CN218647878U - 等离子体监测装置和等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体监测装置和等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN218647878U
CN218647878U CN202222828560.9U CN202222828560U CN218647878U CN 218647878 U CN218647878 U CN 218647878U CN 202222828560 U CN202222828560 U CN 202222828560U CN 218647878 U CN218647878 U CN 218647878U
Authority
CN
China
Prior art keywords
inner diameter
port
plasma
monitoring device
emitted light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222828560.9U
Other languages
English (en)
Inventor
金仁教
郑石源
李殷守
朱儇佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN218647878U publication Critical patent/CN218647878U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32963—End-point detection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0012—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry
    • H05H1/0025—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry by using photoelectric means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本申请公开一种等离子体监测装置和等离子体处理装置。该等离子体监测装置包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。

Description

等离子体监测装置和等离子体处理装置
技术领域
实施例总体上提供等离子体监测装置和包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。
背景技术
一般来说，等离子体是指由离子、电子和自由基等组成的电离气体状态。等离子体可以由非常高的温度、强电场或射频电磁场(RF)产生。
等离子体处理装置可以是用于将等离子体状态的反应材料沉积在基板上或者使用等离子体状态的反应材料清洁、灰化或蚀刻基板的装置。等离子体处理装置可以包括安装在处理室中以安置基板的下电极以及安装在处理室的上部中以面对下电极的上电极。
近来，随着使用等离子体的工艺的难度增大，用于监测等离子体的状态的技术的重要性正在增加，以便精确地控制等离子体处理工艺。因此，对用于监测在等离子体处理工艺中使用的等离子体的状态的技术的研究正在继续。
实用新型内容
实施例提供用于观察等离子体分布的等离子体监测装置。
实施例提供包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。
根据本公开的实施例的等离子体监测装置可以包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。
在实施例中，第一端口可以包括具有第一内径的第一管结构以及延伸到第一管结构并具有不同于第一内径的第二内径的第二管结构。第二端口可以包括具有第三内径的第三管结构以及延伸到第三管结构并具有不同于第三内径的第四内径的第四管结构。
在实施例中，第二内径可以大于第一内径，并且第四内径可以大于第三内径。
在实施例中，第一端口可以是发射光通过其被引入的输入端口，并且第二端口可以是发射光通过其被排出的输出端口。
在实施例中，第一管结构在发射光的行进方向上的长度可以短于第三管结构在行进方向上的长度。
在实施例中，第一内径和第三内径可以相同，并且第二内径和第四内径可以相同。
在实施例中，第二内径可以大于第一内径，并且第三内径可以大于第四内径。
在实施例中，第二端口可以是发射光通过其被引入的输入端口，并且第一端口可以是发射光通过其被排出的输出端口。
在实施例中，第一内径可以大于第二内径，并且第四内径可以大于第三内径。
在实施例中，第二内径可以大于第一内径，第四内径可以大于第三内径，并且第三内径可以大于第一内径。
在实施例中，第一端口可以包括具有第一内径的第一管结构以及延伸到第一管结构并且具有第一内径的第二管结构。第二端口可以包括具有第三内径的第三管结构以及延伸到第三管结构并且具有不同于第三内径的第四内径的第四管结构。
在实施例中，第四内径可以大于第三内径。
在实施例中，流量控制部分可以进一步包括：通道部分，包括发射光行进通过的空间；以及连接部分，将第一端口和第二端口连接到通道部分。
在实施例中，光谱装置可以包括光学发射光谱仪(OES)。
