TWI473159B - 蝕刻裝置及使用該裝置之蝕刻方法 - Google Patents
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Description
本發明主張2006年9月8日申請之第10-2006-086704號以及2007年9月6日申請之第10-2007-090631號韓國專利申請案的權益,該韓國專利申請案以引用的方式併入本文中。
本發明係關於一種用於製造半導體器件或液晶顯示器件之基板處理裝置,且更特定言之係關於一種均勻地移除基板邊緣處之微粒之蝕刻裝置及一種使用該裝置之蝕刻方法。
一般而言,藉由在例如晶圓或玻璃之基板表面上沈積薄膜並接著蝕刻薄膜從而形成薄膜圖案來製造半導體器件或平板顯示器件。
在薄膜之沈積步驟期間,薄膜大體上沈積在基板之整個表面上。然而,在使用蝕刻遮罩之薄膜蝕刻步驟期間,主要在基板之中心區域上蝕刻薄膜。因此,在基板之邊緣處,未移除之薄膜可能保留,且可能在蝕刻步驟期間產生的副產物或微粒可能積聚。若在不移除在基板邊緣處積聚之此種薄膜或微粒的情況下進行隨後步驟,則薄膜或微粒可能剝落,且可能污染基板之其他區域。或者,基板可能彎曲且可能不對準。
為了解決該等問題,最近,尤其在製造半導體器件時已執行蝕刻基板邊緣之額外製程,其可稱為斜角蝕刻製程。
將蝕刻基板邊緣之方法分為使用蝕刻劑之濕式蝕刻及使用由氣體產生之電漿之乾式蝕刻。圖1說明根據相關技術之使用電漿的用於基板邊緣之蝕刻裝置。
相關技術蝕刻裝置100包含界定反應區域之腔室10、設置在腔室10中之基板支撐件20以及設置在基板支撐件20上方且具有複數個注射孔32之氣體分布板30。氣體分布板30密封腔室10之上壁。排氣線12連接至腔室10之下部部分。
基板支撐件20可由上下驅動單元70上下移動。為了使基板S之邊緣暴露於電漿,基板支撐件20之直徑可小於基板S。
注射孔32沿著氣體分布板30之周界設置且連接至氣體供應線40,藉此僅在基板S之邊緣周圍注射蝕刻氣體。氣體供應線40連接至氣體供應單元50。
此外,惰性氣體供應線(未圖示)可連接至氣體分布板30之中央部分。惰性氣體供應線可在蝕刻基板S之邊緣時注射惰性氣體,且因此可防止基板S的中央部分被蝕刻。
RF(射頻)電源60電連接至基板支撐件20,且阻抗匹配系統62設置在基板支撐件20與RF電源60之間。
同時,基板屏蔽單元31自氣體分布板30之底部表面突出。基板屏蔽單元31覆蓋基板S之中央部分並使得僅基板S之邊緣暴露於電漿。基板屏蔽單元31可與氣體分布板30形成為一個聯合體,或可單獨形成並接著附接至氣體分布板30。基板屏蔽單元31具有與基板支撐件20對稱的形狀且其直徑小於或等於基板S。
下文中,將參看圖2描述使用相關技術蝕刻裝置100之基板邊緣之蝕刻方法。圖2說明根據相關技術蝕刻基板邊緣之製程中之蝕刻裝置。
首先,經由門(未圖示)將基板S載入腔室10中並設置在基板支撐件20上。腔室10藉由真空抽吸而處於真空條件下,且基板支撐件20藉由上下驅動單元70而上升至處理位置,如圖2所示。此時,基板支撐件20可上升至一位置,使得基板S與基板屏蔽單元31之間的距離可在約0.2 mm至0.5 mm之範圍內。此即為為何防止基板S邊緣處產生之電漿之自由基或離子擴散進入基板S之中央部分中並不利地影響已形成於基板S之中央部分上的薄膜圖案。
在將基板支撐件20上升至處理位置之後,經由注射孔32在氣體分布板30之周界處注射蝕刻氣體,且同時,將RF功率自RF電源60施加至基板支撐件20,藉此在基板S之邊緣周圍產生電漿。電漿中之自由基或離子蝕刻並移除形成於基板S邊緣處之薄膜。
順便提及,在蝕刻裝置100中,因為基板屏蔽單元31與基板S之間的距離在處理位置處非常小,所以基板支撐件20及基板屏蔽單元31將得到較大程度的處理,且當設置基板支撐件20及基板屏蔽單元31時其間的間隔在所有點處將均為均勻的。
若基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的間隔之均勻性降低,則基板S邊緣處之蝕刻速率根據位置而變化。因此,為了防止該問題,通常已藉由例如感測器之構件觀察基板S與基板屏蔽單元31之間的間隔。
