TWI437373B - A mounting apparatus, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus, a stage driving method, an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

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Description

載台裝置、圖案形成裝置、曝光裝置、載台驅動方法、曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於載台裝置、圖案形成裝置、曝光裝置、載台驅動方法、曝光方法、以及元件製造方法，更詳言之，係關於具備沿既定平面移動之粗微動載台之載台裝置、具備該載台裝置之圖案形成裝置、具備該載台裝置之曝光裝置、驅動粗微動載台之載台驅動方法、利用該載台驅動方法之曝光方法、以及使用該曝光裝置或該曝光方法的元件製造方法。
在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件(微型元件)的微影製程中，主要是使用步進掃描方式之投影曝光裝置(所謂步進器)，或步進掃描方式之投影曝光裝置(所謂掃描步進器(亦稱掃描器))等。
然而，將來可確定的，半導體元件會更加高積體化，而伴隨於此亦使形成於晶圓上之電路圖案更微細化，半導體元件之大量生產裝置之曝光裝置被要求晶圓等之位置檢測精度更加提高。
例如，於專利文獻1揭示有於基板台上裝載有編碼器類型之感測器(編碼器讀頭)的曝光裝置。然而，特別是於具有粗動載台與在該粗動載台上移動之微動載台的粗微動載台裝載專利文獻1之編碼器讀頭時，通常係將編碼器讀頭裝載於微動載台。然而，此時由於為了對該編碼器讀頭供應電源等，而有需於粗動載台與微動載台之間進行配線(視情形不同，有時亦以光纖連接兩載台)，但微動載台因係在粗動載台上移動，故作用於該配線等之張力會妨礙微動載台之圓滑的動作。特別是，當將複數個編碼器讀頭裝載於微動載台時，此配線等之拉扯有產生更大障礙之虞。
[專利文獻1]美國專利申請公開第2006/0227309號說明書
根據本發明之第1態樣，提供一種第1載台裝置，其具有：粗微動載台，包含沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動之微動載台；以及測量裝置，具有設於該粗動載台之編碼器讀頭，根據第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊測量該微動載台在既定方向之位置資訊，該第1位置資訊，係對在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部照射第1測量射束、並接收來自該第1光柵部之繞射光而取得。
藉此，由於編碼器讀頭設於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，藉由測量裝置，根據從編碼器讀頭對第1光柵部照射第1測量射束、並接收來自該第1光柵部之繞射光而取得的第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊，以良好精度測量微動載台在既定方向之位置資訊。因此，能以良好精度驅動微動載台及/或粗動載台。
根據本發明之第2態樣，提供一種第2載台裝置，其具有：粗微動載台，包含沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動之微動載台；以及測量裝置，具有設於該粗動載台之編碼器讀頭，分別對在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部與配置於該微動載台之第2光柵部照射第1、第2測量射束，並接收來自該第1、第2光柵部之繞射光以測量該微動載台在既定方向之位置資訊。
藉此，由於編碼器讀頭設於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，藉由測量裝置，根據從編碼器讀頭對第1光柵部與第2光柵部分別照射第1、第2測量射束、並接收來自該第1、第2光柵部之繞射光，而以良好精度測量微動載台在既定方向之位置資訊。因此，能以良好精度驅動微動載台及/或粗動載台。
根據本發明之第3態樣，提供一種第3載台裝置，其具有：粗微動載台，包含沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動且於至少一部分具有光透射部之微動載台；以及測量裝置，具有固定於該粗動載台之1或2以上之編碼器讀頭，根據至少一個該編碼器讀頭之輸出，測量該粗微動載台在該既定平面內之位置資訊，該編碼器讀頭，係對在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部透過該光透射部照射第1測量射束、並透過該光透射部接收來自該第1光柵部之繞射光。
藉此，由於1或2以上之編碼器讀頭固定於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，藉由測量裝置，根據對第1光柵部透過微動載台之光透射部照射第1測量射束、並透過光透射部接收來自該第1光柵部之繞射光之至少一個編碼器讀頭的輸出，而以良好精度測量粗微動載台在既定平面內之位置資訊。因此，能以良好精度驅動粗微動載台。
根據本發明之第4態樣，係提供一種圖案形成裝置，係於物體形成圖案，其具備：供該物體裝載於該微動載台上之本發明第1至第3中任一項之載台裝置；以及於裝載於該微動載台上之物體上生成圖案的圖案化裝置。
藉此，由於能藉由圖案化裝置，將圖案生成於能以良好精度驅動之微動載台上，因此能以良好精度將圖案形成於物體上。
根據本發明之第5態樣，係提供一種曝光裝置，係藉由能量射束之照射而於物體形成圖案，其具備：供該物體裝載於該微動載台上之本發明第1至第3中任一項之載台裝置；以及對裝載於該微動載台上之物體照射該能量射束的圖案化裝置。
藉此，由於能藉由圖案化裝置，將能量射束照射於以良好精度驅動之微動載台上，因此能將該物體以能量射束曝光，並以良好精度將圖案形成於物體上。
根據本發明之第6態樣，係提供一種元件製造方法，其包含：使用本發明之曝光裝置使物體曝光的動作；以及使該已曝光之物體顯影的動作。
根據本發明之第7態樣，係提供一種第1載台驅動方法，係驅動粗微動載台，該粗微動載台具有沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動之微動載台，其包含：測量步驟，根據從編碼器讀頭之輸出而取得之第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊測量該微動載台在既定方向之位置資訊，該編碼器讀頭，係對設於該粗動載台且在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部照射第1測量射束、並接收來自該第1光柵部之繞射光。
藉此，由於編碼器讀頭設於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，當粗微動載台沿既定平面移動時，係根據對第1光柵部照射第1測量射束、並透過光透射部接收來自第1光柵部之繞射光之編碼器讀頭之輸出而取得的第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊，以良好精度測量微動載台在既定方向之位置資訊。因此，能以良好精度驅動微動載台及/或粗動載台。
根據本發明之第8態樣，係提供一種第2載台驅動方法，係驅動粗微動載台，該粗微動載台具有沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動之微動載台，其包含：測量步驟，分別對設於該粗動載台且在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部與配置於該微動載台之第2光柵部照射第1、第2測量射束，並接收來自該第1、第2光柵部之繞射光之編碼器讀頭的輸出以測量該微動載台在既定方向之位置資訊。
藉此，由於編碼器讀頭設於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，當粗微動載台沿既定平面移動時，根據對第1光柵部與第2光柵部分別照射第1、第2測量射束、並接收來自該第1、第2光柵部之繞射光之編碼器讀頭之輸出，而以良好精度測量微動載台在既定方向之位置資訊。因此，能以良好精度驅動微動載台及/或粗動載台。
