JP2005228727A - プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 179
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims description 111
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 title claims description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 326
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 348
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 108
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 71
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 69
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 67
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 41
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 17
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 16
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 14
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 4
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 468
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 241000894007 species Species 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 208000032368 Device malfunction Diseases 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】 このプラズマ電子密度測定装置は、測定部54にベクトル式のネットワークアナライザ68を備える。このネットワークアナライザ68で複素数表示の反射係数を測定して、その虚数部の周波数特性を取得し、計測制御部74において複素反射係数の虚数部がゼロクロスするポイントの共振周波数を読み取って、共振周波数から電子密度の測定値を算出する。
【選択図】 図1
Description
Ne=me*ε0*(1+εr)*(2πfp/e)2
=0.012*(1+εr)*fp 2 [m-3] ‥‥‥(1)
ここで、meは電子密度、ε0は真空誘電率、εrは絶縁管の比誘電率、eは素電荷である。
Γ(Γr+jΓi)=(Zp−50)/(Zp+50)
={(R+jX)−50}/{(R+jX)+50}
={(R−50)+jX}/{(R+50)+jX} ‥‥(2)
Γ(Γr+jΓi)=(AB+X2)/(B2+X2)+j100X/(B2+X2) ‥‥(3)
ただし、A=R−50、B=R+50である。
Ne=me*ε0*(1+εr)*(2πfp/e)2
=5.96E10(fp)2[m-3] ‥‥‥(4)
ただし、meは電子密度、ε0は真空誘電率、εrは絶縁管の比誘電率、eは素電荷である。また、fpの単位はGHzであり、E10は1010を意味する。
ウエハ口径:200mm
ガス圧力:15mTorr
上部及び下部電極間距離:25mm
エッチングガス:C5F8/O2/Ar=15/380/19sccm
RF電力:上部/下部=2170/1550W
ウエハ口径:200mm
エッチングガス:C5F8/Ar/O2 混合ガス
ガス流量:C5F8/Ar/O2 =15/380/19sccm
ガス圧力:2.0〜26.6Pa(15〜200mTorr)
RF電力:上部/下部=2.17/1.55kW
設定温度:上部電極/側壁/下部電極=60/50/20゜C
下部RF電圧の振幅:1385V(2.0Pa)、1345V(4.0Pa)、1355V(10.6Pa)、1370V(16.0Pa)、1380V(26.6Pa)
ウエハ口径:200mm
エッチングガス:CF4/O2混合ガス
ガス流量:CF4/O2=40/3sccm
ガス圧力:6.7〜66.5Pa(50〜500mTorr)
RF電力:上部/下部=1.0/1.2kW
設定温度:上部電極/側壁/下部電極=60/50/20゜C
下部RF電圧の振幅:1530V(6.7Pa)、1690V(20.0Pa)、1400V(39.9Pa)、1180V(66.5Pa)
ウエハ口径:200mm
エッチングガス:N2ガス
ガス流量:300sccm
ガス圧力:53.2〜106.4Pa(400〜800mTorr)
RF電力:上部/下部=1.5/1.0kW
設定温度:上部電極/側壁/下部電極=30/50/20゜C
下部RF電圧の振幅:1015V(53.2Pa)、938V(106.4Pa)
IX=CX,λ・NX・ne・∫σX(E)・ve・fe(E)・dE ‥‥(5)
ここで、CX,λは発光種の物性値(波長、自然放出確率など)や計測システムに関する幾何学的な要素を含む係数である。また、NXは発光種の基底エネルギー状態での密度、neは電子密度、δX(E)は発光種Xの電子衝突励起断面積、veは電子の速度、fe(E)は電子エネルギー分布関数(EEDF)である。なお、式(5)の中で積分(∫)の範囲は0から無限大(∞)である。
ウエハ口径:300mm
ガス圧力:25mTorr
上部及び下部電極間距離:35mm
エッチングガス:C5F8/O2/Ar=29/750/47sccm
RF電力:上部/下部=3300/3800W
ウエハ裏面圧力(センター部/エッジ部):10/40Torr
10a 貫通孔(支持部)
16 サセプタ(下部電極)
18,38 高周波電源
20 主制御部
24 上部電極
34 処理ガス供給部
50 絶縁管
52 同軸ケーブル
52a プローブ部(アンテナプローブ)
54 測定部
56 リニアアクチエータ
58 Oリング
62 アース用導体
66 電磁波吸収体
68 ベクトルネットワークアナライザ
74 計測制御部
