KR102524625B1 - 기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 기판 검사 장치는 센서 모듈; 및 상기 센서 모듈과 결합되고, 상기 센서 모듈을 이송시키는 지그 유닛을 포함하고, 상기 센서 모듈은: 서로 대향된 일면과 타면을 갖고, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 삽입 홀을 갖는 하우징; 상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 기판의 상태를 측정하는 센서; 및 상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함한다.

Description

기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템{Apparatus for inspecting substrate and system for treating substrate including the same}
본 발명은 기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 공정이 미세화 및 복잡화됨에 따라, 반도체 소자에 생성된 결함을 검사하는 것이 필수적이다. 반도체 기판 상의 결함을 검출함으로써, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키고, 공정 수율을 높일 수 있다. 이 때, 반도체 기판 상의 결함은 광(optic)을 이용하여 검사할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 센서 모듈을 공정 챔버 상에 재 조립시, 센서 모듈을 공정 챔버에 정확하게 로딩하기 위한 기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판 검사 장치는, 센서 모듈; 및 상기 센서 모듈과 결합되고, 상기 센서 모듈을 이송시키는 지그 유닛을 포함하고, 상기 센서 모듈은: 서로 대향된 일면과 타면을 갖고, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 삽입 홀을 갖는 하우징; 상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 기판의 상태를 측정하는 센서; 및 상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템은, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 공정 챔버 내로 공급된 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛; 및 상기 공정 챔버를 사이에 두고 상기 지지 유닛과 이격된 기판 검사 유닛을 포함하고, 상기 기판 검사 유닛은, 센서 모듈과, 상기 센서 모듈을 상기 공정 챔버 상에서 이송시키는 지그 유닛을 포함하되, 상기 센서 모듈은: 그를 관통하는 삽입 홀을 갖는 하우징; 상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상태를 측정하는 센서; 및 상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함한다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 센서 모듈은 지그 유닛에 의해 자동으로 공정 챔버에 분리 및 조립될 수 있다. 또한, 센서 모듈이 공정 챔버 상에 재 조립될 때, 센서 모듈이 틀어지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 개략도이다.
도 2는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 3은 도 1의 센서 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 센서 모듈의 일부 구성을 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 1의 센서 모듈을 나타낸 정면도이다.
도 6은 도 1의 지그 유닛을 나타낸 개략도이다.
도 7은 도 1의 기판 검사 장치의 변형 예를 나타낸 개략도이다.
도 8은 도 7의 지그 유닛을 나타낸 개략도이다.
도 9는 도 1의 센서 모듈의 변형 예를 나타낸 개략도이다.
도 10 내지 도 17은 도 1의 기판 처리 시스템에서 기판을 검사하는 과정을 나타낸 개략도들이다.
도 18a 내지 도 18e는 도 1의 기판이 식각되는 과정들을 나타낸 도면들이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 개념 및 이에 따른 실시 예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 개략도이다. 도 2는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(10)은 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 실시 예에서, 기판 처리 장치는 기판(W)에 대한 식각 공정을 수행할 수 있는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치일 수 있다. 다른 예에서, 기판 처리 시스템(10)은 용량 결합 플라즈마 장치(Capacitively Coupled plasma, CCP)일 수 있다. 기판 처리 시스템(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 플라즈마 소스 유닛(300), 가스 공급 유닛(400), 및 기판 검사 유닛(500)을 포함할 수 있다. 기판 처리 시스템(10)은 로딩 부재(600)를 더 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판(W)의 식각 공정이 수행될 수 있는 내부 공간(S1, 이하, 제1 공간)을 가질 수 있다. 공정 챔버(100)는 접지될 수 있다. 공정 챔버(100)는 공정 하우징(110), 및 윈도우(120)를 포함할 수 있다.
공정 하우징(110)은 상부가 개방되며, 내부에 상기 제1 공간(S1)을 가질 수 있다. 윈도우(120)는 개구된 상부를 덮을 수 있다. 이에 따라, 제1 공간(S1)은 밀폐될 수 있다. 공정 하우징(110)은 윈도우(120)와 마주보는 바닥벽(111)과, 바닥벽(111)으로부터 윈도우(120)를 향해 연장되는 측벽(113)을 포함할 수 있다. 측벽(113)은 윈도우(120)와 바닥벽(111)를 연결할 수 있다.
공정 하우징(110)의 바닥벽(111)은 그를 관통하는 배기 홀들(115)을 가질 수 있다. 배기 홀들(115)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 공간(S1) 내의 가스는 배기 홀들(115)과 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출할 수 있다. 공정 하우징(110)은 금속 물질(예를 들면, 알루미늄(Al) 등)로 이루어질 수 있다.
윈도우(120)는 공정 하우징(110) 상에 위치될 수 있다. 윈도우(120)는 서로 대향된 상면(121)과 하면(122)을 가질 수 있다. 본 명세서에서, 대향된다는 것은 반대측에 위치되는 것을 의미할 수 있다. 상기 로딩 부재(600)는 윈도우(120)의 상면(121) 상에 위치될 수 있다. 윈도우(120)는 원형 플레이트 형상으로 제공될 수 있다.
윈도우(120)는 그를 관통하는 관통 홀(125)을 가질 수 있다. 관통 홀(125)은 윈도우(120)의 대략 중심에 제공될 수 있다. 관통 홀(125)은 상기 상면(121)과 상기 하면(122)를 연결할 수 있다. 윈도우(120)는 공정 하우징(110)과 상이한 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 윈도우(120)는 유전체(dielectric substance)로 이루어질 수 있다.