根據本發明之第9態樣，係提供一種第3載台驅動方法，係驅動粗微動載台，該粗微動載台具有沿既定平面移動之粗動載台及能在該粗動載台上微動之微動載台，其包含：測量步驟，根據固定於該粗動載台之1或2以上之編碼器讀頭中至少一個該編碼器讀頭之輸出，測量該粗微動載台在該既定平面內之位置資訊，該編碼器讀頭，係對在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部，透過該微動載台之光透射部照射第1測量射束、並透過光透射部接收來自該第1光柵部之繞射光；以及驅動步驟，根據所測量之該粗微動載台之位置資訊驅動該粗微動載台。
藉此，由於1或2以上之編碼器讀頭固定於粗動載台，因此即使微動載台在粗動載台上移動，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。又，當粗微動載台沿既定平面移動時，根據透過微動載台之光透射部對第1光柵部照射第1測量射束、並透過光透射部接收來自第1光柵部之繞射光之至少一個編碼器讀頭之輸出，而以良好精度測量粗微動載台在既定方向之位置資訊。因此，能以良好精度驅動粗微動載台。
根據本發明之第10態樣，係提供一種曝光方法，係藉由能量射束之照射而於物體形成圖案，其中，係使用本發明第1至第3載台驅動方法中之任一者，進行供該物體裝載於該微動載台上之該粗微動載台的驅動。
藉此，由於能使用用本發明第1至第3載台驅動方法中之任一者以良好精度驅動裝載有物體之微動載台，因此能將該物體以能量射束曝光，並以良好精度將圖案形成於物體上。
根據本發明之第11態樣，係提供一種元件製造方法，其包含：使用本發明之曝光方法使物體曝光的動作；以及使該已曝光之物體顯影的動作。
以下，根據圖1~圖5說明本發明之實施形態一例。
圖1係顯示一實施形態之曝光裝置100的概略構成。曝光裝置100，係步進掃描方式之掃描型曝光裝置、亦即所謂掃描機。如後述般，本實施形態中係設有投影光學系統PL，以下，將與此投影光學系統PL之光軸AX平行之方向設為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交之面內標線片與晶圓相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θx、θy、及θz方向。
曝光裝置100，包含：照明系統10；標線片載台RST，係保持標線片R；投影單元PU；載台裝置50，包含裝載晶圓W之晶圓載台WST；以及上述裝置之控制系統等。
照明系統10，例如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示，其包含光源、具有包含光學積分器等之照度均一化光學系統、標線片遮簾等(均未圖示)的照明光學系統。照明系統10，係籍由照明光(曝光用光)，以大致均一之照度來照明被標線片遮簾(光罩系統)規定之標線片R上的狹縫狀照明區域IAR。此處，作為一例，係使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為照明光IL。
於標線片載台RST上例如籍由真空吸附固定有標線片R，該標線片R係於其圖案面(圖1中之下面)形成有電路圖案等。標線片載台RST，能籍由例如包含線性馬達等之標線片載台驅動系統11(在圖1中未圖示，參照圖5)而在XY平面內微幅驅動，且能以既定之掃描速度驅動於掃描方向(圖1中紙面內左右方向之Y軸方向)。
標線片載台RST在XY平面(移動面)內之位置資訊(包含θz方向之位置、亦即θz旋轉之資訊)，係藉由對圖1所示之移動鏡15(實際上，係設有具有與Y軸正交之反射面的Y移動鏡(或後向反射器)、以及具有與X軸正交之反射面的X移動鏡)照射測距射束之標線片雷射干涉儀(下稱「標線片干涉儀」)16例如以0.25左右之分析能力隨時檢測。
投影單元PU，配置於標線片載台RST之圖1中下方(-Z側)，保持於未圖示之機體一部分。投影單元PU，包含：鏡筒40；以及投影光學系統PL，由保持於該鏡筒40內之複數個光學元件構成。作為投影光學系統PL，例如係使用沿與Z軸方向平行之光軸AX排列之複數個光學元件(透鏡元件)所構成的折射光學系統。投影光學系統PL，例如係兩側遠心且具有既定投影倍率β(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。因此，當以來自照明系統10之照明光IL來照明照明區域IAR時，藉由通過標線片R(投影光學系統PL之第1面(物體面)與圖案面大致配置成一致)的照明光IL，使照明區域IAR內之標線片R的電路圖案之縮小像(電路圖案一部分之縮小像)，透過投影光學系統PL形成於配置於投影光學系統PL之第2面(像面)側、表面塗布有光阻(感光劑)之晶圓W上的曝光區域IA(與照明區域IAR共軛的區域)。接著，藉由標線片載台RST與晶圓載台WST之同步驅動，使標線片相對照明區域IAR(照明光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，且使晶圓W相對曝光區域IA(照明光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，藉此對晶圓W上之一個照射區域(區劃區域)進行掃描曝光，以將標線片R之圖案轉印於該照射區域。亦即，本實施形態中，係藉由照明系統10、投影光學系統PL將標線片R之圖案生成於晶圓W上，藉由照明光IL對晶圓W上之感光層(光阻層)之曝光將該圖案形成於晶圓W上。
於鏡筒40之-Z側端部周圍，以例如與鏡筒40之下端面大致成為同一面的高度將標尺板21配置成與XY平面平行。此標尺板21，在本實施形態中係由矩形板體構成，懸吊支撐於未圖示之機體，於其一部分具有供鏡筒40之-Z側端部插入之圓形開口、以及供後述之對準系統-Z側端部插入的圓形開口。本實施形態中，於用以支撐投影單元PU之未圖示主框架(度量衡框架)懸吊支撐標尺板21。於標尺板21之下面(-Z側之面)，形成有以Y軸方向為週期方向之既定間距(例如1 μm)之格子、以及以X軸方向為週期方向之既定間距(例如1 μm)之格子構成的反射型二維繞射格子RG(參照圖3及圖4)。此繞射格子RG覆蓋晶圓載台WST之移動範圍。
晶圓載台裝置50，具備於地面上藉由複數個(例如三個或四個)防振機構(省略圖示)支撐成大致水平的載台底座12、配置於該載台底座12上之晶圓載台WST、驅動該晶圓載台WST之晶圓載台驅動系統27(圖1中僅圖示一部分，參照圖5)、以及後述編碼器系統及晶圓雷射干涉儀等。
載台底座12，由具有平板狀外形的構件構成，其上面之平坦度作成非常高，而作為晶圓載台WST移動時之導引面。於載台底座12內部收容有線圈單元，該線圈單元包含以XY二維方向為行方向、列方向配置成矩陣狀的複數個線圈14a。
晶圓載台WST，如圖1所示，具有晶圓粗動載台(以下簡稱為粗動載台)91、以及藉由包含例如音圈馬達等之未圖示驅動機構相對粗動載台91支撐成非接觸的晶圓台WTB。晶圓台WTB亦稱為晶圓微動載台。晶圓台WTB如圖2所示，係由俯視(從上方觀看)大致正方形之板狀構件構成，藉由未圖示之驅動機構被微幅驅動於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向、以及θz方向之六自由度方向。粗動載台91具有正方形狀之突緣部28(其外緣與晶圓台WTB大致重疊)設於上端部外周之長方體狀(高度較低之正四角柱狀)本體部、以及與該本體部之底部設置成一體的滑件部91a。滑件部91a具有由在XY平面內XY二維排列之複數個磁石構成的磁石單元、收容該磁石單元之框體、以及設於該框體底面周圍之複數個空氣軸承。磁石單元與前述線圈單元一起構成例如美國專利第5,196,745號說明書等所揭示之勞倫茲電磁力驅動之平面馬達。此外，作為平面馬達，並不限於勞倫茲電磁力驅動方式，亦可使用可變磁性電阻驅動方式之平面馬達。
晶圓載台WST(粗動載台91)藉由上述複數個空氣軸承透過既定間隙、例如數μm程度之間隙懸浮支撐於載台底座12上，藉由上述平面馬達30被驅動於X軸方向、Y軸方向、以及θz方向。此外，亦可藉由平面馬達30將晶圓載台WST驅動於六自由度方向。
本實施形態中，供應至構成線圈單元之各線圈14a之電流的大小及方向，係藉由圖5之主控制裝置20所控制。包含平面馬達30與前述驅動機構而構成圖5之晶圓載台驅動系統27。此外，平面馬達30不限於動磁方式，亦可係移動線圈方式。又，亦可使用磁浮方式之平面馬達作為平面馬達30。此時，亦可不設置前述空氣軸承。
於晶圓台WTB上之上面的圓形凹部內設有未圖示之晶圓保持具，於該晶圓保持具上裝載晶圓W。晶圓W藉由未圖示之夾具機構例如以真空吸附(或靜電吸附)，而固定於晶圓保持具。本實施形態中，吸附於晶圓保持具上之晶圓W之表面與晶圓台WTB表面中至少晶圓裝載區域(與圓形凹部大致對應)之周圍區域的表面設定成大致同一面高。然而，並非絕對如此設定不可。
又，晶圓載台WST在XY平面內之位置資訊，可藉由編碼器系統70(圖1中未圖示，參照圖5)予以測量。以下，詳述編碼器系統70之構成等。
