KR0130740B1 - 위상 시프트 마스크와 그 제조방법 및 위상 시프트 마스크를 사용한 노광법 - Google Patents

위상 시프트 마스크와 그 제조방법 및 위상 시프트 마스크를 사용한 노광법

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KR0130740B1
KR0130740B1 KR1019930024919A KR930024919A KR0130740B1 KR 0130740 B1 KR0130740 B1 KR 0130740B1 KR 1019930024919 A KR1019930024919 A KR 1019930024919A KR 930024919 A KR930024919 A KR 930024919A KR 0130740 B1 KR0130740 B1 KR 0130740B1
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노부유끼 요시오까
야이찌로 와따가베
준지 미야자끼
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기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
하또리 하지메
아르바크 세미마쿠(成膜) 가부시끼가이샤
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Abstract

위상 시프트 마스크(200)의 제2광투과부(4)는 180°만큼 투과된 노광의 위상을 전환시켜 5~40%의 투광량을 가지고 있는 몰리브덴 실리사이드 산화질화물 또는 몰리브덴 실리사이드 산화물, 크롬의 산화질화물, 산화크롬, 또는 크롬의 산화질화탄화막으로 형성된다.
제2광투광부(4)의 제조방법에 있어서, 몰리브덴 실리사이드 산화질화막 또는 몰리브덴 실리사이드 산화막, 크롬윌 산화질화막, 산화크롬막, 또는 산화질화탄화막은 스퍼터링법에 의해 형성된다.
따라서, 종래의 스퍼터링 장치로, 제2의 광투과부를 형성할 수 있고, 또한 한번만 상기 위상 시프터부의 에칭 처리를 하면 되며, 상기 제조공정에서의 결함 및 에러가 발생할 확률을 줄일 수 있다.

Description

위상 시프트 마스크와 그 제조방법 및 위상 시프트 마스크를 사용한 노광법
제1도는 본 발명에 의한 제1실시예에 있어서 위상 시프트 마스크의 단면도.
제2A도는 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크의 단면도.
제2B도는 마스크상의 노광광의 전계를 표시하는 개략도.
제3도 내지 제6도는 본 발명에 의한 제1실시예에 있어서의 위상 시프트 마스크의 제조방법의 제1~4공정을 나타낸 단면도.
제7도는 DC 마그네트론 스퍼터링(DC magnetron sputtering) 장치의 구성을 나타내는 개략도.
제8도는 krF 레이저를 사용할 때 n값, k값 및 막두께의 관계를 나타내는 도면.
제9도는 i-선을 사용할 때 n값, k값 및 막두께의 관계를 나타내는 도면.
제10도는 g-선을 사용할 때 n값, k값 및 막두께의 관계를 나타내는 도면.
제11도는 제1실시예에서 위상 시프트막 형성시의 혼합가스의 유량비를 케이스마다 나타내는 도면.
제12도 내지 제15도는 본 발명에 의한 제2실시예에 있어서 위상 시프트 마스크의 제조방법의 제1~4공정을 나타내는 단면도.
제16도는 I-선을 사용할 때 n값, k값 및 막두께의 관계를 나타내는 도면.
제17도는 g-선을 사용할 때 n값, k값 및 막두께의 관계를 나타내는 도면.
제18도는 제2실시예에서 위상 시프터막 형성시의 혼합가스의 유량비를 케이스마다 플로팅 제1도면.
제19도는 제2실시예에서 위상 시프터막 형성시의 혼합가스의 유량비를 케이스마다 플로팅 제2도면.
제20도는 제2실시예에서 위상 시프터막 형성시의 혼합가스의 유량비를 케이스마다 플로팅 제3도면.
제21도 내지 제25도는 본 발명에 의한 제3실시예에서 위상 시프트 마스크의 제조방법의 제1~5공정을 나타내는 단면도.
제26도는 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크의 결함 수정방법을 나타내는 단면도.
제27도는 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크를 사용한 노출방법의 상태를 나타내는 개략도.
제28도는 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크를 사용하는 노출방법에서 촛점 오프셋과 콘택트 구멍 크기간의 관계를 나타내는 도면.
제29도는 종래 기술에서 포토 마스크를 사용하는 노출방법에 있어서 촛점 오프셋과 콘택트 구멍 크기간의 관계를 나타내는 도면.
제30도는 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광방법의 초점 깊이와 간섭과, 종래 기술에서 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광 방법의 초점 깊이와 간섭간의 관계를 비교하여 나타내는 그래프.
제31A도는 종래 기술의 포토 마스크(photomask)의 단면도.
제31B도는 마스크상의 노광광의 전계를 나타내는 개략도.
제31C도는 웨이퍼상의 광 강도를 나타내는 개략도.
제32A도는 종래 기술의 위상 시프트 마스크의 단면도.
제32B도는 마스크상의 노광광의 전계를 나타내는 개략도.
제32C도는 웨이퍼상의 광강도를 나타내는 개략도.
제33A도는 종래 기술의 위상 시프트 마스크의 단면도.
제33B도는 마스크상의 노광광의 전계를 나타내는 개략도.
제33C도는 웨이퍼상의 광강도를 나타내는 개략도.
제34도는 노광광의 투과율과 레지스트막의 두께간의 관계를 나타내는 도면.
제35도 내지 제39도는 종래 기술의 위상 시프트 마스크의 제조방법의 제1~제5공정을 나타내는 단면도.
제40도는 종래 기술의 위상 시프트 마스크의 문제점을 나타내는 단면도.
제41도는 종래 기술의 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광방법의 문제점을 나타내는 도면.
본 발명은 일반적으로 위상 시프트 마스크에 관한 것으로, 특히 광강도를 감쇠시키는 감쇠형의 위상 시프트 마스크의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 위상 시프트 마스크를 사용한 노광방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 직접회로의 고집적화 및 미세화가 현저히 발전해 왔으며, 이에 따라 반도체 기판(이하, 단지 웨이퍼라 한다)상에 형성되는 회로패턴의 미세화도 급격히 발전해 왔다.
특히, 포토리소그래피(photolithography) 기술은 패턴형성에 있어서의 기본기술로써 잘 알려져 있다.
다양한 개발 및 개량이 이루어졌지만, 패턴의 미세화는 여전히 발전하고 있으며, 패턴 해상도를 향상시키려는 요구도 증가하고 있다.
일반적으로, 축소 노광방법을 사용한 포토리소그래피 기술에 있어서의 해상 한계 R(nm)는
R=K1·λ/(NA) … (1)
로 표시된다.
여기에서 λ는 사용되는 광의 파장(nm), NA는 렌즈의 개구수, K1는 레지스트 프로세스에 의존하는 정수이다.
상기 식에서 알 수 있는 바와 같이, 해상한계를 향상하기 위해서, K1와 λ는 더 작아져야 하고, NA는 더 커져야 한다.
즉, 레지스트 프로세스에 의존하는 정수를 작게 하면서, 파장을 줄이고 NA를 증가시켜야 한다.
그러나, 광원이나 렌즈의 개량은 기술적으로 어렵다.
또한, 파장을 줄이고 NA를 증가시킴으로써 광의 촛점심도 δ(δ=K2·λ/(NA)2)가 작아져서, 오히려 해상도의 저하를 초래하게 된다.
제31A, 31B, 31C도를 참조하여, 종래의 포토마스크를 사용했을 때의 마스크 단면, 마스크상의 노광광의 전계 및 웨이퍼상의 광강도에 대해서 설명한다.
우선, 제31A도를 참조하여 마스크의 단면구조에 대하여 설명하겠다.