지지 유닛(200)은 공정 챔버(100) 내에 위치될 수 있다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 실시 예에서, 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여, 기판(W)을 흡착할 수 있다. 다른 예에서, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(200)은 상기 관통 홀(125)과 수직하게 중첩될 수 있다.
지지 유닛(200)은 정전 전극(210)을 포함할 수 있다. 정전 전극(210)은 기판(W)과 수직하게 중첩될 수 있다. 정전 전극(210)은 제1 전원(250)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 정전 전극(210)에 전력이 인가될 때, 정전기력이 정전 전극(210)과 기판(W) 사이에 발생할 수 있다. 기판(W)은 정전기력에 의해 지지 유닛(200) 상에 흡착될 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 공정 챔버(100) 내로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 분사 노즐(410)과 가스 공급부(450)를 포함할 수 있다. 가스 공급부(450)는 공급 라인을 통해 분사 노즐(410)로 가스를 공급할 수 있다. 분사 노즐(410)은 윈도우(120)의 관통 홀(125) 내에 위치될 수 있다. 분사 노즐(410)은 그를 관통하는 분사 홀(415)을 가질 수 있다. 가스 공급부(450)로부터 공급된 가스는 상기 분사 홀(415)을 통해 공정 챔버(100) 내로 분사될 수 있다.
로딩 부재(600)는 공정 챔버(100) 상에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 로딩 부재(600)는 윈도우(120)의 상면(121) 상에 위치될 수 있다. 로딩 부재(600)는 그를 관통하는 로딩 홀(610)을 가질 수 있다. 로딩 홀(610)은 윈도우(120)의 관통 홀(125) 및 분사 홀(415)과 수직하게 중첩될 수 있다. 후술할 기판 검사 유닛(500)의 센서 모듈(510)의 일부가 로딩 홀(610)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 센서 모듈(510)은 로딩 부재(600)에 로딩될 수 있다.
플라즈마 소스 유닛(300)은 공정 챔버(100) 상에 위치될 수 있다. 플라즈마 소스 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내에 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 실시 예에서, 플라즈마 소스 유닛(300)은 안테나 실(310) 및 안테나(320)를 포함할 수 있다.
안테나 실(310)은 하부가 개방되고, 내부 공간(S2, 이하, 제2 공간)을 가질 수 있다. 안테나 실(310)은 윈도우(120)의 상면(121) 상에 위치될 수 안테나(320)는 제2 공간(S2)에 위치될 수 있다. 안테나(320)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 코일들을 포함할 수 있다. 링 형상의 코일들의 중심이 대략 일치할 수 있다. 안테나(320)는 제2 전원(350)으로부터 고주파 전력을 인가 받을 수 있다. 안테나(320)에 고주파 전력이 인가될 때, 안테나(320)는 자기장을 형성할 수 있다. 안테나(320)에서 형성된 자기장은 공정 챔버(100) 내의 가스를 여기시켜, 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
기판 검사 유닛(500)는 기판(W)의 상태를 검사할 수 있다. 예를 들면, 기판 검사 유닛(500)은 기판(W)의 폭의 변화 등을 검사할 수 있다. 기판 검사 유닛(500)은 공정 챔버(100) 상에 위치될 수 있다. 기판 검사 유닛(500)은 공정 챔버(100)를 사이에 두고 지지 유닛(200)과 이격될 수 있다. 예를 들면, 기판 검사 유닛(500)는 안테나 실(310) 내에 설치될 수 있다. 기판 검사 유닛(500)는 센서 모듈(510), 및 지그 유닛(550)을 포함할 수 있다.
센서 모듈(510)은 센서(511)와 센서(511)가 설치되는 하우징(513)을 포함할 수 있다. 센서 모듈(510)의 구성에 대한 자세한 사항은 후술한다.
지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)과 착탈 가능하게 결합될 수 있다. 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 공정 챔버(100) 상에서 이송시킬 수 있다. 예를 들면, 지그 유닛(550)은 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)으로 센서 모듈(510)을 이송시킬 수 있다. 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 로딩 부재(600)에 로딩(loading)/언로딩(unloading)시킬 수 있다. 본 명세서에서, 제2 방향(D2)은 상하 방향일 수 있다.
전술한 바와 같이, 센서 모듈(510)의 일부가 로딩 홀(610)에 삽입될 때, 센서(511)는 분사 노즐(410)의 분사 홀(415)과 수직하게 중첩될 수 있다. 지그 유닛(550)에 대한 자세한 사항은 후술한다.
도 3은 도 1의 센서 모듈을 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 1의 센서 모듈의 일부 구성을 나타낸 평면도이다. 도 5는 도 1의 센서 모듈을 나타낸 정면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 센서 모듈(510)은 센서(511), 하우징(513) 및 틸팅 부재(515)를 포함할 수 있다. 센서 모듈(510)은 제1 측벽부(514), 제2 측벽부(516), 및 플랜지부(517)를 더 포함할 수 있다.
