JPH10321376A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光開始電圧が低く、発光強度が大きく、繰
り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供すること。 【解決手段】 少なくとも陽極、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、および陰極を設けた有機エレクトロルミネ
センス素子において、陽極のイオン化ポテンシャルが
５．１８〜５．３５ｅＶであり、正孔注入層のイオン化
ポテンシャルが４．９０〜５．１８ｅＶであり、正孔輸
送層のイオン化ポテンシャルが５．２０〜５．７０ｅＶ
であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。
り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供すること。 【解決手段】 少なくとも陽極、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、および陰極を設けた有機エレクトロルミネ
センス素子において、陽極のイオン化ポテンシャルが
５．１８〜５．３５ｅＶであり、正孔注入層のイオン化
ポテンシャルが４．９０〜５．１８ｅＶであり、正孔輸
送層のイオン化ポテンシャルが５．２０〜５．７０ｅＶ
であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス素子に関する。
ミネセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス素子は、電
気信号に応じて発光しかつ発光物質として有機化合物を
用いて構成された素子である。
気信号に応じて発光しかつ発光物質として有機化合物を
用いて構成された素子である。
【０００３】有機エレクトロルミネセンス素子は、基本
的には有機発光層および該層をはさんだ一対の対向電極
より構成されている。発光は電極の一方から電子が注入
され、もう一方の電極から正孔が注入されることによ
り、発光層中の発光体がより高いエネルギー準位に励起
され、励起された発光体が元の基底状態に戻る際に、そ
の余分なエネルギーを光として放出する現象である。
的には有機発光層および該層をはさんだ一対の対向電極
より構成されている。発光は電極の一方から電子が注入
され、もう一方の電極から正孔が注入されることによ
り、発光層中の発光体がより高いエネルギー準位に励起
され、励起された発光体が元の基底状態に戻る際に、そ
の余分なエネルギーを光として放出する現象である。
【０００４】そして、発光効率を上げるために、上記基
本的構成に加え、正孔を注入する電極にはさらに正孔注
入層を設けたり、電子を注入する電極には電子輸送層を
設けたりする構成が取られている。
本的構成に加え、正孔を注入する電極にはさらに正孔注
入層を設けたり、電子を注入する電極には電子輸送層を
設けたりする構成が取られている。
【０００５】有機エレクトロルミネセンス素子の例とし
ては、発光体として単結晶アントラセンなどが用いられ
たものが、米国特許第３５３０３２５号明細書に記載さ
れている。
ては、発光体として単結晶アントラセンなどが用いられ
たものが、米国特許第３５３０３２５号明細書に記載さ
れている。
【０００６】また、特開昭５９−１９４３９３号公報に
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。
【０００７】特開昭６３−２９５６９５号公報には有機
質正孔注入輸送層、有機質電子注入輸送層を組み合わせ
たものが提案されている。
質正孔注入輸送層、有機質電子注入輸送層を組み合わせ
たものが提案されている。
【０００８】これら積層構造の電界発光素子は、有機蛍
光体と電荷輸送性の有機物（電荷輸送材）及び電極を積
層した構造となっており、それぞれの電極より注入され
た正孔と電子が電荷輸送材中を移動して、それらが再結
合することによって発光する。有機蛍光体としては、８
−キノリノールアルミニウム錯体やクマリン化合物など
蛍光を発する有機色素などが用いられている。また、電
荷輸送材としては、例えばＮ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンや、１，１−ビス
［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル］シクロヘ
キサンといったジアミノ化合物や、４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニル）アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾン化合物等があげられる。さらに、銅フタロシ
アニンのようなポルフィリン化合物も提案されている。
光体と電荷輸送性の有機物（電荷輸送材）及び電極を積
層した構造となっており、それぞれの電極より注入され
た正孔と電子が電荷輸送材中を移動して、それらが再結
合することによって発光する。有機蛍光体としては、８
−キノリノールアルミニウム錯体やクマリン化合物など
蛍光を発する有機色素などが用いられている。また、電
荷輸送材としては、例えばＮ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンや、１，１−ビス
［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル］シクロヘ
キサンといったジアミノ化合物や、４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニル）アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾン化合物等があげられる。さらに、銅フタロシ
アニンのようなポルフィリン化合物も提案されている。
【０００９】しかしながら、有機エレクトロルミネセン
ス装置は、高い発光特性を有しているが、発光時の安定
性や保存安定性の点で充分ではなく、実用化には至って
いない。素子の発光時の安定性、保存安定性における問
題点の一つとして、電荷輸送材の安定性が指摘されてい
る。電界発光素子の有機物で形成される層は百〜数百ナ
ノメーターと非常に薄く、単位厚さ当りに加えられる電
圧は非常に高い。また、発光や通電による発熱もあり、
従って電荷輸送材には電気的、熱的あるいは化学的な安
定性が要求される。
ス装置は、高い発光特性を有しているが、発光時の安定
性や保存安定性の点で充分ではなく、実用化には至って
いない。素子の発光時の安定性、保存安定性における問
題点の一つとして、電荷輸送材の安定性が指摘されてい
る。電界発光素子の有機物で形成される層は百〜数百ナ
ノメーターと非常に薄く、単位厚さ当りに加えられる電
圧は非常に高い。また、発光や通電による発熱もあり、
従って電荷輸送材には電気的、熱的あるいは化学的な安
定性が要求される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、発光強度が大きく、繰り返し使用しても安定した性
能を発揮する有機エレクトロルミネセンス素子を提供す
ることにある。
事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、発光強度が大きく、繰り返し使用しても安定した性
能を発揮する有機エレクトロルミネセンス素子を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも陽
極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および陰極を設け
た有機エレクトロルミネセンス素子において、陽極のイ
オン化ポテンシャルが５．１８〜５．３５ｅＶであり、
正孔注入層のイオン化ポテンシャルが４．８０〜５．１
８ｅＶであり、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが
５．２０〜５．７０ｅＶであることを特徴とする有機エ
レクトロルミネセンス素子に関する。
極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および陰極を設け
た有機エレクトロルミネセンス素子において、陽極のイ
オン化ポテンシャルが５．１８〜５．３５ｅＶであり、
正孔注入層のイオン化ポテンシャルが４．８０〜５．１
８ｅＶであり、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが
５．２０〜５．７０ｅＶであることを特徴とする有機エ
レクトロルミネセンス素子に関する。
【００１２】本発明の有機エレクトロルミネセンス素子
は図１に示したごとく陽極（１）と陰極（５）の両電極
間に少なくとも正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）お
よび有機発光層（４）から構成されている。
は図１に示したごとく陽極（１）と陰極（５）の両電極
間に少なくとも正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）お
よび有機発光層（４）から構成されている。
【００１３】有機エレクトロルミネセンス装置の陽極
（１）として使用される導電性物質としてはイオン化ポ
テンシャルが５．１８〜５．３５ｅＶ、好ましくは５．
２０〜５．３５ｅＶのものが使用されるが、酸化錫、酸
化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコ
ニウムなどの導電性金属化合物の酸化度合いやドーピン
グの量を調整することによって得られる。陽極は酸素プ
ラズマ等の手段によってイオン化ポテンシャルを５．１
８〜５．３５に調整してもよい。
（１）として使用される導電性物質としてはイオン化ポ
テンシャルが５．１８〜５．３５ｅＶ、好ましくは５．
２０〜５．３５ｅＶのものが使用されるが、酸化錫、酸
化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコ
ニウムなどの導電性金属化合物の酸化度合いやドーピン
グの量を調整することによって得られる。陽極は酸素プ
ラズマ等の手段によってイオン化ポテンシャルを５．１
８〜５．３５に調整してもよい。
【００１４】陰極（５）を形成する金属としては銀、ア
ルミニウムや、４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つもの
例えば、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イッ
トリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、
ルテニウム、マンガンおよびそれらの合金が使用可能で
ある。マグネシウムと銀との合金、アルミニウムが好ま
しい。
ルミニウムや、４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つもの
例えば、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イッ
トリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、
ルテニウム、マンガンおよびそれらの合金が使用可能で
ある。マグネシウムと銀との合金、アルミニウムが好ま
しい。
【００１５】陽極や陰極の電気抵抗は低いほど電流損失
や発熱の点で望ましいが具体的には１００Ω・ｃｍ(体
積抵抗値)以下が望ましい。
や発熱の点で望ましいが具体的には１００Ω・ｃｍ(体
積抵抗値)以下が望ましい。
【００１６】有機エレクトロルミネセンス素子において
は、発光が見られるように、少なくとも陽極（１）ある
いは陰極（５）は透明電極にする必要がある。この際、
陰極を透明電極とすると透明電極が酸化劣化しやすく透
明性が損なわれやすいので、陽極を透明電極にすること
が好ましい。
は、発光が見られるように、少なくとも陽極（１）ある
いは陰極（５）は透明電極にする必要がある。この際、
陰極を透明電極とすると透明電極が酸化劣化しやすく透
明性が損なわれやすいので、陽極を透明電極にすること
が好ましい。
【００１７】透明電極を形成する場合、透明基板上に、
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾルゲル法あるいは樹脂等に分散させて塗
