KR20160076850A - 실록산 중합체 및 이를 포함하는 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실록산 중합체 및 상기 실록산 중합체를 포함하며 발광 소자의 봉지재 또는 렌즈로 유용한 수지 조성물에 관한 것이다.

Description

실록산 중합체 및 이를 포함하는 수지 조성물{SILOXANE POLYMER AND RESIN COMPOSITION COMPRISING THE SAME}
본 발명은 트리시클로헵탄을 포함하는 실록산 중합체 및 상기 실록산 중합체를 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED), 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 등과 같은 발광 소자는 가전 제품, 조명 장치, 표시 장치 및 자동화 기기 등 다양한 분야에 적용되고 있다. 이러한 발광 소자는 발광체를 사용하여 청색, 적색 및 녹색과 같은 색을 나타내거나, 서로 다른 색을 표시하는 발광체를 조합하여 백색을 나타내기도 한다.
이와 같은 발광 소자는 내부의 칩 및 발광체를 보호함과 동시에 발광체로부터 방출된 빛을 외부로 전달하기 위해 투명한 봉지재로 밀봉(encapsulation)된다. 상기 봉지재는 빛이 통과하는 위치에 존재하므로 고굴절성, 고투명성, 내구성 및 내열성 등의 특성이 요구된다.
이러한 봉지재의 특성을 충족하기 위해 종래에는 치환기로 페닐기가 도입된 중합체를 적용한 봉지재에 관한 기술이 제안된 바 있다(하기 특허문헌 참조). 그러나 페닐기가 도입된 중합체를 적용한 봉지재는 장시간 사용 시 높은 열과 자외선에 의해 황변 현상이 일어나며, 고굴절성을 얻는데도 한계가 있었다.
따라서 봉지재에서 요구되는 우수한 기계적 강도를 제공할 뿐만 아니라, 우수한 광학적 투명성, 고굴절성 및 내열성을 나타내는 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허공보 제2005-0072123호
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 기계적 강도, 투명성, 굴절성 및 내열성 등이 우수한 수지 조성물 및 상기 수지 조성물에 포함되는 실록산 중합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a); 화학식 2로 표시되는 단위체(b); 및 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)와, H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)중 어느 하나를 포함하는 실록산 중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 1 및 2에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 트리사이클로헵탄(tricycle[2.2.1.02,6]heptane), 아다만탄(adamantine), 노보난(norbornane), 노보넨(norbornene), C2~C6의 알케닐기(alkenyl) 및 C6~C20의 아릴기(Aryl)으로 이루어진 군에서 선택되고,
n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다.
또한 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)를 포함하는 제1 실록산 중합체; 및 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)를 포함하는 제2 실록산 중합체를 포함하는 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 수지 조성물은 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 단위체를 포함하는 실록산 중합체를 포함하기 때문에 본 발명의 수지 조성물을 발광 소자의 봉지재로 적용할 경우 봉지재의 기계적 강도, 투명성, 굴절성 및 내열성 등의 물성을 향상시킬 수 있으며, 이로 인해 광 추출효율이 우수한 발광 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 설명한다.
<실록산 중합체>
본 발명의 실록산 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a) 및 하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b)에 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c), 또는 H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)를 선택적으로 포함한다. 즉, 본 발명은 분자 내에 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)를 포함하는 제1 실록산 중합체(A), 또는 분자 내에 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)를 포함하는 제2 실록산 중합체(B)를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00003
[화학식 2]
Figure pat00004
상기 화학식 1 및 2에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 트리사이클로헵탄(tricycle[2.2.1.02,6]heptane), 아다만탄(adamantine), 노보난(norbornane), 노보넨(norbornene), C2~C6의 알케닐기(alkenyl) 및 C6~C20의 아릴기(Aryl)으로 이루어진 군에서 선택되고,
n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다(구체적으로 n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수이다).
상기 화학식 1 및 2에서, R1 및 R2로 정의된 알케닐기(alkenyl)는 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 6의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미하는 것으로, 비닐기(vinyl), 알릴기(allyl), 이소프로펜일기(isopropenyl), 2-부텐일기(2-butenyl) 등을 들 수 있다. 또 아릴기(aryl)는 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하는 것으로, 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 안트릴기 등을 들 수 있다.
이러한 본 발명의 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a) 및 상기 화학식 2로 표시되는 단위체(b)를 포함하기 때문에 이를 포함하는 수지 조성물은 굴절성, 투명성 및 내열성 등이 우수하다.