如圖2之俯視圖所示，於晶圓載台WST之四角分別設有編碼器讀頭(以下適當簡稱為讀頭)60A,60B,60C以及60D。其中，位於晶圓載台WST之一對角線上之一對讀頭60A,60C，係以Y軸方向為測量方向之讀頭。又，位於晶圓載台WST之另一對角線上之一對讀頭60B,60D，係以X軸方向為測量方向之讀頭。
此處，代表性地舉出讀頭60C，根據該讀頭60C附近之晶圓載台WST之截面圖即圖3說明讀頭60A~60D於晶圓載台WST之安裝狀況。
讀頭60C，如圖3所示，具有於其內部收容後述光學系統之長方形狀(或圓筒狀)之本體部22，固定於粗動載台91之突緣部28上面之+X端部且+Y端部之角部(角附近之區域)。亦即，讀頭60C，固定於與晶圓台WTB之+X端部且+Y端部之角部對向的位置。詳言之，讀頭60C之本體部22，係從上方插入形成在突緣部28上面之既定深度之俯視矩形(或圓形)的凹部28a內部並加以固定。又，讀頭60C，其上部係從下方插入形成於晶圓台WTB下面之俯視矩形(或圓形)且較凹部28a大一圈的凹部23的內部。(亦即，於晶圓台WTB下面之四角附近，以分別與讀頭60A,60B,60C,60D對向之方式形成四個凹部23，在讀頭60A,60B,60C,60D以除了下端部一部分以外分別收容於各凹部23內部的狀態下，晶圓台WTB透過未圖示之驅動機構將該等讀頭非接觸支撐於粗動載台91上方。)
此時，於讀頭60C之本體部22之上面及外周面、與晶圓台WTB之間形成一間隙，該間隙，係即使晶圓台WTB在粗動載台91上往六自由度方向之任一方向被驅動至最大限度、本體部22仍不會接觸於凹部23之內壁面的程度。
於突緣部28之凹部28a之底壁形成有其中央部上下貫通之開口28b，透過該開口28b，各自之一端被導入至本體部22內部之四條光纖62a,62b,62c,62d被取出至突緣部28外部。四條光纖62a,62b,62c,62d之另一端安裝於粗動載台91之下端部附近。其中，光纖62b,26d係受光用光纖，各自之另一端以光學方式連接於分別具有第1、第2光檢測器之未圖示第1、第2受光系統。又，光纖62a,26c係送光用光纖，各自之另一端分別以光學方式連接於同一光源(或射出同一波長之光的兩個光源)。此外，光纖62a,26c亦可係同一光纖在途中分歧者，此時，可將來自同一光源之光分割為二，並分別導至本體部22內。
於晶圓台WTB之凹部23的上壁部分，形成有在上下方向貫通、具有段部之開口24。於此開口24內部，以被支撐於段部之狀態固定有例如由玻璃等透明構件構成的光柵板26。於光柵板26之Y軸方向之中央部，形成有以Y軸方向為週期方向之反射型繞射格子RG2Y 。此時，於光柵板26外周緣與開口24之內壁面之間形成有既定間隙。此間隙，係為了在光柵板26熱膨脹時避免多餘之熱應力作用於光柵板26。又，光柵板26之上面與晶圓台WTB之上面大致同一面高。此外，光柵板26之設置面並無必要在Z軸方向與晶圓台WTB之上面同一面高。
以Y軸方向為測量方向之剩餘讀頭60A，與上述讀頭60C同樣地構成，固定於突緣28之-X端部且-Y端部之角部。又，此讀頭60A附近之各構成構件亦與上述同樣地構成。
又，以X軸方向為測量方向之一對讀頭60B,60D，係與上述讀頭60C同樣之構成，分別固定於突緣部28之+X端部且-Y端部之角部、-X端部且+Y端部之角部。又，此等讀頭附近之各構成構件亦與上述同樣地構成。不過，形成於與讀頭60B,60D對向之光柵板26之繞射格子的週期方向為X軸方向。
此處，根據圖4說明讀頭60C之內部之光學系統的概略構成。於讀頭60C之本體部22內部收容有光學系統64，該光學系統64包含其分離面與XZ平面平行之偏振分光器PBS，一對反射鏡R1a,R1b，各兩對之透鏡L1a,L1b及L2a,L2b，四分之一波長板(以下記載為λ/4板)WP1a,WP1b及WP2a,WP2b，以及反射鏡R2a,R2b及R3a,R3b等。
與偏振分光器PBS之射入面對向地分別配置光纖62a,62c之一端面，與偏振分光器PBS之射出面對向地分別配置光纖62b,62d之一端面。
藉由此讀頭60C構成之編碼器(以下記載為Y編碼器70C(參照圖5))，從設於粗動載台91之光源、例如半導體雷射等射出之雷射射束LB(測量光)，係分別透過光纖62a,62c射入偏振分光器PBS，並藉由偏振分離而為測量射束LB1 ,LB2 以及LB3 ,LB4 。
透射過偏振分光器PBS之測量射束LB1 ，透過反射鏡R1a到達標尺板21，在偏振分光器PBS反射之測量射束LB2 透過反射鏡R1b到達標尺板21。此外，此處之「偏振分離」，係指將射入射束分離成P偏振成分與S偏振成分。
藉由測量射束LB1 ,LB2 之照射而從繞射格子RG產生之既定次數的繞射射束、例如一次繞射射束，係分別在透過透鏡L1b,L1a而被λ/4板WP1a,WP1b轉換成圓偏光後，在反射鏡R2a,R2b反射而再度通過λ/4板WP1a,WP1b，沿與返路相同光路之相反方向到達偏振分光器PBS。
到達偏振分光器PBS之兩個射束，其各自之偏光方向相對原本之方向被旋轉了90度。因此，先透射過偏振分光器PBS之測量射束LB1 的一次繞射射束，係在偏振分光器PBS反射而透過光纖62b射入第1受光系統(未圖示)，先在偏振分光器PBS反射之測量射束LB2 的一次繞射射束，則透射過偏振分光器PBS後與測量射束LB1 的一次繞射射束合成為同軸而透過光纖62b射入第1受光系統。
接著，上述兩個一次繞射射束，係在第1受光系統內部被測光件整合其偏光方向，而彼此干涉成為干涉光，該干涉光被第1光檢測器、例如光電倍增管檢測，並轉換成與干涉光強度對應之電氣訊號。
同樣地，透射過偏振分光器PBS之測量射束LB3 ，透過反射鏡R1a到達光柵板26，在偏振分光器PBS反射之測量射束LB4 透過反射鏡R1b到達光柵板26。
藉由測量射束LB3 ,LB4 之照射而從繞射格子RG2Y 產生之既定次數的繞射射束、例如一次繞射射束，係在透過透鏡L2b,L2a而被λ/4板WP2a,WP2b轉換成圓偏光後，在反射鏡R3a,R3b反射而再度通過λ/4板WP2a,WP2b，沿與返路相同光路之相反方向到達偏振分光器PBS。
到達偏振分光器PBS之兩個射束，其各自之偏光方向相對原本之方向被旋轉了90度。因此，先透射過偏振分光器PBS之測量射束LB3 的一次繞射射束，係在偏振分光器PBS反射而透過光纖62d射入第2受光系統(未圖示)，先在偏振分光器PBS反射之測量射束LB4 的一次繞射射束，則透射過偏振分光器PBS後與測量射束LB3 的一次繞射射束合成為同軸而透光過光纖62d射入第2受光系統。
接著，上述兩個一次繞射射束，係在第2受光系統內部被測光件整合其偏光方向，而彼此干涉成為干涉光，該干涉光被第2光檢測器、例如光電倍增管檢測，並轉換成與干涉光強度對應之電氣訊號。
從上述說明可知，Y編碼器70C(編碼器讀頭60C)中，由於測量射束LB1 ,LB2 以及LB3 ,LB4 在空氣中之光路長相較於干涉儀等較短，因此幾乎可忽視空氣晃動之影響。又，藉晶圓載台WST之移動產生之讀頭60C與標尺板21在測量方向(此時為Y軸方向)之相對移動、以及/或藉晶圓台WTB與粗動載台91(亦即光柵板26與讀頭60C)在測量方向(此時為Y軸方向)之相對移動，測量射束LB1 ,LB2 及/或LB3 ,LB4 之相位即變化使干涉光之強度變化。該干涉光之強度變化被第1、第2受光系統分別檢測出，與該強度變化相對應之第1位置資訊及第2位置資訊從Y編碼器70C往主控制裝置20(參照圖5)輸出。此時，第1位置資訊係顯示粗動載台91與標尺板21在Y軸方向之相對位置(第1位置關係)的資訊，第2位置資訊係顯示粗動載台91與光柵板26(晶圓台WTB)在Y軸方向之相對位置(第2位置關係)的資訊。
此外，從圖4可清楚得知，本實施形態中，測量射束LB1 ,LB2 及測量射束LB3 ,LB4 係沿垂直於標尺板21之下面(格子形成面)、以及在平行於Z軸之既定中心軸AXE 為對稱的光路，照射於繞射格子RG、RG2Y 。讀頭60C等，測量射束LB1 與LB2 之光路為左右對稱這點與測量射束LB3 與LB4 之光路為左右對稱這點相當重要。其理由在於，對稱性一旦被破壞，即會因該對稱性之破壞產生測量誤差。此點例如於國際公開第2008/026732號(對應美國專利申請公開第2008/0106722號說明書)等已有詳述。本實施形態中，測量射束LB1 ,LB2 及測量射束LB3 ,LB4 係沿上述中心軸AXE 為共通之對稱的光路分別從讀頭60C被照射於繞射格子RG、RG2Y ，因此可一邊維持上述之對稱性，一邊在測量射束LB1 ,LB2 及此等由來之繞射射束、以及測量射束LB3 ,LB4 及此等由來之繞射射束之間共用一部分之光學元件、例如圖4中之反射鏡R1a,R1b等。
讀頭60A具有與讀頭60C相同構成之光學系統64，分別將各一對之測量射束照射於標尺板21及光柵板26，並根據與上述相同之測量原理，對主控制裝置20輸出顯示粗動載台91與標尺板21在Y軸方向之相對位置的第1位置資訊、以及顯示粗動載台91與光柵板26(晶圓台WTB)在Y軸方向之相對位置的第2位置資訊。以下將讀頭60A所構成之編碼器稱為Y編碼器70A(參照圖5)。