글라스 기판(1)상에는, 크롬 등으로 된 금속 마스크 패턴(2)이 형성되어 있다.
제31B도를 참조하면, 전계는 마스크 패턴을 따라 생성된다.
그러나, 제31C도를 참조하면, 마스크를 통과하는 광빔은 광의 회절현상 및 간섭효과에 의해 광빔의 겹치는 부분에서 서로 강하게 된다.
이 결과, 웨이퍼상의 광강도의 차가 더욱 작아지게 되고, 해상도는 저하한다.
이를 해결하기 위해서, 예를 들면, 일본국 특개소 57-62052호 공보 및 58-173744호 공보에 위상 시프트 마스크에 의한 위상 시프트 노광법이 제안되고 있다.
제32A, 32B, 32C도를 참조하여, 일본국 특개소 58-173744호 공보에 개시된 위상 시프트 마스크에 의한 위상 시프트 노광법에 대해서 기술한다.
제32A도는 위상 시프트 마스크의 단면을 나타내고 있다.
제32B도는 마스크상의 전계를 나타내고 있다.
제32C도는 웨이퍼상의 광강도를 나타내고 있다.
우선, 제32A도를 참조하면, 실리콘 산화막과 같은 투명 절연막으로 된 위상 시프트(6b)가 글라스 기판(1)상에 형성된 크롬 마스크 패턴(2)의 모든 다른 개구부에 설치되어 위상 시프트 마스크를 형성한다.
제32B도를 참조하면, 위상 시프트 마스크의 위상 시프터(6b)를 통과한 광빔의 전계는 180°로 반전한다.
따라서, 개구부(6a)와 위상 시프터(6b)를 통해 전송된 광빔은 광의 간섭효과에 의해 광의 겹쳐진 부분에서 서로 상쇄된다.
그 결과 제32C도에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼상의 광강도의 차는 해상도를 향상시키기에 충분하다.
상기 언급된 위상 시프트 마스크가 선과 공간과 같은 주기적인 패턴에 대해서는 대단히 효과적일지라도, 패턴이 복잡한 경우에는 위상 시프터의 배치 등이 극히 곤란하게 되기 때문에 임의의 패턴에는 설정할 수 없다.
상기 문제점을 해결하기 위한 위상 시프트 마스크로서, 예를 들면, JJPP Series 5 Proc. of 1991 Intern. Microprocess Conferenct pp.3-9 및 일본국 특개평 4-136854호 공보에 감쇠형의 위상 시프트 마스크가 개시되어 있다.
이하, 일본국 특개평 4-136854호 공보에 개시된 감쇠형의 위상 시프트 마스크에 대해서 설명한다.
제33A도는 감쇠형의 위상 시프트 마스크의 단면도이다.
제33B도는 마스크상의 전개를 나타낸다.
제33C도는 웨이퍼상의 광강도를 나타낸다.
제33A도를 참조하면, 위상 시프트 마스크(100)의 구조는 노광광이 투과하는 석영기판(1)과, 이 석영기판(1)의 주 표면상에 형성되어 상기 주표면을 노출하는 제1광투과부(10)와, 투과되는 노광광의 위상을 제1광투과부(10)을 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하는 제2광투과부(20)과를 포함하는 소정의 노광패턴을 가지는 위상 시프트 패턴(30)을 구비하고 있다.
제2광투과부(20)는 노광광에 대하여 5-40%의 투과율을 갖는 크롬층(2)과, 그를 통해 투과된 노광광의 위상을 투과부(10)를 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하는 시프터층(3)을 포함하는 2층 구조로 되어 있다.
상기 구조를 가지는 위상 시프트 마스크(100)을 통과하는 노광광의 마스크상의 전계는 제33B도에 나타낸 바와 같다.
웨이퍼상의 광강도에 의해, 그의 위상은 제33C도에 나타내는 바와 같이 노광패턴의 에지에서 반전된다.
따라서, 노광패턴의 에지에서의 광강도는 도면에 나타낸 바와 같이 반드시 0이 되고, 노광패턴의 광투과부(10)와 위상 시프터부(20)의 전계의 차는 높은 해상도를 얻기에 충분하다.
상기 방법에서 노광광에 대한 제2광투과부(20)의 투과율을 5-40%로 한 것은, 리소그래피에서 적정한 노광량으로 하기 위해서, 제30도에 나타내는 바와 같이, 투과율에 의해 레지스트막의 현상시의 막두께를 조정하기 위해서이다.
다음, 위상 시프트 마스크(100)의 제조방법에 대해서 설명한다.
제35도~제39도는 제33도에 나타내는 위상 시프트 마스크(100)의 단면에 따른 제조공정을 나타내는 단면도이다.
제35도를 참조하면, 노광광에 대한 투과율이 5-40%이고, 두께가 50-200Å 정도인 크롬막(2)이 글라스 기판(1)상에 형성된다.
이어서, 이 크롬막(2)상에, 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하는 소정의 두께를 갖는 SiO2막(3)이 형성된다.
전자빔용 레지스트막(5)이 SiO2막(3)상에 형성된다.
제36도를 참조하면, 전자빔용 레지스트막(5)의 소정 부분은 전자빔으로 노광하여 현상함으로써, 소망하는 패턴을 갖는 레지스트막(5)을 형성한다.
제37도를 참조하면, 레지스트막(5)를 마스크로 하여, CHF3계의 가스를 사용하여 SiO2막을 에칭한다.
제38도를 참조하면, 레지스트막(5) 및 SiO2막(5)을 마스크로 하여, 웨트 에칭에 의해 크롬막(2)을 에칭한다.
제39도를 참조하면, 레지스트막(5)를 제거하여, 위상 시프트 마스크(100)를 완성한다.
그러나, 상기 종래의 기술에 있어서는, 제2광투과부(20)의 구성은, 투과율을 제어하는 크롬막(2)과 위상차를 제어하는 SiO2막(3)을 구비하는 2층 구조로 되어 있다.
따라서, 이러한 구조에서는 크롬막과 SiO2막을 형성하기 위한 장치 및 공정이 각각 필요하게 된다.
또한, 크롬막과 SiO2막은 각각 다른 에칭제를 사용하여 에칭을 하여야 하므로, 프로세스가 복잡하고, 따라서 패턴 치수에 있어서의 결함이나 가공 오차가 발생할 확률이 높다.
제40도를 참조하면, 나머지 결함(혹 결함)(50)이나, 핀홀(백 결함)(51)이 위상 시프트 마스크 패턴에서 발생했을 경우, 결함을 수정하기 위해, 크롬막과 SiO2막에 각각 적용 가능한 수정방법이 필요하게 된다.
따라서, 종래의 수정방법을 사용할 수 없다.
제41도를 참조하면, 상기에서 언급된 위상 시프트 마스크(100)을 사용하는 노광 방법에 의하면, 위상 시프트 마스크(100)의 제2광투과부(20)의 막두께는 대략 3050Å~4200Å이며, 비교적 크다.
따라서 도면에서 도시된 바와 같이, 위상 시프트 마스크(100)의 제2광투과부(20)을 통해서 투과한다 할지라도 노광 광원으로부터 출력 노광광의 경사 노광광이 그의 위상을 180°로 확실하게 변환시키지 않는다.
본 발명의 하나의 목적은 위상 시프트 마스크의 제조공정을 단순화하여, 고품질의 위상 시프트 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 단순화된 프로세스를 갖는 위상 시프트 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광 방법을 제공하는 것이며, 이는 반도체 장치의 제조 공정에서 노광실패를 방지하여 품질을 개선할 수 있다.
