KR20040093017A - 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 248
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 353
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 270
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 70
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 49
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 14
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 459
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 9
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 241000894007 species Species 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N timiperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCC(N2C(NC3=CC=CC=C32)=S)CC1 YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000809 timiperone Drugs 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
Description
Claims (75)
- 소정의 공간내에 존재하는 플라즈마의 안 또는 그 부근에 설정한 소망하는 모니터 위치에 안테나 프로브를 배치하는 공정과,상기 안테나 프로브로부터 주파수 가변의 전자파를 방사하여 상기 플라즈마에 입사시키는 공정과,상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브에 반사되어 온 전자파를 수신하는 공정과,상기 입사파와 상기 반사파로부터 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 복소반사계수의 허수부를 취득하는 공정과,상기 전자파의 주파수를 스위핑(sweeping)하여 상기 복소반사계수의 허수부의 값이 제로가 되는 공진 주파수를 측정하는 공정과,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자파의 주파수를 스위핑하여, 상기 복소반사계수의 허수부의 부호가 변하는 포인트의 주파수를 상기 공진 주파수로서 산출하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 공간내에 플라즈마가 존재하지 않는 상태하에서, 상기 전자파의 주파수를 스위핑하여 상기 복소반사계수의 허수부에 대하여 제 1 주파수 특성을 취득하는 공정과,상기 공간내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서, 상기 전자파의 주파수를 스위핑하여 상기 복소반사계수의 허수부에 대하여 제 2 주파수 특성을 취득하는 공정과,상기 제 1 주파수 특성과 상기 제 2 주파수 특성으로부터 정규의 주파수 특성을 구하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 1 항에 있어서,실내에서 플라즈마가 생성되는 챔버의 측벽에 마련한 제 1 지지부와 제 2 지지부 사이에 절연관을 상기 플라즈마의 안 또는 그 부근을 통과하도록 놓고,상기 안테나 프로브로서 선단부의 심선을 노출시킨 프로브부를 갖는 동축 케이블을 상기 절연관의 한쪽의 단으로부터 관내에 삽입하여, 상기 프로브부를 상기 모니터 위치에 배치하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 모니터 위치를 바꾸기 위하여 상기 절연관에 대하여 상기 동축 케이블을 축방향으로 이동시키는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연관내의 상기 프로브부의 위치를 바꾸어, 상기 플라즈마중의 전자 밀도의 공간 분포를 구하는플라즈마 모니터링 방법.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 벽 또는 실내에 배치되는 안테나 프로브와,주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파를 상기 안테나 프로브에 보내어 상기 플라즈마를 향하여 방사시키고, 상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브를 거쳐서 반사되어 오는 반사파를 수신하여, 복소수 표시의 반사계수를 측정하는 벡터식의 반사계수 측정부와,상기 반사계수 측정부에서 취득되는 상기 복소반사계수의 허수부가 제로가 되는 공진 주파수의 측정값을 구하는 공진 주파수 측정부와,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 전자 밀도 연산부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 반사계수 측정부가, 상기 전자파의 주파수를 스위핑하여 상기 복소반사계수의 허수부에 대하여 주파수 특성을 취득하고,상기 공진 주파수 측정부가, 상기 주파수 특성에 있어서 상기 복소반사계수의 허수부의 부호가 변하는 포인트의 주파수를 상기 공진 주파수로서 산출하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 반사계수 측정부가, 상기 복소반사계수의 허수부에 대하여, 상기 챔버내에 플라즈마가 존재하지 않는 상태하에서 제 1 주파수 특성을 취득하고, 상기 챔버내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서 