80 冷却ガス供給部
82 ガス管
84 反射係数測定部
90 虚数部メモリ
92 共振周波数読取部
94 電子密度演算部
100,102,104 プローブユニット
108 窓部材
114 セレクタスイッチ
120 スカラネットワークアナライザ
122 計測制御部
130 光伝送プローブ
132 計測部
134 バンドルファイバ
136 キャップ
140 ミラー
142 窓
144 採光部
146 クラッド
148 黒色塗料
150 分光器
152 光電変換部
154 計測演算部
160 シャッタ
162 穴
164 光伝送プローブ
166 ベローズ
170 排気装置
172 ヒータ
Claims (75)
- 所定の空間内に存在するプラズマの中またはその付近に設定した所望のモニタ位置にアンテナプローブを配置する工程と、
前記アンテナプローブより周波数可変の電磁波を放射して前記プラズマに入射させる工程と、
前記プラズマから前記アンテナプローブに反射してきた電磁波を受信する工程と、
前記入射波と前記反射波とから複素数表示の反射係数を測定し、その複素反射係数の虚数部を取得する工程と、
前記電磁波の周波数を掃引して前記複素反射係数の虚数部の値がゼロになる共振周波数を測定する工程と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する工程と
を有するプラズマモニタリング方法。 - 前記電磁波の周波数を掃引して、前記複素反射係数の虚数部の符号が変わるポイントの周波数を前記共振周波数として割り出す請求項1に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記空間内にプラズマが存在しない状態の下で、前記電磁波の周波数を掃引して前記複素反射係数の虚数部について第1の周波数特性を取得する工程と、
前記空間内にプラズマが存在する状態の下で、前記電磁波の周波数を掃引して前記複素反射係数の虚数部について第2の周波数特性を取得する工程と、
前記第1の周波数特性と前記第2の周波数特性とから正規の周波数特性を求める工程と
を有する請求項2に記載のプラズマモニタリング方法。 - 室内でプラズマが生成されるチャンバの側壁に設けた第1の支持部と第2の支持部との間に絶縁管を前記プラズマの中またはその付近を通過するように架け渡し、
前記アンテナプローブとして先端部の芯線を露出させたプローブ部を有する同軸ケーブルを前記絶縁管の一方の端より管内に挿入して、前記プローブ部を前記モニタ位置に配置する請求項1に記載のプラズマモニタリング方法。 - 前記モニタ位置を変えるために前記絶縁管に対して前記同軸ケーブルを軸方向に移動させる請求項4に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記絶縁管内の前記プローブ部の位置を変えて、前記プラズマ中の電子密度の空間分布を求める請求項5に記載のプラズマモニタリング方法。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの壁または室内に配置されるアンテナプローブと、
周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波を前記アンテナプローブに送って前記プラズマに向けて放射させ、前記プラズマから前記アンテナプローブを介して反射してくる反射波を受信して、複数数表示の反射係数を測定するベクトル式の反射係数測定部と、
前記反射係数測定部で取得される前記複素反射係数の虚数部がゼロになる共振周波数の測定値を求める共振周波数測定部と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する電子密度演算部と
を有するプラズマモニタリング装置。 - 前記反射係数測定部が、前記電磁波の周波数を掃引して前記複素反射係数の虚数部について周波数特性を取得し、
前記共振周波数測定部が、前記周波数特性において前記複素反射係数の虚数部の符号が変わるポイントの周波数を前記共振周波数として割り出す請求項7に記載のプラズマモニタリング装置。 - 前記反射係数測定部が、前記複素反射係数の虚数部について、前記チャンバ内にプラズマが存在しない状態の下で第1の周波数特性を取得し、前記チャンバ内にプラズマが存在する状態の下で第2の周波数特性を取得し、前記第1の周波数特性と前記第2の周波数特性とから正規の周波数特性を求める請求項8に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記チャンバの室内に挿入して取り付けられる絶縁管と、
前記アンテナプローブとして先端部の芯線を露出させたプローブ部を有し、前記絶縁管の一方の端より管内に挿入される同軸ケーブルと
を有する請求項9に記載のプラズマモニタリング装置。 - 前記絶縁管に対して前記同軸ケーブルを軸方向に移動させるためのアクチエータを有する請求項9に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記チャンバの側壁に設けた第1の支持部と第2の支持部との間に前記絶縁管を架け渡す請求項10に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記第1および第2の支持部の少なくとも一方が貫通孔によって形成される請求項12に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記絶縁管を前記貫通孔に気密に固定取付するOリングを有する請求項13に記載のプラズマモニタリング装置。
- 一端部が前記チャンバのグランド電位部分に接続され、他端部が前記同軸ケーブルの外部導体と接続するアース用導体を有する請求項10に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記アース用導体と前記同軸ケーブルの外部導体とが接触する位置よりも前記プローブ部側の位置に前記外部導体を伝播するノイズ信号を電磁誘導を通じて吸収するための電磁波吸収体を設ける請求項15に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記電磁波吸収体が、前記同軸ケーブルに軸方向に沿って装着される1個または複数個のビーズ形フェライト部材である請求項16に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記絶縁管の中に冷却用のガスを流すために前記絶縁管の他方の端に接続された冷却機構を有する請求項10に記載のプラズマモニタリング装置。
- 被処理体を収容するチャンバと、