본 발명의 하나의 국면에 있어서, 위상 시프트 마스크는 노광광이 투과하는 기판과, 상기 기판의 주표면상에 형성된 위상 시프트 패턴을 구비한다.
상기 위상 시프트 패턴은 노출된 기판을 가지는 제1광투과부와, 투과하는 노광광의 위상이 상기 제1광투과부를 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5-40%인 제2광투과부를 구비한다.
더욱 바람직하게는 상기 제2광투과부는 금속 산화물 및 금속 산화 질화물, 금속 실리사이드 산화물 및 금속 실리사이드 산화 질화물로 된 군에서 선택되는 1종류의 재료로 구성되어 있다.
더욱 바람직하게는 상기 제2광투과부는 크롬 산화물, 크롬 산화질화물, 크롬 산화 질화 탄화물, 몰리브덴 실리사이드 산화물 및 몰리브덴 실리사이드화 질화물로 된 군에서 선택되는 1종류의 재료로 구성되어 있다.
또한 더욱 바람직하게는 상기 제2광투과부의 투과율은 상기 제2의 광투과부에 포함된 질소 또는 산소에 의해 제어되고, 위상차는 막두께에 의해 제어된다.
본 발명에 의한, 위상 시프트 마스크의 제조방법은 이하의 공정을 포함하고 있다.
노광광이 투과하는 기판상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고 5-4-%의 투과율을 갖는 소정 두께의 위상 시프터막이 스퍼터링법을 사용하여 형성된다.
위상 시프터막에, 소정 패턴을 갖는 레지스트막이 형성된다.
레지스트막을 마스크로 하여, 드라이 에칭법에 의해, 상기 위상 시프터막을 에칭하여, 상기 기판이 노출된 제1광투과부와 상기 위상 시프터막으로 된 제2광투과부가 형성된다.
바람직하게는, 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정이 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기 중에서, 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여 몰리브덴 실리사이드 산화물 막이 형성되는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는 상기 혼합가스의 각 성분이 차지는 체적백분율이 아르곤가스가 65-92%의 범위이며, 나머지가 산소가스이다.
더욱 바람직하게는, 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정은 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여 아르곤가스, 산소가스 및 질소가스의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물 막이 형성되는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율이 아르곤가스 65-79%의 산소가스가 8-24%, 질소가스가 3-20%이다.
더욱 바람직하게는 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정이 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화물 막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 비는 아르곤가스가 36-97%이며, 나머지가 산소가스이다.
더욱 바람직하게는 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정이 크롬 타켓을 사용하여 아르곤, 산소 및 질소의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 질화물 막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤가스가 48-90%, 산소가 1-29%, 질소가 6-15%이다.
더욱 바람직하게는 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정이 크롬 타켓을 사용하여 아르곤과 일산화질소와의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화물 막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤가스가 82-87%이며, 나머지가 일산화 질소이다.
더욱 바람직하게는, 상기 위상 시프터를 형성하는 공정이 크롬 타켓을 사용하여 아르곤, 산소 및 메탄의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화 탄화물 막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤가스가 78-88%, 산소가 2-13%, 메탄이 8-10%이다.
더욱 바람직하게는 상기 위상 시프트 마스크를 형성하는 공정이 대전 방지막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 대전 방지막을 형성하는 공정이 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성하는 공정과의 사이에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 대전 방지막을 형성하는 공정이 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성하는 공정과의 사이에 스퍼터링법에 의해 크롬막을 형성하는 공정을 포함하고 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 위상 시프터막의 에칭을 행하는 공정은 불화탄소와 산소와의 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭법으로 행하는 것이다.
더욱 바람직하게는, 상기 위상 시프터막의 에칭을 행하는 공정이 염화 메틸렌과 산소와의 혼합가스, 염소와 산소와의 혼합가스 및 염소가스로 된 군에서 선택되는 1종류의 가스를 사용하여 드라이 에칭법으로 행한다.
더욱 바람직하게는, 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정이 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법에 있어서, 제2광투과부는 단일 재료막만으로 구성되어 있다.
위상 시프터의 제조공정에 있어서는, 노광광이 투과하는 기판상에, 스퍼터링법을 사용하여 소정의 단일 재료막을 형성하고, 그 후 소정의 에칭을 행하여, 제2광투과부를 형성한다.
이에 의해, 종래의 스퍼터링 장치를 사용하여 위상 시프트부를 형성하는 것이 가능하며, 또한 단일 에칭제를 사용하여 위상 시프트부를 에칭하는 것이 가능하게 된다.
그 결과, 제조공정에 있어서, 위상 시프터막의 형성공정 및 위상 시프터막의 에칭공정이 각 1회로 해결되고, 결함이 발생하는 확률 및 패턴치수의 가공오차가 발생할 확률이 저하될 수 있으며, 고품의 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.
또한, 결함부분의 수정도, 제2광투과부가 단일재료의 막으로 형성되기 때문에, 종래의 방법을 사용하여 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 의한 시프트 마스크를 사용하는 노광법은 이하의 공정을 포함한다.
우선, 레지스트막을 패턴형성층상에 도포한다.
이어서, 노출된 기판을 가지는 노광광이 투과하는 기판상에 형성된 제1광투과부와, 제1광투과부를 투과하는 노광광의 위상에 대해 투과된 노광광의 위상을 180°로 변환하는 단일 재료의 제2광투과부를 가지는 위상 시프트 패턴을 가지며, 5-40%의 투과율을 가지는 위상 시프트 마스크를 사용하여 레지스트막을 노광한다.
그 결과, 약 1500Å~2000Å의 두께를 가지는 제2얇은 투과부를 형성할 수 있으며, 경사 노광광의 위상을 180°로 변환할 수 있다.
따라서, 노광광의 위상은 위상 시프트 마스크의 제2광투과부를 투과한 후에 일치되고, 노광실패의 발생을 방지하는 것을 가능하게 한다.
그 결과, 반도체 장치의 제조공정에 있어서의 효율은 향상될 수 있다.
본 발명의 상기 목적, 특징, 국면 및 이점들은 첨부된 도면과 관련하는 본 발명의 이하의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이하, 본 발명에 의한 제1실시예를 설명한다.
우선, 제1도를 참조하여 이 실시예에 있어서 위상 시프트 마스크의 구조에 대해서 설명한다.
위상 시프트 마스크(200)는 노광광을 투과하는 석영기판(1)과, 석영기판(1)의 주표면상에 형성된 위상 시프트 패턴(30)을 구비하고 있다.
위상 시프트 마스크(30)는 상기 석영기판(1)이 노출된 제1광투과부(10)와, 투과하는 노광광의 위상이 상기 제1광투과부(10)을 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환되고, 투과율이 5-40%인 단일의 재료로 된 제2광투과부(4)로 구성되어 있다.
제2A, 2B, 2C도를 참조하여, 상기 구조로 된 위상 시프트 마스크(200)를 통과하는 노광광의 전계 및 웨이퍼상의 광강도에 대해서 설명한다.
제2A도는 상술한 위상 시프트 마스크(200)의 단면도이다.
제2B도를 참조하면, 마스크상의 전계는 노광패턴의 에지에서 반전하므로, 노광패턴의 에지부에서의 전계는 반드시 0이 된다.
따라서, 제2C에 나타낸 바와 같이, 노광패턴의 광 투과부(10)와 위상 시프트부(4)의 웨이퍼상에서의 전장의 차가 충분하게 되어 높은 해상도를 얻는 것이 가능하다.
제2광투과부(4)의 투과율을 5-40%로 한 것은 현상 후에 레지스트막의 두께를 조정하고, 리소그래피에서 적정한 노광량으로 하기 위해서이다.