하우징(513)은 센서(511)가 삽입되는 삽입 홀(5131)을 가질 수 있다. 하우징(513)은 서로 대향된 일면(513a, 이하, 상면)과 타면(513b, 이하, 하면)을 가질 수 있다. 삽입 홀(5131)은 하우징(513)을 관통할 수 있다. 예를 들면, 삽입 홀(5131)을 하우징(513)의 상면(513a)과 하면(513b)을 연결할 수 있다. 하우징(513)은 지그 유닛(550, 도 1 참조)이 삽입되는 결합 홈(5133)을 가질 수 있다. 결합 홈(5133)는 하우징(513)의 둘레를 따라 연장될 있다. 예를 들면, 결합 홈(5133)은 하우징(513)의 원주 방향을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 결합 홈(5133)은 평면적 관점에서 원호 형상으로 제공될 수 있다.
센서(511)는 삽입 홀(5131)에 삽입되어 하우징(513)에 결합될 수 있다. 센서(511)는 지지 유닛(200, 도 1 참조) 상에 지지된 기판(W, 도 1 참조)의 상태를 측정할 수 있다. 실시 예에서, 센서(511)는 기판(W)을 향해 광을 조사하고, 기판(W)으로부터 반사된 광을 수광할 수 있다. 센서(511)는 기판(W)으로 반사된 광을 이용하여, 기판 상태 정보를 획득할 수 있다. 센서(511)는 광 센서일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 센서(511)는 몸체(5111), 렌즈(5112), 콜리메이터(collimator, 5113), 및 광 섬유(5114)를 포함할 수 있다. 센서(511)는 결합 돌기(5115)를 더 포함할 수 있다.
몸체(5111)는 그의 내부에 그를 관통하는 중공을 가질 수 있다. 몸체(5111)는 일 방향으로 길게 연장된 실린더 형상으로 제공될 수 있다. 결합 돌기(5115)는 몸체(5111)의 둘레면으로부터 외측으로 돌출될 수 있다. 실시 예에서, 결합 돌기(5115)는 몸체(5111)의 둘레면을 따라 일정 간격으로 배열될 수 있다.
렌즈(5112)는 몸체(5111) 내에 위치될 수 있다. 렌즈(5112)는 광을 투과할 수 있다. 콜리메이터(5113)는 입사된 광을 평행 광으로 변환할 수 있다. 콜리메이터(5113)는 몸체(5111) 내에 위치될 수 있다. 콜리메이터(5113)는 렌즈(5112)와 이격될 수 있다. 예를 들면, 콜리메이터(5113)은 렌즈(5112)로부터 제2 방향(D2)으로 이격될 수 있다.
광 섬유(5114)는 콜리메이터(5113)와 연결될 수 있다. 광 섬유(5114)는 콜리메이터(5113)로 광을 전달하거나 콜리메이터(5113)로부터 광을 수광할 수 있다. 광 섬유(5114)는 안테나 실(310, 도 1 참조)의 외부에 배치된 컨트롤러(미도시)와 연결될 수 있다. 센서(511)는 광 섬유(5114)를 통해 컨트롤러로 기판 상태 정보를 전달할 수 있다. 컨트롤러는 센서(511)에서 측정한 기판 상태 정보를 이용하여, 기판(W)의 식각 불량 등을 판단할 수 있다.
제1 측벽부(514)는 하우징(513)의 상면(513a) 상에 위치될 수 있다. 제1 측벽부(514)는 삽입 홀(5131)을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 측벽부(514)는 삽입 홀(5131)의 경계로부터 상측으로 연장될 수 있다. 이에 따라, 제1 측벽부(514)는 실린더 형상으로 제공될 수 있다.
제2 측벽부(516)는 하우징(513)의 하면(513b) 상에 위치될 수 있다. 제2 측벽부(516)는 삽입 홀(5131)을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제2 측벽부(516)는 삽입 홀(5131)의 경계로부터 하측으로 연장될 수 있다. 이에 따라, 제2 측벽부(516)는 실린더 형상으로 제공될 수 있다.
제2 측벽부(516)는 전술한 결합 돌기가 삽입되는 홈(5161)을 가질 수 있다. 제2 측벽부(516)는 전술한 로딩 홀(610, 도 2 참조)에 삽입될 수 있다. 제2 측벽부(516)은 제1 측벽부(514)와 수직하게 중첩될 수 있다. 제2 측벽부(516)은 몸체(5111)의 일부를 둘러쌀 수 있다. 센서(511)의 일부는 제2 측벽부(516)의 아래에 위치될 수 있다.
플랜지부(517)는 하우징(513)으로부터 삽입 홀(5131)에서 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 플랜지부(517)는 하우징(513)으로부터 제2 방향(D2)과 수직한 방향으로 연장될 수 있다. 플랜지부(517)는 결합 홈(5133)과 대향될 수 있다.
틸팅 부재(515)는 하우징(513) 상에 위치될 수 있다. 틸팅 부재(515)는 하우징(513)을 틸팅(tilting)시킬 수 있다. 예를 들면, 틸팅 부재(515)는 하우징(513)의 기울기를 가변시킬 수 있다. 틸팅 부재(515)는 지지 부재(5153), 고정 부재(5155), 및 푸시풀(push-pull) 유닛(5151)을 포함할 수 있다.
지지 부재(5153)는 하우징(513)의 상면(513a)으로부터 제2 방향(D2)으로 이격될 수 있다. 지지 부재(5153)는 제1 측벽부(514)를 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(5153)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 지지 부재(5153)은 그를 관통하는 홀을 가질 수 있다. 지지 부재(5153)의 홀은 제1 측벽부(514), 및 삽입 홀(5131)과 수직하게 중첩될 수 있다.
