KR20050072123A - 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 당해 조성물을사용하여 제조한 반도체 장치 - Google Patents

경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 당해 조성물을사용하여 제조한 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본원에는, 1분자당 2개 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖는 직쇄 오가노폴리실록산(A), 화학식 RSiO3/2의 실록산 단위(여기서, R은 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다)를 갖고 1분자당 하나 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖는 분지쇄 오가노폴리실록산(B), 1분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산(C) 및 하이드로실릴화 촉매(D)를 포함하는 경화성 오가노폴리실록산 조성물, 및 상술된 조성물의 경화체로 피복한 반도체 소자를 갖는 반도체 장치가 기재되어 있다.

Description

경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 당해 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치{Curable organopolysiloxane composition and a semiconductor device made with the use of this composition}
본 발명은 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 이러한 조성물을 사용하는 반도체 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 고도의 굴절률, 고도의 광 투과율, 개선된 강도 및 개선된 내스크래칭성을 갖는 경화체를 형성하기에 적합한 경화성 오가노폴리실록산 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 구체적으로는, 높은 신뢰도를 보유하고 상술된 경화체로 피복되어 있는 반도체 장치에 관한 것이다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화성 에폭시 수지 조성물은 광커플러, 발광 다이오드, 고체상 화상 장치 등의 반도체 장치의 반도체 소자에 있어서 보호제, 피복제 및 밀봉제로서 사용되고 있다. 이러한 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화성 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자로부터 방출되거나 수용된 광선을 흡수하거나 산란시키지 않아야 한다. 추가로, 이들 조성물로 제조한 경화체는 높은 강도와 내스크래칭성을 소유해야 한다.
1분자당 2개 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹을 갖는 오가노폴리실록산, 1분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산 및 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 공지된 경화성 오가노폴리실록산 조성물로부터 수득한 경화체는 낮은 기계적 강도와 낮은 내크래칭성을 특징으로 한다. 이와 관련하여, 시간이 경과함에 따라, 경화성 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 수득한 물체는 이의 색이 변화하고 광선에 대해 덜 투과되게 된다. 이는 이러한 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치의 신뢰도를 감소시킨다.
본 발명의 목적은 높은 굴절률, 우수한 광 투과율, 높은 기계적 강도 및 내스크래칭성을 특징으로 하는 경화체를 형성하기에 적합한 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 상술된 경화체로 피복한, 신뢰도가 높은 반도체 장치를 제공하는 것이다.
발명의 기술
본 발명은 1분자당 2개 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖는 직쇄 오가노폴리실록산(A),
화학식 RSiO3/2의 실록산 단위(여기서, R은 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다)를 갖는 분지쇄 오가노폴리실록산(B)(여기서, 성분(B)는 1분자당 하나 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖고, 성분(A)의 중량을 기준으로 하여, 1/99 내지 99/1의 중량비로 사용된다),
1분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산(C)(여기서, 성분(C)는, 성분(A)와 성분(B)의 총 중량 100중량부를 기준으로 하여, 1 내지 200중량부의 양으로 사용된다) 및
조성물의 경화를 촉진시키기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매(D)를 포함하는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 경화시켜 수득한 물체로 피복된 반도체 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 일례로서 광커플러의 횡단면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 일례로서 LED의 횡단면도이다.
참조 번호
1: 반도체 소자
2: 리드 프레임
3: 결합 와이어
4: 반도체 소자
5: 리드 프레임
6: 결합 와이어
7: 경화성 오가노폴리실록산으로부터 제조한 경화체
8: 밀봉 수지
9: 반도체 소자
10: 리드 프레임
11: 리드 프레임
12: 결합 와이어
13: 경화성 오가노폴리실록산 조성물로부터 제조한 경화체
14: 투명한 밀봉 수지
성분(A)는 1분자당 2개 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖는 직쇄 오가노폴리실록산을 포함한다. 성분(A)에 포함된 알케닐 그룹은 비닐 그룹, 알릴 그룹, 부테닐 그룹, 펜테닐 그룹 및 헥세닐 그룹일 수 있다. 비닐 그룹이 가장 바람직하다. 성분(A)에 포함된 아릴 그룹은 페닐 그룹, 톨릴 그룹, 크실릴 그룹 및 나프틸 그룹일 수 있다. 페닐 그룹이 가장 바람직하다. 규소 결합되고 성분(A)에 사용될 수 있는 알케닐 및 아릴 그룹 이외의 유기 그룹은 다음과 같은 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹: 메틸 그룹, 에틸 그룹, 프로필 그룹, 부틸 그룹, 펜틸 그룹, 헥실 그룹, 헵틸 그룹 또는 유사한 알킬 그룹; 벤질 그룹, 펜에틸 그룹 또는 유사한 아르알킬 그룹; 클로로메틸 그룹, 3-클로로프로필 그룹, 3,3,3-트리플루오로프로필 그룹 또는 유사한 할로겐화 알킬 그룹을 포함할 수 있다. 이들 중에서, 메틸 그룹이 가장 바람직하다. 본 발명의 조성물로부터 수득한 경화체에서 발생할 수 있는, 회절, 굴절, 산란 등의 현상의 작용하에 광선의 감폭을 감소시키기 위해, 성분(A)에 포함된 규소 결합된 유기 그룹 중의 규소 결합된 아릴 그룹의 양은 40몰% 이상, 바람직하게는 45몰% 이상이 권장된다. 25℃에서의 성분(A)의 점도에는 특별한 제한은 없지만, 점도가 10 내지 1,000,000mPaㆍs, 바람직하게는 100 내지 50,000mPaㆍs인 것이 권장된다. 이는 권장된 하한치보다 낮은 성분(A)의 점도는 경화체의 기계적 강도를 저하시킬 수 있고, 권장된 상한치보다 높은 점도는 조성물의 취급이 보다 어려워질 수 있기 때문이다.