根据本公开的实施例的等离子体处理装置可以包括：处理卡盘，用于在处理室中支撑处理对象；喷头，被放置为面对处理卡盘；以及等离子体监测装置，延伸到处理室并监测处理室中的等离子体处理工艺。等离子体监测装置可以包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。
在实施例中，第一端口可以包括具有第一内径的第一管结构以及延伸到第一管结构并具有不同于第一内径的第二内径的第二管结构。第二端口可以包括具有第三内径的第三管结构以及延伸到第三管结构并具有不同于第三内径的第四内径的第四管结构。
在实施例中，第二内径可以大于第一内径，并且第四内径可以大于第三内径。
在实施例中，第一端口可以是发射光通过其被引入的输入端口，并且第二端口可以是发射光通过其被排出的输出端口。
在实施例中，第一管结构在发射光的行进方向上的长度可以短于第三管结构在行进方向上的长度。
在实施例中，流量控制部分可以进一步包括：通道部分，包括发射光行进通过的空间；以及连接部分，将第一端口和第二端口连接到通道部分。
在根据本公开的实施例的等离子体监测装置中，流量控制部分可以包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及发射光通过其被排出或引入并具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口。因此，可以减小流量控制部分内部的压力变化量。因此，可以抑制测量值的虚假数据(例如，噪声)的累积。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
图1是图示根据实施例的等离子体处理装置的示意性截面图。
图2是图示图1的部分“A”的示意性放大截面图。
图3是图示流量控制部分的内部压力随时间的变化的示意图。
图4是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
图5是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
图6是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
图7是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细说明本公开的实施例。在附图中，相同的附图标记用于相同的部件，并且将省略相同的部件的冗余描述。
图1是图示根据实施例的等离子体处理装置的示意性截面图。图2是图示图1的部分“A”的示意性放大截面图。例如，图2是图示等离子体监测装置1000的一部分的示意性放大截面图。
参考图1和图2，根据实施例的等离子体处理装置10可以包括处理室100、处理卡盘120、上电极130、喷头140、气体供应部分200、真空泵300、第一电源部分400、第二电源部分500和等离子体监测装置1000。然而，等离子体处理装置10不限于此，并且可以应用各种类型的等离子体处理装置。
处理室100可以提供用于使用等离子体P对处理对象W进行处理的空间。例如，处理室100可以包括具有优异耐磨性和耐腐蚀性的材料。在等离子体处理工艺中，处理室100可以将内部空间保持在封闭状态或真空状态。
例如，处理对象W可以是诸如用于制造半导体器件的硅晶片的半导体基板或者用于制造平板显示设备的玻璃基板。使用等离子体P对处理对象W进行处理的工艺的示例可以包括蚀刻工艺、沉积工艺、灰化工艺和清洁工艺。然而，本公开不限于此。
处理室100的侧壁110可以围绕使用等离子体P的处理在其中被执行的空间。等离子体P对处理对象W进行的处理可以在处理室100内部执行。处理室100可以包括入口111和排气口112。
入口111可以延伸到气体供应部分200。气体供应部分200可以通过入口111将反应气体供应到处理室100的内部。例如，入口111可以位于处理室100的上表面中。
排气口112可以延伸到真空泵300。在处理室100的内部残留的反应气体和处理副产物可以通过排气口112被排出到处理室100的外部。例如，排气口112可以位于处理室100的下表面中。
处理卡盘120可以在等离子体处理工艺被执行时支撑处理对象W。处理卡盘120可以被放置在处理室100的内部。处理卡盘120可以被放置为面对入口111。例如，处理卡盘120可以被放置在处理室100的下部。
处理卡盘120可以电连接到第一电源部分400。例如，处理卡盘120可以包括静电卡盘(ESC)。上电极130可以电连接到第二电源部分500。例如，可以通过处理卡盘120与上电极130之间的电压差而在处理室100的内部产生等离子体P。
上电极130可以被放置为面对处理卡盘120。例如，上电极130可以被放置在处理室100的上表面中。上电极130可以与处理室100的入口111邻近放置。例如，处理室100的入口111可以穿过上电极130。
喷头140可以将从气体供应部分200供应的反应气体喷射到由侧壁110围绕的空间内。喷头140可以被放置为面对处理卡盘120。例如，喷头140可以被放置在处理室100的入口111下方。喷头140可以被放置在上电极130下方。例如，喷头140可以电连接到上电极130。因此，可以在喷头140与处理卡盘120之间的空间中产生等离子体P。
等离子体监测装置1000可以延伸到处理室100。等离子体监测装置1000可以是用于监测用于对处理对象W等进行处理的等离子体处理工艺的装置。等离子体监测装置1000可以实时测量从等离子体P发射的发射光PL的光量和照射时间，以确定等离子体处理工艺的进展。
参考图1和图2，根据实施例的等离子体监测装置1000可以包括流量控制部分600、绝缘体645、密封构件650、透明玻璃窗660、阻挡构件670、光纤连接器680、光纤690、光谱装置700和控制装置800。