剩餘之讀頭60B,60D之測量方向雖為X軸方向，但係與上述讀頭60C同樣地構成，並根據相同之測量原理，對主控制裝置20輸出顯示粗動載台91與標尺板21在X軸方向之相對位置的第1位置資訊、以及顯示粗動載台91與光柵板26(晶圓台WTB)在X軸方向之相對位置的第2位置資訊。以下將讀頭60B,60D所構成之編碼器稱為X編碼器70B,70D(參照圖5)。
主控制裝置20，能根據來自Y編碼器70C之第1位置資訊及第2位置資訊，算出粗動載台91與標尺板21(繞射格子RG)在Y軸方向之第1位置關係、粗動載台91與光柵板26(繞射格子RG2Y ，亦即晶圓台WTB)在Y軸方向之第2位置關係，且根據第1及第2位置關係算出晶圓台WTB(晶圓W)與標尺板21(繞射格子RG)在Y軸方向之位置關係、亦即算出晶圓台WTB(晶圓W)在Y軸方向之位置(Y位置)Yc。
主控制裝置20，與上述同樣地，能根據來自Y編碼器70A之第1位置資訊及第2位置資訊，算出上述第1位置關係與第2位置關係，且根據第1及第2位置關係算出晶圓台WTB(晶圓W)與標尺板21(繞射格子RG)在Y軸方向之位置關係、亦即算出晶圓台WTB(晶圓W)在Y軸方向之位置(Y位置)Ya。
主控制裝置20，與上述同樣地，能根據來自X編碼器70B,70D各自之第1位置資訊及第2位置資訊，算出晶圓台WTB(晶圓W)與標尺板21(繞射格子RG)在X軸方向之位置關係、亦即算出晶圓台WTB(晶圓W)在X軸方向之位置(X位置)Xb,Xd。
接著，主控制裝置20，在曝光時等，係使用上述Y位置Yc,Ya及X位置Xb,Xd之至少三個，一邊算出晶圓台WTB在XY平面內的位置(亦即在X軸方向、Y軸方向、以及θz方向之三自由度方向的位置)，一邊進行晶圓台WTB在XY平面內之位置控制。
又，本實施形態中之編碼器系統70之各編碼器，在例如晶圓台WTB相對XY平面成傾斜時，前述之測量射束LB3 與LB4 之光路對稱性則被破壞，使前述第2位置資訊產生測量誤差。又，在例如粗動載台91相對XY平面成傾斜時，測量射束LB3 與LB4 之光路對稱性及測量射束LB1 與LB2 之光路對稱性則被破壞，使前述第1位置資訊及第2位置資訊產生測量誤差。
因此，可預先求出晶圓台WTB相對XY平面之傾斜(θx旋轉，θy旋轉)與各編碼器之第2位置資訊所含之測量誤差的關係、以及粗動載台91相對XY平面之傾斜與各編碼器之第1及第2位置資訊所含之測量誤差的關係，該所求出之關係，藉由例如修正函數或修正圖之形式儲存於主控制裝置20之內部記憶體。此外，上述各關係，可使用例如前述國際公開第2008/026732號(對應美國專利申請公開第2008/0106722號說明書)等所揭示，修正起因於往非測量方向之讀頭與標尺之相對運動導致之各編碼器之測量誤差之修正資訊的取得方法之相同方法，來予以取得。
又，本實施形態中，晶圓載台WST之位置可藉由晶圓雷射干涉儀系統(以下稱為「晶圓干涉儀系統」)18(參照圖5)而與編碼器系統70獨立進行測量。晶圓載台WST，於其X軸方向及Y軸方向各自之一側端面(側面)形成有X反射面及Y反射面，晶圓干涉儀系統18係對X反射面與Y反射面分別照射複數個雷射射束(測距射束)，而能測量晶圓載台WST在五自由度方向(X軸方向、Y軸方向、θx方向、θy方向、以及θz方向)之位置。
於晶圓台WTB之+Y側之面(+Y端面)及-X側之面(-X端面)分別施有鏡面加工，而形成為反射面17a,17b(參照圖2)。又，於粗動載台91之突緣部28之+Y端面及-X端面分別施有鏡面加工，而形成為反射面17c,17d(參照圖2及圖3)。
晶圓干涉儀系統18具備：分別對反射面17a及17c照射與Y軸方向平行之複數個測距射束之Y干涉儀18Y、以及分別對反射面17b及17d照射與X軸方向平行之複數個測距射束之X干涉儀，此X干涉儀包含複數個、在本實施形態中為兩個X干涉儀18X1 ,18X2 (參照圖2及圖5)。
Y干涉儀18Y在Y軸方向之實質測距軸，係通過投影光學系統PL之光軸AX與後述對準系統ALG之檢測中心之Y軸方向的直線。Y干涉儀18Y，係測量晶圓台WTB在Y軸方向、θz方向及θx方向之位置資訊，以及粗動載台91在θx方向(及Y軸方向)之位置資訊。
X干涉儀18X1 在X軸方向之實質測距軸，係通過投影光學系統PL之光軸AX之X軸方向的直線。X干涉儀18X2 ，係測量晶圓台WTB在X軸方向、θy方向(及θz方向)之位置資訊，以及粗動載台91在θy方向(及X軸方向)之位置資訊。
X干涉儀18X2 在X軸方向之實質測距軸，係通過對準系統ALG之檢測中心之X軸方向的直線。X干涉儀18X1 ，係測量晶圓台WTB在X軸方向及θy方向之位置資訊，以及粗動載台91在θy方向(及X軸方向)之位置資訊。
例如，亦可取代上述反射面17a,17b，而於晶圓台WTB之端部安裝由平面反射鏡構成的移動鏡。又，亦可於晶圓台WTB設置相對XY平面傾斜45°之反射面，並透過該反射面測量晶圓台WTB在Z軸方向之位置。
晶圓干涉儀系統18之各干涉儀之測量值供應至主控制裝置20。其中，本實施形態中，在控制晶圓載台WST(晶圓台WTB)在XY平面內之位置(包含θz旋轉)時，主要係使用上述編碼器系統70所測量之位置資訊，干涉儀18,18X1 ,18X2 之測量值係用於修正(校正)該編碼器系統70之長期性變動(例如因標尺隨時間之變化等所造成)之情形，或作為編碼器系統之輸出異常時之備用等而輔助性地使用。其中，晶圓台WTB在X軸方向、Y軸方向、以及θz方向以外之θx方向及θy方向之位置，係藉由晶圓干涉儀系統18之各干涉儀測量。又，粗動載台91之θx旋轉及θy旋轉，係藉由晶圓干涉儀系統18之各干涉儀測量。
對準系統ALG如圖1及圖2所示，係相隔既定間隔配置於投影光學系統PL之-Y側。本實施形態中，可使用例如影像處理方式之對準感測器之一種之FIA(Field Image Alignment(場像對準))系統來作為對準系統ALG，其能以鹵素燈等之寬頻(寬頻帶)光照明標記，並藉由對該標記影像進行影像處理測量標記位置。來自對準系統ALG之攝影訊號透過未圖示之對準訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖5)。
此外，作為對準系統ALG係不限於FIA系統，當然亦能單獨或適當組合使用能將同調檢測光照射於對象標記以檢測從該對象標記產生之散射光或繞射光的對準感測器，或是使從該對象標記產生之兩繞射光(例如同階數之繞射光、或繞射於同方向之繞射光)彼此干涉來加以檢測的對準感測器。
除此之外，本實施形態之曝光裝置100，於投影單元PU附近設有與例如美國專利第5,448,332號說明書等所揭示者相同構成之斜入射方式的多點聚焦位置檢測系統(以下簡稱為「多點AF系統」)AF(圖1中未圖示，參照圖5)。多點AF系統AF之檢測訊號透過未圖示之AF訊號處理系統供應至主控制裝置20(參照圖5)。主控制裝置20根據多點AF系統AF之檢測訊號檢測各檢測點中晶圓W表面在Z軸方向之位置資訊，並根據該檢測結果執行掃描曝光中之晶圓W之所謂聚焦調平控制。此外，亦可於對準系統ALG附近設置多點AF系統，在晶圓對準時事前取得晶圓表面之面位置資訊(凹凸資訊)，在曝光時，使用該面位置資訊與檢測晶圓台上面在Z軸方向之位置之其他感測器的測量值，執行晶圓W之所謂聚焦調平控制。
曝光裝置100中，於標線片R上方，設有使用曝光波長之光之TTR(Through The Reticle)方式之一對標線片對準檢測系統13A,13B(圖1中未圖示，參照圖5)。標線片對準檢測系統13A,13B之檢測訊號透過未圖示之對準訊號處理系統供應至主控制裝置20。
圖5係將曝光裝置100之載台控制相關控制系統省略一部分後顯示的方塊圖。此控制系統係以主控制裝置20為中心構成。主控制裝置20，包含CPU(中央運算處理裝置)、ROM(read-only memory,唯讀記憶體)、RAM(random-access memory,隨機存取記憶體)等構成的所謂微電腦(或工作站)，統籌控制裝置整體。
以上述方式構成之曝光裝置100，在製造元件時，係使用前述標線片對準檢測系統13A,13B、晶圓台WTB上之未圖示基準板等，以與通常之掃描步進器相同之步驟(例如揭示於美國專利第5,646,413號說明書等之步驟)進行標線片對準及對準系統ALG之基線測量，並在此前後進行晶圓對準(例如美國專利第4,780,617號說明書等揭示之加強型全晶圓對準(EGA)等)等。
接著，藉由主控制裝置20，根據基線之測量結果、以及晶圓對準之結果，進行步進掃描方式之曝光動作，於晶圓W上之複數個照射區域分別轉印標線片R之圖案。此曝光動作，係交互反覆進行掃描曝光動作(即進行前述標線片載台RST與晶圓載台WST之同步移動之動作)與照射區域間移動(步進)動作(即使晶圓載台WST移動至供照射區域之曝光之加速開始位置的動作)，藉此來進行。