성분(A)의 오가노폴리실록산은 직쇄 분자 구조이고 화학식 1로 나타내어진다.
위의 화학식 1에서,
R1은 각각 동일하거나 상이하고 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 상술된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 아르알킬 그룹 및 할로겐화 알킬 그룹을 포함할 수 있다. 당해 성분 1분자당 2개 이상의 R1은 알케닐 그룹이어야 하고, 하나 이상의 R1은 아릴 그룹이어야 한다. 위의 화학식에서, n은 5 내지 1000의 정수이다.
성분(B)는 본 발명의 조성물을 경화시켜 수득한 물체에 기계적 강도 및 높은 내스크래칭성을 부여한다. 성분(B)는 화학식 RSiO3/2의 실록산 단위를 갖는 분지쇄 오가노폴리실록산이다.
성분(B)에 포함된 알케닐 그룹은 위에 정의한 것들과 동일하다. 비닐 그룹이 가장 바람직하다. 성분(B)에 사용된 아릴 그룹은 또한 위에 정의한 것들과 동일하고, 페닐 그룹이 바람직하다. 추가로, 성분(B)에서 알케닐 그룹 이외의 규소 결합된 유기 그룹은 상술된 알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹 또는 유사한 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹을 포함할 수 있다. 이들 중에서, 메틸 그룹이 바람직하다. R은 상술된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 할로겐화 알킬 그룹으로 나타내어질 수 있는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다. R은 가장 바람직하게는 알킬 및 아릴 그룹이고, 이들 중에서도 메틸 및 페닐 그룹이다.
오가노폴리실록산은 화학식 (R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3Si1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e의 평균 단위(여기서, R2는 각각 동일하거나 상이하고 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 상술된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 할로겐화 알킬 그룹이다)으로 나타내어질 수 있다. 모든 R2 중의 0.1 내지 40몰%는 알케닐 그룹인 것이 권장된다. 이는 권장된 하한치 미만의 알케닐 그룹의 양에서는 성분(B)가 성분(C)와 관련하여 낮은 반응성을 가질 것이기 때문이다. 권장된 상한치를 초과하는 알케닐 그룹의 양 증가는 성분(C)에 대한 반응성을 감소시킬 것이다. 회절, 굴절, 산란 등에 기인하여 조성물의 경화체를 통과하는 광선의 소실을 감소시키기 위해, 모든 R2 중의 10몰% 이상은 상술된 아릴 그룹, 바람직하게는 페닐 그룹인 것이 권장된다. 추가로, 성분(C)의 R2SiO3/2 실록산 단위에 포함된 R2의 30몰% 이상은 아릴 그룹 및 바람직하게는 페닐 그룹을 포함하는 것이 권장된다. 상술된 화학식에서, R2에서 알케닐 그룹 이외의 그룹은 메틸 그룹이다. X는 수소원자 또는 알킬 그룹일 수 있다. 알킬 그룹의 예는 위에 기재된 것과 동일하다. 메틸 그룹이 가장 바람직하다. 추가로, 상술된 화학식에서, a는 양의 수이며, b는 0 또는 양의 수이고, c는 0 또는 양의 수이며, d는 0 또는 양의 수이고, e는 0 또는 양의 수이며, b/a는 0 내지 10이고, c/a는 0 내지 0.5이며, d/(a + b + c + d)는 0 내지 0.3이고, e/(a + b + c + d)는 0 내지 0.4이다. 성분(B)의 분자량에는 특별한 제한은 없지만, 당해 성분의 중량 평균 분자량(Mw)(폴리스티렌을 기준으로 하여 재계산됨)가 500 내지 10,000, 바람직하게는 700 내지 3,000인 것이 권장된다.
본 발명의 조성물에서, 성분(B)는 성분(A)의 중량에 대해 1/99 내지 99/1, 바람직하게는 10/90 내지 90/10, 보다 바람직하게는 20/80 내지 80/20의 중량비로 사용된다. 성분(B)가 권장된 하한치보다 낮은 양으로 사용되는 경우, 경화체는 감소된 기계적 강도와 내스크래칭성을 가질 것이다. 성분(B)의 양이 권장된 상한치를 초과하는 경우, 조성물의 취급성이 어려워지거나, 수득된 경화체의 경도가 극히 높을 것이다.
성분(C)는 조성물의 경화제이다. 성분(C)는 1분자에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산이다. 성분(C)의 유기 규소 결합된 그룹은, 알케닐 그룹을 제외한, 상술된 알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹 및 유사한 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹일 수 있다. 이들 중에서, 알킬 및 아릴 그룹, 특히 메틸 및 페닐 그룹이 바람직하다. 성분(C)의 상태에는 특별한 제한은 없지만, 25℃에서 액상 또는 고상으로 존재해야 한다. 가장 바람직한 상태는 점도가 0.1 내지 1,000,000,000mPaㆍs인 액체이다.