流量控制部分600可以包括从等离子体P发射的发射光PL通过其被引入或排出的第一端口610以及从等离子体P发射的发射光PL通过其被排出或引入并且具有与第一端口610的形状不同的形状的第二端口620。例如，第一端口610可以是发射光PL通过其被引入的输入端口。第二端口620可以是发射光PL通过其被排出的输出端口。然而，本公开的配置不限于此。
第一端口610可以包括具有第一内径D1的第一管结构610a以及延伸到第一管结构610a并具有不同于第一内径D1的第二内径D2的第二管结构610b。第二端口620也可以包括具有第三内径D3的第三管结构620a以及延伸到第三管结构620a并具有不同于第三内径D3的第四内径D4的第四管结构620b。
这里，第一内径D1、第二内径D2、第三内径D3和第四内径D4中的每一个可以表示第一管结构610a、第二管结构610b、第三管结构620a和第四管结构620b中的每一个的在纵向方向(例如，第二方向DR2)上的长度。
处理室100可以进一步包括第一贯穿部分以及与第一贯穿部分邻近的第二贯穿部分。第一管结构610a和第三管结构620a中的每一个可以延伸到第一贯穿部分和第二贯穿部分中对应的一个贯穿部分。
在实施例中，第一内径D1可以不同于第二内径D2，并且第三内径D3可以不同于第四内径D4。例如，第一内径D1可以与第三内径D3相同，并且第二内径D2可以与第四内径D4相同。然而，本公开的配置不限于此，并且第一内径D1可以不同于第三内径D3，并且第二内径D2可以不同于第四内径D4。
第一管结构610a在发射光PL的行进方向(例如，第一方向DR1)上的长度可以小于第三管结构620a在发射光PL的行进方向上的长度。第二管结构610b在发射光PL的行进方向上的长度可以大于第四管结构620b在发射光PL的行进方向上的长度。然而，本公开的配置不限于此。
等离子体监测装置1000可能存在测量值的稳定性根据处理室100内部的环境变化而劣化的问题。因此，测量值的虚假数据(例如，噪声)可能被累积，并且可能由于虚假数据的累积而出现工艺生产率的损失。在流量控制部分600的内部压力不稳定的情况下，虚假数据可能被累积。
图3是图示流量控制部分的内部压力随时间的变化的示意图。
参考图3，比较示例可以是流量控制部分600包括发射光PL通过其被引入和排出的一个端口的情况。示例可以是流量控制部分600包括发射光PL分别通过其被引入和排出的第一端口610和第二端口620的情况。在比较示例中，可以确认流量控制部分600的内部压力随时间的变化大。在示例中，可以确认流量控制部分600的内部压力随时间的变化小。例如，在比较示例的情况下，流量控制部分600的内部压力可能不稳定。换句话说，在流量控制部分600包括发射光PL分别通过其被引入和排出的第一端口610和第二端口620的情况下，可以抑制虚假数据的累积。
返回参考图1和图2，流量控制部分600还可以包括连接部分630和通道部分640。连接部分630可以将第一端口610、第二端口620和通道部分640连接。通道部分640可以提供发射光PL行进通过的空间。例如，发射光PL可以通过形成在通道部分640中的开口OP在第一方向DR1或与第一方向DR1相反的方向上行进。
透明玻璃窗660可以延伸到流量控制部分600。具体地，透明玻璃窗660可以延伸到流量控制部分600的通道部分640。透明玻璃窗660可以被密封到绝缘体645。透明玻璃窗660可以透射发射光PL。
透明玻璃窗660可以包括具有高透射率的材料。例如，透明玻璃窗660可以包括石英等。然而，可以包括在透明玻璃窗660中的材料不限于此，并且透明玻璃窗660可以包括各种高透射率材料。
密封构件650可以被放置在通道部分640的侧面，以将透明玻璃窗660密封到绝缘体645。绝缘体645可以具有围绕通道部分640的结构。例如，密封构件650可以是O形环。
阻挡构件670可以将透明玻璃窗660和光纤连接器680彼此连接。例如，阻挡构件670可以被放置在透明玻璃窗660与光纤连接器680之间。阻挡构件670可以联接到绝缘体645。例如，阻挡构件670可以通过连接构件联接到绝缘体645。连接构件可以是螺钉等。例如，连接构件可以是塑料螺钉或陶瓷螺钉。然而，连接构件的材料不限于此。
光纤连接器680可以将阻挡构件670和光纤690彼此连接。光纤690可以被放置为使得从等离子体P发射的发射光PL通过流量控制部分600和透明玻璃窗660进入光纤690以产生光信号。光纤690可以将发射光PL传输到光谱装置700。
光纤690可以是具有大约400μm的尺寸的芯光纤。然而，本公开的配置不限于此，并且为了控制发射光PL的透射率和光纤690中的信号强度，光纤690可以是具有不同尺寸的芯光纤。例如，为了限制到达光谱装置700的光信号，可以使用具有相对宽的尺寸(例如，大约400μm)的芯光纤来监测产生低水平的发射光PL的等离子体P。另一方面，可以使用具有相对窄的尺寸(例如，大约110μm、大约100μm、大约62.5μm、大约50μm或大约9μm等)的芯光纤来监测产生高水平的发射光PL的等离子体P。例如，发射光PL的水平可以指发射光PL的强度。
光谱装置700可以光连接到透明玻璃窗660。具体地，光谱装置700可以通过阻挡构件670、光纤连接器680和光纤690光连接到透明玻璃窗660。光谱装置700可以检测发射光PL的辐射强度。在实施例中，光谱装置700可以包括光学发射光谱仪(OES)。
光谱装置700可以分析从光纤690接收的光信号，以识别光信号中的发射峰，包括识别与特定元素的能量跃迁相对应的特定发射峰。例如，可以在光谱装置700中观察和/或操纵指明光谱和/或光谱中的发射峰的信息。