고정 부재(5155)는 하우징(513)과 지지 부재(5153)를 연결할 수 있다. 고정 부재(5155)는 하우징(513)의 상면(513a)과 지지 부재(5153)의 하면 사이에 위치될 수 있다. 고정 부재(5155)는 기둥 형상으로 제공될 수 있다.
푸시풀 유닛(5151)은 하우징(513)을 밀거나 잡아당길 수 있다. 이에 따라, 하우징(513)의 기울기는 푸시풀 유닛(5151)에 의해 가변될 수 있다. 푸시풀 유닛(5151)은 지지 부재(5153)와 하우징(513)의 상면(513a) 사이에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 푸시풀 유닛(5151)은 제1 구동 기어(DG1), 웜(worm, WM) 및 연결 기어 조립체(CGA)를 포함할 수 있다.
제1 구동 기어(DG1)는 제1 측벽부(514) 상에 위치할 수 있다. 제1 구동 기어(DG1)는 제1 측벽부(514)를 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 구동 기어(DG1)는 평면적 관점에서, 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 구동 기어(DG1)는 제1 측벽부(514) 상에 고정될 수 있다. 제1 구동 기어(DG1)의 가상의 회전 축(axis, 미도시)은 제2 방향(D2)과 평행할 수 있다.
웜(WM)은 제1 구동 기어(DG1)와 이격될 수 있다. 웜(WM)은 지지 부재(5153)와 하우징(513)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예를 들면, 웜(WM)의 하단은 하우징(513)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 웜(WM)의 상단은 지지 부재(5153)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 웜(WM)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 웜들(WM)은 제1 측벽부(514)의 둘레 및/또는 제1 구동 기어(DG1)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배열될 수 있다. 실시 예에서, 푸시풀 유닛(5151)은 제1 웜(WM1) 및 제2 웜(WM2)을 포함할 수 있다. 제1 웜(WM1), 제2 웜(WM2), 및 고정 부재(5155)는 제1 구동 기어(DG1)의 회전 축을 기준으로 대략 120℃의 간격으로 배열될 수 있다. 제2 웜(WM2)은 제1 웜(WM1)으로부터 제3 방향(D3)으로 이격될 수 있다. 여기서, 제3 방향(D3)은 제1 및 제2 방향들(D1, D2)과 수직한 방향을 의미할 수 있다.
제1 웜(WM1)과 제2 웜(WM2)은 서로 다른 나사산을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 웜(WM1)은 오른 나사산을 가질 수 있고, 제2 웜(WM2)은 왼 나사산을 가질 수 있다. 본 명세서에서, 오른 나사산은 웜(WM)의 회전 축(axis)을 기준으로 나사산의 오른쪽이 나사산의 왼쪽보다 위에 위치되는 것을 의미할 수 있다. 왼 나사산은 웜(WM)의 회전 축을 기준으로 나사산의 왼쪽이 나사산의 오른쪽보다 위에 위치되는 것을 의미할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 웜들(WM1, WM2)이 동일한 방향으로 회전할 때, 제1 및 제2 웜들(WM1, WM2)의 이동 방향이 상이할 수 있다.
연결 기어 조립체(CGA)는 제1 구동 기어(DG1)과 웜(WM) 사이에 위치될 수 있다. 연결 기어 조립체(CGA)는 제1 구동 기어(DG1)와 웜(WM)을 연결할 수 있다. 연결 기어 조립체(CGA)는 제1 구동 기어(DG1)의 회전력을 웜(WM)으로 전달할 수 있다.
연결 기어 조립체(CGA)는 복수 개 제공될 수 있다. 실시 예에서, 연결 기어 조립체들(CGA)는 제1 연결 기어 조립체(CGA1) 및 제2 연결 기어 조립체(CGA2)를 포함할 수 있다. 제1 연결 기어 조립체(CGA1)는 제1 구동 기어(DG1)와 제1 웜(WM1)을 연결할 수 있다. 제2 연결 기어 조립체(CGA2)는 제1 구동 기어(DG1)와 제2 웜(WM2)을 연결할 수 있다. 제2 연결 기어 조립체(CGA2)는 제1 연결 기어 조립체(CGA1)로부터 제3 방향(D3)로 이격될 수 있다.
제1 및 제2 연결 기어 조립체들(CGA1, CGA2)의 각각은 연결 샤프트(SH), 제1 기어(G1) 및 제2 기어(G2)를 포함할 수 있다.
연결 샤프트(SH)는 제1 구동 기어(DG1)의 회전 축 및/또는 웜(WM)의 길이 방향과 수직할 수 있다. 여기서, 웜(WM)의 길이 방향은 웜(WM)의 회전 축과 평행할 수 있다.
제1 기어(G1)는 연결 샤프트(SH) 상에 위치될 수 있다. 예를 들면, 연결 샤프트(SH)의 일단은 제1 기어(G1)의 중심을 관통하거나 연결될 수 있다. 제1 기어(G1)는 제1 구동 기어(DG1)와 맞물릴 수 있다. 실시 예에서, 제1 기어(G1)와 제1 구동 기어(DG1)는 베벨 기어일 수 있다.
