KR101234938B1 - 플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치 - Google Patents

플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마에 노출되도록 구성되는 일 세트의 플라즈마 챔버 표면을 포함하는 플라즈마 처리 챔버에서 전기적 특성 세트를 측정하도록 구성된 프로브 장치가 개시된다. 그 프로브 장치는 플라즈마에 노출되도록 구성된 수집 원반 구조물을 포함하고, 이에 의해 수집 원반 구조물이 일 세트의 플라즈마 챔버 표면 중 하나 이상과 코플래너이다. 그 프로브 장치는 또한 전기적 특성 세트를 수집 원반 구조물로부터 일 세트의 트랜스듀서로 송신하도록 구성된 도전 통로를 포함하고, 전기적 특성 세트는 플라즈마의 이온 플럭스에 의해 발생된다. 그 프로브 장치는 일 세트의 플라즈마 챔버 표면으로부터 수집 원반 구조물 및 도전 통로를 실질적으로 전기적으로 분리하도록 구성된 절연 배리어를 더 포함한다.
프로브 장치, 플라즈마 처리 챔버, 수집 원반 구조물

Description

플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치{APPARATUS FOR MEASURING A SET OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS IN A PLASMA}
본 발명은 일반적으로 기판 제조 기술에 관한 것이고, 보다 상세하게는 플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치에 관한 것이다.
기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼, MEMS 디바이스, 또는 평판 디스플레이 제조에 사용되는 것과 같은 유리 패널의 처리 시, 플라즈마가 종종 이용된다. 기판 처리 (화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 에칭 등) 의 일부로서, 예를 들어 기판은 각각이 집적 회로가 될 복수의 다이 또는 직사각형 영역으로 분할된다. 그 다음, 기판 상에 전기적 컴포넌트들을 형성하기 위해, 재료들이 선택적으로 제거 (에칭) 및 증착 (증착) 되는 일련의 단계들로 기판이 처리된다.
예시적인 플라즈마 공정에서, 기판은 에칭 이전에 (포토레지스트 마스크와 같은) 경화 유제 박막으로 피복된다. 그 다음, 경화 유제의 영역이 선택적으로 제거되어, 하부층의 일부가 노출되도록 한다. 그 다음, 플라즈마 처리 챔버 내에서 단극 또는 양극 전극을 포함하는, 척이라 불리는 기판 지지 구조물 상에 기판 이 배치된다. 그 후, 적당한 에천트 소스 가스들 (예를 들어, C4F8, C4F6, CHF3, CH2F3, CF4, CH3F, C2F4, N2, O2, Ar, Xe, He, H2, NH3, SF6, BCl3, Cl2 등) 이 챔버로 유입되고 플라즈마를 형성하도록 충돌하여 기판의 노출된 영역을 에칭한다.
그 후, 일치하는 플라즈마 처리 결과를 보장하기 위해, 플라즈마의 전기적 특성 (예를 들어, 이온 포화 전류, 전자 온도, 플로팅 전위 등) 을 측정하는 것이 종종 유리하다. 예시들은 챔버 컨디셔닝 공정의 종말점 검출, 챔버 매칭 (예를 들어 표면상 일치되어야 하는 챔버들 사이의 차이점을 찾는 것), 챔버 내의 결함 및 문제점 검출을 포함한다.
도 1을 참조하면, 유도 결합형 플라즈마 처리 챔버의 개략도가 도시되어 있다. 일반적으로, 적당한 세트의 가스가 가스 분배 시스템 (122) 으로부터 플라즈마 챔버 벽 (117) 을 갖는 플라즈마 챔버 (102) 로 유입될 수도 있다. 그 후, 이들 플라즈마 처리 가스는 정전 척 (116) 상의 에지 링 (115) 에 의해 위치된, 반도체 기판 또는 유리 판 (glass pane) 과 같은 기판 (114) 의 노출된 영역을 처리 (예를 들어, 에칭 또는 증착) 하기 위하여, 인젝터 (109) 근방 영역에서 또는 그 영역내에서 이온화되어 플라즈마 (110) 를 형성할 수도 있다.
제1 RF 발생기 (134) 는 플라즈마를 발생할 뿐만 아니라 플라즈마 밀도를 제어하고, 제2 RF 발생기 (138) 는 DC 바이어스 및 이온 충격 에너지를 제어하는데 통상적으로 사용되는 바이어스 RF 를 발생한다. 소스 RF 발생기 (134) 에 매칭 네트워크 (136a) 가 더 연결되고, 바이어스 RF 발생기 (138) 에 매칭 네트워크 (136b) 가 더 연결되어, RF 전력 소스의 임피던스를 플라즈마 (110) 의 임피던스에 매칭시키도록 한다. 또한, 밸브 (112) 및 일 세트의 펌프 (111) 를 포함하는 진공 시스템 (113) 은, 플라즈마 (110) 를 유지 및/또는 공정 부산물을 제거하는데 필요한 압력을 얻기 위하여, 플라즈마 챔버 (102) 로부터 분위기 가스를 비우는데 일반적으로 사용된다.