성분(C)의 분자 구조는 직쇄, 부분 분지쇄, 분지쇄 또는 네트형일 수 있다. 보다 양호한 기계적 강도와 내스크래칭성을 경화체에 부여하기 위해, 분지쇄 구조가 바람직하다. 이러한 분지쇄 오가노폴리실록산은 화학식 (R3SiO3/2)f(R3 2SiO2/2)g(R3 3SiO1/2)h(SiO4/2)i(X'O1/2)j의 평균 단위(여기서, R3은 각각 동일하거나 상이하고, 수소원자 또는, 알케닐 그룹을 제외한 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹을 포함할 수 있다)로 나타내어진다. 이러한 1가 탄화수소 그룹의 예는 상술된 알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 할로겐화 알킬 그룹이다. 규소 결합된 수소원자를 모든 R3 중의 0.1 내지 40몰%의 양으로 갖는 것이 바람직하다. 규소 결합된 수소원자가 권장된 하한치 미만이면, 조성물의 경화가 어려울 것이다. 권장된 상한치를 초과하면, 경화체는 감소된 내열성을 가질 것이다. 회절, 굴절, 산란 등에 기인하여 조성물의 경화체를 통과하는 광선의 소실을 감소시키기 위해, 모든 R3 중의 10몰% 이상은 상술된 아릴 그룹, 바람직하게는 페닐 그룹인 것이 권장된다. 추가로, 성분(C)의 R3SiO3/2 실록산 단위에 포함된 R2의 30몰% 이상은 아릴 그룹 및 바람직하게는 페닐 그룹을 포함하는 것이 권장된다. 상술된 화학식에서, R3을 함유할 수 있는 아릴 그룹 및 수소원자 이외의 그룹은 메틸 그룹이고, X'는 수소원자 또는 알킬 그룹일 수 있다. 알킬 그룹의 예는 위에 기재된 것과 동일하다. 메틸 그룹이 가장 바람직하다. 추가로, 위의 화학식에서, f는 양의 수이며, g는 0 또는 양의 수이고, h는 0 또는 양의 수이며, i는 0 또는 양의 수이고, j는 0 또는 양의 수이며, g/f는 0 내지 10이고, h/f는 0 내지 0.5이며, i/(f + g + h + i)는 0 내지 0.3이고, j/(f + g + h + i)는 0 내지 0.4이다. 성분(C)의 분자량에는 특별한 제한은 없지만, 당해 성분의 중량 평균 분자량(MW)(폴리스티렌을 기준으로 하여 재계산됨)이 300 내지 10,000 범위, 바람직하게는 500 내지 3,000 범위내인 것이 권장된다.
성분(C)는 성분(A) 및 성분(B)의 합계 중량 100중량부에 대해 1 내지 200중량부의 양으로 사용된다. 성분(C)의 양이 권장된 하한치보다 낮은 경우, 조성물의 충분한 경화를 제공하기가 곤란할 것이다. 성분(C)가 권장된 상한치를 초과하는 양으로 사용되면, 경화 생성물은 불충분한 내열성을 가질 것이다. 이러한 이유로, 성분(C) 중의 규소 결합된 수소원자는 바람직하게는 성분(A) 및 성분(B)에 포함된 알케닐 그룹의 합계 1mol당 0.1 내지 10mol, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5mol, 보다 더 바람직하게는 0.5 내지 5mol의 범위내이다.
성분(D)는 성분(A) 및 성분(B)의 알케닐 그룹과 성분(C)의 규소 결합된 수소원자 사이의 하이드로실릴화 반응용 촉매이다. 달리 말하면, 성분(D)는 조성물의 경화를 촉진하는 하이드로실릴화 촉매이다. 성분(D)의 예는 백금형 촉매, 로듐형 촉매 및 팔라듐형 촉매이고, 이 중에서 백금형 촉매가 가장 바람직하다. 본 발명에 적합한 백금 촉매의 예는 다음과 같다: 백금 미세 분말, 클로로플라틴산, 클로로플라틴산의 알콜 용액, 백금-알케닐실록산 착물, 백금-올레핀 착물, 백금-카보닐 착물. 백금-알케닐실록산 착물이 가장 바람직하다. 알케닐실록산은 다음 화합물: 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산, 에틸 그룹, 페닐 그룹 등에 의해 치환된 알케닐실록산의 메틸 그룹 부분을 갖는 알케닐실록산, 및 알릴 그룹, 헥세닐 그룹 등에 의해 치환된 알케닐실록산의 비닐 그룹을 갖는 알케닐실록산일 수 있다. 이들 중에서, 백금-알케닐실록산 착물에 높은 안정성을 부여하는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이 가장 바람직하다. 백금-알케닐실록산 착물의 안정성을 추가로 개선시키기 위해, 상술된 착물을 오가노실록산 올리고머, 예를 들면, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라페닐디실록산 또는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산 또는 유사한 알케닐실록산 또는 메틸실록산과 배합하는 것이 권장된다. 알케닐실록산이 부가를 위해 가장 바람직하다.
조성물의 경화 촉진에 요구되는 성분(D)의 양에는 특별한 제한은 없다. 가장 바람직한 양은 0.01 내지 1,000ppm의 금속 원자 함량(중량 단위)이 성분(D)에 포함되는 것이다. 성분(D)가 권장된 하한치보다 낮은 양으로 포함되는 경우, 충분한 경화를 보장하기 어렵고, 권장된 상한치를 초과하는 성분(D)의 양에서는 경화체의 착색과 관련된 문제가 있을 수 있다.
필요한 경우, 본 발명의 조성물은 다른 임의의 성분, 예를 들면, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 또는 유사한 알키닐 알콜; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인 또는 유사한 엔인 화합물; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 벤조트리아졸 또는 유사한 하이드로실릴화 반응 억제제와 배합할 수 있다. 조성물에 첨가되는 상술된 반응 억제제의 양에는 특별한 제한은 없지만, 성분(A) 및 성분(B)의 합계량 100중량부에 대해 0.0001 내지 5중량부의 양으로 이들 억제제를 사용하는 것이 권장된다.
