TWI329660B - Curable organopolysiloxane composition and a semiconductor device made with the use of this composition - Google Patents
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Description
1329660 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種可固化之有機聚石 m 组合物及使用 該組合物的半導體裝置。更特定言之,本發明係關於一種 適合用於形成具高折射絲、高透光係數改良強度及改 良的抗到性的經固化物件之可固化有機㈣氧隸合物。 本發明亦特定地相關於一種半導體裝置,其具有高可靠度 且係以前述經固化物件塗覆之。 【先前技術】 可固化有機聚石夕氧烧組合物及可固化環氧樹脂組合物被 用做半導體裝置如織合器、發光二極體、固態影像裝置 等的半導體元件的保護、塗覆及密封劑。此種可固化有機 聚矽氧烷組合物及可固化環氧樹脂組合物必須不會吸收亦 不會散射由半導體元件所發射或π及收的&。而i,由這些 組合物所製造的經固化物件應擁有高強度及抗刮性。 由包括具至少兩㈣鍵結稀基每分子的有機㈣氧烧、 至少兩個矽鍵結氫原子的有機聚矽氧护 K y虱坑、及氫矽烷化觸媒 的已知可固化有機聚石夕氧烧組合物所得到的經固化物件特 徵在於低機械強度及低抗刮性。隨著時間消逝,由固化該 可固化環氧樹脂組合物所得到的物件會改變其顏色及變得 較不為透光。此導致使用此種組合物所製造的半導體裝置 的可靠性減少。 【發明内容】 特徵為南折射係 本發明目的為提供一種適合用於形成 O:\87\87827DOC -6- 1329660 數、優秀透光性、高機械強度及抗到性的經固化物件之可 固化有機㈣氧烧組合物,進—步目的為提供—種以先前 所述經固化物件塗覆的高度可靠的半導體裝置。 本—發明提供—種可固化有機聚碎m合物,其包括: ()每刀子至;兩個矽鍵結烯基及至少一個矽鍵結芳基的 直鏈有機聚矽氧烷; ().、由下列通式表不的矽氧烷單元的支鏈有機聚矽氧烷 RSi03/2 ,、中R為取代或未取代的單價碳氫化合物,且成份(B)具每 刀子至少一個矽鍵結烯基及至少一個矽鍵結芳基;及成份 (B) 基於成份(A)的重量以1/99至99/1的重量比被使用; (C) 每分子至少兩個矽鍵結氫原子的有機聚矽氧烷;其中成 份(C)以1至200份重量每1〇〇份重量的成份(A)及(B)的 總重量的量被使用;及 (D) 氫矽烷化觸媒其量足以促成該組合物的固化。 本發明進一步提供一種以藉由固化可固化有機聚矽氧烷 組合物而得到的物件塗覆的半導體裝置。 【實施方式】 成份(A)包括具每分子至少兩個矽鍵結烯基及至少一個 矽鍵結芳-基的直鏈有機聚矽氧烷。包含於成份(A)的烯基可 由乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基及己烯基代表,最佳 的為乙烯基。包含於成份(A)的芳基可由苯基、曱苯基、二 曱苯基及萘基代表,最佳的為笨基。有機基,除了為矽鍵 結及可被用於成份(A)的烯基及芳基,可包括下列取代或未
O:\87\87827.DOC 1329660 取代的單價碳氫化合物基:甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、己基、庚基或類似貌基;爷基、笨乙基或類似芳烧基; :甲基、3-氯丙基、3,3,3_三氟丙基或類㈣化烷基其中, 最佳為甲基。為減少在如繞射、反射、散射等現象(其可發 生於由本發明組合物而得到的經固化物件)的作用下之光 的衰減,建議在包含於成份⑷的矽鍵結有機基中的矽鍵結 芳基的量為不少於40莫耳%,較佳為不少於45莫耳%。雖然 在成份(A)25°C的黏度方面沒有特別限制,建議黏度為㈣ 1,〇〇〇,_ mPa.s,較佳為⑽至㈣⑻此]。此是因為低 於所建議下限的成份⑷之黏度會減少經固化物件的機械 強度,然而高於所建議上限的黏度會使組合物更不易處理。 成份(A)的有機聚矽氧烷具直鏈分子結構及以下列通式 表示:
R
R R1—S 卜〇~[~Si-〇Si—r1 R1 R1
R 其中母一個R可為相同或不同的及可包括取代或未取代的 單價碳氫化合物基’如先前所提及的烧基、稀基、芳烧基 及鹵化炫i基。每分子此種化合物,至少兩個Rl需為稀灵, 且至少一個R需為务基。在上述分子式中,^為5至1 〇〇〇的 整數。 成份(B)施以機械強度及高抗刮性於由固化本發明組合 物而得到的物件。成份(B)為支鏈有機聚矽氧烷且石夕氧统以 O:\87\81827.DOC -8- 1329660 置的製造中,本發明組合物合適用做膠黏劑、黏合劑、保 護劑、塗覆劑、密封劑及充填底膠劑。特別是本發明組合 物最合適用做在高透光度條件下操作的光學半導體裝置的 半導體元件之保護、塗覆及密封劑。 以下為本發明半導體裝置的詳細敘述,本發明裝置特徵 為具以由本發明可固化有機聚矽氧烷組合物得到的經固化 本體塗覆的半導體元件。先前提及的半導體元件可包括二 極體、電晶體、閘流體、固態影像拾取元件及單晶片π或 混合ic的半導體元件。而且,先前提及的半導體裝置可包 括光學半導體裝置,如二極體、發光二極體(led)、電晶體、 閘流體、光耦合器、電荷耦合元件(CCD)、單晶片ic、混合 1C、LSI及VLSI。最合適用於本發明應用的光學半導體裝置 為發光二極體(LED’s)及光耦合器。 圖1為示出做為本發明裝置的一個實例之光耦合器的截 面視圖,且圖2為用於先前提及裝置的單一 LED的載面視 圖。圖1所示的光耦合器包括由化合物半導體本體所形成的 及由黏晶接於導線架2及由連結電線3接於另一個導線架 2(未示於該圖)的半導體元件〗。位於該半導體元件丨相對側 的光接收半導體元件4黏晶至導線架5及由連結電線6接於 另一個導-線架5(未示於該圖)。在該半導體元件間的空間以 本發明可固化有機聚矽氧烷組合物的透明經固化本體7填 充。而且,由該經固化本體7覆蓋的該半導體元件以密封樹 脂8密封》 在圖1所示的光耦合器的製造中,該半導體元件丨黏晶至 O:\87\87827.DOC -17- 1329660 導線架2 ’及接著該半導體元件1及另一個個別導線架2 (其 未示於圖1)以由金所做的連結電線3銲線連結。以類似方 式’光接收半導體元件4,其位於該半導體元件1相對側, 黏晶至導線架5,及接著該半導體元件4及另一個個別導線 架5(其未示於圖1)以由金所做的連結電線銲線連結。在半導 體元件間的空間以本發明的可固化有機聚矽氧烷組合物填 充後’該組合物以在5〇。〇至20(TC加熱而被固化,植入於該 先前提及的可固化有機聚矽氧烷組合物的透明經固化本體 7的半導體元件接著被密封於白色環氧樹脂包覆8。 另一方面,在圖2所示形式的LED包括半導體元件9 ,其 被黏晶至導線架1 〇及由連結電線丨2銲線連結至導線架丨丄。 先别提及的半導體元件9以本發明的可固化有機聚矽氧烷 組&物(其含5至15重量%的發光物質(YAG))的經固化本體 13塗覆,以經固化本體13塗覆的半導體元件9接著由植入於 透月欲封树月曰14岔封,特別是植入於本發明的可固化有機 聚矽氧烷組合物的經固化本體,但不具發光物質。 在圖2所示的LED的製造中,該半導體元件9黏晶至導線 架1 〇及接著該半導體元件9以由金所做的連結電線12銲線 連結至導線架11。該半導體元件9接著以本發明的可固化有 機聚石夕氧I组合物(其含5至15重量%的發光物質(yag))塗 覆’且該組合物以在5〇^2〇〇〇c加熱而被固化。以先前提 及的可固化有機聚矽氧烷組合物的經固化本體㈣覆的半 導體7G件9接著被密封於本發明的可固化有機聚矽氧烷組 合物’但不具發光物質。