在相關技術之觀察方法中,在腔室之側壁處設置透明窗,且在透明窗外部建立感測器。可藉由分析所接收之雷射之圖案或強度來監視間距狀態。
然而在相關技術之觀察方法中,自側部測量基板S與基板屏蔽單元31之間的間隔。因此,難以準確地注意到每一點處基板S與基板屏蔽單元31之間的間隔如何。因此,當藉由感測器確定距離不均勻時,此導致可能藉由試錯法控制距離之問題,因為並無關於哪一部分被如何控制之資訊。
同時,在蝕刻裝置100中,待蝕刻之基板S之邊緣的寬度應均勻,且因此基板S的暴露超過基板屏蔽單元31之邊緣可具有均勻寬度。為此,大體上基板屏蔽單元31的中心可能與基板支撐件20的中心一致。若基板屏蔽單元31的中心稍微偏離基板支撐件20的中心,則即使蝕刻均勻性較高,基板S之被蝕刻邊緣之寬度亦不均勻。
在相關技術中,為了使中心彼此對準,在組裝組件期間在若干步驟中檢查組件之組裝精度。然而,即使在大氣條件下精確組裝組件,組件亦會偏離初始設置的位置。因為當組件處於實際處理模式之真空條件下時真空壓力會壓縮或修改例如O環之組件或每一元件。
因此,最近,在組裝裝置之組件時,藉由在最終檢查步驟中蝕刻測試基板,確定待蝕刻之基板之邊緣的寬度是否均勻。然而,存在的問題為,不能在蝕刻測試基板之前即時確認腔室10中基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心是否一致。
因此,本發明係關於一種蝕刻裝置及一種使用該裝置之蝕刻方法,其精確地感測基板支撐件與基板屏蔽單元之間的間隔不均勻的點。
本發明之目的係提供一種蝕刻裝置及一種使用該裝置之蝕刻方法,其即時檢測基板支撐件與基板屏蔽單元之中心是否一致。
將在隨後描述中陳述本發明之額外特徵及優點,且將自描述內容中部分瞭解或可藉由實踐本發明而瞭解本發明之額外特徵及優點。藉由書面描述及其申請專利範圍以及附圖中特定指出之結構將實現及達成本發明之目的及其他優點。
為了實現該等及其他優點且根據本發明之目的,如所實施及廣義描述,一種蝕刻裝置包含:腔室;基板支撐件,其在該腔室中;基板屏蔽單元,其在該基板支撐件上方,其中該基板屏蔽單元之直徑小於或等於基板;氣體注射構件,其將氣體注射至該基板之周界上;電源單元,其將RF(射頻)功率提供至該腔室中;以及複數個感測器,其感測該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的間隔。
在另一態樣中,一種蝕刻裝置包含:腔室;基板支撐件,其在該腔室中;基板屏蔽單元,其在該基板支撐件上方,其中該基板屏蔽單元之直徑小於或等於基板;氣體注射構件,其將氣體注射至該基板之周界上;電源單元,其將RF功率提供至該腔室中;以及觀察口,其在該基板屏蔽單元之中心處,其中該觀察口用於檢測該基板屏蔽單元與該基板支撐件之中心之間的一致性。
在另一態樣中,一種使用蝕刻裝置之蝕刻方法,該蝕刻裝置包含腔室、該腔室中之基板支撐件、該基板支撐件上方之基板屏蔽單元、將氣體注射至待設置在該基板支撐件上之基板之周界上的氣體注射構件、將RF功率提供至該腔室中之電源單元、感測該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的間隔之複數個感測器、連接至該基板支撐件之調平控制單元、在該基板屏蔽單元之中心的用於檢測該基板屏蔽單元與該基板支撐件之中心之一致性的觀察口,以及相對於該基板屏蔽單元水平移動該基板支撐件之水平驅動單元,該方法包含:在該腔室中形成真空條件;使用該複數個感測器及該調平控制單元對該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的第一距離進行第一控制,使得該等間隔彼此相等;使用該觀察口及該水平驅動單元對該基板支撐件與該基板屏蔽單元進行第一對準;將該基板加載在該基板支撐件上;移動該基板支撐件,使得該基板距該基板屏蔽單元第二距離;以及藉由產生電漿移除該基板之邊緣處之微粒。
應瞭解,上述一般描述及隨後之詳細描述均為示範性及解釋性的,且期望提供對所主張之本發明之進一步解釋。
現將具體參照較佳示範性實施例,附圖中說明其實例。