필요한 경우, 접착 부여제를 본 발명의 조성물에 첨가하여 이의 접착 특성을 개선시킬 수 있다. 이러한 제제는 상술된 성분(A), (B) 및 (C)와는 상이하고 1분자당 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 함유하는 유기 규소 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 알콕시 그룹은 메톡시 그룹, 에톡시 그룹, 프로폭시 그룹, 부톡시 그룹 및 메톡시에톡시 그룹일 수 있다. 메톡시 그룹이 가장 바람직하다. 유기 규소 화합물의 상술된 규소 결합된 알콕시 그룹 이외의 그룹도 또한 사용할 수 있다. 이러한 기타 그룹의 예는 다음과 같다: 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 상술된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹; 3-글리시드옥시프로필 그룹, 4-글리시드옥시부틸 그룹 또는 유사한 글리시드옥시알킬 그룹; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실) 에틸 그룹, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필 그룹 또는 유사한 에폭시사이클로헥실 그룹; 4-옥시라닐부틸 그룹, 8-옥시라닐옥틸 그룹 또는 유사한 옥시라닐알킬 그룹 또는 기타 에폭시 함유 1가 유기 그룹; 3-메타크릴옥시프로필 그룹 또는 유사한 아크릴 함유 1가 유기 그룹 및 수소원자. 하나 이상의 이들 그룹이 1분자에 함유될 수 있다. 에폭시 함유 및 아크릴 함유 1가 유기 그룹이 가장 바람직하다. 상술된 유기 규소 화합물은 성분(A) 및 성분(B) 또는 성분(C)와 반응하는 그룹, 특히 규소 결합된 알케닐 그룹 및 규소 결합된 수소원자와 같은 그룹을 함유하는 것이 권장된다. 각종 재료에 대한 보다 양호한 접착성을 위해, 1분자당 하나 이상의 에폭시 함유 1가 그룹을 갖는 상술된 유기 규소 화합물을 사용하는 것이 권장된다. 이러한 화합물의 예는 오가노실란 화합물 및 오가노실록산 올리고머이다. 상술된 오가노실란 올리고머는 직쇄, 부분 분지된 직쇄, 분지쇄, 사이클릭 및 네트형 분자 구조를 가질 수 있다. 직쇄, 분지쇄 및 네트형 구조가 바람직하다. 상술된 유기 규소 화합물의 예는 다음과 같다: 3-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 유사한 실란 화합물; 1분자에 하나 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹 또는 하나 이상의 규소 결합된 수소원자 또는 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 갖는 실록산 화합물, 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 갖는 실란 화합물, 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 갖는 실란 또는 실록산 화합물과, 1분자에 하나 이상의 규소 결합된 하이드록실 그룹 및 하나 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹을 갖는 실록산 화합물과의 혼합물, 화학식 의 실록산 화합물(여기서, k, m 및 p는 양의 수이다) 및 화학식 의 실록산(여기서, k, m 및 q는 양의 수이다). 상술된 접착성 부여제는 저점도 상태로 존재하는 것이 권장된다. 점도 값에는 특별한 제한은 없다. 그러나, 25℃에서의 점도가 1 내지 500mPaㆍs인 것이 권장된다. 조성물에서 접착성 부여제의 함량에는 특별한 제한은 없지만, 성분(A) 및 성분(B)의 합계 100중량부에 대해 0.01 내지 10중량부의 양으로 사용하는 것이 권장된다.
본 발명의 조성물은 발광 다이오드(LED)의 반도체 소자용 보호제로서 사용되는 경우, 발광 물질, 예를 들면, 이트륨-알루미늄-가닛 시스템을 함유할 수 있다. 발광 물질의 함량에는 특별한 제한은 없지만, 권장된 범위는 조성물 총 중량의 1 내지 20중량%, 바람직하게는 5 내지 15중량%이다. 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위내에서, 본 발명의 조성물은 다른 임의의 첨가제, 예를 들면, 실리카, 유리, 알루미나, 산화아연 또는 유사한 무기 충전제; 미세 분말 형태의 폴리메타크릴레이트 수지 또는 유사한 유기 수지; 내열성 제제, 염료, 안료, 난연제, 용매 등을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물로부터 수득한 경화체를 통과하는 가시 광선(589nm)에 대한 굴절률(25℃에서)은 1.5 이상인 것이 권장된다. 또한, 본 발명의 조성물로부터 수득한 경화체를 통과하는 가시 광선(420nm)에서 광 투과율(25℃에서)은 80% 이상인 것이 권장된다. 이는, 굴절률이 1.5 미만이거나 광 투과율이 80% 미만인 경우, 본 발명의 조성물의 경화체로 피복된 반도체 소자를 도입한 반도체 장치에 충분한 신뢰도를 제공하는 것이 곤란할 수 있기 때문이다. 이러한 높은 굴절률 및 광 투과율 값을 갖는 경화체의 형성에 적합한 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 수득하기 위해, 모든 성분(A) 내지 (C)는 실질적으로 동일한 굴절률을 갖는 것이 권장된다. 보다 구체적으로, 모든 유기 그룹 중에서 성분(A)는 40몰% 이상, 바람직하게는 45몰% 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 함유하고 상술된 아릴 및 알케닐 그룹 이외의 규소 결합된 유기 그룹은 알킬 그룹, 특히 메틸 함유 오가노폴리실록산을 포함하는 것이 권장된다. 동일한 목적을 위해, 모든 유기 그룹 중에서 성분(B)는 10몰%의 규소 결합된 아릴 그룹을 함유하고 상술된 아릴 및 알케닐 그룹 이외의 규소 결합된 유기 그룹은 알킬 그룹, 특히 메틸 함유 오가노폴리실록산을 포함하는 것이 권장된다. 동일한 목적을 위해, 모든 유기 그룹 중에서 성분(C)는 10몰%의 규소 결합된 아릴 그룹을 함유하고 상술된 아릴 그룹 이외의 규소 결합된 유기 그룹은 알킬 그룹, 특히 메틸 함유 오가노폴리실록산을 포함하는 것이 권장된다. 굴절률은, 예를 들면, 아베 굴절계로 측정할 수 있다. 이 경우, 굴절률은 아베(Abbe) 굴절계에서 사용된 광원의 파장을 변화시켜 상이한 파장에서 측정할 수 있다. 추가로, 광 투과율, 예를 들면, 광로 길이가 1.0mm인 경화체에 대한 광 투과율은 광도계를 사용하여 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물로부터 수득한 경화체를 통해 파장 200 내지 250nm을 갖는 자외선(UV)의 25℃에서의 투과율은 10%를 초과하지 않는다. 이는 본 발명의 조성물의 경화체로 피복한 반도체 소자를 도입한 반도체 장치의 구조 재료를 200nm 내지 250nm 범위에서 단파장의 UV선 작용하에 열화로부터 보호할 수 있기 때문이다. UV광 투과율은, 예를 들면, 광도계를 사용하여 1.0mm 광로를 갖는 경화체에서 측정할 수 있다.