위상 시프터막으로써 몰리브덴 실리사이드 산화막 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화막을 사용하여, 제2실시예의 위상 시프트 마스크(200)의 제조방법을 설명한다.
제3도 내지 제6도는 제1도에 나타낸 위상 시프트 마스크(200)의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
제3도를 참조하면, 석영기판(1)상에 시퍼터일법을 사용하여 몰리브덴 실리사이드 산화막 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화막으로 된 위상 시프터막(4)을 형성한다.
그 후, 위상 시프터막(4)의 투과율을 안정시키기 위해, 클린 오븐등을 사용하여 200℃ 이상의 가열처리를 행한다.
그 결과, 종래 위상 시프터막의 성막(成膜)인 레지스터 도표 프로세스 등의 가열처리(약 180℃)에 의해 투과율의 변동(0.5-1.0%)을 방지할 수 있다.
다음, 위상 시프트막(4) 위에 약 5000Å의 두께를 가지는 전자빔용 레지스트막(5)(일본 제온 제EP810S(등록상표))을 형성한다.
몰리브덴 실리사이드 산화막 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화막은 도전성을 갖고 있지 않기 때문에, 전자빔 조사시의 충전을 방지하기 위해서, 대전방지막(6)(소화 전공제 에스페서 100(등록상표)) 등을 약 100Å정도 형성한다.
제4도를 참조하면, 전자빔용 레지스트막(5)은 전자빔으로 조사되고, 그 후, 대전방지막(6)을 물로 세척한다.
그 후, 레지스트막(5)를 현상하여, 소정의 레지스트 패턴을 갖는 레지스트막(5)을 형성한다.
제5도를 참조하면, 레지스트막(5)을 마스크로 하여, 위상 시프터막(4)을 에칭한다.
이 때, 평행 평판형의 RF이온 에칭장치를 사용하여, 각각 전극기판 간의 길이를 60mm, 작동압력을 0.3Torr, 반응가스 CF4와 O2의 유량비를 95sccm 및 5sccm으로 하여, 약 11분 동안 에칭을 행한다.
제 6도를 참조하면, 레지스트막(5)를 제거한다.
이러한 공정을 통하여, 본 발명에 의한 위상 시프트 마스크를 완성한다.
상술한 스퍼터링법을 사용한 위상 시프터막의 형성에 대하여 이하에 설명한다.
위상 시프터막에 요구되는 조건으로서는, 우선 노광광에 대한 투과율이 5-40%의 범위 내이고, 노광광의 위상을 180°로 변환시키는 것이 요구된다.
따라서, 이들 조건을 만족시키는 막으로서, 본 실시예에 있어서는, 몰리브덴 실리사이드 산화물로 된 막을 사용하였다.
제7도를 참조하여, 상기 막을 형성하기 위한 스퍼터링 장치에 대해서 설명한다.
제7도는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치(500)의 구성을 나타내는 개략도이다.
DC 마그네트론 스퍼터링 장치(500)는 진공용기(506) 내부의 타켓(507)과 마그네트(508)로 된 마그네트론 캐소드(509)를 갖춘 진공용기(506)를 구비한다.
또 타켓(507)에, 소정의 거리를 두고 대향하여 애노드(510)가 배치되고, 이 애노드(510)의 타켓(507)의 대향면상에, 예를 들면 2.3mm 두께 및 127mm 평방의 석영기판(1)이 배치되어 있다.
배기관(512) 및 가스 도입관(513)이 진공용기(506)의 소정의 위치에 설치되어 있다.
막의 형성시에 있어서는, 타켓으로써 몰리브덴 실리사이드를 사용하고, 석영기판(1)의 온도는 도시하지 않은 히터 및 온도 제어장치에 의해 60℃-150℃로 유지되고 있다.
이와 같은 상태에서 가스 도입관(513)으로부터, 스퍼터가스로서 아르곤과 반응가스로서의 산소 및 질소의 혼합가스를 소정의 비율로 도입하고, 진공관(506) 내의 압력을 소정의 값으로 유지하고, 양전극간에 직류전압을 인가한다.
이러한 실시예에서는, 몰리브덴 실리사이드 산화물 및 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물로 된 위상 시프터막이 다양한 조건으로 형성되었다.
표 1은 혼합가스의 유량비를 다양하게 설정했을 경우, 각 케이스에서의 진공용기(506) 내의 압력, 퇴적속도 및 막의 재료를 표시한다.
케이스 M-1~M-7, M-14 및 M-15는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물의 위상 시프터막이며, 케이스 M-8~M-13, M-16 및 M-17은 몰리브덴 실리사이드 산화물의 위상 시프터막이다.
표 2-4는 노광광으로써 KrF레이저(λ=248nm), i선(λ=365nm) 및 g선(λ=436nm)을 사용하는 경우, 각 케이스마다의 투과율, 광학정수(n-i·k)의 n값과 k값 및 노광광의 위상을 180°로 변환시키기 위한 막두께ds를 표시하는 그래프이다.
표 2-4에서, 막두께 ds를 구하는 식은 다음과 같다.
ds=λ/2(n-1) … (2)
상기 식에서 λ는 노광광의 파장이며, n은 광학정수의 값이다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
[표 4]
제8도 내지 제10도는 표 2 내지 표 4에 표시된 데이터를 각각 나타낸 것이며, 가로축에 광학정수의 n값, 좌 세로축에 광학정수 k값, 우 세로축에 막두께 ds가 표시되어 있다.
투과율 T도 제8도 내지 제10도에 표시되어 있다.
제8도를 참조하면, KrF레이저의 노광광의 경우, 위상 시프터막으로 요구되는 5-40%의 범위 내의 투과율 T가 M-1, M-8, M-10~M-13 및 M-17로 됨을 알 수 있다.
제9도를 참조하면, 노광광이 i선인 경우, 위상 시프트 마스크로서 요구되는 5-40%의 범위 내의 투과율 T는 M-1~M-3, M-8 및 M-11~M-17에서 얻어질 수 있다.
제10도를 참조하면, 노광광이 g선인 경우, 위상 시프터막으로 요구되는 5-40%의 범위 내의 투과율 T는 M-1~M-3, M-7 및 M-11~M-17에서 얻어짐을 알 수 있다.
결론적으로, M-1~M-3, M-7, M-8 및 M-11~M-17에서 형성되는 막들은 위상 시프터막으로써 사용될 수 있다.
제11도는 가스 유량비의 관계에 근거해서 상기 경우를 표시하는 그래프이다.
제11도에 표시된 그래프에서 케이스 M-1~M-17에서 아르곤, 산소 및 질소의 각 비율이 나타난다.
이 그래프에서, 각 케이스의 혼합가스의 포인트를 플로팅(plotting)한 것이며, 여기에 삼각형의 밑변은 아르곤의 유량비(%)를 나타내며, 삼각형의 좌측사변은 산소의 유량비(%)를 나타내고, 삼각형의 우측사변은 질소의 유량비(%)를 나타낸다.
제8도 내지 제10도에 나타낸 상기 결과에서, 위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 막의 경우는 ○표, 위상 시프터막으로 사용할 수 없는 것은 ×표로 나타내었다.
제11도의 그래프에서 알 수 있는 바와 같이, 위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적백분율은, 몰리브덴 실리사이드 산화물의 막인 경우에 아르곤이 76-92%이며, 산소는 18-24%이다.
위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적백분율은 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물 막인 경우, 아르곤이 65-79%, 산소가 8-24%, 질소가 3-20%임을 알 수 있다.
산소의 상한은 35%이며, 이는 산소가 차지하는 비율을 50% 이상으로 하면 스퍼터링 장치의 전극상의 산화물이 퇴적하여, 스퍼터링을 알 수 없게 되기 때문이다.