圖3係示意說明根據本發明第一實施例之蝕刻裝置的視圖。圖3中,與相關技術相同之零件可具有相同參考,且可省略對相同零件之闡釋。
蝕刻裝置100包含腔室10、設置在腔室10中之基板支撐件20(其可稱為基座),及設置在基板支撐件20上方並具有複數個注射孔32之氣體分布板30。氣體分布板30及基板支撐件20充當電極。
蝕刻裝置100進一步包含基板支撐件20中之複數個感測器110,使得可在若干點處測量基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的間隔,且可檢查在哪一點處間隔與其他間隔不一樣。
基板屏蔽單元31自氣體分布板30之底部表面突出。基板屏蔽單元31可與氣體分布板30形成為一個聯合體,或者可單獨形成且接著附接至氣體分布板30。基板屏蔽單元31具有與基板支撐件20對稱之形狀,且其直徑小於或等於設置在基板支撐件20上之基板S。
在製程期間,基板屏蔽單元31行進得非常接近基板支撐件20,來自RF電源60之RF電力施加至基板支撐件20。因此,為了防止基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的電弧,基板屏蔽單元31可由例如氧化鋁(Al2
O3
)之介電材料形成或其表面可用該介電材料處理。
另外,有益地,基板支撐件20之直徑可能小於基板S,且需要基板支撐件20之直徑可能小於基板屏蔽單元31之直徑。
基板S應設置在基板支撐件20上,使得基板S之中心與基板支撐件20之中心一致。
基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離可具有總體在10微米內的非常精確之誤差界限,且因此理想地,感測器110可具有約1微米之解析度。
一般而言,感測器可分類為接觸型及非接觸型。在本發明中,慮及基板S設置在基板支撐件20上,所以非接觸型感測器可適合作為感測器110。具有上述解析度之非接觸型感測器可包含雷射光學感測器及渦流感測器。
出於真空條件或耐久性的原因,感測器110不暴露於反應區域中係合乎需要的。因此,如圖4所示,基板支撐件20中形成通孔,且真空密封壁22設置在通孔中使得真空密封壁22密封住通孔之上部部分。接著,分別在通孔中真空密封壁22下方設置感測器110。信號線112連接至每一感測器110以將感測到的資料傳輸至控制器(未圖示)。
真空密封壁22可依據感測器110之種類而選擇性地由透明或不透明材料形成。舉例而言,在雷射光學感測器的情況下,若雷射光學感測器檢測可見光之波長,則真空密封壁22可由透明材料形成,且若雷射光學感測器檢測紫外光或紅外光之波長,則真空密封壁22可由透明材料或不透明材料形成。或者,在渦流感測器的情況下,真空密封壁22可由透明材料或不透明材料形成,但不可由金屬材料形成。
如此,若真空密封壁22形成在基板支撐件20中且感測器110設置在真空密封壁22下方,則與感測器110暴露於真空的情況相比,將信號線112拉出存在較少限制。此帶來了設計上的優點。
為了實現本發明之檢測非均勻間隔的點的目的,需要可設置複數個感測器110,且更有益地可設置三個以上感測器110。
圖5展示根據本發明第一實施例內部包含感測器之基板支撐件。圖5中,三個感測器110設置在基板支撐件20中,使得感測器110與基板支撐件20之中心等距且感測器110中之一者與其他者之距離相等。可設置之感測器110越多,就可檢測到越準確的間隔不均勻的點。
感測到的資料可自感測器110傳輸且可視覺上顯示在電腦之監視器上。因此,該裝置之管理員可即時檢查基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離。
當基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離需要調節時,可藉由調平控制單元150來調平基板支撐件20。調平控制單元150上下控制基板支撐件20之某一部分的高度。舉例而言,設置基柱作為調平控制單元150以在至少三個點處支撐基板支撐件20之下表面,其中該等基柱獨立地連接至各個驅動構件,例如馬達、氣壓缸或液壓缸。
或者,當需要調節基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離時,可在相應點處改變氣體分布板30之高度。