도 2를 참조하면, 용량 결합형 플라즈마 처리 시스템의 개략도가 도시되어 있다. 일반적으로, 용량 결합형 플라즈마 처리 시스템은 단일 또는 다수의 개별 RF 전력 소스로 구성될 수도 있다. 소스 RF 발생기 (234) 에 의해 발생되는 소스 RF 는, 플라즈마를 발생할 뿐만 아니라 용량 결합을 통해 플라즈마 밀도를 제어하는데 일반적으로 사용된다. 바이어스 RF 발생기 (238) 에 의해 발생되는 바이어스 RF 는, DC 바이어스와 이온 충격 에너지를 제어하는데 통상적으로 사용된다. 소스 RF 발생기 (234) 및 바이어스 RF 발생기 (238) 에 매칭 네트워크 (236) 가 더 연결되어, RF 전력 소스의 임피던스를 플라즈마 (220) 의 임피던스에 매칭하도록 한다. 용량성 반응기의 다른 유형은 상부 전극 (204) 에 연결된 매칭 네트워크와 RF 전력 소스를 구비한다. 부가적으로, 유사한 RF 및 전극 배열을 또한 수반하는 3극 진공관과 같은 멀티 애노드 시스템이 있다.
일반적으로, 적당한 세트의 가스는 상부 전극 (204) 의 입구를 통해 가스 분배 시스템 (222) 으로부터 플라즈마 챔버 벽 (217) 을 갖는 플라즈마 챔버 (202) 로 유입된다. 그 후, 이들 플라즈마 처리 가스는 전극으로서도 작용하는 정전 척 (216) 상에 에지 링 (215) 에 의해 위치된, 반도체 기판 또는 유리판과 같은 기 판 (214) 의 노출된 영역을 처리 (예를 들어, 에칭 또는 증착) 하기 위하여, 이온화되어 플라즈마 (220) 를 형성할 수도 있다. 또한, 밸브 (212) 및 일 세트의 펌프 (211) 를 포함하는 진공 시스템 (213) 이 플라즈마 (220) 를 유지하는데 필요한 압력을 얻기 위하여 플라즈마 챔버 (202) 로부터 분위기 가스를 비우는데 일반적으로 사용된다.
상술한 것을 고려하여, 플라즈마의 전기적 특성 세트를 측정하기 위한 장치가 바람직하다.
본 발명은, 일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 챔버의 전기적 특성 세트를 측정하도록 구성된 프로브 장치에 관련되며, 플라즈마 처리 챔버는 플라즈마에 노출되도록 구성된 일 세트의 플라즈마 챔버 표면을 포함한다. 그 프로브 장치는 플라즈마에 노출되도록 구성된 수집 원반 구조물 (collection disk structure) 을 포함하고, 이에 의해 수집 원반 구조물은 일 세트의 플라즈마 챔버 표면 중 하나 이상과 코플래너 (coplanar) 이다. 그 프로브 장치는 또한 수집 원반 구조물로부터 일 세트의 트랜스듀서로 전기적 특성 세트를 송신하도록 구성된 도전 통로를 포함하며, 전기적 특성 세트는 플라즈마의 이온 플럭스에 의해 발생된다. 그 프로브 장치는 수집 원반 구조물과 도전 통로를 일 세트의 플라즈마 챔버 표면으로부터 실질적으로 전기적으로 분리하도록 구성된 절연 배리어를 더 포함한다.
본 발명은, 다른 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 챔버의 전기적 특성 세트를 측정하도록 구성된 프로브 장치에 관련되며, 플라즈마 처리 챔버는 플라즈마에 노출되도록 구성된 일 세트의 플라즈마 챔버 표면을 포함한다. 그 프로브 장치는 플라즈마에 노출되도록 구성된 수집 원반 구조물을 포함하고, 이에 의해 내부에 수집 원반 구조물이 배치되는 플라즈마 챔버 표면에 대해 수집 원반 구조물이 리세스 (recess) 된다. 그 프로브 장치는 또한 수집 원반 구조물로부터 일 세트의 트랜스듀서로 전기적 특성 세트를 송신하도록 구성된 도전 통로를 포함하며, 전기적 특성 세트는 플라즈마의 이온 플럭스에 의해 발생된다. 그 프로브 장치는 수집 원반 구조물과 도전 통로를 일 세트의 플라즈마 챔버 표면으로부터 실질적으로 전기적으로 분리하도록 구성된 절연 배리어를 더 포함한다.
