CN109369891A - 含碱基基团的聚合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种含碱基基团的聚合物及其应用。所述聚合物材料具有以共轭连接的主链结构及包含有碱基基团的功能化的侧链基团。所述聚合物材料具有很强的分子间和分子内氢键，在形成聚合物薄膜后，因氢键作用，具有优异抗溶剂性能，适于制作复杂的多层有机电子器件。所述聚合物能够应用于有机发光二极管、聚合物太阳电池、有机场效应晶体管、钙钛矿太阳电池等光电器件中。

Description

含碱基基团的聚合物及其应用
技术领域
本发明涉及有机光电材料领域，具体涉及一类含碱基基团的聚合物及其应用。
背景技术
自有机半导体材料面世以来，由于其具有化学结构多样性、制造成本相对低廉和优良的光学与电学性能，因此在光电器件的应用方面被认为具有很大的发展潜力。
许多电致发光材料的电荷传输性能较差，因此有机发光二极管(OLEDs)器件大多采用多层器件结构，即除了发光层外，还含有一层或多层空穴传输/注入层或电子传输/注入层。所以，为了实现高效的有机电致发光器件，除了开发高性能的发光材料外，电子和空穴分别从阴极和阳极高效的注入是其中的关键。
对小分子真空蒸镀OLEDs而言，很容易通过真空蒸镀方法获得多层、复杂的高效OLEDs器件，但是由于真空蒸镀方法具有价格昂贵、耗时、浪费材料、难以实现大面积应用等缺点。与之对应的溶液加工型O/PLEDs，由于能够通过低廉的喷墨打印、Roll-to-Roll(“卷对卷”)等溶液加工方法制备大面积、柔性器件等优点，具有广泛的应用前景和商业价值。由于一般商业化聚合物光电材料具有相似的溶解性，即聚合物发光材料、空穴注入/传输材料、电子注入/传输材料在甲苯、氯仿、氯苯、邻二氯苯、邻二甲苯、四氢呋喃等溶剂中具有良好的溶解性，因此在溶液加工方法制备多层、复杂的聚合物发光二极管时，存在界面混溶、界面侵蚀等问题。例如溶液加工聚合物发光层时，所使用的溶剂会溶解下面的空穴传输层，造成界面混溶、界面侵蚀等问题。
为了解决溶液加工O/PLEDs存在的界面混溶、界面侵蚀等问题，寻找一种具有优异抗溶剂性能的聚合物光电材料至关重要。其中主要有三种方法，方法一：正交溶剂加工方法，即采用水/醇溶性聚合物光电材料(如聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEODT:SS)，这类材料在弱极性溶剂(如甲苯、氯苯、氯仿、四氢呋喃等)中不能溶解，水/醇溶性聚合物光电材料可采用正交溶剂溶液加工成膜，可以克服界面混溶、界面侵蚀等问题(Chem.Soc.Rev.2010,39,2500；Chem.Soc.Rev.2013,42,9071.)。方法二：热脱除助溶基团(烷基链、烷氧基链)，即可溶性聚合物前驱体通过溶液加工方法成膜后，在加热、酸、光照等后处理将聚合物前驱体的助溶基团脱除，得到的聚合物不溶于有机溶剂中，具有优异的抗溶剂性能，其中典型的例子是发光聚合物聚对苯撑乙烯(PPV)(Nature 1990,347,539.)。方法三：交联方法，即开发可交联的聚合物光电材料，这种材料在交联前具有优异的溶解性，可采用溶液加工方法成膜，随后在光照、热等条件下引发聚合物侧链的交联基团相互发生化学反应，形成不溶不熔的三维互穿网状聚合物，具有优异的抗溶剂性能，便于后续功能层的溶液加工制备(J.Mater.Chem.2008,18,4495)。上述三种方法已广泛应用于溶液加工O/PLEDs。
但是基于这些技术或材料的溶液加工OLED的性能，特别是器件寿命还有待提高。新的高性能的材料，特别是可固化的抗溶剂的高聚物电荷传输材料急需开发出来。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的一个主要目的在于提供一种含碱基基团的聚合物及其应用。所述聚合物材料具有以共轭连接的主链结构及包含有碱基基团的功能化的侧链基团。由于所述聚合物具有共轭的结构单元，赋予聚合物丰富的光学、电学性能。所述聚合物材料在固体状态下分子间会形成强的氢键，因此可以形成耐非极性溶剂的聚合物薄膜，具有优异的抗溶剂性能，适于制作复杂的多层有机电子器件。所述聚合物能够应用于有机发光二极管、聚合物太阳电池、有机场效应晶体管、钙钛矿太阳电池等光电器件中。
本发明还进一步涉及了包含本发明的聚合物的混合物、组合物，及其在制备有机电子器件中的应用。通过器件结构优化，可达到较佳的器件性能，特别是可实现高性能的OLED器件，对全彩显示和照明应用提供了较好的材料和制备技术选项。
本发明的技术方案如下：
一种如通式(I)或通式(II)或通式(III)所示的聚合物：
其中：x、y、a、b表示重复单元的摩尔百分比，x>0，y>0，a>0，b>0，且x+y＝1，2a+2b＝1；Ar1、Ar2在多次出现时，分别独立地选自取代或未取代的具有5-50个环原子的芳香基团或杂芳香基团；
R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15在每次出现时，相互独立的选自：具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有2至20个C原子的直链烯基、或具有2至20个C原子的直链炔基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、或具有3至20个C原子的支链或环状的烷氧基、或具有3至20个C原子的支链或环状的硫代烷氧基，或是取代或无取代的甲硅烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原子的芳氧基羰基，-C(＝O)N(R)-，酯基，异氰基，异氰酸酯基，硫氰酸酯基，异硫氰酸酯基，或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至40个环原子的芳氧基团或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，或不存在；但R1和R2不能同时不存在，R11、R12、R13、R14和R15不能同时不存在；
R在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
B1、B2和B3在每次出现时，相互独立地选自取代或未取代的碱基基团；o，p，q分别独立选自分别为0或1，且o，p至少有一个是1。
在其中一个实施例中，所述的B1、B2和B3相互独立地选自具有如下通式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)所表示的结构中的一种或多种组合：
Z1,Z2,Z3,Z4在每次出现时，相互独立地选自N或NR3；
Z5在每次出现时，独立地选自N(R3)2；
R3在每次出现时，独立地选自，H，D，或烷烃基，或烯烃基，或炔烃基，或烷烃醚基，或含1～30个碳原子的烷烃硫醚基，或环烷烃基，或含5～30个碳原子的被取代或者未被取代的芳香基团或杂芳香基团，且R3中一个或多个非相邻的亚甲基(CH2)可以被R4取代；
R4每次出现时，独立地选自R5C＝CR5,C＝C,Si(R5)2,Ge(R5)2,Sn(R5)2,C＝O,C＝S,C＝Se,C＝N(R5),O,S,C(O)O,或CONR5；
R5在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷烃基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
n在每次出现时，独立地选自0、1或2；
m在每次出现时，独立地选自0、1、2或3。
在其中一个实施例中，所述的B1、B2和B3含有至少一个氮氢键。
在其中一个实施例中，所述的B1、B2和B3相互独立地选自如下结构中的一种或多种组合：
表示所述的B1、B2和B3与所述聚合物其他基团的连接位点。
在其中一个实施例中，所述的Ar1包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中：X每次出现时，独立地选自CR6或N；
Y每次出现时，独立地选自CR6R7、SiR6R7、NR6、C(＝O)、S或O；
R6、R7、R8含义同R1。
在其中一个实施例中，所述Ar2具有空穴传输特性，选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑及其衍生物中的一种。
在其中一个实施例中，所述Ar2包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中：Ar3-Ar11每次出现时，独立地选自5至40个碳原子的芳香基团或杂芳香基团，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代。
在其中一个实施例中，所述Ar2具有电子传输特性，选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、噁二嗪类、吲哚、苯并咪唑、吲唑、苯并异恶唑、双苯并恶唑类、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、苯并呋喃并吡啶、二吡啶并呋喃、苯并噻吩并吡啶、二吡啶并噻吩、苯硒吩并吡啶和二吡啶并硒吩及其衍生物中的一种。