그것은 장치의 제약에 의해서 규정된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 시프트 마스크에 있어서, 제2광투과부는 4-50%의 광투과율을 갖는 몰리브덴 실리사이드 산화물 막 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물 막만으로 구성되어 있다.
그 제조공정에 있어서는 몰리브덴 실리사이드 산화물이나 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물을 스퍼터링법을 사용하여 소정의 막두께로 형성하고, 그 후 소정의 에칭을 행함으로써 제 2 광투과부를 형성하고 있다.
그 결과 종래의 스퍼터일 장치를 사용하여 위상 시프터막을 형성할 수 있고, 또 에칭공정도 1회가 되므로, 패턴치수의 결함 및 오차가 발생할 확률이 저하는 것이 가능하게 된다.
이하에서 제 3 실시예에 의한 위상 시프트 마스크(200)의 제조방법을 설명할 것이며, 제 3 실시예에서는 위상 시프터막으로써 크롬 산화막, 크롬 산화질화막 및 크롬 산화 질화 탄화막을 사용한다.
제12도 내지 제15도는 제1도에 도시된 위상 시프트 마스크(200)의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
제12도를 참조하면, 석영기판(1) 위에 스퍼터링법을 사용하여, 크롬 산화막, 크롬 산화 질화막 또는 크롬 산화 질화 탄화물로 된 위상 시프터막(4)을 형성한다.
위상 시프터막(4)의 투과율을 안정시키기 위해서, 클린오븐 등을 사용하여 약 200℃ 이상의 열처리를 행한다.
이것에 의해 위상 시프터막 형성 후의 레지스트 도포 프로세스에 있어서 종래의 가열처리(약 180℃)에 의한 투과율의 변동(0.5-1.0%)을 방지할 수 있다.
다음에 위상 시프터(4)에 약 5000Å의 막두께를 가지는 레지스트막(5)를 형성한다.
제13도를 참조하면 레지스트막(5)을 i선으로 조사하고 현상함으로써 소정의 레지스트 패턴을 형성한다.
제14도를 참조하면 레지스트막(5)를 마스크로 하여, 위상 시프터막(4)을 에칭한다.
이 때 평행 평판형의 RF이온 에칭장치를 사용하고, 여기에서 각각 전극기판의 거리를 100nm, 작동압력을 0.3Torr, 반응가스 CH2Cl2와 O2의 유량비를 25sccm 및 75sccm으로 하는 조건하에서 약 4분동안 에칭을 행한다.
따라서 본 발명에 따른 위상 시프트 마스크를 완성한다.
다음 상술한 스퍼터링법을 사용한 위상 시프트 마스크의 형성에 대해서 상세하게 한다.
위상 시프터막에 요구되는 조건으로서는, 우선 노광광에 대한 투과율이 5-40%의 범위 내이고, 노광광의 위상을 180℃로 변환시키는 것이 요구된다.
그러므로 이들의 조건을 충족시키는 막으로써, 본 실시예에 있어서는 크롬 산화물, 크롬 산화 질화물 또는 크롬 산화 질화 탄화물로 된 막을 사용한다.
상기 위상 시프터막을 형성하는 스퍼터일 장치의 구조에 대해서는, 제7도에 나타낸 스퍼터링 장치와 동일하기 때문에, 그의 설명은 생략한다.
본 실시예에 있어서는 크롬 산화막, 크롬 산화 질화물 막 및 크롬 산화 질화 탄화물 막으로 된 위상 시프트 마스크가 여러가지 케이스로 형성되었다.
표 5에는 혼합가스의 유량비를 다양하게 설정했을 경우의 각 케이스에 있어서 진공관(506) 내의 압력, 퇴적속도 및 막재료가 표시되어 있다.
크롬 산화물의 위상 시프터막은 케이스 C-1~C-13으로 형성될 수 있고, 크롬 질소산화물의 위상 시프터막을 케이스 C-14~C-26으로 형성할 수 있으며, 크롬 산화 질화 탄화물의 위상 시프터막은 케이스 C-27~C-30으로 형성할 수 있다.
표 6~8은 각각, KrF레이저(λ=248nm), i선(λ=365nm) 및 g선(λ=436nm)을 사용하는 경우, 각 케이스에서의 투과율, 광학정수(n-i·k)의 n값과 k값 및 노광광의 위상을 180°로 변환시키기 위한 막두께를 표시한 그래프이다.
표 6~8에 있어서, 막두께 ds를 구하는 식을 다음과 같이 표시될 수 있다.
ds=λ/2(n-1) … (2)
상기 식에서 λ는 노광광의 파장이며, n은 광학정수의 값이다.
[표 5]
[표 6]
[표 7]
[표 8]
제16도 및 제17도는 표 7과 8에 표시된 데이터의 그래프이다.
가로축에는 광학정수의 n값이 표시되고, 좌 세로축에는 광학정수의 k값이 표시되며, 우 세로축에는 막두께 ds가 표시된다.
제16도와 17도에는 투과율 T도 표시되어 있다.
제16도를 참조하면, 노광광이 i선인 경우, 위상 시프트 마스크로서 요구되는 5-40% 범위 내의 투과율 T는 C-1~C-16, C-18, C-25, C-27, C-28 및 C-30에서 얻어지는 것을 알 수 있다.
제17도를 참조하면, 노광광이 g선인 경우, 위상 시프트 마스크로서 요구되는 5-40% 범위 내의 투과율 T는 C-2~C-13, C-16~C-18, C-22, C-24 및 C-2~C-30에서 얻어지는 것을 알 수 있다.
결과적으로 위상 시프터막으로써, 케이스 C-1~C-18, C-22, C-24, C-25 및 C-27~C-30에서 형성되는 막들을 사용할 수 있다.
제18도 내지 제20도는 각각 혼합가스 Ar+O2, Ar+O2+N2, Ar+NO 및 Ar+O2+CH4에서의 가스 유량비의 관계에 근거해서 상기 케이스를 표시한 그래프이다.
제18도의 그래프는 케이스 C-1~C-18에서 아르곤, 산소 및 질소의 비율을 표시한다.
이 그래프에서 각 케이스의 혼합가스의 포인트를 플로팅하며, 여기에서 삼각형의 밑변은 아르곤의 유량비(%)를 나타내고, 삼각형의 좌측 사변은 산소의 유량비(%)를 나타내며, 삼각형의 우측 사변은 질소의 유량비(%)를 나타낸다.
제16도 및 제17도의 결과로부터 위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 막의 경우에는 ○표, 한편 위상 시프터막으로써 사용할 수 없는 막의 경우에는 ×표로 표시하였다.
제18도의 그래프에서 알 수 있는 바와 같이 위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율은, 크롬 산화물막의 경우는 아르곤이 36-97%이고, 산소가 3-64%이다.
위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율은 크롬 산화 질화물막일 경우 아르곤이 48-90%, 산소가 1-39%, 질소가 6-14%이다.
산소의 상한을 39%로 한 것은 산소가 차지하는 비율을 50% 이상으로 하면 스퍼터링 장치의 전극상에 산화물이 퇴적하여, 스퍼터링을 할 수 없기 때문이다.
따라서 그것은 장치의 제약에 의해 규정된다.
제19도는 케이스 C-19~C-26에서의 아르곤 및 NO의 비율을 표시하는 그래프이다.
제16도 및 제17도의 결과로부터 위상 시프트 마스크로써 사용할 수 있는 막의 경우는 ○표, 한편 위상 시프트 마스크로써 사용할 수 없는 막의 경우는 ×표로 표시한다.