본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징은 다음의 도면들과 함께 이하 본 발명의 상세한 설명에서 더 상세하게 설명될 것이다.
첨부된 도면의 도에 있어서, 본 발명은 한정으로서가 아니라 예시로서 설명되는 것이며, 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성요소로 간주한다.
도 1은 유도 결합형 플라즈마 처리 시스템의 개략도를 도시한다.
도 2는 용량 결합형 플라즈마 처리 시스템의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로브의 개략도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 도전 통로와 수집 원반 구조물 사이에서 직접 콘택이 이루어지는 프로브의 개략도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 배선을 포함하는 도전 통로의 개략도를 도시한다.
이하, 첨부된 도면에 도시되는 바와 같이 본 발명의 몇몇 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명이 상세하게 설명될 것이다. 다음의 설명에서, 다수의 특정 상세가 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 이러한 특정 상세의 일부 또는 모두 없이도 본 발명이 실시될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다. 다른 예시에서, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위하여, 주지된 공정 단계 및/또는 구조는 상세하게 설명되지 않는다.
이론에 얽매이는 것을 원치 않지만, 여기에서 본 발명자는 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마의 전기적 특성 세트가 플라즈마 챔버 표면과 실질적으로 코플래너인 센서, 또는 다른 방법으로, 플라즈마 챔버 벽 내로 리세스된 센서에 의해 이온 플럭스를 측정함으로써 결정될 수 있다고 생각한다.
플럭스는 소정의 양이 단위 시간 당 고정된 바운더리를 통과하는 속도로서 일반적으로 정의된다. 플라즈마 처리 시스템에 대하여, 이온 플럭스는 통상적으로 플라즈마 챔버 표면 또는 바운더리를 통과하는 플라즈마 내의 이온에 의해 생성된 단위 시간 당 에너지 (또는 전력) 를 나타낸다. 그 후, 이 플라즈마 표면 (또는 바운더리) 상호작용이 그 자체로 플라즈마의 전기적 특성 세트를 결정하기 위해 분석될 수 있다.
'코플래너' 는 플라즈마 챔버 표면에 대한 센서의 위치로서, 센서의 측정 표면과 플라즈마 챔버의 표면이 실질적으로 동일 평면상에 있는 것을 말한다. '리세스된' 은 플라즈마 챔버 표면에 대한 센서의 위치로서, 플라즈마 챔버의 표면 이 센서의 측정 표면과 플라즈마 사이에 있는 것을 말한다.
코플래너가 아닌 또는 리세스되지 않은 간섭계의 사용과 같은, 왜곡되기 쉬운 다른 간접적인 측정 기술과 달리, 코플래너 센서 또는 리세스된 센서는 플라즈마 챔버 내부의 조건을 직접적으로 측정할 수 있다. 예를 들어, 코플래너 이온 플럭스 프로브는, 챔버 내의 결함 및 문제점들을 검출하기 위해, 챔버 매칭 (예를 들어, 표면상으로 동일해야 하는 챔버들 사이의 차이점을 찾는 것) 을 위해, 챔버 컨디셔닝 공정의 종말점을 검출하는데 사용되어 플라즈마 특성 (예를 들어, 이온 포화 전류, 전자 온도, 플로팅 전위 등) 을 측정할 수도 있다.
일 실시형태에 있어서, 플라즈마 및 반응 가스들에 노출되는 프로브의 부분들은 파티클 또는 원치않는 케미컬로 플라즈마를 오염시키지 않는 재료로 이루어진다. 예를 들어, 유전체 에칭 시스템에서, 적당한 재료들은 실리콘, 실리콘 이산화물 및 플루오로폴리머류를 포함하게 된다. 또한, 적당하게 작용하기 위해, 통상적으로 플라즈마 처리에서 발견된 상온 및 상승된 온도 (관례대로 200℃ 또는 그 이상) 사이에서 순환될 때, 프로브의 도전성 표면과 전력공급/센싱 전자 기기 (예를 들어, 트랜스듀서 등) 사이의 연결은 낮고 안정적인 저항을 가져야 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 프로브의 개략도가 도시되어 있다. 일반적으로, 프로브는 수집 원반 구조물, 도전 통로 및 절연 배리어로 구성된다. 수집 원반 구조물 (302) 은 플라즈마와 대면하고 플라즈마 챔버 표면과 코플래너이거나, 플라즈마 챔버 표면에 대하여 리세스된 도전성 표면 영역 (303) 으로 일반적으로 구성된다. 일 실시형태에서, 수집 원반 구조물 (302) 은 금속화 실리콘으로 이루어진다. 수집 원반 구조물 (302) 은 도전 통로 (306) 에 더 연결되며, 차례로, 이 도전 통로 (306) 는 느린 과도 전류가 캐패시턴스를 충전하고 방전할 때, 이온 플럭스 프로브의 I-V 특성들을 측정할 수 있는 전력공급/센싱 전자기기 (미도시) 에 통상적으로 연결된다. 일 실시형태에서, 후면 (즉, 도전 통로 (306) 와 접촉하는 표면) 은 금속으로 스퍼터링된다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (306) 는 알루미늄으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (306) 는 스테인레스 강 (stainless steel) 으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 수집 원반 구조물 (302) 은 리프 스프링 (308) 을 통해 도전 통로 (306) 에 더 연결된다. 일 실시형태에서, 리프 스프링 (308) 은 실질적으로 원통형이다.