同時,根據本發明第一實施例之蝕刻裝置100之另一特徵為,蝕刻裝置100在氣體分布板30之中心處,更明確言之在基板屏蔽單元31之中心處包含觀察口130。
需要觀察口130用於藉由用肉眼或相機自腔室10之外部進行透視來檢查基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心是否一致。可藉由將例如石英之透明窗插入氣體分布板30中形成之穿透部分中來形成觀察口130。觀察口130可藉由O環真空密封。
例如"+"形狀之第一標記(未圖示)標記在基板支撐件20之上表面之中心處,且對應於第一標記的第二標記(未圖示)標記在觀察口130處。透視觀察口130,容易根據第一與第二標記之一致性而檢查基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心是否一致。即使並非直接蝕刻測試基板,亦可在腔室10關閉且實現真空抽吸之後檢查真空條件下基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心的一致性。
為了避免用肉眼檢查任何情況的煩惱,可在觀察口130上方設置相機140,且可藉由在螢幕上顯示自相機140取得之影像來檢查該一致性。
當經由觀察口130檢查到基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心不一致時,可藉由水平驅動單元120水平移動基板支撐件20,使得在不拆開裝置的情況下基板屏蔽單元31與基板支撐件20之中心彼此一致。水平驅動單元120使用例如馬達、氣壓缸或液壓缸之驅動構件沿著x軸或y軸移動基板支撐件20,該驅動構件由使用者操作或藉由控制單元自動控制。
因此,可在真空條件下即時檢查中心的一致性。另外,由於可在不拆開裝置的情況下調節元件位置,所以可縮短調節元件之時間。
或者,為了形成氣體分布板30及基板支撐件20之中心,氣體分布板30可代替基板支撐件20而水平移動。
下文中,將參看圖3描述蝕刻裝置100之操作。
參看圖3,在將基板載入蝕刻裝置100中之前,首先檢查基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離是否均勻。為此,在腔室10被抽吸且處於真空條件下之後,操作感測器110,且自感測器110處測得一些值。將所測得的值彼此進行比較或與參考值進行比較。當比較結果為基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離不均勻時,藉由調平控制單元150來控制該距離。此步驟可稱為距離控制步驟。
先前亦檢查基板屏蔽單元31及基板支撐件20之中心是否一致。此係借助肉眼或相機經由觀察口130執行的。更明確言之,檢查基板支撐件20之第一標記與觀察口130之第二標記是否一致。當第一標記與第二標記不一致時,可藉由水平驅動單元120水平移動基板支撐件20使得第一與第二標記彼此一致。此步驟可稱為中心控制步驟。
距離控制步驟及中心控制步驟之後,將執行再檢查步驟。換言之,再次檢查基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離是否均勻以及基板屏蔽單元31及基板支撐件20之中心是否一致。在此步驟中,將再測得的值與參考值進行比較,且當再測得的值不在誤差界限內時,腔室10的門不打開使得不將基板載入腔室10中。
接著,將基板(未圖示)載入腔室10中並裝載於基板支撐件20上。接著,向上移動基板支撐件20,使得基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的距離在0.2 mm至0.5 mm之範圍內。
經由注射孔32將蝕刻氣體注射至基板之邊緣上。將RF電力施加至基板支撐件20,且產生電漿以藉此蝕刻基板的邊緣,更明確言之蝕刻基板邊緣處之微粒或薄膜。