前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内で前記ガスを放電させて前記被処理体に所望の処理を施すためのプラズマを生成するプラズマ発生部と、
前記チャンバ内を減圧して所望の圧力に維持するための排気部と、
プラズマの生成または導入の可能なチャンバの壁または室内に配置されるアンテナプローブと、
プラズマモニタリング装置と
を有し、前記プラズマモニタリング装置が、
周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波を前記アンテナプローブに送って前記プラズマに向けて放射させ、前記プラズマから前記アンテナプローブを介して反射してくる反射波を受信して、複数数表示の反射係数を測定するベクトル式の反射波測定部と、
前記反射波測定部で取得される前記複素反射係数の虚数部がゼロになる共振周波数の測定値を求める共振周波数測定部と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する電子密度演算部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記プラズマモニタリング装置より得られる前記電子密度の測定値に基づいて前記チャンバ内のプラズマ処理の状態をモニタリングするモニタ部を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマモニタリング装置より得られる前記電子密度の測定値が所定の範囲内に維持されるように、プラズマ処理を左右するプロセスパラメータの中の少なくとも1つを制御するプロセス制御部を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバのクリーニングまたは部品交換後のプロセス条件に対して、前記プラズマモニタリング装置より得られる前記電子密度の測定値の経時的な変化の特性に基づいてシーズニングを完了させるシーズニング制御部を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シーズニング制御部が、前記チャンバに入れ替わり搬入されて前記プラズマ処理を受ける各々のダミー基板について前記プラズマ処理の期間中に時間的に変化する前記電子密度の測定値の代表値を求め、相前後するダミー基板の間で前記代表値が実質的な定常値に落ち着いたところでシーズニングを完了させ、前記チャンバに搬入する基板をダミー基板から正規の被処理基板に切り換える請求項22に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナプローブを前記チャンバの壁に取り付ける請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバ内に前記プラズマを生成するための電極を設け、前記電極に前記アンテナプローブを取り付ける請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバ内に前記被処理体を載置するための載置台を設け、前記載置台に前記アンテナプローブを取り付ける請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 異なる場所に配置されている複数の前記アンテナプローブの中からいずれか1つを選択して前記反射係数測定部に電気的に接続するためのセレクタスイッチを有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記セレクタスイッチが、前記複数のアンテナプローブを時分割方式で順次前記反射係数測定部に電気的に接続する請求項27に記載のプラズマ処理装置。
- 所定の空間内に存在するプラズマの中またはその付近に設定した所望のモニタ位置にアンテナプローブを配置する工程と、
前記アンテナプローブより周波数可変の電磁波を放射して前記プラズマに入射させる工程と、
前記プラズマから前記アンテナプローブに反射してきた電磁波を受信する工程と、
前記入射波と前記反射波との位相差を測定する工程と、
前記電磁波の周波数を掃引して前記位相差がゼロになる共振周波数を測定する工程と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する工程と
を有するプラズマモニタリング方法。 - プラズマの生成または導入の可能なチャンバの壁または室内に配置されるアンテナプローブと、
周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波を前記アンテナプローブに送って前記プラズマに向けて放射させ、前記プラズマから前記アンテナプローブを介して反射してくる反射波を受信して、入射波と反射波の位相差を測定する位相差測定部と、
前記位相差測定部で取得される前記位相差がゼロの値をとる共振周波数の測定値を求める共振周波数測定部と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する電子密度演算部と
を有するプラズマモニタリング装置。 - 被処理体を収容するチャンバと、
前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内で前記ガスを放電させて前記被処理体に所望の処理を施すためのプラズマを生成するプラズマ発生部と、
前記チャンバ内を減圧して所望の圧力に維持するための排気部と、
プラズマの生成または導入の可能なチャンバの壁または室内に配置されるアンテナプローブと、
プラズマモニタリング装置と
を有し、前記プラズマモニタリング装置が、
周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波を前記アンテナプローブに送って前記プラズマに向けて放射させ、前記プラズマから前記アンテナプローブを介して反射してくる反射波を受信して、入射波と反射波の位相差を測定する位相差測定部と、
前記位相差測定部で取得される前記位相差がゼロの値をとる共振周波数の測定値を求める共振周波数測定部と、
前記共振周波数の測定値に基づいて前記プラズマ中の電子密度を算出する電子密度演算部と
を有するプラズマ処理装置。 - プラズマの生成または導入の可能なチャンバの室内に絶縁管を挿入して取り付ける工程と、
先端部の芯線を露出させたプローブ部を有する同軸ケーブルを前記絶縁管の管内に挿入する工程と、
前記チャンバ内にプラズマが存在しない状態の下で、前記絶縁管内の前記プローブ部より放出される電磁波の反射係数について第1の周波数特性を取得する工程と、