제 2 주파수 특성을 취득하며, 상기 제 1 주파수 특성과 상기 제 2 주파수 특성으로부터 정규의 주파수 특성을 구하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 챔버의 실내에 삽입하여 장착되는 절연관과,상기 안테나 프로브로서 선단부의 심선을 노출시킨 프로브부를 갖고, 상기절연관의 한쪽의 단으로부터 관내에 삽입되는 동축 케이블을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 절연관에 대하여 상기 동축 케이블을 축방향으로 이동시키기 위한 엑츄에이터를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 챔버의 측벽에 마련한 제 1 지지부와 제 2 지지부 사이에 상기 절연관을 걸쳐놓은플라즈마 모니터링 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 지지부의 적어도 한쪽이 관통구멍에 의해 형성되는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 절연관을 상기 관통구멍에 기밀하게 고정 부착하는 O 링을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 10 항에 있어서,일 단부가 상기 챔버의 접지 전위 부분에 접속되고, 타 단부가 상기 동축 케이블의 외부 도체와 접속하는 어스용 도체를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 어스용 도체와 상기 동축 케이블의 외부 도체가 접촉하는 위치보다도 상기 프로브부측의 위치에 상기 외부 도체를 전파하는 노이즈 신호를 전자 유도를 통하여 흡수하기 위한 전자파 흡수체를 마련하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 전자파 흡수체가, 상기 동축 케이블에 축방향을 따라 장착되는 1개 또는 복수개의 비드형 페라이트부재인플라즈마 모니터링 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연관 안에 냉각용의 가스를 흐르게 하기 위하여 상기 절연관의 타 단부에 접속된 냉각기구를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 피 처리체를 수용하는 챔버와,상기 챔버내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부와,상기 챔버내에서 상기 가스를 방전시켜 상기 피 처리체에 소망하는 처리를 실시하기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부와,상기 챔버내를 감압하여 소망하는 압력으로 유지하기 위한 배기부와,플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 벽 또는 실내에 배치되는 안테나 프로브와,플라즈마 모니터링 장치를 갖고,상기 플라즈마 모니터링 장치가,주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파를 상기 안테나 프로브에 보내어 상기 플라즈마를 향하여 방사시키고, 상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브를 거쳐서 반사되어 오는 반사파를 수신하여, 복소수 표시의 반사계수를 측정하는 벡터식의 반사파 측정부와,상기 반사파 측정부에서 취득되는 상기 복소반사계수의 허수부가 제로가 되는 공진 주파수의 측정값을 구하는 공진 주파수 측정부와,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 전자 밀도 연산부를 갖는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 모니터링 장치로부터 얻어지는 상기 전자 밀도의 측정값에 근거하여 상기 챔버내의 플라즈마 처리의 상태를 모니터링하는 모니터부를 갖는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 플라즈마 모니터링 장치로부터 얻어지는 상기 전자 밀도의 측정값이 소정의 범위내로 유지되도록, 플라즈마 처리를 좌우하는 프로세스 파라미터 중의 적어도 하나를 제어하는 프로세스 제어부를 갖는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 챔버의 클리닝 또는 부품 교환후의 프로세스 조건에 대하여, 상기 플라즈마 모니터링 장치로부터 얻어지는 상기 전자 밀도의 측정값의 경시적(經時的)인 변화의 특성에 근거하여 시즈닝(seasoning)을 완료시키는 시즈닝 제어부를 갖는플라즈마 처리장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 시즈닝 제어부가, 상기 챔버에 교체 반입되어 상기 플라즈마 처리를 받는 각각의 더미 기판에 대하여 상기 플라즈마 처리의 기간중에 시간적으로 변화하는 상기 전자 밀도의 측정값의 대표값을 구하고, 서로 전후하는 더미 기판 사이에서 상기 대표값이 실질적인 정상값으로 안정된 시점에서 시즈닝을 완료시켜, 상기 챔버에 반입하는 기판을 더미 기판으로부터 정규의 피 처리 기판으로 전환하는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 안테나 프로브를 상기 챔버의 벽에 부착하는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 챔버내에 상기 플라즈마를 생성하기 위한 전극을 마련하고, 상기 전극에 상기 안테나 프로브를 부착하는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 챔버내에 상기 피 처리체를 탑재하기 위한 탑재대를 마련하고, 상기 탑재대에 상기 안테나 프로브를 부착하는플라즈마 처리장치.