同時,圖6中展示本發明第一實施例之另一實例。圖6係示意說明根據本發明第一實施例之另一實例之蝕刻裝置的視圖。圖6中,將第一RF電源80電連接至充當上部電極之氣體分布板30,且將第二RF電源90電連接至充當下部電極之基板支撐件20,而在圖3之實例中僅將RF電源60電連接至基板支撐件20。第一RF電源80用於產生電漿,且第二RF電源90用於偏壓。第一阻抗匹配系統82及第二阻抗匹配系統92分別連接至第一RF電源80及第二RF電源90之輸出部分。
使用第二RF電源90進行偏壓使得容易控制離子能量,且因此可增加蝕刻效率。
為了使用氣體分布板30作為上部電極,氣體分布板30可由例如鋁(Al)之金屬材料形成。另一方面,為了防止形成電弧,基板屏蔽單元31可用非導電材料塗覆或可由非導電材料形成並連接至氣體分布板30。
圖7說明根據本發明第一實施例之另一實例之蝕刻裝置。圖7中,天線84設置在氣體分布板30上方,使得可產生感應耦合電漿。此處,氣體分布板30可由非導電材料形成。
儘管蝕刻裝置包含在周界處具有注射孔32之氣體分布板30,但可在蝕刻裝置之腔室10之側壁處形成複數個注射器。
圖8係示意說明根據本發明第二實施例之蝕刻裝置的視圖。圖8之蝕刻裝置具有與圖3之蝕刻裝置相同的結構,只是感測器之位置不同。相同零件可具有相同參考,且可省略對相同零件之闡釋。
圖8中,蝕刻裝置100包含基板屏蔽單元31中之複數個感測器112。自感測器112處,可在若干點處測量基板支撐件20與基板屏蔽單元31之間的間隔,且可檢查距離是否均勻。當距離不均勻時,可控制基板支撐件20或基板屏蔽單元31的高度。感測器112可具有與圖4之感測器相同的結構。
根據本發明之蝕刻裝置,可即時檢測到基板支撐件與基板屏蔽單元之間的距離不均勻的點。另外,可在不拆開裝置的情況下藉由連接至基板支撐件之調平控制單元來容易地控制該距離。
此外,可即時檢查基板支撐件與基板屏蔽單元之中心是否一致,且可在不拆開裝置的情況下使用連接至基板支撐件之水平驅動單元而使該等中心彼此一致。
熟習此項技術者將瞭解,可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下在該裝置中作出各種修改及變化。因此,希望本發明涵蓋對本發明之修改及變化,只要該等修改及變化在所附申請專利範圍及其等效物之範疇內。
10...腔室
12...排氣線
20...基板支撐件
22...真空密封壁
30...氣體分布板
31...基板屏蔽單元
32...注射孔
40...氣體供應線
50...氣體供應單元
60...RF(射頻)電源
62...阻抗匹配系統
70...上下驅動單元
80...第一RF電源
82...第一阻抗匹配系統
84...天線
90...第二RF電源
92...第二阻抗匹配系統
110...感測器
112...信號線/感測器
120...水平驅動單元
130...觀察口
140...相機
150...調平控制單元
S...基板
包含附圖以提供對本發明之進一步理解,且附圖併入本說明書中並組成本說明書的一部分,附圖說明本發明實施例並與描述內容一起用於闡釋本發明之原理。附圖中:圖1係說明根據相關技術使用電漿之用於基板邊緣之蝕刻裝置的視圖;圖2係說明根據相關技術在蝕刻基板邊緣之製程中之蝕刻裝置的視圖;圖3係示意說明根據本發明第一實施例之蝕刻裝置的視圖;圖4係說明根據本發明第一實施例內部包含感測器之基板支撐件的橫截面圖;圖5係說明根據本發明第一實施例內部包含感測器之基板支撐件的透視圖;圖6係示意說明根據本發明第一實施例之另一實例之蝕刻裝置的視圖;圖7係示意說明根據本發明第一實施例之另一實例之蝕刻裝置的視圖;以及圖8係示意說明根據本發明第二實施例之蝕刻裝置的視圖。
10...腔室
12...排氣線
20...基板支撐件
30...氣體分布板
31...基板屏蔽單元
32...注射孔
40...氣體供應線
50...氣體供應單元
60...RF(射頻)電源
62...阻抗匹配系統
70...上下驅動單元
110...感測器
120...水平驅動單元
130...觀察口
140...相機
150...調平控制單元
Claims (14)