구체적으로 상기 화학식 1 및 2로 표시되는 단위체는 굴절성이 우수한 트리시클로헵탄을 포함하기 때문에 이들로 이루어진 본 발명의 실록산 중합체가 적용된 수지 조성물은 종래의 페닐기를 포함하는 중합체가 적용된 수지 조성물에 비해 낮은 파장의 자외선을 흡수하지 않아 높은 투과율을 나타내며, 내열성이 우수하고, 자외선에 의한 황변현상도 최소화될 수 있다.
이러한 본 발명의 실록산 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 한정되지 않으나, 200 내지 200,000인 것이 바람직하고, 500 내지 100,000인 것이 더욱 바람직하다.
한편 본 발명의 화학식 1로 표시되는 단위체(a)를 합성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 할로 실란, 하기 화학식 4로 표시되는 트리시클로헵탄할라이드 및 마그네슘 금속을 반응시키는 그리냐드(Grignard) 유기 합성을 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00005
상기 화학식 3에서,
R3은 수소, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 트리사이클로헵탄(tricycle[2.2.1.02,6]heptane), 아다만탄(adamantine), 노보난(norbornane), 노보넨(norbornene), C2~C6의 알케닐기(alkenyl) 및 C6~C20의 아릴기(Aryl)로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 할로겐기(바람직하게는, 염소, 또는 브롬)이다.
[화학식 4]
Figure pat00006
상기 화학식 4에서,
X3는 할로겐기(바람직하게는, 염소 또는 브롬)이다.
상기 마그네슘 금속으로는 액체와의 화학 반응이 용이한 유형인 쉐이빙(shaving), 칩(chip), 또는 임의의 기타 물리적 유형으로 미분된 마그네슘 금속을 사용할 수 있다.
상기 그리냐드 유기 합성을 수행하는데 사용되는 반응기는 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 회분형, 반회분형, 또는 연속형 등을 들 수 있으며, 반응은 비활성 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하다.
한편 상기 그리냐드 유기 합성에는 마그네슘 금속과 함께 중합개시제가 더 사용될 수 있는데, 이때 중합개시제는 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 팔라듐 화합물(염화팔라듐, 팔라듐-포스핀 착물), 또는 니켈 화합물(염화니켈) 등을 들 수 있다.
또한 그리냐드 유기 합성에 사용되는 유기 용매도 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 THF, 또는 디에틸에테르 등을 들 수 있다.
본 발명의 화학식 2로 표시되는 단위체(b)를 합성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 상기 화학식 3으로 표시되는 유기 할로 실란, 상기 화학식 4로 표시되는 트리시클로헵탄할라이드, 하기 화학식 5로 표시되는 노보난다이할라이드 및 마그네슘 금속을 반응시키는 그리냐드(Grignard) 유기 합성을 들 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00007
상기 화학식 5에서,
X4 및 X5는 각각 독립적으로 할로겐기(바람직하게는, 염소, 또는 브롬)이다.
그 외 반응조건은 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a)를 합성하는 방법과 동일하게 적용되므로 생략하기로 한다.
<수지 조성물>
본 발명은 상기 실록산 중합체를 포함함에 따라 기계적 강도, 굴절성, 투명성 및 내열성 등이 우수한 수지 조성물을 제공하는데, 이에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)를 포함하는 제1 실록산 중합체(A)와, 상기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)를 포함하는 제2 실록산 중합체(B)를 포함한다.
상기 제1 실록산 중합체(A)에 포함되는 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(a)의 구조는 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로, 클로로메틸비닐실란(chloromethylvinylsilane), 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane), 디클로로비닐실란(dichlorovinylsilane), 디클로로디비닐실란(dichlorodivinylsilane), 디클로로페닐비닐실란(dichlorophenylvinylsilane), 디페닐클로로비닐실란(diphenylchlorovinylsilane) 등을 들 수 있다.
또한 상기 제2 실록산 중합체(B)에 포함되는 H-Si 결합을 포함하는 단위체(b)의 구조도 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로, 메틸클로로실란(methylchlorosilane), 메틸디클로실란(methyldichlorosilane), 디메틸클로로실란(dimethylchlorosilane), 디클로로비닐실란(dichlorovinylsilane), 디페닐클로로실란(diphenylchlorosilane), 디클로로페닐실란(dichlorophenylsilane), 클로로페닐실란(chlorophenylsilane), 클로로메틸페닐실란(chloromethylphenylsilane) 등을 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 포함되는 제1 실록산 중합체(A)와 제2 실록산 중합체(B)의 혼합비(제1 실록산 중합체의 중량/제2 실록산 중합체의 중량)은 특별히 한정되지 않으나, 수지 조성물의 물성을 고려할 때, 0.05 내지 20인 것이 바람직하며, 0.1 내지 10인 것이 더욱 바람직하다.