본 발명의 조성물은 실온에서 또는 가열하여 경화시킬 수 있다. 가열에 의한 경화는 당해 방법의 가속을 위해 권장된다. 가열 경화에 권장되는 온도는 50 내지 200℃이다. 본 발명의 조성물을 경화시켜 수득한 경화체는 고무형 구조, 특히 경질 고무 또는 가요성 수지 구조를 가질 수 있다. 전기 및 전자 장치를 제조함에 있어서, 본 발명의 조성물은 접착제, 결합제, 보호제, 피복제, 밀봉제 및 하도제로서 사용하기에 적합하다. 특히, 본 발명의 조성물은 높은 광 투과율 조건하에 작동하는 광학 반도체 장치의 반도체 소자에 사용하기 위한 보호제, 피복제 및 밀봉제로서 가장 적합하다.
다음은 본 발명의 반도체 장치를 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 장치는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물로 제조한 경화체로 피복된 반도체 소자를 가짐을 특징으로 한다. 상술된 반도체 소자는 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 고상 화상 픽업 소자 뿐만 아니라 단결정 IC 또는 하이브리드 IC의 반도체 소자를 포함할 수 있다. 추가로, 상술된 반도체 장치는 광학 반도체 장치, 예를 들면, 다이오드, 발광 다이오드(LED), 트랜지스터, 사이리스터, 광커플러, 전하 커플링된 장치(CCD), 단결정 IC, 하이브리드 IC, LSI 및 VLSI를 포함할 수 있다. 본 발명의 적용에 가장 적합한 광학 반도체 장치는 발광 다이오드(LED) 및 광커플러이다.
도 1은 본 발명의 장치의 일례로서 도시한 광커플러의 횡단면도이고, 도 2는 상술된 장치에 사용된 단일 LED의 횡단면도이다. 도 1에 도시된 광커플러는 반도체 소자(1)를 포함하고, 반도체 소자(1)는 화합물 반도체 바디에 의해 형성되고 다이 결합에 의해 리드 프레임(2)에 결합되어 있으며 결합 와이어(3)에 의해 도면에 도시되지 않은 또 다른 리드 프레임(2)에 결합되어 있다. 반도체 소자(1)의 반대쪽에 위치하는 광선 수용 반도체 소자(4)는 리드 프레임(5)에 다이 결합되어 있고, 결합 와이어(6)에 의해 도면에 도시되지 않은 또 다른 리드 프레임(5)에 결합되어 있다. 반도체 소자 사이의 공간은 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 투명한 경화체(7)로 충전되어 있다. 추가로, 경화체(7)로 피복된 반도체 소자는 밀봉 수지(8)을 사용하여 밀봉한다.
도 1에 도시된 광커플러를 제조함에 있어서, 반도체 소자(1)를 리드 프레임(2)에 다이 결합시킨 다음, 반도체 소자(1) 및 또 다른 분리된 리드 프레임(2)(이는 도 2에 도시되지 않음)을 금으로 제조한 결합 와이어(3)을 사용하여 와이어 결합시킨다. 유사한 방식으로, 반도체 소자(1)의 반대쪽에 위치하는 광선 수용 반도체 소자(4)를 리드 프레임(5)에 다이 결합시킨 다음, 반도체 소자(4) 및 또 다른 분리된 리드 프레임(5)(이느 도 1에 도시되지 않음)을 금으로 제조한 결합 와이어(6)을 사용하여 와이어 결합시킨다. 본 발명의 오가노폴리실록산 조성물로 반도체 소자 사이의 공간을 충전시킨 후, 조성물을 50 내지 200℃에서 가열하여 경화시킨다. 이어서, 상술된 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 투명한 경화체(7)에 삽입된 반도체 소자를 백색 에폭시 수지 커버(8)로 밀봉한다.
