JP2000268955A - 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法Info
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Abstract
び陰極を含む有機エレクトロルミネセンス素子及びその
製造方法であって、長期にわたり素子劣化を防止できる
有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板G上に積層形成された陽極1、有機
発光膜La及び陰極4を含む有機エレクトロルミネセン
ス素子において、陰極4の少なくとも有機発光膜Laと
対向する部分4a(陰極4における、陰極取り出し部分
4”を設けた陰極端部4’を除く残り部分全体)及び有
機発光膜La全体を覆って外気から遮断する第1の封止
部材5と、第1の封止部材5全体(陰極取り出し部分
4”、陰極端部4’及び第1の封止部材5全体)を覆っ
て外気から遮断する第2の封止部材6とを有している。
Description
も陽極、有機発光膜及び陰極が形成された有機エレクト
ロルミネセンス素子及びその製造方法に関する。
通常、その陽極、陰極間に電荷輸送性や電界発光性など
の機能を有する有機物質(例えば電荷輸送性材料や有機
発光体など)の層が設けられる。有機エレクトロルミネ
センス素子は、陽極と陰極の間にこの有機物質からなる
膜(有機発光膜)を設け、該両電極間へ電界を印加する
ことで発光する。
ては、発光体として単結晶アントラセンなどが用いられ
たものが、米国特許第3,530,325号に開示され
ている。また、特開昭59−194393号公報には正
孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案され
ている。特開昭63−295695号公報には正孔注入
輸送層、電子注入輸送層を組み合わせたものが提案され
ている。
ンス素子は、有機蛍光体と電荷輸送性の有機物(電荷輸
送材)及び電極を積層した構造となっており、陽極側か
ら注入された正孔と陰極側から注入された電子が電荷輸
送材中を移動して、それらが再結合して励起子を生成
し、それが発光材料の分子を励起することによって発光
する。有機蛍光体としては、8―キノリノールアルミニ
ウム錯体やクマリン化合物など蛍光を発する有機色素な
どが用いられている。また、電荷輸送材としては、例え
ばN,N’―ジ(m―トリル)N,N’―ジフェニルベ
ンジジンや、1,1―ビス[N,N―ジ(p―トリル)
アミノフェニル]シクロヘキサンといったジアミノ化合
物や、4―(N,N―ジフェニル)アミノベンズアルデ
ヒド―N,N―ジフェニルヒドラゾン化合物等が挙げら
れる。さらに、銅フタロシアニンのようなポルフィリン
化合物も提案されている。
子は、外気との接触により劣化し易い材料、主に有機発
光膜に含まれる有機物や電極(特に陰極)に用いられる
不安定な金属などで構成されているため、素子発光の安
定性、すなわち長期にわたり発光特性が劣化しないこと
が重要な課題となっている。発光特性が劣化する要因と
して、有機物や不安定な金属などの外気との接触による
酸化や分解などを挙げることができる。この外気との接
触による酸化や分解などによる素子駆動時の特性劣化を
防ぐために様々な提案がされている。
は、陽極、有機発光材料及び陰極からなる構造体の外側
に積層体を接触配置すること、すなわち、保護層並びに
その外側の酸素吸収層及び酸素バリア層からなる封止層
を積層する構成が提案されている。また、特開平9−1
48066号公報には、有機発光材料層が互いに対向す
る一対の電極間に挟持された構成を有する積層体を外気
から遮断する気密性容器内に収納し、その気密性容器内
に乾燥手段を前記積層体から隔離して配置する構成が提
案されている。
7−169567号公報や特開平9−148066号公
報が提案する有機エレクトロルミネセンス素子では、外
気を遮断するのに十分な構成とは言い難く、長期の使用
において発光特性の劣化を招くといった問題が存在す
る。
陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機エレクトロルミネ
センス素子及びその製造方法であって、長期にわたり素
子劣化を防止できる有機エレクトロルミネセンス素子及
びその製造方法を提供することを課題とする。
決するため、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜
及び陰極を含む有機エレクトロルミネセンス素子におい
て、前記有機発光膜全体及び前記陰極の少なくとも前記
有機発光膜と対向する部分を覆って外気から遮断する第
1の封止部材と、前記第1の封止部材全体を覆って外気
から遮断する第2の封止部材とを有していることを特徴
とする有機エレクトロルミネセンス素子及び、基板上に
積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機エ
レクトロルミネセンス素子の製造方法において、前記陰
極の端部に陰極取り出し部分を設ける工程と、前記有機
発光膜全体及び前記陰極の少なくとも前記有機発光膜と
対向する部分を覆って外気から遮断するために第1の封
止部材により第1の封止を行う工程と、前記第1の封止
部材全体を覆って外気から遮断するために第2の封止部
材により第2の封止を行う工程とを含むことを特徴とす
る有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供す
る。
を例示できる。 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発光層
を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層、有機発光層及
び電子移動関連層を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子移動関連層
を積層したもの。
の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設け
るようにすればよい。〜において、正孔移動関連層
としては、a)正孔注入層、b)正孔輸送層、c)正孔
注入層及び正孔輸送層、d)正孔注入輸送層からなる群
れより選択されるいずれかの層とすることができ、電子
移動関連層としては、a)電子注入層、b)電子輸送
層、c)電子注入層及び電子輸送層、d)電子注入輸送