또한 본 발명의 수지 조성물 제조 시, 제1 실록산 중합체(A)과 제2 실록산 중합체(B)에 각각 포함된(분자 내에 존재하는) 수소(x)와 비닐기(y)의 몰비(x/y)도 특별히 한정되지 않으나, 수지 조성물의 경화성, 강도 및 내구성 등을 고려할 때 0.05 내지 2인 것이 바람직하다.
한편 본 발명의 수지 조성물은 제1 실록산 중합체와 제2 실록산 중합체의 반응(구체적으로, 수소와 비닐기의 반응)을 촉진시키기 위해 촉매 화합물을 더 포함할 수 있다. 이때, 촉매 화합물은 백금, 로듐, 팔라듐, 루테늄 및 이리듐으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 것이 바람직하며, 그 중에서도 백금을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
이러한 촉매 화합물이 수지 조성물에 포함되는 함량은 특별히 한정되지 않으나, 수지 조성물의 강도 및 투명성 등을 고려할 때, 제1 실록산 중합체(A), 또는 제2 실록산 중합체(B)에 포함된 수소와 비닐기의 몰수 중 가장 작은 몰수를 기준으로 0.0001 내지 0.1 당량인 것이 바람직하다.
이외에도 본 발명의 수지 조성물은 무기형광체, 노화방지제, 라디칼금지제, 자외선흡수제, 접착성 개량제, 난연제, 계면활성제, 보존안전성 개량제, 오존열화방지제, 광안정제, 증점제, 가소제. 커플링제, 산화방지제, 열안정제, 도전성 부여제, 대전방지제, 방사선차단제, 핵제, 인계과산화물 분해제, 윤활제, 안료, 금속 불활성제 및 물성조정제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
이러한 본 발명의 수지 조성물은 경화될 경우 굴절성, 투명성 및 내열성 등이 우수하기 때문에 발광 소자의 봉지재 또는 렌즈로 유용하게 적용될 수 있다.
여기서 본 발명의 수지 조성물을 경화하는 조건은 특별히 한정되지 않으나, 경화물의 물성을 고려할 때, 30 내지 250℃(구체적으로는 80 내지 200℃)의 온도에서 1 내지 24시간(구체적으로는, 1 내지 5시간) 동안 경화시키는 것이 바람직하다.
<발광 소자>
본 발명은 상기 수지 조성물이 경화된 경화물을 포함하는 발광 소자를 제공한다. 이러한 본 발명의 발광 소자는 특별히 한정되지 않으나, 발광 다이오드, 또는 유기 발광 다이오드 등을 들 수 있다. 한편 본 발명의 발광 소자에 포함된 상기 경화물은 발광 소자에 포함된 봉지재 또는 렌즈인 것이 바람직하다.
여기서 상기 경화물은 상기 수지 조성물로 경화되었기 때문에 1.55 이상(구체적으로, 1.57 내지 1.63)의 높은 굴절율을 나타낼 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[준비예 1] 하기 화학식 6로 표시되는 단위체(a)(디클로디시클로헵틸실란)의 합성
[화학식 6]
Figure pat00008
교반기, 온도조절장치, 질소가스 주입장치, 냉각기가 설치된 반응기에 2.0 당량의 활성화된 마그네슘(Mg)과, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)을 넣고 교반한 후, 2.0 당량의 3-브로모트리시클로헵탄(3-bromotricycloheptane)을 넣고 가열하여 그리냐르 시약을 제조하였다. 제조된 그리냐르 시약을 2시간 동안 가열한 후 온도를 상온으로 내리고 1.0 당량의 실리콘테트라클로라이드(silicon tetrachloride)를 투입하여 10시간 동안 가열하였다. 다음 얻어진 반응물을 증류한 후 헥산을 넣고 여과하여 생성된 염을 제거하고 용매를 증류한 후 염이 완전히 제거될 때까지 헥산의 투입과 여과를 반복하여 화학식 6으로 표시되는 단위체(a)(디클로로디트리시클로헵틸실란)을 합성하였다.