布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保さ
れるように形成すればよい。
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾルゲル法あるいは樹脂等に分散させて塗
布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保さ
れるように形成すればよい。
【００１８】透明基板としては、適度の強度を有し、有
機エレクトロルミネセンス装置作製時、蒸着等による熱
に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されな
いが、係るものを例示すると、ガラス基板、透明な樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を使用する
ことも可能である。ガラス基板上に透明電極が形成され
たものとしてはＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の市販品が知られて
いるがこれらを使用してもよい。
機エレクトロルミネセンス装置作製時、蒸着等による熱
に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されな
いが、係るものを例示すると、ガラス基板、透明な樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を使用する
ことも可能である。ガラス基板上に透明電極が形成され
たものとしてはＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の市販品が知られて
いるがこれらを使用してもよい。
【００１９】陽極（１）上には正孔注入層（２）が形成
される。正孔注入層（２）はイオン化ポテンシャルが
４．８０〜５．１８ｅＶ、好ましくは４．８０〜５．１
５ｅＶを有するように形成される。好ましくは、正孔注
入層（２）のイオン化ポテンシャルは陽極（１）のそれ
より低いイオン化ポテンシャル、好ましくは０.０５〜
０.４０ｅＶ低い、より好ましくは０．０８〜０．４５
ｅＶ低いイオン化ポテンシャルを有するように形成す
る。
される。正孔注入層（２）はイオン化ポテンシャルが
４．８０〜５．１８ｅＶ、好ましくは４．８０〜５．１
５ｅＶを有するように形成される。好ましくは、正孔注
入層（２）のイオン化ポテンシャルは陽極（１）のそれ
より低いイオン化ポテンシャル、好ましくは０.０５〜
０.４０ｅＶ低い、より好ましくは０．０８〜０．４５
ｅＶ低いイオン化ポテンシャルを有するように形成す
る。
【００２０】正孔注入層用の化合物は、正孔輸送性の化
合物であり、上記の関係を付与できる化合物であれば、
特に限定的ではないが、スチリル化合物、より具体的に
は、例えば以下のものが好ましい。それらの化合物は２
種以上を混合して用いてもよい。
合物であり、上記の関係を付与できる化合物であれば、
特に限定的ではないが、スチリル化合物、より具体的に
は、例えば以下のものが好ましい。それらの化合物は２
種以上を混合して用いてもよい。
【００２１】
【化１】
【００２２】
【化２】
【００２３】
【化３】
【００２４】
【化４】
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】
【化１１】
【００３２】
【化１２】
【００３３】正孔注入層（２）は、前記した化合物を蒸
着して形成してもよいし、該化合物を溶解した溶液や適
当な樹脂とともに溶解した液をディップコートやスピン
コートして形成してもよい。
着して形成してもよいし、該化合物を溶解した溶液や適
当な樹脂とともに溶解した液をディップコートやスピン
コートして形成してもよい。
【００３４】正孔注入層を蒸着法で形成する場合、その
厚さは、通常０．１〜３０ｎｍであり、塗布法で形成す
る場合は、１〜５０ｎｍ程度に形成すればよい。
厚さは、通常０．１〜３０ｎｍであり、塗布法で形成す
る場合は、１〜５０ｎｍ程度に形成すればよい。
【００３５】形成する膜厚が厚いほど発光させるための
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
【００３６】次は、正孔注入層（２）の上に正孔輸送層
（３）を形成する。正孔輸送層はイオン化ポテンシャル
が５．２０〜５．７０ｅＶ、好ましくは５．２０〜５．
６８ｅＶを有するように形成される。好ましくは、正孔
輸送層（３）のイオン化ポテンシャルは正孔注入層
（２）のそれより高いイオン化ポテンシャル、好ましく
は０.０５〜０.７０ｅＶ高い、より好ましくは０．０８
〜０．６７ｅＶ高いイオン化ポテンシャルを有するよう
に形成する。
（３）を形成する。正孔輸送層はイオン化ポテンシャル
が５．２０〜５．７０ｅＶ、好ましくは５．２０〜５．
６８ｅＶを有するように形成される。好ましくは、正孔
輸送層（３）のイオン化ポテンシャルは正孔注入層
（２）のそれより高いイオン化ポテンシャル、好ましく
は０.０５〜０.７０ｅＶ高い、より好ましくは０．０８
〜０．６７ｅＶ高いイオン化ポテンシャルを有するよう
に形成する。
【００３７】正孔輸送層用の化合物としては、正孔輸送
性の化合物であり、上記の関係を付与することのできる
化合物であれば、特に限定的ではないが、アリールアミ
ノ化合物、より具体的には、例えば以下のものが挙げら
れる。これらの化合物は２種以上を混合して用いてもよ
い。
性の化合物であり、上記の関係を付与することのできる
化合物であれば、特に限定的ではないが、アリールアミ
ノ化合物、より具体的には、例えば以下のものが挙げら
れる。これらの化合物は２種以上を混合して用いてもよ
い。
【００３８】
【化１３】
【００３９】
【化１４】
【００４０】
【化１５】
【００４１】
【化１６】
【００４２】
【化１７】
【００４３】
【化１８】
【００４４】
【化１９】
【００４５】
【化２０】
【００４６】正孔輸送層（３）は、前記した化合物を蒸
着して形成してもよいし、該化合物を溶解した溶液や適
当な樹脂とともに溶解した液をディップコートやスピン
コートして形成してもよい。
着して形成してもよいし、該化合物を溶解した溶液や適
当な樹脂とともに溶解した液をディップコートやスピン
コートして形成してもよい。
【００４７】正孔輸送層を蒸着法で形成する場合、その
厚さは、通常３０〜１００ｎｍであり、塗布法で形成す
る場合は、５０〜２００ｎｍ程度に形成すればよい。形
成する膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高く
する必要があり発光効率が悪く有機エレクトロルミネセ
ンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると発
光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機エ
レクトロルミネセンス素子の寿命が短くなる。
厚さは、通常３０〜１００ｎｍであり、塗布法で形成す
る場合は、５０〜２００ｎｍ程度に形成すればよい。形
成する膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高く
する必要があり発光効率が悪く有機エレクトロルミネセ
ンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると発
光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機エ
レクトロルミネセンス素子の寿命が短くなる。
【００４８】正孔輸送層（３）の上に有機発光層（４）
を形成する。有機発光層（４）に用いられる有機発光体
としては、公知のものを使用可能で、例えばエピドリジ
ン、２，５−ビス［５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベ
ンゾオキサゾリル］チオフェン、２，２’−（１，４−
フェニレンジビニレン）ビスベンゾチアゾール、２，
２’−（４，４’−ビフェニレン）ビスベンゾチアゾー
ル、５−メチル−２−｛２−［４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサ
ゾール、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサ
ゾリル）チオフェン、アントラセン、ナフタレン、フェ
ナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノン、
１，４−ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジ
エン、クマリン、アクリジン、スチルベン、２−（４−
ビフェニル）−６−フェニルベンゾオキサゾール、アル
ミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオキシン、
ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メ
チル−８−キノリノール）アルミニウムオキサイド、イ
ンジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス（５−メ
チルオキシン）、リチウムオキシン、ガリウムトリスオ
キシン、カルシウムビス（５−クロロオキシン）、ポリ
亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノリル）メタ
ン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、
１，２−フタロペリノン、１，２−ナフタロペリノンな
どを挙げることができる。
を形成する。有機発光層（４）に用いられる有機発光体
としては、公知のものを使用可能で、例えばエピドリジ
ン、２，５−ビス［５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベ
ンゾオキサゾリル］チオフェン、２，２’−（１，４−
フェニレンジビニレン）ビスベンゾチアゾール、２，
２’−（４，４’−ビフェニレン）ビスベンゾチアゾー
ル、５−メチル−２−｛２−［４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサ
ゾール、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサ
ゾリル）チオフェン、アントラセン、ナフタレン、フェ
ナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノン、
１，４−ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジ
エン、クマリン、アクリジン、スチルベン、２−（４−
ビフェニル）−６−フェニルベンゾオキサゾール、アル
ミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオキシン、
ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メ
チル−８−キノリノール）アルミニウムオキサイド、イ
ンジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス（５−メ
チルオキシン）、リチウムオキシン、ガリウムトリスオ
キシン、カルシウムビス（５−クロロオキシン）、ポリ
亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノリル）メタ
ン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、
１，２−フタロペリノン、１，２−ナフタロペリノンな
どを挙げることができる。
【００４９】また、一般的な螢光染料、例えば螢光クマ
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も、使用できる。このう
ち、特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノ
イド化合物が挙げられる。
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も、使用できる。このう
ち、特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノ
イド化合物が挙げられる。
【００５０】有機発光層は上記した発光物質の単層構成
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、２種以上の発光
物質を混合したり発光層にドープしてもよい。
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、２種以上の発光
物質を混合したり発光層にドープしてもよい。
【００５１】蒸着法で形成する場合、その厚さは、通常
１〜２００ｎｍであり、塗布法で形成する場合は、５〜
５００ｎｍ程度に形成すればよい。
１〜２００ｎｍであり、塗布法で形成する場合は、５〜
５００ｎｍ程度に形成すればよい。
【００５２】形成する膜厚が厚いほど発光させるための
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
【００５３】上記有機発光層（４）上に上記した陰極を
形成する。以上、陽極（１）上に、正孔注入層（２）、
正孔輸送層（３）、有機発光層（４）および陰極（５）
を順次形成したが、陰極（５）上に各層を順次形成して
もよい。
形成する。以上、陽極（１）上に、正孔注入層（２）、
正孔輸送層（３）、有機発光層（４）および陰極（５）
を順次形成したが、陰極（５）上に各層を順次形成して
もよい。
【００５４】本発明においては、有機発光層(４)と陰極
(５)の間に図２に示したごとく、電子注入層(７)を形成
してもよい。電子注入層は、電子輸送材料と金属との混
合物層または金属フッ化物層として形成されることが好
ましい。係る電子注入層を形成することにより、さらに
発光素子の発光輝度を上げることができ、駆動電圧を低
くすることで、長寿命化できる等の効果がある。
(５)の間に図２に示したごとく、電子注入層(７)を形成
してもよい。電子注入層は、電子輸送材料と金属との混
合物層または金属フッ化物層として形成されることが好
ましい。係る電子注入層を形成することにより、さらに
発光素子の発光輝度を上げることができ、駆動電圧を低
くすることで、長寿命化できる等の効果がある。
【００５５】電子輸送材料と金属との混合物層に用いら
れる電子輸送材料としては、例えば２−（４−ビフェニ
ルイル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、２−（１−ナフチル）−５
−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、１，４−ビス｛２−［５−（４−tert−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベ
ンゼン、１，３−ビス｛２−［５−（４−tert−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、４，４’−ビス｛２−［５−（４−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ビフェニ
ル、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−tert−ブ
チルフェニル）−１，３，４−チオジアゾール、２−
（１−ナフチル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）
−１，３，４−チオジアゾール、１，４−ビス｛２−
［５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チ
オジアゾリル］｝ベンゼン、１，３−ビス｛２−［５−
（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チオジア
ゾリル］｝ベンゼン、４，４’−ビス｛２−［５−（４
−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チオジアゾリ
ル］｝ビフェニル、３−（４−ビフェニルイル）−４−
フェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，
２，４−トリアゾール、３−（１−ナフチル）−４−フ
ェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，２，
４−トリアゾール、１，４−ビス｛３−［４−フェニル
−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，２，４−ト
リアゾリル］｝ベンゼン、１，３−ビス｛３−［４−フ
ェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’−ビス
｛２−［４−フェニル−５−（４−tert−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ビフェニル、
１，３，５−トリス｛２−［５−（４−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベンゼン
などを挙げることができる。これらのものは、２種以上
を混合して使用してもよい。
れる電子輸送材料としては、例えば２−（４−ビフェニ
ルイル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、２−（１−ナフチル）−５
−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、１，４−ビス｛２−［５−（４−tert−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベ
ンゼン、１，３−ビス｛２−［５−（４−tert−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、４，４’−ビス｛２−［５−（４−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ビフェニ
ル、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−tert−ブ
チルフェニル）−１，３，４−チオジアゾール、２−
（１−ナフチル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）
−１，３，４−チオジアゾール、１，４−ビス｛２−
［５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チ
オジアゾリル］｝ベンゼン、１，３−ビス｛２−［５−
（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チオジア
ゾリル］｝ベンゼン、４，４’−ビス｛２−［５−（４
−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−チオジアゾリ
ル］｝ビフェニル、３−（４−ビフェニルイル）−４−
フェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，
２，４−トリアゾール、３−（１−ナフチル）−４−フ
ェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，２，
４−トリアゾール、１，４−ビス｛３−［４−フェニル
−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，２，４−ト
リアゾリル］｝ベンゼン、１，３−ビス｛３−［４−フ
ェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’−ビス
｛２−［４−フェニル−５−（４−tert−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ビフェニル、
１，３，５−トリス｛２−［５−（４−tert−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾリル］｝ベンゼン
などを挙げることができる。これらのものは、２種以上
を混合して使用してもよい。
【００５６】その他にも、前記した有機発光体物質が電
子輸送機能を有する場合は、該有機発光体物質を電子注
入層の電子輸送材料として用いてもよい。その際、有機
発光物質に用いた材料と同じ物質を用いることが好まし
い。係る材料としてはアルミニウムトリスオキシン、フ
ェニルベンゾオキサゾールＺｎ錯体、フェニルベンゾチ
アゾールＺｎ錯体等が使用でき、中でもアルミニウムト
リスオキシンが好ましい。
子輸送機能を有する場合は、該有機発光体物質を電子注
入層の電子輸送材料として用いてもよい。その際、有機
発光物質に用いた材料と同じ物質を用いることが好まし
い。係る材料としてはアルミニウムトリスオキシン、フ
ェニルベンゾオキサゾールＺｎ錯体、フェニルベンゾチ
アゾールＺｎ錯体等が使用でき、中でもアルミニウムト
リスオキシンが好ましい。
【００５７】上記電子輸送材料と共に用いられる金属と
しては、仕事関数が４ｅＶよりも小さな金属が良好であ
る。かかる金属としては、リチウム、マグネシウム、カ
ルシウム、チタニウム、イットリウム、ガドリウム、イ
ッテルビウム、ルテニウム、マンガンおよびそれらの合
金が用いられる。これらの中でも、リチウム、マグネシ
ウムが好ましい。
しては、仕事関数が４ｅＶよりも小さな金属が良好であ
る。かかる金属としては、リチウム、マグネシウム、カ
ルシウム、チタニウム、イットリウム、ガドリウム、イ
ッテルビウム、ルテニウム、マンガンおよびそれらの合
金が用いられる。これらの中でも、リチウム、マグネシ
ウムが好ましい。
【００５８】上記した電子輸送材料と金属との好ましい
組み合わせは、アルミニウムトリスオキシンとリチウム
又はマグネシウムである。
組み合わせは、アルミニウムトリスオキシンとリチウム
又はマグネシウムである。
【００５９】電子輸送材料と金属との混合比は１：０.
０５〜１：２、好ましくは１：０.５〜１：１.２であ
る。電子注入層を金属フッ化物で形成する場合、該金属
フッ化物としてはＬｉＦ．ＭｇＦ2、ＣａＦ2等が使用で
き、中でもＬｉＦ．ＭｇＦ2、ＣａＦ2を使用することが
好ましい。
０５〜１：２、好ましくは１：０.５〜１：１.２であ
る。電子注入層を金属フッ化物で形成する場合、該金属
フッ化物としてはＬｉＦ．ＭｇＦ2、ＣａＦ2等が使用で
き、中でもＬｉＦ．ＭｇＦ2、ＣａＦ2を使用することが
好ましい。
【００６０】電子注入層は、上記化合物あるいは混合物
を蒸着または共蒸着し、厚さ０.１〜３０ｎｍ程度に形
成される。
を蒸着または共蒸着し、厚さ０.１〜３０ｎｍ程度に形
成される。
【００６１】図３〜図５に、別の構成の有機エレクトロ
ルミネセンス素子を示した。図３において、（１）は陽
極であり、その上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層
（３）、有機発光層（４）および電子輸送層（６）、陰
極（５）が順次積層された構成をとっており、電子輸送
層（６）が設けられている点が、図１の構成と異なり、
該陽極のイオン化ポテンシャル、正孔注入層のイオン化
ポテンシャル、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図
１で述べた関係を有する。
ルミネセンス素子を示した。図３において、（１）は陽
極であり、その上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層
（３）、有機発光層（４）および電子輸送層（６）、陰
極（５）が順次積層された構成をとっており、電子輸送
層（６）が設けられている点が、図１の構成と異なり、
該陽極のイオン化ポテンシャル、正孔注入層のイオン化
ポテンシャル、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図
１で述べた関係を有する。
【００６２】図４においては、（１）は陽極であり、そ
の上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）、有機発
光層（４）および電子輸送層（６）と電子注入層
（７）、陰極（５）が順次積層された構成をとってお
り、電子輸送層（６）および電子注入層（７）が設けら
れている点が、図１の構成と異なり、該陽極のイオン化
ポテンシャル、正孔注入層のイオン化ポテンシャル、正
孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図１で述べた関係を
有する。
の上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）、有機発
光層（４）および電子輸送層（６）と電子注入層
（７）、陰極（５）が順次積層された構成をとってお
り、電子輸送層（６）および電子注入層（７）が設けら
れている点が、図１の構成と異なり、該陽極のイオン化
ポテンシャル、正孔注入層のイオン化ポテンシャル、正
孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図１で述べた関係を
有する。
【００６３】図５においては、（１）は陽極であり、そ
の上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）、有機発
光層（４）、陰極（５）および封止層（８）が順次積層
された構成をとっており、封止層（８）が設けられてい
る点が、図１の構成と異なるのみで、該陽極のイオン化
ポテンシャル、正孔注入層のイオン化ポテンシャル、正
孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図１で述べた関係を
有する。
の上に、正孔注入層（２）と正孔輸送層（３）、有機発
光層（４）、陰極（５）および封止層（８）が順次積層
された構成をとっており、封止層（８）が設けられてい
る点が、図１の構成と異なるのみで、該陽極のイオン化
ポテンシャル、正孔注入層のイオン化ポテンシャル、正
孔輸送層のイオン化ポテンシャルは図１で述べた関係を
有する。
【００６４】図３または図４に示したごとく、電子輸送
層（６）を形成する場合、先に電子注入層で説明した、
電子輸送材料と同様のものを使用することができる。電
子輸送層を形成する場合は、電子輸送材料を蒸着または
共蒸着して、厚さ３０〜１００ｎｍ程度に形成される。
また、図４に示した電子注入層は、図２で示した電子注
入層と同様に形成すればよい。
層（６）を形成する場合、先に電子注入層で説明した、
電子輸送材料と同様のものを使用することができる。電
子輸送層を形成する場合は、電子輸送材料を蒸着または
共蒸着して、厚さ３０〜１００ｎｍ程度に形成される。
また、図４に示した電子注入層は、図２で示した電子注
入層と同様に形成すればよい。
【００６５】また図５に示したごとく封止層（８）を形
成する場合、酸化珪素、酸化亜鉛、フッ化マグネシウ
ム、酸化マグネシウム等の化合物を用い、真空蒸着法に
よって薄膜を形成することにより、厚さ５〜１０００ｎ
ｍ程度に形成される。
成する場合、酸化珪素、酸化亜鉛、フッ化マグネシウ
ム、酸化マグネシウム等の化合物を用い、真空蒸着法に
よって薄膜を形成することにより、厚さ５〜１０００ｎ
ｍ程度に形成される。
【００６６】陽極（１）と陰極（５）の１組の透明電極
は、各電極にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当
なリード線（９）を接続し、両電極に適当な電圧（Ｖ
ｓ）を印加することにより有機エレクトロルミネセンス
素子の有機発光層（４）が発光する。
は、各電極にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当
なリード線（９）を接続し、両電極に適当な電圧（Ｖ
ｓ）を印加することにより有機エレクトロルミネセンス
素子の有機発光層（４）が発光する。
【００６７】本発明は、正孔注入層のイオン化ポテンシ
ャルが陽極のイオン化ポテンシャルよりも小さいため正
孔の注入が容易であり、正孔注入層と正孔輸送層の正孔
移動は共に正孔輸送材でもあることから容易に起こり、
発光層に達することができる。また、主な耐電圧性や劣
化しやすい部位は正孔輸送層及び発光層と考えられると
ころ、正孔輸送層はイオン化ポテンシャルの大きな材料
を使用することができるため、発光の開始電圧が低く、
発光効率が良好で寿命の長い安定した素子特性を得るこ
とができる。
ャルが陽極のイオン化ポテンシャルよりも小さいため正
孔の注入が容易であり、正孔注入層と正孔輸送層の正孔
移動は共に正孔輸送材でもあることから容易に起こり、
発光層に達することができる。また、主な耐電圧性や劣
化しやすい部位は正孔輸送層及び発光層と考えられると
ころ、正孔輸送層はイオン化ポテンシャルの大きな材料
を使用することができるため、発光の開始電圧が低く、
発光効率が良好で寿命の長い安定した素子特性を得るこ
とができる。
【００６８】本発明の有機エレクトロルミネセンス素子
は、各種の表示装置、あるいはディスプレイ装置等に適
用可能である。以下に実施例を記載し本発明を説明す
る。なお、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は
発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するもので
あり、下記実施例は使用される発光物質、発光補助材
料、電荷輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素
子作製方法に限定する意図のものではない。
は、各種の表示装置、あるいはディスプレイ装置等に適
用可能である。以下に実施例を記載し本発明を説明す
る。なお、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は
発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するもので
あり、下記実施例は使用される発光物質、発光補助材
料、電荷輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素
子作製方法に限定する意図のものではない。
【００６９】実施例１ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上気の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５５．２atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上気の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５５．２atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
【００７０】次に正孔注入層として化合物（２）を１×
１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し厚さ１０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
５．１２ｅＶであった。
１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し厚さ１０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
５．１２ｅＶであった。
【００７１】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（６３）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅ
Ｖであった。
て化合物（６３）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅ
Ｖであった。
【００７２】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。
【００７３】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
【００７４】なお、イオン化ポテンシャルは大気雰囲気
型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）に
より測定した。
型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）に
より測定した。
【００７５】実施例２〜４ 実施例１において、正孔注入層として化合物（２）を使
用する代わりに、化合物（４）（正孔注入層のイオン化
ポテンシャルは５．１０ｅＶであった）、（７）（正孔
注入層のイオン化ポテンシャルは５．０８ｅＶであっ
た）、（１１）（正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
４．８８ｅＶであった）に代えること以外は実施例１と
全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製
した。
用する代わりに、化合物（４）（正孔注入層のイオン化
ポテンシャルは５．１０ｅＶであった）、（７）（正孔
注入層のイオン化ポテンシャルは５．０８ｅＶであっ
た）、（１１）（正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
４．８８ｅＶであった）に代えること以外は実施例１と
全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製
した。
【００７６】実施例５ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５７．５atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．２５ｅＶであった。
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５７．５atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．２５ｅＶであった。
【００７７】次に正孔注入層として化合物（１９）を１
×１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．９５ｅＶであった。
×１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．９５ｅＶであった。
【００７８】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（６６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２５ｅ
Ｖであった。
て化合物（６６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２５ｅ
Ｖであった。
【００７９】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し２０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着し２０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
【００８０】次に、電子輸送層として下記のオキサジア
ゾール化合物（Ａ）を蒸着し４０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
ゾール化合物（Ａ）を蒸着し４０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【００８１】
【化２１】
【００８２】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス装置を作製した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス装置を作製した。
【００８３】なお、イオン化ポテンシャルは大気雰囲気
型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）に
より測定した。
型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）に
より測定した。
【００８４】実施例６〜８ 実施例５において、正孔注入層として化合物（１９）を
使用する代わりに、化合物（２２）（正孔注入層のイオ
ン化ポテンシャルは４．８０ｅＶであった）、（２９）
（正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．０５ｅＶで
あった）、（３１）（正孔注入層のイオン化ポテンシャ