제20도는 케이스 C-27~C-30에 있어서 아르곤, 산소 및 메탄의 비율을 표시하는 그래프이다.
상기 그래프에 있어서 각 케이스의 혼합가스를 플로팅하며, 여기에서 삼각형의 밑변은 아르곤의 유량비(%)를 나타내고, 삼각형의 좌측사변은 산소의 유량비(%)를 나타내며, 삼각형의 우측사변은 메탄의 유량비(%)를 나타낸다.
제16도 및 제17도의 결과로부터 위상 시프터막으로서 사용할 수 있는 막의 경우는 ○로서 표시하고, 한편 위상 시프터막으로서 사용할 수 없는 막의 경우는 ×로서 표시한다.
제19도 및 제20도의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이 위상 시프터막으로서 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율은, 크롬 산화 질화물막의 경우는 아르곤이 82-87%이고, 일산화 질소가 13-18%이다.
위상 시프터막으로써 사용할 수 있는 경우의 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율은 크롬 산화 질화 탄소물막인 경우는 아르곤이 78-88%, 산소가 2-13%, 메탄이 8-10%이다.
상술한 바와 같이 본 실시예에 따른 위상 시프트 마스크에 있어서, 제2광투과부는 4-50%의 광투과율을 가지는 크롬 산화물, 크롬 산화 질화물 또는 크롬 질화 탄화물로 된 막만으로 구성되어 있다.
또 그 제조공정에 있어서 크롬 산화물, 크롬 산화 질화물 또는 크롬 산화질화 탄화물로 된 막은 스프터링법을 사용하여 소정의 막두께로 형성되고, 그 후 에칭하여 제2광투과부를 형성한다.
따라서 종래의 스퍼터링 장치를 사용하여 위상 시프터막을 형성할 수 있으며, 에칭공정이 1회로 되기 때문에 패턴치수의 결함 및 오차의 발생 확률이 감소될 수 있다.
상기 제2 및 제3의 각 실시예에 있어서, 제2광투과부로써 몰리브덴 실리사이드의 산화물과 산화 질화물, 크롬 산화물, 크롬 산화 질화물, 크롬 산화 질화 탄화물을 사용할 수 있으며, 이것에 한하지 않고 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 실리사이드 산화물 및 금속 실리사이드 산화 질화물 등을 사용할 수 있다.
이하 본 발명에 의한 제4실시예에 대하여 설명한다.
본 실시예에 있어서 위상 시프트 마스크의 제조공정에 있어서, 위상 시프터막의 위에 전자빔 또는 레이저빔의 조사시의 충전방지를 위해서 대전금속막을 형성한다.
이하 제21도 내지 제25도를 참조하여 상기 위상 시프터막의 제조공정을 설명한다.
제21도 내지 제25도는 제1도에 도시된 위상 시프트 마스크의 단면구조에 대응하는 단면 구조이다.
도면을 참조하면 제2 및 제3실시예와 마찬가지로, 석영 기판상에 위상 시프터막(4)을 형성하며, 위상 시프터막은 몰리브덴 실리사이드 산화막, 몰리브덴 실리사이드 산화 질화막, 크롬 산화막, 크롬 산화 질화막 또는 크롬 산화 질화 탄화막으로 되어 있다.
그 후 위상 시프터막(4)에 약 100-500Å의 두께를 가지는 대전방지막(6)을 형성한다.
위상 시프터막의 재료가 Mo계에 속할 경우, 몰리브덴막이 대전방지막(6)으로서 형성될 수 있다.
위상 시프터의 재료가 Cr계에 속할 경우, 크롬막은 대전방지막으로서 형성될 수 있다.
이는 상술한 방법에 의해 형성되는 몰리브덴 실리사이드의 산화물, 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물, 크롬 산화물, 크롬 산화 질화물 또는 크롬 산화 질화 탄화물로 된 위상 시프터막(4)이 도전성을 갖고 있지 않기 때문이다.
제 3 실시예와 관련하여 기술된 케이스 C-1~C-3에 의해서 상기 케이스에서 형성된 크롬 산화막이 도전성을 가지기 때문에 대전방지막을 형성할 필요는 없다.
이어서 대전방지막(6) 위에, 약 5000Å의 두께를 가지는 전자빔용 레지스트막을 형성한다.
제22도를 참조하면, 전자빔에 노광하여 전자빔용 레지스트막(5)의 소정부분을 현상함으로써, 소망하는 레지스트 패턴을 갖는 레지스트막(5)을 형성한다.
제23도를 참조하면, 대전방지막(6)이 Mo계에 속할 경우 전자빔용 레지스트막(5)을 마스크로 하여, 대전방지막(6) 및 위상 시프터막(4)을 CF4+O2가스를 사용하여 연속적으로 드라이 에칭을 행한다.
제24도를 참조하면, O2플라즈마(plasma)를 사용하여 레지스트막(5)을 제거한다.
제25도를 참조하면, 에칭액(초산제 새륨 암모늄/과염소산 혼합액) 등으로 에칭하여 대전방지막(6)을 제거한다.
이것에 의해 위상 시프트 마스크가 완성된다.
다시 제23도를 참조하면, 대전방지막(6)이 Cr계에 속할 경우, 전자빔용 레지스트막(5)을 마스크로 하여, 대전방지막(6) 및 위상 시프터(4)을 CH2Cl2+O2가스, Cl2+O2가스, 또는 Cl2가스를 사용하여 연속적으로 드라이 에칭을 행한다.
제24도를 참조하면, O2플라즈마 등을 사용하여 레지스트막(5)을 제거한다.
제25도를 참조하면, 황산으로 에칭하여 대전방지막(6)을 제거한다.
이에 의해 위상 시프트 마스크가 완성된다.
위상 시프트 마스크의 에칭시, 위상 시프트 마스크가 Mo계에 속할 경우에는 몰리브덴의 대전방지막을 형성하고,위상 시프트 마스크가 Cr계에 속할 경우에는 크롬의 대전방지막을 형성하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이에 한하지 않고 Cr계에 속하는 위상 시프트 마스크에 대해 Mo의 대전방지막을 사용하거나, Mo계의 위상 시프터막에 대해 Cr계의 대전방지막을 사용함으로서, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 것과 같이, 위상 시프트 마스크의 제조공정시에 몰리브덴막을 설치함으로서, 광빔의 조사시에 대전방지의 효과를 얻을 수 있다.
또한 이는 광학형 위치 검출기의 광반사막으로서의 역할을 수행할 수 있다.
몰리브덴막 또는 크롬막이 상기 제 4 실시예에 있어서 대전방지막으로 사용되지만 W, Ta, Ti, Si, Al 등이나 그것들의 합금으로 된 막을 사용함으로서 같은 효과를 얻을 수 있다.
제26도에 나타낸 바와 같이 제 1 내지 제 3 실시예에 형성된 위상 시프트 마스크상에 잔존하는 결함(흑결함)(50)이나 핀홀 결함(백결함)(51)이 생기는 경우 결함 검사방법 및 결함 수리방법에 대해서 설명한다.
우선 광투과형 결함 검사장치(KLA사 제 239HR형)을 사용하여, 제작된 위상 시프ㅌ 마스크 내의 결함의 존재를 칩을 비교함으로서 검사한다.
이 결함 검사장치에서 수은램프를 광원으로 하는 광으로 검사를 행한다.
그 결과 에칭되어야 할 패턴상에 위상 시프트막이 남겨져야 할 곳이 제거되는 핀홀 결함을 검출한다.
다음에 이러한 결함을 수리한다.