또한 수집 원반 구조물 (302) 과 도전 통로 (306) 를 플라즈마 챔버 (미도시) 로부터 격리하기 위해 절연 배리어 (304) 가 있다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (304) 는 그라운드 쉴드이다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (304) 는 석영과 같은 유전체이다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (304) 는 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물 등과 같은 세라믹을 포함한다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (304) 는 에어 (진공) 갭을 포함하는데, 이 에어 갭은 갭 내부에서의 플라즈마 형성을 방지할 정도로 충분히 작지만, 플라즈마 챔버 (미도시) 와 도전 통로 (306) 사이에서의 아킹을 방지할 정도로 충분히 크다.
이하, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 도전 통로와 수집 원반 구조물 사이에서 직접 콘택이 이루어지는, 프로브의 개략도가 도시되어 있다. 일반적으로, 이전과 같이, 프로브는 수집 원반 구조물, 도전 통로 및 절연 배리어로 구성된다. 수집 원반 구조물 (402) 은 플라즈마 (110) 와 대면하고 플라즈마 챔버 표면과 코플래너이거나 플라즈마 챔버 표면에 대하여 리세스된 도전 표면 영역 (403) 으로 일반적으로 구성된다.
일 실시형태에서, 수집 원반 구조물 (402) 은 금속화 실리콘으로 이루어진다. 일반적으로, 금속화 실리콘은 플라즈마를 오염시킬 수도 있는, 텅스텐 및 알루미늄 산화물과 같이 더 통상적으로 사용되는 재료보다 바람직하다. 수집 원반 구조물 (402) 은 도전 통로 (406) 에 더 연결되며, 차례로, 이 도전 통로 (406) 는 느린 과도 전류가 캐패시턴스를 충전하고 방전할 때, 이온 플럭스 프로브의 I-V 특성들을 측정할 수 있는 전력공급/센싱 전자기기 (미도시) 에 통상적으로 연결된다. 일 실시형태에서, 후면 (즉, 도전 통로 (406) 와 접촉하는 표면) 은 금속으로 스퍼터링된다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (406) 는 알루미늄으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (406) 는 스테인레스 강으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 수집 원반 구조물 (402) 은 리프 스프링 (408) 을 통해 도전 통로 (406) 에 더 연결된다. 일 실시형태에서, 리프 스프링 (408) 은 실질적으로 원통형이다. 또한 수집 원반 구조물 (402) 과 도전 통로 (406) 를 플라즈마 챔버 (미도시) 로부터 격리하기 위해 절연 배리어 (404) 가 있다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (404) 는 그라운드 쉴드이다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (404) 는 석영을 포함한다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (404) 는 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물 등과 같은 세라믹을 포함한다.
일 실시형태에서, 열 팽창을 위한 공간을 제공하기 위해 절연 배리어 (404) 와 도전 통로 (406) 사이에 갭 (415a) 이 존재한다. 일 실시형태에서, 갭 (415a) 은 갭 내의 플라즈마 형성을 방지할 정도로 충분히 작다. 일 실시형태에서, 갭 (415b) 은 열팽창을 위한 공간을 제공하기 위해 절연 배리어 (404) 와 플라즈마 챔버 벽 구조물 (414) 사이에 존재한다. 일 실시형태에서, 갭 (415b) 은 갭 내의 플라즈마 형성을 방지할 정도로 충분히 작다.