在其中一个实施例中，所述Ar2包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中，n表示1-20的整数；
R9每次出现时，独立地选自氢、氘、卤原子、氰基、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳香基团或杂芳香基团；
X1-X8每次出现时，独立地选自CR10或N；
M1、M2、M3分别独立表示N(R10)、C(R10)2、Si(R10)2、O、C＝N(R10)、C＝C(R10)2、P(R10)、P(＝O)(R10)、S、S＝O、(O＝)S(＝O)或无；
Ar12-Ar16每次出现时，相互独立地选自5至40个碳原子的芳香基团或杂芳香基团，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代；
R10含义同R1。
在其中一个实施例中，所述的Ar1和Ar2分别独立地选自如下结构基团中的一种：
在其中一个实施例中，所述R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15分别独立地相互独立选自-(CH2)6-或-(CH2)3-。
在其中一个实施例中，所述聚合物是共轭聚合物。
本发明还提供一种混合物，所述混合物包含至少一种上述的聚合物，及至少另一种的有机功能材料，所述另一种的有机功能材料选自空穴注入材料，空穴传输材料，电子传输材料，电子注入材料，电子阻挡材料，空穴阻挡材料，发光材料，主体材料和有机染料中的至少一种。
本发明还提供一种组合物，所述组合物包含至少一种上述的聚合物或上述的混合物，及至少一种有机溶剂。
本发明还提供一种有机电子器件，所述有机电子器件包括至少一种上述的聚合物或上述的混合物。
在其中一个实施例中，所述的有机电子器件至少包含空穴传输层或电子传输层，所述的空穴传输层或电子传输层至少包含一种上述的聚合物或上述的混合物。
本发明具有以下有益效果：
本发明的有机功能聚合物包含一个有机功能结构主链和具有氢键的碱基基团侧链，具有好的溶解性和成膜性。同时，该聚合物由于碱基氢键的作用，可以形成强的分子间氢键，在分子间产生连接作用，从而使薄膜固化，耐非极性溶剂。按照本发明的组合物具有较好的印刷性及成膜性能，便于通过溶液加工，特别是印刷工艺，实现高性能印刷有机电子器件，特别是有机电致发光器件，从而提供了一种成本低、高效率的制造技术方案。
附图说明
图1是本发明的一种优先的发光器件结构图。
图中101是基板，102是阳极，103是空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)，104是发光层，105是电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)，106是阴极。
具体实施方式
本发明提供一种含碱基基团的共轭聚合物及其应用。所述共轭聚合物材料具有共轭的主链结构及包含有碱基基团的功能化侧链。为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明实施例中，主体材料、基质材料、Host材料和Matrix材料具有相同的含义，可以互换。
在本发明实施例中，单线态，单重态具有相同的含义，可以互换。
在本发明实施例中，三线态，三重态具有相同的含义，可以互换。
在本发明中，组合物和印刷油墨，或油墨具有相同的含义，可以互换。
高聚物，即Polymer，包括均聚物(homopolymer)，共聚物(copolymer)，镶嵌共聚物(block copolymer)。另外在本发明中，高聚物也包括树状物(dendrimer)，有关树状物的合成及应用请参见【Dendrimers and Dendrons,Wiley-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA,2002,Ed.George R.Newkome,Charles N.Moorefield,Fritz Vogtle.】。
共轭高聚物(conjugated polymer)是一高聚物，它的主链backbone主要是由C原子的sp2杂化轨道构成，著名的例子有：聚乙炔polyacetylene和poly(phenylenevinylene)，其主链上的C原子的也可以被其他非C原子取代，而且当主链上的sp2杂化被一些自然的缺陷打断时，仍然被认为是共轭高聚物。另外在本发明中共轭高聚物也包括主链上包含有芳基胺(aryl amine)、芳基磷化氢(aryl phosphine)及其他杂环芳烃(heteroarmotics)、有机金属络合物(organometallic complexes)等。
在本发明实施例中，有机材料的能级结构，三线态能级ET、HOMO、LUMO起着关键的作用。以下对这些能级的确定做一介绍。
HOMO和LUMO能级可以通过光电效应进行测量，例如XPS(X射线光电子光谱法)和UPS(紫外光电子能谱)或通过循环伏安法(以下简称CV)。最近，量子化学方法，例如密度泛函理论(以下简称DFT)，也成为行之有效的计算分子轨道能级的方法。
有机材料的三线态能级ET可通过低温时间分辨发光光谱来测量，或通过量子模拟计算(如通过Time-dependent DFT)得到，如通过商业软件Gaussian 03W(Gaussian Inc.)，具体的模拟方法可参见WO2011141110或如下在实施例中所述。
应该注意，HOMO、LUMO、ET的绝对值取决于所用的测量方法或计算方法，甚至对于相同的方法，不同评价的方法，例如在CV曲线上起始点和峰点可给出不同的HOMO/LUMO值。因此，合理有意义的比较应该用相同的测量方法和相同的评价方法进行。本发明实施例的描述中，HOMO、LUMO、ET的值是基于Time-dependent DFT的模拟，但不影响其他测量或计算方法的应用。
在发明中，(HOMO-1)定义为第二高的占有轨道能级，(HOMO-2)为第三高的占有轨道能级，以此类推。(LUMO+1)定义为第二低的未占有轨道能级，(LUMO+2)为第三低的占有轨道能级，以此类推。
本发明提供一种如通式(I)或通式(II)或通式(III)所示的聚合物：
其中：x、y、a、b表示重复单元的摩尔百分比，x>0，y>0，a>0，b>0，且x+y＝1，2a+2b＝1；Ar1、Ar2在多次出现时，分别独立地选自取代或未取代的具有5-50个环原子的芳香基团或杂芳香基团；
R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15在每次出现时，相互独立的选自：具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有2至20个C原子的直链烯基、或具有2至20个C原子的直链炔基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、或具有3至20个C原子的支链或环状的烷氧基、或具有3至20个C原子的支链或环状的硫代烷氧基，或是取代或无取代的甲硅烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原子的芳氧基羰基，-C(＝O)N(R)-，酯基，异氰基，异氰酸酯基，硫氰酸酯基，异硫氰酸酯基，或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至40个环原子的芳氧基团或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，或不存在；但R1和R2不能同时不存在，R11、R12、R13、R14和R15不能同时不存在；
R在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
B1、B2和B3在每次出现时，相互独立地选自取代或未取代的碱基基团；o，p，q分别独立选自0或1，且至少有一个是1。
在一个优选的实施例中，所述的B1、B2和B3含有至少一个氮氢键。
在一个优选的实施例中，所述的B1、B2和B3相互独立地选自具有如下通式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)所表示的结构中的一种或多种组合：
Z1,Z2,Z3,Z4在每次出现时，相互独立地选自N或NR3；
Z5在每次出现时，独立地选自N(R3)2；
R3在每次出现时，独立地选自，H，D，或烷烃基，或烯烃基，或炔烃基，或烷烃醚基，或含1～30个碳原子的烷烃硫醚基，或环烷烃基，或含5～30个碳原子的被取代或者未被取代的芳香基团或杂芳香基团，且R3中一个或多个非相邻的亚甲基(CH2)可以被R4取代；
R4每次出现时，独立地选自R5C＝CR5,C＝C,Si(R5)2,Ge(R5)2,Sn(R5)2,C＝O,C＝S,C＝Se,C＝N(R5),O,S,C(O)O,或CONR5；
R5在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷烃基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
n在每次出现时，独立地选自0、1或2；
m在每次出现时，独立地选自0、1、2或3。
在一个优选的实施例中，所述的B1、B2和B3相互独立地选自如下结构中的一种或多种组合：