前記チャンバ内にプラズマが存在する状態の下で、前記絶縁管内の前記プローブ部より放出される電磁波の反射係数について第2の周波数特性を取得する工程と、
前記第1の周波数特性と前記第2の周波数特性とからプラズマ吸収周波数の測定値を求める工程と
を有するプラズマモニタリング方法。 - 前記チャンバ内にプラズマが存在しない状態の下で、前記同軸ケーブルを前記絶縁管に対して軸方向に移動させて、複数の測定位置について前記第1の周波数特性をそれぞれ取得し、
前記チャンバ内にプラズマが存在する状態の下で、前記同軸ケーブルを前記絶縁管に対して軸方向に移動させて、前記複数の測定位置について前記第2の周波数特性をそれぞれ取得し、
前記複数の測定位置について前記第1の周波数特性と前記第2の周波数特性とからプラズマ吸収周波数の測定値を求める請求項32に記載のプラズマモニタリング方法。 - 前記プローブ部を前記複数の測定位置に順次位置合わせし、各測定位置毎に前記プローブ部より放出される前記電磁波の反射係数について前記第1または第2の周波数特性を取得する請求項33に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記同軸ケーブルを前記絶縁管から引き抜く方向に移動させて、前記プローブ部を前記複数の測定位置に順次位置合わせする請求項34に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記同軸ケーブルをアクチエータの直進駆動によって軸方向に移動させる請求項32に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記電磁波の反射係数について前記第1または第2の周波数特性を取得する工程は、周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波信号を前記同軸ケーブルのプローブ部に一定電力で送って周囲の空間に放出させ、前記プローブ部を介して反射してくる信号のレベルから各周波数毎の反射係数を求める工程を含む請求項32に記載のプラズマモニタリング方法。
- 各々の前記測定位置について前記プラズマ吸収周波数の測定値から前記プラズマ中の電子密度を算出する請求項32に記載のプラズマモニタリング方法。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの室内に挿入して取り付けられる絶縁管と、
先端部の芯線を露出させたプローブ部を有し、前記絶縁管の一方の端より管内に挿入される同軸ケーブルと、
前記絶縁管に対して前記同軸ケーブルを軸方向に移動させるアクチエータと、
周波数を掃引しながら、各周波数の電磁波信号を前記同軸ケーブルのプローブ部に一定電力で送って周囲の空間に放出させ、前記プローブ部を介して反射してくる信号のレベルから各周波数毎の反射係数を測定して、反射係数の周波数特性を求めるスカラー式の反射係数測定部と、
前記プローブ部の位置によって与えられる所望の測定位置について、前記チャンバ内にプラズマが存在しない状態の下で前記反射係数測定部より得られる第1の周波数特性と、前記チャンバ内にプラズマが存在する状態の下で前記反射係数測定部より得られる第2の周波数特性とからプラズマ吸収周波数の測定値を求める測定演算手段と
を有するプラズマモニタリング装置。 - 前記チャンバ内にプラズマが存在しない状態の下で、前記アクチエータにより前記同軸ケーブルを軸方向に移動させて前記プローブ部を複数の測定位置に順次位置合わせし、各測定位置毎に前記反射係数測定部により前記反射係数の第1の周波数特性を取得し、
前記チャンバ内にプラズマが存在する状態の下で、前記アクチエータにより前記同軸ケーブルを軸方向に移動させて前記プローブ部を前記複数の測定位置に順次位置合わせし、各測定位置毎に前記反射係数測定部により前記反射係数の第2の周波数特性を取得する請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。 - 前記同軸ケーブルがステンレス鋼からなる外部導体を有する請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記チャンバの側壁に設けた第1の支持部と第2の支持部との間に前記絶縁管を架け渡す請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記第1および第2の支持部の少なくとも一方が貫通孔によって形成される請求項42に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記絶縁管を前記貫通孔に気密に固定取付するOリングを有する請求項43に記載のプラズマモニタリング装置。
- 一端部が前記チャンバのグランド電位部分に接続され、他端部が前記同軸ケーブルの外部導体と接続するアース用導体を有する請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記アース用導体と前記同軸ケーブルの外部導体とが接触する位置よりも前記プローブ部側の位置に前記外部導体を伝播するノイズ信号を電磁誘導を通じて吸収するための電磁波吸収体を設ける請求項45に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記電磁波吸収体が、前記同軸ケーブルに軸方向に沿って装着される1個または複数個のビーズ形フェライト部材である請求項46に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記絶縁管の中に冷却用のガスを流すために前記絶縁管の他方の端に接続された冷却機構を有する請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記測定演算手段が、各々の前記測定値について前記プラズマ吸収周波数の測定値からプラズマ中の電子密度を算出する電子密度演算手段を含む請求項39に記載のプラズマモニタリング装置。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの室内に透明な絶縁管を挿入して取り付ける工程と、
先端に受光面を有するロッド状の光伝送プローブを前記絶縁管の管内に挿入し、前記チャンバ内のプラズマより発せられる光を前記絶縁管を通して前記プローブの受光面に入射させる工程と、
前記プローブの他端面より放射された光に基づいて前記プラズマからの発光を計測する工程と