O:\87\87827.DOC -18- 1329660 實例 本發明的可固化有機聚石夕氧烧組合物及半導體元件可參 考實際實例被進一步詳細敘述。用於實際實例的黏度值於 25°C被測量,可固化有機聚矽氧烷組合物及半導體元件的 特徵由以下所述方法測量。 經固化本體硬度 經固化本體由在熱風迴圈箱於15〇°C加熱可固化有機聚 矽氧烷組合物1小時而得到,經固化本體的硬度藉由JIS κ 6253所訂定的型式Α橡膠硬度計測量。 抗張強唐 根據JIS K 625 1具η亞鈴-形式第3號樣品形狀的經固化本 體由在熱風迴圈箱於150°C加熱可固化有機聚矽氧烷組合 物1小時而製造,經固化本體的抗張強度由JIS κ 625丨所訂 定的步驟測量。 抗刮性 可固化有機聚矽氧烷組合物被倒入鋁盤(5 5毫米直徑)以 形成1毫米厚度層,且盤申内容物由在熱風迴圈箱於 加熱1小時而固化。結果,似盤的經固化本體形成,此盤的 表面以釘子刮10次,及之後表面損壞的程度被評估。下列 指定被用_做評估標準:〇_10次後無刮傷;△_2至1〇次後有 刮傷,X -1次後有到傷《此外,樣品外觀在於熱風迴圈箱 於l5〇°C處理1〇〇小時後被觀察。 填過可固也_有機聚矽氧烷组合物及經固化太體的折射係數 於25 C通過可固化有機聚石夕氧院組合物的折射係數可由 O:\87\87827.DOC •19- 艾伯,光儀測量,測量以可見光(589奈米)進行。該可固化 有機水矽氧烷組合物接著在熱風迴圈箱於15〇。〇加熱1小時 而固化’及25°C光通過所得的經固化本體的折射係數以與 乡且合物相同的方法測量。 可固聚石夕合物及經固化太體的可艮糸透 光性 於25 C通過可固化有機聚石夕氧烧組合物(1,0毫米的光學 4長度)的可見光透光性被測量,測量以具奈米的可 見光進行。1固化有冑聚石夕氧烧組合物接著在熱風迴圈箱 於15〇°C加熱1小時而固化,且於25〇C通過經固化本體(1.〇 毫米的光學路徑長度)的透光性被測量。 聚石夕氧n且合物及經固化本體的紫外碑读 光性 ' 、 於25°c通過可固化有機聚矽氧烷组合物(1.0毫米的光學 路仫長度)的紫外線(具23〇奈米的波長)透光性由分光光度 十別量可固化有機聚石夕t烧組合物接著在熱風迴圈箱於 150°C加熱1小時而固化,且於25〇c通過經固化本體g 〇毫米 的光學路徑長度)的紫外線透光性被測量。 下列步驟被使用以評估半導體裝置的可靠性。 可靠性評.估步驄NO 1 示於囷1的光耦合器係以下列方式製造,一種Ga_Al_As 型式半導體元件1藉由導電膠黏晶至導線架2,接著該半導 體元件丨及另一個導線架2以由金所做的連結電線3彼此銲 線連結。光接收半導體元件4,其位於該半導體元件1相對 O:\87W7827.DOC -20- ^29660 側以由金所做的連結電線6銲線連結至導線架5。在電極間 的空間以可固化有機聚矽氧烷組合物填充,其接著在埶風 迴圈箱於15代加熱H、時而固化。以該先前提及的組合物 的經固化本體7塗覆的半導體元件#著被密封於白色環氧 樹脂十個光耦合器由以上所敘述方法產生,每一個光耦 2器的光產生功率在於熱風迴圈箱於15〇〇c熱處理1〇〇小時 前及後被測量,及在熱處理後由光耦合器所發展的光產生 功率之平均值以與相對於在熱處理前光產生功率(其被假 設為100)之比值計算。 性評估步驟NO 9 示於圖2的LED係以下列方式製造。一種Ga_N型式半導體 兀•件9藉由導電膠黏晶至導線架1〇,接著該半導體元件$及 導線架11以由金所做的連結電線12彼此銲線連接。