일 실시형태에서, O-링 (410) 은 수집 원반 구조물 (402) 과 절연 배리어 (404) 사이에 위치된다. 일 실시형태에서, O-링 (411) 은 절연 배리어 (404) 와 플라즈마 챔버 벽 구조물 (414) 사이에 위치된다. 일 실시형태에서, O-링 (410) 과 O-링 (411) 은 퍼플루오르화 엘라스토머 (예를 들어, Perlast, Parofluor, Kalrez 등) 로 이루어진다. 일 실시형태에서, O-링 (410) 과 O-링 (411) 은 테프론 (Teflon) 으로 이루어진다. 일 실시형태에서, O-링 (410) 은 수집 원반 구조물 (402) 과 도전 통로 (406) 사이의 갭 내에서의 아킹 또는 점등을 실질적으로 감소시킨다. 일 실시형태에서, O-링 (411) 은 도전 통로 (406) 와 절연 배리어 (404) 사이의 갭 내에서의 아킹 또는 점등을 실질적으로 감소시킨다. 일 실시형태에서, O-링 (410, 411) 은 상술한 바와 같이, 수집 원반 구조물 (402) 의 후면 상에 스퍼터링되어 있었을 수도 있는 금속으로부터 플라즈마가 오염되는 것을 실질적으로 감소시킬 수도 있다.
일 실시형태에서, 프로브의 온도는 플라즈마 챔버의 온도와 실질적으로 동일하다. 일반적으로, 플라즈마 레시피는 플라즈마 처리 시스템에서 컴포넌트들의 온도 변화에 크게 민감해지는 경향이 있기 때문에 (즉, 에칭 품질 등), 온도 균일도가 유리하다.
일 실시형태에서, 열 도전성 접착제층이 도전 통로 (406) 와 절연 배리어 (404) 사이에 배치된다. 일 실시형태에서, 온도의 폐쇄 루프 제어는 원반 구조물 (402) 내에 열전지 (미도시) 를 임베딩하고, 도전 통로 (406) 주위에 저항 배선 (미도시) 을 임베딩함으로써 달성될 수도 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 도전 통로는 배선을 포함한다. 일반적으로, 이전과 같이, 프로브는 수집 원반 구조물 (502), 도전 통로 (506) 및 절연 배리어 (504) 로 구성된다. 수집 원반 구조물 (502) 은 플라즈마 (110) 와 대면하고 플라즈마 챔버 표면과 코플래너이거나 플라즈마 챔버 표면에 대해 리세스된 도전 표면 영역 (503) 으로 일반적으로 구성된다.
일 실시형태에서, 수집 원반 구조물 (502) 은 금속화 실리콘으로 이루어진다. 수집 원반 구조물 (502) 은 도전 경로 (506) 에 더 연결되며, 차례로, 이 도전 통로 (506) 는 느린 과도 전류가 캐패시턴스를 충전하고 방전할 때, 이온 플럭스 프로브의 I-V 특성들을 측정할 수도 있는 전력 공급/센싱 전자기기 (미도시) 에 통상적으로 연결된다. 일 실시형태에서, 후면 (즉, 도전 통로 (506) 와 접촉하는 표면) 은 금속으로 스퍼터링된다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (506) 는 알루미늄으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (506) 는 스테인레스 강으로 이루어진다. 또한 수집 원반 구조물 (502) 과 도전 통로 (506) 를 플라즈마 챔버 (514) 로부터 격리하기 위해 절연 배리어 (504) 가 있다. 일 실 시형태에서, 절연 배리어 (504) 는 그라운드 쉴드이다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (504) 는 석영을 포함한다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (504) 는 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물 등과 같은 세라믹을 포함한다. 일 실시형태에서, 절연 배리어 (504) 는 에어 갭을 포함하는데, 이 에어 갭은 갭 내의 플라즈마 형성을 방지할 정도로 충분히 작지만, 도전 통로 (506) 와 플라즈마 챔버 (514) 사이의 아킹을 방지할 정도로 충분히 크다.
일 실시형태에서, O-링 (510) 은 수집 원반 구조물 (502) 과 플라즈마 챔버 벽 구조물 (514) 사이에 위치된다. 일 실시형태에서, O-링 (510) 은 퍼플루오르화 엘라스토머 (예를 들어, Perlast, Parofluor, Kalrez 등) 로 구성된다. 일 실시형태에서, O-링 (510) 은 테프론으로 이루어진다. 일 실시형태에서, O-링 (510) 은 프로브 (507) 뒤와 플라즈마 챔버 (미도시) 사이에서 압력을 제공한다. 이러한 압력은 동작 동안 열을 소산시키는 프로브의 능력을 실질적으로 개선시킨다.
일 실시형태에서, 프로브의 온도는 플라즈마 챔버의 온도와 실질적으로 동일한다. 일 실시형태에서, 열도전성 접착제층은 도전 통로 (506) 와 절연 배리어 (504) 사이에 배치된다. 일 실시형태에서, 온도의 폐쇄 루프 제어는 원반 구조물 (502) 내에 열전지 (미도시) 를 임베딩하고, 도전 통로 (506) 주위에 저항 배선 (미도시) 을 임베딩으로써 달성될 수도 있다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (506) 는 전력 공급/센싱 전자기기에 연결된 배선 (509) 을 포함한다. 일 실시형태에서, 배선은 나사에 의해 도전 통로 (506) 에 연결된다. 일 실시형태에 서, 배선은 BNC 커넥터 (미도시) 에 의해 도전 통로 (506) 에 연결된다. 일 실시형태에서, 도전 통로 (506) 는 512 에서 수집 원반 구조물 (502) 과 물리적으로 직접 접촉한다.