を有するプラズマモニタリング方法。 - 前記プローブを前記絶縁管の中で軸方向に移動させ、軸方向における空間分布として前記プラズマ光を計測する請求項50に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記プローブの軸方向を前記チャンバの径方向に一致させる請求項51に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記プローブを前記絶縁管と一体に高さ方向に移動させ、高さ方向における空間分布として前記プラズマ光を計測する請求項50に記載のプラズマモニタリング方法。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの側壁に開閉可能な開口部を設ける工程と、
前記開口部を開状態にして、先端に受光面を有するロッド状の光伝搬プローブを減圧空間の中で前記開口部より前記チャンバ内に挿入する工程と、
前記プローブの他端面より放射された光に基づいて前記プラズマからの発光を計測する工程と
を有するプラズマモニタリング方法。 - 前記プローブを前記チャンバ内で軸方向に移動させ、移動距離に対する前記プラズマ光の変化分を求め、前記プローブの軸方向における前記チャンバ内の空間分布として前記プラズマ光を計測する請求項54に記載のプラズマモニタリング方法。
- 前記プローブの軸方向を前記チャンバの径方向に一致させる請求項55に記載のプラズマモニタリング方法。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの室内に挿入して取り付けられる透明な絶縁管と、
先端に受光面を有し、前記絶縁管の一方の端より管内に挿入されるロッド状の光伝送プローブと、
前記プローブの他端面より放射された光に基づいて前記プラズマからの発光を計測する計測部と
を有するプラズマモニタリング装置。 - 前記プローブが石英またはサファイアからなる請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブが、石英またはサファイアからなるコアと、前記コアの周面を取り囲むクラッドとを有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブが遮光性の被膜を有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブが、一体に束ねられた複数本の光ファイバと、それらの光ファイバの周囲を取り囲む耐熱性の非金属部材とを有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記非金属部材がポリイミドからなる請求項61に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記絶縁管が石英またはサファイアからなる請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブの先端部に、所望の方角からの前記プラズマ光を反射して前記プローブの受光面に入射させるためのミラーを設ける請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記ミラーの反射面がアルミニウムからなる請求項64に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブの先端部に前記受光面と前記ミラーとを包囲する遮光部材を取り付け、前記遮光部材に前記所望の方角からのプラズマ光を前記ミラーに向けて通すための窓を設ける請求項64に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブの受光面の法線が軸方向に対して前記窓側に所定の角度だけ傾くように、前記プローブの端部を斜めにカットする請求項66に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記チャンバの側壁に相対向して設けた第1の支持部と第2の支持部との間に前記絶縁管を実質的に架け渡す請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブを軸方向に移動させるためのアクチエータを有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブの受光面の位置を検出するための位置検出手段を有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記計測部が、前記プローブの他端面より出射された光から所定波長のスペクトルを取り出すための分光部と、前記分光部で取り出された前記スペクトルの強度を測定するスペクトル強度測定部とを有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記プローブの他端面より放射された光を所望の開口数で受光して前記計測部へ導くバンドルファイバを有する請求項57に記載のプラズマモニタリング装置。
- プラズマの生成または導入の可能なチャンバの側壁に設けられた開閉可能な開口部と、
先端に受光面を有し、減圧空間の中で開状態の前記開口部より前記チャンバ内に挿入されるロッド状の光伝送プローブと、
前記プローブの他端面より放射された光に基づいて前記プラズマからの発光を計測する計測部と
を有するプラズマモニタリング装置。 - 前記チャンバの径方向に伸縮可能に設けられ、前記開口部の外で前記プローブの回りに密閉な空間を形成するベローズと、前記密閉空間内を減圧する排気部とを有する請求項73に記載のプラズマモニタリング装置。
- 前記密閉空間内で前記プローブを所定の温度に加熱するための加熱部を有する請求項74に記載のプラズマモニタリング装置。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004117817A JP5404984B2 (ja) | 2003-04-24 | 2004-04-13 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
KR1020040028211A KR100586386B1 (ko) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
TW100130426A TWI458396B (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | A plasma monitoring method, a plasma monitoring device, and a plasma processing device |