제2 기어(G2)는 연결 샤프트(SH) 상에 위치될 수 있다. 제2 기어(G2)는 제1 기어(G1)와 이격될 수 있다. 예를 들면, 연결 샤프트(SH)의 타단은 제2 기어(G2)의 중심을 관통하거나 연결될 수 있다. 제2 기어(G2)는 웜(WM)과 맞물릴 수 있다. 실시 예에서, 제2 기어(G2)는 웜 기어일 수 있다. 제1 구동 기어(DG1), 연결 기어 조립체(CGA), 및 웜(WM)의 구동은 후술한다.
도 6은 도 1의 지그 유닛을 나타낸 개략도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 지그 유닛(550)은 지그 프레임(553), 이동 부재(552), 및 승강 부재(551)를 포함할 수 있다. 지그 프레임(553)은 제1 방향(D1)으로 길게 제공된 적어도 하나의 바(bar)를 포함할 수 있다. 지그 프레임(553)의 일단은 상기 결합 홈(5133, 도 3 참조)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 지그 유닛(550)과 센서 모듈(510, 도 1 참조)이 결합될 수 있다.
이동 부재(552)는 지그 프레임(553)을 지그 프레임(553)의 길이 방향(예를 들면, 제1 방향)을 따라 이동시킬 수 있다. 이동 부재(552)는 지그 프레임(553)을 직선 운동시킬 수 있는 다양한 구동 수단일 수 있다. 예를 들면, 이동 부재(552)는 공압 또는 유압 실린더일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 실시 예에서, 이동 부재(552)는 지그 프레임(553)의 타단과 연결될 수 있다.
승강 부재(551)는 지그 프레임(553)을 지그 프레임(553)의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 승강시킬 수 있다. 예를 들면, 승강 부재(551)는 지그 프레임(553)을 제2 방향(D2) 및 제2 방향(D2)의 반대 방향으로 승강시킬 수 있다. 승강 부재(551)는 지그 프레임(553)을 승강시킬 수 있는 다양한 구동 수단일 수 있다. 예를 들면, 승강 부재(551)는 공압 또는 유압 실린더일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 실시 예에서, 승강 부재(551)는 이동 부재(552)와 연결될 수 있다. 승강 부재(551)는 이동 부재(552)를 승강시킴으로써, 지그 프레임(553)을 승강시킬 수 있다.
도 7은 도 1의 기판 검사 장치의 변형 예를 나타낸 개략도이다. 도 8은 도 7의 지그 유닛을 나타낸 개략도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 센서 모듈(510a)은 하우징(513), 센서(511), 틸팅 부재(515), 제1 측벽부(514) 및 제2 측벽부(516)를 포함할 수 있다. 도 7의 센서 모듈(510a)은 도 3의 센서 모듈(510)과 달리, 결합 홈(5133, 도 3 참조), 및 플랜지부(517, 도 3 참조)가 생략될 수 있다.
지그 유닛(550a)은 지그 프레임(553), 및 승강 부재(551)를 포함할 수 있다. 도 8의 지그 유닛(550a)은 도 6의 지그 유닛(550)과 달리, 이동 부재(552, 도 6 참조)가 생략될 수 있다. 지그 유닛(550a)은 회동 부재(554)와 구동 부재(555)를 더 포함할 수 있다.
지그 유닛(550a)은 지지 부재(5153)와 하우징(513) 사이에 삽입되어, 센서 모듈(510)과 결합될 수 있다. 예를 들면, 지그 프레임(553)의 일단이 지지 부재(5153)와 하우징(513) 사이에 삽입될 수 있다.
승강 부재(551)는 지그 프레임(553)의 타단과 인접한 영역에 연결될 수 있다. 회동 부재(554)는 승강 부재(551)와 연결되어, 승강 부재(551)를 회전시킬 수 있다. 회동 부재(554)가 승강 부재(551)를 회전시킴으로써, 지그 프레임(553)은 평면적 관점에서 원호를 그리며 이동할 수 있다. 회동 부재(554)는 안테나 실(310, 도 1 참조)에 설치될 수 있다. 실시 예에서, 회동 부재(554)는 회전 모터일 수 있다.
구동 부재(555)는 제1 구동 기어(DG1)를 회전 시킬 수 있다. 구동 부재(555)는 지그 프레임(553)의 일단에 설치될 수 있다. 실시 예에서, 구동 부재(555)는 구동 모터(5551), 구동 샤프트(5553) 및 제2 구동 기어(DG2)를 포함할 수 있다. 실시 예에서, 구동 샤프트(5553)는 제1 구동 기어(DG1)의 회전 축과 수직할 수 있다. 예를 들면, 구동 샤프트(5553)은 제1 방향(D1)과 평행할 수 있고, 제1 구동 기어(DG1)의 회전 축은 제2 방향(D2)과 평행할 수 있다.
제2 구동 기어(DG2)는 구동 샤프트(5553)의 일단과 연결될 수 있다. 제2 구동 기어(DG2)는 제1 구동 기어(DG1)와 맞물릴 수 있다. 실시 예에서, 제1 및 제2 구동 기어들(DG1, DG2)은 베벨 기어일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 구동 모터(5551)는 구동 샤프트(5553)의 타단과 연결될 수 있다. 구동 모터(5551)는 구동 샤프트(5553)를 회전시킬 수 있다.
도 9는 도 1의 센서 모듈의 변형 예를 나타낸 개략도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 9를 참조하면, 센서 모듈(510b)은 하우징(513), 센서(511), 틸팅 부재(515a), 제1 측벽부(514) 및 제2 측벽부(516)를 포함할 수 있다. 도 9의 센서 모듈(510b)은 도 3의 센서 모듈(510)과 달리 플랜지부(517)를 생략할 수 있다.