上述掃描曝光中，主控制裝置20係使用編碼器系統70測量晶圓台WTB(晶圓載台WST)在XY平面內之位置資訊(包含θz方向之旋轉資訊)，且使用X干涉儀18X1 及18Y測量晶圓台WTB之θx旋轉及θy旋轉、以及粗動載台91之θx旋轉及θy旋轉，根據晶圓台WTB之θx旋轉及θy旋轉、以及粗動載台91之θx旋轉及θy旋轉、以及前述修正函數或修正圖，修正編碼器系統70之至少三個編碼器之各測量值，並根據該修正後之至少三個編碼器之各測量值控制晶圓台WTB在XY平面內的位置。又，上述掃描曝光中，主控制裝置20係藉由根據多點AF系統AF之測量值驅動未圖示驅動機構，使晶圓W之曝光對象之照射區域一部分(與曝光區域IA對應之區域)與投影光學系統PL之焦深一致、即執行所謂晶圓W之聚焦調平控制。因此，在進行聚焦調平時，晶圓台WTB係被驅動於Z軸方向、θx方向、以及θz方向之至少一個方向。
因此，根據本實施形態之曝光裝置100，能一邊執行晶圓W之所謂聚焦調平控制，一邊根據編碼器系統70之各編碼器之測量資訊，高精度地控制晶圓載台WST在XY平面內的位置(包含θz方向之旋轉)。
此外，只要使載台底座12上面之加工精度與滑件部91a之複數個空氣軸承之性能提高至某程度，可想見粗動載台91在Z軸方向、θy方向之移動即變得非常小。此時，幾乎可忽視因粗動載台91相對於XY平面之傾斜導致之各編碼器之第1、第2位置資訊所含之測量誤差。此時，則無藉由干涉儀系統118測量粗動載台91之傾斜的必要。又，此時，即使晶圓台WTB相對XY平面成傾斜，各編碼器之測量射束LB1 ,LB2 之光路的對稱性亦不會被破壞，僅有光路長較測量射束LB1 ,LB2 短、繞射格子相對於讀頭之傾斜的影響更小之測量射束LB3 ,LB4 之光路會產生對稱性之破壞。因此，能縮小起因於晶圓台WTB相對於XY平面之傾斜導致之各編碼器的測量誤差。
如以上所說明，根據本實施形態中之晶圓載台裝置50，由於構成編碼器系統70之複數個讀頭60A~60D設於粗動載台91，因此對該等讀頭60A~60D供應電力用等之配線等，不存在於粗動載台91與晶圓台WTB之間。因此，即使晶圓台WTB在粗動載台91上被驅動機構驅動於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向、及θz方向之六自由度方向中的任一方向，亦不會因上述配線等之張力等妨礙晶圓台WTB之動作。又，當晶圓台WTB在粗動載台91上移動於與XY平面平行之方向時，可藉由編碼器系統70，根據複數個讀頭60A~60D中與標尺板21(繞射格子RG)及光柵板26(繞射格子RG2Y 等)對向之1或2以上之讀頭的輸出，以良好精度測量晶圓台WTB在XY平面內的位置資訊。因此，可不受晶圓台WTB微動之影響，以良好精度測量晶圓台WTB在XY平面內的位置資訊。
又，晶圓載台裝置50中，即使晶圓台WTB相對粗動載台91在可移動範圍內移動，各讀頭之測量亦不會特別產生障礙。因此，不會發生因起因於晶圓台WTB之調平及加減速之粗動載台91與晶圓台WTB之間之相對位移等的影響，而使編碼器系統70對晶圓台WTB等之位置測量受到不良影響，例如產生測量誤差、或無法測量等之事態。
又，根據本實施形態，由於如前所述，不會因配線等之張力等妨礙晶圓台WTB之動作，因此即使於晶圓載台WST安裝複數個編碼器讀頭亦不會特別產生障礙。因此，可不受晶圓台WTB微動之影響，以良好精度求出晶圓台WTB(晶圓載台WST)在XY平面內的位置資訊，進而以高精度控制曝光時晶圓台WTB(晶圓載台WST)在XY平面內的位置，而能對保持於晶圓台WTB之晶圓W進行高精度之曝光。又，作為熱源之光源及光檢測器由於不存在於讀頭內，因此可減輕晶圓台WTB之熱的影響。
此外，上述實施形態中，係從各讀頭對標尺板21(繞射格子RG)、光柵板26(例如繞射格子RG2Y )分別照射一對測量射束LB1 ,LB2 、以及一對測量射束LB3 ,LB4 。接著，主控制裝置20根據分別來自測量射束LB1 ,LB2 之繞射光(來自繞射格子RG之返回光)彼此之干涉光的光電轉換訊號，求出粗動載台91與標尺板21在測量方向之第1位置資訊，並根據分別來自測量射束LB3 ,LB4 之繞射光(例如來自繞射格子RG2Y 之返回光)彼此之干涉光的光電轉換訊號，求出粗動載台91與光柵板26(晶圓台WTB)在測量方向之第2位置資訊，進而根據第1及第2位置資訊，算出晶圓台WTB與標尺板21在前述測量方向之位置資訊。然而，本發明並不限定於此。
亦即，例如可於晶圓台WTB(微動載台)之一部分，以與固定於粗動載台91之1或2以上之編碼器讀頭(包含該編碼器讀頭在內構成編碼器系統(測量裝置))對向之方式設有來自各編碼器讀頭之測量射束能透射之光透射部、例如開口部、透明部(例如光柵板26或與光柵板26相當者)等，並不一定要設置光柵(繞射格子)。在此種情況下亦同樣地，係根據至少一個編碼器讀頭之輸出，而能以良好精度(例如幾乎不會受到空氣搖晃之影響)測量晶圓載台WST在XY平面內之位置資訊，該編碼器讀頭係對在晶圓載台WST(粗微動載台)外部配置成與XY平面實質平行之標尺板21(繞射格子RG)透過上述光透射部照射測量射束(LB1 ,LB2 )、並透過上述光透射部接收來自標尺板21(繞射格子RG)之繞射光。此時，由於1或2以上之編碼器讀投顧定於粗動載台91，因此即使微動載台(晶圓台WTB)在粗動載台上被驅動於任一方向，亦不會因配管等之張力等妨礙微動載台之動作。
又，上述情形下，亦可進一步具備用以測量粗動載台91與微動載台(晶圓台WTB)在XY平面內之位置關係的感測器。此時，例如可使用編碼器(包含對配置在微動載台之繞射格子照射測量射束的編碼器讀頭)作為感測器。此情形下，可根據晶圓載台WST之位置資訊、亦即標尺板21與晶圓載台WST在XY平面內之位置關係的資訊與上述感測器之測量資訊，與上述實施形態同樣地，可不受微動載台(晶圓台WTB)微動之影響，以良好精度求出微動載台在XY平面內的位置資訊，進而以高精度控制微動載台(粗微動載台)在XY平面內的位置。此外，上述感測器中雖亦可將編碼器讀頭設於微動載台，但最好係將繞射格子設於微動載台。此時，設置繞射格子之位置不限於上述實施形態，亦可為任意位置，上述感測器亦可與上述實施形態之編碼器分開設置，或將其至少一部分以上述實施形態之編碼器予以兼用。又，上述感測器除了編碼器以外，例如亦可係干涉儀等，此時不需於微動載台設置繞射格子。
又，與上述實施形態同樣地，即使係於晶圓台WTB設置光透射部(光柵板26)及繞射格子(RG2Y )的情形，例如可更改本體部22內部之光學系統的構成，而採用如下之構成：對標尺板21照射一對第1測量射束、將來由於各第1測量射束之來自繞射格子RG的一對繞射射束、或來由於該一對繞射射束之一對繞射射束作為一對第2測量射束，照射於光柵板26(例如繞射格子RG2Y )，並以受光系統接收來由於各第2測量射束之來自繞射格子RG2Y 的一對繞射射束，並將之作為該受光系統之輸出訊號輸出相當於上述第1位置關係與第2位置關係之差的資訊。或亦可採用如下之構成：對光柵板26(例如繞射格子RG2Y )照射一對第1測量射束、將來由於各第1測量射束之來自繞射格子RG2Y 的一對繞射射束、或來由於該一對繞射射束之一對繞射射束作為一對第2測量射束，照射於標尺板21，並以受光系統接收來由於各第2測量射束之來自繞射格子RG的一對繞射射束，並將之作為該受光系統之輸出訊號輸出相當於上述第1位置關係與第2位置關係之差的資訊。扼要言之，不論讀頭內部之光學系統之構成為何，只要載台裝置及曝光裝置具備下述測量裝置即可，該測量裝置，係根據1或2以上之固定於粗動載台且與第1及第2光柵部對向的至少一個之編碼器讀頭的輸出，測量微動載台在既定平面內之位置資訊，該編碼器讀頭，係對配置成與既定平面(XY平面)實質平行之第1光柵部及設於微動載台之第2光柵部分別照射第1、第2測量射束、並接收來自第1及第2光柵部各自之繞射光。
此外，標尺板21與光柵板26，測量射束在測量方向之照射位置亦可不同。亦即，標尺板21與光柵板26之測量射束之光軸亦可非同軸。
又，上述實施形態中，雖說明編碼器系統70具備一對X讀頭與一對Y讀頭之情形，但本發明並不限定於此。亦即，雖編碼器讀頭之數目並不特別限制，但若為了測量晶圓載台WST在XY平面內之位置資訊(包含θz旋轉)，只要包含至少各一個X讀頭與Y讀頭而合計三個讀頭即可。又，亦可取代上述一對X讀頭與一對Y讀頭而使用以正交兩軸方向為測量方向之二維讀頭即可。此時，只要有至少兩個二維讀頭，即可測量晶圓載台WST在XY平面內之位置資訊(包含θz旋轉)。或者，可併用可測量Z軸方向之位置資訊的感測器(或讀頭)，或組合可測量X軸方向及Y軸方向之位置資訊的感測器(或讀頭)或以X軸方向為測量方向之感測器(X感測器)與以Y軸方向為測量方向之感測器(Y感測器)。又，除了主感測器以外，可亦設置在該主感測器之輸出異常時等用於備用之備用感測器，在將主感測器與備用感測器設置複數組時，亦可依各組兼用作微動載台之光柵。