該半導 體π件9以含1〇重量%的發光物質(YAG)的可固化有機聚矽 氧烷組合物塗覆,且該組合物接著在熱風迴圈箱於丨5〇。^加 熱1小時而固化。以該先前提及的組合物的經固化本體丨3塗 覆的半導體元件9接著被密封於由以上相同但不含發光物 質的有機聚矽氧烷組合物所製備的透明密封樹脂丨4。密封 由在熱風迴圈箱於15〇°C加熱1小時進行。十個此種lED由 以上所敘.述方法產生,每一個LED的光發射功率在於熱風 迴圈箱於150°C熱處理LED 100小時前及後被測量,及在熱 處理後由LED所發展的光產生功率之平均值以與相對於在 熱處理前光產生功率(其被假設為1〇〇)之比值計算。 實際膏你丨1 O:\87\87827.DOC -21 - 1329660 3,250 mPa’s黏度’可固化有機平 勿揭:t矽虱烷組合物以 合製備: 45份重量的3,· mPa讀度,分子终端以二甲基乙焊基 甲石夕炫氧基結束的直鏈甲基苯基聚石夕氧院,其在所有㈣ 結有機基中具0.20重量%含量的石夕 y鍵結乙浠基及49莫耳% 石夕鍵結苯基, 20份重量的支鏈有機聚矽氧烷甘 /礼也其具下列平均單元分子 式: (C6H5Si03/2)〇.75[(CH2=CH)(CH3)2Si01/2]0.25 具於25°C的固態’在所有石夕鍵結有機基中含扣莫耳%石夕鍵結 乙稀基及50莫耳%石夕鍵結苯基,及具參考苯乙烯的重量平 均分子量為1,600, 3 0份重$的95 0 mPa.s支鏈有機聚矽氧烷,其具下列平均 單元分子式: (C6H5Si03/2)。60[(CH3)2HSiO1/2]o 40 在所有矽鍵結基中含20莫耳%矽鍵結氫原子及33莫耳%矽 鍵結苯基,具參考笨乙烯的重量平均分子量為且其中 矽鍵結氫原子的量為丨.3莫耳每一莫耳包含於先前提及的 曱基苯基聚石夕氧烧及支鏈有機聚矽氧烷的矽鍵結乙烯基, 具1,3-二乙稀基- m3-四甲基二矽氧烷的鉑複合物其 量為以重量單位所包含金屬鉑為2 5 Ppm,及 〇_〇5份重量的2-笨基·3· 丁炔·2_醇。 該可固化有機聚矽氧烷組合物及該固化本體的特性被測 量’測量的結果被示於表1,而且光耦合器及led係使用先 O:\87\S7827.DOC -22- 1329660 前提及的有機聚矽氧烷組合物製造,表1亦包含評估所得半 導體的可靠性之結果。 對照實你丨1 4,500 mPa‘s黏度,可固化有機聚矽氧烷組合物以均勻混 合製備: 75伤重1的3,5〇〇 niPa’s黏度,分子終端以二曱基乙婦基 曱矽烷氧基結束的直鏈曱基苯基聚矽氧烷,其在所有矽鍵 結有機基中具〇.2〇重量%含量的矽鍵結乙烯基及的莫耳% 矽鍵結苯基, 17份重量的950 mPa.s黏度支鏈有機聚矽氧烷,其具下列 平均單元分子式: (C6H5Si〇3/2)〇.6〇[(CH3)2HSi01/2]0.40 在所有矽鍵結基中含20莫耳%矽鍵結氫原子及33莫耳%矽 鍵結苯基,具參考苯乙烯的重量平均分子量為^00,且其 中石夕鍵結氫原子的量為1.3莫耳每一莫耳包含於先前提及 的甲基苯基聚矽氧烷的矽鍵結乙稀基, 具1,3-二乙烯基-ΐ,ι,3,3-四曱基二矽氧烷的鉑複合物其 量為以重量單位所包含金屬鉑為2 5 ppm,及 0.05份重量的2-苯基-3-丁炔-2-醇。 該可固-化有機聚矽氧烷組合物及該固化本體的特性被測 量,測量的結果被示於表1。此外,光耦合器及LED係使用 先前提及的有機聚矽氧烷組合物製造,表1亦包含評估所得 半導體的可靠性之結果。 