틸팅 부재(515a)는 하우징(513)을 밀거나 잡아 당기는 복수의 푸시풀 유닛들(5151a)을 포함할 수 있다. 푸시풀 유닛들(5151a)은 그의 길이가 제2 방향(D2)을 따라 가변될 수 있다. 예를 들면, 푸시풀 유닛들(5151a)의 각각은 유압 또는 공압 실린더일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 10 내지 도 17은 도 1의 기판 처리 시스템에서 기판을 검사하는 과정을 나타낸 개략도들이다. 도 18a 내지 도 18e는 도 1의 기판이 식각되는 과정들을 나타낸 도면들이다.
도 1, 도 2 및 도 10을 참조하면, 분사 노즐(410)은 지지 유닛(200) 상의 기판(W)을 향해 가스를 분사할 수 있다. 플라즈마 소스 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내의 가스(G)를 여기시켜, 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한, 제1 전원(250)은 정전 전극(210)에 전압을 인가할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 이온이 기판(W)을 향해 이동할 수 있다. 즉, 기판(W)의 식각 공정이 수행될 수 있다. 이하, 도 18a 내지 도 18e를 참조하여, 기판(W)의 식각 공정을 설명한다.
도 18a를 참조하면, 기판(W, 도 10 참조)은 적층체(LB)와, 적층체(LB) 상의 포토레지스트(PR)를 포함할 수 있다. 적층체(LB)는 복수의 희생 막들(SL)과, 희생 막(SL) 사이에 개재된 절연 막들(OL)을 포함할 수 있다. 실시 예에서, 희생 막들(SL)은 실리콘 질화물을 포함하고, 절연 막들(OL)은 실리콘 산화물 또는 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
포토레지스트(PR)의 폭(W1)은 적층체(LB)의 폭(W2)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 적층체(LB)는 포토레지스트(PR)와 수직하게 중첩되지 않는 노출 영역(EA)을 가질 수 있다. 실시 예에서, 제1 절연 막(OL1)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 여기서, 제1 절연 막(OL1)은 절연 막들(OL) 중 최 상측에 위치된 절연 막일 수 있다.
도 18b를 참조하면, 제1 절연 막(OL1)의 일부는 플라즈마 이온에 의해 식각될 수 있다. 상기 제1 절연 막(OL1)의 일부는 노출 영역(EA)과 중첩된 영역일 수 있다. 이에 따라, 제1 희생 막(SL1)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 제1 희생 막(SL1)은 제1 절연 막(OL1)의 아래에 위치되고, 희생 막들(SL) 중 최 상측에 위치된 희생 막일 수 있다. 노출된 제1 희생 막(SL1)의 일부는 노출 영역(EA)과 중첩된 영역일 수 있다.
도 18c를 참조하면, 제1 희생 막(SL1)은 플라즈마 이온에 의해 식각될 수 있다. 이에 따라, 식각된 제1 희생 막(SL1) 아래의 제2 절연 막(OL2)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 노출된 제2 절연 막(OL2)의 일부는 노출 영역(EA)과 중첩된 영역일 수 있다.
도 18d를 참조하면, 제1 절연 막(OL1)과 제1 희생 막(SL1)을 식각한 후, 포토레지스트(PR)의 일부가 식각될 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트(PR)의 폭(W1)은 줄어들 수 있다. 포토레지스트(PR)의 폭(W1)이 줄어듦으로써, 노출 영역(EA)은 커질 수 있다. 예를 들면, 포토레지스트(PR)의 일부가 식각됨으로써, 제1 절연 막(OL1)이 다시 외부로 노출될 수 있다. 이로써, 1번의 식각 사이클이 완료된다. 여기서, 1번의 식각 사이클은 절연 막(OL), 희생 막(SL), 및 포토레지스트(PR)의 각각이 1번씩 식각되는 것을 의미할 수 있다.
도 18e를 참조하면, 다수의 식각 사이클들이 수행된 후, 적층체(LB)는 계단식의 단차면들(SS)을 가질 수 있다. 또한, 희생 막들(SL)은 전극들(EL)로 교체될 수 있다. 예를 들면, 희생 막들(SL, 도 18d 참조)을 제거하고, 희생 막들(SL)이 제거된 영역에 전극들(EL)이 채워질 수 있다. 다른 실시예들에서, 도 18a의 희생 막들(SL) 대신, 절연 막들(OL) 사이에 도전성 물질을 포함하는 전극들이 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 교체 단계는 생략될 수 있다.
메탈 콘택들(MC)이 단차면들(SS)의 각각 상에 형성될 수 있다. 일 예로, 메탈 콘택들(MC)은 절연 막들(OL)을 관통하여 그 아래의 전극들(EL)과 연결될 수 있다. 메탈 콘택들(MC)이 상기 단차면들(SS)의 각각에 정확하게 형성되기 위해서는, 포토레지스트(PR, 도 18d 참조)가 기 설정된 대로 식각되어야 한다. 예를 들면, 포토레지스트(PR)가 식각될 때 마다, 포토레지스트(PR)의 폭(W1, 도 18d 참조)이 기 설정된 폭의 값을 가져야 한다. 이에 따라, 포토레지스트(PR)가 식각될 때마다, 포토레지스트(PR)의 폭(W1)이 기 설정된 폭의 값을 갖는지 검사하여야 한다. 이에 대한 자세한 사항은 후술한다.