除此之外，亦可使用能測量在X軸方向及Y軸方向之至少一方與Z軸方向之位置資訊的編碼器。此時，可與前述同樣地，根據在Z軸方向之粗動載台91與標尺板21之第1位置資訊、以及其他感測器所測量之粗動載台91與微動載台(晶圓台WTB)之第2位置資訊，求出微動載台在Z軸方向之位置資訊。
又，上述實施形態中，編碼器雖係可測量在X軸方向及Y軸方向之至少一方的位置資訊，但並不限於此，例如亦可係僅能測量Z軸方向之構成。
又，上述實施形態中，雖係於標尺板21之下面形成有二維繞射格子之構成，但並不限於此，只要係基於晶圓載台WST之移動路徑(各讀頭之移動路徑)所作的配置，亦可於標尺板21之下面，組合形成以X軸方向為週期方向之X光柵與以Y軸方向為週期方向之Y光柵。又，亦可組合複數個標尺板構成標尺板21。或者，亦可僅將標尺配置成可在至少曝光動作與對準動中以編碼器進行測量。
又，在例如投影光學系統與對準系統係分離之曝光裝置等的情形，亦可在投影光學系統附近(周圍)與對準系統附近(周圍)配置各自之標尺板。此時，在進行晶圓W之曝光動作時，係使用配置於投影光學系統附近之標尺板，藉由編碼器系統測量晶圓載台之位置，在進行晶圓對準時等，係使用配置於對準系統附近之標尺板，藉由編碼器系統測量晶圓載台之位置。
又，上述實施形態中，雖例示了除了編碼器系統以外亦設置晶圓干涉儀系統之情形，但晶圓干涉儀系統並不一定要設置。
又，上述實施形態中，雖說明了於讀頭60A~60D外部(粗動載台91)設置光源及受光系統(包含光檢測器)，並在此等光源及受光系統與讀頭60A~60D各自之間，使用光纖26a~26d將從光源射入編碼器讀頭之光(測量光)及從編碼器讀頭返回受光系統之光兩者加以導引的情形，但本發明並不限定於此。例如，當於編碼器讀頭內具有半導體雷射等之光源時，亦可僅以光纖光學地連接各編碼器讀頭與受光系統(包含光檢測器)之間。或者，亦可於編碼器讀頭內具有受光系統(包含光檢測器)。此情形下，當於讀頭外部具有光源時，係與上述實施形態同樣地在光源與讀頭之間進行來自光源之測量光透過光纖的傳送。
又，上述實施形態中，亦可取代前述各光纖而使用中繼光學系統等其他光傳送光學系統。又，上述實施形態中，雖例示了透過讀頭60A~60D各自與光纖26a~26d以光學方式連接之光源及受光系統(包含光檢測器)配置於粗動載台91的情形，但並不一定要將光源及受光系統(包含光檢測器)等全部配置於粗動載台91。
又，上述實施形態中，雖說明了將本發明適用於掃描步進器，但並不限於此，亦能將本發明適用於步進器等靜止型曝光裝置。即使係步進器等，亦可藉由以編碼器測量裝載有曝光對象之物體之載台的位置，而與使用干涉儀測量該載台之位置的情形不同地，使起因於空氣搖晃之位置測量誤差的發生可能性成為幾乎零，並能根據編碼器之測量值將載台高精度地定位，其結果即能將高精度之標線片圖案轉印至物體上。又，亦可將本發明適用於用以合成照射區域與照射區域之步進接合方式的縮小投影曝光裝。
又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統並不僅可為縮小系統，亦可為等倍系統及放大系統之任一者，投影光學系統PL不僅可為折射系統，亦可係反射系統及反折射系統之任一者，其投影像亦可係倒立像與正立像之任一者。
又，照明光IL，不限於ArF準分子雷射光(波長193nm)，亦能使用KrF準分子雷射光(波長248nm)等之紫外光、F2 雷射光(波長157nm)等之真空子外光。可使用例如美國專利第7,023,610號說明書所揭示之諧波，其係以塗布有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或纖維雷射射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光放大來作為真空紫外光，並以非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光。
又，上述實施形態中，作為曝光裝置之照明光IL，並不限於波長100nm以上之光，亦可使用波長未滿100nm之光。例如，亦可將本發明適用於使用軟X線區域(例如5~15nm之波長域)之EUV(Extreme Ultra Violet)光的EUV曝光裝置。此外，本發明亦適用於使用電子射線或離子光束等之帶電粒子射線的曝光裝置。再者，亦可將本發明適用於例如美國專利申請公開第2005/0259234號說明書等所揭示之於投影光學系統與晶圓之間充滿液體的液浸型曝光裝置等。此液浸型曝光裝置，亦適用上述實施形態之晶圓載台裝置50所具備之各編碼器讀頭的構成。由於藉由與晶圓台WTB之上面大致同一高度之由玻璃等構成的光柵板阻塞晶圓台WTB上面之開口，因此假使形成液浸區域之液體位於讀頭上，亦幾乎不會產生液體洩漏等之不良情形。
又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。當使用上述可變成形光罩時，裝載晶圓或玻璃板等之載台係相對可變成形光罩進行掃描，因此能藉由使用編碼器測量該載台之位置，來取得與上述實施形態同等之效果。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓W上、而在晶圓W上形成線與間隔圖案之曝光裝置(微影系統)。
進而，例如亦能將本發明適用於例如美國專利第6,611,316號說明書所揭示之曝光裝置，其係將兩個標線片圖案透過投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次之掃描曝光來對晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。
又，於物體上形成圖案之裝置並不限於前述曝光裝置(微影系統)，例如亦能將本發明適用於以噴墨式來將圖案形成於物體上的裝置。
此外，上述實施形態中待形成圖案之物體(能量射束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。
曝光裝置用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微型元件以外，為了製造用於光曝光裝置、EUV(極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
此外，本發明之載台裝置不限於曝光裝置，亦可廣泛適用於其他之基板處理裝置(例如雷射修理裝置、基板檢查裝置等其他)，或其他精密機械中之試料定位裝置、打線裝置等具備在二維面內移動之載台等移動體的裝置。
此外，援用至此為止之說明中所引用之曝光裝置等相關之所有公報(包含國際公開公報)、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
半導體元件，係經由下述步驟所製造，即：進行元件之功能、性能設計的步驟、根據此設計步驟製作標線片之步驟、由矽材料製作晶圓之步驟、藉由上述實施形態之曝光裝置將形成於光罩之圖案轉印於晶圓等物體上之微影步驟、使已曝光之晶圓(物體)顯影之顯影步驟、藉由蝕刻除去光阻殘存部分以外部分之露出構件的蝕刻步驟、除去結束蝕刻後不需要之光阻之光阻除去步驟、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、檢查步驟等。此時，由於在微影步驟中使用上述實施形態之曝光裝置，因此能以良好良率製造高積體度之元件。
如以上所說明，本發明之載台裝置及載台驅動方法，係適於以良好精度管理微動載台之位置。又，本發明之圖案形成裝置，適於在物體上形成圖案。又，本發明之曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法，適於製造半導體元件及液晶顯示元件等之電子元件等。
10．．．照明系統
11．．．標線片載台驅動系統
12．．．載台底座
13A,13B．．．標線片對準檢測系統
14a．．．線圈
15．．．移動鏡
16．．．標線片干涉儀
17a,17b,17c,17d．．．反射面
18．．．晶圓干涉儀系統
18X1 18X2 ．．．X干涉儀
18Y．．．Y干涉儀
20．．．主控制裝置
21．．．標尺板
22．．．本體部
23,28a．．．凹部
24,28b．．．開口
26．．．光柵板
27．．．晶圓載台驅動系統
28．．．突緣
30．．．平面馬達
40．．．鏡筒
50．．．載台裝置
60A,60B,60C,60D．．．讀頭
62a,62b,62c,62d．．．光纖
64．．．光學系統
70．．．編碼器系統
70A,70C．．．Y編碼器
70B,70D．．．X編碼器
91．．．粗動載台
91a．．．滑件部
100．．．曝光裝置
AF．．．多點AF系統
ALG．．．對準系統
AX．．．光軸
AXE ．．．中心軸
IAR．．．照明區域
IL．．．照明光