斜照f例2 O:\87\87827.DOC -23· 1329660 2,000 mPa.s黏度,可固化有機聚矽氧烷組合物以均勻混 合製備: 52份重量的支鍵有機聚石夕氧烷,其具下列平均單元分子 式: (C6H5Si03/2)〇.75[(CH2=CH)(CH3)2Si01/2]〇.25 具於25 C的固態,在所有石夕鍵結有機基中含2〇莫耳%石夕鍵結 乙烯基及50莫耳%矽鍵結笨基,及具參考笨乙烯的重量平 均分子量為1,600, 43份重量的950 mPa.s黏度支鏈有機聚矽氧烷,其具下列 平均單元分子式·· (C6H5Si〇3/2)o.6〇[(CH3)2HSi01/2]〇 4〇 在所有矽鍵結基中含20莫耳%矽鍵結氫原子及33莫耳%矽 鍵結苯基,具參考苯乙烯的重量平均分子量為^丨⑽且其中 矽鍵結氫原子的罝為1.3莫耳每一莫耳包含於先前提及的 甲基本基聚石夕氧烧的石夕鍵結乙稀基, 具1,3-二乙烯基-i,i,3,3-四甲基二矽氧烷的鉑複合物其 量為以重量單位所包含金屬鉑為25 ppm,及 0.05份重量的2-苯基-3-丁炔-2-醇。 該可固化有機聚矽氧烷組合物及該固化本體的特性被測 羞’測i .的結果被示於表1。此外,光耗合器及Led係使用 先前提及的有機聚矽氧烷組合物製造,表丨亦包含評估所得 半導體的可靠性之結果。 實際實例2 3’500 mpa-s黏度,可固化有機聚矽氧烷組合物以均句混
O:\87\87827.DOC -24- 合製備: 61·5份重量的3,5〇〇 mpas黏度,分子終端以二曱基乙 基甲 _ 〆 Α石夕烧氧基(具〇.2〇重量%含量的矽鍵結乙烯基及49莫耳 /〇矽鍵結苯基)結束的直鏈甲基苯基聚矽氧烷 20.3份重量的支鏈有機聚矽氧烷,其具下列平均單元分 子式: (C6H5Si〇3/2)〇.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO,/2]〇.25 具於25°C的固態,及在所有矽鍵結有機基中含2〇莫耳%矽鍵 結乙稀基及50莫耳%矽鍵結苯基,及具參考苯乙烯的重量 平均分子量為1,600, 12_8份重量的2〇mpa.s支鏈有機聚矽氧烷,其具下列平均 單元分子式: (Si〇4/2)〇.6〇[(CH3)2HSi01/2]〇.40 在所有碎鍵結基中含33莫耳%矽鍵結氫原子,使得矽鍵結 氣原子的量為1.3莫耳每一莫耳包含於先前提及的甲基笨 基聚矽氧烷及支鏈有機聚矽氧烷的矽鍵結乙烯基, 具1,3-二乙烯基·1,1,3,3-四甲基二矽氧烷的鉑複合物其 量為以重量單位所包含金屬鉑為2.5 ppm,及 0.05份重量的2-苯基-3-丁炔-2-醇。 該可固.化有機聚矽氧烷組合物及該固化本體的特性被測 量,測量的結果被示於表1。此外,光耦合器及led係使用 先前提及的有機聚矽氧烷組合物製造,表1亦包含評估所得 半導體的可靠性之結果。 表1 O:\87\87827.DOC -25· 1329660 特徵 實際實例 對照實例 1 2 1 2 可固化有機聚矽氧烷 折射係數 1.54 1.53 1.54 1.54 透光度(%) 100 31 100 100 固化本體 硬度 65 70 45 95 抗張強度(Mpa) 1.8 0.8 0.23 0.11 抗刮性 〇 〇 X 〇 折射係數 1.54 1.53 1.54 1.54 透光度(%) 100 85 97 92 UV透光度(%) 0 0 0 0 半導體可靠性 評估方法No. 1 相對光產生功率(%) 100 100 84 451 評估方法No.2 相對光產生功率(%) 100 100 72 431 O:\87\S7827.DOC -26- 1 :於150°C熱處理100小時後在所有樣品所發展的表面刮傷 工業應用性 本發明可固化有機聚矽氧烷組合物特徵在於高折射係 數、透光度及機械強度。組合物的經固化本體特徵在於好 的抗到性。此外,因本發明半導體裝置以先前提及的組合 物的經固化物件塗覆,它們具有高可靠度。 【圖式簡單說明】 第1圖為作為本發明半導體裝置的實例之光耦合器的截 面視圖。 第2圖為作為本發明半導體裝置的實例之LED的截面視 圖。 【圖式代表符號說明】 1329660 1 半導體元件 2 導線架 3 連結電線 4 半導體元件 5 導線架 6 連結電線 7 由可固化有機聚矽氧烷所製造的經固化本體 8 密封樹脂 9 半導體元件 10 導線架 11 導線架 12 連結電線 13 由可固化有機聚矽氧烷所製造的經固化本體 14 透明密封樹脂 O:\87\87827.DOC -27-