層からなる群れより選択されるいずれかの層とすること
ができる。これらの各層も、電極の特性や有機発光層の
特性に合わせて適当なものを選択して設けるようにすれ
ばよい。
は、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部若しくは
一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部若しくは
一部に、蛍光物質をドープすることで、これらの層の全
部又は一部を発光層とすることもできる。本発明に係る
有機エレクトロルミネセンス素子及び有機エレクトロル
ミネセンス素子の製造方法によると、有機発光膜の全体
及び陰極の少なくとも有機発光膜と対向する部分全体
が、第1の封止部材によって外気から遮断される。ま
た、前記第1の封止部材全体が、第2の封止部材による
第2の封止によって外気から遮断される。
ミネセンス素子及び有機エレクトロルミネセンス素子の
製造方法では、素子の封止構造を二重にすることによっ
て、前記有機発光膜部分の外気からの遮断性が向上す
る。これにより、素子発光の安定性が向上し、長期にわ
たり発光特性の劣化を防止(例えば、ダークスポットの
発生を防止)することができる。
及びその製造方法においては、前記第1の封止部材の外
側、且つ、前記第2の封止部材の内側に、前記陰極にお
ける、陰極取り出し部分を設けた陰極端部を配置しても
よい。この場合の有機エレクトロルミネセンス素子及び
有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法によると、
前記陰極の、陰極取り出し部分を設けた陰極端部を除く
残り部分全体及び前記有機発光膜の全体が、第1の封止
部材によって外気から遮断される。また、前記陰極取り
出し部分、これを設けた前記陰極端部及び前記第1の封
止部材全体が、第2の封止部材による第2の封止によっ
て外気から遮断される。
センス素子及び有機エレクトロルミネセンス素子の製造
方法では、素子の封止構造を二重にすることによって、
前記有機発光膜部分の外気からの遮断性が向上するだけ
でなく、前記陰極の取り出し部分を含め、陰極全体を前
記第2の封止によって、外気から遮断、保護することが
できる。これにより、素子発光の安定性がさらに向上
し、一層長期にわたり発光特性の劣化を防止することが
できる。
素子及び有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法に
おいて、前記第1の封止部材の外側、且つ、前記第2の
封止部材の内側に乾燥剤及び(又は)酸素吸収剤を配置
することができる。このように乾燥剤及び(又は)酸素
吸収剤を配置することによって、前記第2の封止部材の
内側の酸素や水分を除去できるとともに、前記乾燥剤及
び(又は)酸素吸収剤が前記第1の封止部材によって前
記有機発光膜部分に接触したりする恐れがないため、該
有機発光膜における発光に影響を与えることがない上、
前記乾燥剤及び(又は)酸素吸収剤を特別に固定等する
必要がない。
ける発光に影響を与えることがないのであれば、或いは
そのような状態で前記第1の封止部材の内側に乾燥剤及
び(又は)酸素吸収剤を配置してもよい。なお、本発明
に係る有機エレクトロルミネセンス素子は、各種の表示
装置乃至ディスプレイ装置等に適用可能である。
を参照して説明する。図1、図2及び図5のそれぞれは
本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子の例の概
略構成を模式的に示している。図1に示す素子Aは、本
発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子の1例であ
り、透明なガラス或いはフィルムからなる透明基板G上
に透明電極である陽極1、有機正孔注入輸送層2、有機
発光層3及び陰極4が、この順に積層形成されたもので
ある。この素子Aでは、正孔注入輸送層2及び有機発光
層3の2層で有機発光膜Laを構成している。
2の封止部材6を有している。第1の封止部材5は、第
1の封止用ガラス5a及び第1の封止用樹脂5bからな
っている。さらに言うと、第1の封止部材5は、陰極4
の前記発光膜Laに重ねられた部分の上方に設けた第1
の封止用ガラス5aと、ガラス5aの周縁部分の下方領
域5’を封止する第1の封止用樹脂5bからなり、封止
用樹脂5bは上端がガラス5aに、下端が陽極1、陰極
4の端部4’を介在させる状態で基板Gにそれぞれ気密
に接続されている。そして、陰極4の少なくとも有機発
光膜Laと対向する部分4a(本例では、陰極4におけ
る、有機発光膜Laに重ねられていない末端部分4’及
びそれに設けられている陰極取り出し部分4”を除いた
残りの主要部分の全体)と、さらに有機発光膜Laの全
体を間隔をおいて覆って外気から遮断している。
6a及び第2の封止用樹脂6bからなっている。さらに
言うと、第2の封止部材6は、第1の封止部材5の上方
に設けた第2の封止用ガラス6aと、ガラス6aの周縁
部分下方領域6’を封止する第2の封止用樹脂6bから
なり、封止用樹脂6bは上端がガラス6aに、下端が陽
極1を介在させる状態で基板Gにそれぞれ気密に接続さ
れている。そして、第1の封止部材5全体(本例では、
陰極取り出し部分4”、これを設けた前記の陰極末端部
分4’及び第1の封止部材5の全体)を間隔をおいて覆
って外気から遮断している。
の外側、且つ、第2の封止部材6の内側に、陰極4にお
ける、陰極取り出し部分4”を設けた陰極端部4’が配
置されている。図2に示す素子Bは、本発明に係る有機
エレクトロルミネセンス素子の他の例であり、透明基板
G上に陽極1、正孔注入輸送層2、有機発光層3、電子
注入輸送層7及び陰極4が、この順に積層形成されたも
のである。この素子Bでは、正孔注入輸送層2、有機発
光層3及び電子注入輸送層7の3層で有機発光膜Lbを
構成している。
2の封止部材6を有している。第1の封止部材5は、第
1の封止用ガラス5a及び第1の封止用樹脂5bからな
っている。さらに言うと、第1の封止部材5は、陰極4
の前記発光膜Lbに重ねられた部分の上方に設けた第1
の封止用ガラス5aと、ガラス5a周縁部分の下方領域
5’を封止する第1の封止用樹脂5bからなり、封止用
樹脂5bは上端がガラス5aに、下端が陽極1、陰極4
の端部4’を介在させる状態で基板Gにそれぞれ気密に
接続されている。そして、陰極4の少なくとも有機発光
膜Lbと対向する部分4a(本例では、陰極4におけ
る、有機発光膜Lbに重ねられていない末端部分4’及
びそれに設けられている陰極取り出し部分4”を除いた
残りの主要部分の全体)と、さらに有機発光膜Lbの全
体を間隔をおいて覆って外気から遮断している。
6a及び第2の封止用樹脂6bからなっている。さらに
言うと、第2の封止部材6は、第1の封止部材5の上方
に設けた第2の封止用ガラス6aと、ガラス6aの周縁
部分下方領域6’を封止する第2の封止用樹脂6bから
なり、封止用樹脂6bは上端がガラス6aに、下端が陽
極1を介在させる状態で基板Gにそれぞれ気密に接続さ
れている。そして、第1の封止部材5全体(本例では、
陰極取り出し部分4”、これを設けた前記の陰極末端部
分4’及び第1の封止部材5の全体)を間隔をおいて覆
って外気から遮断している。
の外側、且つ、第2の封止部材6の内側に、陰極4にお
ける、陰極取り出し部分4”を設けた陰極端部4’が配
置されている。また、素子Bには、第1の封止部材5の
外側、且つ、第2の封止部材6の内側に乾燥剤8が配置
されている。
レクトロルミネセンス素子のさらに他の例であり、図1
に示す素子Aにおいて、陰極4における、陰極取り出し
部4”を設けた陰極端部4’の配置位置として、第1の
封止部材5の外側、且つ、第2の封止部材6の内側の配
置位置に代えて第2の封止部材6の外側の配置位置にし
てある。
第2の封止部材6を有している。第1の封止部材5は、
第1の封止用ガラス5a及び第1の封止用樹脂5bから
なっている。さらに言うと、第1の封止部材5は、陰極
4の前記発光膜Laに重ねられた部分の上方に設けた第
1の封止用ガラス5aと、ガラス5aの周縁部分の下方
領域5’を封止する第1の封止用樹脂5bからなり、封
止用樹脂5bは上端がガラス5aに、下端が陽極1、陰
極4の端部4’を介在させる状態で基板Gにそれぞれ気
密に接続されている。そして、陰極4の少なくとも有機
発光膜Laと対向する部分4a(本例では、陰極4にお
ける、有機発光膜Laに重ねられていない末端部分4’
及びそれに設けられている陰極取り出し部分4”を除い
た残りの主要部分の全体)と、さらに有機発光膜Laの
全体を間隔をおいて覆って外気から遮断している。
6a及び第2の封止用樹脂6bからなっている。さらに
言うと、第2の封止部材6は、第1の封止部材5の上方
に設けた第2の封止用ガラス6aと、ガラス6aの周縁
部分下方領域6’を封止する第2の封止用樹脂6bから
なり、封止用樹脂6bは上端がガラス6aに、下端が陽
極1、陰極4の端部4’を介在させる状態で基板Gにそ
れぞれ気密に接続されている。そして、第1の封止部材
5全体(本例では、陰極4における、有機発光膜Laに
重ねられていない末端部分4’のうち最も外端の部分及
びそれに設けられている陰極取り出し部分4”を除いた
残りの部分の全体と、さらに第1の封止部材5の全体)
を間隔をおいて覆って外気から遮断している。
成、作用を有する部材には同じ参照符号を付してある。
前記いずれの素子においても、陽極1と陰極4をリード
線9を介して電源PWに接続し、陽極1と陰極4との間
に電源PWから所定の電圧を印加することにより有機発
光層3が発光する。
としては、適度の強度を有し、有機エレクトロルミネセ
ンス素子作製時、膜蒸着時等における熱に悪影響を受け
ず、透明なものであれば特に限定されないが、そのよう
なものを例示すると、ガラス基板、透明な樹脂、例えば
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルホ
ン、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることができ
る。ガラス基板上に透明電極が形成されたものとして
は、ガラス基板上にインジゥム錫酸化物(ITO)から
なる透明電極を設けたもの、NESAガラスと通称され
ているコーニング社製の、透明電極をガラス基板上に形
成したもの等を使用してもよい。
外側、且つ、第2の封止部材6の内側に乾燥剤8を配置
しているが、図1及び図5に示す素子A及びCにおいて
も素子Bと同様の場所に係る乾燥剤を設けることができ
る。なお、乾燥剤に代えて、或いはこの乾燥剤とともに
酸素吸収剤を配置してもよい。この乾燥剤や酸素吸収剤
により有機エレクトロルミネセンス素子を構成している
各層への水分や酸素の侵入を防止することができる。な
お、有機発光膜部分における発光に影響を与えることが
ないなど、問題がなければ、素子A、B及びCにおける
第1の封止部材5の内側に乾燥剤や酸素吸収剤を配置し
てもよい。
く、本発明に係る素子において採用できる乾燥剤として
は、シリカゲル、炭酸バリウム、モレキュラーシーブ
ズ、酸化ナトリウム(Na2 O)、酸化カリウム(K2
O)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(Ba
O)、酸化マグネシウム(MgO)、硫酸リチウム(L
i 2 SO4 )、硫酸ナトリウム(Na2 SO4 )、硫酸
カルシウム(CaSO4 )、硫酸マグネシウム(MgS
O4 )、硫酸コバルト(CoSO4 )、硫酸ガリウム
(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸チタン(Ti(SO4 )
2 )、硫酸ニッケル(NiSO4 )、塩化カルシウム
(CaCl2 )、塩化マグネシウム(MgCl2)、塩
化ストロンチウム(SrCl2 )、塩化イットリウム
(YCl3 )、塩化銅(CuCl2 )、ふっ化セシウム
(CsF)、ふっ化タンタル(TaF5 )、ふっ化ニオ
ブ(NbF5 )、臭化カルシウム(CaBr2 )、臭化
セリウム(CeBr3 )、臭化セレン(SeBr4 )、
臭化バナジウム(VBr2 )、臭化マグネシウム(Mg
Br2 )、よう化バリウム(BaI2 )、よう化マグネ
シウム(MgI2 )、過塩素酸バリウム(Ba(ClO
4 )2 )、過塩素酸マグネシウム(Mg(Cl
O4 )2 )を例示できる。また、酸素吸収剤としては、
五酸化二リン粉末等を例示できる。
く、本発明に係る素子の陽極、有機発光膜及び陰極は、
透明基板上に順次積層形成することができる。図1、図
2及び図5に示す素子だけでなく、本発明に係る素子全
般について言えることであるが、図示の陽極1を含め、
陽極として使用される導電性材料として、4eV程度よ
りも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用いることが好
ましい。かかる物質として、炭素、アルミニウム、バナ
ジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングス
テン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金のような金属
のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸
化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの
固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性
化合物を例示できる。
発光が見られるように、少なくとも陽極或いは陰極は透
明電極にする必要がある。この際、陰極に透明電極を使
用すると、透明性が損なわれやすいので、陽極を透明電
極にすることが好ましい。透明電極を形成する場合、透
明基板上に、前記したような導電性物質を用い、蒸着、
スパッタリング等の手法やゾルゲル法或いはかかる物質
を樹脂等に分散させて塗布する等の手段を用いて所望の
透光性と導電性が確保されるように形成すればよい。
1、図2及び図5に示す構成の素子A、B及びCを例に
とって説明する。図1の素子A及び図2の素子Bについ
てはそれぞれ図3及び図4も参照しながら説明する。な
お、図3及び図4に示す素子構成は、それぞれ図1及び
図2に示す構成とは若干変更してあるが機能上は実質的
に同様の構成である。すなわち、図1及び図2に示す構
成における陽極1と陰極4とは略平行に形成されている
が、図3及び図4に示す構成における陽極1と陰極4と
は互いに略垂直方向関係に形成されている。また、図1
及び図2に示す構成では第2の封止部材6を構成する第
2の封止用ガラス6aと第2の封止用樹脂6bとで、陰
極取り出し部分4”、これを設けた陰極末端部分4’及
び第1の封止部材5の全体を覆って外気から遮断してい
るが、図3及び図4に示す構成ではさらに陽極取り出し
部分を含め外気から遮断している。
のものを採用する。陽極1は透明電極膜形成後、いろい
ろな形状にパターニングできる。陽極は正孔注入が起こ
りやすくするために、十分洗浄する必要がある。陽極の
洗浄には必要に応じて、エキシマーランプの光照射によ
る洗浄法、湿式洗浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫
外線(UV)/オゾン(O3 )による洗浄法等の清浄方
法を用いることができる。またこれらの洗浄方法を組み
合わせることによりさらに効果的な洗浄を行うことがで
きる。
輸送層2を形成する。図示の正孔注入輸送層2を含め、
本発明に係る素子において正孔注入輸送層の形成のため
に用いることができる正孔注入輸送材料としては、公知
のものが使用可能である。例えばN,N’―ジフェニル
―N,N’―ビス(3―メチルフェニル)―1,1’―
ジフェニル―4,4’―ジアミン、N,N’―ジフェニ
ル―N,N’―ビス(4―メチルフェニル)―1,1’
―ジフェニル―4,4’―ジアミン、N,N’―ジフェ
ニル―N,N’―ビス(1―ナフチル)―1,1’―ジ
フェニル―4,4’―ジアミン、N,N’―ジフェニル
―N,N’―ビス(2―ナフチル)―1,1’―ジフェ
ニル―4,4’―ジアミン、N,N’―テトラ(4―メ
チルフェニル)―1,1’―ビス(3―メチルフェニ
ル)―4,4’―ジアミン、N,N’―ジフェニル―
N,N’―ビス(3―メチルフェニル)―1,1’―ビ
ス(3―メチルフェニル)―4,4’―ジアミン、N,
N’―ビス(N―カルバゾリル)―1,1’―ジフェニ
ル―4,4’―ジアミン、4,4’,4”―トリス(N
―カルバゾリル)トリフェニルアミン、N,N’,N”
―トリフェニル―N,N’,N”―トリス(3―メチル
フェニル)―1,3,5―トリ(4―アミノフェニル)
ベンゼン、4,4’,4”―トリス[N,N’,N”―
トリフェニル―N,N’,N”―トリス(3―メチルフ
ェニル)]トリフェニルアミンなどを挙げることができ
る。これらのものは2種以上を混合して使用してもよ
い。
子における正孔注入輸送層は、前記のような正孔注入輸
送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材料
を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂ととも
に溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート
法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成する
場合、その厚さは30nm〜100nm程度とし、塗布
法で形成する場合は、その厚さは50nm〜200nm
程度に形成すればよい。
3を形成する。有機発光層3を含め、本発明に係る素子
における有機発光層を形成するために用いる有機発光材
料としては、公知のものが使用可能である。例えばエピ
ドリジン、2,5―ビス[5,7―ジ―t―ペンチル―
2―ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,2’―
(1,4―フェニレンジビニレン)ビスベンゾチアゾー
ル、2,2’―(4,4’―ビフェニレン)ビスベンゾ
チアゾール、5―メチル―2―{2―[4―(5―メチ
ル―2―ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベン
ゾオキサゾール、2,5―ビス(5―メチル―2―ベン
ゾオキサゾリル)チオフェン、アントラセン、ナフタレ
ン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペ
リノン、1,4―ジフェニルブタジエン、テトラフェニ
ルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、2
―(4―ビフェニル)―6―フェニルベンゾオキサゾー
ル、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオ
キシン、ビス(ベンゾ―8―キノリノール)亜鉛、ビス
(2―メチル―8―キノリノール)アルミニウムオキサ
イド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス
(5―メチルオキシン)、リチウムオキシン、ガリウム
トリスオキシン、カルシウムビス(5―クロロオキシ
ン)、ポリ亜鉛―ビス(8―ヒドロキシ―5―キノリノ
リル)メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビス
オキシン、1,2―フタロペリノン、1,2―ナフタロ
ペリノン、トリス(8―ヒドロキシキノリン)アルミニ
ウム錯体などを挙げることができる。また、一般的な蛍
光染料、例えば蛍光クマリン染料、蛍光ペリレン染料、
蛍光ピラン染料、蛍光チオピラン染料、蛍光ポリメチン
染料、蛍光メシアニン染料、蛍光イミダゾール染料等も
使用できる。このうち特に好ましいものとして、キレー
ト化オキシノイド化合物を挙げることができる。
おける有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸着
して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液や
有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、
ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形
成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは1n
m〜200nm程度とし、塗布法で形成する場合は、そ
の厚さは5nm〜5000nm程度に形成すればよい。
せるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪
くなり、有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を招き
やすい。また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるがブ
レイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネセンス
素子の寿命が短くなる。従って、発光効率及び素子の寿
命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を
調整するために、多層構成としてもよい。また、2種以
上の発光物質を混合して形成したり、発光物質(例えば
ルブレンやクマリンなどの蛍光色素)をドープしたもの
でもよい。次に、図2及び図4に示す素子Bにおいて
は、有機発光層3の上に電子注入輸送層7を形成する。
子における電子注入輸送層を形成するための電子注入輸
送材料としては、公知のものが使用可能である。例え
ば、2−(4―ビフェニルイル)−5−(4−tert
―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾール、
2―(1―ナフチル)―5―(4―tert―ブチルフ
ェニル)―1,3,4―オキサジアゾール、1,4―ビ
ス{2―[5―(4―tertブチルフェニル)―1,
3,4―オキサジアゾリル]}ベンゼン、1,3―ビス
{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)―1,
3,4―オキサジアゾリル]}ベンゼン、4,4’―ビ
ス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)―
1,3,4―オキサジアゾリル]}ビフェニル、2―
(4―ビフェニルイル)―5―(4―tert―ブチル
フェニル)―1,3,4―チアジアゾール、2―(1―
ナフチル)―5―(4―tert―ブチルフェニル)―
1,3,4―チアジアゾール、1,4―ビス{2―[5
―(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―チ
アジアゾリル]}ベンゼン、1,3―ビス{2―[5―
(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―チア
ジアゾリル]}ベンゼン、4,4’―ビス{2―[5―
(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―チア
ジアゾリル]}ビフェニル、3―(4―ビフェニルイ
ル)―4―フェニル―5―(4―tert―ブチルフェ
ニル)―1,2,4―トリアゾール、3―(1―ナフチ
ル)―4―フェニル―5―(4―tert―ブチルフェ
ニル)―1,2,4―トリアゾール、1,4―ビス{3
―[4―フェニル―5―(4―tert―ブチルフェニ
ル)―1,2,4―トリアゾリル]}ベンゼン、1,3
―ビス{2―[1―フェニル―5―(4―tert―ブ
チルフェニル)―1,3,4―トリアゾリル]}ベンゼ
ン、4,4’―ビス{2―[1―フェニル―5―(4―
tert―ブチルフェニル)―1,3,4―トリアゾリ
ル]}ビフェニル、1,3,5―トリス{2―[5―
(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―オキ
サジアゾリル]}ベンゼンなどを挙げることができる。
これらのものは、2種以上を混合して使用してもよい。
また、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム
錯体など有機発光材料として用いられる物質のうち比較
的電子輸送能の高いものを用いることもできる。
子における電子注入輸送層は、前記のような電子注入輸
送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材料
を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂ととも
に溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート
法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成する
場合、その厚さは1nm〜500nm程度とし、塗布法
で形成する場合は、5nm〜1000nm程度に形成す
ればよい。
す素子Cにおいては、有機発光層3の上に、図2及び図
4に示す素子Bにおいては、電子注入輸送層7の上に陰
極4を形成する。陰極4を含め、本発明に係る素子にお
ける陰極を形成する材料としては、4eVよりも小さい
仕事関数を持つ金属を含有するものがよく、マグネシウ
ム、カルシウム、チタニウム、イットリウム、リチウ
ム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マン
ガン及びそれらを含有する合金を例示できる。
電極にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリー
ド線9を接続し、該リード線を介して両電極に適当な電
圧を印加することにより素子が発光する。このように形
成した素子の上に、第1の封止部材、すなわち第1の封
止用ガラス5aと第1の封止用樹脂5bを形成し、さら
に第2の封止部材、すなわち第2の封止用ガラス6aと
第2の封止用樹脂6bを形成する。
係る素子における第1及び第2の封止部材に用いる封止
用材料としては、ガラスの他にプラスチックなどでもよ
く、透過性が高い物質であることが好ましい。封止用樹
脂5b、6bを含め、本発明に係る素子における第1及
び第2の封止部材に用いる封止用樹脂としては、紫外線
硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いることができる。その
他、エポキシ樹脂なども使用可能である。
造を二重にすることによって、有機発光膜La部分の外
気からの遮断性を向上させることができる。これによ
り、素子発光の安定性が向上し、長期にわたり発光特性
の劣化を防止することができる。 また、図1及び図3
に示す素子A、図2及び図4に示す素子Bによると、素
子の封止構造を二重にすることによって、有機発光膜L
a及びLb部分の外気からの遮断性が向上するだけでな
く、陰極4の取り出し部分4”を含め、陰極全体を第2
の封止によって、外気から遮断、保護することができ
る。これにより、素子発光の安定性がさらに向上し、一
層長期にわたり発光特性の劣化を防止することができ
る。
の外側、且つ、第2の封止部材6の内側に乾燥剤8を配
置することによって、第2の封止部材6の内側の酸素や
水分を除去できるとともに、乾燥剤8が第1の封止部材
5によって有機発光膜Lb部分に接触したりする恐れが
ないため、有機発光膜Lbにおける発光に影響を与える
ことがない上、乾燥剤8を特別に固定等する必要がな
い。
4、図5に示す構成の有機エレクトロルミネセンス素子
の作製について述べたが、その他の構成の有機エレクト
ロルミネセンス素子も前記説明の作製例に倣い製造可能
である。以上説明した有機エレクトロルミネセンス素子
は、各種の表示装置乃至ディスプレイ装置等に適用可能
である。
もに説明する。 ・実施例1 市販のITO膜付きガラス基板(日本板硝子社製)にお
けるITO膜を界面活性剤水溶液中で15分間超音波洗
浄した。さらにITO膜にエキシマーランプによる光を
5分間照射し、さらにITO膜を酸素プラズマに10分
間曝してその表面を洗浄した。
ス基板を、成膜装置内のホルダーにセットし、そのIT
O膜上に1.0×10-5Torr以下の真空下でN,N’―
ジフェニル―N,N’―ビス(3―メチルフェニル)―
1,1’―ジフェニル―4,4’―ジアミンを、抵抗加
熱法によって蒸着速度1Å/secで60nm成膜し、
正孔注入輸送層を形成した。
―ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を蒸着速度1
Å/secで60nm成膜し、発光層を形成した。次に
Mg(マグネシウム)及びAg(銀)を蒸着源として使
用し、抵抗加熱法の共蒸着によりMgとAgの蒸着速度
比10:1で、発光層上に陰極として約200nmの蒸
着層を成膜した。
記のように作製した素子の上方に、洗浄した第1のガラ
ス基板を配置し、図1及び図3に示す第1の封止用ガラ
ス5aの周縁部分下方領域5’に紫外線硬化樹脂により
第1の封止を行った。すなわち、陰極の有機発光膜(正
孔注入輸送層、発光層)に重ねられた部分の上方に設け
た第1のガラス基板の周縁部分下方領域に紫外線硬化樹
脂により第1の封止を行った。このようにして、陰極に
おける、有機発光膜(正孔注入輸送層、発光層)に重ね
られていない末端部分及びそれに設けられている陰極取
り出し部分を除いた残りの主要部分の全体と、さらに有
機発光膜(正孔注入輸送層、発光層)の全体を間隔をお
いて覆って外気から遮断した。
より封止した封止範囲外に露出している陰極部分からリ
ード線で取り出しを行なった。陰極とのリード線の接続
にはドータイトを用いた。さらに第1のガラス基板の上
方に、第2のガラス基板を配置し、図1及び図3に示す
第2の封止用ガラス6aの周縁部分下方領域6’に紫外
線硬化樹脂により第2の封止を行った。すなわち、第1
のガラス基板の上方に設けた第2のガラス基板の周縁部
分下方領域に紫外線硬化樹脂により第2の封止を行っ
た。このようにして、陰極取り出し部分、これを設けた
前記の陰極末端部分、第1のガラス基板及び第1の封止
用の紫外線硬化樹脂の全体を間隔をおいて覆って外気か
ら遮断した。陰極からのリード線は第2の封止用の紫外
線硬化樹脂を通して素子の外部に取り出した。
ス中から取り出し、該素子にUV(紫外線)を200秒
間照射し、第1及び第2のガラス基板の周縁部分下方領
域における紫外線硬化樹脂を硬化させた。以上のような
工程で、有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。 ・実施例2 実施例1に用いたガラス基板と同様のITO膜付きガラ
ス基板を用いて、実施例1と同様にして、そのガラス基
板上に真空中で各層(正孔注入輸送層、発光層、陰極)
を成膜した。
層が成膜された素子の上方に、洗浄した第1のガラス基
板を配置し、図2及び図4に示す第1の封止用ガラス5
aの周縁部分下方領域5’に紫外線硬化樹脂により第1
の封止を行った。すなわち、陰極の有機発光膜(正孔注
入輸送層、発光層)に重ねられた部分の上方に設けた第
1のガラス基板の周縁部分下方領域に紫外線硬化樹脂に
より第1の封止を行った。このようにして、陰極におけ
る、有機発光膜(正孔注入輸送層、発光層)に重ねられ
ていない末端部分及びそれに設けられている陰極取り出
し部分を除いた残りの主要部分の全体と、さらに有機発
光膜(正孔注入輸送層、発光層)の全体を間隔をおいて
覆って外気から遮断した。
より封止した封止範囲外に露出している陰極部分からリ
ード線で取り出しを行なった。陰極とのリード線の接続
にはドータイトを用いた。続いて図2及び図4に示す乾
燥剤8の配置位置、すなわち、第1のガラス基板と第1
の封止用の紫外線硬化樹脂による第1の封止の外側、且
つ、後述する第2のガラス基板と第2の封止用の紫外線
硬化樹脂による第2の封止の内側に乾燥剤としてシリカ
ゲルの粉末を配置した。
ガラス基板を配置し、図2及び図4に示す第2の封止用
ガラス6aの周縁部分下方領域6’に紫外線硬化樹脂に
より第2の封止を行った。すなわち、第1のガラス基板
の上方に設けた第2のガラス基板の周縁部分下方領域に
紫外線硬化樹脂により第2の封止を行った。このように
して、陰極取り出し部分、これを設けた前記の陰極末端
部分、第1のガラス基板及び第1の封止用の紫外線硬化
樹脂の全体を間隔をおいて覆って外気から遮断した。陰
極からのリード線は第2の封止用の紫外線硬化樹脂を通
して素子の外部に取り出した。
ス中から取り出し、該素子にUV(紫外線)を200秒
間照射し、第1及び第2のガラス基板の周縁部分下方領
域における紫外線硬化樹脂を硬化させた。以上のような
工程で、有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。 ・実施例3 実施例2による有機エレクトロルミネセンス素子の製造
工程において、第1のガラス基板と第1の封止用の紫外
線硬化樹脂による第1の封止の外側、且つ、第2のガラ
ス基板と第2の封止用の紫外線硬化樹脂による第2の封
止の内側に乾燥剤として用いたシリカゲルの粉末に代え
て乾燥剤として炭酸バリウム粉末を配置して、有機エレ
クトロルミネセンス素子を作製した。 ・実施例4 実施例2による有機エレクトロルミネセンス素子の製造
工程において、第1のガラス基板と第1の封止用の紫外
線硬化樹脂による第1の封止の外側、且つ、第2のガラ
ス基板と第2の封止用の紫外線硬化樹脂による第2の封
止の内側に乾燥剤として用いたシリカゲルの粉末に代え
て酸素吸収剤として五酸化二リン粉末を配置して、有機
エレクトロルミネセンス素子を作製した。 ・実施例5 実施例2による有機エレクトロルミネセンス素子の製造
工程において、第1の封止用の紫外線硬化樹脂に代え
て、第1のガラス基板と封止されるものとの空間を確保
できるシリカ製のスペーサを混ぜた紫外線硬化樹脂を用
いた以外は同じ材料・同じ手順で有機エレクトロルミネ
センス素子を作製した。この場合、第1及び第2の封止
用の紫外線硬化樹脂ともに、実施例2と同様にUV(紫
外線)を200秒間照射し、第1及び第2のガラス基板
の周縁部分下方領域における紫外線硬化樹脂を硬化させ
た。 ・比較例1 実施例1に用いたガラス基板と同様のITO膜付きガラ
ス基板を用いて、実施例1と同様にして、そのガラス基
板上に真空中で各層(正孔注入輸送層、発光層、陰極)
を成膜した。
層が成膜された素子の上方に、洗浄したガラス基板を配
置し、図2及び図4に示す第1の封止用ガラス5aの周
縁部分下方領域5’に紫外線硬化樹脂により封止を行っ
た。すなわち、陰極の有機発光膜(正孔注入輸送層、発
光層)に重ねられた部分の上方に設けたガラス基板の周
縁部分下方領域に紫外線硬化樹脂により封止を行った。
このようにして、陰極における、有機発光膜(正孔注入
輸送層、発光層)に重ねられていない末端部分及びそれ
に設けられている陰極取り出し部分を除いた残りの主要
部分の全体と、さらに有機発光膜(正孔注入輸送層、発
光層)の全体を間隔をおいて覆って外気から遮断した。
止した封止範囲外に露出している陰極部分からリード線
で取り出しを行なった。陰極とのリード線の接続にはド
ータイトを用いた。このように封止した素子をグローブ
ボックス中から取り出し、該素子に紫外線を200秒間
照射し、ガラス基板の周縁部分下方領域における紫外線
硬化樹脂を硬化させた。
ネセンス素子を作製した。 ・比較例2 実施例1に用いたガラス基板と同様のITO膜付きガラ
ス基板を用いて、実施例1と同様にして、そのガラス基
板上に真空中で各層(正孔注入輸送層、発光層、陰極)
を成膜した。
り出し、陰極部分からリード線で取り出しを行なった。
陰極とのリード線の接続にはドータイトを用いた。以上
のような工程で、有機エレクトロルミネセンス素子を作
製した。次に、前記実施例1〜5及び比較例1〜2によ
り得られた各有機エレクトロルミネセンス素子について
の発光輝度の劣化特性の評価を説明する。
れた各有機エレクトロルミネセンス素子を初期発光輝度
約200cdm-2で定電流条件で駆動し、素子の発光状
態、発光輝度の変化を観察した。その結果、実施例1〜
5のいずれにおいても、駆動開始から100時間経過後
でもダークスポットなどの劣化は見られなかった。発光
輝度が初期輝度に対して半分になる輝度半減時間は50
0時間以上であった。また、陰極の酸化などの劣化は見
られなかった。
約50時間経過後からダークスポットが発生し始めた。
時間とともにダークスポットの数が増加し、大きさが成
長していった。駆動開始から500時間経過後のダーク
スポットの面積は初期発光面積の約20%であった。ま
た、このとき陰極の外気に曝されている部分が白く曇
り、酸化されていた。
後からダークスポットが発生し始めた。時間とともにダ
ークスポットの数が増加し、大きさが成長していった。
駆動開始から24時間経過後のダークスポットの面積は
初期発光面積の約50%であった。駆動開始から50時
間経過後には発光部の陰極が酸化され、発光面積は無く
なった。
クトロルミネセンス素子では、有機発光膜部分の外気と
の遮断性が向上するだけでなく、陰極の取り出し部分を
含め、陰極全体について封止を行うことによって、陰極
の全体を外気から遮断、保護することができ、これによ
り素子発光の安定性が向上し、長期にわたり発光特性の
劣化を防止(例えばダークスポットの発生を防止)でき
ることがわかった。
も、陰極取り出し部分4”を第2封止部材6の外側に配
置するほかは、実施例1〜5と同様にして形成できる。
板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む
有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法であ
って、長期にわたり素子劣化を防止でき、また、第1の
封止部材の外側、且つ、第2の封止部材の内側に乾燥剤
や酸素吸収剤を配置する場合、乾燥剤や酸素吸収剤が有
機発光膜部分に接触する恐れがないため、該有機発光膜
における発光に影響を与えることがない上、乾燥剤や酸
素吸収剤を特別に固定する必要がない。
の1例の概略構成を示す側面図である。
の他の例の概略構成を示す側面図である。
実質的に同様の構成である有機エレクトロルミネセンス
素子の平面図である。
実質的に同様の構成である有機エレクトロルミネセンス
素子の平面図である。
のさらに他の例の概略構成を示す側面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】基板上に積層形成された陽極、有機発光膜
及び陰極を含む有機エレクトロルミネセンス素子におい
て、前記有機発光膜全体及び前記陰極の少なくとも前記
有機発光膜と対向する部分を覆って外気から遮断する第
1の封止部材と、前記第1の封止部材全体を覆って外気
から遮断する第2の封止部材とを有していることを特徴
とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項2】前記第1の封止部材の外側、且つ、前記第
2の封止部材の内側に、前記陰極における、陰極取り出
し部分を設けた陰極端部が配置されている請求項1記載
の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項3】前記第1の封止部材の外側、且つ、前記第
2の封止部材の内側に乾燥剤及び(又は)酸素吸収剤が
配置されている請求項1又は2記載の有機エレクトロル
ミネセンス素子。 - 【請求項4】前記第1の封止部材の内側に乾燥剤及び
(又は)酸素吸収剤が配置されている請求項3記載の有
機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項5】基板上に積層形成された陽極、有機発光膜
及び陰極を含む有機エレクトロルミネセンス素子の製造
方法において、前記陰極の端部に陰極取り出し部分を設
ける工程と、前記有機発光膜全体及び前記陰極の少なく
とも前記有機発光膜と対向する部分を覆って外気から遮
断するために第1の封止部材により第1の封止を行う工
程と、前記第1の封止部材全体を覆って外気から遮断す
るために第2の封止部材により第2の封止を行う工程と
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子の製造方法。 - 【請求項6】前記陰極における陰極取り出し部分は、前
記第1の封止部材の外側、且つ、前記第2の封止部材の
内側に配置する請求項5記載の有機エレクトロルミネセ
ンス素子の製造方法。 - 【請求項7】前記第1の封止部材の外側、且つ、前記第
2の封止部材の内側に乾燥剤及び(又は)酸素吸収剤を
配置する請求項5又は6記載の有機エレクトロルミネセ
ンス素子の製造方法。 - 【請求項8】前記第1の封止部材の内側に乾燥剤及び
(又は)酸素吸収剤を配置する請求項7記載の有機エレ
クトロルミネセンス素子の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100473876B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2005-03-09 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기발광소자 |
JP2006095681A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Commissariat A L'energie Atomique | 集積微小電気機械システムのカプセル封じ部品及びその部品の製造プロセス |
JP2006244946A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電気機器及び光書き込みヘッド |
KR100730226B1 (ko) | 2006-08-31 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2007323840A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイの製造方法 |
WO2009064357A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for oled devices |
KR101420332B1 (ko) | 2012-11-14 | 2014-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
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1999
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100473876B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2005-03-09 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기발광소자 |
JP2006095681A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Commissariat A L'energie Atomique | 集積微小電気機械システムのカプセル封じ部品及びその部品の製造プロセス |
JP2006244946A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電気機器及び光書き込みヘッド |
JP2007323840A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイの製造方法 |
JP4618562B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-01-26 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
KR100730226B1 (ko) | 2006-08-31 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
WO2009064357A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for oled devices |
US8016631B2 (en) | 2007-11-16 | 2011-09-13 | Global Oled Technology Llc | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
KR101420332B1 (ko) | 2012-11-14 | 2014-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
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