可以将发射峰信息传输到控制装置800以进行分析、操纵和/或存储。例如，控制装置800可以包括计算机。控制装置800可以设置在等离子体处理装置10周围，或者可以被放置在远程位置并且可以通过内联网连接或互联网连接而连接到光谱装置700。
在根据本公开的实施例的等离子体监测装置1000中，流量控制部分600可以包括从等离子体P发射的发射光PL通过其被引入或排出的第一端口610以及从等离子体P发射的发射光PL通过其被排出或引入并且具有与第一端口610的形状不同的形状的第二端口620。因此，可以减小流量控制部分600的内部压力的变化。可以抑制虚假数据的累积。
图4是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
参考图1和图4，根据实施例的等离子体监测装置1000可以包括流量控制部分600、绝缘体645、密封构件650、透明玻璃窗660、阻挡构件670、光纤连接器680、光纤690、光谱装置700和控制装置800。除了第一端口610和第二端口620中的每一个的形状之外，参考图4描述的等离子体监测装置1000可以与参考图2描述的等离子体监测装置1000基本相同或相似。在下文中，将省略相同的描述。
如上所述，第一端口610可以包括第一管结构610a和第二管结构610b。第二端口620可以包括第三管结构620a和第四管结构620b。
第一管结构610a的第一内径D1可以不同于第二管结构610b的第二内径D2。第三管结构620a的第三内径D3可以不同于第四管结构620b的第四内径D4。例如，第二内径D2可以与第三内径D3相同，并且第一内径D1可以与第四内径D4相同。然而，本公开的配置不限于此，并且第二内径D2可以不同于第三内径D3，并且第一内径D1可以不同于第四内径D4。
在实施例中，第二内径D2可以大于第一内径D1，并且第三内径D3可以大于第四内径D4。第一端口610可以是输出端口并且第二端口620可以是输入端口。例如，发射光PL可以通过第二端口620被引入等离子体监测装置1000中并且可以通过第一端口610被排出。
图5是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
参考图1和图5，根据实施例的等离子体监测装置1000可以包括流量控制部分600、绝缘体645、密封构件650、透明玻璃窗660、阻挡构件670、光纤连接器680、光纤690、光谱装置700和控制装置800。除了第一端口610和第二端口620中的每一个的形状之外，参考图5描述的等离子体监测装置1000可以与参考图2描述的等离子体监测装置1000基本相同或相似。在下文中，将省略相同的描述。
如上所述，第一端口610可以包括第一管结构610a和第二管结构610b。第二端口620可以包括第三管结构620a和第四管结构620b。
第一管结构610a的第一内径D1可以不同于第二管结构610b的第二内径D2。第三管结构620a的第三内径D3可以不同于第四管结构620b的第四内径D4。例如，第二内径D2可以与第三内径D3相同，并且第一内径D1可以与第四内径D4相同。然而，本公开的配置不限于此，并且第二内径D2可以不同于第三内径D3，并且第一内径D1可以不同于第四内径D4。
在实施例中，第一内径D1可以大于第二内径D2，并且第四内径D4可以大于第三内径D3。第一端口610可以是输出端口并且第二端口620可以是输入端口。例如，发射光PL可以通过第二端口620被引入等离子体监测装置1000中并且可以通过第一端口610被排出。
图6是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
参考图1和图6，根据实施例的等离子体监测装置1000可以包括流量控制部分600、绝缘体645、密封构件650、透明玻璃窗660、阻挡构件670、光纤连接器680、光纤690、光谱装置700和控制装置800。除了第一端口610和第二端口620中的每一个的形状之外，参考图6描述的等离子体监测装置1000可以与参考图2描述的等离子体监测装置1000基本相同或相似。在下文中，将省略相同的描述。
如上所述，第一端口610可以包括第一管结构610a和第二管结构610b。第二端口620可以包括第三管结构620a和第四管结构620b。
第一管结构610a的第一内径D1可以不同于第二管结构610b的第二内径D2。第三管结构620a的第三内径D3可以不同于第四管结构620b的第四内径D4。例如，第二内径D2可以与第三内径D3相同。然而，本公开的配置不限于此，并且第二内径D2可以不同于第三内径D3。
在实施例中，第二内径D2可以大于第一内径D1，并且第四内径D4可以大于第三内径D3。第一端口610可以是输出端口并且第二端口620可以是输入端口。例如，发射光PL可以通过第二端口620被引入等离子体监测装置1000中并且可以通过第一端口610被排出。
图7是图示根据实施例的等离子体监测装置的示意性截面图。
参考图1和图7，根据实施例的等离子体监测装置1000可以包括流量控制部分600、绝缘体645、密封构件650、透明玻璃窗660、阻挡构件670、光纤连接器680、光纤690、光谱装置700和控制装置800。除了第一端口610和第二端口620中的每一个的形状之外，参考图7描述的等离子体监测装置1000可以与参考图2描述的等离子体监测装置1000基本相同或相似。在下文中，将省略相同的描述。
如上所述，第一端口610可以包括第一管结构610a和第二管结构610b。第二端口620可以包括第三管结构620a和第四管结构620b。