- 제 19 항에 있어서,상이한 장소에 배치되어 있는 복수의 상기 안테나 프로브 중에서 어느 하나를 선택하여 상기 반사계수측정부에 전기적으로 접속하기 위한 셀렉터 스위치를 갖는플라즈마 처리장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 셀렉터 스위치가, 상기 복수의 안테나 프로브를 시분할 방식으로 순차적으로 상기 반사계수측정부에 전기적으로 접속하는플라즈마 처리장치.
- 소정의 공간내에 존재하는 플라즈마의 안 또는 그 부근에 설정한 소망하는 모니터 위치에 안테나 프로브를 배치하는 공정과,상기 안테나 프로브로부터 주파수 가변의 전자파를 방사하여 상기 플라즈마에 입사시키는 공정과,상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브에 반사되어 온 전자파를 수신하는 공정과,상기 입사파와 상기 반사파와의 위상차를 측정하는 공정과,상기 전자파의 주파수를 스위핑하여 상기 위상차가 제로가 되는 공진 주파수를 측정하는 공정과,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 벽 또는 실내에 배치되는 안테나 프로브와,주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파를 상기 안테나 프로브에 보내어 상기 플라즈마를 향하여 방사시키고, 상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브를 거쳐서 반사되어 오는 반사파를 수신하여, 입사파와 반사파의 위상차를 측정하는 위상차 측정부와,상기 위상차 측정부에서 취득되는 상기 위상차가 제로의 값을 취하는 공진 주파수의 측정값을 구하는 공진 주파수 측정부와,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 전자 밀도 연산부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 피 처리체를 수용하는 챔버와,상기 챔버내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부와,상기 챔버내에서 상기 가스를 방전시켜 상기 피 처리체에 소망하는 처리를실시하기 위한 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부와,상기 챔버내를 감압하여 소망하는 압력으로 유지하기 위한 배기부와,플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 벽 또는 실내에 배치되는 안테나 프로브와,플라즈마 모니터링 장치를 갖고,상기 플라즈마 모니터링 장치가,주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파를 상기 안테나 프로브에 보내어 상기 플라즈마를 향하여 방사시키고, 상기 플라즈마로부터 상기 안테나 프로브를 거쳐서 반사되어 오는 반사파를 수신하여, 입사파와 반사파의 위상차를 측정하는 위상차 측정부와,상기 위상차 측정부에서 취득되는 상기 위상차가 제로의 값을 취하는 공진 주파수의 측정값을 구하는 공진 주파수 측정부와,상기 공진 주파수의 측정값에 근거하여 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 전자 밀도 연산부를 갖는플라즈마 처리장치.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 실내에 절연관을 삽입하여 부착하는 공정과,선단부의 심선을 노출시킨 프로브부를 갖는 동축 케이블을 상기 절연관의 관내에 삽입하는 공정과,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하지 않는 상태하에서, 상기 절연관내의 상기 프로브부로부터 방출되는 전자파의 반사계수에 대하여 제 1 주파수 특성을 취득하는 공정과,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서, 상기 절연관내의 상기 프로브부로부터 방출되는 전자파의 반사계수에 대하여 제 2 주파수 특성을 취득하는 공정과,상기 제 1 주파수 특성과 상기 제 2 주파수 특성으로부터 플라즈마 흡수 주파수의 측정값을 구하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하지 않는 상태하에서, 상기 동축 케이블을 상기 절연관에 대하여 