表示所述的B1、B2和B3与所述聚合物其他基团的连接位点。
在一个最优选的实施例中，所述的通式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)中，R3选自H或者D。
本发明所述的聚合物，每一个碱基基团B1、B2和B3每次出现时包含至少一个可以形成氢键的化学结构，聚合物形成薄膜后，其侧链碱基基团形成的氢键使聚合物相互连接，形成氢键交联的三维网状聚合物薄膜，使聚合物薄膜具有优异的非极性溶剂性能。
氢键是指分子的一种作用力，是一种永久偶极之间的作用力，氢键发生在已经以共价键与其它原子键结合的氢原子与另一个原子之间(X-H…Y)，通常发生氢键作用的氢原子两边的原子(X、Y)都是电负性较强的原子，常见为F、O、N。氢键既可以是分子间氢键，也可以是分子内的。其键能最大约为200kJ/mol，一般为5-30kJ/mol，比一般的共价键、离子键和金属键键能要小，但强于静电引力。
在某些实施例中，本发明的聚合物，其分子量Mw≥10000克/摩尔，较好是≥50000克/摩尔，更好是≥100000克/摩尔，更更好是≥150000克/摩尔，最好是≥200000克/摩尔。
在一个优选的实施例中，所述的Ar1和Ar2在每次出现时，分别独立地选自环原子数为6～50的芳香基团或杂芳香基团；在更加优选的实施例中，Ar1和Ar2在每次出现时，分别独立地选自为环原子数为6～45的芳香基团或芳杂基团；在非常优选的实施例中，Ar1和Ar2在每次出现时，分别独立地选自为环原子数为6～40的芳香基团或杂芳香基团；在最为优选的实施例中，Ar1和Ar2在每次出现时，分别独立地选自为环原子数为6～30的芳香基团或杂芳香基团。其中一个或多个基团可进一步被取代。
芳香环系或芳香基团指至少包含一个芳环的烃基，包括单环基团和多环的环系统。杂芳香环系或杂芳香基团指包含至少一个杂芳香环的烃基(含有杂原子)，包括单环基团和多环的环系统。杂原子优选选自Si、N、P、O、S和/或Ge，特别优选选自Si、N、P、O和/或S。这些多环的环可以具有两个或多个环，其中两个碳原子被两个相邻的环共用，即稠环。多环的这些环种，至少一个是芳族的或杂芳族的。对于本发明的目的，芳香基团或杂芳香基团不仅包括芳香基或杂芳香基的体系，而且，其中多个芳基或杂芳香基也可以被短的非芳族单元间断(<10％的非H原子，优选小于5％的非H原子，比如C、N或O原子)。因此，比如9,9'-螺二芴，9,9-二芳基芴，三芳胺，二芳基醚等体系，对于该发明目的同样认为是芳香族基团。
具体地，芳香基团的例子有：苯、萘、蒽、菲、二萘嵌苯、并四苯、芘、苯并芘、三亚苯、苊、芴、及其衍生物。
具体地，杂芳香族基团的例子有：呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡咯、吡唑、三唑、咪唑、噁唑、噁二唑、噻唑、四唑、吲哚、咔唑、吡咯并咪唑、吡咯并吡咯、噻吩并吡咯、噻吩并噻吩、呋喃并吡咯、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃、苯并异噁唑、苯并异噻唑、苯并咪唑、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、喹啉、异喹啉、邻二氮萘、喹喔啉、菲啶、伯啶、喹唑啉、喹唑啉酮、及其衍生物。
在一些优选的实施例中，按照本发明的聚合物，所述的Ar1为具有较大能隙的π-共轭结构单元,也称骨干单元(Backbone Unit)，优选≥2.2eV；较优选≥2.5eV；更优选≥3.0eV；最优选≥3.5eV。
在一个更优选的实施例中，所述的Ar1包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中：X每次出现时，独立地选自CR6或N；
Y每次出现时，独立地选自CR6R7、SiR6R7、NR6、C(＝O)、S或O；
R6、R7、R8含义同R1。
在某些优先的实施例中，本发明的聚合物，其中Ar1或Ar2在多次出现时可相同或者不同的选于如下结构基团：环芳香基团，包括苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴及其衍生物；芳香杂环基团，包括三苯胺、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑、吡啶吲哚、吡咯并吡啶(pyrrolodipyridine)、吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、噁二嗪类(oxadiazines)、吲哚、苯并咪唑、吲唑、苯并异恶唑(indoxazine)、双苯并恶唑类(bisbenzoxazoles)、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉(cinnoline)、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪(phenoxazines)、苯并呋喃并吡啶(benzofuropyridine)、二吡啶并呋喃(furodipyridine)、苯并噻吩并吡啶(benzothienopyridine)、二吡啶并噻吩(thienodipyridine)、苯硒吩并吡啶(benzoselenophenopyridine)和二吡啶并硒吩(selenophenodipyridine)及其衍生物。
在另一些较为优先的实施例中，通式(I)的聚合物，其中Ar1或Ar2在多次出现时，可相同或不同地选自如下结构基团中的一种或它们中的组合，其可以进一步被任意取代：
其中u是1或2或3或4。
一般地，共轭聚合物包含有至少一个主链结构单元。主链结构单元一般具有较大的能隙的π-共轭结构单元，也称骨干单元(Backbone Unit)，可选自单环或多环芳基或杂芳基。本发明中，共轭聚合物可以包含两个或以上的主链结构单元。一般的，主链结构单元的含量是≥40mol％，较好是≥50mol％，更好是≥55mol％，最好是≥60mol％。
在一个优先的实施例中，本发明的聚合物，其中Ar1是高聚物主链结构单元，选于苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴、咔唑、吲哚咔唑、二苯并噻咯、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩及其衍生物。
在一个最优选的实施例中，所述的Ar1选自苯，联二亚苯(Biphenylene)，萘，蒽，菲，二氢菲，9,10-二氢菲，芴，二芴，螺二芴，对苯乙炔，反茚并芴，顺茚并，二苯并-茚并芴，茚并萘及它们的衍生物。
在某些实施例中，本发明的聚合物具有空穴传输特性。
在某些优选的实施例中，本发明的聚合物，所述的Ar2具有较小能隙的π-共轭结构单元，优选≤3.5eV；较优选≤3.2eV；最优选≤3.0eV；聚合物中含有能隙较小的共轭结构可以使聚合物在电场的作用下更易产生电荷。
在一个优先的实施例中，本发明的聚合物，其中Ar2选于具有空穴传输特性的单元，优先的空穴传输单元可选于芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑及其衍生物。
在另一个优先的实施例中，Ar2具有化学式1表示的结构:
其中，Ar1,Ar2,Ar3在多次出现时可独立选择相同或不同的形式。
Ar1:选自一单键或者单核或多核芳基或杂芳基，此芳基或杂芳基可以被其他侧链取代的。
Ar2:选自单核或多核芳基或杂芳基，此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。
Ar3:选自单核或多核芳基或杂芳基,此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。Ar3也可以通过一桥接基团与化学式1中的其他部分相联接。
n:选自1,2,3,4,或5。
优先选择的化学式1所表示的结构单元为化学式2
其中
Ar4,Ar6,Ar7,Ar10,Ar11,Ar13,Ar14:的定义如化学式1中的Ar2,
Ar5,Ar8,Ar9,Ar12:的定义如化学式1中的Ar3。
在化学式1和化学式2中的Ar1-Ar14优先从如下基团中选择:苯(phenylene),萘(naphthalene),蒽(anthracene),芴(fluorene),螺双芴(spirobifluorene),吲哚芴(indenofuorene),菲(phenanthrene),噻吩(thiophene),吡咯(pyrrole),咔唑(carbazole),联萘(binaphthalene),dehydrophenanthrene等。
化学式1和化学式2所表示的结构单元中特别优先的选择如下，其中的每个化合物都可以被一个或多个取代基取代，R为一取代基。
进一步的合适的有空穴传输特性的单元对应于空穴传输材料小分子空穴传输材料(HTM)。合适的HTM材料可选包含有如下结构单元的化合物：酞菁(phthlocyanine)、卟啉(porphyrine)、胺(amine)、芳香胺、联苯类三芳胺(triarylamine)、噻吩(thiophene)、并噻吩(fused thiophene)(如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene))、吡咯(pyrrole)、苯胺(aniline)、咔唑(carbazole)、氮茚并氮芴(indolocarbazole)，及它们的衍生物。