第一管结构610a的第一内径D1可以与第二管结构610b的第二内径D2相同。第三管结构620a的第三内径D3可以不同于第四管结构620b的第四内径D4。例如，第三内径D3可以与第一内径D1和第二内径D2分别相同。然而，本公开的配置不限于此，并且第三内径D3可以不同于第一内径D1和第二内径D2中的每一个。
在实施例中，第四内径D4可以大于第三内径D3，并且第一内径D1可以与第二内径D2相同。第一端口610可以是输出端口并且第二端口620可以是输入端口。例如，发射光PL可以通过第二端口620被引入等离子体监测装置1000中并且可以通过第一端口610被排出。
参考图4、图5、图6和图7描述的第一管结构610a、第二管结构610b、第三管结构620a和第四管结构620b中的每一个的形状不限于此，并且第一管结构610a、第二管结构610b、第三管结构620a和第四管结构620b中的每一个可以具有各种形状。
本公开可以应用于制造各种显示设备的工艺。例如，本公开可以应用于制造高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板PC、车载导航系统、电视、计算机监视器和笔记本计算机等的工艺。
前述内容是对实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在不实质背离本公开的新颖教导和优点的情况下，实施例中的许多修改是可能的。因此，所有这样的修改旨在包括在权利要求书中限定的本公开的范围内。因此，应该理解，前述内容是对各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例旨在包括在所附权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种等离子体监测装置，包括：
流量控制部分，包括：第一端口，从等离子体发射的发射光通过所述第一端口被引入或排出；和第二端口，从所述等离子体发射的所述发射光通过所述第二端口被排出或引入，并且所述第二端口具有与所述第一端口的形状不同的形状；
透明玻璃窗，连接到所述流量控制部分并使所述发射光穿过；以及
光谱装置，通过光纤光连接到所述透明玻璃窗，并且检测所述发射光的辐射强度。
2.根据权利要求1所述的等离子体监测装置，其中，
所述第一端口包括：第一管结构，具有第一内径；和第二管结构，连接到所述第一管结构并且具有不同于所述第一内径的第二内径，并且
所述第二端口包括：第三管结构，具有第三内径；和第四管结构，连接到所述第三管结构并且具有不同于所述第三内径的第四内径。
3.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第二内径大于所述第一内径，并且所述第四内径大于所述第三内径，
其中，所述第一端口是所述发射光通过其被引入的输入端口，并且所述第二端口是所述发射光通过其被排出的输出端口，
其中，所述第一管结构在所述发射光的行进方向上的长度短于所述第三管结构在所述行进方向上的长度，并且
其中，所述第一内径和所述第三内径彼此相等，并且所述第二内径和所述第四内径彼此相等。
4.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第二内径大于所述第一内径，并且所述第三内径大于所述第四内径，并且
其中，所述第二端口是所述发射光通过其被引入的输入端口，并且所述第一端口是所述发射光通过其被排出的输出端口。
5.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，
所述第一内径大于所述第二内径，并且
所述第四内径大于所述第三内径。
6.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，
所述第二内径大于所述第一内径，
所述第四内径大于所述第三内径，并且
所述第三内径大于所述第一内径。
7.根据权利要求1所述的等离子体监测装置，其中，所述第一端口包括：第一管结构，具有第一内径；和第二管结构，连接到所述第一管结构并且具有所述第一内径，并且所述第二端口包括：第三管结构，具有第三内径；和第四管结构，连接到所述第三管结构并且具有不同于所述第三内径的第四内径，并且
其中，所述第四内径大于所述第三内径。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体监测装置，其中，所述流量控制部分进一步包括：
通道部分，包括所述发射光行进通过的空间；以及
连接部分，将所述第一端口和所述第二端口连接到所述通道部分。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体监测装置，其中，所述光谱装置包括光学发射光谱仪。
10.一种等离子体处理装置，包括：
处理卡盘，在处理室中支撑处理对象；
喷头，面对所述处理卡盘；以及
根据权利要求1至9中任一项所述的等离子体监测装置，连接到所述处理室并且监测所述处理室中的等离子体处理工艺。
CN202222828560.9U 2021-10-27 2022-10-26 等离子体监测装置和等离子体处理装置 Active CN218647878U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210144264A KR20230060565A (ko) 2021-10-27 2021-10-27 플라즈마 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR10-2021-0144264 2021-10-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218647878U true CN218647878U (zh) 2023-03-17