일 실시형태에서, 프로브 바이어스는 공칭 플로팅 전위 이상으로 실질적으로 바이어스되지 않으며, 일반적으로 인가된 RF 전위와 함께 플라즈마로부터 전적으로 유도된다. 일 실시형태에서, 프로브의 열적 그라운딩은 그라파이트 (507) 와 같은 낮은 열 접촉 저항을 제공하는 재료 및 압력을 사용함으로써 달성될 수도 있다. 일 실시형태에서, 온도의 폐쇄 루프 제어는 원반 구조물 (502) 내에 열전지 (미도시) 를 임베딩하고 도전 통로 (506) 주위에 저항 배선 (미도시) 를 임베딩함으로써 달성될 수도 있다.
본 발명은 몇몇 바람직한 실시형태들에 의하여 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에 포함되는, 변경, 치환 및 등가물이 있다. 또한 본 발명의 방법을 구현하는 많은 대안의 방식들이 있음이 주시되어야 한다.
본 발명의 이점은 플라즈마에서 전기적 특성 세트를 측정하는 장치를 포함한다. 부가적인 이점은 플라즈마 환경을 오염시킬 수도 있는 텅스텐 및 알루미늄 산화물과 같은 재료의 회피, 그리고 프로브와 플라즈마 챔버 표면 사이에서의 실질적인 온도 균일도의 유지를 포함한다.
개시된 예시적인 실시형태들 및 최상의 모드를 구비함으로써, 다음의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 주제 및 사상 내에 있으면서 개시된 실시형태에 변경 및 변화가 이루어질 수도 있다.

Claims (22)

  1. 플라즈마에 노출되도록 구성되는 일 세트의 플라즈마 챔버 표면을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 전기적 특성 세트를 측정하도록 구성된 프로브 장치로서,
    상기 플라즈마에 노출되도록 구성되며, 이에 의해 상기 일 세트의 플라즈마 챔버 표면 중 하나 이상과 코플래너인, 수집 원반 구조물;
    상기 전기적 특성 세트를 상기 수집 원반 구조물로부터 일 세트의 트랜스듀서로 송신하도록 구성된 도전 통로로서, 상기 전기적 특성 세트가 상기 플라즈마의 이온 플럭스에 의해 발생되는, 상기 도전 통로; 및
    상기 일 세트의 플라즈마 챔버 표면으로부터 상기 수집 원반 구조물 및 상기 도전 통로를 전기적으로 분리하도록 구성된 절연 배리어를 포함하는, 프로브 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 특성이 전압, 위상 및 전류 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물이 금속화 실리콘으로 이루어지는, 프로브 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물이 상기 도전 통로의 표면에 연결되고, 상기 표면이 금속으로 스퍼터링된, 프로브 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물이 하나 이상의 리프 스프링에 의해 상기 도전 통로의 표면에 연결된, 프로브 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 통로가 알루미늄, 스테인레스 강 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연 배리어가 석영, 알루미늄 질화물 및 세라믹 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 통로와 상기 절연 배리어 사이에 갭을 갖도록 또한 구성되는, 프로브 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 플라즈마가 상기 갭 내에 형성되지 않을 정도로 충분히 작은, 프로브 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 일 세트의 플라즈마 챔버 표면 중 하나 이상과 상기 절연 배리어 사이에 갭을 갖도록 또한 구성되는, 프로브 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 플라즈마가 상기 갭 내에 형성되지 않을 정도로 충분히 작은, 프로브 장치.