L1a,L1b,L2a,L2b．．．透鏡
LB1 ,LB2 ,LB3 ,LB4 ．．．測量射束
PBS．．．偏振分光器
PL．．．投影光學系統
PU．．．投影單元
R．．．標線片
R1a,R1b,R2a,R2b,R3a,R3b．．．反射鏡
RG,RG2Y ．．．繞射格子
RST．．．標線片載台
W．．．晶圓
WP1a,WP1b,WP2a,WP2b．．．λ/4板
WTB．．．晶圓台
WST．．．晶圓載台
圖1，係顯示一實施形態之曝光裝置概略構成的圖。
圖2，係用以說明編碼器讀頭及干涉儀之配置的圖。
圖3，係顯示圖1之晶圓載台一部分的截面圖。
圖4，係用以說明編碼器讀頭之本體部內之光學系統構成的圖。
圖5，係顯示圖1之曝光裝置中與載台控制相關連之控制系統之主要構成的方塊圖。
17a,17c．．．反射面
21．．．標尺板
22．．．本體部
23．．．凹部
24．．．開口
26．．．光柵板
28．．．突緣
28a．．．凹部
28b．．．開口
60C．．．讀頭
62a,62b,62c,62d．．．光纖
LB1 ,LB2 ．．．測量射束
RG,RG2Y ．．．繞射格子
WTB．．．晶圓台

Claims (61)

  1. 一種曝光裝置，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其具有：粗微動載台，包含沿既定平面移動之粗動載台及能載置該物體而在該粗動載台上微動之微動載台；以及測量裝置，具有設於該粗動載台之編碼器讀頭，根據第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊測量該微動載台在既定方向之位置資訊，該第1位置資訊，係對在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部照射第1測量射束、並接收來自該第1光柵部之繞射光而取得；該測量裝置，藉由該編碼器讀頭取得該第2位置資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該測量裝置，係藉由該編碼器讀頭，對設於該微動載台之第2光柵部照射第2測量射束、並接收來自該第2光柵部之繞射光而取得該第2位置資訊。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該測量裝置，係透過設於該微動載台之光透射部將該第1測量射束照射於該第1光柵部。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該粗動載台之複數個不同位置固定有該編碼器讀頭，該微動載台，於該複數個編碼器讀頭之各讀頭對向之區域具有該光透射部。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，於該微動 載台，與該複數個編碼器讀頭之各讀頭對向之位置設有第2光柵部；該複數個編碼器讀頭之各讀頭對對向之該第2光柵部照射第2測量射束，而亦接收來自該第2光柵部之繞射光；該測量裝置，根據至少一個該編碼器讀頭之輸出，測量該微動載台在該既定平面內之位置資訊。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該第1測量射束與該第2測量射束係從同一光源產生之射束。
  7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該第1測量射束及該第2測量射束中一方之測量射束，係將另一方測量射束在對應之光柵部繞射之繞射射束之至少一部分在該編碼器讀頭內取出而生成。
  8. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該複數個編碼器讀頭之各讀頭沿垂直於該第1光柵部之既定中心軸為共通的光路，分別對該第1、第2光柵部照射該第1、第2測量射束。
  9. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該測量裝置，根據來自該複數個編碼器讀頭之各讀頭之輸出，算出該粗動載台與該第1光柵部在平行於該既定平面之測量方向的第1位置關係，以及該粗動載台與該第2光柵部在該測量方向之第2位置關係，且根據該第1及第2位置關係算出該微動載台與該第1光柵部在該測量方向之位置關係。
  10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該微動載台由俯視為矩形之構件構成，於對應該微動載台四角部 之該粗動載台之位置，分別配置有該編碼器讀頭。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之載台裝置，其中，該微動載台，於相對該既定平面之傾斜方向為可動；該測量裝置，係修正因該微動載台之傾斜所產生之用於測量該微動載台之位置資訊之該編碼器讀頭的測量誤差。
  12. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之曝光裝置，其中，該測量裝置，係修正因該粗動載台相對該既定平面之傾斜所產生之用於測量該粗微動載台之位置資訊之該編碼器讀頭的測量誤差。
  13. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之載台裝置，其中，該測量裝置，係測量該微動載台在至少與該既定平面平行之一方向的位置資訊。
  14. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之載台裝置，其中，該測量裝置，具有配置於該粗動載台之不同位置之複數個該編碼器讀頭，測量至少在該既定平面內之三自由度方向之位置資訊。
  15. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之曝光裝置，其中，該第1光柵部包含覆蓋該粗微動載台之移動範圍的二維格子。
  16. 如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該微動載台係以非接觸方式支撐於該粗動載台。
  17. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至16項中任一項之曝光裝置使 物體曝光的動作；以及使該已曝光之物體顯影的動作。
  18. 一種曝光方法，係藉由能量束之照射於物體形成圖案，其包含：驅動粗微動載台之動作，該粗微動載台具有沿既定平面移動之粗動載台及能載置該物體而在該粗動載台上微動之微動載台；以及根據從編碼器讀頭之輸出所取得之第1位置資訊、以及該粗動載台與該微動載台之相對第2位置資訊測量該微動載台在既定方向之位置資訊之動作，該編碼器讀頭，係對設於該粗動載台且在該粗微動載台外部配置成與該既定平面實質平行之第1光柵部照射第1測量射束、並接收來自該第1光柵部之繞射光；該第2位置資訊，係藉由該編碼器讀頭取得。
  19. 如申請專利範圍第18項之曝光方法，其中，該編碼器讀頭，係對設於該微動載台之第2光柵部照射第2測量射束、並接收來自該第2光柵部之繞射光而取得該第2位置資訊。
  20. 如申請專利範圍第18項之曝光方法，其中，該編碼器讀頭，係透過設於該微動載台之光透射部將該第1測量射束照射於該第1光柵部。
  21. 如申請專利範圍第20項之曝光方法，其中，於該粗動載台之複數個不同位置固定有該編碼器讀頭，該微動載台，於該複數個編碼器讀頭之各讀頭對向之區域具有該光 透射部；該測量之動作，係根據從該複數個編碼器讀頭選擇之至少一個編碼器讀頭的輸出，測量該粗微動載台在該既定平面內之位置資訊。
  22. 如申請專利範圍第21項之曝光方法，其中，根據對該微動載台中設於與該複數個編碼器讀頭之各讀頭對向之位置之第2光柵部照射第2測量射束而亦接收來自該第2光柵部之繞射光之至少一個該編碼器讀頭的輸出，測量該微動載台在該既定平面內之位置資訊；亦考量所測量之該微動載台之位置資訊驅動該粗微動載台。
  23. 如申請專利範圍第22項之曝光方法，其中，該第1測量射束與該第2測量射束係從同一光源產生之光射束。
  24. 如申請專利範圍第23項之曝光方法，其中，該第1測量射束及該第2測量射束中一方之測量射束，係將藉由另一方測量射束在對應之光柵部繞射之繞射射束之至少一部分在該編碼器讀頭內取出而生成。
  25. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該複數個編碼器讀頭之各讀頭沿垂直於該第1光柵部之既定中心軸為共通的光路，分別對該第1、第2光柵部照射該第1、第2測量射束。
  26. 如申請專利範圍第22項之曝光方法，其係根據來自該複數個編碼器讀頭之各讀頭之輸出，算出該粗動載台與該第1光柵部在平行於該既定平面之測量方向的第1位置 關係，以及該粗動載台與該第2光柵部在該測量方向之第2位置關係，且根據該第1及第2位置關係算出該微動載台與該第1光柵部在該測量方向之位置關係。