한편, 도 2에 도시된 형태의 LED는 반도체 소자(9)를 함유하고, 당해 반도체 소자(9)는 리드 프레임(10)에 다이 결합되어 있고 결합 와이어(12)에 의해 리드 프레임(11)에 와이어 결합되어 있다. 상술된 반도체 소자(9)는 발광 물질(YAG)을 5 내지 15중량% 함유하는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 경화체(13)로 피복되어 있다. 경화체(13)으로 피복된 반도체 소자(9)는 또한 발광 물질을 포함하지 않는 투명한 밀봉 수지(14), 특히 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 경화체에 삽입하여 밀봉한다.
도 2에 도시된 LED를 제조함에 있어서, 반도체 소자(9)를 리드 프레임(10)에 다이 결합시키고, 반도체 소자(9)를 금으로 제조한 결합 와이어(12)를 사용하여 리드 프레임(11)에 와이어 결합시킨다. 이어서, 반도체 소자(9)를 발광 물질(YAG)을 5 내지 15중량% 함유하는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물로 피복하고, 당해 조성물을 50 내지 200℃에서 가열하여 경화시킨다. 이어서, 상술한 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 경화체(13)로 피복한 반도체 소자(9)를, 발광 물질을 포함하지 않는 본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물로 밀봉한다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 소자는 실제 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 추가로 기재될 것이다. 실제 실시예에 사용된 점도 값은 25℃에서 측정한다. 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 소자의 특징은 다음에 기재된 방법으로 측정한다.
경화체의 경도
경화체는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 1시간 동안 150℃에서 온풍 순환 오븐에서 가열하여 수득한다. 경화체의 경도는 JIS K 6253에 명시된 유형 A 경도계로 측정한다.
인장 강도
JIS K 6251에 따르는 덤벨형 시료 No. 3의 형상을 갖는 경화체는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 가열하여 수득한다. 경화체의 인장 강도는 JIS K 6251에 명시된 공정으로 측정한다.
내스크래칭성
경화성 오가노폴리실록산 조성물을 알루미늄 판(직경 55mm)에 부어 1mm 두께의 층을 형성하고, 당해 판의 장입물을 150℃에서 1시간 동안 열풍 순환 오븐에서 가열하여 경화시킨다. 그 결과, 판형 경화체가 형성된다. 당해 판의 표면을 손톱으로 10회 긁은 다음, 표면 손상도를 평가한다. 다음과 같은 기준이 평가 표준에 사용된다: Ｏ - 10회 후에 긁힘 자국이 없음; △ - 2 내지 10회 후에 긁힘 자국 있음; ×- 1회 후에 긁힘 자국 있음. 추가로, 샘플의 외관을 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 100시간 처리 후에 관찰한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체를 통한 굴절률
25℃에서 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 통한 굴절률은 아베(Abbe) 굴절계로 측정한다. 측정은 가시 광선(589nm)에서 실시한다. 이어서, 경화성 오가노폴리실록산 조성물은 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 가열하여 경화시키고, 수득된 경화체를 통과하는 광선에 대해 25℃에서의 굴절률을 당해 조성물과 동일한 방식으로 측정한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체를 통한 가시 광 투과율
25℃에서 경화성 오가노폴리실록산 조성물(광로 길이 1.0mm)를 통한 가시 광 투과율을 측정한다. 측정은 파장 420nm의 가시 광선으로 실시한다. 이어서, 경화성 오가노폴리실록산 조성물은 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 가열하여 경화시키고, 25℃에서 경화체를 통한 광선의 투과율(광로 길이 1.0mm)을 측정한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체를 통한 자외선 광 투과율
25℃에서 경화성 오가노폴리실록산 조성물(광로 길이 1.0mm)를 통한 자외선 광선(파장 230nm)의 투과율을 광도계로 측정한다. 이어서, 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 가열하여 경화시키고, 25℃에서 경화체(광로 길이 1.0mm)를 통한 자외선 광선의 투과율을 측정한다.
다음 과정을 사용하여 반도체 소자의 신뢰도를 평가한다.
신뢰도 평가 공정 1
도 1에 도시된 광커플러를 다음 방식으로 제조한다. Ga-Al-As 유형의 반도체 소자(1)을 전도성 페이스트에 의해 리드 프레임(2)에 다이 결합시킨다. 이어서, 반도체 소자(1) 및 또 다른 리드 프레임(2)을 금으로 제조한 결합 와이어(3)을 사용하여 서로 와이어 결합시킨다. 반도체 소자(1)의 반대쪽에 위치하는 광선 수용 반도체 소자(4)를 금으로 제조한 결합 와이어(6)로 리드 프레임(5)에 와이어 결합시킨다. 전극 사이의 공간을 경화성 오가노폴리실록산 조성물로 충전시킨 다음, 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 경화시킨다. 이어서, 상술된 조성물의 경화체(7)로 피복된 반도체 소자를 백색 에폭시 수지(8)로 밀봉한다. 광커플러는 위에 기재된 방법으로 제조한다. 각 광커플러의 광선 생성력은 100시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 열처리 전후에 측정하고, 열처리 후에 광커플러에 의해 발생된 광선 생성력을 열처리 전의 광선 생성력(이는 100으로 가정한다)에 대한 비로서 계산한다.