종래의 포토마스크에서처럼 YAG 레이저를 사용한 레이저 블로우(blow) 수리장치에 의해서 나머지 결함을 수리한다.
또 다른 방법으로서는 FIB에 의한 스피터 에칭의 가스도입에 의한 어시스트 에칭에 의해서 나머지 결함을 제거할 수 있다.
종래의 포토마스크에서처럼 FIB 어시스트 침전방법에 의한 카본막(52)의 침저에 의해 핀홀 결함부분을 메꿈으로서 핀홀 결함을 수리할 수 있다.
이와 같이 하여 상기 위상 시프트 마스크를 세정했을 경우라도 카본막(52)가 벗겨지는 일 없이 양호한 위상 시프트 마스크를 얻을 수 있다.
상술한 위상 시프트 마스크를 사용한 노광법에 관하여 설명한다.
위상 시프트 마스크를 사용할 경우, 표 2~4 및 표 6~8의 막두께 치수(ds)에서 표시되는 것처럼, 위상 시프터막은 약 1500Å~2000Å의 두께로 형성된다.
위상 시프터막은 종래의 위상 시프터막 두께의 약 1/2의 두께로 형성되기 때문에 제27도에서 표시되는 바와 같이, 노광광에 포함된 사변 노광광을 180°로 변환할 수 있게 된다.
결론적으로 제28도에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 0.5㎛의 콘택트홀이 개방될 경우, 1.2㎛의 초점 허용범위가 생길 수 있다.
제29도에 도시되는 바와 같이, 종래의 포토마스크의 경우 0.4㎛의 콘택트홀이 개방되었을 경우, 0.6㎛의 초점 옵셋(focus offset)만이 가능하게 될 수 있다.
제30도에 도시하는 바와 같이 0.3~0.7, 바람직하게는 0.5~0.6의 간섭을 가지는 노광장치에서, 종래의 포토마스크의 경우와 비교할 때 초점의 깊이를 실질적으로 향상시킬 수 있게 된다.
제28도와 제29도는 감소비가 5 : 1인 감소 및 투사 노광장치를 사용하는 경우, 콘택트홀 크기와 초점허용범위 사이의 관계를 표시하고 있다.
그러나 감소비가 4 : 1이나 3 : 1인 감소 및 투사 노광장치로, 또는 감소비가 1 : 1인 투사 노광장치로도 유사한 효과를 얻을 수 있다.
투사 노광장치 뿐만 아니라 콘택트 노광장치 및 근접 노광장치로서 유사한 효과를 얻을 수 있다.
아울러 KrF 레이저(λ=248nm), i선(λ=365nm) 및 g선(λ=436nm)을 노광광으로써 사용하여도 유사한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 이 실시예의 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광장치에 의하면, 노광 실패 확률을 방지할 수 있기 때문에 반도체 장치의 제조공정에 있어서의 수율을 향상시킬 수 있다.
4M, 16M, 64M, 256M의 DRAM, SRAM, 플래쉬 메모리, ASIC(출원 사양 집적회로), 마이크로 컴퓨터 및 CaAs와 같은 반도체 장치의 제조공정에 있어서, 노광법을 효과적으로 사용할 수 있다.
더욱이 단일의 반도체 소자 및 액정표시의 제조공정에 있어서 노광법을 잘 사용할 수 있다.
본 발명에 근거한 위상 시프트 마스크에 있어서, 제2광투광부는 단일막만으로 되어 있다. 또, 위상 시프터막의 제조공정에 있어서 노광광이 투과하는 기판상에 스퍼터링법을 사용하여 소정의 위상 시프터막을 형성하고, 그후 소정의 에칭을 행함으로서 제2광투과부를 형성하고 있다.
이것에 의해 종래의 스퍼터링 장치를 사용하여 단일의 공정으로 위상 시프터막을 형성하는 것이 가능하게 된다.
또한 에칭공정도 1회가 되기 때문에 패턴치수의 결함 및 오차가 발생할 확률이 감소되어 고품질의 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있게 된다.
본 발명이 상세히 기술되고 설명되었다 하더라도, 이는 설명과 예시만에 의한 것이며 제한되지 않고 본 발명의 정신과 범위는 계류된 청구항에 의해서만 제한된다는 것은 명백하다.

Claims (55)

  1. 노광광이 투과하는 기판(1)과, 상기 기판(1)의 주 표면상에 형성된 위상 시프트 패턴(30)이 상기 기판이 노출된 제1광투과부(10)와, 투과된 노광광의 위상을 상기 제1광투과부를 통하여 투과된 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5~40%인 단일재료로 된 제2광투과부를 포함하는 위상 시프트 마스크.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제2광투과부(4)는 금속 산화물 및 금속 산화 질화물, 금속 실리사이드 산화물 및 금속 실리사이드 산화 질화물로 된 그룹에서 선택되는 재료로 형성된 위상 시프트 마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제2광투과부(4)가 산화물, 산화 질화물, 크롬 산화 질화 탄화물, 몰리브덴 실리사이드 산화물 및 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물로 된 그룹에서 선택되는 재료로 형성된 위상 시프트 마스크.
  4. 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5~40%의 투과율을 갖는 소정 두께의 위상 시프터막(4)을 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 공정과, 상기 위상 시프터막(4) 위에 소정의 패턴을 갖는 레지스트막(5)을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막(5)을 마스크로 하여, 드라이 에칭법에 의해 상기 위상 시프터막(4)에 에칭하여, 상기 기판을 노출시키는 제1광투과부(10)과 상기 위상 시프터막(4)으로 된 제2광투과부(4)를 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기에서, 몰리브덴 실리사이드의 타켓을 사용하여 몰리브덴 실리사이드 산화물 막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위가 아르곤이 76~92%의 범위이고, 나머지가 산소인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤, 산소 및 질소의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드의 타켓을 사용하여 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤이 65!79%, 산소가 8~24%, 질소가 3~20%인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 타켓을 사용하여, 크롬 산화물로 된 막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤이 36~97%의 범위이고, 나머지가 산소인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  11. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤, 산소 및 질소의 혼합가스의 분위기 중에서, 크롬 타켓을 사용하여 크롬 산화 질화물로 된 막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위가 아르곤이 48~90%, 산소가 1~39%, 질소가 6~14%인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  13. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤과 일산화질소의 혼합가스의 분위기 중에서 크롬 타켓을 사용하고 크롬 산화 질화물로 된 막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위가 아르곤이 82~87%의 범위이고, 나머지가 일산화질소인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  15. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 아르곤, 산소 및 메탄의 혼합가스 분위기 중에서 크롬 타켓을 사용하여 크롬 산화 질화 탄화물로 된 막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤이 78~88%, 산소가 2~13%, 메탄이 8~10%인 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  17. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 대전방지막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 대전 방지막을 형성하는 공정이 스퍼터링법으로 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성하는 공정 사이에 몰리브덴막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 대전 방지막을 형성하는 공정이 스퍼터링법으로 상기 위상 시프터막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성하는 공정 사이에 크롬막을 형성하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  20. 제 5항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 에칭하는 공정은 불화탄소와 산소의 혼합가스를 사용하는 드라이 에칭법으로 수행되는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  21. 제 9항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 에칭하는 공정은 염화메틸렌과 산소의 혼합가스, 염소와 산소의 혼합가스 및 염소가스로 된 그룹에서 선택되는 가스를 사용하여, 드라이 에칭법으로 수행되는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  22. 제 4항에 있어서, 상기 위상 시프터막(4)을 형성하는 공정이 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후, 200℃ 이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  23. 패턴 형성층 위에 레지스트막을 도포하는 공정과, 노광광이 투과하는 기판상에 형성된 제1광투과부(10)와, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 노광광의 위상에 대하여 투과된 노광광의 위상을 180°로 변환시키는 단일 재료로 된 제2광투과부(4)를 가지며, 투과율이 5~40%인 위상 시프트 패턴(30)을 구비한 위상 시프트 마스크로 상기 레지스트막을 노광하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크를 사용하는 노광방법.