  27. 如申請專利範圍第18項之曝光方法，其中，於對應該微動載台四角部之該粗動載台之位置分別配置之該編碼器讀頭之至少三個係用於測量該微動載台之位置資訊。
  28. 如申請專利範圍第18至27項中任一項之曝光方法，其係修正因該微動載台之傾斜所產生之用於測量該微動載台之位置資訊之該編碼器讀頭的測量誤差。
  29. 如申請專利範圍第18至27項中任一項之曝光方法，其係修正因該粗動載台相對該既定平面之傾斜所產生之用於測量該粗微動載台之位置資訊之該編碼器讀頭的測量誤差。
  30. 如申請專利範圍第18至27項中任一項之曝光方法，其係測量該微動載台在至少與該既定平面平行之一方向的位置資訊。
  31. 如申請專利範圍第18至27項中任一項之曝光方法，其中，於該粗動載台之不同位置配置有複數個該編碼器讀頭；測量該微動載台至少在該既定平面內之三自由度方向之位置資訊。
  32. 如申請專利範圍第18至27項中任一項之曝光方法，其中，該第1光柵部具有被該第1測量射束照射之反射型二維格子； 該微動載台係以非接觸方式被支撐於該粗動載台。
  33. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第18項至32項中任一項之曝光方法使物體曝光的動作；以及使該已曝光之物體顯影的動作。
  34. 一種曝光裝置，係透過投影系統以曝光光束使基板曝光，其具備：框架，保持該投影系統；載台系統，具有載置該基板之微動載台與以非接觸方式支撐該微動載台之粗動載台；測量裝置，具有設於該粗動載台之複數個編碼器讀頭，根據對向於該框架所設之光柵部之該複數個編碼器讀頭之至少一個檢測之第1位置資訊與關於該粗動載台與該微動載台之位置關係之第2位置資訊，測量該微動載台之位置資訊；以及控制裝置，係根據該測量之位置資訊控制該載台系統；該測量裝置係藉由該編碼器讀頭檢測該第2位置資訊。
  35. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該測量裝置係藉由該編碼器讀頭分別對設於該框架之光柵部與設於該微動載台之光柵部照射測量射束，以檢測該第1、第2位置資訊。
  36. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該測量裝置係藉由該編碼器讀頭透過設於該微動載台之光透射部對設於該框架之光柵部照射測量射束，以檢測該第1、第2 位置資訊。
  37. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該測量裝置包含與該編碼器讀頭不同之感測器，藉由該感測器檢測該第2位置資訊。
  38. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該測量裝置，係控制該載台系統以補償因該微動載台及/或該粗動載台之傾斜所產生之該微動載台之位置資訊之測量誤差。
  39. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，設於該框架之光柵部具有二維格子，包圍該投影系統且與和該投影系統之光軸正交之既定平面平行配置。
  40. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該複數個編碼器讀頭，包含分別與該微動載台之四個角部對應地設於該粗動載台之編碼器讀頭。
  41. 如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該複數個編碼器讀頭，分別用於測量該微動載台在與和該投影系統之光軸正交之既定平面平行之第1方向、以及與該既定平面正交之第2方向之位置資訊。
  42. 如申請專利範圍第34至41項中任一項之曝光裝置，其具備配置該粗動載台之底座構件；該載台系統，具有使該微動載台相對該粗動載台移動之致動器、以及於該粗動載台與該底座構件之一方設有磁石單元且於該粗動載台與該底座構件之另一方設有線圈單元之平面馬達，藉由該平面馬達使該粗動載台在該底座構 件上移動。
  43. 如申請專利範圍第42項之曝光裝置，其中，該平面馬達係該磁石單元設於該粗動載台之動磁方式。
  44. 如申請專利範圍第42項之曝光裝置，其中，該載台系統藉由該平面馬達在該底座構件上使該粗動載台磁浮。
  45. 如申請專利範圍第42項之曝光裝置，其具備：標記檢測系統，與該投影系統分離配置，用以檢測該基板之標記；以及光柵部，配置成包圍該標記檢測系統，與設於該框架之光柵部不同；該測量裝置，在該標記檢測系統對該標記之檢測中，藉由對向於該不同之光柵部之該複數個編碼器讀頭之至少一個測量該微動載台之位置資訊。
  46. 如申請專利範圍第42項之曝光裝置，其中，該測量裝置具有與該複數個編碼器讀頭不同之測量該微動載台之位置資訊之干涉儀系統。
  47. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第34至46項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
  48. 一種曝光方法，係透過投影系統以曝光光束使基板曝光，其包含：藉由具有載置該基板之微動載台與以非接觸方式支撐該微動載台之粗動載台之載台系統使該基板移動之動作； 藉由對向於保持該投影系統之框架所設之光柵部之、設於該粗動載台之複數個編碼器讀頭之至少一個檢測第1位置資訊，根據此檢測之第1位置資訊與關於該粗動載台與該微動載台之位置關係之第2位置資訊，測量該微動載台之位置資訊之動作；以及根據該測量之位置資訊控制該載台系統之動作；該第2位置資訊係藉由該編碼器讀頭檢測。
  49. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，藉由該編碼器讀頭分別對設於該框架之光柵部與設於該微動載台之光柵部照射測量射束，以檢測該第1、第2位置資訊。
  50. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，藉由該編碼器讀頭透過設於該微動載台之光透射部對設於該框架之光柵部照射測量射束，以檢測該第1、第2位置資訊。
  51. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，該第2位置資訊藉由與該編碼器讀頭不同之感測器檢測。
  52. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其係控制該載台系統以補償因該微動載台及/或該粗動載台之傾斜所產生之該微動載台之位置資訊之測量誤差。
  53. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，設於該框架之光柵部具有二維格子，包圍該投影系統且與和該投影系統之光軸正交之既定平面平行配置。
  54. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，該複數個編碼器讀頭，包含分別與該微動載台之四個角部對應地設於該粗動載台之編碼器讀頭。
  55. 如申請專利範圍第48項之曝光方法，其中，該複數個編碼器讀頭，分別用於測量該微動載台在與和該投影系統之光軸正交之既定平面平行之第1方向、以及與該既定平面正交之第2方向之位置資訊。
  56. 如申請專利範圍第48至55項中任一項之曝光方法，其中，該粗動載台係在底座構件上，藉由於該粗動載台與該底座構件之一方設有磁石單元且於該粗動載台與該底座構件之另一方設有線圈單元之平面馬達而被移動；該微動載台，藉由與該平面馬達之致動器而相對該粗動載台被移動。
  57. 如申請專利範圍第56項之曝光方法，其中，該平面馬達係該磁石單元設於該粗動載台之動磁方式。
  58. 如申請專利範圍第56項之曝光方法，其中，該粗動載台藉由該平面馬達在該底座構件上被磁浮。
  59. 如申請專利範圍第56項之曝光方法，其包含：藉由與該投影系統分離配置之標記檢測系統檢測該基板之標記之動作；以及在該標記檢測系統對該標記之檢測中，藉由對向於配置成包圍該標記檢測系統且與設於該框架之光柵部不同之光柵部之該複數個編碼器讀頭之至少一個測量該微動載台之位置資訊之動作。
  60. 如申請專利範圍第56項之曝光方法，其包含藉由與該複數個編碼器讀頭不同之干涉儀系統測量該微動載台之位置資訊之動作。
  61. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第48至60項中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
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