KR20030053473A - 이중 레티클 이미지 노출 방법 및 시스템 - Google Patents

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KR20030053473A
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Abstract

본 발명은 기판 상으로 적어도 두개의 레티클을 동시에 이미지화하기 위한 방법 및 시스템을 제공한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼는 일단 레티클로부터 이미지가 웨이퍼 상으로 동시에 노출된 채 노출 순서를 통과한다. 시스템의 처리율은 표준 단일 패스 처리율 수준 또는 종래 시스템 처리율의 2배에서 효과적으로 유지된다. 일 실시예에서, 본 발명은 스텝 및 스캔 웨이퍼 노출 시스템의 광학계들의 출구 퓨필에 나란히 있는 2개의 레티클 이미지를 형성한다. 노출 툴의 스캐닝 작용은 그후에 웨이퍼의 노출 중 두개의 이미지를 효과적으로 중첩한다. 웨이퍼가 레티클의 스캐닝과 동시에 이미지 필드를 통하여 스캔됨에 따라 각 이미지는 포토레지스트를 노출시킨다. 일 실시예에 따르면, 이미지 스캐닝은 2개의 요구되는 이미지가 중첩되도록 동기된다. 또 다른 실시예에 따르면, 2개의 이미지는 독립적으로 집속될 수 있고 정렬될 수 있다.

Description

이중 레티클 이미지 노출 방법 및 시스템 {METHOD AND SYSTEM FOR DUAL RETICLE IMAGE EXPOSURE}
금속, 부도체 및 반도체(즉, 디바이스)에 매우 미세한 패턴을 만드는데 사용하는 여러가지 포토리소그래피 또는 마이크로리소그래피 기술들이 있다. 포토리소그래피 혹은 마이크로리소그래피 공정에서 레티클 상에 포함되는 패턴(예를 들면, 회로 패턴)은 웨이퍼 상으로 투사된다.(즉, 이미지가 된다) 웨이퍼는 디바이스 또는 디바이스들을 형성하기 위하여 더 처리되는 전형적으로는 포토레지스트 기판이다.
최소 배선폭 요구조건이 축소되는 것을 계속함에 따라 위상 이동 레티클의 사용은 증가해 왔다. 위상 이동 레티클은 리소그래피 시스템의 유효 해상도를 증가시킨다. 위상 이동 기술들의 사용은 먼저 위상 이동 레티클로 그 다음에 트림 레티클로 웨이퍼 상의 동일한 필드 또는 영역의 노출을 전형적으로 요구한다. 트림 레티클은 이행에 따라 위상 이동 레티클과 다를 수 있다.
이러한 2단계 이미지화와 같은 기술들은 정렬 문제들을 유발할 수 있다. 그들은 또한 시스템의 전체적인 웨이퍼 처리율을 감소시킬 수 있다.(즉, 그 시스템은각 웨이퍼가 두 번 노출되는 것이 필요하기 때문에 느려진다) 각 레티클은 주어진 웨이퍼 상의 노출용으로 설정됨에 따라 정밀 정렬 처리는 추가적인 시간을 소비하고, 종종 시스템의 효율과 양품률을 감소시킨다.
필요한 것은 적어도 2개의 상이한 레티클로 동일한 필드를 동시에 노출시키는 방법과 시스템이다. 더군다나, 필요한 것은 정렬 및 교정 문제들이 방지될 수 있도록 동시에 적어도 2개의 상이한 레티클로 동일한 필드를 노출시키는 방법과 시스템이다.
본 발명은 포토리소그래피에 관한 것이다.
여기에 기술되고 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면들은 본 발명을 예시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 더 설명하고, 관련 분야에 기술을 가진 사람이 본 발명을 사용할 수 있게 하는 기능을 한다.
도la는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 계전기를 사용하는 노출 시스템의 블록도이다.
도1b은 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨필 필터를 사용하는 노출 시스템의 블록도이다.
도1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨필 필터와 광학 계전기 모두를 사용하는 노출 시스템의 블록도이다.
도ld는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 퓨필 필터와 광학 계전기 모두를 사용하는 노출 시스템의 블록도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투사 광학계의 출구 퓨필의 블록도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 정합 공정의 블록도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노출 방법의 흐름도이다.
도5는 이중 노출 기술을 도시한다.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이중 노출 기술을 도시한다;
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 U-이미지 인쇄를 위하여 이중 노출을 사용하는 플러그/트림 마스크/레티클 기술을 도시한다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 위상 가장자리 제거를 위한 플러그/트림 마스크의 제2 노출 기술을 도시한다.
본 발명은 이제 첨부 도면을 참조로 기술될 것이다. 도면에서, 동일한 도면 부호는 동일하거나 또는 기능적으로 유사한 요소를 표시한다. 부가적으로, 도면 부호의 가장 좌측 숫자는 도면 부호가 최초로 나타나는 도면을 식별한다.
본 발명은 전술한 요구조건에 부합하는 방법과 시스템을 제공한다. 본 발명의 방법과 시스템은 노출 및/또는 축소 시스템의 투사 광학계의 출구 퓨필(exit pupil)에 나란히 있는 2개의 레티클 이미지를 만든다.
일 실시예에서, 노출 시스템은 스텝 및 스캔 웨이퍼 노출 시스템이다. 이러한 실시예에서, 노출 툴의 스캐닝 동작은 웨이퍼의 노출 동안에 2개의 이미지를 효과적으로 중첩한다. 이에 따라, 레티클의 스캐닝과 동기 방법으로 이미지 필드를 통하여 웨이퍼가 스캔됨에 따라 각 이미지는 포토레지스트를 노출시킨다. 바꾸어 말하면, 스캔하는 이미지는 2개의 요구되는 레티클 이미지가 중첩되도록 동기된다. 본 발명의 추가적인 실시예에서, 시스템은 2개의 이미지가 독립적으로 집속되고 미세하게 정렬되도록 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 시스템은 스캐닝 스테이지 상에 장착된 2개의 개별 레티클로부터 조명된 슬릿들의 2개의 이미지를 투사한다.
다른 실시예에서, 시스템은 스캐닝 스테이지 상에 장착된 단일 레티클 상의 2개의 개별 위치로부터 조명된 슬릿들의 2개의 이미지를 투사한다.
본 발명의 여러 실시예들의 구조와 작동뿐만 아니라 본 발명의 또 다른 실시예, 특징 및 장점들은 첨부 도면을 참조로 이하에 상세하게 기술된다.
본 발명은 특별한 적용을 위한 예시적인 실시예를 참조로 여기에 기술되나, 본 발명이 이에 국한되지는 않는다. 여기에 제공된 기술에 근접하는 분야에 기술을 가진 사람들은 본 발명이 아주 유익한 범위와 부가적인 분야내에서 부가적인 수정, 적용, 실시예를 인식할 것이다.
이중 레티클의 동시 노출
본 발명은 리소그래피 툴(여기서는 시스템으로서 언급됨)의 처리율과 정렬을 높이기 위한 스캐닝 스테이지 및 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 스캐닝 스테이지는 그 위에 형성된 2개의 이미지 패턴을 가지는 적어도 2개의 레티클 또는 단일 레티클을 포함한다. 지금부터는, 적어도 2개의 레티클 혹은 2개의 이미지 접근부는 본 발명의 설명을 단순화하기 위하여 이중 레티클로서 언급될 것이나 그 균등물의 범위를 제한하지는 않는다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 스캐닝 스테이지는 이중 레티클의 유사한 부분들이 동시에 스캔되도록 허용하는 운동 범위를 가진다. 스캐닝 스테이지는 이중 레티클 각각으로부터의 패턴으로 필드를 노출시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 리소그래피 툴은 스텝 및 스캔 시스템이다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 리소그래피 툴은 스캐닝 단계들을 포함하지 않을 수도 있는 수정된 스텝 및 반복 시스템이다. 다른 실시예에서, 리소그래피 툴은 수정된 굴절 스텝 및 스캔 시스템이다.
본 발명의 일 실시예에서, 투사 광학계는 굴절가능하고, 반사가능하거나 또는 반사굴절(catadioptic) 가능할 수 있다.
적어도 여기에 기재된 것을 기초로 관련 분야에 기술을 가진 사람이 인식하는 것처럼, 사용을 위한 어떠한 투사 광학계 시스템의 구성은 그것이 관계된 용도에 의존한다. 본 발명과 관련하여, 여기에 기술된 실시예는 반사굴절 투사 광학계 시스템을 이용한다. 이는 본 발명을 적용하는 것을 반사굴절 투사 광학계 시스템으로 제한하지 않는다. 여기에 기술된 실시예를 검토한 후에 관련 분야에 기술을 가진 사람은 본 발명을 수행하는 여러 상이한 타입들의 투사 광학계 시스템들을 구성할 수 있을 것이다.
도1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노출 시스템의 블록도를 도시한다. 시스템(100)은 범위(116)를 따라 스캐닝할 수 있는 스캐닝 스테이지(103)를 포함한다. 스캐닝 스테이지(103)는 이중 레티클(104a, 104b)을 각각 포함한다. 시스템(100)은 또한 광학 요소(106a)와 제2 광학 요소(106b)를 포함한다. 광학 요소(106a, 1O6b)는 집속, 정렬 및 오프셋 조정 특징들을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에서, 광학 요소(106a, 106b)는 절첩된 미러일 수 있다.
제1 광학 계전기(108a)와 제2 광학 계전기(108b)는 또한 중심 프리즘(110)에 광학 요소(106)의 각각을 광학적으로 결합시키는 시스템(100)에 포함된다. 본 발명의 일 실시예에서, 중심 프리즘(110)은 입사광선(128a, 128b)을 취하고, 비임(133a, 133b)에 의해 표시된 것처럼 투사 광학계(112)에 정렬하도록 하는 형상의 미러일 수 있다. 다른 실시예에서, 중심 프리즘(110)은 비임-스플리터 혹은 비임-콤바이너일 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 중심 프리즘(110)은 적어도 한쪽 측면 및/또는 표면에서 위상 이동 특성들을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼[도시안됨, 그러나 아래에 기술된 기판 스테이지 (114)상에 배치됨]는 일단 레티클(104a, 104b)로 부터의 이미지가 웨이퍼 위로 동시에 노출된 채 노출 순서를 통과한다. 시스템의 처리율은 표준 단일 패스 처리율 수준에서 효과적으로 유지되며, 이는 종래 시스템들의 2배의 처리율이 된다. 일 실시예에서, 본 발명은 스탭 및 스캔 시스템의 광학계들의 출구 퓨필에 나란히 있는 2개의 이미지를 만든다. 그 후에, 노출 툴의 스캐닝 동작은 웨이퍼의 노출 동안에 2개의 이미지를 효과적으로 중첩한다. 각각의 이미지는 그것이 레티클의 스캐닝과 동시에 이미지 필드를 통하여 스캔됨에 따라(즉, 웨이퍼의 표면 영역이 스캔된다) 웨이퍼의 포토레지스트를 노출시킨다. 일 실시예에 따르면, 이미지 스캐닝은 2개의 요구되는 이미지가 중첩되도록 동기된다.
또 다른 실시예에 따르면, 2개의 이미지는 독립적으로 집속될 수 있고 정렬될 수 있다. 더군다나, 또 다른 실시예에 따르면, 2개의 이미지의 조명 조건은 독립적으로 설정될 수 있고 제어될 수 있다. 예를 들면, 구성 요소(104a, 106a, 108a)는 최종 이미지가 더 높은 정밀도로 결정될 수 있도록 구성 요소(104b, 106b, 108b)와는 독립적으로 제어(예를 들면, 스캔된다)될뿐만 아니라 정렬될 수 있고 집속될 수 있다.
도la에 도시된 것처럼 일 실시예에서, 리소그래피 시스템(100)은 스캐닝 스테이지(103)를 포함한다. 스캐닝 스테이지(103)는 이중 레티클(104a, 104b)을 각각 제어하기 위하여 채택된다. 더군다나, 스캐닝 스테이지(103)는 동시에 이중 레티클의 스캐닝을 허용하는 운동 범위(116)를 가진다. 시스템(100)은 또한 상기 이중 레티클(104a, 104b)의 각각의 적어도 일부분의 이중 이미지(136a, 136b)를 동시에 투사하기 위하여 배치된 투사 광학계(112)를 포함한다. 시스템(100)은 또한 출구 퓨필(134)에서 투사 광학계(112)로부터 동시에 투사된 적어도 2개의 이미지(136a, 136b)를 수용하도록 위치된 기판 스테이지(114)를 포함한다. 일 실시예에서, 스캐닝 스테이지는 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키기 위하여 이중 레티클의 각각의 적어도 일부분의 적어도 2개의 이미지를 위치 설정할 수 있다.
도la에 도시된 것처럼, 레티클(104a)은 광학 계전기(108a)와 광학적으로 정렬된 광학 구성 요소(106a)에 광학적으로 정렬되고, 이것은 차례로 중심 프리즘(110)과 광학적으로 정렬된다. 각각의 요소(104b, 106b, 108b)도 이와 유사하게 된다. 본 발명의 시스템(100)의 광학 구성 요소의 각각은 개별적으로 또는 결합하여 정렬될 수 있다.
중간 이미지면(132)은 중심 프리즘(110)과 투사 광학계(112) 사이에 한정된다. 다른 실시예(도시안됨)에서, 108과 110 사이에 그리고 108 및/또는 110의 양쪽에 존재하는 중간 이미지면(132)에 대한 다른 위치들이 있다. 중간 이미지면(132)은 시스템(100)의 정렬, 집속 및 오프셋 계산을 위한 기준을 제공한다. 시스템(100)의 출구 퓨필(134)은 기판 스테이지(114)에 에너지의 통로를 허용한다. 기판 스테이지(114)는 하나 이상의 웨이퍼들을 포함할 수 있고, 운동 범위(118)를 따라 스캐닝할 수 있다.
레티클(104a, 104b)은 각각 조명원에 의하여 노출된다. 바람직한 실시예에서, 조명원은 "슬릿"의 형상으로 개구를 가지는 각각의 레티클에 영향을 미친다. 조명 슬릿들을 만드는 것은 본 발명의 범위 밖이다. 시스템(100)의 레티클(104a, 104b)로부터의 슬릿들의 조명은 각각 이미지(124a, 124b)를 제공한다. 이중 레티클 이미지는 전술된 것처럼 시스템(100)의 요소의 각각에 입사된다. 이미지는 도1a에 표시된 것처럼, 시스템(100)의 각각의 요소에 의해서 통과된다. 광선 또는 비임(124a)은 레티클(104a)에서 광학 구성 요소(106a)로 이동한다. 광학 구성 요소(106a)에서, 비임(124a)은 광학 계전기(108a)로 비임(126a)으로서 재정렬된다. 광학 계전기(108a)는 프리즘(110)에 비임(128a)으로서 비임(126a)을 통과시키도록 정렬된다. 유사한 비임 경로가 비임(124b, 126b, 128b)에 대해서도 후속된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 시스템(100)은 스캐닝 스테이지(103) 상에 장착된 개별 이중 레티클(104a, 104b)로부터 만들어진 비임(124a, 124b)의 이미지를 처리한다. 다른 실시예에서, 적어도 2개의 이미지는 동일한 레티클 상의 적어도 2개의 개별 패턴으로부터 만들어진다.
일 실시예에서, 비임(124a, 124b)의 이미지의 미세한 정렬과 위치 설정은 시스템 단부의 기판 스테이지(114)상의 자동-교정 필드 검출기를 사용하여 이루어진다. 이러한 실시예에서, 이미지의 정렬들은 이중 레티클(104a, 104b) 상의 정렬 표시들을 사용하여 모니터링된다.
도1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨필 필터를 사용하는 노출 시스템의 블록도를 도시한다. 도lb에서, 제1 광학 계전기(108a)와 제2 광학 계전기(108b)는 도lb에 표시된 것처럼 각각 제1 퓨필 필터(108c)와 제2 퓨필 필터(108d)로 대체된다. 일 실시예에 따르면, 퓨필 필터(108c, 108d)는 입사광선을 조절하는 수축 가능한 개구일 수 있다. 예를 들면, 퓨필 필터는 입사광선의 집속과 강도를 바꿀 수 있다. 퓨필 필터는 비임(126a, 126b)과 같은 입사광선 각각의 채널을 독립적으로 조절하기 위하여 사용된다.
도1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨필 필터와 광학 계전기 모두를 사용하는 노출 시스템의 블록도를 도시한다. 도1c에서, 제1 조합된 구성 요소(108e)와 제2 조합된 구성 요소(108f)는 도1a의 광학 계전기(108a, 108b)를 대체한다. 일 실시예에서, 구성 요소(108e, 108f)는 광학 계전기(예를 들면, 108a)와 퓨필 필터(예를 들면, 108c) 모두의 기능성을 포함한다.
도1d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 퓨필 필터와 광학 계전기 모두를 사용하는 노출 시스템의 블록도를 도시한다. 도ld에서, 도lc의 노출 시스템은 투사 광학계와 출구 이미지면에 대하여 추가적으로 상세하게 예시된다. 도1d를 참조로, 투사 광학계(112)는 미러 구성 요소(112b)에 비임 조절과 초기 축소를 제공하는 제1 광학 블록(112a)을 포함한다. 미러 구성 요소(112b)는 광학 블록(112c)에 비임을 제공하고, 여기서 블록(112c)은 출구면(134)에 비임의 최종 축소를 제공한다. 출구면(134)은 도2 및 도3을 참조로 더 기술된다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 정합 공정의 블록도를 도시한다.
일 실시예에서, 출구 퓨필(134)에 있는 광학계는 레티클 이미지 모두의 조명된 영역들의 나란히 있는 이미지(136a, 138b)를 각각 만든다. 이들 실시예에 따르면, 스텝 및 스캔 시스템의 스캐닝 작용은 기판 스테이지(114)의 이미지 필드에 이중 레티클 이미지를 중첩하게 된다.
도3에 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 투사 광학계의 출구 퓨필의 블록도가 도시된다. 2개의 레티클 사이의 패턴 정합 목적을 위하여, 출구 퓨필내의 이미지의 위치 변위를 허용하도록 이중 레티클 상의 조명 위치들 사이에 오프셋이 있다. 레티클(104a, 104b)은 "ABCDEFGHIJK"로서 도3에 도시된 것과 같은 패턴을 가진다. 이 패턴은 예시적인 목적을 위한 것이다. 이들 패턴은 출구 퓨필(134)에서 가시적이고, 기판 스테이지(114)상의 패턴의 중첩을 나타낸다.
일 실시예에서, 2개의 레티클은 동일하다. 그러한 실시예에서, 이미지의 위치에서의 오프셋은 투사 광학계의 축소 비율에 의해 곱해진 출구 퓨필에 있는 이미지 슬릿들의 오프셋과 동일하다. 구체적으로, 레티클(104a, 104b)은 출구 퓨필(134)에서 이미지가 되고, 이미지는 기판 스테이지(114) 상으로 노출된다. 각각의 레티클 이미지로 전달된 노출량은 각각의 조명 슬릿에서 조명 강도를 조정함으로써 독립적으로 제어될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 이중 레티클(104a, 104b) 각각의 적어도 일부분으로부터의 이미지는 이중 레티클(104a, 104b) 중의 하나의 상이한 위치들로부터의 이미지이다.
전술한 것처럼, 교정 검출기는 스캐닝 스테이지(103)로부터 이미지를 수용하도록 기판 스테이지(114) 상에 사용된다. 교정 검출기는 스테이지(103, 114) 사이의 실시간 시스템 교정을 허용한다.
본 발명의 일 실시예에서, 기판 스테이지(114)는 레지스트 코팅된 웨이퍼 또는 적어도 하나의 평판 패널 디스플레이와 같은 적어도 하나의 기판을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 이중 레티클은 집적 회로 패턴의 이미지를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 이중 레티클 중의 하나는 그 레티클로부터 조명된 이미지를 위상 이동하기 위하여 사용된 위상 이동 레티클이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노출 방법의 흐름도를 예시한다. 이중 레티클(404)로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 루틴은 단계(402)에서 시작하여 즉시 단계(406)로 나아간다.
단계(406)에서, 시스템(100)은 하나 이상의 레티클을 포함하는 스캐닝 스테이지를 위치 설정한다. 시스템은 단계(408)로 나아간다. 다른 실시예에서, 단계(406)후에 그러나 단계(408)전에, 시스템(100)은 하나 이상의 레티클로부터 입사하는 비임을 조절한다. 일 실시예에서, 시스템(100)은 퓨필 필터로 비임을 조절한다.
단계(408)에서, 시스템(100)은 기판 스테이지 상에 이미지 필드를 위치 설정한다. 기판 스테이지는 웨이퍼와 같은 기판을 포함한다. 시스템은 단계(410)로 나아간다.
단계(410)에서, 시스템(100)은 기판 스테이지위에 이미지 필드를 노출시키는 하나 이상의 레티클의 이미지를 스캔한다. 본 발명의 일 실시예에서, 필드는 각각 이중 레티클로부터의 적어도 2개의 이미지로 동시에 노출된다. 선택적으로, 시스템은 단계(412)로 나아간다.
선택적 단계(412)에서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 시스템(100)은 기판 스테이지 상의 필드에 이미지를 중첩할 수 있다. 루틴(400)은 단계(414)로 나아가고 종료된다. 선택적으로, 루틴(400)은 단계(414)에서 단계(402)로 반복될 수 있다.
도5는 이중 노출 기술을 도시한다. 이중 노출 기술들은 전형적으로 위상경계들에서 도시된 것처럼 간극을 남기는데, 이는 여기의 다른 곳에 기술된 것처럼 문제가 될 수 있다. 도5는 이 어려움을 예시한다. 도5에서, 위상 0 마스크(504)와 위상 180 마스크(508)는 위상경계(506)를 남긴다. 인쇄할 때, 이는 간극(510)이 된다.
도6은 하나 이상의 레티클(또한 플러그/트림 마스크로 불린다)로부터의 추가적인 이미지가 더 우수한 전체 패턴을 제공하는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중 노출 기술을 도시한다. 도6을 참조로, 패턴(A)은 위상 0 마스크(604)와 위상 180마스크(608)를 포함한다. 플러그 또는 트림 패턴(612)의 부가는 간극(510)에서 경험하지 않은 고해상도 패턴(610)을 제공한다.
도7은 U-이미지 인쇄를 위해 이중 노출을 사용하는 플러그/트림 마스크/레티클 기술을 도시한다. 도7은 플러그를 갖지 않는 패턴(704)과 트림을 갖는 패턴(706) 사이의 차이에서 지적된 것처럼, 도6에 도시된 것과 같은 플러그 패턴으로 부가적인 이미지(들)를 노출시키는 효과를 보여주는 2개의 사진을 포함한다.
도8은 위상 가장자리 제거를 위한 플러그/트림 마스크의 제2 노출 기술을 도시한다. 도8에서, 위상 가장자리는 도6에 기술되는 것과 같은 플러그 패턴의 사용에 의해서 제거된다. 위상 가장자리(804)는 제거없이 도시되고, 위상 가장자리(806)는 본 발명의 실시예에 따른 플러그 마스크 노출에 의하여 제거된 후 표시된다.
결론
본 발명의 특정 실시예가 전술되지만, 그들이 단지 예로 제시되었고 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 형태와 상세한 것에서 다양한 변화들은 첨부된 청구의 범위에서 한정된 것처럼 본 발명의 기술 사상과 범위로부터 벗어남이 없이 이루어 질 수 있음이 이 분야에 기술을 가진 사람에 의해서 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 폭과 범위는 전술한 예시적인 실시예 중의 어떤 것에 의하여 제한되지 않아야 하고, 후술하는 청구의 범위와 그 균등물에 따라서만 한정되어야 한다.

Claims (14)

  1. 하나 이상의 레티클을 제어하며 동시에 상기 하나 이상의 레티클의 스캐닝을 허용하는 운동 범위를 가지는 스캐닝 스테이지와,
    상기 하나 이상의 레티클 각각의 적어도 일부분의 하나 이상의 이미지를 동시에 투사하는 상기 하나 이상의 레티클에 대해 위치 설정된 투사 광학계와,
    상기 투사 광학계로부터 동시에 투사된 상기 하나 이상의 이미지를 수용하도록 상기 투사 광학계에 대해 위치 설정된 기판 스테이지를 포함하며,
    상기 스캐닝 스테이지가 상기 기판 스테이지 상의 이미지 필드를 노출시키도록 상기 하나 이상의 레티클 각각의 적어도 일부분의 상기 하나 이상의 이미지를 위치 설정할 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 이미지는 상기 하나 이상의 레티클 중 하나의 상이한 위치로부터의 이미지인 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스캐닝 스테이지로부터의 이미지를 수용하는 상기 기판 스테이지 상의 교정 검출기를 더 포함하고, 실시간 시스템 교정이 얻어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 스테이지는 적어도 하나의 레지스트 코팅된 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 레티클이 집적 회로 패턴의 이미지를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 레티클 중 하나는 위상 이동 레티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 스캐닝 스테이지는 상기 하나 이상의 이미지를 독립적으로 조절하는 하나 이상의 퓨필 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  8. 적어도 2개의 레티클로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법이며,
    a) 하나 이상의 레티클을 포함하는 스캐닝 스테이지를 위치 설정하는 단계와,
    b) 상기 스캐닝 스테이지와 기판 스테이지에 대해 위치 설정된 투사 광학계로부터 얻어진 이미지 필드를 기판 스테이지 상에 위치 설정하는 단계와,
    c) 상기 기판 스테이지 상에 이미지 필드를 노출시키도록 상기 스캐닝 스테이지로부터 동시에 상기 하나 이상의 레티클의 하나 이상의 이미지를 스캐닝하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, d) 상기 기판 스테이지 상의 상기 이미지 필드에 상기 하나 이상의 이미지를 중첩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항에 있어서, e) 기판 스테이지 상에 위치 설정된 레지스트 코팅된 웨이퍼를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 스캐닝하는 단계 c)는 상기 하나 이상의 이미지를 독립적으로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 레티클의 각각에 동일한 패턴을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 하나 이상의 레티클 중 적어도 하나는 집적 회로 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 레티클 중 하나는 위상 이동 레티클인 것을 특징으로 하는 방법.
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