- 一種蝕刻裝置,其包括:一腔室;一位在該腔室中之基板支撐件;一位在該基板支撐件上方之基板屏蔽單元,其中該基板屏蔽單元之一直徑小於或等於一基板;一氣體注射構件,其將氣體注射至該基板之一周界上;一電源單元,其將一RF(射頻)功率提供至該腔室中;以及複數個感測器,其感測該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的間隔,其中該複數個感測器設置在該基板支撐件中;其中該複數個感測器包含一雷射光學感測器與一渦流感測器中之一者。
- 如請求項1之裝置,其中該基板支撐件包含複數個通孔,每一通孔由一真空密封壁密封,且每一感測器設置在該通孔中處於該真空密封壁下方。
- 如請求項1之裝置,其中該複數個感測器設置在該基板屏蔽單元中。
- 如請求項1之裝置,其進一步包括一連接至該基板支撐件之調平控制單元,其中該調平控制單元包含至少三個部分,該等部分中之每一者獨立地將該基板支撐件之一高度控制在該至少三個部分中之每一者處。
- 如請求項1之裝置,其中該電源單元包含一電連接至該基板支撐件之RF電源以及一設置在該基板支撐件與該RF電源之間的阻抗匹配系統。
- 如請求項1之裝置,其中該氣體注射構件包含一密封該腔室之一上壁且具有注射孔之氣體分布板,其中該基板屏蔽單元連接至該氣體分布板之一底部表面,且該等注射孔沿著該氣體分布板之一周界設置,使得該等注射孔圍繞該基板屏蔽單元。
- 如請求項1之裝置,其中該電源單元包含一電連接至該基板支撐件之第一RF電源、一設置在該基板支撐件與該第一RF電源之間的第一阻抗匹配系統、一電連接至該氣體注射構件之第二RF電源,以及設置在該氣體注射構件與該第二RF電源之間的第二阻抗匹配系統,其中該第一RF電源用於產生電漿,且該第二RF電源用於偏壓。
- 如請求項1之裝置,其中該電源單元包含一在該腔室外部之天線。
- 如請求項1之裝置,其進一步包括一觀察口,其位在該基板屏蔽單元之中心處,其中該觀察口用於檢測該基板屏蔽單元與該基板支撐件之中心之間的一致性。
- 一種蝕刻裝置,其包括:一腔室;一位在該腔室中之基板支撐件;一位在該基板支撐件上方之基板屏蔽單元,其中該基板屏蔽單元之一直徑小於或等於一基板; 一氣體注射構件,其將氣體注射至該基板之一周界上;一電源單元,其將一RF功率提供至該腔室中;以及一觀察口,其位於該基板屏蔽單元之一中心,其中該觀察口用於檢測該基板屏蔽單元與該基板支撐件之中心之間的一致性,其中該基板支撐件在其一中心處具有一第一標記,且該觀察口在其一中心處具有一第二標記。
- 如請求項10之裝置,其進一步包括一相對於該基板屏蔽單元水平移動該基板支撐件之水平驅動單元。
- 如請求項10之裝置,其進一步包括一在該腔室外部處於該觀察口上方之相機。
- 一種使用一蝕刻裝置之蝕刻方法,該蝕刻裝置包含一腔室、該腔室中的一基板支撐件、該基板支撐件上方的一基板屏蔽單元、一將氣體注射至待設置在該基板支撐件上之一基板之一周界上的氣體注射構件、一將一RF功率提供至該腔室中之電源單元、感測該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的間隔的複數個感測器,其中該複數個感測器設置在該基板支撐件中、一連接至該基板支撐件之調平控制單元、一在該基板屏蔽單元之一中心的用於檢測該基板屏蔽單元與該基板支撐件之中心之一致性的觀察口,其中該基板支撐件在其一中心處具有一第一標記,且該觀察口在其一中心處具有一第二標記,以及一相對於該基板屏蔽單元水平移動該基板支撐件之水平驅動單元,該方法包括: 在該腔室中形成一真空條件;使用該複數個感測器及該調平控制單元對該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的一第一距離進行第一控制,使得該等間隔彼此相等;使用該觀察口及該水平驅動單元對該基板支撐件與該基板屏蔽單元進行第一對準;將該基板加載在該基板支撐件上;移動該基板支撐件,使得該基板距該基板屏蔽單元一第二距離;以及藉由產生電漿移除該基板邊緣處的微粒。
- 如請求項13之方法,其進一步包括對該基板支撐件與該基板屏蔽單元之間的該第一距離進行第二控制,以及在將該基板加載在該基板支撐件上之前對該基板支撐件與該基板屏蔽單元進行第二對準。
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