ルは４．９０ｅＶであった）に代えること以外は実施例
５と全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を
作製した。
使用する代わりに、化合物（２２）（正孔注入層のイオ
ン化ポテンシャルは４．８０ｅＶであった）、（２９）
（正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．０５ｅＶで
あった）、（３１）（正孔注入層のイオン化ポテンシャ
ルは４．９０ｅＶであった）に代えること以外は実施例
５と全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を
作製した。
【００８５】実施例９ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
【００８６】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を1.0×10-5Torr以下の真空度まで減圧した後、チ
ャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導入し、
０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を印加
し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板の
イオン化ポテンシャルは５．２８であった。
ー内を1.0×10-5Torr以下の真空度まで減圧した後、チ
ャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導入し、
０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を印加
し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板の
イオン化ポテンシャルは５．２８であった。
【００８７】こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下 の真
空度まで減圧し、正孔注入層として化合物（３７）を真
空蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層の
イオン化ポテンシャルは５．１０ｅＶであった。
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下 の真
空度まで減圧し、正孔注入層として化合物（３７）を真
空蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層の
イオン化ポテンシャルは５．１０ｅＶであった。
【００８８】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（７６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３０ｅ
Ｖであった。
て化合物（７６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３０ｅ
Ｖであった。
【００８９】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【００９０】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
【００９１】実施例１０ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
【００９２】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を１．０×１０-5Torr以下の真空度まで減圧した
後、チャンバー内に１TorrになるまでＯ2ガスを導入
し、０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で６０分間高周波電圧を印
加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板
のイオン化ポテンシャルは５．３５であった。
ー内を１．０×１０-5Torr以下の真空度まで減圧した
後、チャンバー内に１TorrになるまでＯ2ガスを導入
し、０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で６０分間高周波電圧を印
加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板
のイオン化ポテンシャルは５．３５であった。
【００９３】こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（４４）を真空
蒸着し厚さ２０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．０１ｅＶであった。
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（４４）を真空
蒸着し厚さ２０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．０１ｅＶであった。
【００９４】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（８２）を蒸着し、厚さ４０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．６８ｅ
Ｖであった。
て化合物（８２）を蒸着し、厚さ４０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．６８ｅ
Ｖであった。
【００９５】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【００９６】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、電界発光素子を作製
した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、電界発光素子を作製
した。
【００９７】実施例１１ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて４×１０-2Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて４×１０-2Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
【００９８】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を1.0×10-5Torr以下の真空度まで減圧した後、チ
ャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導入し、
０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を印加
し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板の
イオン化ポテンシャルは５．３０であった。
ー内を1.0×10-5Torr以下の真空度まで減圧した後、チ
ャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導入し、
０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を印加
し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基板の
イオン化ポテンシャルは５．３０であった。
【００９９】こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５０）を真空
蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．１２ｅＶであった。
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５０）を真空
蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．１２ｅＶであった。
【０１００】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（８８）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．６３ｅ
Ｖであった。
て化合物（８８）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．６３ｅ
Ｖであった。
【０１０１】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着し６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
【０１０２】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄膜
を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。
およびＡｇを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄膜
を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。
【０１０３】実施例１２ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。
【０１０４】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を１．０×１０-5Torr以下の真空度まで減圧した
後、チャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導
入し、０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を
印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基
板のイオン化ポテンシャルは５．２８であった。
ー内を１．０×１０-5Torr以下の真空度まで減圧した
後、チャンバー内に０．２TorrになるまでＯ2ガスを導
入し、０．２Ｗ／ｃｍ2 の条件で３０分間高周波電圧を
印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ基
板のイオン化ポテンシャルは５．２８であった。
【０１０５】こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５４）を真空
蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．１５ｅＶであった。
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Torr以下の真空
度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５４）を真空
蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイ
オン化ポテンシャルは５．１５ｅＶであった。
【０１０６】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（８６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３２ｅ
Ｖであった。
て化合物（８６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３２ｅ
Ｖであった。
【０１０７】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【０１０８】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
【０１０９】実施例１３ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸留装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５.２atomic％にな
った膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜の
イオン化ポテンシャルは５.２０ｅＶであった。
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸留装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５.２atomic％にな
った膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜の
イオン化ポテンシャルは５.２０ｅＶであった。
【０１１０】次に正孔注入層として化合物(２)を１×１
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
５．１２ｅＶであった。
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは
５．１２ｅＶであった。
【０１１１】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(６３)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.２０ｅＶ
であった。
て化合物(６３)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.２０ｅＶ
であった。
【０１１２】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。次に、電子注入層としてアルミニウム
トリスオキシンとリチウムを体積比１：１で共蒸着し、
２０ｎｍの厚さとなるように薄膜を形成した。次に、陰
極としてＡｌを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。次に、電子注入層としてアルミニウム
トリスオキシンとリチウムを体積比１：１で共蒸着し、
２０ｎｍの厚さとなるように薄膜を形成した。次に、陰
極としてＡｌを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
【０１１３】実施例１４ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸留装置に電子
を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト電
流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２０
分間成膜することで酸素濃度が５７.５atomic％になっ
た膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜のイ
オン化ポテンシャルは５.２５ｅＶであった。
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸留装置に電子
を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト電
流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２０
分間成膜することで酸素濃度が５７.５atomic％になっ
た膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜のイ
オン化ポテンシャルは５.２５ｅＶであった。
【０１１４】次に正孔注入層として化合物(１９)を１×
１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．９５ｅＶであった。次に、正孔注入層の上に、正
孔輸送層として化合物(６６)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは
５.２５ｅＶであった。
１０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．９５ｅＶであった。次に、正孔注入層の上に、正
孔輸送層として化合物(６６)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの
薄膜を形成した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは
５.２５ｅＶであった。
【０１１５】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。次に、電子注入層としてフッ化リチウ
ムを蒸着し、水晶発振式膜厚計でモニタしながら０．４
ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。次に、陰極と
してＡｌを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄膜を
形成した。このようにして、有機エレクトロルミネセン
ス装置を作製した。
トリスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。次に、電子注入層としてフッ化リチウ
ムを蒸着し、水晶発振式膜厚計でモニタしながら０．４
ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。次に、陰極と
してＡｌを蒸着し２００ｎｍの厚さになるように薄膜を
形成した。このようにして、有機エレクトロルミネセン
ス装置を作製した。
【０１１６】実施例１５ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素(流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１)を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を作成した。
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素(流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１)を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を作成した。
【０１１７】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に１ＴｏｒｒになるまでＯ2ガスを
導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で６０分間高周波電圧
を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ
基板のイオン化ポテンシャルは５．３５であった。次に
正孔注入層として化合物(５０)を１×１０-5Ｔｏｒｒの
雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．１２ｅＶ
であった。
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に１ＴｏｒｒになるまでＯ2ガスを
導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で６０分間高周波電圧
を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ
基板のイオン化ポテンシャルは５．３５であった。次に
正孔注入層として化合物(５０)を１×１０-5Ｔｏｒｒの
雰囲気下で真空蒸着し、厚さ１０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．１２ｅＶ
であった。
【０１１８】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(６６)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.２５ｅＶ
であった。その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、電子注入層としてフッ化マグネシ
ウムを蒸着し、０.５ｎｍの厚さになるように薄膜を形
成した。次に、陰極としてＡｌを蒸着し、２００ｎｍの
厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、有
機エレクトロルミネセンス装置を作製した。
て化合物(６６)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.２５ｅＶ
であった。その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、電子注入層としてフッ化マグネシ
ウムを蒸着し、０.５ｎｍの厚さになるように薄膜を形
成した。次に、陰極としてＡｌを蒸着し、２００ｎｍの
厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、有
機エレクトロルミネセンス装置を作製した。
【０１１９】実施例１６ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素(流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１)を用いて４×１０-2Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素(流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１)を用いて４×１０-2Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を形成した。
【０１２０】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に０．２ＴｏｒｒになるまでＯ2ガ
スを導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で３０分間高周波
電圧を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。Ｉ
ＴＯ基板のイオン化ポテンシャルは５．３０であった。
こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内のホルダーに
セットし、１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減
圧し、正孔注入層として化合物(５０)を真空蒸着し、厚
さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポ
テンシャル５．１２ｅＶであった。
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に０．２ＴｏｒｒになるまでＯ2ガ
スを導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で３０分間高周波
電圧を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。Ｉ
ＴＯ基板のイオン化ポテンシャルは５．３０であった。
こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内のホルダーに
セットし、１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減
圧し、正孔注入層として化合物(５０)を真空蒸着し、厚
さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポ
テンシャル５．１２ｅＶであった。
【０１２１】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(８８)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.６３ｅＶ
であった。その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、電子注入層としてアルミニウムト
リスオキシンとマグネシウムを体積比１：１で共蒸着
し、１０ｎｍの厚さとなるように薄膜を形成した。次に