축방향으로 이동시켜, 복수의 측정위치에 대하여 상기 제 1 주파수 특성을 각각 취득하고,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서, 상기 동축 케이블을 상기 절연관에 대하여 축방향으로 이동시켜, 상기 복수의 측정위치에 대하여 상기 제 2 주파수 특성을 각각 취득하고,상기 복수의 측정위치에 대하여 상기 제 1 주파수 특성과 상기 제 2 주파수 특성으로부터 플라즈마 흡수 주파수의 측정값을 구하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 33 항에 있어서,상기 프로브부를 상기 복수의 측정위치에 순차적으로 위치 정렬하고, 각 측정위치마다 상기 프로브부로부터 방출되는 상기 전자파의 반사계수에 대하여 상기 제 1 또는 제 2 주파수 특성을 취득하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 동축 케이블을 상기 절연관으로부터 끌어내는 방향으로 이동시켜, 상기 프로브부를 상기 복수의 측정위치에 순차적으로 위치 정렬하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 동축 케이블을 엑츄에이터의 직진 구동에 의해 축방향으로 이동시키는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 전자파의 반사계수에 대하여 상기 제 1 또는 제 2 주파수 특성을 취득하는 공정은, 주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파 신호를 상기 동축 케이블의 프로브부에 일정 전력으로 보내어 주위의 공간에 방출시키고, 상기 프로브부를 거쳐서 반사되어 오는 신호의 레벨로부터 각 주파수마다의 반사계수를 구하는 공정을 포함하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 32 항에 있어서,각각의 상기 측정위치에 대하여 상기 플라즈마 흡수 주파수의 측정값으로부터 상기 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는플라즈마 모니터링 방법.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 실내에 삽입하여 부착되는 절연관와,선단부의 심선을 노출시킨 프로브부를 갖고, 상기 절연관의 한쪽 단부로부터 관내에 삽입되는 동축 케이블과,상기 절연관에 대하여 상기 동축 케이블을 축방향으로 이동시키는 엑츄에이터와,주파수를 스위핑하면서, 각 주파수의 전자파 신호를 상기 동축 케이블의 프로브부에 일정 전력으로 보내어 주위의 공간에 방출시키고, 상기 프로브부를 거쳐서 반사되어 오는 신호의 레벨로부터 각 주파수마다의 반사계수를 측정하여, 반사계수의 주파수 특성을 구하는 스칼라식의 반사계수 측정부와,상기 프로브부의 위치에 의해 부여되는 소망하는 측정위치에 대하여, 상기챔버내에 플라즈마가 존재하지 않는 상태하에서 상기 반사계수 측정부로부터 얻어지는 제 1 주파수 특성과, 상기 챔버내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서 상기 반사계수 측정부로부터 얻어지는 제 2 주파수 특성으로부터 플라즈마 흡수 주파수의 측정값을 구하는 측정 연산 수단을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하지 않은 상태하에서, 상기 엑츄에이터에 의해 상기 동축 케이블을 축방향으로 이동시켜 상기 프로브부를 복수의 측정위치에 순차적으로 위치 정렬하고, 각 측정위치마다 상기 반사계수 측정부에 의해 상기 반사계수의 제 1 주파수 특성을 취득하고,상기 챔버내에 플라즈마가 존재하는 상태하에서, 상기 엑츄에이터에 의해 상기 동축 케이블을 축방향으로 이동시켜 상기 프로브부를 상기 복수의 측정위치에 순차적으로 위치 정렬하며, 각 측정위치마다 상기 반사계수 측정부에 의해 상기 반사계수의 제 2 주파수 특성을 취득하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 동축 케이블이 스테인레스 강으로 이루어지는 외부 도체를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 챔버의 측벽에 마련한 제 1 지지부와 제 2 지지부 사이에 상기 절연관을 걸쳐놓은플라즈마 모니터링 장치.