[준비예 2] 하기 화학식 7로 표시되는 단위체(b)의 합성
[화학식 7]
Figure pat00009
교반기, 온도조절장치, 질소가스 주입장치, 냉각기가 설치된 반응기에 4.0 당량의 활성화된 마그네슘(Mg)과, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)을 넣고 교반한 후, 2.0 당량의 2,5-디브로모노보난(2,5-dibromonorbornane) 및 2.0 당량의 3-브로모트리시클로헵탄(3-bromotricycloheptane)을 넣고 가열하여 그리냐르 시약을 제조하였다. 제조된 그리냐르 시약을 2시간 동안 가열한 후 온도를 상온으로 내리고 1.0 당량의 실리콘테트라클로라이드(silicon tetrachloride)를 투입하여 10시간 동안 가열하였다. 다음 얻어진 반응물을 증류한 후 헥산을 넣고 여과하여 생성된 염을 제거하고 용매를 증류한 후 염이 완전히 제거될 때까지 헥산의 투입과 여과를 반복하여 화학식 7로 표시되는 단위체(b)를 합성하였다.
1H NMR(400MHz, CDCl3): δ 0.02(s, 300H), 1.5~1.6(m, 56H), 2.5(m, 14H), 4.8(d, 1H), 6.0(d, 2H); Mw: 23,400; PDI = 1.2
[실시예 1] 제1 실록산 중합체 제조
물과 톨루엔을 1:1의 질량비로 혼합하고 상기 화학식 6으로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 7로 표시되는 단위체(b), 디클로로메틸페닐실란(dichlomethylphenylsilane), 트리클로로노보닐실란(dichloromethylsilane), 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane)을 각각 1 : 1 : 2 : 2 : 1의 몰 비율로 혼합한 후 10시간 동안 가열하여 축합반응을 진행한 후 상온으로 냉각하였다. 다음 반응물에 클로로트리메틸실란(chlorotrimethylsilane)을 0.2 mol% 넣고 2시간 동안 가열한 후, 상온으로 냉각시키고, 에테르(ether)와 물로 work-up하여 제1 실록산 중합체를 제조하였다.
1H NMR(400MHz, CDCl3): δ 0.02(s, 300H), 1.5~1.6(m, 56H), 2.5(m, 14H), 4.8(d, 1H), 6.0(d, 2H); Mw: 71,100; PDI = 1.4
[실시예 2] 제2 실록산 중합체 제조
물과 톨루엔을 1:1의 질량비로 혼합하고 상기 화학식 6으로 표시되는 단위체(a), 상기 화학식 7로 표시되는 단위체(b), 디클로로메틸페닐실란(dichlomethylphenylsilane), 디클로로메틸실란(dichloromethylsilane)을 각각 1 : 1 : 2 : 1의 몰 비율로 혼합한 후 10시간 동안 가열하여 축합반응을 진행한 후 상온으로 냉각하였다. 다음 반응물에 클로로트리메틸실란(chlorotrimethylsilane)을 0.2 mol% 넣고 2시간 동안 가열한 후, 상온으로 냉각시키고, 에테르(ether)와 물로 work-up하여 제2 실록산 중합체를 제조하였다.
1H NMR(400MHz, CDCl3): δ 0.02(s, 300H), 1.5~1.6(m, 56H), 2.5(m, 14H), 4.8(d, 1H), 6.0(d, 2H); Mw: 71,100; PDI = 1.4
[제조예 1] 경화물 제조
실시예 1에서 제조된 제1 실록산 중합체와 실시예 2에서 제조된 제2 실록산 중합체를 1 : 1의 몰비로 혼합한 뒤 염화 백금산 10ppm을 넣고 교반하여 수지 조성물을 제조하였다. 제조된 수지 조성물을 테스트용 시편 제작 몰드에 넣고 150℃에서 1시간 동안 경화시켜 경화물을 제조하였다.
[비교예 1]
물과 톨루엔을 1:1의 질량비로 혼합하고 디클로로디페닐실란(dichlorodiphenylsilane), 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane), 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane)을 각각 2 : 2 : 1의 몰비로 혼합한 후 10시간 동안 가열하여 축합반응을 진행한 후 상온으로 냉각하였다. 다음, 반응물에 클로로메틸실란(chloromethylsilane)을 0.2 mol% 넣고 2시간 동안 가열한 후, 상온으로 냉각시키고 에테르(ether)와 물로 work-up하여 중합체를 제조하였다.
