桥接基团与化学式1中的其他部分相联接。

n：选自1，2，3，4，或5。

优选的化学式1所表示的结构单元为化学式2

其中

Ar⁴，Ar^6，，Ar⁷，Ar¹⁰，Ar¹¹，Ar¹³，Ar¹⁴的定义如化学式1中的Ar²，

Ar⁵，Ar⁸，Ar⁹，Ar¹²的定义如化学式1中的Ar³。

在化学式1和化学式2中的Ar¹-Ar¹⁴可以从如下基团中优先选择：苯(phenylene)，萘(naphthalene)，蒽(anthracene)，芴(fluorene)，螺双芴(spirobifluorene)，吲哚芴(indenofuorene)，菲(phenanthrene)，噻吩(thiophene)，吡咯(pyrrole)，咔唑(carbazole)，联萘(binaphthalene)，dehydrophenanthrene等中的任一种或其组合。

按照化学式1和化学式2所表示的结构单元中特别优选的选择列于表1，其中的每个化合物都可以被一个或多个取代基任选取代，R为一取代基。

表1

在另一个优选的实施例中，Ar2可以具有化学式3表示的结构

其中

D¹和D²：在多次出现时可独立选择相同或不同的形式，它们可以选自如下功能基团中的任一种或其组合：噻吩(thiophene)，硒酚(selenophene)，噻吩酮[2，3b]噻吩(thieno[2，3b]thiophene)，噻吩酮[3，2b]噻吩(thieno[3，2b]thiophene)，二噻吩并噻吩(dithienothiophene)，吡咯(pyrrole)和苯胺(aniline)，所有这些功能基团都可非强制性的被如下基团任选取代：卤素，-CN，-NC，-NCO，-NCS，-OCN，SCN，C(＝O)NR⁰R⁰⁰，-C(＝O)X，-C(＝O)R⁰，-NH₂，-NR⁰R⁰⁰，SH，SR⁰，-SO₃H，-SO₂R⁰，-OH，-NO₂，-CF₃，-SF₅，有1-40个C原子的甲硅烷基(silyl)或二价碳基(carbyl)或烃基(hydrocarbyl)；其中R⁰，R⁰⁰为一取代基.

Ar¹⁵和Ar¹⁶：在多次出现时可独立选择相同或不同的形式，它们可选自单核或多核芳基或杂芳基(heteroaryl)，它们可非强制性地稠合到各自临近的D¹和D².

n1-n4：可独立选择一个0到4的整数。

化学式3所表示的材料中优选的Ar¹⁵和Ar¹⁶为苯(phenylene)，萘(naphthalene)，蒽(anthracene)，芴(fluorene)，螺双芴(spirobifluorene)，(indenofuorene)，菲(phenanthrene)，噻吩(thiophene)，吡咯(pyrrole)，咔唑(carbazole)，联萘(binaphthalene)，(dehydrophenanthrene)中的任一种或其组合。

具有空穴传输特性的单元可以对应于OLED中的空穴传输材料HTM。合适的有机HTM材料可选包含有如下结构单元的化合物：酞菁(phthlocyanine)、卟啉(porphyrine)、胺(anine)、芳香胺、联苯类三芳胺(triarylamine)、噻吩(thiophene)、并噻吩(fusedthiophene)(如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene))、吡咯(pyrrole)、苯胺(aniline)、咔唑(carbazole)、氮茚并氮芴(indolocarbazole)，及它们的衍生物中的任一种或其组合。

可用作HTM的环芳香胺衍生化合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构：

其中，每个Ar¹到Ar⁹可独立选自环芳香烃基团，如苯、联苯、三苯基、苯并、萘、蒽、phenalene、菲、芴、芘、屈、苝、薁；和芳香杂环基团，如二苯并噻吩、二苯并呋喃、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、oxathiazine、oxadiazine、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、苯并恶唑、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮(杂)萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、dibenzoselenophene、benzoselenophene、benzofuropyridine、indolocarbazole、pyridylindole、pyrrolodipyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起，如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。其中，每个Ar可以进一步被任选取代，取代基可选为氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。

在一个方面，Ar¹到Ar⁹可独立选自包含如下组的基团：

其中，n是1到20的整数；X¹到X⁸是CH或N；Ar¹如以上所定义。环芳香胺衍生化合物的另外的非限制性例子可参见US3567450、US4720432、US5061569、US3615404和US5061569。

在下面的表中列出合适的可作为HTM化合物的非限制性例子：

以上所述的HTM都可以一空穴传输结构单元结合到本发明的聚合物中。

在某些实施例中，本发明的聚合物具有电子传输特性。

在一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物，其中Ar2选自具有电子传输特性的单元，优选的电子传输单元可选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、oxadiazines、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、bisbenzoxazoles、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、phenoxazines、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine及其衍生物中的任一种或其组合。

具有电子传输特性的单元可以对应于OLED中电子传输材料ETM。ETM有时也称n型有机半导体材料。原则上，合适的ETM材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为ETM，只要它们具有电子传输特性。优选的有机ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪(Phenazine)、菲罗啉(Phenanthroline)、蒽(Anthracene)、菲(Phenanthrene)、芴(Fluorene)、二芴(Bifluorene)、螺二芴(Spiro-bifluorene)、对苯乙炔(Phenylene-vinylene)、三嗪(triazine)、三唑(triazole)、咪唑(imidazole)、芘(Pyrene)、苝(Perylene)、反茚并芴(trans-Indenofluorene)、顺茚并(cis-Indenonfluorene)、二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene)、茚并萘(Indenonaphthalene)、苯并蒽(benzanthracene)及它们的衍生物中的任一种或其组合。

另一方面，可用作ETM的化合物可以是至少包含一个以下基团的分子：

其中，R¹可选自如下的基团：氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基，当它们是芳基或杂芳基时，它们可以与上述HTM中的Ar¹意义相同，Ar¹-Ar⁵可以与在HTM中所描述的Ar¹意义相同，n是一个从0到20的整数，X¹-X⁸可以选自CR¹或N。

在下面的表中列出合适的可作ETM化合物的非限制性例子：

以上所述的ETM都可以电子传输结构单元结合到本发明的聚合物中。

按照本发明的一个方面中所述的具有结构式化学式I的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其中R3是一个连接基团。在一个优选的实施例中，R3可以选自具有2-30个碳原子的烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。