- 제 42 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 지지부의 적어도 한쪽이 관통구멍에 의해 형성되는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 43 항에 있어서,상기 절연관을 상기 관통구멍에 기밀하게 고정 부착하는 O 링을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,일 단부가 상기 챔버의 접지 전위 부분에 접속되고, 타 단부가 상기 동축 케이블의 외부 도체와 접속하는 어스용 도체를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 45 항에 있어서,상기 어스용 도체와 상기 동축 케이블의 외부 도체가 접촉하는 위치보다도 상기 프로브부측의 위치에 상기 외부 도체를 전파하는 노이즈 신호를 전자 유도를 통하여 흡수하기 위한 전자파 흡수체를 마련하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 46 항에 있어서,상기 전자파 흡수체가, 상기 동축 케이블에 축방향을 따라 장착되는 1개 또는 복수개의 비드형 페라이트부재인플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 절연관 안에 냉각용의 가스를 흐르게 하기 위해서 상기 절연관의 타 단부에 접속된 냉각기구를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 39 항에 있어서,상기 측정 연산 수단이, 각각의 상기 측정값에 대하여 상기 플라즈마 흡수 주파수의 측정값으로부터 플라즈마중의 전자 밀도를 산출하는 전자 밀도 연산 수단을 포함하는플라즈마 모니터링 장치.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 실내에 투명한 절연관을 삽입하여 부착하는 공정과,선단부에 수광면을 갖는 로드형상의 광 전송 프로브를 상기 절연관의 관내에 삽입하고, 상기 챔버내의 플라즈마에 의해 발생되는 빛을 상기 절연관을 통하여 상기 프로브의 수광면에 입사시키는 공정과,상기 프로브의 타 단면으로부터 방사된 광에 근거하여 상기 플라즈마부터의 발광을 계측하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 50 항에 있어서,상기 프로브를 상기 절연관 안에서 축방향으로 이동시키고, 축방향에 있어서의 공간 분포로서 상기 플라즈마광을 계측하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 프로브의 축방향을 상기 챔버의 직경방향에 일치시키는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 50 항에 있어서,상기 프로브를 상기 절연관과 일체로 높이 방향으로 이동시키고, 높이 방향에 있어서의 공간 분포로서 상기 플라즈마광을 계측하는플라즈마 모니터링 방법.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 측벽에 개폐 가능한 개구부를 마련하는 공정과,상기 개구부를 개방 상태로 하여, 선단부에 수광면을 갖는 로드형상의 광 전파 프로브를 감압공간의 안에서 상기 개구부로부터 상기 챔버내에 삽입하는 공정과,상기 프로브의 타 단면으로부터 방사된 광에 근거하여 상기 플라즈마로부터의 발광을 계측하는 공정을 갖는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 54 항에 있어서,상기 프로브를 상기 챔버내에서 축방향으로 이동시키고, 이동 거리에 대한 상기 플라즈마 광의 변화분을 구하고, 상기 프로브의 축방향에 있어서의 상기 챔버내의 공간 분포로서 상기 플라즈마 광을 계측하는플라즈마 모니터링 방법.
- 제 55 항에 있어서,상기 프로브의 축방향을 상기 챔버의 직경방향에 일치시키는플라즈마 모니터링 방법.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 실내에 삽입하여 부착되는 투명한 절연관와,선단부에 수광면을 갖고, 상기 절연관의 한쪽 단부로부터 관내에 삽입되는 로드형상의 광 전송 프로브와,상기 프로브의 타 단면으로부터 방사된 광에 근거하여 상기 플라즈마로부터의 발광을 계측하는 계측부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브가 석영 또는 사파이어로 이루어지는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브가, 석영 또는 사파이어로 이루어지는 코어와, 상기 코어의 주위면을 둘러싸는 클래드를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브가 차광성의 피막을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브가, 일체로 묶여진 복수개의 광 화이버와, 그들의 광 화이버 주위를 둘러싸는 내열성의 비금속부재를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 61 항에 있어서,상기 비금속부재가 폴리이미드로 이루어지는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 절연관이 석영 또는 사파이어로 이루어지는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브의 선단부에, 소망하는 방향으로부터의 상기 플라즈마 광을 반사하여 상기 프로브의 수광면에 입사시키기 위한 미러를 마련하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 64 항에 있어서,상기 미러의 반사면이 알루미늄으로 이루어지는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 64 항에 