  12. 플라즈마에 노출되도록 구성되는 일 세트의 플라즈마 챔버 표면을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 전기적 특성 세트를 측정하도록 구성된 프로브 장치로서,
    상기 플라즈마에 노출되도록 구성된 수집 원반 구조물로서, 이에 의해 내부에 상기 수집 원반 구조물이 배치되는 플라즈마 챔버 표면에 대해 상기 수집 원반 구조물이 리세스된, 상기 수집 원반 구조물;
    상기 전기적 특성 세트를 상기 수집 원반 구조물로부터 일 세트의 트랜스듀서로 송신하도록 구성된 도전 통로로서, 상기 전기적 특성 세트가 상기 플라즈마의 이온 플럭스에 의해 발생되는, 상기 도전 통로; 및
    상기 일 세트의 플라즈마 챔버 표면으로부터 상기 수집 원반 구조물 및 상기 도전 통로를 전기적으로 분리하도록 구성된 절연 배리어를 포함하는, 프로브 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 전기적 특성은 전압, 위상 및 전류 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물은 금속화 실리콘으로 이루어지는, 프로브 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물은 상기 도전 통로의 표면에 연결되고, 상기 표면은 금속으로 스퍼터링된, 프로브 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 수집 원반 구조물은 하나 이상의 리프 스프링에 의해 상기 도전 통로의 표면에 연결된, 프로브 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 도전 통로는 알루미늄, 스테인레스 강 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연 배리어는 석영, 알루미늄 질화물 및 세라믹 중 하나 이상을 포함하는, 프로브 장치.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 도전 통로와 상기 절연 배리어 사이에 갭을 갖도록 또한 구성되는, 프로브 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 플라즈마가 상기 갭 내에 형성되지 않을 정도로 충분히 작은, 프로브 장치.
  21. 제 12 항에 있어서,
    상기 일 세트의 플라즈마 챔버 표면 중 하나 이상과 상기 절연 배리어 사이에 갭을 갖도록 또한 구성되는, 프로브 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 갭은 상기 플라즈마가 상기 갭 내에 형성되지 않을 정도로 충분히 작은, 프로브 장치.
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7901419B2 (en) * 2002-09-04 2011-03-08 Allergan, Inc. Telemetrically controlled band for regulating functioning of a body organ or duct, and methods of making, implantation and use
US7578301B2 (en) * 2005-03-28 2009-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for determining the endpoint of a cleaning or conditioning process in a plasma processing system
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
US7798954B2 (en) * 2006-01-04 2010-09-21 Allergan, Inc. Hydraulic gastric band with collapsible reservoir
US8635971B2 (en) * 2006-03-31 2014-01-28 Lam Research Corporation Tunable uniformity in a plasma processing system
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
US20080254613A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for forming metal interconnect structure for thin film transistor applications
KR101440282B1 (ko) * 2007-07-11 2014-09-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 세정 방법
US8336891B2 (en) * 2008-03-11 2012-12-25 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck
US8849585B2 (en) 2008-06-26 2014-09-30 Lam Research Corporation Methods for automatically characterizing a plasma
US8179152B2 (en) 2008-07-07 2012-05-15 Lam Research Corporation Passive capacitively-coupled electrostatic (CCE) probe arrangement for detecting plasma instabilities in a plasma processing chamber
TWI467623B (zh) 2008-07-07 2015-01-01 Lam Res Corp 於電漿處理系統之處理腔室內識別一穩定電漿的方法及裝置、及其電腦可讀儲存媒體
WO2010005932A2 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Lam Research Corporation Plasma-facing probe arrangement including vacuum gap for use in a plasma processing chamber
WO2010005929A2 (en) 2008-07-07 2010-01-14 Lam Research Corporation Passive capacitively-coupled electrostatic (cce) probe arrangement for detecting in-situ arcing events in a plasma processing chamber
US8780522B2 (en) * 2008-07-07 2014-07-15 Lam Research Corporation Capacitively-coupled electrostatic (CCE) probe arrangement for detecting dechucking in a plasma processing chamber and methods thereof
CN102084472B (zh) 2008-07-07 2013-07-03 朗姆研究公司 用于表征等离子体处理室内的膜的射频偏置电容耦合静电(rfb-cce)探针装置
US20100305397A1 (en) * 2008-10-06 2010-12-02 Allergan Medical Sarl Hydraulic-mechanical gastric band
WO2010042493A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-15 Allergan, Inc. Mechanical gastric band with cushions
US20100185049A1 (en) * 2008-10-22 2010-07-22 Allergan, Inc. Dome and screw valves for remotely adjustable gastric banding systems
US20110201874A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Allergan, Inc. Remotely adjustable gastric banding system
US8678993B2 (en) * 2010-02-12 2014-03-25 Apollo Endosurgery, Inc. Remotely adjustable gastric banding system
US8758221B2 (en) * 2010-02-24 2014-06-24 Apollo Endosurgery, Inc. Source reservoir with potential energy for remotely adjustable gastric banding system
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US8677586B2 (en) 2012-04-04 2014-03-25 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US9017513B2 (en) 2012-11-07 2015-04-28 Lam Research Corporation Plasma monitoring probe assembly and processing chamber incorporating the same
US9502279B2 (en) 2013-06-28 2016-11-22 Lam Research Corporation Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface
US9583377B2 (en) 2013-12-17 2017-02-28 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10950421B2 (en) * 2014-04-21 2021-03-16 Lam Research Corporation Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system