신뢰도 평가 공정 2
도 2에 도시된 LED를 다음 방식으로 제조한다. Ga-N 유형의 반도체 소자(9)을 전도성 페이스트에 의해 리드 프레임(10)에 다이 결합시킨다. 이어서, 반도체 소자(9) 및 또 다른 리드 프레임(11)을 금으로 제조한 결합 와이어(12)을 사용하여 서로 와이어 결합시킨다. 반도체 소자(9)를, 발광 물질(YAG)을 10중량% 함유하는 경화성 오가노폴리실록산 조성물로 피복한 다음, 조성물을 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 경화시킨다. 이어서, 상술된 조성물의 경화체(13)으로 피복한 반도체 소자(9)를 상기와 동일한 오가노폴리실록산 조성물로 제조하지만 발광 물질을 포함하지 않는 투명한 밀봉 수지(14)로 밀봉한다. 밀봉은 1시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 실시한다. 이러한 LED는 위에 기재된 방법으로 제조한다. 각 LED의 발광력은 100시간 동안 150℃에서 열풍 순환 오븐에서 열처리 전후에 측정하고, 열처리 후에 LED에 의해 발생된 광선 생성력의 평균치를 열처리 전의 광선 생성력(이는 100으로 가정한다)에 대한 비로서 계산한다.
가공 실시예 1
점도 3,250mPaㆍs의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은,
분자 양쪽 말단이 디메틸비닐실록시 그룹으로 캡핑되어 있고 모든 규소 결합된 유기 그룹 중에서 0.20중량%의 규소 결합된 비닐 그룹 및 49몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 갖는 점도 3,500mPaㆍs의 직쇄 메틸페닐폴리실록산 45중량부,
화학식 (C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25의 평균 단위를 갖고 25℃에서 고체 상태이며 모든 규소 결합된 유기 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 비닐 그룹과 50몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하고 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,600인 분지쇄 오가노폴리실록산 20중량부,
화학식 (C6H5SiO3/2)0.60[(CH3)2HSiO1/2]0.40의 평균 단위를 갖고 모든 규소 결합된 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 수소원자와 33몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하며 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,100이고 수소원자의 양이 상술된 메틸페닐폴리실록산 및 분지쇄 오가노폴리실록산에 함유된 규소 결합된 비닐 그룹 1mol당 1.3mol인 950mPa·s 분지쇄 오가노폴리실록산 30중량부,
중량 단위로 금속성 백금을 2.5ppm 포함하도록 하는 양의 백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물 및
2-페닐-3-부틴-2-올 0.05중량부를 균질하게 혼합하여 제조한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체의 특성을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 추가로, 광커플러 및 LED를 상술된 오가노폴리실록산 조성물을 사용하여 제조한다. 표 1은 또한 수득된 반도체의 신뢰도 평가 결과를 포함한다.
비교 실시예 1
점도 4,500mPaㆍs의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은,
분자 양쪽 말단이 모든 규소 결합된 유기 그룹 중에서 0.20중량%의 규소 결합된 비닐 그룹 및 49몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하는 디메틸비닐실록시 그룹으로 캡핑되어 있는 점도 3,500mPaㆍs의 직쇄 메틸페닐폴리실록산 75중량부,
모든 규소 결합된 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 수소원자와 33몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하는 화학식 (C6H5SiO3/2)0.60[(CH3)2SiO1/2]0.40의 평균 단위를 갖고 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,100이며 규소 결합된 수소원자의 양이 상술된 메틸페닐폴리실록산에 함유된 규소 결합된 비닐 그룹 1mol당 1.3mol인 점도 950mPa·s의 분지쇄 오가노폴리실록산 17중량부,
중량 단위로 금속성 백금을 2.5ppm 포함하도록 하는 양의 백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물 및
2-페닐-3-부틴-2-올 0.05중량부를 균질하게 혼합하여 제조한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체의 특성을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 추가로, 광커플러 및 LED를 상술된 오가노폴리실록산 조성물을 사용하여 제조한다. 표 1은 또한 수득된 반도체의 신뢰도 평가 결과를 포함한다.
비교 실시예 2
점도 2,000mPaㆍs의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은,
화학식 (C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25의 평균 단위를 갖고 25℃에서 고체 상태이며 모든 규소 결합된 유기 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 비닐 그룹과 50몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하고 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,600인 분지쇄 오가노폴리실록산 52중량부,
화학식 (C6H5SiO3/2)0.60[(CH3)2HSiO1/2]0.40의 평균 단위를 갖고 모든 규소 결합된 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 수소원자와 33몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하며 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,100이고 규소 결합된 수소원자의 양이 상술된 분지쇄 오가노폴리실록산에 함유된 규소 결합된 비닐 그룹 1mol당 1.3mol인 점도 950mPa·s의 분지쇄 오가노폴리실록산 43중량부,
중량 단위로 금속성 백금을 2.5ppm 포함하도록 하는 양의 백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물 및
2-페닐-3-부틴-2-올 0.05중량부를 균질하게 혼합하여 제조한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체의 특성을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 추가로, 광커플러 및 LED를 상술된 오가노폴리실록산 조성물을 사용하여 제조한다. 표 1은 또한 수득된 반도체의 신뢰도 평가 결과를 포함한다.
가공 실시예 2
점도 3,500mPaㆍs의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은,
분자 양쪽 말단이 디메틸비닐실록시 그룹(0.20중량%의 규소 결합된 비닐 그룹 및 49몰%의 규소 결합된 페닐 그룹)으로 캡핑되어 있는 점도 3,500mPaㆍs의 직쇄 메틸페닐폴리실록산 61.5중량부,
화학식 (C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25의 평균 단위를 갖고 25℃에서 고체 상태이며 모든 규소 결합된 유기 그룹 중에서 20몰%의 규소 결합된 비닐 그룹과 50몰%의 규소 결합된 페닐 그룹을 함유하고 폴리스티렌을 기준으로 한 중량 평균 분자량이 1,600인 분지쇄 오가노폴리실록산 20.3중량부,
모든 규소 결합된 그룹 중에서 33몰%의 규소 결합된 수소원자를 함유하는 화학식 (SiO4/2)0.60[(CH3)2HSiO1/2]0.40의 평균 단위를 갖고 규소결합된 수소원자의 양이 상술된 메틸페닐폴리실록산 및 분지쇄 오가노폴리실록산에 함유된 규소 결합된 비닐 그룹 1mol당 1.3mol인 점도 20mPa·s의 분지쇄 오가노폴리실록산 12.8중량부,
중량 단위로 금속성 백금을 2.5ppm 포함하도록 하는 양의 백금과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물 및
2-페닐-3-부틴-2-올 0.05중량부를 균질하게 혼합하여 제조한다.