도 1, 도 2, 및 도 11을 참조하면, 기판(W)의 식각 사이클이 1회 완료된 후, 센서 모듈(510)의 센서(511, 도 2 참조)는 지지 유닛(200)을 향해 광(L)을 조사할 수 있다. 이때, 센서(511)는 분사 노즐(410)의 분사 홀(415, 도 2 참조)과 수직하게 중첩될 수 있다. 센서(511)에서 조사된 광(L)은 지지 유닛(200) 상의 기판(W)에서 반사될 수 있다. 센서(511)는 기판(W)에서 반사된 광(RL)을 수광할 수 있다. 이에 따라, 센서(511)는 기판(W)의 상태를 측정한 기판 상태 정보를 획득할 수 있다. 예를 들면, 센서(511)는 포토레지스트(PR, 도 18d)의 폭(W1, 도 18d)에 대한 정보를 획득할 수 있다.
획득된 기판 상태 정보는 컨트롤러로 전송될 수 있다. 컨트롤러는 기판 상태 정보를 이용하여, 포토레지스트(PR, 도 18d 참조)의 식각을 모니터링할 수 있다. 또한, 컨트롤러는 기판 상태 정보를 이용하여, 기판(W)의 불량 여부를 예측할 수 있다.
도 1, 도 12, 및 도 13을 참조하면, 기판(W)의 식각 공정 시, 공정 챔버(100), 분사 노즐(410), 윈도우(120) 등의 구성들은 플라즈마에 의해 손상될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 식각 공정이 일정 횟수 이상 수행된 후에, 공정 챔버(100), 분사 노즐(410), 윈도우(120) 등의 구성들을 교체하거나 세정하는 공정이 필요하다.
실시 예에서, 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 로딩 부재(600)로부터 언로딩할 수 있다. 예를 들면, 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 제2 방향(D2)으로 상승시키고, 센서 모듈(510)을 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 윈도우(120)와 분사 노즐(410)의 교체 시, 센서 모듈(510)과 윈도우(120) 간의 간섭이 방지될 수 있다.
또한, 안테나 실(310)은 제2 방향(D2)으로 이동될 수 있다. 이에 따라, 안테나 실(310)과 공정 챔버(100)는 분리될 수 있다. 안테나 실(310)과 공정 챔버(100)를 분리한 후, 윈도우(120), 분사 노즐(410) 등의 구성들은 교체될 수 있다. 또한, 공정 챔버(100), 지지 유닛(200) 등은 세정될 수 있다.
도 14를 참조하면, 윈도우(120), 분사 노즐(410) 등의 구성들의 교체, 및 공정 챔버(100), 지지 유닛(200) 등이 세정이 완료된 후, 안테나 실(310)과 공정 챔버(100)는 결합될 수 있다. 예를 들면, 안테나 실(310)은 교체된 윈도우(120)를 향해 이동하여, 공정 챔버(100)와 결합될 수 있다.
도 15를 참조하면, 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 로딩 부재(600)에 재 로딩시킬 수 있다. 예를 들면, 지그 유닛(550)은 센서 모듈(510)을 제1 방향(D1)으로 이송하고, 제2 방향(D2)의 반대 방향으로 하강시킬 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 로딩 부재(600)에 재 로딩된 센서 모듈(510)의 센서(511)는 제2 방향(D2)을 기준으로 소정의 각도(θ)만큼 기울어질 수 있다. 이에 따라, 센서(511)는 기판(W)의 상태를 정확하게 측정하지 못할 수 있다. 예를 들면, 센서(511)는 포토레지스트(PR)의 폭을 정확하게 측정하지 못할 수 있다. 센서(511)가 기판(W)의 상태를 정확하게 측정하기 위해서는 센서(511)를 제2 방향과 대략 평행하게 위치시켜야 한다.
센서(511)를 제2 방향과 대략 평행하게 위치시키기 위해, 플랜지부(517)는 외력에 의해 평면적 관점에서 반 시계 방향으로 회전될 수 있다. 이에 따라, 하우징(513)과, 제1 구동 기어(DG1)는 반 시계 방향으로 회전될 수 있다.
제1 구동 기어(DG1)가 반 시계 방향으로 회전함으로써, 제1 구동 기어(DG1)와 맞물리는 제1 및 제2 연결 기어 조립체들(CGA1, CGA2)의 제1 기어들(G1)은 시계 방향으로 회전할 수 있다. 제1 기어들(G1)이 시계 방향으로 회전함으로써, 연결 샤프트들(SH), 및 제2 기어들(G2)은 시계 방향으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 제2 기어들(G2)과 맞물리는 제1 및 제2 웜들(WM1, WM2)은 반 시계 방향으로 회전할 수 있다.