있어서,상기 프로브의 선단부에 상기 수광면과 상기 미러를 포위하는 차광부재를 부착하고, 상기 차광부재에 상기 소망하는 방향으로부터의 플라즈마 광을 상기 미러를 향하여 통과시키기 위한 창을 마련하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 66 항에 있어서,상기 프로브의 수광면의 법선이 축방향에 대하여 상기 창측으로 소정의 각도만큼 기울도록, 상기 프로브의 단부를 비스듬하게 컷트하는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 챔버의 측벽에 서로 대향하여 마련한 제 1 지지부와 제 2 지지부 사이에 상기 절연관을 실질적으로 걸쳐놓은플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브를 축방향으로 이동시키기 위한 엑츄에이터를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브의 수광면의 위치를 검출하기 위한 위치 검출 수단을 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 계측부가, 상기 프로브의 타 단면으로부터 출사된 광으로부터 소정 파장의 스펙트럼을 취출하기 위한 분광부와, 상기 분광부에 의해 출력된 상기 스펙트럼의 강도를 측정하는 스펙트럼 강도 측정부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 57 항에 있어서,상기 프로브의 타 단면으로부터 방사된 광을 소망하는 개구수로 수광하여 상기 계측부로 유도하는 다발 화이버를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 플라즈마의 생성 또는 도입이 가능한 챔버의 측벽에 마련된 개폐 가능한 개구부와,선단부에 수광면을 갖고, 감압 공간 안에서 개방 상태의 상기 개구부로부터 상기 챔버내에 삽입되는 로드형상의 광 전송 프로브와,상기 프로브의 타 단면으로부터 방사된 광에 근거하여 상기 플라즈마부터의 발광을 계측하는 계측부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 73 항에 있어서,상기 챔버의 직경방향으로 신축 가능하게 마련되고, 상기 개구부의 밖에서 상기 프로브 주위에 밀폐의 공간을 형성하는 벨로우즈와, 상기 밀폐 공간내를 감압하는 배기부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
- 제 74 항에 있어서,상기 밀폐 공간내에서 상기 프로브를 소정의 온도로 가열하기 위한 가열부를 갖는플라즈마 모니터링 장치.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003119279 | 2003-04-24 | ||
JPJP-P-2003-00119279 | 2003-04-24 | ||
JP2003123442 | 2003-04-28 | ||
JPJP-P-2003-00123442 | 2003-04-28 | ||
JP2004009100 | 2004-01-16 | ||
JPJP-P-2004-00009100 | 2004-01-16 | ||
JPJP-P-2004-00117817 | 2004-04-13 | ||
JP2004117817A JP5404984B2 (ja) | 2003-04-24 | 2004-04-13 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050125316A Division KR100586387B1 (ko) | 2003-04-24 | 2005-12-19 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040093017A true KR20040093017A (ko) | 2004-11-04 |
KR100586386B1 KR100586386B1 (ko) | 2006-06-08 |
Family
ID=33568720
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040028211A KR100586386B1 (ko) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
KR1020050125316A KR100586387B1 (ko) | 2003-04-24 | 2005-12-19 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050125316A KR100586387B1 (ko) | 2003-04-24 | 2005-12-19 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7339656B2 (ko) |
JP (1) | JP5404984B2 (ko) |
KR (2) | KR100586386B1 (ko) |
CN (3) | CN100520382C (ko) |
TW (3) | TWI458396B (ko) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN101587156A (zh) | 2009-11-25 |
CN1540323A (zh) | 2004-10-27 |
US7582182B2 (en) | 2009-09-01 |
US20070284044A1 (en) | 2007-12-13 |
JP5404984B2 (ja) | 2014-02-05 |
CN101587156B (zh) | 2011-03-09 |
TW201202685A (en) | 2012-01-16 |
US7532322B2 (en) | 2009-05-12 |
KR100586387B1 (ko) | 2006-06-08 |
TWI468669B (zh) | 2015-01-11 |
US7339656B2 (en) | 2008-03-04 |
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