경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 경화체의 특성을 측정한다. 측정 결과는 표 1에 제시되어 있다. 추가로, 광커플러 및 LED를 상술된 오가노폴리실록산 조성물을 사용하여 제조한다. 표 1은 또한 수득된 반도체의 신뢰도 평가 결과를 포함한다.
특성＼실시예 실제 실시예 비교 실시예
1 2 1 2
경화성 오가노폴리실록산 굴절률 1.54 1.53 1.54 1.54
광 투과율(%) 100 31 100 100
경화체 경도 65 70 45 95
인장 강도(Mpa) 1.8 0.8 0.23 0.11
내스크래칭성 ○ ○ × ○
굴절률 1.54 1.53 1.54 1.54
광 투과율(%) 100 85 97 92
UV 광 투과율(%) 0 0 0 0
반도체의 신뢰도 평가 방법 No. 1 상대 광선 생성력(%) 100 100 84 45*
평가 방법 No. 2 상대 광선 생성력(%) 100 100 72 43*
* 표면 균열은 150℃에서 100시간 동안 열처리 후에 모든 시료에서 발생하였다.
본 발명의 경화성 오가노폴리실록산 조성물은 높은 굴절률, 광선 투과도 및 기계적 강도를 특징으로 한다. 본 발명의 조성물의 경화체는 우수한 내스크래칭성을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 반도체 장치는 상술된 조성물의 경화체로 피복되기 때문에, 우수한 신뢰도를 갖는다.

Claims (9)

1분자당 2개 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖는 직쇄 오가노폴리실록산(A),
화학식 RSiO3/2의 실록산 단위(여기서, R은 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이다)를 갖는 분지쇄 오가노폴리실록산(B)(여기서, 성분(B)는 1분자당 하나 이상의 규소 결합된 알케닐 그룹과 하나 이상의 규소 결합된 아릴 그룹을 갖고, 성분(A)의 중량을 기준으로 하여, 1/99 내지 99/1의 중량비로 사용된다),
1분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산(C)(여기서, 성분(C)는, 성분(A)와 성분(B)의 총 중량 100중량부를 기준으로 하여, 1 내지 200중량부의 양으로 사용된다) 및
조성물의 경화를 촉진시키기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매(D)를 포함하는 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항에 있어서, 성분(A)가, 성분(A) 중의 모든 규소 결합된 유기 그룹을 기준으로 하여, 40몰% 이상의 규소 결합된 아릴 그룹 함량을 갖는 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항에 있어서, 성분(A)가 화학식 1의 오가노폴리실록산인 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
화학식 1
위의 화학식 1에서,
R1은 각각 동일하거나 상이하고 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹을 포함하고,
2개 이상의 R1은 알케닐 그룹을 포함하며,
하나 이상의 R1은 아릴 그룹을 포함하고,
n은 5 내지 1000의 정수이다.
제1항에 있어서, 성분(B)가 화학식 (R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3Si1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e의 평균 단위(여기서, R2는 각각 동일하거나 상이하고 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹이며, 모든 R2 중의 0.1 내지 40몰%는 알케닐 그룹이고, 모든 R2 중의 10몰% 이상은 아릴 그룹이며, X는 수소원자 또는 알킬 그룹이고, a는 양의 수이며, b는 0 또는 양의 수이고, c는 0 또는 양의 수이며, d는 0 또는 양의 수이고, e는 0 또는 양의 수이며, b/a는 0 내지 10이고, c/a는 0 내지 0.5이며, d/(a + b + c + d)는 0 내지 0.3이고, e/(a + b + c + d)는 0 내지 0.4이다)를 갖는 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항에 있어서, 성분(C)의 전부 또는 일부가 화학식 (R3SiO3/2)f(R3 2SiO2/2)g(R3 3SiO1/2)h(SiO4/2)i(X'O1/2)j의 평균 단위(여기서, R3은 각각 동일하거나 상이한 알케닐 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹 또는 수소원자이고, 모든 R3 중의 0.1 내지 40몰%는 수소원자이고, 모든 R3 중의 10몰% 이상은 아릴 그룹이며, X'는 수소원자 또는 알킬 그룹이고, f는 양의 수이며, g는 0 또는 양의 수이고, h는 0 또는 양의 수이며, i는 0 또는 양의 수이고, j는 0 또는 양의 수이며, g/f는 0 내지 10이고, h/f는 0 내지 0.5이며, i/(f + g + h + i)는 0 내지 0.3이고, j/(f + g + h + i)는 0 내지 0.4이다)를 갖는 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항에 있어서, 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 경화시켜 수득한 경화체를 통과하는 파장 589nm의 가시 광선에서 25℃에서의 굴절률이 1.5 이상인 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항에 있어서, 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 경화시켜 수득한 경화체를 통한 25℃에서의 광 투과율이 80% 이상인 경화성 오가노폴리실록산 조성물.
제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 경화성 오가노폴리실록산으로 제조한 경화 피복물로 피복된 반도체 장치.
제8항에 있어서, 발광 소자를 포함하는 반도체 장치.
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