在某些特别优选的实施例中，所述的Ar2选自如下结构基团的一种或多种组合：
其中：Ar3-Ar11每次出现时，独立地选自5至40个环原子的芳族或杂芳族环系，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代；
优选地，Ar3-Ar11每次出现时，独立地选自5至20个环原子的芳族或杂芳族环系，或是具有5至20个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至20个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代。
在某些较为优先的实施例中，本发明的聚合物具有电子传输特性。
在某些更优选的实施例中，按照本发明的聚合物，其中Ar2选于具有电子传输特性的单元，优先的电子传输单元可选于吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、oxadiazines、吲哚、苯并咪唑、吲唑、indoxazine、bisbenzoxazoles、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、cinnoline、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、phenoxazines、benzofuropyridine、furodipyridine、benzothienopyridine、thienodipyridine、benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine及其衍生物。
原则上，所有的电子传输材料ETM可以用作本发明的具有电子传输特性的单元。ETM有时也称n型有机半导体材料。原则上，合适的ETM材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为ETM，只要它们可以传输电子。优选的有机ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪(Phenazine)、菲罗啉(Phenanthroline)、蒽(Anthracene)、菲(Phenanthrene)、芴(Fluorene)、二芴(Bifluorene)、螺二芴(Spiro-bifluorene)、对苯乙炔(Phenylene-vinylene)、三嗪(triazine)、三唑(triazole)、咪唑(imidazole)、芘(Pyrene)、苝(Perylene)、反茚并芴(trans-Indenofluorene)、顺茚并(cis-Indenonfluorene)、二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene)、茚并萘(Indenonaphthalene)、苯并蒽(benzanthracene)及它们的衍生物。
另一方面，所述的具有电子传输特性的Ar2可选自具有以下通式中任一骨架的基团：
其中：n表示1-20的整数；X1-X8每次出现时，独立地选自CR10或N；
R9每次出现时，独立地选自氢、氘、卤原子(F,Cl,Br,I)、氰基、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳香基团或杂芳香基团；
M1、M2、M3分别独立表示N(R10)、C(R10)2、Si(R10)2、O、C＝N(R10)、C＝C(R10)2、P(R10)、P(＝O)(R10)、S、S＝O、(O＝)S(＝O)或无；Ar12-Ar16含义同Ar3；R10含义同R1。
在某些优选的实施例中，所述的Ar1和Ar2分别独立地选自如下结构基团中的一种：
在某些优选的实施例中，所述R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15分别独立地相互独立选自-(CH2)6-或-(CH2)3-。
在某些的实施例中，包含所述的Ar1和Ar2的重复单元的总摩尔分数x为：0.02≤x≤1.0，较好是0.05≤x≤0.60，更好是0.10≤x≤0.50，最好是0.10≤x≤0.40。
在某些优先的实施例中，按照通式(I)的聚合物中，具有空穴传输特性的Ar2的摩尔数为yh，其中0.02≤yh≤0.30，较好是0.05≤yh≤0.25，更好是0.08≤yh≤0.20，最好是0.10≤yh≤0.18。
在另一些实施例中，按照通式(I)的聚合物中，具有电子传输特性的Ar2的摩尔数为ye，其中0.02≤ye≤0.30，较好是0.05≤ye≤0.25，更好是0.08≤ye≤0.20，最好是0.10≤ye≤0.18。
在一个优选的实施例中，本发明所述的聚合物∣(H O M O-1)-HOMO∣≥0.3eV，较好的是≥0.35eV，很好的是≥0.4eV，更好的是≥0.45eV，最好的是≥0.5eV。其中HOMO表示聚合物最高占有轨道，HOMO-1表示聚合物第二高占有轨道。
在一个优先的实施例中，按照本发明的聚合物，具有较高的LUMO，优选LUMO≥-2.7eV，较优选≥-2.6eV，更优选≥-2.5eV，最优选≥-2.4eV。
在某些优先的实施例中，按照本发明的聚合物，具有较低的HOMO，优选HOMO≤-5.0eV，较优选≤-5.1eV，最优选≤-5.2eV。
在某些优先的实施例中，按照本发明的聚合物，具有较大的三线态能级ET，优选ET≥2.5eV，较优选≥2.6eV，最优选≥2.7eV。
在一个更优选的实施例中，按照本发明的聚合物是一种共轭聚合物。
下面列出按照本发明的聚合物的例子，但不限于：
本发明还涉及一种通式(I)的聚合物的合成方法，其中使用含有活性基团的原料进行反应。这些活性基团的原料包含碱基的共轭结构单元和在每种情况下的至少两种离去基团，例如，溴，碘，硼酸或硼酸酯。形成C-C连接的适当的反应是本领域技术人员熟知的并描述于文献中，特别适当和优选的偶联反应方法是SUZUKI-,YAMAMOTO-,STILLE-,NIGESHI-,KUMADA-,HECK-,SONOGASHIRA-,HIYAMA-,FUKUYAMA-,HARTWIG-BUCHWALD-和ULLMAN。
在一个优先的实施例中，上述高聚物的玻璃化温度(Tg)≥100℃，优选为≥120℃，更优为≥140℃，更更优为≥160℃，最优为≥180℃。
在一个优先的实施例中，上述聚合物的分子量分布(PDI)取值范围优选为1-5；较优选为1-4；更优选为1-3，更更优选为1-2，最优选为1-1.5。
在一个优先的实施例中，上述聚合物的重均分子量(Mw)取值范围优选为1万-100万；较优选为5万-50万；更优选为10万-40万，更更优选为15万-30万，最优选为20万-25万。
本发明还提供一种混合物，所述的混合物包含至少一种如上所述的聚合物，及至少另一种的有机功能材料，所述另一种的有机功能材料可选自空穴注入材料(HIM)，空穴传输材料(HTM)，p-dopant，电子传输材料(ETM)，电子注入材料(EIM)，电子阻挡材料(EBM)，空穴阻挡材料(HBM)，发光材料(Emitter)，主体材料(Host)和有机染料。例如在WO2010135519A1,US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述，特此将此3专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一个优先优选的实施例中，所述的混合物包含一种按照本发明的聚合物，和一种荧光发光体(或单重态发光体)。这里按照本发明的聚合物可以作为主体，其中荧光发光体的重量百分比≤15wt％,较好是≤12wt％,更好是≤9wt％，,更更好是≤8wt％，最好是≤7wt％。
某些实施例中，所述的混合物包含一种按照本发明的聚合物，和一种TADF材料。
在另一个优先优选的实施例中，所述的混合物包含一种按照本发明的聚合物，和一种磷光发光体(或三重态发光体)。这里按照本发明的聚合物可以作为主体，其中磷光发光体的重量百分比≤30wt％,较好是≤25wt％,更好是≤20wt％，最好是≤18wt％。
在另一些优选的实施例中，所述的混合物包含一种按照本发明的聚合物，和一种HTM材料。
下面对荧光发光体、磷光发光体、TADF材料及p-dopant作一些详细的描述(但不限于此)
1.荧光发光体
荧光发光体往往有较长的共轭π电子系统。迄今,已有许多例子，例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺及其衍生物，在WO2008/006449和WO2007/140847中公开的茚并芴及其衍生物及在US7233019、KR2006-0006760中公开的芘的三芳胺衍生物。
在一个优先的实施方案中,荧光发光体可选自一元苯乙烯胺，二元苯乙烯胺，三元苯乙烯胺，四元苯乙烯胺，苯乙烯膦，苯乙烯醚和芳胺。
一个一元苯乙烯胺是指一化合物,它包含一个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个二元苯乙烯胺是指一化合物,它包含二个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个三元苯乙烯胺是指一化合物,它包含三个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个四元苯乙烯胺是指一化合物,它包含四个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯,其可能会进一步被取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物，包含三个直接联接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个优先选于稠环系统，并最好有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺。一个芳香蒽胺是指一化合物，其中一个二元芳基胺基团直接联到蒽上,最好是在9的位置上。一个芳香蒽二胺是指一化合物，其中二个二元芳基胺基团直接联到蒽上,最好是在9,10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似,其中二元芳基胺基团最好联到芘的1或1,6位置上.
基于乙烯胺及芳胺的荧光发光体的例子,也是优选的例子,可在下述专利文件中找到:WO 2006/000388,WO 2006/058737,WO 2006/000389,WO 2007/065549,WO 2007/115610,US 7250532 B2,DE 102005058557 A1,CN 1583691 A,JP 08053397 A,US 6251531B1,US 2006/210830 A,EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1特此上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
基于均二苯乙烯极其衍生物的荧光发光体的例子有US 5121029。
进一步的优选的荧光发光体可选于茚并芴-胺和茚并芴-二胺，如WO 2006/122630所公开的，苯并茚并芴-胺和苯并茚并芴-二胺，如WO 2008/006449所公开的，二苯并茚并芴-胺和二苯并茚并芴-二胺，如WO2007/140847所公开的。
进一步优选的荧光发光体可选于基于芴的稠环体系，如US2015333277A1、US2016099411A1、US2016204355A1所公开的。
更加优选的荧光发光体可选于芘的衍生物，如US2013175509A1所公开的结构；芘的三芳胺衍生物，如CN102232068B所公开的含有二苯并呋喃单元的芘的三芳胺衍生物；其它具有特定结构的芘的三芳胺衍生物，如CN105085334A、CN105037173A所公开的。其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物，特别是如下化合物的衍生物:蒽如9,10-二(2-萘并蒽)，萘,四苯，氧杂蒽，菲,芘(如2,5,8,11-四-t-丁基苝)，茚并芘，苯撑如(4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯)，二茚并芘,十环烯,六苯并苯,芴，螺二芴,芳基芘(如US20060222886)，亚芳香基乙烯(如US5121029，US5130603),环戊二烯如四苯基环戊二烯,红荧烯，香豆素，若丹明，喹吖啶酮，吡喃如4(二氰基亚甲基)-6-(4-对二甲氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃(DCM),噻喃,双(吖嗪基)亚胺硼化合物(US 2007/0092753 A1),双(吖嗪基)亚甲基化合物,carbostyryl化合物,噁嗪酮,苯并恶唑,苯并噻唑,苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮。一些单重态发光体的材料可在下述专利文件中找到:US 20070252517 A1,US4769292,US 6020078,US 2007/0252517 A1,US 2007/0252517 A1。特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
下面的表中列出一些合适的单荧光发光体的例子:
2.磷光发光体
在一个优先的实施方案中，磷光发光体是有通式M(L)n的金属络合物,其中M是一金属原子，L每次出现时可以是相同或不同，是一有机配体，它通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上,n是一个大于1的整数，较好选是1，2，3，4，5或6。可选地，这些金属络合物通过一个或多个位置联接到一个聚合物上，最好是通过有机配体。
在一个优先的实施方案中,金属原子M选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素,优先选择Ir,Pt,Pd,Au,Rh,Ru,Os,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Re,Cu或Ag，特别优先选择Os,Ir,Ru,Rh,Re,Pd,Au或Pt。
优先地,磷光发光体包含有螯合配体，即配体，通过至少两个结合点与金属配位，特别优先考虑的是磷光发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。
有机配体的例子可选自苯基吡啶衍生物，7,8-苯并喹啉衍生物，2(2-噻吩基)吡啶衍生物，2(1-萘基)吡啶衍生物，或2苯基喹啉衍生物。所有这些有机配体都可能被取代，例如被含氟或三氟甲基取代。辅助配体可优先选自乙酸丙酮或苦味酸。
在一个优先的实施方案中，可用作磷光发光体的金属络合物有如下形式：
其中M是一金属,选于过渡金属元素或镧系或锕系元素,特别优先的是Ir,Pt,Au；
Ar1每次出现时可以是相同或不同,是一个环状基团,其中至少包含有一个施主原子，即有一孤对电子的原子，如氮或磷，通过它环状基团与金属配位连接；Ar2每次出现时可以是相同或不同,是一个环状基团,其中至少包含有一个C原子,通过它环状基团与金属连接；Ar1和Ar2由共价键联接在一起,可各自携带一个或多个取代基团，它们也可再通过取代基团联接在一起；L’每次出现时可以是相同或不同,是一个双齿螯合的辅助配体,最好是单阴离子双齿螯合配体；q1可以是0,1,2或3,优先地是2或3；q2可以是0,1,2或3,优先地是1或0。
一些磷光发光体的材料极其应用的例子可在下述专利文件和文献中找到:WO200070655,WO 200141512,WO 200202714,WO 200215645,EP 1191613,EP 1191612,EP1191614,WO 2005033244,WO 2005019373,US 2005/0258742,WO 2009146770,WO2010015307,WO 2010031485,WO 2010054731,WO 2010054728,WO 2010086089,WO2010099852,WO 2010102709,US 20070087219A1,US 20090061681A1,US 20010053462A1,Baldo,Thompson et al.Nature 403,(2000),750-753,US 20090061681A1,US20090061681A1,Adachi et al.Appl.Phys.Lett.78(2001),1622-1624,J.Kido etal.Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kido et al.Chem.Lett.657,1990,US 2007/0252517A1,Johnson et al.,JACS105,1983,1795,Wrighton,JACS 96,1974,998,Ma etal.,Synth.Metals 94,1998,245,US 6824895,US 7029766,US 6835469,US 6830828,US20010053462 A1,WO 2007095118 A1,US 2012004407A1,WO 2012007088A1,WO2012007087A1,WO 2012007086A1,US 2008027220A1,WO 2011157339A1,CN 102282150A,WO 2009118087A1,WO 2013107487A1,WO 2013094620A1,WO 2013174471A1,WO2014031977A1,WO 2014112450A1,WO 2014007565A1,WO 2014038456A1,WO 2014024131A1,WO 2014008982A1,WO2014023377A1。特此将上述列出的专利文件和文献中的全部内容并入本文作为参考。
在下面的表中列出一些合适的磷光发光体的例子:
3.热激活延迟荧光发光材料(TADF)：
传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间穿越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达到100％。但磷光材料昂贵，材料稳定性差，器件效率滚降严重等问题限制了其在OLED中的应用。热激活延迟荧光发光材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(ΔEst)，三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子。器件内量子效率可达到100％。同时材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需要贵金属，在OLED领域的应用前景广阔。
TADF材料需要具有较小的单线态-三线态能级差，较好是ΔEst<0.3eV，次好是ΔEst<0.25eV，更好是ΔEst<0.20eV，最好是ΔEst<0.1eV。在一个优先的实施方案中，TADF材料有比较小的ΔEst，在另一个优先的实施方案中,TADF有较好的荧光量子效率。一些TADF发光的材料可在下述专利文件中找到:CN103483332(A)，TW201309696(A)，TW201309778(A)，TW201343874(A)，TW201350558(A)，US20120217869(A1)，WO2013133359(A1)，WO2013154064(A1)，Adachi,et.al.Adv.Mater.,21,2009,4802，Adachi,et.al.Appl.Phys.Lett.,98,2011,083302，Adachi,et.al.Appl.Phys.Lett.,101,2012,093306，Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2012,11392，Adachi,et.al.Nature Photonics,6,2012,253，Adachi,et.al.Nature,492,2012,234，Adachi,et.al.J.Am.Chem.Soc,134,2012,14706，Adachi,et.al.Angew.Chem.Int.Ed,51,2012,11311，Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2012,9580，Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2013,10385，Adachi,et.al.Adv.Mater.,25,2013,3319，Adachi,et.al.Adv.Mater.,25,2013,3707，Adachi,et.al.Chem.Mater.,25,2013,3038，Adachi,et.al.Chem.Mater.,25,2013,3766，Adachi,et.al.J.Mater.Chem.C.,1,2013,4599，Adachi,et.al.J.Phys.Chem.A.,117,2013,5607，特此将上述列出的专利或文章文件中的全部内容并入本文作为参考。
下面的表中列出一些合适的TADF发光材料的例子:
本发明的另一个目的是为印刷OLED提供材料解决方案。
在另一些实施例中，按照本发明的聚合物，在25℃时，在甲苯中的溶解度≥5mg/ml，优选≥7mg/ml，最优选≥10mg/ml。
本发明进一步涉及一种组合物，所述的组合物包含如上所述的任一种聚合物或混合物，及至少一种有机溶剂。
按照本发明的一种组合物，所述的至少一种有机溶剂选自芳族或杂芳族、酯、芳族酮或芳族醚、脂肪族酮或脂肪族醚、脂环族或烯烃类化合物，或硼酸酯或磷酸酯类化合物，或两种及两种以上溶剂的混合物。
在一个优选的实施例中，按照本发明的一种组合物，所述的至少一种有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂。
适合本发明的基于芳族或杂芳族溶剂的例子有，但不限制于：对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、环己基苯、苄基丁基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、4,4-二氟二苯甲烷、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α，α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、喹啉、异喹啉、2-呋喃甲酸甲酯、2-呋喃甲酸乙酯等；
适合本发明的基于芳族酮溶剂的例子有，但不限制于：1-四氢萘酮，2-四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮等；
适合本发明的基于芳族醚溶剂的例子有，但不限制于：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1,4-苯并二噁烷、1,3-二丙基苯、2,5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1,3-二丙氧基苯、1,2,4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1,2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚；
在一些优选的实施例中，按照本发明的组合物，所述的至少一种的有机溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、葑酮、佛尔酮、异佛尔酮、二正戊基酮等；或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
在另一些优选的实施例中，按照本发明的组合物，所述的至少一种的有机溶剂可选自基于酯的溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。特别优选辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、异壬酸异壬酯。
所述的溶剂可以是单独使用，也可以是作为两种或多种有机溶剂的混合物使用。
在某些优选的实施例中，按照本发明的一种组合物，包含有一种如上所述的聚合物或混合物及至少一种有机溶剂，还可进一步包含另一种有机溶剂，另一种有机溶剂的例子，包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
一些优选的实施例中，特别适合本发明的溶剂是汉森(Hansen)溶解度参数在以下范围内的溶剂：
δd(色散力)在17.0～23.2MPa1/2的范围，尤其是在18.5～21.0MPa1/2的范围；
δp(极性力)在0.2～12.5MPa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0MPa1/2的范围；
δh(氢键力)在0.9～14.2MPa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0MPa1/2的范围。
按照本发明的组合物，其中有机溶剂在选取时需考虑其沸点参数。本发明中，所述的有机溶剂的沸点≥150℃；优选为≥180℃；较优选为≥200℃；更优为≥250℃；最优为≥275℃或≥300℃。这些范围内的沸点对防止喷墨印刷头的喷嘴堵塞是有益的。所述的有机溶剂可从溶剂体系中蒸发，以形成包含功能材料薄膜。
本发明还涉及所述的一种组合物作为印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。
其中，适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷，丝网印刷及喷墨印刷。凹版印刷，喷墨印刷将在本发明的实施例中应用。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media:Technologies and Production Methods),ISBN 3-540-67326-1。
如上所述的制备方法，其特征在于，所述的形成的一功能层，其厚度在5nm-1000nm。
本发明进一步涉及一种有机电子器件，至少包含一种如上所述的聚合物或混合物。所述的有机电子器件可选于，但不限于，有机发光二极管(OLED)，有机光伏电池(OPV)，有机发光电池(OLEEC)，有机场效应管(OFET)，有机发光场效应管，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)等，特别优选的是有机电致发光器件，如OLED，OLEEC，有机发光场效应管。
在某些特别优先的实施例中，所述的电致发光器件，其电子传输层或空穴传输层层包含一种如上所述的聚合物或混合物。
本发明进一步包含有机电子器件中包含本发明聚合物的功能层的制备方法，至少包含如下步骤：
第一步：将本发明的聚合物溶于一有机溶剂或混合溶剂中，制得一溶液；
第二步：用印刷或涂布的方法将所述的溶液涂布于器件某一功能层上，其中印刷或涂布的方法可选于，但不限于，喷墨打印，喷印(Nozzle Printing)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等；
第三步：将所得的薄膜在至少100摄氏度热处理，使之溶剂挥发，形成氢键交联，固化薄膜。
可选步骤：将交联固化后薄膜用非极性有机溶剂清洗，除去未固化的残余化合物。
在某些实施例中，所得的交联固化后的薄膜(溶剂清洗后)的厚度是交联固化前的薄膜至少50％，较好是至少60％，更好是至少70％，最好是至少85％。
在以上所述的发光器件，特别是OLED中，包括一基片，一阳极，至少一发光层，一阴极。
基片可以是不透明或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见，Bulovic等Nature 1996,380,p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基片可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基片是柔性的，可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
阳极可包括一导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个的实施例中，阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包括但不限于：Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本发明的器件。
阴极可包括一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个的实施例中，阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包括但不限于：Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。
OLED还可以包含其他功能层，如发光层(EML)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。适合用于这些功能层中的材料在上面及在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述，特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
按照本发明的发光器件，其发光波长在300到1000nm之间，较好的是在350到900nm之间，更好的是在400到800nm之间。
本发明还涉及按照本发明的电致发光器件在各种电子设备中的应用，包含，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。
下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
1、聚合物的合成
实施例1：聚合物P1的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入170mg(0.2mmol)单体a，119mg(0.2mmol)单体b，512mg(0.8mmol)单体c，366mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物557mg，产率74％。
实施例2：聚合物P2的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入167mg(0.2mmol)单体a，117mg(0.2mmol)单体b，512mg(0.8mmol)单体c，366mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物463mg，产率62％。
实施例3：聚合物P3的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入165mg(0.2mmol)单体a，122mg(0.2mmol)单体b，443mg(0.8mmol)单体c，366mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物498mg，产率73％。
实施例4：聚合物P4的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入156mg(0.2mmol)单体a，117mg(0.2mmol)单体b，443mg(0.8mmol)单体c，366mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物447mg，产率67％。
实施例5：聚合物P5的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入188mg(0.2mmol)单体a，108mg(0.2mmol)单体b，585mg(0.8mmol)单体c，350mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物572mg，产率70％。
实施例6：聚合物P6的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入179mg(0.2mmol)单体a，104mg(0.2mmol)单体b，585mg(0.8mmol)单体c，350mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物514mg，产率64％。
实施例7：聚合物P7的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入138mg(0.2mmol)单体a，118mg(0.2mmol)单体b，442mg(0.8mmol)单体c，366mg(0.8mmol)单体d，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物462mg，产率71％。
实施例8：聚合物P8的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入852mg(1.0mmol)单体a，594mg(1.0mmol)单体b，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物766mg，产率74％。
实施例9：聚合物P9的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入828mg(1.0mmol)单体a，610mg(1.0mmol)单体b，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物748mg，产率73％。
实施例10：聚合物P10的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中，加入894mg(1.0mmol)单体a，519mg(1.0mmol)单体b，20mg Pd(PPh3)4，10mL脱气甲苯和2mL质量分数20％的氢氧化四乙基铵水溶液，均匀搅拌，通N2 15分钟。反应在N2保护110℃条件下反应24小时，依次加入100μL溴苯回流反应2小时、40mg苯硼酸回流反应2小时，反应完冷却至室温后，将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤，真空干燥后所得聚合物用丙酮索氏萃取以除去未反应单体，剩余固体真空干燥、得到产物640mg，产率64％。
2.OLED器件的制备方式
其中，H1是共主体材料，其合成参照申请号为CN201510889328.8的中国专利；H2是共主体材料，其合成参照专利WO201034125A1；E1是磷光客体，其合成参照专利CN102668152；Comp A至Comp D和Poly-TFB是一器件HTL对比材料，其中Comp A至Comp D的聚合与本专利相似结构化合物类似；Poly-TFB(CAS:223569-31-1)购自Lumtec.Corp。
OLED器件(OLED-Ref)的器件结构为：ITO/PEDOT:PSS(80nm)/Poly-TFB(20nm)/EML/阴极；OLED器件(OLED-Ref)制备步骤如下：
1)ITO透明电极(阳极)玻璃衬底的清洗：使用5％Decon90清洗液的水溶液超声处理30分钟，之后去离子水超声清洗数次，然后异丙醇超声清洗，氮气吹干；在氧气等离子下处理5分钟，以清洁ITO表面并提升ITO电极的功函；
2)HIL及HTL的制备:在经过氧气等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂PEDOT:PSS(CleviosTMPEDOT:PSS Al4083)，得到80nm的薄膜，旋涂完成后在空气中150℃退火20分钟；然后在PEDOT:PSS层上旋涂得到20nm的Poly-TFB薄膜(5mg/mL甲苯溶液)，随后在110℃的热板上处理60分钟；
3)发光层制备:先将H1、H2、E1按照40：40：20的重量比例溶于甲苯中，溶液的浓度为20mg/mL,将此溶液在氮气手套箱中旋涂得到60nm薄膜，然后在120℃退火10分钟。