Family

ID=85495101

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222828560.9U Active CN218647878U (zh) 2021-10-27 2022-10-26 等离子体监测装置和等离子体处理装置
CN202211318388.0A Pending CN116031129A (zh) 2021-10-27 2022-10-26 等离子体监测装置和等离子体处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211318388.0A Pending CN116031129A (zh) 2021-10-27 2022-10-26 等离子体监测装置和等离子体处理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230130913A1 (zh)
KR (1) KR20230060565A (zh)
CN (2) CN218647878U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116031129A (zh) 2023-04-28
US20230130913A1 (en) 2023-04-27
KR20230060565A (ko) 2023-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7462293B2 (en) Method and apparatus for measuring electron density of plasma and plasma processing apparatus
KR100499229B1 (ko) 플라즈마를 사용하여 반도체웨이퍼를 처리하는플라즈마처리장치
KR101234938B1 (ko) 플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치
US20050189069A1 (en) Plasma processing system and method
US9721768B2 (en) Apparatus for optical emission spectroscopy and plasma treatment apparatus
WO2011013702A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20060048891A1 (en) Method and apparatus for determining an etch property using an endpoint signal
CN105824041A (zh) 光学分光分析装置
US7297560B2 (en) Method and apparatus for detecting endpoint
KR101591961B1 (ko) 플라즈마 처리 챔버의 플라즈마 상태 분석 장치 및 방법
CN218647878U (zh) 等离子体监测装置和等离子体处理装置
US5985092A (en) Endpoint detection system
KR101969422B1 (ko) 플라즈마 공정 모니터링 장치
KR20160093574A (ko) 광학 분광 분석 장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
US20040134426A1 (en) Observation window of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus using the same
KR102019415B1 (ko) 플라즈마 모니터링 장치
KR102162728B1 (ko) 광학 분광 분석 장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
US20230207293A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102001777B1 (ko) 모니터링 플라즈마 셀을 이용한 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법
Lee et al. In situ monitoring of the relative distribution of radicals by a two probe system
KR20040009959A (ko) 개선된 ｅｐｄ 시스템 및 이를 구비한 플라즈마 식각 장치
KR20050088532A (ko) 개선된 ｅｐｄ 시스템
KR20030027153A (ko) 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치의 광케이블 구조

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant