JPH01289113A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPH01289113A
JPH01289113A JP63118740A JP11874088A JPH01289113A JP H01289113 A JPH01289113 A JP H01289113A JP 63118740 A JP63118740 A JP 63118740A JP 11874088 A JP11874088 A JP 11874088A JP H01289113 A JPH01289113 A JP H01289113A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lens
spectrum
beams
aperture
Prior art date
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Pending
Application number
JP63118740A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichi Tanimoto
昭一 谷元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP63118740A priority Critical patent/JPH01289113A/ja
Publication of JPH01289113A publication Critical patent/JPH01289113A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体S積回路を製造するための露光装置に
関し、特にエキシマレーザを露光用照明光源とする露光
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
超高圧水銀ランプのg線スペクトルを光源として投影を
行うステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光
装置、所謂ステッパーは、半導体集積回路の製造におけ
るリソグラフィー工程において中心的役割を担うように
なっている。しかし、最近では半導体集積回路の集積度
がますます高くなり、回路の最小線幅をサブ・ミクロン
オーダで形成することが要求されるようになってきた。
このため、現在ではサブ・ミクロンの線幅のリソグラフ
ィーに好適であるとして、紫外域で発光する高輝度、高
出力のKrFレーザ等のエキシマレーザを光源とするス
テッパーが注目されている。
ところで、波長が365nm(水銀ランプのi線)より
短い紫外域レーザであるエキシマレーザの投影レンズに
使用できる材料は、合成石英、ホタル石等に限定される
上、エキシマレーザのスペクトル幅は半値幅で0.3〜
Q、4nm程度ある。
従って、エキシマレーザを光源とするステッパーの投影
レンズとしては、エキシマレーザを自然発振させた広い
スペクトル幅の光を用いるために2種類以上の硝材が組
み合わされた色消しレンズと、エキシマレーザのスペク
トル幅を狭くして発振させた光を用いるために単一硝材
(例えば、合成石英のみ)で構成された単色光レンズと
の2種類が考えられる。しかし、色消しレンズはホタル
石等の結晶材料によりレンズ設計及び製造上かなりの制
限を受ける。このため、エタロン、グレーティング等の
波長選択素子を備えたエキシマレーザ装置から発振され
る狭帯化(スペクトル幅;0,003〜O,QO5nm
)されたエキシマレーザを用い、マスク或いはレチクル
(以下、レチクルと呼ぶ)に形成された回路パターンを
、単一硝材から成る投影レンズを介して半導体ウェハ等
の感光基板(以下、ウェハと呼ぶ)上に投影露光するス
テッパーが早期に実用化されると考えられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、この種の単色光(単一硝材で構成された
投影)レンズを用いたステッパーでは、レーザ共振器内
に設けられたエタロン等によってエキシマレーザを狭帯
化して露光を行うが、このように狭帯化されるエキシマ
レーザには、露光ニ用いるスペクトルの光の他に、不要
なスペクトルの光が混入し得るため、色収差の発生等に
よって投影レンズの結像性能が劣下するという問題点が
あった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、不要なス
ペクトルの光の混入による投影レンズの結像性能の劣下
を防止し、高解像の露光を行うことができる露光装置を
得ることを目的としている。
C問題点を解決する為の手段〕 かかる問題点を解決するため本発明においては、準単色
なスペクトル特性を有するパルス状のエキシマレーザを
発振するエキシマレーザ装置1を有し、このレーザ光に
よってレチクルRのパターン領域Paに形成されたパタ
ーンを投影レンズ9を介してウェハW上に投影露光する
装置において、エキシマレーザ装置1とレチクルRとの
間のレーザ光の光路中に配置され、色収差を利用してレ
ーザ光を色に応じて空間的に異なる位置に集光させる集
光手段としての集光レンズ3と;集光レンズ3により集
光されるレーザ光のうち、露光に用いるスペクトルの光
の集光レンズ3による集光位置、その共役位置、若しく
はその近傍の光路中に配置され、所定の色(波長)のレ
ーザ光(結像スペクトル光Sp)を抽出する抽出手段と
してのアパーチャー4 (或いは光学部材20)を設け
、アパーチャー4 (或いは光学部材20)によってレ
ーザ光から露光に用いるスペクトルの光(結像スペクト
ル光Sp)を抽出することにより、実質的にエキシマレ
ーザのスペクトルの帯域を狭くするように構成する。
〔作用〕
本発明では、露光に用いるスペクトルの光(以下、結像
スペクトル光と呼ぶ)と不要なスペクトルの光とでは、
集光レンズの色収差によって集光位置が異なることを用
い、集光レンズによる結像スペクトル光の集光位置に配
置したアパーチャーによって、照明光を結像スペクトル
光と不要なスペクトルの光とに分離し、結像スペクトル
光を抽出するように構成しているため、照明光への不要
なスペクトルの光の混入を低減させ、実質的に光ビーム
のスペクトルの帯域を狭くすることができる。
C実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例について詳述する
。第1図は本発明の第1の実施例によるステッパーの概
略的な構成を示す図である。
第1図において、インジェクションロッキングレーザ、
或いはレーザ共振器(不図示)内にエタロン、グレーテ
ィング等を備えたエキシマレーザ装置lは、0.003
〜0.005nm以下まで発振スペクトルが狭帯化され
たレーザ光(n光用の照明光)を発振し、この照明光は
反射ミラー2、集光レンズ3、開口部4aを有するアパ
ーチャー4及びリレーレンズ5を通った後、照明光学系
6に入射する。この照明光学系6は不図示のビームエク
スパングー、フライアイレンズ等を有し、照明光のビー
ム強度の一様化、スペックルの低減化等を行うように構
成されている。ここで、アパーチャー4は開口部4aの
中心と、集光レンズ3による結像スペクトル光Spの集
光位置とが略−敗するように配置されると共に、リレー
レンズ5の前側焦点が開口部4aの中心と略一致するよ
うに配置されている。また、開口部4aは開口部4aの
大きさ、形状等が集光レンズ3による結像スペクトル光
の集光位置での大きさ、形状と略一致するように、アパ
ーチャー4に設けられているものとする。さて、照明光
学系6を通過した照明光はミラー7を介してメイン・コ
ンデンサーレンズ8に至り、このメイン・コンデンサー
レンズ8において適度に集光された照明光は、レチクル
RのパターンSJfMpaを均一な照度で照明する。両
側若しくは片側テレセントリックな投影レンズ9は、レ
チクルRのパターン領域Paに描かれた回路パターンの
像を115に縮小する。その縮小像はウェハホルダー(
不図示)を介してウェハステージ10上に!!置された
ウェハW上に投影露光される。
次に、本実施例のように構成されたステッパーの動作に
ついて説明する。第1図において、エキシマレーザ装置
1から発振された照明光は、反射ミラー2を介して集光
レンズ3に入射し、照明光の色(波長)に応じて空間的
に異なる位置に集光させる集光レンズ3によって、アパ
ーチャー4の開口部4a及びその近傍に集光される。こ
こで、第2図に示すように照明光には、露光に好適なス
ペクトルの結像スペクトル光Spと、スペクトルが異な
る不要なスペクトルの光(例えば、Spl、5p2)と
が混入している。結像スペクトル光Spは集光レンズ3
の光軸AX上において、アパーチャー4の開口部4aの
略中心(位置P)に集光されるが、集光レンズ3の色収
差によって、不要なスペクトルの光sp、 、Splは
光軸AX上の位置P、 、p2に集光される。このよう
に不要なスペクトルの光sp、、Sp2の集光位置P1
、P2は、結像スペクトル光Spの集光位置Pと異なる
ため、不要なスペクトルの光Spl、−3p2はアパー
チャー4上で拡がる。このため、開口部4aを通過する
不要なスペクトルの光sp、、sp2は大幅に低減され
、不要なスペクトルの光SpI 、Splの照明光への
混入による投影レンズ9の結像性能の劣下が防止される
。そして、このように開口部4aを介することによって
スペクトルの純化が行われた照明光(結像スペクトル光
Sp)は、リレーレンズ5によって再び平行光束にされ
て照明光学系6に入射する。この照明光学系6において
ビーム強度の一様化等が行われた照明光は、ミラー7を
介してメイン・コンデンサーレンズ8に至り、レチクル
Rのパターン領域Paを均一な照度で照明する。
以上により、照明光への不要なスペクトルの光の混入に
よる投影レンズ9の結像性能の劣下が防止され、高解像
の露光を行うことができる。
次に、本発明の第2の実施例について第3図を用いて詳
述する。第3図は本実施例によるステッパーの概略的な
構成を示す図である。尚、本実施例のステッパーの構成
は第1図に示された第!の実施例のステッパーの構成と
同様であるため、第3図にはステッパーの照明系のみを
示す。また、第1図に示した第1の実施例のステッパー
と同様の機能、作用の部材には同じ符号を付けである。
ここで、本実施例ではアパーチャー4の代わりに、中心
部にスリット状、円状或いは多角形状等の開口部を有す
る合成石英等の透明部材で構成されるプリズム、或いは
中空の円錐(角錐)等の光学部材20を用いる。尚、こ
の光学部材20は円状の開口部20aと4つの反射面(
第3図では反射面20b、20cのみを示す)とを有し
、開口部20aの中心と集光レンズ3による結像スペク
トル光spの集光位置とが略一致し、かつリレーレンズ
4の前側焦点が開口部20aの中心と略一致するように
配置される。また、光学部材20の反射面20b、20
Cによって反射される照明光(不要なスペクトルの光)
sp、 、Splを受光する光電検出器21.22が設
けられている。
次に、本実施例のように構成されたステッパーの動作に
ついて説明する。第3図において、エキシマレーザ装置
1から発振される照明光は、反射ミラー2を介して集光
レンズ3に入射し、集光レンズ3によって光学部材20
の開口部20a及び反射面20b、20C上に集光され
る。ここで、第1の実施例と同様に光学部材20におい
て集光レンズ3の色収差により、結像スペクトル光Sp
と不要なスペクトルの光Spl 、Sptとに分離され
、不要なスペクトルの光S p 1 、S p 2は光
学部材20上で拡がる。このため、開口部20aを通過
する不要なスペクトルの光Sp1、Sr1は大幅に低減
され、同様に投影レンズ9の結像性能の劣下が防止され
る。そして、このようにスペクトルの純化が行われた照
明光(結像スペクトル光Sp)は、照明光学系6におい
てビーム強度の一様化等が行われた後、ミラー7を介し
てメイン・コンデンサーレンズ8に至り、レチクルRの
パターン領域Paを均一な照度で照明する。
また、光学部材20上で拡がった不要なスペクトルの光
sp、 、Sptは、光学部材20の反射面20b、2
0cにより反射され、光電検出器21.22によって受
光される。この光電検出器21.22は受光光量に応じ
た光電信号をそれぞれ制御装置23へ出力し、制御装置
23はこの光電信号に基づいて光電検出器21.22で
の受光光量を比較する。そして、この比較結果に基づい
て結像スペクトル光Spの集光位置と光学部材20(開
口部20a)との相対的な位置関係、即ち集光レンズ3
による結像スペクトル光の集光位置に対する開口部20
aの相対的な位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量に応
じて光学部材20の位置、或いは反射ミラー2の角度を
調整する。これより、機械的な振動等による結像スペク
トル光Spの集光位置と開口部20aとの相対的な位置
ずれが補正されるため、常に結像スペクトル光Spは光
学部材20によって減光されることなく、不要なスペク
トルの光Sp1、Sr1の除去効率を向上させることが
できる。尚、集光レンズ3と光学部材20との間の光路
中に平行平板ガラス(ブレーンパラレル)を設け、光電
検出器21.22の光電信号に基づいて平行平板ガラス
の角度を調整しても、同様に結像スペクトル光Spの集
光位置と開口部20aとの相対的な位置ずれを補正する
ことができる。また、反射面20b、20cを球面にす
るか、或いは不要なスペクトルの光Sp、、Sp2の光
学部材20での反射光の光路中に集光レンズ等を設けれ
ば、光電検出器21.22への入射光量が増加してS/
N比等を向上させることができる。さらに、第3図に示
した光電検出器21.22の配列方向と直交する方向(
紙面と垂直な方向)に、照明光の光軸に関して対称とな
るように2つの光電検出器を設け、不要なスペクトルの
光Spl 、31)2の光学部材20での反射光を受光
するように構成すれば、より精度良く結像スペクトル光
Spの集光位置と開口部20aとの相対的な位置ずれを
補正することができる。
以上により、照明光への不要なスペクトルの光の混入に
よる投影レンズ9の結像性能の劣下、或いは機械的な振
動等による結像スペクトル光Spの集光位置と光学部材
20との相対的な位置ずれ等が防止される。また、分離
手段として光学部材20を用いるので、高出力のエキシ
マレーザによる分離手段の損傷が回避され、高解像の露
光を行うことができる。
尚、本発明の第1及び第2の実施例において、集光レン
ズ3、アパーチャー4 (或いは光学部材20)及びリ
レーレンズ5は、エキシマレーザ装置lと照明光学系6
との間の光路中に配置されていたが、この集光レンズ3
等を配置する位置は特にこの位置に限られるものではな
く、例えば照明光学系6を構成するビームエクスパング
ーとフライアイレンズとの間の光路中に配置しても同様
の効果を得ることができる。
また、本発明の第1及び第2の実施例において、第4図
に示すように照明光を集光レンズ3の光軸AXに対して
斜め方向からプリズム等の光学部材30を介して集光レ
ンズ3に入射させる。そして、アパーチャー4の開口部
4a(或いは光学部材20の開口部20a)を通過した
照明光を、リレーレンズ5及びプリズム等の光学部材3
1を介して照明光学系6に入射させるように構成する。
尚、照明光を光軸AXに対して斜め方向から集光レンズ
3に入射させる方式では一般に収差が発生し易くなり、
例えば照明光(レーザ光)を長い距離に渡り送ると、レ
ーザ光のビーム形状が非対称となり得る。このため、こ
の収差を補正するために照明光の光路中にプリズム等の
光学部材30.31を設けている。このように構成した
装置において結像スペクトル光spは、上述の実施例と
同様にアパーチャー4の開口部4aの略中心(位置P)
に集光されるが、不要なスペクトルの光Sp+、Sp2
は集光レンズ3の色収差によって、第4図に示すように
光軸AXから外れた位置P、 、Plに集光される。従
って、不要なスペクトルの光SpH,31)lの集光位
置P、 、p、は、光軸AX上をシフトするのではなく
光軸AXから外れるため、より効率良く照明光から不要
なスペクトルの光S p 1、S p 1を除去するこ
とができることは明らかである。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、照明光から不要なスペク
トルの光を簡単に除去することができ、投影レンズによ
るレチクルRの回路パターンの投影像のコントラストが
良くなり、投影像でのバックグラウンド光が除去される
ため、回路パターンの線幅の制御性や解像力を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるステッパーの概略
的な構成を示す図、第2図は第1の実施例の動作の説明
に供する図、第3図は本発明の第2の実施例によるステ
ッパーの概略的な構成を示す図、第4図は第1、第2の
実施例の変形例の説明に供する図である。 1・・・エキシマレーザ装置、2・・・反射ミラー、3
・・・集光レンズ、4・・・アパーチャー、4a・・・
開口部、5・・・リレーレンズ、6・・・照明光学系、
9・・・投影レンズ、20・・・光学部材、20a・・
・開口部、20b。 20c・・・反射面、21.22・・・光電検出器、2
3・・・制御装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  準単色なスペクトル特性を有する光ビームを発生する
    照明装置を有し、前記光ビームによってマスクに形成さ
    れたパターンを投影光学系を介して感光基板上に投影露
    光する装置において、 前記照明装置と前記マスクとの間の前記光ビームの光路
    中に配置され、色収差を利用して前記光ビームを色に応
    じて空間的に異なる位置に集光させる集光手段と;該集
    光手段によって集光される前記光ビームのうち、所定の
    色の光ビームを抽出する抽出手段とを備え、該抽出手段
    によって前記光ビームを抽出することにより、前記光ビ
    ームのスペクトルの帯域を狭くすることを特徴とする露
    光装置。
JP63118740A 1988-05-16 1988-05-16 露光装置 Pending JPH01289113A (ja)

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JP63118740A JPH01289113A (ja) 1988-05-16 1988-05-16 露光装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322220B1 (en) 1994-02-14 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same

Cited By (1)

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US6322220B1 (en) 1994-02-14 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same

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