4)阴极制备:将旋涂完成的器件放入真空蒸镀腔体，依次蒸镀2nm钡和100nm铝，完成发光器件。
5)所有器件在氮气手套箱中采用紫外固化树脂加玻璃盖板封装。
其他OLED器件(OLED-1至OLED-10和OLED-A至OLED-D)制备步骤同上，但在HTL层制备时，分别用P1至P10和Comp A至Comp C去替代Poly-TFB，并在固化后用甲苯冲洗两次，再测膜厚。
器件的电流-电压特性，发光强度和外量子效率由Keithley236电流电压-测量系统及一个经校正的硅光二极管测得。
HTL厚度(nm) 效率(cd/A)@1000nits相对于OLED-Ref
OLED-Ref 20 1
OLED-1 20 1.35
OLED-2 20 1.23
OLED-3 20 1.20
OLED-4 20 1.18
OLED-5 20 1.31
OLED-6 20 1.27
OLED-7 20 1.26
OLED-8 20 1.22
OLED-9 20 1.23
OLED-10 20 1.19
OLED-A 20 0.59
OLED-B 20 0.60
OLED-C 20 0.87
OLED-D 20 0.71
将本发明的聚合物用于HTL时，相比其他对比器件性能，特别是效率有了很大的提升。这可能是因为本发明的含碱基基团的聚合物有较好的溶解度，适合溶液加工，同时固化后分子内氢键使得高聚物不溶性提高适合后续加工。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

1.一种如通式(I)或通式(II)或通式(III)所示的聚合物：
其中：x、y、a、b表示重复单元的摩尔百分比，x>0，y>0，a>0，b>0，且x+y＝1，2a+2b＝1；
Ar1、Ar2在多次出现时，分别独立地选自取代或未取代的具有5-50个环原子的芳香基团或杂芳香基团；
R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15在每次出现时，相互独立的选自：具有1至20个C原子的直链烷基、或具有1至20个C原子的直链烷氧基、或具有2至20个C原子的直链烯基、或具有2至20个C原子的直链炔基、或具有1至20个C原子的直链硫代烷氧基，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、或具有3至20个C原子的支链或环状的烷氧基、或具有3至20个C原子的支链或环状的硫代烷氧基，或是取代或无取代的甲硅烷基，或具有1至20个C原子的酮基，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基，或具有7至20个C原子的芳氧基羰基，-C(＝O)N(R)-，酯基，异氰基，异氰酸酯基，硫氰酸酯基，异硫氰酸酯基，或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至40个环原子的芳氧基团或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，或不存在；但R1和R2不能同时不存在，R11、R12、R13、R14和R15不能同时不存在；
R在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
B1、B2和B3在每次出现时，相互独立地选自取代或未取代的碱基基团；o，p，q分别独立选自0或1，且o，p至少有一个是1。
2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述的B1、B2和B3相互独立地选自具有如下通式(IIa)、(IIb)、(IIc)和(IId)所表示的结构中的一种或多种组合：
Z1,Z2,Z3,Z4在每次出现时，相互独立地选自N或NR3；
Z5在每次出现时，独立地选自N(R3)2；
R3在每次出现时，独立地选自，H，D，或烷烃基，或烯烃基，或炔烃基，或烷烃醚基，或含1～30个碳原子的烷烃硫醚基，或环烷烃基，或含5～30个碳原子的被取代或者未被取代的芳香基团或杂芳香基团，且R3中一个或多个非相邻的亚甲基(CH2)可以被R4取代；
R4每次出现时，独立地选自R5C＝CR5,C＝C,Si(R5)2,Ge(R5)2,Sn(R5)2,C＝O,C＝S,C＝Se,C＝N(R5),O,S,C(O)O,或CONR5；
R5在每一次出现时，独立地选自H、D，或含1～10个碳原子的脂肪族烷烃基，或含5～10个碳原子的被取代或未被取代的芳香基团或杂芳香基团；
n在每次出现时，独立地选自0、1或2；m在每次出现时，独立地选自0、1、2或3。
3.根据权利要求2所述的聚合物，其特征在于，所述的B1、B2和B3含有至少一个氮氢键。
4.根据权利要求3所述的聚合物，其特征在于，所述的B1、B2和B3相互独立地选自如下结构中的一种或多种组合：
表示所述的B1、B2和B3与所述聚合物其他基团的连接位点。
5.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述的Ar1包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中：X每次出现时，独立地选自CR6或N；Y每次出现时，独立地选自CR6R7、SiR6R7、NR6、C(＝O)、S或O；R6、R7、R8含义同R1。
6.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述Ar2具有空穴传输特性，选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑及其衍生物中的一种。
7.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述Ar2包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中：Ar3-Ar11每次出现时，独立地选自5至40个碳原子的芳香基团或杂芳香基团，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代。
8.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述Ar2具有电子传输特性，选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪，恶噻嗪、噁二嗪类、吲哚、苯并咪唑、吲唑、苯并异恶唑、双苯并恶唑类、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、苯并呋喃并吡啶、二吡啶并呋喃、苯并噻吩并吡啶、二吡啶并噻吩、苯硒吩并吡啶和二吡啶并硒吩及其衍生物中的一种。
9.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述Ar2包含如下结构基团的一种或多种组合：
其中，n表示1-20的整数；
R9每次出现时，独立地选自氢、氘、卤原子、氰基、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳香基团或杂芳香基团；
X1-X8每次出现时，独立地选自CR10或N；
M1、M2、M3分别独立表示N(R10)、C(R10)2、Si(R10)2、O、C＝N(R10)、C＝C(R10)2、P(R10)、P(＝O)(R10)、S、S＝O、(O＝)S(＝O)或无；
Ar12-Ar16每次出现时，相互独立地选自5至40个碳原子的芳香基团或杂芳香基团，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被取代；
R10含义同R1。
10.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述的Ar1和Ar2分别独立地选自如下结构基团中的一种：
11.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述R1、R2、R11、R12、R13、R14和R15分别独立地相互独立选自-(CH2)6-或-(CH2)3-。
12.根据权利要求1-4任一项所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物是共轭聚合物。
13.一种混合物，其特征在于，包含至少一种如权利要求1-12中任一项所述的聚合物，及至少另一种的有机功能材料，所述另一种的有机功能材料选自空穴注入材料，空穴传输材料，电子传输材料，电子注入材料，电子阻挡材料，空穴阻挡材料，发光材料，主体材料和有机染料中的至少一种。
14.一种组合物，其特征在于，包含至少一种如权利要求1-12中任一项所述的聚合物或如权利要求13所述的混合物，及至少一种有机溶剂。
15.一种有机电子器件，其特征在于，包括至少一种如权利要求1-12任一项所述的聚合物或权利要求13所述的混合物。
16.根据权利要求15所述的有机电子器件，其特征在于，所述的有机电子器件至少包含空穴传输层或电子传输层，所述的空穴传输层或电子传输层至少包含一种如权利要求1-12中任一项所述的聚合物或如权利要求13所述的混合物。
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