陰極としてＡｌを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロル
ミネセンス装置を作製した。
て化合物(８８)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.６３ｅＶ
であった。その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、電子注入層としてアルミニウムト
リスオキシンとマグネシウムを体積比１：１で共蒸着
し、１０ｎｍの厚さとなるように薄膜を形成した。次に
陰極としてＡｌを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロル
ミネセンス装置を作製した。
【０１２２】比較例１ 市販のインジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板（ジオマ
テック社製）を蒸留水、アセトンでそれぞれ２０分間超
音波洗浄した。イオン化ポテンシャルは４．７５ｅＶで
あった。
テック社製）を蒸留水、アセトンでそれぞれ２０分間超
音波洗浄した。イオン化ポテンシャルは４．７５ｅＶで
あった。
【０１２３】その基板上に正孔注入層として、Ｎ，
Ｎ’，Ｎ”−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリス
（３−メチルフェニル）−１，３，５−トリ（４−アミ
ノフェニル）ベンゼンを蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形
成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．１０
であった。
Ｎ’，Ｎ”−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリス
（３−メチルフェニル）−１，３，５−トリ（４−アミ
ノフェニル）ベンゼンを蒸着し厚さ１０ｎｍの薄膜を形
成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは５．１０
であった。
【０１２４】その上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミンを蒸着
し、厚さ６０ｎｍの薄膜を形成した。イオン化ポテンシ
ャルは５．２０ｅＶであった。
ェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミンを蒸着
し、厚さ６０ｎｍの薄膜を形成した。イオン化ポテンシ
ャルは５．２０ｅＶであった。
【０１２５】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【０１２６】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
【０１２７】比較例２ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。イオン化ポテンシャルは５．
１５ｅＶであった。
有した酸化インジウムを使用し、スパッタリングガスに
アルゴン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気
下で反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透
明導電の陽極を形成した。イオン化ポテンシャルは５．
１５ｅＶであった。
【０１２８】正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ジフェ
ニル−４，４’−ジアミンを蒸着し、厚さ６０ｎｍの薄
膜を形成した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは
５．２５ｅＶであった。
−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ジフェ
ニル−４，４’−ジアミンを蒸着し、厚さ６０ｎｍの薄
膜を形成した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは
５．２５ｅＶであった。
【０１２９】次に、有機発光層としてアルミニウムトリ
スオキシンを蒸着し２０ｎｍの厚さになるように薄膜を
形成した。
スオキシンを蒸着し２０ｎｍの厚さになるように薄膜を
形成した。
【０１３０】次に、電子輸送層としてオキサジアゾール
化合物（Ａ）を蒸着し４０ｎｍの厚さになるように薄膜
を形成した。
化合物（Ａ）を蒸着し４０ｎｍの厚さになるように薄膜
を形成した。
【０１３１】次に、陰極としてマグネシウムを蒸着によ
り２００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。この
ようにして、有機エレクトロルミネセンス素子を作製し
た。
り２００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。この
ようにして、有機エレクトロルミネセンス素子を作製し
た。
【０１３２】比較例３ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を８×１０-5Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上気の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５５．２atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．１８ｅＶであった。
有した酸化インジウム（日亜化学社製）を用い、反応槽
内の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽
内に酸素ガスを導入してその圧力を８×１０-5Ｔｏｒｒ
に調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上気の蒸着装置に電
子銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシス
ト電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。
２０分間成膜することで酸素濃度が５５．２atomic％に
なった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴＯ膜
のイオン化ポテンシャルは５．１８ｅＶであった。
【０１３３】次に正孔注入層としてＮ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ジフェニル−４，４’−ジアミンを１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの雰囲気下で真空蒸着法により厚さ１０ｎｍの薄膜を
形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは、５．
３０ｅＶであった。
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ジフェニル−４，４’−ジアミンを１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの雰囲気下で真空蒸着法により厚さ１０ｎｍの薄膜を
形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャルは、５．
３０ｅＶであった。
【０１３４】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
てＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミンを蒸
着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成した。正孔輸送層のイ
オン化ポテンシャルは、５．２５ｅＶであった。
てＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチ
ル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミンを蒸
着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成した。正孔輸送層のイ
オン化ポテンシャルは、５．２５ｅＶであった。
【０１３５】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着し６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着し６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。
【０１３６】次に、陰極としてマグネシウムを蒸着し２
００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。このよう
にして、有機エレクトロルミネセンス装置を作製した。
００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。このよう
にして、有機エレクトロルミネセンス装置を作製した。
【０１３７】比較例４ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを８重量％含
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を形成した。
有した酸化インジウムをスパッタリングガスにアルゴ
ン、反応性ガスに酸素（流量比、アルゴン：酸素＝１
０：０．１）を用いて５×１０-3Ｔｏｒｒの雰囲気下で
反応性スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの透明導
電の陽極を形成した。
【０１３８】その後続いて大気に晒すことなくチャンバ
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に１ＴｏｒｒになるまでＯ2ガスを
導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で３０分間高周波電圧
を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ
基板のイオン化ポテンシャルは５．３７であった。
ー内を１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空度まで減圧し
た後、チャンバー内に１ＴｏｒｒになるまでＯ2ガスを
導入し、０．２Ｗ／ｃｍ2の条件で３０分間高周波電圧
を印加し、ＩＴＯ基板のプラズマ洗浄を行った。ＩＴＯ
基板のイオン化ポテンシャルは５．３７であった。
【０１３９】こうして得られたＩＴＯ基板を成膜装置内
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の
真空度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５４）を
真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注
入層のイオン化ポテンシャルは５．１５ｅＶであった。
のホルダーにセットし、１．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の
真空度まで減圧し、正孔注入層として化合物（５４）を
真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。正孔注
入層のイオン化ポテンシャルは５．１５ｅＶであった。
【０１４０】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物（８６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３２ｅ
Ｖであった。
て化合物（８６）を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成
した。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．３２ｅ
Ｖであった。