CN105097603B (zh) * 2014-04-30 2019-03-12 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室检测装置及检测工艺腔室中工艺环境的方法
KR102111206B1 (ko) * 2017-09-05 2020-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 프로브 장치 및 플라즈마 처리 장치
CN108696978A (zh) * 2018-07-25 2018-10-23 北京航空航天大学 朗缪尔探针、朗缪尔探针诊断系统及其诊断方法
CN108650769B (zh) * 2018-07-25 2020-01-03 北京航空航天大学 高精度朗缪尔探针
CN110470917A (zh) * 2019-07-22 2019-11-19 西安电子科技大学 一种应用于高温高速等离子体内部电场分布测量的耐高温电场探针
US11145501B2 (en) 2020-02-20 2021-10-12 Perkinelmer, Inc. Thermal management for instruments including a plasma source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936413A (en) 1995-09-19 1999-08-10 Centre National De La Recherche Scientifique Method and device for measuring an ion flow in a plasma
US6902646B2 (en) 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE440201B (sv) 1983-12-01 1985-07-22 Asea Ab Verktygshallare for industrirobotar
US4594111A (en) 1984-10-04 1986-06-10 Coonan Edmund C Liquid phase cleaner-solvent
JPS6358834A (ja) 1986-08-27 1988-03-14 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション スパッタリング装置
US5391275A (en) 1990-03-02 1995-02-21 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
JPH081923B2 (ja) 1991-06-24 1996-01-10 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
JPH06272027A (ja) 1993-03-17 1994-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置
DE4445762A1 (de) * 1994-12-21 1996-06-27 Adolf Slaby Inst Forschungsges Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter
JP3208044B2 (ja) * 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW327236B (en) 1996-03-12 1998-02-21 Varian Associates Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield
US6093660A (en) 1996-03-18 2000-07-25 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Inductively coupled plasma chemical vapor deposition technology
US6135697A (en) 1997-01-30 2000-10-24 Siemens Electrocom, L.P. Transfer of cartridges containing flat articles
US6356097B1 (en) * 1997-06-20 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage
US6120660A (en) 1998-02-11 2000-09-19 Silicon Genesis Corporation Removable liner design for plasma immersion ion implantation
US6287435B1 (en) 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
JP3497091B2 (ja) * 1998-07-23 2004-02-16 名古屋大学長 プラズマ生成用高周波パワーの制御方法、およびプラズマ発生装置
KR100542459B1 (ko) 1999-03-09 2006-01-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001237097A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Hitachi Ltd プラズマ計測方法および計測装置
JP2001246331A (ja) 2000-03-08 2001-09-11 Sharp Corp 洗浄装置
US20020100557A1 (en) 2001-01-29 2002-08-01 Applied Materials, Inc. ICP window heater integrated with faraday shield or floating electrode between the source power coil and the ICP window
DE10110373C2 (de) 2001-03-03 2003-03-06 Wolfgang Daum Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Innenräumen von Automobilen
US7451941B2 (en) 2001-03-13 2008-11-18 Jackson David P Dense fluid spray cleaning process and apparatus
US6559650B2 (en) * 2001-06-05 2003-05-06 Eni Technology, Inc. RF power probe head with a thermally conductive bushing
KR100420171B1 (ko) 2001-08-07 2004-03-02 삼성광주전자 주식회사 로봇 청소기와 그 시스템 및 제어방법
US20040194890A1 (en) 2001-09-28 2004-10-07 Tokyo Electron Limited Hybrid plasma processing apparatus
KR100458328B1 (ko) * 2002-03-27 2004-11-26 주성엔지니어링(주) 플라즈마 감지장치
JP2003311555A (ja) 2002-04-25 2003-11-05 Okuma Corp ネジ締め装置
CN1169198C (zh) * 2002-05-13 2004-09-29 华南师范大学 一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
US6894474B2 (en) * 2002-06-07 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Non-intrusive plasma probe
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7137353B2 (en) 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
EP1597149A4 (en) 2002-12-23 2010-06-02 Catalyst Services Inc CLEANING AND / OR TESTING PROBES FOR A DANGEROUS ENVIRONMENT, INCLUDING CATALYST REMOVAL
JP2005039015A (ja) 2003-07-18 2005-02-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法および装置
US7241397B2 (en) 2004-03-30 2007-07-10 Tokyo Electron Limited Honeycomb optical window deposition shield and method for a plasma processing system
US7959984B2 (en) 2004-12-22 2011-06-14 Lam Research Corporation Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system
US20060218680A1 (en) 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936413A (en) 1995-09-19 1999-08-10 Centre National De La Recherche Scientifique Method and device for measuring an ion flow in a plasma
EP0792571B1 (fr) 1995-09-19 1999-12-15 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma
US6902646B2 (en) 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments

Also Published As

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