在某些实施例中，R3是一个非共轭连接基团，优选的选自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基中的任一种或其组合。

在某些优选的实施例中，R3是一个共轭连接基团，优选的选自C1-C30的烷基、C1-C30的烷氧基、苯、联苯、三苯基、苯并、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、呋喃等中的任一种或其组合。

在下面的表中列出合适的带有可交联基团的连接基团R3的非限制性例子：

在一个优选的实施例中，本发明的共轭聚合物，可以具有如下通式：

其中，x，y，z为mol％，且大于0，x+y+z＝1，Ar2-1和前面所述的Ar2的含义相同。

在一个较为优选的实施例中，如上所述的共轭聚合物，其中Ar1，Ar2和Ar2-1中至少有一个选自空穴传输单元，及至少有一个选自电子传输单元。

一些较为优选的组合非限制性例子有：

1)Ar2-1选自电子传输单元，Ar2选自空穴传输单元；

2)Ar1选自具有电子传输特性的主链结构单元，Ar2-1选自空穴传输单元，Ar2选自空穴传输单元；

3)Ar2-1选自发光单元(包括单重态发光体，三单重态发光体)，Ar2选自空穴传输单元；

4)Ar2-1选自空穴传输单元，Ar2选自电子传输单元；

在某些优选的实施例中，交联基团的含量可以是y≤50mol％，较优选是≤40mol％，更优选是≤30mol％，最优选是≤20mol％。

含有交联基团的重复单元的非限制性例子有，

含乙炔基交联基团的共轭聚合物通用合成方法可以是先合成带有功能化的乙炔基交联基团的单体，通过过渡金属催化偶联(Suzuki Polymerization，HeckPolymerization，Sonogashira Polymerization，Still Polymerization)、Witting反应等聚合方法得到所述的含炔基交联基团的共轭聚合物，可以通过控制反应时间、反应温度、单体配比、反应压强、溶度、催化剂用量、配体比例、相转移催化剂等参数可以控制聚合物的分子量以及分散系数，合成路线可以如下图所示：

含乙炔基交联基团的多元(三元或者三元以上)共轭聚合物通用合成方法可以是先合成带有功能化的乙炔基交联基团的单体，多种(三种或者三种以上)单体通过过渡金属催化偶联(Suzuki Polymerization，Heek Polymerization，SonogashiraPolymerization，Still Polymerization)、Witting反应等聚合方法可以得到所述的含炔基交联基团的共轭聚合物，通过控制反应时间、反应温度、单体配比、反应压强、溶度、催化剂用量、配体比例、相转移催化剂等参数可以控制聚合物的分子量以及分散系数，合成路线可以如下图所示：

对于有些特殊的聚合物反应，在聚合物反应过程所使用的某些特定化学试剂、温度等对交联基团乙炔基比较敏感，可使乙炔基团发生化学反应。例如，若聚合反应所需要的温度超过180℃，甚至超过280℃，可能超过380℃时，共轭聚合物侧链的交联基团在高温条件下，比较活泼，乙炔基交联基团就自身发生聚合反应，最终得到的聚合物不溶不熔，不具备溶液加工特性。以在特殊聚合反应条件下，可以先将乙炔交联基团的上的末端氢原子保护，使之化学反应活性降低。交联基团乙炔基末端氢原子最常见的保护基团可以为三甲基硅基(TMS)，得到含三甲基硅基的聚合物前驱体后，聚合物前驱体可以通过碱溶液处理一定时间后即可得到目标共轭聚合物含乙炔基交联基团的共轭聚合物。优化后的共轭聚合物合成路线如下图所示：

含乙炔基交联基团的共轭有机单体的合成路线可以如下图所示，但不局限于采用以下路线合成目标化合物。初始原料A(商业化化学试剂或者通过化学方法合成)可以通过亲电任选取代反应(如氯化、溴化、碘化等卤化反应)得到化合物B，化合物B可以在Pd-Cu共催化剂的作用下与三甲基硅基乙炔发生Sonogashira偶联反应得到化合物C，化合物C可以在碱溶液中脱去三甲基硅基保护官能团，得到目标化合物D。

为了便于对本发明涉及的含乙炔基交联基团的共轭聚合物的理解，以下列举含乙炔基交联基团的共轭聚合物的例子，但不局限于这些聚合物，所列举的含乙炔基交联基团的共轭聚合物具有一个明显的特点，即乙炔基基团与共轭聚合物主链是直接相连或者通过共轭的芳香环或者芳香杂环链接在一起。

本发明还涉及一种混合物，其可以包括一种按照本发明的一个方面中所述的聚合物，及至少另一种有机功能材料。所述的有机功能材料，可以包括空穴(也称电洞)注入或传输材料(HIM/HTM)，空穴阻挡材料(HBM)，电子注入或传输材料(EIM/ETM)，电子阻挡材料(EBM)，有机基质材料(Host)，单重态发光体(荧光发光体)，重态发光体(磷光发光体)，特别是发光有机金属络合物。各种有机功能材料的非限制性示例例如在WO2010135519A1，US20090134784A1和WO 2011110277A1中的描述。有机功能材料可以是小分子和聚合物材料。下面对有机功能材料作一些较详细的描述(但不限于此)。

1.HIM/HTM

HTM前面已有所述，这里做些补充说明。

本发明的一个方面中所使用的合适的有机HIM/HTM材料可选包含有如下结构单元的化合物：酞菁，卟啉，胺，芳香胺，联苯类三芳胺，噻吩，并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩，吡咯，苯胺，咔唑，氮茚并氮芴，及它们的衍生物。另外的合适的HIM也包括含有氟烃的聚合物；含有导电掺杂的聚合物；导电聚合物，如PEDOT/PSS；自组装单体，如含有膦酸和sliane衍生物的化合物；金属氧化物，如MoOx；金属络合物，和交联化合物等中的任一种或其组合。

其他可用作HTM或HIM的金属络合物的例子可以包括(但不限于)如下的一般结构：

M可以是金属，有大于40的原子量；

(Y¹-Y²)是一两齿配体，Y¹和Y²独立地选自C，N，O，P，和S；L是一个辅助配体；m是一整数，其值从1到此金属的最大配位数；m+n是此金属的最大配位数。

在一个实施例中，(Y¹-Y²)可以是一2-苯基吡啶衍生物.

在另一个实施例中，(Y¹-Y²)可以是一卡宾配体.

在另一个实施例中，M可以选自Ir，Pt，Os，和Zn.

在另一个方面，金属络合物的HOMO大于-5.5eV(相对于真空能级).

2.EIM/ETM/HBM

ETM前面已有说明，在此做补充说明。

本发明的一个方面中所使用的EIM/ETM材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为EIM/ETM，只要它们可以传输电子。优选的有机EIM/ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ₃)，吩嗪，菲罗啉，蒽，菲，芴，二芴，螺二芴，对苯乙炔，三嗪，三唑，咪唑，芘，苝，反茚并芴，顺茚并，二苯并-茚并芴，茚并萘，苯并蒽及它们的衍生物中的任一种或其组合。

本发明的一个方面中所使用的空穴阻挡层(HBL)通常用来阻挡来自相邻功能层，特别是发光层的空穴。对比一个没有阻挡层的发光器件，HBL的存在通常会导致发光效率的提高。空穴阻挡层(HBL)的空穴阻挡材料(HBM)需要有比相邻功能层，如发光层更低的HOMO。在一个优选的实施方案中，HBM有比相邻发光层更大的激发态能级，如单重态或三重态，取决于发光体.在另一个优选的实施方案中，HBM有电子传输功能.。通常具有深的HOMO能级的EIM/ETM材料可以做为HBM。

另一方面，可用作EIM/ETM的金属络合物的例子可以包括(但不限于)如下的一般结构：

(O-N)或(N-N)是一两齿配体，其中金属与O，N或N，N配位；L是一个辅助配体；m是一整数，其值从1到此金属的最大配位数。

在另一个优选的实施方案中，有机碱金属化合物可用作EIM。在本发明中，有机碱金属化合物可以理解为如下的化合物，其中至少有一个碱金属，即锂，钠，钾，铷，铯，并进一步包含至少一个有机配体。

本发明的一个方面中所使用的合适的有机碱金属化合物的非限制性例子可以包括US 7767317B2，EP 1941562B1和EP 1144543B1中所描述的化合物。

优选的有机碱金属化合物可以是下列化学式的化合物：

其中R¹的含义如上所述，弧线代表两个或三个原子及键接，以便必要时与金属M形成5元或六元环，其中原子也可以由一个或多个R¹任选取代，M为碱金属，选自锂，钠，钾，铷，铯。

有机碱金属化合物可以有单体的形式，如以上所述的，或有聚集体的形式，例如，两碱金属离子与两个配体，4碱金属离子和4配体，6碱金属离子和6配体或在其他的形式。

优选的有机碱金属化合物可以是下列化学式的化合物：

其中使用的符号有上述定义相同，另外：

o，每次出现时可以是相同或不同，是0，1，2，3或4；

p，每次出现时可以是相同或不同，是0，1，2或3；

在一个优选的实施方案中，碱金属M选自锂，钠，钾，更优选是锂或钠，最优选是锂。

在一个优选的实施方案中，有机碱金属化合物电子注入层中.更优选地，电子注入层由有机碱金属化合物组成。

在另一个优选的实施方案中，有机碱金属化合物掺杂到其他ETM中形成电子传输层或电子注入层中.更优选地，是电子传输层。

在下面的表中列出合适的有机碱金属化合物的非限制性例子：

3.三重态基质材料(Triplet Host)：

本发明的一个方面中所使用的三重态基质材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为基质，只要其三重态能量比发光体，特别是三重态发光体或磷光发光体更高。

可用作三重态基质(Host)的金属络合物的例子可以包括(但不限于)如下的一般结构：

M可以是金属；(Y³-Y⁴)可以是一两齿配体，Y³和Y⁴可以独立地选自C，N，O，P，和S；L可以是一个辅助配体；m可以是一整数，其值从1到此金属的最大配位数；m+n是此金属的最大配位数。

在一个优选的实施方案中，可用作三重态基质的金属络合物有如下形式：

(O-N)可以是一两齿配体，其中金属与O和N原子配位.

在某一个实施方案中，M可选自Ir和Pt.

可作为三重态基质的有机化合物的非限制性例子选自包含有环芳香烃基的化合物，如苯，联苯，三苯基，苯并，芴；包含有芳香杂环基的化合物，如二苯并噻吩，二苯并呋喃，dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，benzoselenophene，咔唑，indolocarbazole，pyridylindole，pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三唑类，恶唑，噻唑，恶二唑，oxatriazole，二恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪类，oxazines，oxathiazines，oxadiazines，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，bisbenzoxazoles，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，异喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧杂蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，phenoxazines，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起，如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，链结构单元和脂肪环基团。其中，每个Ar可以进一步被任选取代，取代基可选为氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基中的任一种或其组合。

在一个优选的实施方案中，三重态基质材料可选自包含至少一个以下基团的化合物：

R¹-R⁷可相互独立地选自如下的基团：氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基，当它们是芳基或杂芳基时，它们可以与上述的Ar¹和Ar²意义相同；n可以是一个从0到20的整数；X¹-X⁸可以选自CH或N；X⁹可以选自CR¹R²或NR¹。

在下面的表中列出合适的三重态基质材料的非限制性例子：

4.单重态基质材料(Singlet Host)：

本发明的一个方面中所使用的单重态基质材料的例子并不受特别的限制，任何有机化合物都可能被用作为基质，只要其单重态能量比发光体，特别是单重态发光体或荧光发光体更高。

作为单重态基质材料使用的有机化合物的非限制性例子可选自含有环芳香烃化合物，如苯，联苯，三苯基，苯并，萘，蒽，phenalene，菲，芴，芘，屈，苝，薁；芳香杂环化合物，如二苯并噻吩，二苯并呋喃，dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，benzoselenophene，咔唑，indolocarbazole，pyridylindole，Pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三氮唑，异恶唑，噻唑，恶二唑，oxatriazole，二恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，恶嗪，oxathiazine，oxadiazine，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，苯并恶唑，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，异喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧杂蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，吩恶嗪，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起，如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，链结构单元和脂肪环基团。

在一个优选的实施方案中，单重态基质材料可选自包含至少一个以下基团的化合物：

R¹可相互独立地选自如下的基团：氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基；Ar¹是芳基或杂芳基，它与上述的HTM中定义的Ar¹意义相同；

n是一个从0到20的整数；X¹-X⁸选自CH或N；X⁹和X¹⁰选自CR¹R²或NR¹。

在下面的表中列出合适的单重态基质材料的非限制性例子：

5.空穴阻挡材料(HBM)

本发明的一个方面中所使用的空穴阻挡层(HBL)通常用来阻挡来自相邻功能层，特别是发光层的空穴。对比一个没有阻挡层的OLED，HBL的存在通常会导致发光效率的提高。空穴阻挡层(HBL)的空穴阻挡材料(HBM)需要有比相邻功能层，如发光层更低的HOMO.在一个优选的实施方案中，HBM有比相邻发光层更大的激发态能级，如单重态或三重态，取决于发光体.在另一个优选的实施方案中，HBM有电子传输功能.

在一个实施方案中，所用HBM含有与发光层中基质材料相同的分子。

在另一个优选的实施方案中，HBM可选自包含至少一个以下基团的化合物：

n可以是一个从0到20的整数；L可以是一个辅助配体；m可以是一个从1到3的整数.

6.单重态发光体(Singlet Emitter)

本发明的一个方面中所使用的单重态发光体往往有较长的共轭π电子系统。迄今，已有许多例子，例如但不限于，苯乙烯胺(styrylamine)及其衍生物中的任一种或其组合，和茚并芴(indenofluorene)及其衍生物中的任一种或其组合.

在一个优选的实施方案中，单重态发光体可选自一元苯乙烯胺(monostyrylamines)，二元苯乙烯胺(distyrylamines)，三元苯乙烯胺(tristyrylamines)，四元苯乙烯胺(tetrastyrylamines)，苯乙烯膦(styrylphosphines)，苯乙烯醚(styryl ethers)和芳胺(arylamines)中的任一种或其组合。

一元苯乙烯胺是指一化合物，它包含无任选取代或任选取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最优选是芳香胺。二元苯乙烯胺是指一化合物，它包含二个无任选取代或任选取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最优选是芳香胺。三元苯乙烯胺是指一化合物，它包含三个无任选取代或任选取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最优选是芳香胺。四元苯乙烯胺是指一化合物，它包含四个无任选取代或任选取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最优选是芳香胺。优选的苯乙烯是二苯乙烯，其可能会进一步被任选取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物，包含三个直接联接氮的无任选取代或任选取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个优选选自稠环系统，并最优选有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺。芳香蒽胺是指一化合物，其中一个二元芳基氨基团(diarylamino)直接联到蒽上，最优选是在9的位置上。芳香蒽二胺是指一化合物，其中二个二元芳基氨基团(diarylamino)直接联到蒽上，最优选是在9，10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似，其中二元芳基氨基团最优选联到芘的1或1，6位置上.

基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体的非限制性例子，也是优选的例子，可在下述专利文件中找到：WO 2006/000388，WO 2006/058737，WO 2006/000389，WO 2007/065549，WO2007/115610，US 7250532 B2，DE 102005058557 A1，CN 1583691 A，JP 08053397 A，US6251531 B1，US 2006/210830 A，EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1。

基于均二苯乙烯(distyrylbenzene)及其衍生物的单重态发光体的非限制性例子有US 5121029.进一步的优选的单重态发光体可选自茚并芴-胺和茚并芴-二胺，苯并茚并芴-胺(benzoindenofluorene-amine)和苯并茚并芴-二胺(benzoindenofluorene-diamine)，二苯并茚并芴-胺(dibenzoindenofluorene-amine)和二苯并茚并芴-二胺(dibenzoindenofluorene-diamine)，。

其他可用作单重态发光体的材料包括但不限于多环芳烃化合物，特别是如下化合物的衍生物：蒽如9，10-二(2-萘并蒽)(9，10-di(2-naphthylanthracene))，萘，四苯，氧杂蒽，菲(phenanthrene)，芘(perylene)如2，5，8，11-tetra-t-butylperylene，茚并芘(indenoperylene)，苯撑(phenylenes)如(4，4’-(bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1，1’-biphenyl)，periflanthene，十环烯(decacyclene)，六苯并苯(coronene)，芴，螺二芴(spirofluorene)，芳基芘(arylpyrene)(如US20060222886)，亚芳香基乙烯(arylenevinylene)(如US5121029，US5130603)，环戊二烯如四苯基环戊二烯(tetraphenylcyclopentadiene)，红荧烯(rubrene)，香豆素(coumarine)，若丹明(rhodamine)，喹吖啶酮(quinacridone)，吡喃(pyrane)如4(dicyanoethylene)-6-(4-dimethylaminostyryl-2-methyl)-4H-pyrane(DCM)，噻喃(thiapyran)，bis(azinyl)imine-boron化合物(US 2007/0092753 A1)，bis(azinyl)methene化合物，carbostyryl化合物，噁嗪酮(oxazone)，苯并恶唑(benzoxazole)，苯并噻唑(benzothiazole)，苯并咪唑(benzimidazole)及diketopyrrolopyrrole中的任一种或其组合。一些单重态发光体的材料的非限制性的例子可在下述专利文件中找到：US 20070252517A1，US 4769292，US6020078，US 2007/0252517 A1，US 2007/0252517 A1。

在下面的表中列出一些合适的单重态发光体的非限制性例子：

7.三重态发光体(Triplet Emitter)

本发明的一个方面中所使用的三重态发光体也称磷光发光体。在一个优选的实施方案中，三重态发光体可以是有通式M(L)n的金属络合物，其中M可以是一金属原子，L每次出现时可以是相同或不同，是一有机配体，它可以通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上，n可以是一个大于1的整数，较优选选是1，2，3，4，5或6。可选地，这些金属络合物可以通过一个或多个位置联接到一个聚合物上，最优选是通过有机配体。

在一个优选的实施方案中，金属原子M可以选自过渡金属元素或镧系元素或锕系元素，优选Ir，Pt，Pd，Au，Rh，Ru，Os，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Re，Cu或Ag，特别优选Os，Ir，Ru，Rh，Re，Pd，Pt。

优选地，三重态发光体包含有螯合配体，即配体，通过至少两个结合点与金属配位，特别优选考虑的是三重态发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。

有机配体的非限制性例子可选自苯基吡啶(phenylpyridine)衍生物，7，8-苯并喹啉(7，8-benzoquinoline)衍生物，2(2-噻吩基)吡啶(2(2-thienyl)pyridine)衍生物，2(1-萘基)吡啶(2(1-naphthyl)pyridine)衍生物，或2苯基喹啉(2phenylquinoline)衍生物。所有这些有机配体都可能被任选取代，例如被含氟或三氟甲基任选取代。辅助配体可优选选自乙酸丙酮(acetylacetonate)或苦味酸。

在一个优选的实施方案中，可用作三重态发光体的金属络合物可以有如下形式：

其中M是一金属，选自过渡金属元素或镧系元素或锕系元素；

Ar¹每次出现时可以是相同或不同，是一个环状基团，其中至少包含有一个施主原子，即有一孤对电子的原子，如氮或磷，通过它环状基团与金属配位连接；Ar²每次出现时可以是相同或不同，是一个环状基团，其中至少包含有一个C原子，通过它环状基团与金属连接；Ar¹和Ar²由共价键联接在一起，可各自携带一个或多个取代基团，它们也可再通过取代基团联接在一起；L每次出现时可以是相同或不同，是一个辅助配体，优选自双齿螯合配体，最优选是单阴离子双齿螯合配体；m是1，2或3，优选地是2或3，特别优选地是3；n是0，1，或2，优选地是0或1，特别优选地是0；

一些三重态发光体的材料极其应用的非限制性例子可在下述专利文件和文献中找到：WO 200070655，WO 200141512，WO 200202714，WO 200215645，EP 1191613，EP1191612，EP 1191614，WO 2005033244，WO 2005019373，US 2005/0258742，WO 2009146770，WO 2010015307，WO 2010031485，WO 2010054731，WO 2010054728，WO 2010086089，WO2010099852，WO 2010102709，US 20070087219 A1，US 20090061681 A1，US 20010053462A1，Baldo，Thompson et al.Nature 403，(2000)，750-753，US 20090061681 A1，US20090061681 A1，Adachi et al.Appl.Phys.Lett.78(2001)，1622-1624，J.Kido etal.Appl.Phys.Lett.65(1994)，2124，Kido et al.Chem.Lett.657，1990，US 2007/0252517A1，Johnson et al.，JACS 105，1983，1795，Wrighton，JACS 96，1974，998，Ma et al.，Synth.Metals 94，1998，245，US 6824895，US 7029766，US 6835469，US 6830828，US20010053462 A1，WO 2007095118 A1，US 2012004407A1，WO 2012007088A1，WO2012007087A1，WO 2012007086A1，US 2008027220A1，WO 2011157339A1，CN 102282150A，WO 2009118087A1。

在下面的表中列出一些合适的三重态发光体的非限制性例子：

8.聚合物

在某些实施例中，以上所述的有机功能材料，包括HIM，HTM，ETM，EIM，Host，荧光发光体，磷光发光体都可以是聚合物的形式。

在一个优选的实施例中，适合于本发明的聚合物是共轭聚合物。一般地，共轭聚合物可以有如下通式：

其中B，A在多次出现时可独

立选择相同或不同的结构单元

B：具有较大的能隙的π-共轭结构单元，也称骨干单元(Backbone Unit)，选自单环或多环芳基或杂芳基，优选的单元形式为苯，联二亚苯(Biphenylene)，萘，蒽，菲，二氢菲，9，10-二氢菲，芴，二芴，螺二芴，对苯乙炔，反茚并芴，顺茚并，二苯并-茚并芴，茚并萘及它们的衍生物中的任一种或其组合。

A：具有较小能隙的π-共轭结构单元，也称功能单元(Functional Unit)，按照不同的功能要求，可选自包含有以上所述的空穴注入或传输材料(HIM/HTM)，空穴阻挡材料(HBM)，电子注入或传输材料(EIM/ETM)，电子阻挡材料(EBM)，有机基质材料(Host)，单重态发光体(荧光发光体)，重态发光体(磷光发光体)的结构单元中的任一种或其组合。

x，y：＞0，且x+y＝1；

发光聚合物的非限制性例子在如下的专利申请中公开：WO2007043495，WO2006118345，WO2006114364，WO2006062226，WO2006052457，WO2005104264，WO2005056633，WO2005033174，WO2004113412，WO2004041901，WO2003099901，WO2003051092，WO2003020790，WO2003020790，US2020040076853，US2020040002576，US2007208567，US2005962631，EP201345477，EP2001344788，DE102004020298。

在另一个实施例中，适合于本发明的聚合物可以是非共轭聚合物。这可以是所有功能基团都在侧链上，而主链是非共轭的聚合物。一些用作磷光主体或磷光发光材料的这类非共轭聚合物的非限制性示例可参见在US 7250226 B2，JP2007059939A，JP2007211243A2和JP2007197574A2等专利申请中的公开，一些用作荧光发光材料的这类非共轭聚合物的非限制性示例可参见在JP2005108556，JP2005285661和JP2003338375等专利申请中的公开。另外，非共轭聚合物也可以是一种聚合物，主链上共轭的功能单元通过非共轭的链接单元链接起来，这种聚合物的非限制性例子在DE102009023154.4和DE102009023156.0中有公开。

本发明还涉及一种组合物，其可以包含有一种按照本发明的一个方面中所述的共轭有机聚合物及至少一种有机溶剂。有机溶剂的例子，包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1，4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1，2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的组合物。

在一个优选的实施方案中，按照本发明的一个方面中所述的组合物是一溶液。

在另一个优选的实施方案中，按照本发明的一个方面中所述的组合物是一悬浮液。

本发明实施例中的组合物中可以包括0.01至20wt％的有机混合物，较优选的是0.1至15wt％，更优选的是0.2至10wt％，最优选的是0.25至5wt％的有机混合物。

本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。

其中，适合的打印或涂布技术可以包括(但不限于)喷墨打印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是喷墨印刷，丝网印刷及凹版印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册：技术和生产方法》(Handbook of Print Media：Technologies and Production Methods)，ISBN 3-540-67326-1。

基于上述聚合物，本发明还提供一种如上所述的聚合物的应用，即将所述聚合物应用于有机电子器件，所述的有机电子器件可选自，但不限于，有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OPV)、有机发光电池(OLEEC)、有机场效应管(OFET)、有机发光场效应管、有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic PlasmonEmitting Diode)，特别是OLED。在一个特别优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的聚合物用于有机电子器件的电荷传输层，特别是空穴传输层。

本发明进一步涉及一种有机电子器件，其可以至少包含一种如上所述的聚合物。一般地，此种有机电子器件可以至少包含阴极，阳极及位于阴极和阳极之间的功能层，其中所述的功能层中可以至少包含一种如上所述的聚合物。

在一个优选的实施例中，以上所述的有机电子器件是一种电致发光器件，其中可以包括基片，阳极，至少一个发光层，和阴极。在一个特别优选的实施例中，以上所述的有机电子器件可以是OLED。

基片可以是不透明或透明。透明的基板可以用来制造透明的发光元器件。例如可参见，Bulovic等Nature 1996，380，p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996，68，p2606。基片可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最优选是基片有平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基片是柔性的，可选自聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较优选是超过200℃，更优选是超过250℃，最优选是超过300℃。合适的柔性基板的非限制性例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2，6-萘)(PEN)。

阳极可包括导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个实施例中，阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值可以小于0.5eV，较优选是小于0.3eV，最优选是小于0.2eV。阳极材料的非限制性例子可以包括但不限于：Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。在某些实施例中，阳极可以是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本发明的器件。

阴极可包括导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个实施例中，阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值可以小于0.5eV，较优选是小于0.3eV，最优选是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子可以包括但不限于：Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等中的任一种或其组合。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。

OLED还可以包含其他功能层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的任一种或其组合。适合用于这些功能层中的材料在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述。

在一个优选的实施例中，按照本发明的一个方面中所述的发光器件中，其发光层可以是通过打印本发明的组合物制备而成。

按照本发明的一个方面中所述的发光器件，其发光波长可以在300到1000nm之间，较优选的是在350到900nm之间，更优选的是在400到800nm之间。

本发明还涉及按照本发明的一个方面中所述的有机电子器件在各种电子设备中的应用，包括，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。

本发明还涉及包含有按照本发明的一个方面中所述的有机电子器件的电子设备，包括，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。

下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

具体实施例

实施例1

2，5一二苯基对二甲苯(3)的合成：

在250ml三口圆底烧瓶中加入26.40g(0.1mol)2，5-二溴对二甲苯和24.39g(0.2mmol)苯硼酸，加入250ml甲苯，搅拌使其溶解，再依次加入50ml水和21.2g Na₂CO₃(0.2mol)，搅拌至固体全部溶解，加入0.5ml Aliquat 336和75mg三苯基膦四合钯催化剂(0)(PPh₃)₄Pd，通氮气保护10min后加热至回流(92-100℃)，回流20min后关闭氮气保持系统密封，回流反应过夜，冷却后用甲苯萃取反应液(50mlx4)，合并有机相，依次用NaCl饱和溶液和水洗涤，蒸除溶剂干燥得白色晶体22.48g，理论值25.84g，产率约为87％。M.P.180-181℃(lit.180℃)，¹H NMR(CDCl₃，400MHz，ppm)：δ7.44-7.30(m，10H)，7.14(s，2H)，2.26(s，6H).

2，5-二苯基对二甲酸(4)的合成：

250ml三口圆底烧瓶中加机械搅拌，加入12.92g(0.05mol)2，5-二苯基对二甲苯，加入250ml吡啶，搅拌使其溶解，再依次加入30ml水和39.51g高锰酸钾(KMnO₄)(0.25mol)，加热回流(约105-110℃)反应2h后，每回流30min后冷却加入60ml水和15.59高锰酸钾(KMnO₄)(0.1mol)，共重复四次。再每回流6h后冷却加入60ml水，重复四次。反应完毕趁热过滤，滤饼用开水冲洗(1000mlx4)，合并滤液，蒸除溶剂至约100ml时加入50ml浓盐酸，冷却过滤，冷水洗涤，真空干燥得白色固体9.21g，理论值15.92g，产率约为57.9％。M.P.281-282℃(lit.282℃)，¹H NMR(DMSO-d₆，400MHz，ppm)：δ7.67(s，2H)，7.46-7.38(m，10H).

6，12-吲哚芴二酮(5)的合成

向500ml三口圆底烧瓶中加入100ml浓硫酸，搅拌下缓慢加入3.18g 2，5-二苯基对二甲酸(0.01mol)，室温反应0.5h后加入5-10滴发烟硫酸，反应6h后将反应液倒入冰水混合液中，同时用玻璃棒搅拌。抽滤混合液，大量水洗涤，干燥得暗红色固体1.95g，理论值2.82g，产率约69％。M.P.＞300℃(lit.＞300℃)，¹H NMR(CDCl₃，400MHz，ppm)：δ7.79(s，2H)，7.68(d，J＝7.36Hz，2H)，7.57-7.51(m，4H)，7.37-7.29(m，2H).

吲哚芴(6)的合成

向500ml三口圆底烧瓶中加入5.64g 6，22-吲哚芴二酮(0.02mol)，搅拌下依次缓慢加入300ml一缩二乙二醇和4ml水合肼(85％)，再加入经研磨成细粉的28.10g KOH(0.5mol)，通氮气保护10min后加热至回流(195℃)，反应48h后冷却倒入碎冰/浓盐酸(v∶v＝8∶1)混合液中，同时用玻璃棒搅拌。抽滤混合液，水洗涤，干燥得土黄灰色固体2.29g，理论值5.09g，产率45％。M.P.300-301℃(lit.300-302℃)，¹H NMR(DMSO-d₆，400MHz，ppm)：δ8.09(s，2H)，7.93(d，J＝7.4Hz，2H)，7.59(d，J＝7.4Hz，2H)，7.39(t，J＝7.4Hz，2H)，7.31(t，J＝7.4Hz，2H)，3.99(s，4H).

6，6，12，12-四辛基吲哚芴(7)的合成

在250ml长颈三口圆底烧瓶中加入转子，加入1.27g吲哚芴(6)，中间加高真空活塞(石蜡封口)，两边加反口胶塞，在用风机加热烧瓶的同时用油泵将烧瓶抽真空。用注射器将100ml干燥的THF加入烧瓶。在-78℃下边搅拌边用注射器向烧瓶中滴加6ml 2.87M正丁基锂(17.22mmol)，在氮气保护下反应1h。将系统升至室温反应30min后再降至-78℃，用注射器加入3.82g的1-溴辛烷(n-C₈H₁₇Br，20mmol)，在-78℃下反应1h后自然升至室温反应过夜。向烧瓶中加入约30ml水使反应淬灭，反应液用石油醚萃取(50mlx4)，合并有机相后用无水Na₂SO₄干燥，蒸除溶剂后柱层析提纯(100-200目硅胶/石油醚)。在甲醇中重结晶得米黄色晶体1.68g，理论值3.52g，产率约47.7％。¹H NMR(CDCl₃，400MHz，ppm)：δ7.72(d，J＝6.8Hz，2H)，7.58(s，2H)，7.33-7.24(m，6H)，1.99(t，J＝8.0Hz，8H)，1.12-0.98(m，24H)，0.76-0.59(m，20H)；¹³C NMR(CDCl₃，100MHz，ppm)：δ151.08，149.92，141.48，140.50，126.59，122.81，119.30，113.81，54.66，40.67，31.50，29.69，23.67，22.51，13.96.

2，7-二溴-6，6，12，12-四辛基吲哚芴(8)的合成

在250ml三口圆底烧瓶中加入转子和7.03g 6，6，12，12-四辛基吲哚芴(10mmol)，加入100ml CCl₄，搅拌使其溶解，加入40g Al₂O₃/CuBr(0.25mol)，回流反应18h。将反应物过滤，滤液用水洗涤，用无水Na₂SO₄干燥。蒸出溶剂，所得固体在甲醇中重结晶，得白色晶体3.73g，理论值8.61g，产率约为43.3％。¹H NMR(CDCl₃，400MHz，ppm)：δ7.57(d，J＝8.4Hz，2H)，7.52(s，2H)，7.45(s，2H)，7.44(d，J＝8.4Hz，2H)，1.97(t，J＝8.2Hz，8H)，1.11-0.96(m，24H)，0.75-0.58(m，20H)；¹³C NMR(CDCl₃，100MHz，ppm)：δ153.12，149.68，140.12，139.72，129.69，125.97，120.73，120.63，113.84，55.13，40.60，31.58，29.71，23.76，22.62，14.11。

2，8-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-二基)-6，6，12，12一四辛基吲哚芴(DBO-IF)的合成

在250ml长颈三口圆底烧瓶中加入转子，中间加高真空活塞，两边加翻口塞。在用风机加热烧瓶的同时用油泵将烧瓶抽真空。将4.31g 2，8-二溴-6，6，12，12一四辛基吲哚芴(5mmol)溶于120mlTHF中用注射器加入烧瓶，在-78℃下搅拌20min后再用注射器向烧瓶中滴加6ml2.87M正丁基锂(17.22mmol)，在氮气保护下反应2h再用注射器加入5ml 2-异丙基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷，在-78℃下反应2h后自然升至室温反应过夜。向烧瓶中加入约30ml水使反应淬灭，反应液用乙醚萃取(50mLx4)，合并有机相后用无水Na₂SO₄，干燥，蒸除溶剂后柱层析提纯(100-200目硅胶/石油醚∶乙酸乙酯v∶v＝9∶1)，得白色晶体1.18g，理论值4.78g，产率约为24.7％。¹H NMR(CDCl₃，400MHz，ppm)：δ7.75(d，J＝7.7Hz，2H)，7.71(d，J＝7.3Hz，2H)，7.70(s，2H)，7.59(s，2H)4.19(t，J＝5.3Hz，8H)，2.08(t，J＝5.3Hz，4H)，2.01(q，J＝6.4Hz，8H)，1.07-0.96(m，24H)，0.68(t，J＝7.0Hz，12H)，0.58(t，J＝6.7Hz，8H)；¹³C NMR(CDCl₃，100MHz，ppm)：δ150.49，150.15，143.94，140.83，132.35，127.75，118.59，114.17，61.99，54.58，40.64，31.51，29.71，27.42，23.65，22.52，13.96。

4-溴三苯胺的合成

向500ml三口圆底烧瓶中加入49g三苯胺(0.2mol)，搅拌下依次缓慢加入300ml N，N-二甲基甲酰胺，再分批缓慢加入经研磨成细粉的N-溴代丁二酰亚胺34.10g(0.2mol)，通氮气保护后在室温避光下反应48h后冷却倒入碎冰中，用二氯甲烷萃取三次，合并有机相，水洗3次，浓缩，采用200-300目硅胶柱进行分离，淋洗剂为石油醚。得到58g，理产率90％。

4-三甲基硅基乙炔基三苯胺的合成

在500mL的两颈圆底烧瓶中，一次加入4-溴三苯胺(12.00g，40.00mmol)，CuI(0.052g，0.28mmol)，(Ph₃P)₂PdCl₂(0.475g，0.68mmol)，200mL脱气甲苯、60mL脱气二异丙胺，搅拌使其中固体溶解、混合均匀。在氩气保护、室温条件下逐滴滴加三甲基乙炔基硅(4.32g，44.0mmol)的二异丙胺溶液(30mL)。滴加完毕，反应液温度升至70℃，氩气保护条件下反应6小时。用薄层色谱监测反应程度，反应结束后将反应液冷却至室温，抽滤除去固体盐等杂质。粗产物用柱色谱(硅胶柱，淋洗剂为石油醚)进行分离提纯，进一步采用甲醇重结晶得到白色固体、过滤、真空干燥得到9.58克，产率为70％。

4，4-二溴-4’-三甲基硅基乙炔基三苯胺的合成

向500ml三口圆底烧瓶中加入6g 4-三甲基硅基乙炔基三苯胺(0.02mol)，搅拌下依次缓慢加入300ml N，N-二甲基甲酰胺，再分批缓慢加入经研磨成细粉的N-溴代丁二酰亚胺6.810g(0.04mol)，通氮气保护后在室温避光下反应48h后冷却倒入碎冰中，用二氯甲烷萃取三次，合并有机相，水洗3次，浓缩，采用200-300目硅胶柱进行分离，淋洗剂为石油醚。得到5.6g，理产率90％。

聚合物P1的合成

在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入195mg(0.5mmol)单体4，4-二溴-4’-三甲基硅基乙炔基三苯胺，418mg(0.5mmol)单体2，8-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-二基)-6，6，12，12一四辛基吲哚芴，10mg Pd(PPh₃)₄，10mL脱气甲苯、4mL脱气四氢呋喃和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通氩气15分钟。反应在氩气保护110℃条件下反应24小时，依次加入50μL溴苯回流反应2小时、20mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物重新溶于约30mL四氢呋喃中，所得四氢呋喃溶液用孔径为0.45μm的聚四氟乙烯(PTFE)滤头过滤，减压蒸馏浓缩后逐滴滴加到甲醇中沉淀，真空干燥、得到浅黄色固体392mg，产率74％。GPC(四氢呋喃，聚苯乙烯标准样品)Mn＝21 000gmol^-1，PDI＝1.8。

聚合物P2的合成

往聚合物P1(392mg)的四氢呋喃(200mL)溶液中加入15mL 20wt％的氢氧化钾水溶液，随后加入20mL甲醇稀释反应液。在氩气保护、常温条件下均匀搅拌反应1小时。反应结束后将反应液倒入冰水中，经三氯甲烷萃取，油层分别用水、饱和氯化钠水溶液洗涤，浓缩得到粗产物。粗产物用柱色谱(硅胶柱，淋洗剂为石油醚)进行分离提纯，进一步采用甲醇重结晶得到白色固体、过滤、真空干燥得到352mg，产率为80％。GPC(四氢呋喃，聚苯乙烯标准样品)Mn＝21 000g mol^-1，PDI＝1.8。

实施例2

实施例1所制备的聚合物P2作为空穴传输材料在有机/聚合物电致发光器件O/PLEDs(ITO阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/铝阴极)中的应用

将ITO导电玻璃、约20欧/平方厘米得方块电阻预切成15毫米×15毫米方片。依次用丙酮、微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、异丙醇超声清洗，氮气吹哨后置于恒温烘箱备用。使用前，ITO玻璃片在氧等离子体刻蚀仪中以等离子体轰击10分钟。PEDOT：PSS水分散液(约1％)Clevios^TM PEDOT：PSS Al4083作为缓冲层以匀胶机(KW-4A)高速旋涂，厚度由溶液浓度和转速决定，用表面轮廓仪(Tritek公司Alpha-Tencor-500型)实测监控。成膜后，于恒温真空烘箱中驱除残余溶剂。在ITO基片上PEDOT：PSS的膜厚为80纳米。实施例1所合成的聚合物P2溶于甲苯溶液浓度为5mg/ml，在PEDOT：PSS膜上旋涂聚合物P2，厚度为20纳米，于加热板上加热至200℃反应30min，使聚合物P2发生交联反应。之后将聚合物P2膜用甲苯冲洗，测得厚度为18-19纳米，表明交联反应有效，聚合物P2膜固化比较完全。将荧光共轭聚合物P-PPV(P-PPV为发绿光材料)或MEH-PPV(MEH-PPV为发橙红光材料)于干净瓶中称量后，转入氮气保护成膜专用手套箱，在甲苯中溶解，以0.45微米滤膜过滤。在空穴传输层聚合物P2膜上旋涂荧光聚合物，聚合物发光层最佳厚度为80纳米。膜厚用Alpha-Tencor-500表面轮廓仪测定。随后在真空蒸镀条件上得到约2-5nm CsF作为电子注入/传输层上。在电子传输层上真空蒸镀铝(100纳米)作阴极。器件的发光区域有掩膜于ITO交互盖的区域确定为004平方厘米。所有制备过程均在提供氮气氛围的手套箱内进行。器件的电流-电压特性，发光强度和外量子效率由Keithley236电流电压-测量系统及一个经校正的硅光二极管测得。

Claims (12)

1.含乙炔基交联基团的共轭聚合物，具有如下结构：

其中，x, y为摩尔百分比, x + y = 1，Ar2在多次出现时相同或者不同地独立选自芳基或杂芳基团，R3是一连接基团，所述Ar1为聚合物主链结构单元，所述的聚合物主链结构单元选自苯、联苯、三苯基、苯并、茚芴、吲哚咔唑、二苯并噻咯、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩类化合物中的任一种或其组合，所述R3选自具有1-30个碳原子的烷基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的任一种或其组合。

2.根据权利要求1所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其特征在于，Ar1、Ar2在多次出现时可相同或者不同，并且Ar2独立选自如下结构基团中的任一种或其组合：环芳香基团，包括苯、联苯、三苯基、苯并、芴类化合物中的任一种或其组合；和芳香杂环基团，包括吲哚芴、三苯胺、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑、吡啶吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、二苯并恶唑、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩二吡啶中的任一种或其组合。

3.根据权利要求1-2中任一个所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其特征在于，所述环芳香烃基团和芳香杂环基团进一步被任选取代，取代基选自氢、氘，烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的任一种或其组合。

4.根据权利要求1-2中任一个所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其特征在于，所述Ar2为空穴传输单元，所述空穴传输单元选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、吲哚咔唑及其衍生物中的任一种或其组合。

5.根据权利要求1-2中任一个所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其特征在于，所述Ar2选自电子传输单元，所述电子传输单元选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、二苯并恶唑、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩二吡啶类化合物中的任一种或其组合。

6.根据权利要求1-2中任一个所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其特征在于，具有如下通式：

其中，x，y，z为mol%，且大于0，x + y +z= 1，Ar1，Ar2和Ar2-1在多次出现时相同或者不同地独立选自芳基或杂芳基团。

7.根据权利要求6所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，其中Ar1，Ar2和Ar2-1中至少有一个选自空穴传输单元，及至少有一个选自电子传输单元。

8.一种混合物，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物，及至少一种有机功能材料，所述有机功能材料选自空穴注入材料，空穴传输材料，电子传输材料，电子注入材料，电子阻挡材料，空穴阻挡材料，发光材料，主体材料中的任一种或其组合。

9.一种组合物，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物或其混合物，及至少一种有机溶剂。

10.根据权利要求1至7任一项所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物或其混合物在有机电子器件中的应用。

11.一种有机电子器件，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的含乙炔基交联基团的共轭聚合物或其混合物。

12.根据权利要求11所述的有机电子器件，其特征在于，所述有机电子器件选自有机发光二极管、有机光伏电池、有机发光电池、有机场效应管、有机发光场效应管、有机激光器、有机自旋电子器件、有机传感器、有机等离激元发射二极管及钙钛矿太阳能电池。