【０１４１】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【０１４２】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
【０１４３】比較例５ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
【０１４４】次に正孔注入層として化合物(Ｂ)を１×１
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．７６ｅＶであった。
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は４．７６ｅＶであった。
【０１４５】
【化２２】
【０１４６】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(６３)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶ
であった。
て化合物(６３)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶ
であった。
【０１４７】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【０１４８】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
およびＡｇを蒸着し、２００ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミネ
センス装置を作製した。
【０１４９】比較例６ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
【０１５０】次に正孔注入層として化合物(２)を１×１
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法により厚さ１０ｎ
ｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャ
ルは５．１２ｅＶであった。
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法により厚さ１０ｎ
ｍの薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャ
ルは５．１２ｅＶであった。
【０１５１】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(５４)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.１５ｅＶ
であった。
て化合物(５４)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５.１５ｅＶ
であった。
【０１５２】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により６０ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
【０１５３】次に、陰極として１０：１の原子比のＭｇ
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス装置を作製した。
およびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス装置を作製した。
【０１５４】比較例７ ガラスの基板上に、ターゲットに酸化スズを５重量％含
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
有した酸化インジウム(日亜化学社製)を用い、反応槽内
の真空度を２×１０-5Ｔｏｒｒにした後、この反応槽内
に酸素ガスを導入してその圧力を３×１０-4Ｔｏｒｒに
調整し、電子銃電流値２９ｍＡで上記の蒸着装置に電子
銃を照射させるとともに、３００ｍＡのイオンアシスト
電流を印加し、蒸着速度２０Å／分で成膜を行った。２
０分間成膜することで酸素濃度が５５．２ａｔｏｍｉｃ
％になった膜厚が４００ÅのＩＴＯ膜を形成した。ＩＴ
Ｏ膜のイオン化ポテンシャルは５．２０ｅＶであった。
【０１５５】次に正孔注入層として化合物(２)を１×１
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は５．１２ｅＶであった。
０-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で真空蒸着法し、厚さ１０ｎｍ
の薄膜を形成した。正孔注入層のイオン化ポテンシャル
は５．１２ｅＶであった。
【０１５６】次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
て化合物(Ｃ)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．７２ｅＶ
であった。
て化合物(Ｃ)を蒸着し、厚さ５０ｎｍの薄膜を形成し
た。正孔輸送層のイオン化ポテンシャルは５．７２ｅＶ
であった。
【０１５７】
【化２３】
【０１５８】その上に有機発光層として、アルミニウム
トリスオシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、陰極として１０：１の原子比のＭ
ｇおよびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロル
ミネセンス装置を作製した。
トリスオシンを蒸着し、６０ｎｍの厚さになるように薄
膜を形成した。次に、陰極として１０：１の原子比のＭ
ｇおよびＡｇを蒸着により２００ｎｍの厚さになるよう
に薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロル
ミネセンス装置を作製した。
【０１５９】評価 各層のイオン化ポテンシャルは、大気雰囲気型紫外線光
電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）により測定し
た。実施例１〜１６および比較例１〜３で得られた有機
エレクトロルミネセンス素子を、そのガラス電極を陽極
として、直流電圧を除々に印加した時に発光を開始する
電圧（Ｖ）および、１０Ｖの直流電圧をかけた時の発光
輝度（ｃｄ／ｍ2）を測定した。
電子分析装置（ＡＣ−１；理研計器社製）により測定し
た。実施例１〜１６および比較例１〜３で得られた有機
エレクトロルミネセンス素子を、そのガラス電極を陽極
として、直流電圧を除々に印加した時に発光を開始する
電圧（Ｖ）および、１０Ｖの直流電圧をかけた時の発光
輝度（ｃｄ／ｍ2）を測定した。
【０１６０】また、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2で１０時
間作動させた時の初期出力の低下率（％）（１０時間後
の出力（ｍＷ／ｃｍ2 ）／初期出力（ｍＷ／ｃｍ2 ）×
１００）を求めた。測定結果を表１にまとめて示す。
間作動させた時の初期出力の低下率（％）（１０時間後
の出力（ｍＷ／ｃｍ2 ）／初期出力（ｍＷ／ｃｍ2 ）×
１００）を求めた。測定結果を表１にまとめて示す。
【０１６１】
【表１】
【０１６２】表１からわかるように、本発明の有機エレ
クトロルミネセンス素子は低電位で発光を開始し、良好
な発光輝度を示した。また、本発明の有機エレクトロル
ミネセンス素子は出力低下が少なく、寿命の長い安定な
発光を観測することができた。
クトロルミネセンス素子は低電位で発光を開始し、良好
な発光輝度を示した。また、本発明の有機エレクトロル
ミネセンス素子は出力低下が少なく、寿命の長い安定な
発光を観測することができた。
【０１６３】
【発明の効果】有機エレクトロルミネセンス素子におい
て、陽極のイオン化ポテンシャルが５．１８〜５．３５
ｅＶであり、正孔注入層のイオン化ポテンシャルが４．
９０〜５．１８ｅＶであり、正孔輸送層のイオン化ポテ
ンシャルが５．２０〜５．７０ｅＶに調整すると発光強
度が大きく発光開始電圧が低い耐久性に優れた有機エレ
クトロルミネセンス素子を得ることができる。
て、陽極のイオン化ポテンシャルが５．１８〜５．３５
ｅＶであり、正孔注入層のイオン化ポテンシャルが４．
９０〜５．１８ｅＶであり、正孔輸送層のイオン化ポテ
ンシャルが５．２０〜５．７０ｅＶに調整すると発光強
度が大きく発光開始電圧が低い耐久性に優れた有機エレ
クトロルミネセンス素子を得ることができる。
【図１】 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
【図２】 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
【図３】 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
【図４】 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
【図５】 本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
１：陽極 ２：正孔注入層 ３：正孔輸送層 ４：有機発光層 ６：電子輸送層 ５：陰極 ７：電子注入層 ８：封止層 ９：リード線
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも陽極、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層および陰極を設けた有機エレクトロルミネセ
ンス素子において、陽極のイオン化ポテンシャルが５．
１８〜５．３５ｅＶであり、正孔注入層のイオン化ポテ
ンシャルが４．８０〜５．１８ｅＶであり、正孔輸送層
のイオン化ポテンシャルが５．２０〜５．７０ｅＶであ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】 少なくとも陽極、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子注入層および陰極を設けた有機エレク
トロルミネセンス素子において、陽極のイオン化ポテン
シャルが５．１８〜５．３５ｅＶであり、正孔注入層の
イオン化ポテンシャルが４．８０〜５．１８ｅＶであ
り、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが５．２０〜
５．７０ｅＶであることを特徴とする有機エレクトロル
ミネセンス素子。 - 【請求項３】 電子注入層が電子輸送材料と金属との混
合物であることを特徴とする請求項２記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項４】 電子注入層が金属フッ化物層であること
を特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネセン
ス素子。 - 【請求項５】 正孔注入層がスチリル化合物からなり、
正孔輸送層がアリールアミノ化合物からなること特徴と
する請求項１〜請求項４いずれかに記載の有機エレクト
ロルミネセンス素子。
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| JP9258929A JPH10321376A (ja) | 1997-03-19 | 1997-09-24 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US09/039,621 US6180217B1 (en) | 1997-03-19 | 1998-03-16 | Organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP6600997 | 1997-03-19 | ||
| JP9-66009 | 1997-03-19 | ||
| JP9258929A JPH10321376A (ja) | 1997-03-19 | 1997-09-24 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
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| JPH10321376A true JPH10321376A (ja) | 1998-12-04 |
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