  24. 노광광이 투과하는 기판위에 막이 형성된 상태에서 투과하는 노광광의 위상과 투과율이 상기 기판만을 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5%~40%이고, 금속 실리사이드 산화물 또는 금속 실리사이드 산화 질화물의 단일 재료로 구성되는 위상 시프터막.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 단일재료는 몰리브덴 실리사이드의 산화물 또는 몰리브덴 산화 질화물로 된 위상 시프터막.
  26. 스프터링법을 사용하여 노광광이 투과하는 기판의 주표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드 산화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적백분율 범위는 아르곤 76%~92%의 범위이고, 나머지가 산소인 위상 시프터막의 제조방법.
  28. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여 아르곤, 산소 및 질소의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물 막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  29. 제 28항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분을 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤 65%~79%, 산소가 8%~24%, 질소가 3%~20%인 위상 시프터막의 제조방법.
  30. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변화하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여 아르곤이 36%-97%, 나머지가 산소인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화물막으로 구성되는 위상시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  31. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 48%-90%, 산소가 1%-39%, 질소가 6%-14%인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  32. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 크롬이 82%-87%, 나머지가 일산화질소인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  33. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주표면상에 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변화하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 78%-88%, 산소가 2%-13%, 메탄이 8%-10%인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화탄화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프터막의 제조방법.
  34. 노광광이 투과하는 기판과, 이 기판의 주 표면상에 형성된 위상 시프터막을 부기한 위상 시프트 마스크용 블랭크에 있어서, 상기 위상 시프터막은 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 투과하는 노광광의 위상과 투과율이 상기 기판만을 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 투과율이 5%-40%이고, 금속 실리사이드 산화물 또는 금속 실리사이드 산화 질화물의 단일 재료로 구성되는 위상 시프트 마스크용 블랭크.
  35. 제 34항에 있어서, 상기 단일재료는 몰리브덴 실리사이드 산화물 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화물로 구성되는 위상 시프트 마스크용 블랭크.
  36. 제 34항 또는 제 35항에 있어서, 상기 기판상에 금속막을 더욱 구비하는 위상 시프트 마스크용 블랭크.
  37. 제 36항에 있어서, 상기 금속막은 몰리브덴막 또는 크롬막인 위상 시프트 마스크용 블랭크.
  38. 제 34, 35항 및 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크는 상기 기판상에 레지스트막을 더욱 구비하는 위상 시프트 마스크용 블랭크.
  39. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여, 아르곤과 산소의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드 산화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  40. 제 39항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤이 76%-92%의 범위이고, 나머지가 산소인 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  41. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 몰리브덴 실리사이드 타켓을 사용하여, 아르곤, 산소 및 질소의 혼합가스 분위기 중에서 몰리브덴 실리사이드 질화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  42. 제 41항에 있어서, 상기 혼합가스의 각 성분이 차지하는 체적 백분율의 범위는 아르곤이 65%-79%, 산소가 8%-24%, 질소가 3%-20%인 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  43. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 36%-97%, 나머지가 산소인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  44. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 48%-90%, 산소가 1%-39%, 질소가 6%-14%인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  45. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 82%-87%, 나머지가 일산화질소인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  46. 스퍼터링법을 사용하여, 노광광이 투과하는 기판의 주 표면상으로 투과하는 노광광의 위상을 180°로 변환하고, 또한 5%-40%의 투과율을 가지는 소정 두께의 위상 시프터막을 가지는 위상 시프트 마스크용 블랭크 제조방법에 있어서, 크롬 타켓을 사용하여, 아르곤이 78%-88%, 산소가 2%-18%, 메탄이 8%-10%인 혼합가스 분위기 중에서 크롬 산화 질화 탄화물막으로 구성되는 위상 시프터막을 형성하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  47. 제 39, 40, 42항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃ 이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  48. 노광광이 투과하는기판과, 이 기판의 주 표면상에 형성된 위상 시프트 패턴을 구비하고, 상기 위상 시프트 패턴은 상기 기판을 노출하는 제1광투과부와, 투과하는 노광광의 위상 및 투과율이 상기 제1광투과부를 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5%-40%이고, 금속 산화막, 금속 산화 질화막, 금속 실리사이드 산화막 및 금속 실리사이드 산화 질화막으로 구성되는 군에서 선택되는 1종류의 막으로 구성되는 제2광투과부를 가지는 위상 시프트 마스크에서, 상기 제2광투과부에 잔존하는 결함(흑 결함) 또는 핀홀 결함(백 결함)이 생기는 경우 위상 시프트 마스크의 결함 검사 방법에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크에 대하여, 수은 램프를 광원으로 하는 광을 사용하여 칩비교 방식에 의해 결함검사를 행하는 위상 시프트 마스크의 결함 검사방법.
  49. 노광광이 투과하는 기판과, 이 기판의 주 표면상에 형성된 시프트 패턴을 구비하고, 상기 위상 시프트 패턴은 상기 기판을 노출하는 제1광투과부와, 투과하는 노광광의 위상 및 투과율이 상기 제1광투과부를 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5%-40%이고, 금속 산화막, 금속 산화 질화막, 금속 실리사이드 산화막 및 금속 실리사이드 산화 질화막으로 구성되는 군에서 선택되는 1종류의 막으로 구성되는 제2광투과부를 가지는 위상 시프트 마스크에서 상기 제2광투과부에 잔존하는 결함(흑 결함)이 생기는 경우, 위상 시프트 마스크의 결함 수정방법에 있어서, 상기 제2광투과부에 생긴 잔존하는 결함(백 결함)에 대하여 야그(YAG) 레이져 또는 FIB의 스퍼터 에칭에 의해 나머지 결함의 수정을 행하는 위상 시프트 마스크의 결함 수정방법.
  50. 노광광이 투과하는 기판과,이 기판의 주 표면상에 형성된 시프트 패턴을 구비하고, 상기 위상 시프트 패턴은 상기 기판을 노출하는 제1광투과부와, 투과하는 노광광의 위상 및 투과율이 상기 제1광투과부를 투과하는 노광광의 위상에 대하여 180°로 변환하고, 또한 투과율이 5%-40%이고, 금속 산화막, 금속 산화 질화막, 금속 실리사이드 산화막 및 금속 실리사이드 산화 질화막으로 구성되는 군에서 선택되는 1종류의 막으로 구성되는 제2광투과부를 가지는 위상 시프트 마스크에서 상기 제2광투과부에 잔존하는 핀홀 결함(백 결함)이 생긴 경우 위상 시프트 마스크의 결함 수정방법에 있어서, 상기 제2광투과부에 생긴 핀홀 결함(백 결함)에 대하여, FIB 어시스트데포지션 방법에 의하여 카본계막의 데포지션에 의해 핀홀 결함을 매입하여 수정하는 위상 시프트 마스크의 결함 수정방법.
  51. 제 41항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  52. 제 43항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  53. 제 44항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  54. 제 45항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
  55. 제 46항에 있어서, 상기 위상 시프트 마스크용 블랭크를 형성하는 공정은 상기 위상 시프터막을 스퍼터링법을 사용하여 형성한 후에, 200℃이상의 열처리를 행하는 공정을 포함하는 위상 시프트 마스크용 블랭크의 제조방법.
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