1H NMR(400MHz, CDCl3): δ 0.02(s, 27H), 4.8(d, 1H), 6.0(d, 2H), 7.2(m, 20H)
Mw: 49,500
[비교예 2]
물과 톨루엔을 1:1의 질량비로 혼합하고 디클로로메틸페닐실란(dichloromethylphenylsilane), 디클로로메틸실란(dichloromethylvinylsilane)을 각각 2 : 1의 몰비로 혼합한 후 10시간 동안 가열하여 축합반응을 진행한 후 상온으로 냉각하였다. 다음 반응물에 클로로메틸실란(chloromethylsilane)을 0.2 mol% 넣고, 2시간 동안 가열한 후, 상온으로 냉각시키고, 에테르(ether)와 물로 work-up하여 중합체를 제조하였다.
1H NMR(400MHz, CDCl3): δ 0.02(s, 10H), 4.8(d, 1H), 7.2(m, 10H)
Mw: 7,200
[비교제조예 1] 경화물 제조
비교예 1에서 제조된 중합체와 비교예 2에서 제조된 중합체를 1 : 1의 몰비로 혼합한 뒤 염화 백금산 10ppm을 넣고 교반하여 수지 조성물을 제조하였다. 제조된 수지 조성물을 테스트용 시편 제작 몰드에 넣고 150℃에서 1시간 동안 경화시켜 경화물을 제조하였다.
[실험예 1] 경화물의 물성 평가
상기 제조예 1 및 비교제조예 1에서 제조된 경화물의 물성을 하기와 같은 방법으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
1. 경도: 일본 Kobonshi사의 Shore 경도계를 이용하여 측정하였다.
2. 굴절률: 25℃ 및 589nm에서 아베(Abbe)굴절계로 측정하였다.
3. 투명성(투과도): 두께 1mm 경화물의 400~750nm 영역의 투과도를 UV 분광기를 이용하여 측정하였다.
4. 내열성: 경화물를 250℃ 오븐에서 100시간 동안 방치한 후 투과도를 측정하였다.
제조예 1 비교제조예 1
경도 (Shore D) 65 43
굴절률 1.59 1.50
투과도 (%) 99.8% 99.5%
내열성 99.9% 92.8%
상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 수지 조성물로 제조된 경화물(제조예 1)은 경도, 굴절률, 투과도 및 내열성이 우수한 것을 확인할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a);
    하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b); 및
    C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)와, H-Si 결합을 포함하는 단위체(d) 중 어느 하나를 포함하는 실록산 중합체.
    [화학식 1]
    Figure pat00010

    [화학식 2]
    Figure pat00011

    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 트리사이클로헵탄(tricycle[2.2.1.02,6]heptane), 아다만탄(adamantine), 노보난(norbornane), 노보넨(norbornene), C2~C6의 알케닐기(alkenyl) 및 C6~C20의 아릴기(Aryl)으로 이루어진 군에서 선택되고,
    n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    중량 평균 분자량(Mw)이 200 내지 200,000인 실록산 중합체.
  3. 하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 C2~C6의 알케닐렌기를 포함하는 단위체(c)를 포함하는 제1 실록산 중합체; 및
    하기 화학식 1로 표시되는 단위체(a), 하기 화학식 2로 표시되는 단위체(b) 및 H-Si 결합을 포함하는 단위체(d)를 포함하는 제2 실록산 중합체를 포함하는 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00012

    [화학식 2]
    Figure pat00013

    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 트리사이클로헵탄(tricycle[2.2.1.02,6]heptane), 아다만탄(adamantine), 노보난(norbornane), 노보넨(norbornene), C2~C6의 알케닐기(alkenyl) 및 C6~C20의 아릴기(Aryl)으로 이루어진 군에서 선택되고,
    n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 실록산 중합체와 상기 제2 실록산 중합체의 혼합비(제1 실록산 중합체의 중량/제2 실록산 중합체의 중량)가 0.05 내지 20인 수지 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 실록산 중합체와 상기 제2 실록산 중합체 각각에 포함된 수소(x)와 비닐기(y)의 비율(x/y)이 0.5 내지 2인 수지 조성물.
  6. 제3항에 있어서,
    백금, 로듐, 팔라듐, 루테늄 및 이리듐으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 촉매 화합물을 더 포함하는 수지 조성물.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항의 수지 조성물이 경화된 경화물을 포함하는 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 경화물의 굴절률이 1.55 이상인 발광 소자.
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