TW093111489A TWI392401B (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | Plasma monitoring method, plasma monitoring device and plasma processing device |
TW100130427A TWI468669B (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | A plasma monitoring method, a plasma monitoring device, and a plasma processing device |
US10/831,757 US7339656B2 (en) | 2003-04-24 | 2004-04-26 | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
CNB2004100347085A CN100520382C (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-26 | 等离子体监测方法、等离子体监测装置和等离子体处理装置 |
CN2009101427982A CN101587156B (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-26 | 等离子体监测方法和等离子体监测装置 |
CN2010106175904A CN102183509B (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-26 | 等离子体监测方法和等离子体监测装置 |
KR1020050125316A KR100586387B1 (ko) | 2003-04-24 | 2005-12-19 | 플라즈마 모니터링 방법, 플라즈마 모니터링 장치 및플라즈마 처리장치 |
US11/566,340 US7532322B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-12-04 | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
US11/742,688 US7582182B2 (en) | 2003-04-24 | 2007-05-01 | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
US11/742,643 US7462293B2 (en) | 2003-04-24 | 2007-05-01 | Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003119279 | 2003-04-24 | ||
JP2003119279 | 2003-04-24 | ||
JP2003123442 | 2003-04-28 | ||
JP2003123442 | 2003-04-28 | ||
JP2004009100 | 2004-01-16 | ||
JP2004009100 | 2004-01-16 | ||
JP2004117817A JP5404984B2 (ja) | 2003-04-24 | 2004-04-13 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005228727A true JP2005228727A (ja) | 2005-08-25 |
JP5404984B2 JP5404984B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=33568720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004117817A Expired - Lifetime JP5404984B2 (ja) | 2003-04-24 | 2004-04-13 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7339656B2 (ja) |
JP (1) | JP5404984B2 (ja) |
KR (2) | KR100586386B1 (ja) |
CN (3) | CN100520382C (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070193514A1 (en) | 2007-08-23 |
KR100586387B1 (ko) | 2006-06-08 |
US7339656B2 (en) | 2008-03-04 |
CN102183509B (zh) | 2013-06-12 |
KR100586386B1 (ko) | 2006-06-08 |
CN102183509A (zh) | 2011-09-14 |
US20070284044A1 (en) | 2007-12-13 |
CN100520382C (zh) | 2009-07-29 |
TW201204182A (en) | 2012-01-16 |
TWI392401B (zh) | 2013-04-01 |
US7582182B2 (en) | 2009-09-01 |
US20070089835A1 (en) | 2007-04-26 |
KR20060001944A (ko) | 2006-01-06 |
CN101587156A (zh) | 2009-11-25 |
JP5404984B2 (ja) | 2014-02-05 |
TWI458396B (zh) | 2014-10-21 |
CN101587156B (zh) | 2011-03-09 |
CN1540323A (zh) | 2004-10-27 |
US7532322B2 (en) | 2009-05-12 |
US20050009347A1 (en) | 2005-01-13 |
US7462293B2 (en) | 2008-12-09 |
TW201202685A (en) | 2012-01-16 |
TW200505293A (en) | 2005-02-01 |
KR20040093017A (ko) | 2004-11-04 |
TWI468669B (zh) | 2015-01-11 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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