Claims (1)
132966(^_28291號專利申請案 华/月仏曰修(£)正替换,、 中文申請專利範圍替換本(98年12月) 拾、申請專利範圍: 一種可固化有機聚矽氧烷組合物,其包括: (A)每分子具至少兩個矽鍵結烯基及至少一個矽鍵結芳 基的直鏈有機聚矽氧烷; (B)支鏈有機聚矽氧烷具平均單元分子式: (R2Si〇3/2)a(R22Si02/2)b(R23Si〇1/2)c(Si〇4/2)d(x〇i/2)e 其中每一個R2為相同或不同的取代或未取代的單價碳 氫化合物基,所有r2的〇丨至扣莫耳%為烯基,所有r2的 超過10莫耳。/。為芳基,χ為氫原子或烷基,a為正數,b 為〇或正數’ c為0或正數,(1為〇或正數,6為〇或正數,“a 為。至 10,c/a 為 〇 至 0.5,d/(a+b+c+d)為 〇 至 〇 3,且 e/(a+b+c+d)為〇至〇.4 ;及成份(B)基於成份(a)的重量係 以1/99至99/1的重量比而使用之; (C)每分子具至少兩㈣鍵結氫原子的有機聚石夕氧 烧’其中成份(C)係以!至份重量每!⑽份重量的成份 (A)及(B)的總重量的量被使用;及 2. 3. ⑼氫㈣化觸媒’其量足以促成該組合物的固化。 根據申請專利範圍第1項的可固化有機聚矽氧烷組合 物其中成伤(A)具所有在成份(A)的石夕鍵結有機基中的 矽鍵結芳基的含量為不少於40莫耳%。 根據申請專利範圍第1項的可固化有機聚石夕氧烧組合 物其中成伤(a)係以通式表示的有機聚石夕氧烧: 87827-981214.doc R1
R1 i;i〜 R1 ㈣巴枯相同或不同的取代或未取代的單價 錢化合物基,至少兩個Ri包含職,至少包括 芳基,及η為5至1〇〇〇的整數。
根據申請專利範圍第i項的可固化有機聚石夕氧燒 物,其中所有或部份成份(C)具平均單元分子式: 組合 (R δΐ〇-2)^323ί〇2/2Μκ33δί〇1/2)Η(8ί〇4/2) (χ(〇ΐ 2^ 其中每-個R3可為相同或不同的婦基,取代或未取代的 早價碳氫化合物基或氫原子;所有r3_」至卿耳%為 氫原子;所有W的H)莫耳%為芳基;χ•為氫原子或炫基, f為正數’ _或正數,_或正數,i為0或正數,』為〇 或正數,g/f為 0至 i〇,h/f為 〇至 〇 5,i/(f+g+h+i)為 〇至 〇 3, 且 j/(f+g+h+i)為 〇至 〇.4。 根據申請專利範圍第!項的可固化有機聚矽氧烷组人 物’其中在25。。於具波長為589奈米的可見光中通過: 固化根據申請專利範圍第丨至4項令任一項的可固化有 機聚矽氧烷組合物而得到的物件的折射指數等於或超 過 1.5 〇 6.根據申請專利範圍第〗項的可固化有機聚矽氧烷組合 物,其中在25。(:通過由固化根據申請專利範圍第】至4項 中任一項的可固化有機聚矽氧烷組合物而得到的物件 87827-981214.doc 的透光度係數等於或超過8〇%。 種半導體裝置’其係以根據申請專利範圍第^至4項中 任—項的可固化有機聚矽氧烷所 佈。 πi造的經固化塗覆塗 根據申請專利範圍第7項的半導體襞置, 裝置包括一種光發射元件。 其中該半導體
87827-9812l4.doc
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