제1 웜(WM1)이 반 시계 방향으로 회전함으로써, 제1 웜(WM1)은 하우징(513)을 향해 직선 이동할 수 있다. 즉, 제1 웜(WM1)은 하우징(513)을 밀어낼 수 있다. 제2 웜(WM2)이 반 시계 방향으로 회전함으로써, 제2 웜(WM2)은 지지 부재(5153)를 향해 직선 이동할 수 있다. 즉, 제2 웜(WM2)은 하우징(513)을 잡아당길 수 있다. 이에 따라, 하우징(513)은 제2 방향(D2)을 기준으로 소정의 각도(θ)만큼 기울어질 수 있다. 하우징(513)이 소정의 각도만큼 기울어짐으로써, 센서(511)는 제2 방향(D2)과 평행하게 위치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

Claims (10)

  1. 센서 모듈; 및
    상기 센서 모듈과 결합되고, 상기 센서 모듈을 이송시키는 지그 유닛을 포함하고,
    상기 센서 모듈은:
    서로 대향된 일면과 타면을 갖고, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 삽입 홀을 갖는 하우징;
    상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 기판의 상태를 측정하는 센서; 및
    상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함하되,
    상기 틸팅 부재는:
    상기 일면으로부터 이격되는 지지 부재;
    상기 지지 부재와 상기 일면 사이에 위치되고, 상기 지지 부재와 상기 하우징을 연결하는 고정 부재;
    상기 지지 부재와 상기 일면 사이에 위치되고, 상기 하우징을 밀거나 잡아당기는 푸시풀(push-pull) 유닛을 포함하는 기판 검사 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센서 모듈은, 상기 일면 상에 위치되고, 상기 삽입 홀을 둘러싸는 제1 측벽부를 더 포함하고,
    상기 푸시풀 유닛은:
    상기 제1 측벽부 상에 위치되고, 상기 제1 측벽부를 둘러싸는 구동 기어; 및
    상기 구동 기어와 이격되고, 상기 지지 부재와 상기 하우징에 회전 가능하게 설치되는 적어도 하나의 웜(worm); 및
    상기 구동 기어의 회전력을 상기 웜으로 전달하는 적어도 하나의 연결 기어 조립체를 포함하는 기판 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 연결 기어 조립체는:
    상기 웜의 길이 방향과 수직한 연결 샤프트(shaft);
    상기 연결 샤프트 상에 위치되고, 상기 구동 기어와 맞물리는 제1 기어; 및
    상기 연결 샤프트 상에 위치되고, 상기 웜과 맞물리는 제2 기어를 포함하는 기판 검사 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 웜과 상기 연결 기어 조립체는 복수 개 제공되고,
    상기 고정 부재, 및 상기 웜들은, 상기 구동 기어의 둘레를 따라 일정 간격으로 배열되고,
    상기 연결 기어 조립체들은, 상기 구동 기어와 상기 웜들 사이에 위치되는 기판 검사 장치.
  6. 센서 모듈; 및
    상기 센서 모듈과 결합되고, 상기 센서 모듈을 이송시키는 지그 유닛을 포함하고,
    상기 센서 모듈은:
    서로 대향된 일면과 타면을 갖고, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 삽입 홀을 갖는 하우징;
    상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 기판의 상태를 측정하는 센서; 및
    상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함하되,
    상기 지그 유닛은:
    지그 프레임;
    상기 지그 프레임을 상기 지그 프레임의 길이 방향을 따라 이동시키는 이동 부재; 및
    상기 지그 프레임을 상기 길이 방향과 수직한 방향을 따라 승강시키는 승강 부재를 포함하는 기판 검사 장치.
  7. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 공정 챔버 내로 공급된 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛; 및
    상기 공정 챔버를 사이에 두고 상기 지지 유닛과 이격된 기판 검사 유닛을 포함하고,
    상기 기판 검사 유닛은, 센서 모듈과, 상기 센서 모듈을 상기 공정 챔버 상에서 이송시키는 지그 유닛을 포함하되,
    상기 센서 모듈은:
    그를 관통하는 삽입 홀을 갖는 하우징;
    상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상태를 측정하는 센서; 및
    상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함하며,
    상기 공정 챔버는, 상기 지지 유닛과 상기 기판 검사 유닛 사이에 위치되고, 그를 관통하는 관통 홀을 갖는 윈도우를 포함하고,
    상기 가스 공급 유닛은, 상기 관통 홀 내에 삽입되고, 상기 가스를 상기 공정 챔버 내로 분사하는 분사 홀을 갖는 분사 노즐을 포함하되,
    상기 지그 유닛은 상기 센서 모듈과 상기 분사 노즐이 서로 중첩되도록, 상기 센서 모듈을 이송시키는 기판 처리 시스템.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 틸팅 부재는:
    상기 하우징으로부터 상기 지지 유닛과 멀어지는 방향으로 이격되는 지지 부재;
    상기 지지 부재와 상기 하우징을 연결하여, 상기 지지 부재를 상기 하우징 위에 고정시키는 고정 부재; 및
    상기 지지 부재와 상기 하우징 사이에 위치되고, 상기 하우징을 밀거나 잡아당기는 푸시풀 유닛을 포함하는 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 센서 모듈은, 상기 하우징으로부터 상기 지지 부재를 향해 연장되고, 상기 삽입 홀을 둘러싸는 제1 측벽부를 더 포함하고,
    상기 푸시풀 유닛은:
    상기 제1 측벽부 상에 위치되고, 상기 제1 측벽부를 둘러싸는 구동 기어; 및
    상기 구동 기어와 이격되고, 상기 지지 부재와 상기 하우징에 회전 가능하게 설치되는 적어도 하나의 웜(worm); 및
    상기 구동 기어의 회전력을 상기 웜으로 전달하는 적어도 하나의 연결 기어 조립체를 포함하는 기판 처리 시스템.
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